JP3834639B2

JP3834639B2 - Method for producing silicon nitride nanowire coated with boron nitride

Info

Publication number: JP3834639B2
Application number: JP2002379615A
Authority: JP
Inventors: 義雄板東; チェンチュン・タン
Original assignee: National Institute for Materials Science
Current assignee: National Institute for Materials Science
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2002-12-27
Publication date: 2006-10-18
Anticipated expiration: 2022-12-27
Also published as: JP2004210562A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明はマイクロエレクトロニクス部品、高性能セラミックスおよびオプトエレクトロニクス部品等への利用が期待されている窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
窒化珪素ナノワイヤーは化学的安定性、耐熱衝撃性および耐クリープ特性が優れていることはよく知られている。また、これは、高温、高出力、高周波、さらには極限環境等の条件下に使用される電子デバイスの構成材料としても期待されているものである。
【０００３】
このため、最近はナノスケールの分野やマイクロエレクトロニクスの分野において、窒化珪素ナノワイヤーに対する関心が高まっている〔文献１：Nature、374 巻、526 頁、1995年および J.Mater.Sci（ジャーナル・オブ・マテリアル・サイエンス. ）22巻、3041頁、1987年参照〕。
【０００４】
例えば、窒化珪素ナノワイヤーに関しては、文献２：Appl.Phys.Lett. （アプライド・フィジックス・レターズ）71巻、2271頁、1997年や文献３：Science、286 巻、2148頁、1999年に紹介されている。そして、文献４：特表平11-509825 号公報ではカーボンナノチューブ、一酸化ケイ素および窒素から窒化珪素ナノウイスカーを製造する方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらのナノワイヤーやナノウイスカーは、たとえば酸化物等のセラミックスに複合化してその特性、たとえば強度や電子・光機能等を向上させようとすると、マトリックス材のセラミックスとの相互作用が生じてしまい、むしろ特性の低下をもたらす場合があり、またナノワイヤー等はその大きな表面積によってマトリックス材との相互作用が促進されてしまうことが懸念されている。
【０００６】
そこで、このような相互作用を抑えて、マトリックス材との複合化による効果を実現するために、前記のとおりの優れた特性の窒化珪素のナノワイヤーについて、その表層に、高温でも安定で、しかも不活性であり、さらには絶縁性でもある窒化ホウ素（ＢＮ）を被膜することが考えられている。だが、実際には、この窒化ホウ素（ＢＮ）の均一被膜はいまだに実現されていないのが実情である。
【０００７】
この発明は以上のとおりの従来の問題を解消し、マトリックス材との相互作用を抑制し、複合化によってその特性、機能を向上させることのできる、表層に窒化ホウ素（ＢＮ）を均一に被膜した新しい窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供することを課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、第１には、ニッケルのナノ粒子を担持したグラファイト基板を触媒とし、ホウ素と二酸化ケイ素の混合物を窒素ガス気流中において高温で反応させることを特徴とする窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【０００９】
また、この出願の発明は、第２には、ニッケルのナノ粒子を担持した六方晶系窒化ホウ素基板を触媒としてホウ素と二酸化ケイ素の混合物をアンモニアガスと希ガス気流中において、高温で反応させる窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供し、第３には、上記方法において、ホウ素と二酸化ケイ素のモル比が１：５〜５：１である窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を、また、第４には、上記方法において、1400℃〜1600℃の温度範囲で30分〜３時間反応させる窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を、第５には、上記方法において、反応後の生成物を空気中において、600〜1000℃で５〜10時間、熱処理を施す窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は上記のとおりの特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態について説明する。
【００１３】
なによりも特徴的なことは、この出願の発明は、表面の少くとも一部に窒化ホウ素（ＢＮ）が被覆された窒化珪素ナノ構造体を提供することである。そして、また、この出願の発明は、これらの製造方法として、窒化珪素ナノワイヤーを製造すると同時に表面に窒化ホウ素を結晶成長させることによって被覆することを特徴とするものである。
【００１４】
窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーを製造するための方法においては、触媒として、ニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板または六方晶系窒化ホウ素基板を用いる。
【００１５】
これらの基板の作製に際しては、たとえば、まずアセトンで数回洗浄し、その後、真空室に配置して吸着物を除去する。このようにして、あらかじめ基板を洗浄乾燥した後、ニッケルを５〜10nmの厚さにスパッタリングにより堆積し、ナノ粒子化するために、さらに500℃で一晩加熱する。
【００１６】
また、一方、原料となるホウ素と二酸化ケイ素の混合物はボールミルで均一に微粉化する。
【００１７】
この出願の発明の製造方法においては、たとえば上記のとおりの手順により製造したニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板または六方晶系窒化ホウ素基板を触媒とし、これら基板と、ホウ素と二酸化ケイ素とを高温反応させる。この反応は、前記のグラファイト基板を触媒とする場合には窒素ガス気流中で行う。前記の六方晶窒化ホウ素基板を触媒とする窒化珪素ナノワイヤーの製造の場合には、さらに、アンモニアガスと希ガスとの混合気流中で行うこともできる。
【００１８】
このような反応は、たとえば図３に例示した反応装置において実施することができる。すなわち、この図３の例では、上記のとおりの基板(3)をホウ素と二酸化ケイ素との原料混合物（Ｂ＋ＳｉＯ2）と離して窒化ホウ素製るつぼ(4)の中に配置し、高周波誘導加熱器(7)を用いてガラス密閉容器(6)の外側から加熱する。このとき、基板(3)の温度は生成物の堆積を容易にするため、原料混合物の温度よりも低くするのが好ましい。原料混合物の加熱温度は、通常1400〜1600℃の範囲が好ましく、基板(3)の温度は、通常1300〜1500℃の範囲が好ましい。
【００１９】
そして、基板(3)としてニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板を触媒として使用した場合には、反応性ガス(1)、移送ガス（２）として窒素ガスを流す。
【００２０】
また、基板(3)としてニッケルのナノ粒子を担持した六方晶系窒化ホウ素基板を触媒として用いた場合には、反応性ガス(1) 、移送ガス(2)としてアルゴンガス等の希ガスやアンモニアガスを流す。そして、余剰の反応ガス(1)や移送ガス(2)は排出口(5)から排出されその後適当な方法で回収される。
【００２１】
このようにして、30分から３時間反応させると、ニッケルのナノ粒子を担持した基板(3)の表面に生成物としての、窒化ホウ素（ＢＮ）で被覆された窒化珪素ナノワイヤーが堆積する。
【００２２】
そして、ニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板を用いて反応させる場合には、生成物中に含まれる炭素の不純物を除去するために、さらに空気中で、600〜1000℃の温度範囲で５〜10時間程度加熱処理を施すことも考慮される。
【００２４】
次に実施例を示して、さらに詳しく窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法について説明する。もちろん、以下の例によって発明が限定されることはない。
【００２５】
【実施例】
＜実施例１＞
高配向性の焼成グラファイト基板をアセトンで数回洗浄して、吸着物を除去した。この基板を真空室に入れ、スパッタリングにより、ニッケルを５〜10nm堆積した。さらに、このニッケルが堆積した基板のニッケルをナノ粒子化するためにアルゴン気流中、500 ℃で一晩加熱して、触媒となるニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板を作製した。
【００２６】
次に、モル比１：１のホウ素と二酸化ケイ素の混合物１ｇをボールミルで６時間かけて均一に微粉化した。図３の反応装置において、ニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板と離して原料混合物１ｇを窒化ホウ素製るつぼに配置し、反応ガスおよび移送ガスとしての窒素ガスを流しながら、高周波誘導加熱炉を用いて、原料混合物を1500℃に加熱した。このとき、ニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板の温度を1400℃に担持した。２時間、加熱後、ニッケルのナノ粒子を担持した高配向性の焼成グラファイト基板の表面に灰色の生成物が堆積した。生成物は、図１ ( ａ ) に示したように、Ｘ線回折のパターンから窒化珪素 (Si3N4) が存在することが確認された。図２は、透過型電子顕微鏡写真を示したものである。窒化珪素 (Si3N4) ナノワイヤーの表面に窒化ホウ素（ＢＮ）が被覆されていることが確認された。
【００３２】
＜実施例２＞
六方晶系窒化ホウ素基板をアセトンで数回洗浄することにより、吸着物を除去した。この基板を真空室に入れ、スパッタリングによってニッケル粒子を５〜10nmの厚さに成長させた。さらに、この成長したニッケルをナノ粒子化するために、アルゴン気流中、500℃で一晩加熱し、触媒となるニッケルのナノ粒子が担持された窒化ホウ素基板を作製した。
【００３３】
次に、実施例１と同様にホウ素と二酸化ケイ素の混合物をボールミルを用いて、６時間かけて粉砕した後、この混合物を窒化ホウ素製るつぼ(4)の中に入れた。アンモニアガス(1)とアルゴンガス(2)を流しながら、高周波誘導加熱炉を用いて、混合物を1500℃に加熱し、ニッケルのナノ粒子が担持された窒化ホウ素基板を1400℃に担持した。２時間反応させた後、基板に堆積した灰色の生成物を採取した。
【００３４】
生成物は図１(ｂ)に示したＸ線回折の結果から、窒化珪素(Si3N4)と六方晶系窒化ホウ
素から形成されていることが確認された。
【００３５】
走査型電子顕微鏡によって観察した結果、直径が数ナノメートルから100ナノメートルの範囲にあり、長さが数百マイクロメートルのナノワイヤーであることが確認された。そして、このナノワイヤーは、窒化ホウ素が被覆された窒化珪素(Si₃N₄)ナノワイヤーであることが確認された。
【００３６】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この出願の発明によって、マトリックス材との相互作用を抑制し、複合化によってその特性、機能を向上させることのできる、表層に窒化ホウ素（ＢＮ）を均一に被膜した新しい窒化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｘ線回折のパターンを示す図である。
図１(ａ)：ニッケルのナノ粒子が担持された高配向性のグラファイト基板を用い、窒素ガスを反応性ガスおよび移送ガスとしたときの窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーのＸ線回折パターンである。
図１(ｂ)：ニッケルのナノ粒子が担持された窒化ホウ素基板を用いたときの窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーのＸ線回折パターンである。
【図２】窒化ホウ素が被覆された窒化珪素ナノワイヤーの透過型電子顕微鏡写真である。
【図３】この発明の反応に用いられる装置の構成を例示した全体図である。
【符号の説明】
１反応ガス
２移送ガス
３ニッケルのナノ粒子を担持した基板
４窒化ホウ素るつぼ
５ガスの出口
６ガラス密閉容器
７高周波誘導加熱器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The invention of this application relates to a method for manufacturing a microelectronic component, high performance ceramics and optoelectronic application to parts or the like is coated with boron nitride are expected silicon nitride nanowires over.
[0002]
[Prior art]
Nitrided silicon nanowires chemical stability, It is well known to have excellent thermal shock resistance and creep resistance. Also, this, high temperature, high power, high frequency, or even one which is expected as a material of an electronic device used under conditions such as extreme environments.
[0003]
Therefore, recently Te field odor nanoscale field and microelectronics, nitriding silicon nano has increased interest in the wire [Document 1: Nature, 374, pp. 526 pp., 1995 and J.Mater.Sci (Journal・ Of Material Science.), Vol. 22, p. 3041, see 1987].
[0004]
For example, with respect to nitrided silicon nanowires, literature 2:. Appl.Phys.Lett (Applied Physics Letters) Vol. 71, pp. 2271, 1997 and literature 3: Science, 286, pp. 2148, 1999 It has been introduced. Reference 4 : JP-T-11-509825 discloses a method for producing silicon nitride nanowhiskers from carbon nanotubes, silicon monoxide and nitrogen.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when these nanowires and nanowhiskers are combined with ceramics such as oxides to improve their properties, such as strength, electronic / optical functions, etc., interaction with the matrix ceramics occurs. In other words, there is a possibility that the characteristics may be deteriorated, and it is feared that the interaction between the nanowires and the like is promoted by the large surface area.
[0006]
Therefore, to suppress such an interaction, in order to realize the effect of complexation with the matrix material, the nanowires nitrided silicon excellent characteristics as described above, the surface layer thereof, is stable even at high temperature, Moreover, it is considered to coat boron nitride (BN) which is inactive and also insulating. However, in reality, this uniform film of boron nitride (BN) has not been realized yet.
[0007]
The present invention solves the conventional problems as described above, suppresses the interaction with the matrix material, and can improve the characteristics and functions by compounding, and boron nitride (BN) is uniformly coated on the surface layer. It has an object to provide a method for manufacturing a new silicon nitride nanowires over.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention of this application firstly uses a graphite substrate supporting nickel nanoparticles as a catalyst and reacts a mixture of boron and silicon dioxide at a high temperature in a nitrogen gas stream. A method for producing silicon nitride nanowires coated with boron nitride is provided.
[0009]
In addition, the invention of this application is, secondly, a nitriding process in which a mixture of boron and silicon dioxide is reacted at a high temperature in a stream of ammonia gas and rare gas using a hexagonal boron nitride substrate supporting nickel nanoparticles as a catalyst. provides a process for the production of coated silicon nitride nanowires boron, the third, in the above method, the molar ratio of boron and silicon dioxide is 1: 5 to 5: coated silicon nitride at 1 a is boron nitride A method for producing nanowires, and fourth, a method for producing silicon nitride nanowires coated with boron nitride that is reacted in the temperature range of 1400 ° C. to 1600 ° C. for 30 minutes to 3 hours in the above method, 5 provides a method for producing silicon nitride nanowires coated with boron nitride in which the product after the reaction is heat-treated at 600 to 1000 ° C. for 5 to 10 hours in the above method. .
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The invention of this application has the characteristics as described above, and an embodiment thereof will be described below.
[0013]
What characteristic than the invention of this application is that the boron nitride to a portion at least of the front surface (BN) to provide a coated silicon nitride nanostructures. Then, also, the invention of this application is to these production methods, and is characterized in that the coating by causing crystal growth of boron nitride on the surface simultaneously when manufacturing the nitrided silicon nanowires.
[0014]
In the method for producing coated nitrided silicon nanowires with boron nitride, as catalyst, Ru using highly oriented sintered graphite substrate or hexagonal boron nitride substrate nanoparticles supported nickel.
[0015]
In producing these substrates, for example, the substrate is first washed several times with acetone, and then placed in a vacuum chamber to remove the adsorbate. In this way, after the substrate is washed and dried in advance, nickel is deposited by sputtering to a thickness of 5 to 10 nm and further heated at 500 ° C. overnight to form nanoparticles.
[0016]
On the other hand, the mixture of boron and silicon dioxide as raw materials is uniformly pulverized with a ball mill.
[0017]
In the production method of the invention of this application, for example, a highly oriented calcined graphite substrate or hexagonal boron nitride substrate carrying nickel nanoparticles produced by the procedure as described above is used as a catalyst. High temperature reaction with silicon dioxide. This reaction is carried out in a nitrogen gas stream in the case of the graphite substrate and catalyst. The hexagonal boron nitride substrate in the case of the production of silicon nitride nanowires and catalyst, may also be performed in a mixed gas stream of ammonia gas and a rare gas.
[0018]
Such reactions can be carried out in the illustrated reactor, for example, in FIG. That is, in the example of FIG. 3 , the substrate (3) as described above is placed in the boron nitride crucible (4) apart from the raw material mixture of boron and silicon dioxide (B + SiO2), and a high frequency induction heater ( Use 7) to heat from the outside of the glass sealed container (6). At this time, the temperature of the substrate (3) is preferably lower than the temperature of the raw material mixture in order to facilitate the deposition of the product. The heating temperature of the raw material mixture is usually preferably in the range of 1400 to 1600 ° C, and the temperature of the substrate (3) is usually preferably in the range of 1300 to 1500 ° C.
[0019]
Then, when using a highly oriented sintered graphite substrate carrying nanoparticles nickel as a substrate (3) as a catalyst, reactive gas (1) to flow the nitrogen gas as a carrier gas (2).
[0020]
Further, when the hexagonal boron nitride substrate carrying the nanoparticle of nickel as a substrate (3) was used as the catalyst, the reactive gas (1), Ya rare gas such as argon gas as a transfer feed gas (2) Flow ammonia gas. Excess reaction gas (1) and transfer gas (2) are discharged from the discharge port (5) and then recovered by an appropriate method.
[0021]
In this manner, when the reaction for 30 minutes to 3 hours, as a product on the surface of the substrate carrying the nanoparticle of the nickel (3), is coated nitrided silicon nanowires with boron nitride (BN) is deposited.
[0022]
And when making it react using the highly oriented baking graphite board | substrate which carry | supported the nickel nanoparticle, in order to remove the impurity of the carbon contained in a product, in air, it is 600-1000 degreeC. It is also considered that the heat treatment is performed for about 5 to 10 hours in the temperature range.
[0024]
Then shows the embodiment will be described in more detail a manufacturing method of a coated silicon nitride nanowires over boron nitride. Of course, the invention is not limited by the following examples.
[0025]
【Example】
<Example 1>
The highly oriented fired graphite substrate was washed several times with acetone to remove the adsorbate. The substrate was placed in a vacuum chamber, and nickel was deposited to 5 to 10 nm by sputtering. Furthermore, in order to make the nickel of the nickel-deposited substrate into nanoparticles, it was heated overnight at 500 ° C. in an argon stream to produce a highly oriented fired graphite substrate carrying nickel nanoparticles as a catalyst. .
[0026]
Next, 1 g of a mixture of boron and silicon dioxide at a molar ratio of 1: 1 was uniformly pulverized with a ball mill over 6 hours. In the reaction apparatus shown in FIG. 3 , the raw material mixture 1 g is placed in a boron nitride crucible apart from a highly oriented calcined graphite substrate supporting nickel nanoparticles, and a high frequency is applied while flowing nitrogen gas as a reaction gas and a transfer gas. The raw material mixture was heated to 1500 ° C. using an induction heating furnace. At this time, the temperature of the highly oriented sintered graphite substrate supporting nickel nanoparticles was supported at 1400 ° C. After heating for 2 hours, a gray product was deposited on the surface of the highly oriented calcined graphite substrate carrying nickel nanoparticles. The product, as shown in FIG. 1 (a), it was confirmed that there is a silicon nitride (Si3 N4) from the pattern of X-ray diffraction. FIG. 2 shows a transmission electron micrograph. It was confirmed that the surface of the silicon nitride (Si3N4) nanowire was coated with boron nitride (BN).
[0032]
<Example 2 >
The adsorbate was removed by washing the hexagonal boron nitride substrate several times with acetone. This substrate was placed in a vacuum chamber, and nickel particles were grown to a thickness of 5 to 10 nm by sputtering. Further, in order to make the grown nickel into nanoparticles, the substrate was heated in an argon stream at 500 ° C. overnight to produce a boron nitride substrate on which nickel nanoparticles serving as a catalyst were supported.
[0033]
Next, the mixture of boron and silicon dioxide was ground using a ball mill for 6 hours in the same manner as in Example 1, and the mixture was placed in a boron nitride crucible (4). While flowing ammonia gas (1) and argon gas (2), the mixture was heated to 1500 ° C. using a high-frequency induction heating furnace, and a boron nitride substrate on which nickel nanoparticles were supported was supported at 1400 ° C. After reacting for 2 hours, the gray product deposited on the substrate was collected.
[0034]
The product was confirmed to be formed of silicon nitride (Si3N4) and hexagonal boron nitride from the result of X-ray diffraction shown in FIG. 1 ( b ).
[0035]
As a result of observation with a scanning electron microscope, it was confirmed that the nanowire had a diameter in the range of several nanometers to 100 nanometers and a length of several hundred micrometers. This nanowire was confirmed to be a silicon nitride (Si ₃ N ₄ ) nanowire coated with boron nitride.
[0036]
【The invention's effect】
As explained in detail above, the invention of this application can suppress the interaction with the matrix material and improve the characteristics and function by compounding. New nitriding with a uniform coating of boron nitride (BN) on the surface layer it is possible to provide a manufacturing method of the silicon nanowire over.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern.
Fig. 1 (a): X-ray diffraction of silicon nitride nanowires coated with boron nitride using a highly oriented graphite substrate carrying nickel nanoparticles and using nitrogen gas as reactive gas and transfer gas It is a pattern.
Figure 1 (b): Ru X-ray diffraction pattern der of the coated silicon nitride nanowires boron nitride when the nanoparticles of nickel is used a supported boron nitride substrate.
FIG. 2 is a transmission electron micrograph of silicon nitride nanowires coated with boron nitride.
FIG. 3 is an overall view illustrating the configuration of an apparatus used for the reaction of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction gas 2 Transfer gas 3 The board | substrate which supported the nanoparticle of nickel 4 Boron nitride crucible 5 Gas outlet 6 Glass sealed container 7 High frequency induction heater

Claims

ニッケルのナノ粒子を担持したグラファイト基板を触媒とし、ホウ素と二酸化ケイ素の混合物を窒素ガス気流中において高温で反応させることを特徴とする窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法。 A method for producing silicon nitride nanowires coated with boron nitride, characterized by reacting a mixture of boron and silicon dioxide at a high temperature in a nitrogen gas stream using a graphite substrate carrying nickel nanoparticles as a catalyst.

ニッケルのナノ粒子を担持した六方晶系窒化ホウ素基板を触媒としてホウ素と二酸化ケイ素の混合物をアンモニアガスと希ガス気流中において、高温で反応させることを特徴とする窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法。 Boron nitride-coated silicon nitride nano, characterized by reacting a mixture of boron and silicon dioxide at a high temperature in a stream of ammonia gas and rare gas using a hexagonal boron nitride substrate carrying nickel nanoparticles as a catalyst Manufacturing method of wire.

ホウ素と二酸化ケイ素のモル比が１：５〜５：１であることを特徴とする請求項１または２の窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法。 The method for producing silicon nitride nanowires coated with boron nitride according to claim 1 or 2, wherein the molar ratio of boron to silicon dioxide is 1: 5 to 5: 1.

1400℃〜1600℃の温度範囲で30分〜３時間反応させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法。 The method for producing silicon nitride nanowires coated with boron nitride according to any one of claims 1 to 3, wherein the reaction is carried out in a temperature range of 1400 ° C to 1600 ° C for 30 minutes to 3 hours.

反応後の生成物を空気中において、600〜1000℃で５〜10時間、熱処理を施すことを特徴とする請求項１、３および４のいずれかの窒化ホウ素で被覆された窒化珪素ナノワイヤーの製造方法。 The product after the reaction is heat-treated at 600 to 1000 ° C. for 5 to 10 hours in the air, wherein the silicon nitride nanowire coated with boron nitride according to claim 1, 3 or 4 is used. Production method.