JP3802411B2 - 不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、チップ内にデータコピー機能を有する不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
不揮発性半導体記憶装置の一種として、NAND型フラッシュメモリが知られている。NAND型フラッシュメモリでは、メモリセルを縦続接続し、選択ゲートやビット線のコンタクトの数を削減することにより、NOR型に比べてチップサイズを小さくできる。しかしながら、ページ単位でのデータ消去が出来なくなり、ブロック単位(選択ゲートで挟まれたページ分の単位)のデータ消去を行わなければならない。このため、チップサイズが小さく出来る反面、使用者に複雑さを与えている。
【0003】
ページ単位で消去が出来る場合は、ページデータを書き換える時、元のページを消去し、そこに書き換えたページデータをプログラムすることが出来る。これに対し、消去をブロック単位で行わなければならない場合には、同一ブロック内の他のページデータ領域を消去する必要があるため、最初に書き込まれていた物理的なページ領域に書き込むためには、同一ブロック内の他のデータを読み出して退避し、そのブロックを消去した後、退避したデータを再度プログラムする必要がある。このような書き換え動作は、非常に複雑になり時間を要する。このため、ページデータの書き換えを行う場合、物理的に他の消去された空ブロックに書き換えたページデータをプログラムする方法がとられている。この場合、物理的に変わってしまったデータのアドレスは、外部から見たアドレスと対応させる処理が必要になり、通常、この処理はコントローラで行っている。
【0004】
このような、外部から見たアドレスと内部の物理的アドレスの対応は、1ページ毎に変換表をつくると変換表のデータサイズが大きくなるため、複数ページを一つの単位として対応付けを行っている。上記のような制御構成の装置で、ページ単位のデータの書き換えを行おうとした場合、同じ変換単位の中にある他のページは、その移動先のブロックへコピーを行う必要がある。
【0005】
次に、ページデータを他のページへコピーする従来の方法を図10及び図11のフローチャートにより説明する。まず、図10に示すように、ページデータを一旦チップ内のバッファへ読み出し(STEP1)、次にコピー先のページのアドレスを入力し(STEP2)、プログラムコマンドを入力して(STEP3)ステータスの読み出し(STEP4)を行う方法がある。この場合、ページバッファへの読み出し時に、データの一部にエラーが起こっていた場合、エラーのデータがそのまま別のページにプログラムされてしまう。もし、次にそのページに対して同様のページコピーを行い新たなエラーが発生すると、以前のエラーと新しく発生したエラーをプログラムする事になる。このように、従来のページコピー操作では、読み出し時にエラーが起こっても、それを検知できず、コピーを何回も続けた場合、エラーが蓄積されて行く可能性があった。
【0006】
また、ページデータを別のページにコピーする他の方法としては、図11に示すように、通常の読み出し、書き込み動作を行う方法がある。この方法は、ページデータをチップの外部に読み出し(STEP1,2)、次にコピー先のアドレスを入力(STEP3)して読み出したデータを入力し(STEP4)、プログラムコマンドを入力して(STEP5)ステータスの読み出し(STEP6)を行う方法である。この場合、ページデータを一旦チップの外に読み出すため、ページデータの一部にエラーがあった場合コントローラで検知、修正を行う事が可能になる。しかしながら、コピー毎にページデータをチップ外部へ読み出し、且つそのデータを再度コピー先アドレスへ入力するため、コピー操作に時間がかかるという問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来の不揮発性半導体記憶装置は、コピーを続けた場合にエラーが蓄積されて行ったり、コピー操作に時間がかかるという問題があった。
【0008】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、エラーを低減するとともに、コピー時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法は、不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御するコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、プログラムしているページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムを行っているデータにエラーが存在するか否かを確認するステップと、エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対しては、前記コントローラ内の読み出しデータを修正して前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムするステップとを具備する。
【0013】
また、この発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法は、不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、エラーを検出した時にエラー修正をしたページバッファデータを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムをこれから行うデータにエラーが存在するか否かを前記コントローラにより確認し、エラーを検出した時に修正して保持するステップと、エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対して前記修正して保持しているデータを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとアドレスにプログラムするステップとを具備する。
【0014】
更に、この発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法は、不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、を検出した時に、エラーの起こったページバッファー内アドレス及び修復データを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、前記ページバッファからデータを読み出すステップと、前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムをこれから行うデータにエラーが存在するか否かを確認し、エラーが存在しないページは前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページはページバッファー内データを部分修正し前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスにプログラムするステップとを具備する。
【0015】
上記のような構成によれば、プログラム期間中にページデータを読み出すことが出来るので、読み出し時間を削減できる。
【0016】
また、ページデータのチップ内の移動を行う時に、エラー確認のための余分な時間を見かけ上なくす事ができる。
【0017】
更に、ページデータのチップ内の移動を行う時に、管理データを追加して入力することができる。
【0018】
ページデータのチップ内の移動を行う時に、少ない時間で確実にページデータのエラー確認を行える。
【0019】
また、ページデータのチップ内の移動を行う時に、管理データを追加して入力することができる。
【0020】
更に、ページデータのチップ内の移動を行う時に、少ない時間で確実にページデータのエラー確認を行え、且つエラーが検出され修正が可能となったときに、エラー部分のデータを書き込み、移動先にプログラムを行う事ができる。よって、エラー修正による時間のロスを少なく出来る。
【0021】
従って、エラーを低減するとともに、コピー時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、この発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャートである。まず、チップ内でページデータをチップ内のページバッファに読み出し(STEP1)、コピー先のアドレスを入力した後(STEP2)、プログラムコマンドを入力して(STEP3)ページデータのコピー先のセルへのプログラムを開始する。プログラムを開始した後、プログラムしているページデータとステータスの外部への読み出し動作を行う(STEP4,5)。プログラムするページデータを外部に読み出すことで、プログラムを行っているデータにエラーが存在するか否かを外部のコントローラで確認することができる。
【0023】
当該不揮発性半導体記憶装置のチップには、従来から存在するコピーシーケンスに対し、プログラム期間中に外部にページデータを読み出す機能を備えている。この例の場合、プログラム期間中にページデータをチップの外部に読み出す事ができる機能があるため、プログラム期間中にエラー確認が出来る。このためエラーの確認のための時間を見かけ上隠してエラー確認が出来る。このような制御を行うには、メモリにプログラム期間中にデータを外部に読み出すコマンドが備えられていること、並びにこれを制御するコントローラが必要である。
【0024】
図2は、上記図1に示した動作を実現する不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図である。メモリ部11には、メモリセルアレイ12、センスアンプ13及びページバッファ14が含まれている。このメモリ部11は、コントローラ15で制御される。メモリセルアレイ12から読み出したページデータは、センスアンプ13でラッチされ、ページバッファ14に転送される。センスアンプ13のデータをコピー先のページにプログラムを行っている間に、センスアンプ13とページバッファ14の間の接続を切り離し、ページバッファ14のデータを外部に読み出す。これにより、プログラム動作に影響を与えずにページデータを読み出す事は可能となる。ここで、ページデータをチップの外部に読み出す時に発生する出力バッファのノイズがプログラム動作に影響を与えない様にするために、出力バッファ用の接地電位とチップ内部の接地電位を分ける事が望ましい。
【0025】
図3は、上述した第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャートである。基本的な動作は第1の実施の形態と同じであるが、データをベーバッファに読み出し(STEP1)、コピー先アドレスを入力した後(STEP2)、プログラム実行前に、そのページの冗長領域にデータの管理データ(フラグデータ)を書き込む(STEP3)例である。例えば、そのページがコピー動作を受けたことを記すためのデータを記憶させたりできる。この例では、フラグデータであるが、例えば前もって読み出したデータに誤りがあることがわかっていて、訂正の必要がある場合に限り、このフラグデータを書き込む時にページデータのエラーした部分の修正の書き込みを行ってプログラムを実行することも可能である。コピー全体の時間は、プログラム実行前にフラグデータを書き込むことで長くなるが、書き込む管理データは通常数ビットなので、全体としての時間の増大は大きくない。また、このフラグデータを書き込む時に、一部のページデータを書き込む事も可能である。なお、これらのデータの書き込みは必ずしも必要ではなく、コントローラの制御方法に依存する。しかしながら、チップの動作としては、このような機能を準備しておくことは有効である。
【0026】
なお、本第2の実施の形態を用いた場合は、コピーするデータの中にエラーが存在していて、修正が可能な場合は、これまで続けてきた一連のコピー動作を中止し、再度別の消去済みブロックにデータを書き直す必要がある。
【0027】
図4に8ページ単位でアドレス変換表を用いて管理し、アドレスAのページ4のデータを書き換える時にページ7のデータにエラーが検出された場合の制御方法の例を示す。ページ0からページ3までは第1の実施の形態の図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスBにコピーされる。ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスBに書き込まれる。アドレスAのページ5から7はアドレスBのページ5から7に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。ページ7のコピーのプログラム期間中にデータのエラーが検出された。このとき、コントローラはページ7のプログラムの終了後に、再度消去済みの別の場所に(アドレスC)に同じような動作を行う。ページ0からページ3までは図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスCにコピーされる。ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスCに書き込まれる。アドレスAのページ5と6はアドレスCのページ5と6に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。ページ7は、既にエラーが存在することがわかっているので、通常のページ読み出しを行い、コントローラ内部に読み出し、データの修正をかける。その後、修正したページデータをチップに書き込み、アドレスCのページ7にプログラムを行う。このようにすることによって、エラーが検出された場合の処理が可能になる。
【0028】
上記図4に示した例は、最初のエラー発見時にコントローラの内部で修正したデータを保持できない場合の例である。コントローラ内部でエラーを検出すると同時に修正し、エラーの起こったアドレスとビットと修復データを保持できるようなメモリを持っている場合の制御の例を図5に示す。
【0029】
まず、ページ0からページ3までは第1の実施の形態の図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスBにコピーされる。ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスBに書き込まれる。アドレスAのページ5から7はアドレスBのページ5から7に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。ページ7のコピーのプログラム期間中にデータのエラーが検出された。このとき、コントローラはこのエラーの修正作業を行い、エラーの出たアドレスとビットと修正データを記憶しておく。また、コントローラはページ7のプログラムの終了後に、再度消去済みの別の場所に(アドレスC)に同じような動作を行う。ページ0からページ3までは図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスCにコピーされる。ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスCに書き込まれる。アドレスAのページ5と6はアドレスCのページ5と6に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。ページ7は、既にエラーが存在することがわかっている。図3に示したようなコピー動作を行う。既にエラーの起こしているビットが記憶されているので、プログラム動作の前に、エラーの起こしているビットに対して修正の書き込みを行う。その後、アドレスCのページ7にプログラムを行う。このようにすることによって、エラーが検出された場合の処理が可能になる。この場合は、ページデータのすべてを書き込む必要が無いので、修正時間を短縮できる。本例の場合、エラーが検出されると、同じ管理アドレスを持つページデータもすべて別の消去済みブロックに書き直す必要がある(本例では、ページ0からページ6のデータを意味する)。従って、エラーが検出された場合の処理時間は大きい。しかしながら、エラーが起こる確率は、通常非常に少ないため、全体の性能の劣化にはそれほど影響はしない。
【0030】
[第2の実施の形態]
図6は、この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作順序を示すフローチャートである。まず、チップ内でページデータをチップ内のページバッファに読み出し(STEP1)、外部に読み出す(STEP2)。次にコピー先ページアドレスを入力し(STEP3)、プログラムを実行する(プログラムコマンドを入力して(STEP4)ステータスを読み出す(STEP5))。このようにすることにより、ページデータのコピー時に存在するかもしれないエラーを確認できる。従来のコピー動作よりも、ページデータを外部へ読み出す時間が必要となるが、確実にエラーの存在有無の確認ができる。また、従来ページデータをチップ外部に読み出し、再度コピー先アドレスを入力して、ページデータの入力を行う方法より、ページデータの入力する必要が無いので、時間が短くなる。コントローラがこれを利用することにより、ページデータをチップ内の別の位置へコピーすることが可能となる。また、第1の実施の形態で述べた出力ノイズの影響をプログラム動作に与えないため、安定したプログラム動作が可能になる。図7は、本第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成及びチップ内部動作を示すブロック図である。メモリ部21には、メモリセルアレイ22、センスアンプ23及びページバッファ24が含まれている。このメモリ部21は、コントローラ25で制御される。メモリセルアレイ22から読み出したページデータは、センスアンプ23でラッチされ、ページバッファ24に転送される。ページバッファ24より外部に読み出す。その後、プログラムを実行する。
【0031】
図8は、上記第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例である。基本的な動作は第1の実施の形態と同じであるが、データをページバッファ23から外部に読み出した後(STEP1)、コピー先アドレスを入力し、更にページデータの管理データ(フラグデータ)の入力を行う場合である。この例では、フラグデータであるが、例えば読み出したデータに誤りがあり、訂正の必要がある場合に限り、このフラグデータを書き込む時にページデータのエラーした部分の修正の書き込みを行ってプログラムを実行することも可能である。
【0032】
図9は、8ページ単位でにアドレス変換表を用いて管理し、アドレスAのページ4のデータを書き換える時にページ7のデータにエラーが検出された場合の図8の手順を用いた制御方法の例を示す。ページ0からページ3までは第2の実施の形態の図8に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスBにコピーされる。ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスBに書き込まれる。アドレスAのページ5から7はアドレスBのページ5から7に図8に示したような方法でそれぞれコピーされる。ページ7の読み出し後にデータのエラーが検出された。このとき、コントローラはこのエラーの修正作業をおこない、エラーの出たビットに対し修正したデータを書き込む。その後、アドレスBのページ7にプログラムを行う。このように制御を行った場合、エラーが検出された時に、修正して書き込みプログラムを行う事で、すべての修正作業が終わる。図4及び図5に示した例のように再度他の消去済みブロックに書き直す必要がない。よって、エラー後の処理の時間は少なくて済むというメリットがある。
【0033】
なお、本第1,第2の実施の形態では、データと言っているが、これはエラー検出と修正のための冗長データやその他データの管理等に必要なデータも含んでいる。
【0034】
また、この発明においては、ページ長の限定は無いが、ページデータの読み出しや書き込み時間を実効的に削減する事がこの発明の目的であるので、ページの長い場合の方がより効果が大きい。また、エラーの起こったアドレスをページ7で示したが、これはどこのページでも適応可能である。
【0035】
上述したように、ページデータを同一チップ内で移動させるとき、従来のものより高速且つエラーを確認しながら行う事が可能となる。この発明はNAND型フラッシュメモリのようなブロック単位で消去を行うメモリに対して特に効果が大きいが、この発明の格子は、別にそれに限ったものではなく、コピー機能を持った不揮発半導体記憶装置とその制御装置にも有効である。
【0036】
以上第1及び第2の実施の形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、エラーを低減するとともに、コピー時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャート。
【図2】図1に示した動作を実現する不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図。
【図3】第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャート。
【図4】第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置を用いてエラーが検出された場合の制御方法の例を示す模式図。
【図5】第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変更動作を用いてエラーが検出された場合の制御方法の例を示す模式図。
【図6】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作順序を示すフローチャート。
【図7】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成及びチップ内部動作を示すブロック図。
【図8】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例を示すフローチャート。
【図9】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変更動作を用いてエラーが検出された場合の制御方法の例を示す模式図。
【図10】従来の不揮発性半導体記憶装置において、ページデータを他のページへコピーする方法を示すフローチャート。
【図11】従来の不揮発性半導体記憶装置において、ページデータを他のページへコピーする別の方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
11,21…メモリ部
12,22…メモリセルアレイ
13,23…センスアンプ
14,24…ページバッファ
15,25…コントローラ
Claims (6)
- 不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、
前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御するコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、
前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、
前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、
プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、
プログラムしているページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムを行っているデータにエラーが存在するか否かを確認するステップと、
エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対しては、前記コントローラ内の読み出しデータを修正して前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムするステップと
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 - 前記コピー先のページのアドレスを入力するステップの後で、且つ前記プログラムを行うステップの前に、前記コピー先のページの冗長領域にコピー動作を受けたことを示す管理データを書き込むステップを更に具備することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。
- 前記プログラムを行うステップは、外部から入力された書き換え用のページデータを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるページアドレスにプログラムするステップを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。
- 前記ページデータを読み出すステップの後で、且つコピー先のページのアドレスを入力するステップの前に、前記ページバッファから前記コントローラにデータを読み出してコピー時のエラーを確認するステップを更に具備することを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。
- 不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、
前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、エラーを検出した時にエラー修正をしたページバッファデータを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、
前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、
前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、
プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、
プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムを これから行うデータにエラーが存在するか否かを前記コントローラにより確認し、エラーを検出した時に修正して保持するステップと、
エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対して前記修正して保持しているデータを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとアドレスにプログラムするステップと
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 - 不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、
前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、を検出した時に、エラーの起こったページバッファー内アドレス及び修復データを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、
前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、
前記ページバッファからデータを読み出すステップと、
前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、
プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、
プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムをこれから行うデータにエラーが存在するか否かを確認し、エラーが存在しないページは前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページはページバッファー内データを部分修正し前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスにプログラムするステップと
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。
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