JP3807836B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置およびその半導体装置の製造方法に関し、より特定的には、メモリセルを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、揮発性半導体装置の一種として、SRAM(Static Random Access Memory)が知られている。SRAMでは、マトリックス(行列)状に配置された相補型データ線(ビット線)とワード線との交差部にメモリセルを配置する。図32は、従来のSRAMのメモリセル部を示した等価回路図である。図32を参照して、以下SRAMの回路構成について説明する。
【0003】
従来のSRAMのメモリセルは、2つのアクセストランジスタA1およびA2と、2つのドライバトランジスタD1およびD2と、2つの負荷トランジスタP1およびP2とによって構成されている。また、2つの負荷トランジスタP1およびP2と、2つのドライバトランジスタD1およびD2とによってフリップフロップ回路が構成される。このフリップフロップ回路により、クロスカップリング(交差接続)させた2つの記憶ノードN1およびN2を構成する。記憶ノードN1およびN2は、High(N1),Low(N2)、または、Low(N1),High(N2)の双安定状態を有する。この双安定状態は、所定の電源電圧が与えられている限り保持し続けられる。
【0004】
アクセストランジスタA1およびA2の一方のソース/ドレイン領域は、フリップフロップ回路の入出力端子である記憶ノードN1およびN2に接続される。また、アクセストランジスタA1およびA2の他方のソース/ドレイン領域はビット線に接続される。また、アクセストランジスタA1およびA2のゲート電極はワード線に接続される。このワード線により、アクセストランジスタA1およびA2のON/OFFが制御される。
【0005】
また、ドライバトランジスタD1およびD2のドレイン領域は、アクセストランジスタA1およびA2の一方のソース/ドレイン領域にそれぞれ接続されている。ドライバトランジスタD1およびD2のソース領域は、GND線(VEE線)に接続されている。ドライバトランジスタD1のゲート電極は、アクセストランジスタA2のソース/ドレイン領域に接続されており、ドライバトランジスタD2のゲート電極は、アクセストランジスタA1のソース/ドレイン領域に接続されている。負荷トランジスタP1およびP2の一方のソース/ドレイン領域は、アクセストランジスタA1およびA2の一方のソース/ドレイン領域に接続されており、他方のソース/ドレイン領域は電源線(VCC線)に接続されている。
【0006】
動作としては、データを書き込むときは、ワード線(WL)を選択してアクセストランジスタA1およびA2をONさせる。そして、所望の論理値に応じてビット線対に強制的に電圧を印加することによって、フリップフロップ回路の双安定状態を上記したいずれかの状態に設定する。
【0007】
データを読み出すときは、アクセストランジスタA1およびA2をONさせる。そして、記憶ノードN1およびN2の電位をビット線に伝達する。
【0008】
このようなSRAMにおいて、負荷トランジスタとして基板上に形成されたPMOSを用いたいわゆる6トランジスタ型のSRAMセル(以下Full−CMOS型SRAMセルと称す)が実用に供されている。
このFull−CMOS型SRAMセルにおいて、フリップフロップ回路の一方のインバータを構成する負荷トランジスタのPMOSのドレイン領域(P+拡散領域)とドライバトランジスタであるNMOSのドレイン領域(N+拡散領域)を接続する必要がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来、Full−CMOS型SRAMセルにおいて、トランジスタ相互の拡散層を接続する配線および近接する相互を接続する配線全てを意味するインターコネクト(局所配線)には、オーミック接触の得られる金属配線を用いていた。例えば、配線に金属配線を用いる従来技術としては、特開平9−55440号公報に示される完全CMOS型SRAMが知られている。この半導体装置の構成は、タングステン埋め込み電極により金属配線層と基板とを接続し、さらに近接する相互を接続する局所配線用接続孔もタングステン埋め込み電極により接続する構成である。
【0010】
しかし、一般的に金属配線は加工が困難であり、パターンのピッチが小さくならないため、より一層の微細化が困難であるという問題点があった。また、一般的に金属配線は耐熱性に劣り、パターン形成後の熱処理が制限されるという問題点もあった。
【0011】
そこで、従来のFull−CMOS型SRAMセルにおいて、特に、負荷トランジスタであるPMOSのドレイン領域とドライバトランジスタであるNMOSのドレイン領域を接続する配線として、多結晶シリコン膜を用いることが考えられている。しかし、従来のSRAMにおいて、負荷トランジスタであるPMOSのドレイン領域とドライバトランジスタであるNMOSのドレイン領域を接続する配線として、多結晶シリコン膜を用いた場合、以下に説明する問題点が発生する。
【0012】
図33は、従来のSRAMの問題点を説明するための等価回路図であり、図34は、従来のSRAMの問題点を説明するための断面構造図である。
図34において、51はN-型シリコン基板、52はP型ウェル領域、53はN型ウェル領域、54は素子分離のためのフィールド絶縁膜である。フィールド絶縁膜54によって囲まれるP型ウェル領域52の表面には、ドライバトランジスタが形成されている。ドライバトランジスタは、N+型ソース/ドレイン領域55a、55b、N-型ソース/ドレイン領域56a〜56c、ゲート酸化膜58、ゲート電極59a、サイドウォール酸化膜60で構成されている。
【0013】
また、フィールド絶縁膜54によって囲まれるN型ウェル領域53表面には、負荷トランジスタが形成されている。負荷トランジスタは、P+型ソース/ドレイン領域57、ゲート酸化膜58、ゲート電極59b、サイドウォール酸化膜60で構成されている。そして全面を覆うように、シリコン酸化膜61が形成されている。ドライバトランジスタのN+型ソース/ドレイン領域55bと負荷トランジスタのP+型ソース/ドレイン領域57上にはコンタクトホール62aおよび62bが形成されている。そして、コンタクトホール62aおよび62bの内部とシリコン酸化膜61上には、多結晶シリコン膜63が形成されている。この多結晶シリコン膜63は、ボロンなどのP型不純物がドーピングされたP型多結晶シリコン膜である。このP型多結晶シリコン膜により、ドライバトランジスタのN+型ソース/ドレイン領域55bと負荷トランジスタのP+型ソース/ドレイン領域57は接続されている。
【0014】
しかし、1層の配線でトランジスタ間の接続をおこなうと、一つの導電型の多結晶シリコン膜で、負荷素子であるPMOSのドレイン領域とドライバトランジスタであるNMOSのドレイン領域を接続することになる。1層の一つの導電型の多結晶シリコン膜で接続をおこなった場合、図33、図34に示すように、後の熱処理による多結晶シリコン膜からのシリコン基板中への不純物拡散により、シリコン基板中にPNダイオードを形成してしまうという問題点が新たに発生する。
【0015】
これは、P型の不純物を含む多結晶シリコン膜63中のP型不純物が基板に拡散し、N+型ソース/ドレイン領域55b中にP+拡散領域64を形成してしまうためである。この結果、記憶ノードN1、N2のHigh側がVCC−Vbi(Vbi:PN接合のビルトインポテンシャル≒0.8V)までしか上がらないため、記憶ノードのHighノードが不安定になりやすい。このように、Highノードが不安定になると、ソフトエラー耐性の劣化が顕在化してくる。
【0016】
ここでソフトエラーについて説明する。ソフトエラーとは、以下のような現象をいう。パッケージ材料などの外部からのα線が入射して発生した電子・正孔対のうち、電子がメモリセルの記憶ノードに引き寄せられる。このためメモリセルの記憶情報が反転されてランダムなエラーが生じる。このエラーをソフトエラーと呼ぶ。このように、メモリセルのHighノード電位が低下して記憶ノードに蓄積される電荷が低減してしまうと、ソフトエラー耐性が劣化するという問題が生じる。
【0017】
さらに、多結晶シリコン膜で負荷トランジスタであるPMOSのドレイン領域とドライバトランジスタであるNMOSのドレイン領域を接続した場合、シリコン基板中に形成されるPNダイオードの問題や多結晶シリコン膜の配線抵抗自体が高いために、負荷トランジスタであるPMOSのドレイン領域とドライバトランジスタであるNMOSのドレイン領域の接続抵抗が高くなってしまう。このため、記憶ノードへの電荷の供給が困難となり、メモリセルのHighノードに蓄積される電荷が低減してしまう。その結果、ソフトエラーが発生しやすくなるという問題が生じる。
【0018】
さらにまた、Full−CMOS型SRAMセルは、2個のPMOSと4個のNMOSをレイアウトしなければならないため、セル面積が他のSRAMに比べて大きくなるという問題点があった。
【0019】
本発明は、かかる従来のFull−CMOS型SRAMセルの問題点を改善するためになされたもので、この発明の1つの目的は、パターン化が容易でメモリセルサイズのより一層の微細化および高集積化が可能な半導体装置を提供することである。
【0020】
また、この発明のもう1つの目的は、1層の同一導電型の多結晶シリコン膜でPMOSドレインとNMOSドレインを接続した時に問題となる、多結晶シリコン膜からシリコン基板中への不純物の拡散を防止することにより、シリコン基板中に形成される理想的なPNダイオードの形成を防止することである。これにより、記憶ノードのHighノードを安定化させ、ソフトエラー耐性の劣化を改善することが可能な半導体装置を提供することである。
【0021】
さらにまた、この発明のもう1つの目的は、多結晶シリコン膜の配線抵抗自体が高いために問題となるPMOSドレインとNMOSドレインの接続抵抗を低減することおよび記憶ノードの容量を増加させることにより、記憶ノードのHighノードを安定化させ、ソフトエラー耐性の劣化を改善することが可能な半導体装置を提供することである。
【0022】
また、この発明のさらにもう1つの目的は、メモリセルサイズのより一層の微細化と高集積化を図ると共に、ソフトエラー耐性の劣化を改善することのできる半導体装置の製造方法を提供することである。
【0023】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、少なくとも2層の配線層が接続孔を通じて電気的に接続された配線接続構造を有する半導体装置であって、主表面を有する半導体基板と、半導体基板の主表面に形成された、第1の不純物領域と第2の不純物領域と、半導体基板上に形成され、第1の不純物領域の表面に達する第1の貫通孔を有する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成され、第1の貫通孔を通じて第1の不純物領域に電気的に接続された第1の配線と、第1の配線を覆うように形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された第2の配線とを備え、第2の配線は、第1の絶縁膜、第1の配線および第2の絶縁膜を貫通するように形成された第2の貫通孔を通じて、第2の不純物領域に電気的に接続されており、第1の不純物領域と第2の不純物領域との接続が、第1の配線、第2の配線および第2の不純物領域を第2の貫通孔内で接続することによってなされており、第1の配線と第2の配線のいずれか一方の配線が多結晶シリコン膜であり、半導体装置が、第1および第2の負荷トランジスタと、第1および第2のドライバトランジスタと、第1および第2のアクセストランジスタを備えたSRAMであって、第1の配線が第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第2の配線が第1および第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第1および第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第2の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が第2の絶縁膜を介して接地配線と互いに立体的に重なって形成されており、第1の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が第2の絶縁膜を介して第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されているものである。
【0024】
また、この発明に係る半導体装置は、第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されているものである。
【0025】
さらにまた、この発明に係る半導体装置は、少なくとも2層の配線層が接続孔を通じて電気的に接続された配線接続構造を有する半導体装置であって、主表面を有する半導体基板と、半導体基板の主表面に形成された、第1の不純物領域と第2の不純物領域と、半導体基板上に形成され、第1の不純物領域の表面に達する第1の貫通孔を有する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成され、第1の貫通孔を通じて第1の不純物領域に電気的に接続された第1の配線と、第1の配線を覆うように形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された第2の配線とを備え、第2の配線は、第1の絶縁膜、第1の配線および第2の絶縁膜を貫通するように形成された第2の貫通孔を通じて、第2の不純物領域に電気的に接続されており、第1の不純物領域と第2の不純物領域との接続が、第1の配線、第2の配線および第2の不純物領域を第2の貫通孔内で接続することによってなされており、第1の配線と第2の配線のいずれか一方の配線が多結晶シリコン膜であり、半導体装置が、第1および第2の負荷トランジスタと、第1および第2のドライバトランジスタと、第1および第2のアクセストランジスタを備えたSRAMであって、第1の配線が第1および第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第2の配線が第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第1および第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第1の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、接地配線が第2の絶縁膜を介して第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されており、第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線が第2の絶縁膜を介して第1の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されているものである。
【0026】
また、この発明に係る半導体装置は、第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されているものである。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0040】
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるSRAMのメモリセル部の平面レイアウト図であり、図2は、図1のA−A線に沿った断面構造図である。
まず、図2を参照して、実施の形態1によるSRAMのメモリセル部の断面構造について説明する。
【0041】
この実施の形態1によるメモリセル部では、N-型シリコン基板1の表面にP-型ウェル領域3とN-型ウェル領域4が形成されている。また、P-型ウェル領域3とN-型ウェル領域4の表面の所定の領域には素子分離のためのフィールド絶縁膜2が形成されている。フィールド絶縁膜2によって囲まれるN-型ウェル領域4表面には、P+型ソース/ドレイン領域9が形成されている。また、P-型ウェル領域3表面には、所定の間隔を隔ててN+型ソース/ドレイン領域8a、8bが形成されている。N+型ソース/ドレイン領域8a、8bの両側には、N-型ソース/ドレイン領域6a〜6cが形成されている。N-型ソース/ドレイン領域6a〜6cと、N+型ソース/ドレイン領域8a、8bとによって、LDD(Lightly Doped Drain)構造のソース/ドレイン領域が構成される。
【0042】
N+型ソース/ドレイン領域8a、8bとの間に位置するチャネル領域上には、ゲート絶縁膜30を介してアクセストランジスタのゲート電極5aが形成されている。また、ゲート酸化膜30を介したP-型ウェル領域3とフィールド絶縁膜2上にまたがって、ドライバトランジスタと負荷トランジスタより構成されるインバータ2からドライバトランジスタと負荷トランジスタにより構成されるインバータ1への引き出し部5cが形成されている。また、N-型ウェル領域4のフィールド絶縁膜2上には、ドライバトランジスタと負荷トランジスタにより構成されるインバータ1からドライバトランジスタと負荷トランジスタにより構成されるインバータ2への引き出し部5bが形成されている。
【0043】
アクセストランジスタのゲート電極5a(図1において、5aはワード線である)と引き出し部5bおよび5c(図1において、5b、5cはドライバトランジスタと負荷トランジスタのゲート電極配線である)は、第1層目の多結晶シリコン膜で形成されている。その側表面には、サイドウォール酸化膜7が形成されている。また、全面を覆うように、シリコン酸化膜10が形成されている。シリコン酸化膜10の所定領域にはコンタクトホール11a〜11dが形成されている。
【0044】
コンタクトホール11a〜11dの形成されたシリコン酸化膜10上には、第2層目の多結晶シリコン膜が形成されている。この第2層目の多結晶シリコン膜は、ボロン(B)などのP型不純物がドーピングされたP型多結晶シリコン膜である。この第2層目の多結晶シリコン膜により、コンタクトホール11a内とシリコン酸化膜10上には、P+型ソース/ドレイン領域9に接触するように、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aが形成されている。P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aは、12bとしてインバータ2上においても形成されている。また、シリコン酸化膜10上には、VCC配線12cも形成されている。
【0045】
P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aとVCC配線12cとシリコン酸化膜10の上部を覆うように、シリコン酸化膜13が形成されている。そのシリコン酸化膜13、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aの一部およびシリコン酸化膜10には、直接コンタクト孔14a〜14gが形成されている。直接コンタクト孔14a〜14gを埋め込むように、第3層目の多結晶シリコン膜が形成される。第3層目の多結晶シリコンには、N型不純物であるリンがドーピングされている。
【0046】
まず、直接コンタクト孔14a、14bを埋め込むように形成されているのは、ビット線コンタクトパッド15a、15bである。15cは、GND配線である。15d、15eはN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線である。N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15dによりN+型ソース/ドレイン領域8b、N-型ソース/ドレイン領域6c、引き出し部5c、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aが接続されている。
【0047】
また、シリコン酸化膜13と第3層目の多結晶シリコン膜で形成された15a〜15eを覆うように層間絶縁膜16が形成されている。層間絶縁膜16の、ビット線コンタクトパッド14a上に位置する領域には、ビット線コンタクトホール17bが形成されている。このビット線コンタクトホール17b内でビット線コンタクトパッド15aに電気的に接触するとともに層間絶縁層16の上部表面上に沿って延びるようにビット線18bが形成されている。
【0048】
ビット線18bは、アルミニウムなどからなる金属配線によって形成されている。図2では、ビット線18bのみ示されているが、実際には図1に示すように1つのメモリセル内にビット線18bと18cが間隔を隔てて互いに平行に延びるように形成されている。また、ビット線18b、18cと同じ金属配線でGND線18aとGND線18dも形成される。
【0049】
上記のように、実施の形態1によるSRAMのメモリセルでは、負荷トランジスタのドレイン領域であるP+型ソース/ドレイン領域9と、ドライバトランジスタのソース/ドレイン領域であるN+型ソース/ドレイン領域8bとの接続が、2層の多結晶シリコン膜を用いて形成されているので、耐熱性の高い信頼性のある接続を得ることができるとともに、金属配線と比べてパターニングが容易であるため微細化が可能であり、高集積化が可能な半導体装置が得られるという効果がある。
【0050】
さらに、以下、実施の形態1によるメモリセルの特徴を適宜後述する実施の形態1の製造プロセスを説明するための図5〜図10を参照して説明する。
【0051】
実施の形態1によるメモリセルでは、図9に示すように、第2層目の多結晶シリコン膜であるP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aと、第3層目の多結晶シリコン膜であるGND配線15cが立体的に互いに重なるように形成されている。これにより図3に示すSRAMの等価回路図における記憶ノード蓄積電荷Q1が構成され、記憶ノードの容量を増加させることができる。
【0052】
また、図9に示すように、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12bと、GND配線15cが立体的に互いに重なるように形成されている。これにより図3に示すSRAMの等価回路図における記憶ノード蓄積電荷Q2が構成され、記憶ノードの容量を増加させることができる。さらにまた、図9に示すように、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aと、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15eが立体的に互いに重なるように形成されている。これにより図3に示すSRAMの等価回路図における記憶ノード蓄積電荷Q3が構成され、記憶ノードの容量を増加させることができる。
【0053】
図3に示した以上の構成により、SRAMのセルの等価回路における記憶ノードの容量Q1〜Q3を増加させることができる。よって、記憶ノードのHighノードが安定に保たれているのでソフトエラー耐性を著しく向上させることができる。
これにより、従来、多結晶シリコン膜をPMOSドレインとNMOSドレインの接続配線としたとき、多結晶シリコン膜の配線抵抗自体が高いために接続抵抗が数kΩ〜数MΩと高くなり、記憶ノードへの電荷の供給が困難となってメモリセルのHighノードに蓄積される電荷が低減しHighノードが不安定になり、これによりソフトエラー耐性の劣化が生じていた問題を解決できる。
【0054】
また、図33および図34に示すように、従来の半導体装置では1層の一つの導電型のP型多結晶シリコン膜で負荷トランジスタのP+型ソース/ドレイン領域57と、ドライバトランジスタのN+型ソース/ドレイン領域55bとの接続を行った場合、P型多結晶シリコン膜63から拡散した不純物が、N+型ソース/ドレイン領域55b中にP+拡散領域64を形成し、シリコン基板中に理想的なPNダイオードを形成してしまうという問題点があった。これにより、記憶ノードN1、N2のHigh側がVCC−Vbi(Vbi:PN接合のビルトインポテンシャル≒0.8V)までしか上がらないため、記憶ノードのHighノードが不安定になりやすくソフトエラー耐性の劣化が顕在化していた。
【0055】
しかし、実施の形態1によるSRAMのメモリセルでは、第2層目の多結晶シリコン膜であるP型多結晶シリコン膜と第3層目の多結晶シリコン膜であるN型多結晶シリコン膜でPNダイオードを形成したので、結晶粒界に形成される電子トラップ、ホールトラップ、中性トラップ等の影響でリーク電流が増加するので、図4に示すように接続抵抗を低減できる。
【0056】
図4は、実施の形態1のSRAMの効果を示すグラフである。図4において、横軸は電圧、縦軸は電流を示している。図4において、従来シリコン基板中に理想的なダイオードを形成したSRAMでは、ビルトインポテンシャル(0.8V)以下では、順方向の電流はグラフに表示できない程度のわずかな電流しか流れない。しかし、実施の形態1の構造では、ビルトインポテンシャル(0.8V)以下でも電流が流れるので接続抵抗が低減でき、記憶ノードへの電荷の供給が容易になる。これにより、記憶ノードのHighノードが安定になり、その結果ソフトエラー耐性が改善される。
【0057】
また、実施の形態1によるメモリセルでは、図9に示すように、直接コンタクト孔14eを介してN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15d、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12a、N+型ソース・ドレイン領域8b、ドライバトランジスタと負荷トランジスタで構成されるインバータ2からドライバトランジスタと負荷トランジスタで構成されるインバータ1への引き出し部5cが相互に接続されている。
これにより、狭い面積でこれら多くの配線層の接続がプロセスステップの増加を抑えて実現可能であり、高集積化が可能な半導体装置が得られるという効果がある。
【0058】
また、図7と図9に示すように、VCC配線12cは第2層目の多結晶シリコン膜で形成されており、GND配線15cは第3層目の多結晶シリコン膜で形成されている。このように、VCC配線12cとGND配線15cを別レイヤで形成しかつ重ねて形成しているため、これらを同一の配線層で形成した場合よりも占有面積の低減が可能であり、高集積化が可能な半導体装置が得られる効果がある。
【0059】
次に、図5〜図10を参照して、実施の形態1によるSRAMのメモリセルの製造プロセスについて説明する。なお、図5、図7、図9は平面レイアウト図であり、それぞれの平面レイアウト図のA−A線に沿った断面図が図6、図8、図10である。
【0060】
まず、図5および図6に示すように、N-型シリコン基板1上に、例えばLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法を用いてSiO2膜からなる2000〜5000Å程度の膜厚を有するフィールド絶縁膜2を形成する。このフィールド絶縁膜2は、例えばSiO2膜(図示せず)をパッド膜とし、その上に形成されたSi3N4膜を耐酸化性マスクとして用いて選択的に熱酸化することにより形成される。
【0061】
その後、パッド膜であるSiO2膜およびSi3N4膜を除去することによって、N-型基板1上に半導体層を露出させる。その後、N-型シリコン基板1の主表面全面に、例えばボロン(B)等のP型不純物を例えば200〜700KeVで、1×1012〜3×1013cm-2程度で注入する。さらに、ボロン(B)等のP型不純物を例えば30〜70KeV程度で1×1012〜2×1013cm-2程度で注入することにより、アクセストランジスタおよびドライバトランジスタのしきい値電圧(Vth)の設定を行う。このようにして、N-型シリコン基板1の主表面に、1016〜1018/cm3程度の不純物濃度を有するP-型ウェル領域3が形成される。
【0062】
また、同様にN-シリコン基板1の主表面全面に、例えばリン(P)等のN型不純物を例えば700〜1500KeVで1×1012〜3×1013cm-2程度で注入する。さらに、ボロン等のP型不純物を例えば10〜50KeV程度で1×1012〜2×1013cm-2程度注入して負荷トランジスタのしきい値電圧(Vth)設定を行う。このようにして、N-型シリコン基板1の主表面に、1016〜1018/cm3程度の不純物濃度を有するN-型ウェル領域4が形成される。
【0063】
次に、N-型シリコン基板1の全面を熱酸化することによって、SiO2膜からなる約40〜100Åの膜厚を有するゲート絶縁膜(図示せず)を形成する。そのゲート絶縁膜上に、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法を用いて、例えばホスフィン(PH3)などのガスを混入することで、リン濃度1.0〜8.0×1020cm-3で500〜2000Å程度の膜厚を有するリンドープト多結晶シリコン膜を堆積する。このリンドープト多結晶シリコン膜は、第1層目の多結晶シリコン膜である。
【0064】
そして、フォトリソグラフィー技術と反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)法を用いて、上記したリンドープト多結晶シリコン膜とその下のゲート絶縁膜とをパターニングする。これにより、図5に示すように、ワード線5a、ドライバトランジスタおよび負荷トランジスタのゲート電極用配線5b、5c、ゲート酸化膜30を形成する。
【0065】
なお、この発明における断面構造図の切断面においては、ドライバトランジスタと負荷トランジスタのゲート電極は図示されていない。この発明における断面構造図において、5bは、ドライバトランジスタと負荷トランジスタで構成されるインバータ1から相手方ノード(インバータ2)への引き出し部、5cは、ドライバトランジスタと負荷トランジスタで構成されるインバータ2から相手方ノード(インバータ1)への引き出し部が図示されている。
【0066】
なお、第1層目の多結晶シリコン膜は、例えばタングステンシリサイド(WSi2)膜などの金属シリサイド膜と、リンドープト多結晶シリコン膜とからなるいわゆるポリサイド配線によって形成してもよい。この第1層目の多結晶シリコン膜は、約10〜100Ω/□のシート抵抗を有する。
【0067】
この後、図6に示すように、ワード線5a、引き出し部5bおよび5cをマスクとして、上記P-型ウェル領域3の所定領域表面に、例えばヒ素(As)を30〜70KeVで45度の注入角度でウエハを回転させながら、例えば約1.0〜5.0×1013cm-2のドーズ量で注入する。これにより、約1017〜1019/cm3程度の不純物濃度を有するN-型ソース/ドレイン領域6a〜6cを形成する。
【0068】
さらに、LPCVD法を用いて、全面に500〜2000Å程度の膜厚でSiO2膜(図示せず)を堆積した後、そのSiO2膜を異方性エッチングする。これにより、ワード線5a、および引き出し部5b、5cの側面に、500〜2000Å程度の幅のサイドウォール酸化膜7を形成する。
【0069】
この後、ワード線5aとサイドウォール酸化膜7、引き出し部5cとそのサイドウォール酸化膜7とをマスクとして、上記P-型ウェル領域3の主表面に、例えばヒ素(As)を50KeVで約1.0〜5.0×1015cm-2程度のドーズ量で注入する。これにより、N+型ソース/ドレイン領域8a、8bを形成する。このN+型ソース/ドレイン領域は、1020〜1021/cm3程度の不純物濃度を有する。このようにして、低濃度のN-型ソース/ドレイン領域6a〜6cと、高濃度のN+型ソース/ドレイン領域8a、8bとからなる、LDD(Lightly Doped Drain)構造のソース/ドレイン領域が形成される。
【0070】
さらに、N-型ウェル領域4の主表面上に、例えばBF2を20KeVで約1.0〜5.0×1015cm-2のドーズ量で注入する。これにより、P+型ソース/ドレイン領域9を形成する。このP+型ソース/ドレイン領域は、約1020〜1021/cm3程度の不純物濃度を有する。
【0071】
次に、図7および図8に示すように、LPCVD法を用いて全面に1000〜10000Å程度の厚みを有するシリコン酸化膜10を形成する。フォトリソグラフィー技術とRIE法とを用いて、シリコン酸化膜10の所定領域を選択的に除去することによって、P+型ソース/ドレイン領域9の一部を露出させるようなコンタクトホール11a〜11dを形成する。そして、その露出されたP+型ソース/ドレイン領域9の上部表面に形成された自然酸化膜を、フッ酸(HF)などを用いて除去する。
【0072】
その後、LPCVD法を用いて、200〜1000Å程度の膜厚を有する第2層目の多結晶シリコン膜を堆積した後、フォトリソグラフィー技術とRIE法とを用いて、パターニングする。この後、例えばBF2を20KeVで約1.0×1014cm-2〜5.0×1015cm-2程度のドーズ量で第2層目の多結晶シリコン膜12a、12b、12cの全面に注入する。
この後、例えばランプアニール法を用いることにより、第2層目の多結晶シリコン膜12a〜12c中のボロンを活性化させる。
【0073】
その結果、この第2層目の多結晶シリコン12a〜12cは、約0.1K〜100KΩ/□のシート抵抗値となり、多結晶シリコン膜12a、12bはP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線、多結晶シリコン膜12cはVCC配線となる。
【0074】
この後、図9および図10に示すように、LPCVD法を用いて厚さ約100〜1000Åのシリコン酸化膜13を堆積した後、フォトリソグラフィー技術とRIE法とを用いて、直接コンタクト孔14a〜14gを形成する。なお、直接コンタクト孔14eは、その下層に形成されているP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aを貫通して、N+型ソース/ドレイン領域8bおよび第1層目の多結晶シリコン膜で形成された引き出し部5cの一部も露出するように形成される。
【0075】
また、直接コンタクト孔14gは、その下層に形成されているP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12bを貫通して、N+型ソース/ドレイン領域8bが露出するように形成される。
【0076】
そして、直接コンタクト孔14a〜14g内に露出した例えばN+型ソース/ドレイン領域8bの表面上に形成された自然酸化膜をフッ酸(HF)等を用いて除去する。
【0077】
その後、LPCVD法を用いて第3層目の多結晶シリコン膜となるリンドープト多結晶シリコン膜(図示せず)を形成する。このリンドープト多結晶シリコン膜は、約1000〜2000Åの厚みで、リン(P)濃度約1.0〜8.0×1020cm-3程度になるように形成する。そして、フォトリソグラフィー技術とRIE法を用いて、リンドープト多結晶シリコン膜をパターニングする。これにより、ビット線コンタクトパッド15a、15b、GND配線15c、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15d、15eを形成する。この第3層目の多結晶シリコン膜は、約10〜100Ω/□のシート抵抗を有する。
【0078】
その結果、直接コンタクト孔14eを介して、N+型ソース/ドレイン引き出し電極15d、P+型ソース/ドレイン引き出し電極12a、N+型ソース/ドレイン領域8bおよび第1層目の多結晶シリコン膜で形成された引き出し部5cが相互に接続される。
【0079】
また、直接コンタクト孔14gを介して、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15e、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12b、N+型ソース/ドレイン領域8bが相互に接続される。
【0080】
なお、本実施の形態では、第3層目の多結晶シリコン膜をリンドープト多結晶シリコン膜のみで形成したが、本発明はこれに限らず、例えばタングステンシリサイド膜(WSi2)などの金属シリサイドとリンドープト多結晶シリコン膜とからなるいわゆるポリサイド配線を用いてもよい。
【0081】
この後、図1および図2に示すように、LPCVD法を用いて、全面に厚さ約3000〜10000ÅのSiO2膜を堆積して層間絶縁膜16を形成した後、コンタクトホール17a、17dおよびビット線コンタクトホール17b、17cを形成する。そして、金属配線として例えば厚さ約1000〜5000ÅのアルミニウムからなるGND線18a、18dおよびビット線18b、18cを形成する。この金属配線は、約0.05〜1Ω/□のシート抵抗を有する。
【0082】
このようにして、実施の形態1によるSRAMのメモリセルは完成される。
【0083】
なお、本実施の形態で用いたシリコン酸化膜(SiO2)膜13の代わりに、シリコン窒化膜(Si3N4膜)/シリコン酸化膜(SiO2またはSiON)の2層膜を用いてもよい。これにより、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の誘電体膜を形成する。なお、この誘電体膜は、Si3N4膜/SiO2膜の2層膜に限らず、Si3N4膜からなる単層膜を用いてもよいし、SiO2膜/Si3N4膜/SiO2膜などの複合膜やその他の誘電率の高い高誘電体膜を用いてもよい。
【0084】
実施の形態2.
図11は、本発明の実施の形態2によるSRAMのメモリセル部の平面レイアウト図であり、図12は図11のB−B線に沿った断面図である。まず、図12を参照して、実施の形態2による構造について説明する。この実施の形態2の構造は、図2に示した実施の形態1による構造と第1層目の多結晶シリコン膜の形成までは基本的に同じである。ただし、実施の形態2では、第2層目の多結晶シリコン膜でN+型ソース/ドレイン領域8bとの接続をおこなうN型の多結晶シリコン膜を形成し、第3層目の多結晶シリコン膜で、P+型ソース/ドレイン領域9との接続をおこなうP型の多結晶シリコン膜を形成する構造となっている。
【0085】
実施の形態2によるメモリセルでは、図12に示すように、コンタクトホール21cを介してP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線22c、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20e、P+型ソース・ドレイン領域9、ドライバトランジスタと負荷トランジスタで構成されるインバータ1からドライバトランジスタと負荷トランジスタで構成されるインバータ2への引き出し部5bが相互に接続されている。
これにより、狭い面積でこれら多くの配線層の接続がプロセスステップの増加を抑えて実現可能であり、高集積化が可能な半導体装置が得られるという効果がある。
【0086】
また、図12に示すように、VCC配線22aは第3層目の多結晶シリコン膜で形成されており、GND配線20cは第2層目の多結晶シリコン膜で形成されている。このように、VCC配線22aとGND配線20cを別レイヤで形成しかつ重ねて形成しているため、これらを同一の配線層で形成した場合よりも占有面積の低減が可能であり、高集積化が可能な半導体装置が得られる効果がある。
【0087】
さらにまた、図17に示すように、実施の形態1と同様にGND配線20cとP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線22b、GND配線20cとP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線22c、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線22bとN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20eの間で容量を形成しているので、記憶ノードの容量を増加させることができ、Highノードが安定に保たれているのでソフトエラー耐性を著しく向上させることができる実施の形態1と同様な効果が得られる。
【0088】
また、第2層目の多結晶シリコン膜であるN型多結晶シリコン膜と第3層目の多結晶シリコン膜であるP型多結晶シリコン膜でPNダイオードを形成したので、結晶粒界に形成される電子トラップ、ホールトラップ、中性トラップ等の影響でリーク電流が増加し、実施の形態1と同様にビルトインポテンシャル以下でも電流が流れるので接続抵抗が低減できる。
これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、記憶ノードのHighノードが安定になる。その結果ソフトエラー耐性が改善される。
【0089】
次に、図13〜図18を参照して、実施の形態2によるメモリセル部の製造プロセスを説明する。なお、図13、図15、図17は平面レイアウト図であり、それぞれの平面レイアウト図のB−B線に沿った断面図が図14、図16、図18である。
【0090】
この実施の形態2によるメモリセル部の製造プロセスでは、まず、図5および図6に示した実施の形態1による製造プロセスと同様のプロセスで図13および図14に示す構造まで形成する。この後、図15および図16に示すように、LPCVD法を用いて全面に約1000〜10000Åの厚さのシリコン酸化膜10を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技術とRIE法を適用してパターニングを行い、N+型ソース/ドレイン領域8a、8bの一部が露出するようにコンタクトホール19a〜19fを形成する。
【0091】
そして、コンタクトホール内に露出した例えばN+型ソース/ドレイン領域8a、8bの表面上に形成された自然酸化膜をフッ酸(HF)等を用いて除去する。
【0092】
その後、LPCVD法を用いて第2層目の多結晶シリコン膜となるリンドープト多結晶シリコン膜(図示せず)を形成する。このリンドープト多結晶シリコン膜は、約200〜2000Åの厚みで、リン(P)濃度約1.0〜8.0×1020cm-3程度になるように形成する。そして、フォトリソグラフィー技術とRIE法を用いて、リンドープト多結晶シリコン膜をパターニングする。これにより、ビット線コンタクトパッド20a、20b、GND配線20c、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20d、20eを形成する。
【0093】
次に、図17および図18に示すように、LPCVD法を用いて全面に1000〜10000Å程度の厚みを有するシリコン酸化膜(SiO2)膜13を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術とRIE法とを用いて、シリコン酸化膜13の所定領域を選択的に除去することによって、P+型ソース/ドレイン領域9の一部を露出させるようなコンタクトホール21a〜21eを形成する。コンタクトホール21cは、下層に形成されているN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20eを貫通して、P+型ソース/ドレイン領域9および引き出し部5bの一部も表出するように形成される。
また、コンタクトホール21bは、下層に形成されたN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20dを貫通して、P+型ソース/ドレイン領域9が表出するように形成される。
【0094】
そして、その露出されたP+型ソース/ドレイン領域9の上部表面に形成された自然酸化膜を、フッ酸(HF)などを用いて除去する。
【0095】
その後、LPCVD法を用いて、約200〜2000Å程度の膜厚を有する第3層目の多結晶シリコン膜(図示せず)を堆積した後、フォトリソグラフィー技術とRIE法とを用いて、パターニングする。この後、例えばBF2を20KeVで約1.0×1014cm-2〜5.0×1015cm-2程度のドーズ量で第3層目の多結晶シリコン膜22a、22b、22cの全面に注入する。
この後、例えばランプアニール法を用いることにより、第3層目の多結晶シリコン膜22a〜22c中のボロンを活性化させる。この第3層目の多結晶シリコン膜である22aはVCC配線である。また、22bと22cはP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線である。
【0096】
その結果、図12に示すように、コンタクトホール21cを介してP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線22c、下層に形成されているN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20e、P+型ソース/ドレイン領域9、第1層目の多結晶シリコン膜で形成された引き出し部5bが相互に接続される。
【0097】
また、図17に示すように、コンタクトホール21bを介してP+型ソース/ドレイン引き出し配線22b、下層に形成されたN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線20d、P+型ソース/ドレイン領域9が相互に接続される。
【0098】
その後、図11および図12に示すように、実施の形態1と同様に、LPCVD法を用いて、全面に厚さ約3000〜10000ÅのSiO2膜を堆積して層間絶縁膜16を形成した後、コンタクトホール17a、17dおよびビット線コンタクトホール17b、17cを形成する。そして、金属配線として例えば厚さ約1000〜5000ÅのアルミニウムからなるGND線18a、18dおよびビット線18b、18cを形成する。ビット線18cは、層間絶縁膜16とシリコン酸化膜13を貫通したビット線コンタクトホール17cにより、第2層目の多結晶シリコン膜で形成されたビット線コンタクトパッド20bに接続される。この金属配線は、約0.05〜1Ω/□のシート抵抗を有する。
【0099】
このようにして、実施の形態2によるSRAMのメモリセルは完成される。
【0100】
実施の形態3.
図19は、本発明の実施の形態3によるSRAMのメモリセル部の断面構造図である。なお図19は、ビット線、GND線の形成前の断面構造図である。この実施の形態3の構造は、図10に示した実施の形態1による構造と基本的に同じである。ただし、実施の形態3ではN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15dとP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aとの接続部に薄い酸化膜23a、23dが形成された構造となっている。この接続部に薄い酸化膜23a、23dを設けたことにより、仮にPNダイオードが形成された場合においてもトンネリングにより導通するので低抵抗の接続が得られるという効果がある。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、その結果ソフトエラー耐性が改善される効果がある。
【0101】
次に、図20〜図24を参照して、実施の形態3によるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明する。この実施の形態3によるメモリセル部の製造プロセスでは、まず、図8に示した実施の形態1による製造プロセスと同様のプロセスで図20まで形成する。この後、図21に示すように、LPCVD法を用いて全面に約100〜1000Åのシリコン酸化膜13を形成する。その後、図22に示すように、フォトリソグラフィ技術とRIE法を用いて直接コンタクト孔14a〜14gを形成する。
【0102】
この後、図23に示すように、例えば酸素雰囲気中でアニール処理して直接コンタクト孔14e中に露出した引き出し部5c、N+型ソース/ドレイン領域8b、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aの露出した領域を酸化して、酸化膜23a〜23eを形成する。そして、図24に示すように、全面に異方性のRIE法を適用することにより、上記酸化膜23b、23c、23eを選択的に除去する。
【0103】
そして、フッ酸(HF)等で自然酸化膜を除去した後、LPCVD法を用いて第3層目の多結晶シリコン膜となるリンドープト多結晶シリコン膜(図示せず)を形成する。このリンドープト多結晶シリコン膜は、約1000〜2000Åの厚みで、リン(P)濃度約1.0〜8.0×1020cm-3程度になるように形成する。そして、図19に示すようにフォトリソグラフィー技術とRIE法を用いて、リンドープト多結晶シリコン膜をパターニングする。これにより、ビット線コンタクトパッド15a、15b、GND配線15c、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15d、15eを形成する。この第3層目の多結晶シリコン膜は、約10〜100Ω/□のシート抵抗を有する。
【0104】
その結果、直接コンタクト孔14eを介して、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15d、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12a、N+型ソース/ドレイン領域8bおよび第1層目の多結晶シリコン膜で形成された引き出し部5cが相互に接続される。さらに、負荷トランジスタのドレイン領域とドライバトランジスタのドレイン領域との接続配線の接続部であるN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15dとP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aの接続部に、薄い酸化膜23a、23dを設けたので、トンネル効果により低抵抗の接続が得られる。トンネル効果とは、例えば酸化膜等の絶縁膜に高電界をかけた時に、キャリアが酸化膜中に注入され導通する現象をいう。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、記憶ノードのHighノードが安定化する。その結果ソフトエラー耐性が改善されるという効果を有する。
その後、実施の形態1と同様に層間絶縁膜16、ビット線等を形成し、実施の形態3によるSRAMのメモリセルは完成される。
【0105】
実施の形態4.
図25は、本発明の実施の形態4によるSRAMのメモリセル部の断面構造図である。この実施の形態4の構造は、図2に示した実施の形態1による構造と基本的に同じである。ただし、実施の形態4では、実施の形態1の第2層目の多結晶シリコン膜が、P型の多結晶シリコン膜24aと例えばタングステンシリサイド(WSi2)膜等の金属シリサイド膜24bとからなるいわゆるポリサイド配線で形成された構造となっている。つまり、実施の形態1のP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aが、実施の形態4ではP型の多結晶シリコン膜24aと金属シリサイド膜24bとからなるポリサイド配線で形成されている。
【0106】
このような構造とすることで、負荷トランジスタのドレイン領域であるP+型ソース/ドレイン領域9とドライバトランジスタのドレイン領域であるN+型ソース/ドレイン領域8bとの接続が、P型からN型への直接の接続ではなく金属シリサイド膜を介するパス(P型から金属シリサイド膜を介してN型への接続とN型から金属シリサイド膜を介してP型への接続)で形成されるのでより低抵抗化できる。これにより、記憶ノードのへの電荷の供給が容易となりHighノードが安定化し、その結果ソフトエラー耐性が改善されるという効果を有する。
【0107】
実施の形態5.
図26は、本発明の実施の形態5によるSRAMのメモリセル部の断面構造図である。実施の形態5の構造は、基本的に実施の形態1の図2と同じである。ただし、実施の形態5では、実施の形態1において第3層目の多結晶シリコン膜で形成している配線を金属配線で形成している。金属配線において、25aおよび25bはビット線コンタクトパッド、25cはGND配線、25dおよび25eはN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線である。
以上のように構成することにより、接続が低抵抗化できるので記憶ノードへの電荷の供給が容易となりHighノードが安定化し、その結果ソフトエラー耐性が改善される効果を有する。
【0108】
実施の形態6.
図27は、本発明の実施の形態6によるSRAMのメモリセル部の断面構造図である。なお図27は、ビット線、GND線の形成前の断面構造図である。この実施の形態6の構造は、図10に示した実施の形態1による構造と基本的に同じである。ただし、実施の形態6では、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15dとP+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aとの接続部に薄いチタンシリサイド膜26a、26dが形成されている。また、引き出し部5c、N+型ソース/ドレイン領域8b、N-型ソース/ドレイン領域6cがN+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15dと接する接続部分にもチタンシリサイド膜26b、26cが設けられている。さらに、ビット線コンタクトパッド15aとN+型ソース/ドレイン領域8aの接続部分にもチタンシリサイド膜26eが設けられている。
【0109】
このように、接続部に薄い金属膜を設けることにより、低抵抗の接続が得られる。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり記憶ノードのHighノードが安定化し、その結果ソフトエラー耐性が改善されるという効果がある。
【0110】
次に、図28〜図31を参照して、実施の形態6によるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明する。この実施の形態6によるメモリセル部の製造プロセスでは、まず、図8に示した実施の形態1による製造プロセスと同様のプロセスで図28まで形成する。この後、図29に示すように、LPCVD法を用いて全面に約100〜1000Åのシリコン酸化膜13を形成する。その後、図30に示すように、フォトリソグラフィ技術とRIE法を用いて直接コンタクト孔14a〜14gを形成する。
【0111】
この後、図31に示すように、例えば全面に約200〜1000Å程度の厚さのチタン(Ti)をスパッタ法を用いて形成する。そして、例えばランプアニールを用いて約700〜800℃で30秒アニールして露出しているシリコン面上にチタンシリサイド(TiSi2)を形成する。その後、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて未反応のチタンを除去し、さらに700〜900℃で30秒アニールしてチタンシリサイドを完全に形成し、26a〜26eを形成する。
【0112】
このようにして、直接コンタクト孔14e中に露出した引き出し部5c、N+型ソース/ドレイン領域8b、P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線12aの露出した領域にチタンシリサイド膜26a〜26dを形成する。また、N+型ソース/ドレイン領域8aの露出した部分にもチタンシリサイド膜26eを形成する。
【0113】
そして、フッ酸(HF)等で自然酸化膜を除去した後、LPCVD法を用いて第3層目の多結晶シリコン膜となるリンドープト多結晶シリコン膜(図示せず)を形成する。このリンドープト多結晶シリコン膜は、約1000〜2000Åの厚みで、リン(P)濃度約1.0〜8.0×1020cm-3程度になるように形成する。そして、フォトリソグラフィー技術とRIE法を用いて、リンドープト多結晶シリコン膜をパターニングする。これにより、図27に示すようにビット線コンタクトパッド15a、15b、GND配線15c、N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線15d、15eを形成する。この第3層目の多結晶シリコン膜は、約10〜100Ω/□のシート抵抗を有する。
【0114】
その後、実施の形態1と同様に層間絶縁膜16、ビット線等を形成し、実施の形態6によるSRAMのメモリセルは完成される。
【0115】
以上のように、この発明の実施の形態6では、負荷トランジスタのドレイン領域とドライバトランジスタのドレイン領域との接続部に薄い金属膜を設けているので、低抵抗の接続が得られる。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり記憶ノードのHighノードが安定化し、その結果ソフトエラー耐性が改善されるという効果がある。
【0116】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る半導体装置によれば、第2の配線は、第1の絶縁膜、第1の配線および第2の絶縁膜を貫通するように形成された第2の貫通孔を通じて、第2の不純物領域に電気的に接続されており、第1の不純物領域と第2の不純物領域との接続が、第1の配線、第2の配線および第2の不純物領域を第2の貫通孔内で接続することによってなされているので、狭い面積でこれら多くの配線層の接続がプロセス工程を増加させることなくおこなうことができる。さらに、第1の配線と第2の配線のいずれか一方の配線が多結晶シリコン膜であるので、耐熱性の高い信頼性のある接続を得ることができるとともに、金属配線と比べてパターニングが容易であるため微細化が可能である。これにより、高集積化することができる。
【0117】
また、第1の配線と第2の配線の他方の配線が多結晶シリコン膜であるので、耐熱性の高い信頼性のある接続を得ることができるとともに、金属配線と比べてパターニングが容易であるため微細化が可能であり、高集積化することができる。
【0118】
さらにまた、第1の配線と第1の不純物領域の導電型がp型であり、第2の配線と第2の不純物領域の導電型がn型であるので、接続される配線と不純物領域が同一導電型である第1の配線と第2の配線で第1の不純物領域と第2の不純物領域との接続がおこなわれている。よって、不純物領域とは導電型の異なる配線中の不純物が、不純物領域へ拡散することを防止することができる。これにより、半導体基板中に理想的なPNダイオードを形成することを防止でき、記憶ノードのHighノードが安定になり、ソフトエラー耐性が改善される。
【0119】
また、半導体装置がSRAMであって、第1の配線が負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線で、第2の配線がドライバトランジスタのドレイン領域の引き出し配線であるので、p型の第1の配線である負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線とn型の第2の配線であるドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線を接続することにより、p型の第1の不純物領域とn型の第2の不純物領域を接続することができ、記憶ノードのHighノードが安定になりソフトエラー耐性が改善される。
【0120】
さらにまた、第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が第2の絶縁膜を介して接地配線と互いに立体的に重なって形成されており、第1の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が第2の絶縁膜を介して第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されているので、これらにより記憶ノード蓄積電荷が構成され、記憶ノードの容量を増加させることができる。その結果、記憶ノードの電荷の低減を防止することができ、記憶ノードのHighノードが安定に保たれるので、ソフトエラー耐性を著しく向上させることができる。
【0121】
また、第1の配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらにを含み、電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されているので、同一の配線層で電源配線と接地配線を形成した場合より占有面積を低減することができる。これにより、高集積化が可能である。
【0122】
さらにまた、第1の配線と第2の配線の接続部界面に薄い酸化膜を備えているので、第1の配線と第2の配線の接続抵抗が低減される。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、記憶ノードのHighノードが安定となりソフトエラー耐性が改善される。
【0123】
また、第1の配線と第2の配線の接続部界面に薄い金属膜を備えているので、第1の配線と第2の配線の接続抵抗が低減できる。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、Highノードが安定化され、ソフトエラー耐性が改善される。
【0124】
さらにまた、第1の配線が、高融点金属膜と多結晶シリコン膜との複合膜であるので、第1の配線と第2の配線の接続がp型からn型への直接の接続ではなく金属膜を介したパスで形成される。これにより、接続抵抗が低減でき、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、Highノードが安定化され、ソフトエラー耐性が改善される。
【0125】
また、この発明に係る半導体装置は、第2の配線が、金属配線であるので接続抵抗が低減でき、記憶ノードへの電荷の供給が容易となる。その結果、Highノードが安定化され、ソフトエラー耐性が改善される。
【0126】
さらにまた、第1の配線と第1の不純物領域の導電型がn型であり、第2の配線と第2の不純物領域の導電型がp型であるので、接続される配線と不純物領域が同一導電型である第1の配線と第2の配線で第1の不純物領域と第2の不純物領域との接続がおこなわれている。よって、不純物領域とは導電型の異なる配線中の不純物が、不純物領域へ拡散することを防止することができる。これにより、半導体基板中に理想的なPNダイオードを形成することを防止でき、記憶ノードのHighノードが安定になり、ソフトエラー耐性が改善される。
【0127】
また、半導体装置がSRAMであって、第1の配線がドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線で、第2の配線が負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であるので、n型の第1の配線であるドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線とp型の第2の配線である負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線を接続することにより、n型の第1の不純物領域とp型の第2の不純物領域を接続することができ、記憶ノードのHighノードが安定になりソフトエラー耐性が改善される。
【0128】
さらにまた、この発明に係る半導体装置は、接地配線が第2の絶縁膜を介して第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されており、第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線が第2の絶縁膜を介して第1の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されているので、これらにより記憶ノード蓄積電荷が構成され、記憶ノードの容量を増加させることができる。その結果、記憶ノードの電荷の低減を防止することができ、記憶ノードのHighノードが安定に保たれるので、ソフトエラー耐性を著しく向上させることができる。
【0129】
また、この発明に係る半導体装置は、第2の配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されているので、同一の配線層で電源配線と接地配線を形成した場合より占有面積を低減することができる。これにより、高集積化も可能である。
【0130】
さらにまた、この発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の絶縁膜に形成された第1の貫通孔を通じて、第1の不純物領域に電気的に接続するように、第1の配線を第1の絶縁膜上に形成し、第1の配線を覆うように第2の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜と第1の配線と第2の絶縁膜に、第2の不純物領域の表面に達する第2の貫通孔を形成して、第2の貫通孔を通じて、第2の不純物領域に電気的に接続するように、第2の配線を第2の絶縁膜上に形成するので、プロセス工程を増加させることなく、狭い面積で多くの配線層の接続をおこなうことができ、高集積化が可能となる。
【0131】
また、第2の貫通孔を形成する工程の後に、第2の貫通孔の形成により露出した第1の配線を含む露出表面にチタンを形成し、チタンをアニール処理することによりチタンシリサイドを形成するので、第1の配線と第2の配線の接続抵抗が低減できる。これにより、記憶ノードへの電荷の供給が容易となり、Highノードが安定化され、ソフトエラー耐性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1におけるSRAMのメモリセル部の平面レイアウト図である。
【図2】 図1に示したメモリセル部のA−A線に沿った断面図である。
【図3】 この発明の実施の形態1における効果を説明するための回路図である。
【図4】 この発明の実施の形態1における効果を説明するためのグラフである。
【図5】 この発明の実施の形態1におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための平面レイアウト図である。
【図6】 図5に示したメモリセル部のA−A線に沿った断面図である。
【図7】 この発明の実施の形態1におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための平面レイアウト図である。
【図8】 図7に示したメモリセル部のA−A線に沿った断面図である。
【図9】 この発明の実施の形態1におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための平面レイアウト図である。
【図10】 図9に示したメモリセル部のA−A線に沿った断面図である。
【図11】 この発明の実施の形態2におけるSRAMのメモリセル部の平面レイアウト図である。
【図12】 図11に示したメモリセル部のB−B線に沿った断面図である。
【図13】 この発明の実施の形態2におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための平面レイアウト図である。
【図14】 図13に示したメモリセル部のB−B線に沿った断面図である。
【図15】 この発明の実施の形態2におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための平面レイアウト図である。
【図16】 図15に示したメモリセル部のB−B線に沿った断面図である。
【図17】 この発明の実施の形態2におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための平面レイアウト図である。
【図18】 図17に示したメモリセル部のB−B線に沿った断面図である。
【図19】 この発明の実施の形態3におけるSRAMのメモリセル部の断面図である。
【図20】 この発明の実施の形態3におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図21】 この発明の実施の形態3におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図22】 この発明の実施の形態3におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図23】 この発明の実施の形態3におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図24】 この発明の実施の形態3におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図25】 この発明の実施の形態4におけるSRAMのメモリセル部の断面図である。
【図26】 この発明の実施の形態5におけるSRAMのメモリセル部の断面図である。
【図27】 この発明の実施の形態6におけるSRAMのメモリセル部の断面図である。
【図28】 この発明の実施の形態6におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図29】 この発明の実施の形態6におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図30】 この発明の実施の形態6におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図31】 この発明の実施の形態6におけるSRAMのメモリセル部の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図32】 従来のSRAMのメモリセル部を示す等価回路図である。
【図33】 従来のSRAMのメモリセル部の問題点を説明するための等価回路図である。
【図34】 従来のSRAMのメモリセル部の問題点を説明するための断面構造図である。
【符号の説明】
1 N-型シリコン基板、 2 フィールド絶縁膜、 3 P-型ウェル領域、4 N-型ウェル領域、 5a ワード線、 5b、5c 引き出し部、 6a、6b、6c N-型ソース/ドレイン領域、 7 サイドウォール酸化膜、8a、8b N+型ソース/ドレイン領域、 9 P+型ソース/ドレイン領域、 10 シリコン酸化膜、 12a、12b P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線、 12c VCC配線、 13 シリコン酸化膜、 15a、15bビット線コンタクトパッド、 15c GND配線、 15d、15e N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線、 16 層間絶縁膜、 18a、18dGND線、 18b、18c ビット線、 20a、20b ビット線コンタクトパッド、 20c GND配線、 20d、20e N+型ソース/ドレイン引き出し配線、 22a VCC配線、 22b、22c P+型ソース/ドレイン領域引き出し配線、 23a、23b、23c、23d、23e 酸化膜、24a N型の多結晶シリコン膜、 24b 金属シリサイド膜、 25a、25b ビット線コンタクトパッド、 25c GND線、 25d、25e N+型ソース/ドレイン領域引き出し配線、 26a、26b、26c、26d、26e チタンシリサイド
Claims (4)
- 少なくとも2層の配線層が接続孔を通じて電気的に接続された配線接続構造を有する半導体装置であって、
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成された、第1の不純物領域と第2の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成され、前記第1の不純物領域の表面に達する第1の貫通孔を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の貫通孔を通じて前記第1の不純物領域に電気的に接続された第1の配線と、
前記第1の配線を覆うように形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成された第2の配線とを備え、
前記第2の配線は、前記第1の絶縁膜、前記第1の配線および前記第2の絶縁膜を貫通するように形成された第2の貫通孔を通じて、前記第2の不純物領域に電気的に接続されており、
前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との接続が、前記第1の配線、前記第2の配線および前記第2の不純物領域を前記第2の貫通孔内で接続することによってなされており、
前記第1の配線と前記第2の配線のいずれか一方の配線が多結晶シリコン膜であり、
半導体装置が、第1および第2の負荷トランジスタと、第1および第2のドライバトランジスタと、第1および第2のアクセストランジスタを備えたSRAMであって、
第1の配線が前記第1および前記第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第2の配線が前記第1および前記第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、
第1および第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第2の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が前記第2の絶縁膜を介して前記接地配線と互いに立体的に重なって形成されており、前記第1の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が前記第2の絶縁膜を介して前記第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、前記電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 少なくとも2層の配線層が接続孔を通じて電気的に接続された配線接続構造を有する半導体装置であって、
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成された、第1の不純物領域と第2の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成され、前記第1の不純物領域の表面に達する第1の貫通孔を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の貫通孔を通じて前記第1の不純物領域に電気的に接続された第1の配線と、
前記第1の配線を覆うように形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成された第2の配線とを備え、
前記第2の配線は、前記第1の絶縁膜、前記第1の配線および前記第2の絶縁膜を貫通するように形成された第2の貫通孔を通じて、前記第2の不純物領域に電気的に接続されており、
前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との接続が、前記第1の配線、前記第2の配線および前記第2の不純物領域を前記第2の貫通孔内で接続することによってなされており、
前記第1の配線と前記第2の配線のいずれか一方の配線が多結晶シリコン膜であり、
半導体装置が、第1および第2の負荷トランジスタと、第1および第2のドライバトラ ンジスタと、第1および第2のアクセストランジスタを備えたSRAMであって、
第1の配線が前記第1および前記第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第2の配線が前記第1および前記第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、
第1および第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第1の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、前記接地配線が第2の絶縁膜を介して第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されており、前記第2のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線が前記第2の絶縁膜を介して前記第1の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1および第2の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、前記電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
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