JP3672633B2 - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、読み出し速度を高速化した半導体メモリ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は従来のメモリ装置の構成例を示す回路図であり、図において、45はセンスアンプ回路、46はセレクタ回路、47はメモリセルブロック、48はビット線接地回路である。
センスアンプ回路45において、MP1はPチャネルトランジスタ、44は3ステートバッファ、32は読み出し時に”L”となるメモリ読み出し信号線、34はセンスアンプ回路45の入力信号線、38はセンスアンプ出力線である。
セレクタ回路46において、MN5及びMN6はそれぞれ、セレクタ信号線39及び40が”H”のときオンとなってビット線36及び37とセンスアンプ回路45とを接続するトランジスタである。
メモリセルブロック47において、36及び37はビット線、41〜43はメモリ装置に入力されるアドレスにより適宜選択され、選択時に”H”、非選択時に”L”となるワード線、MN7〜MN12は蓄積情報が”1”のときは高しきい値、”0”のときは低しきい値のNチャネルメモリトランジスタ(以下メモリトランジスタという)、C1及びC2は各メモリトランジスタのドレインやビット線の配線などの寄生容量である。
ビット線接地回路48において、MN13及びMN14はそれぞれ、メモリ読み出し信号線32が”H”のときビット線36及び37を接地して”L”レベルに固定し、メモリ読み出し信号線32が”L”のときはビット線を接地電位から切り離すNチャネルトランジスタである。
【0003】
次に動作について説明する。
図5は図4のしきい値の低いメモリトランジスタMN8からデータを読み出した場合のメモリ装置の各部の電圧波形を示すタイムチャートであり、図6は図4のしきい値の高いメモリトランジスタMN11からデータを読み出した場合のメモリ装置の各部の電圧波形を示すタイムチャートである。
図5及び図6において、(1)はメモリ装置に入力される基準クロック30、(2)は基準クロック30を2分周した分周クロック31、(3)はアドレスの電位、(4)はメモリ読み出し信号線32の電位、(5)は図5においてはワード線42及びセレクタ信号線39の電位、図6においてはワード線42及びセレクタ信号線40の電位、(6)はセンスアンプ回路45の入力信号線34の電位、(7)は図5においてはビット線36の電位、図6においてはビット線37の電位、(8)はセンスアンプ回路45の出力線38の電位を示す。
【0004】
メモリ装置に入力されるアドレスは、分周クロック31の立ち上がりにより確定するものとする。また、メモリ読み出し信号線32の電位は、分周クロック31の”L”期間に”L”となるものとする。
分周クロック31が”H”になると、アドレスの入力が確定し、アドレスのデコードによりセレクタ信号線39又は40が選択されて”H”となる。同時に、ワード線41、42又は43のうち1本が選択されて”H”となる。このワード線の選択により、読み出しを行うメモリトランジスタが選択される。前述のように、選択されたメモリトランジスタのしきい値が低ければ、ビット線の電位は”L”となり、しきい値が高ければ。ビット線の電位はフローティングとなる。
【0005】
しきい値の低いメモリトランジスタMN8に蓄積されているデータの読み出し動作を図4及び図5により次に説明する。まず、分周クロック31が”H”になると、メモリ読み出し信号線32の電位は”H”になり、ビット線接地回路48のトランジスタMN13及びMN14がオンになる。したがって、ビット線36と37の電位は”L”になる。メモリ装置に入力されるアドレスのデコードにより分周クロック31の立ち上がりからアドレス遅延時間49及びワード線セレクタ信号遅延時間50の後にワード線42が選択され、これに接続されたメモリトランジスタMN8とMN11のゲートが”H”になる。この結果、メモリトランジスタMN8はしきい値が低いためオンになり、メモリトランジスタMN11はしきい値が高いためオフになる。また、同じくアドレスのデコードによりセレクタ信号線39が選択されて”H”となり、それによりビット線36がセンスアンプ回路45の入力信号線34に接続される。
このとき、センスアンプ回路45においては、メモリ読み出し信号線32の電位が”H”のため、PチャネルトランジスタMP1がオフであり、したがってセンスアンプ回路45の入力信号線34の電位はビット線36の電位すなわち”L”になる。
【0006】
次に分周クロック31が”L”になると、メモリ読み出し信号線32が”L”になるので、ビット線接地回路48内のトランジスタMN13及びMN14がオフになり、それによりビット線36及び37の電位はメモリトランジスタMN8及びMN11の状態により決まろうとするとともに、センスアンプ回路45内のPチャネルトランジスタMP1がオンになってセンスアンプ回路45の入力信号線34の電位が上昇する。一方、この時ワード線42及びセレクタ信号線39により選択されているしきい値の低いメモリトランジスタMN8がオンになっているので、ビット線36は接地電位になろうとし、ビット線36に接続されている入力信号線34の電位は、PチャネルトランジスタMP1の駆動能力とメモリトランジスタMN8の駆動能力と寄生容量C1の放電容量とで決まる1/2Vcc(3ステートバッファ44のしきい値)以下の電位に制限され、この結果センスアンプ出力線38には”0”が読み出される。
【0007】
次に、しきい値の高いメモリトランジスタMN11に蓄積されているデータの読み出し動作を図4及び図6により説明する。分周クロック31が”H”になってから”L”になるまでは、セレクタ信号40が”H”になってビット線37がセンスアンプ回路45の入力信号線34に接続されることを除き、図5の場合と同様である。
【0008】
分周クロック31が”H”から”L”になると、図5の場合と同様に、センスアンプ回路45の入力信号線34の電位が上昇するが、この時ワード線42及びセレクタ信号線40により選択されている、しきい値の高いメモリトランジスタMN8がオフになっているのでビット線37はフローディング状態となる。この結果、ビット線37に接続されている入力信号線34の電位は、”L”レベルからオンとなっているPチャネルトランジスタMP1をを通じて電源電圧Vccにまで上昇し、3ステートバッファ44の出力からは過渡的に”0”が読み出された後に正しいデータ”1”が読み出される。
【0009】
このように、しきい値が低いメモリトランジスタと高いメモリトランジスタで情報を保存し、アドレス入力とメモリ読み出し信号を入力することにより、ワード線、セレクタ信号が選択され、適宜指定されたメモリトランジスタの情報を、センスアンプ回路でセンスして出力信号として読み出す。
以上の一連のメモリ読み出し動作において、基準クロック30を分周して分周クロック31を発生すること、メモリ読み出し信号32の出力、アドレスのデコードによるワード線の選択、アドレスのデコードによるセレクタ信号の出力等はメモリ装置の図示しない制御回路により行われる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体メモリ装置は以上のように構成されているので、センスアンプ回路45の入力信号線34の電位はメモリ読み出し信号線32が”H”の期間は”L”に固定されている。このため、”1”の読み出し時に、メモリ読み出し信号線32が”H”から”L”に反転してから入力信号線34の電位が3ステートバッファ44のしきい値である1/2Vccを越えるまでに所定電位到達時間51を要し、この所定電位到達時間51が長いためにメモリの読み出しスピードが遅いという課題があった。
【0011】
一方、メモリ装置のメモリ容量を増やす場合は、一般にビット線に接続されるメモリトランジスタと、アドレスをデコードしたワード線を増やしてメモリ容量を増やすが、ビット線につながるメモリトランジスタを増やせば、図4のC1、C2で示す寄生容量が増加し、入力信号線34の所定電位到達時間51が長くなるので、メモリ読み出しスピードが遅くなり、一つのビット線に接続できるメモリトランジスタには制限がある。したがって、メモリ容量を増やすには、更に別のセンスアンプ回路やセレクタ回路、ビット線接地回路を設ける必要があり、レイアウト面積を大きくするという課題があった。
【0012】
さらに、メモリ読み出しのスピードを早くするために、基準クロック30の周波数を高くすることが考えられる。前述のアドレス遅延時間49、ワード線及びセレクタ信号線遅延時間50は、分周クロック31が”L”になるまでに確定すればよく、基準クロックの周波数を高くしても時間的に余裕がある。しかし、”1”読み出し時、すなわちセンスアンプ出力が”1”の場合は、入力信号線34の所定電位到達時間51が長く、基準クロック30の周波数を高くすると入力信号線34の電位が3ステートバッファ44のしきい値に到達する前に”0”が誤って読み出されることになるので、基準クロックの周波数を高くできない。基準クロックを高くする代わりにPチャネルトランジスタMP1の駆動能力を高めることにより所定電位到達時間51を短くすることも考えられるが、このようにすると”0”読み出しの場合に入力信号線34の電位が3ステートバッファ44のしきい値より高くなり、読み出し値が誤って”1”になってしまうなどの課題があった。
【0013】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、メモリ容量を増大して一つのセンスアンプ回路につながるメモリトランジスタの数を多くしても、レイアウト面積の増加を最小限にとどめながら、読み出しスピードが低下しない、高速読み出しが可能な半導体メモリ装置を得ることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体メモリ装置は、選択されたビット線の電位を所定電位までプリチャージし、その後に、選択されたビット線の電位を上記所定電位をしきい値として判定するようにしたものである。
【0015】
この発明に係る半導体メモリ装置は、プリチャージは、所定期間にビット線を接地電位に固定し、その後ビット線を接地電位から切り離すためのスイッチ回路と、上記所定期間に第二のビット線を電源に接続する第二のスイッチ回路と、ワード線と第二のビット線との交差部に設けられ、メモリセルと実質的に同一サイズの第二のメモリセルと、上記所定期間に続く第二の所定期間に、選択されたビット線と第二のビット線とを接続する接続回路とを備えたものである。
【0016】
この発明に係る半導体メモリ装置は、トランジスタが、選択されたビット線が電源に接続された後に選択されたビット線の電位が、2値情報の一方を読み出すときは上記所定電圧より低くなるようにする駆動能力を有するように構成したものである。
【0017】
この発明に係る半導体メモリ装置は、メモリセルの各々は、接地されたソース、前記ビット線のいずれかに接続されたドレイン、及び前記ワード線のいずれかに接続されたゲートを備え、蓄積情報が“0”ときはしきい値が低く、蓄積情報が“1”のときはしきい値が高い、NチャネルMOSトランジスタであるものである。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態による半導体メモリ装置の構成を示す回路図である。図1において、図4の従来回路と同一部分には同一の参照番号を付してあり、再度説明すると、45はセンスアンプ回路、46はセレクタ回路(ビット線選択回路)、47はメモリセルブロック、48はビット線接地回路(第一のスイッチ回路)である。
【0019】
センスアンプ回路45において、MP1はPチャネルトランジスタ(トランジスタ)、44は3ステートバッファ(出力バッファ回路)、32は読み出し時に”L”となるメモリ読み出し信号線、38はセンスアンプ出力線である。
【0020】
セレクタ回路46において、MN5及びMN6はそれぞれ、セレクタ信号線39及び40が”H”のときオンとなってビット線36及び37とセンスアンプ回路45とを接続するトランジスタである。
【0021】
メモリセルブロック47において、36及び37はビット線、41〜43はメモリ装置に入力されるアドレスにより適宜選択され、選択時に”H”、非選択時に”L”となるワード線、MN7〜MN12は蓄積情報が”1”のときは高しきい値、”0”のときは低しきい値のNチャネルMOSトランジスタ(以下メモリセルという)、C1及びC2は各メモリトランジスタのドレインやビット線の配線などの寄生容量である。
【0022】
ビット線接地回路48において、MN13及びMN14は、制御信号線6が”H”のときビット線36及び37を接地して”L”レベルに固定し、制御信号線6が”L”のときはビット線を接地電位から切り離すNチャネルトランジスタである。
【0023】
2は、この発明の実施の形態により設けられた、ビット線36及び37とは別の第二のビット線、3は読み出し時に第二のビット線2を電源電圧に接続するスイッチ回路(第二のスイッチ回路)、MN17〜MN19はワード線41〜43と第二のビット線2との交差部に設けられ、ワード線41〜43に接続されたメモリセルMN7〜MN12と実質的に同一サイズの第二のメモリトランジスタ(第二のメモリセル)、4はセレクタ回路46により選択されたビット線36又は37と第二のビット線2とを接続する接続回路、MN15は接続回路4を構成するNチャネルトランジスタ、MN16はスイッチ回路3を構成し、ゲートが制御信号線6に接続されているNチャネルトランジスタ、5はNチャネルトランジスタMN15を制御する制御信号線、C3は第二のビット線2の寄生容量である。ビット線36又はビット線37に接続されたメモリトランジスタの数と、第二のビット線2に接続された第二のメモリトランジスタMN17〜MN19の数とが同数なので、ビット線2の寄生容量C3はビット線36又は37の寄生容量C1又はC2とほぼ同じである。ビット線接地回路48、第二のビット線線2、スイッチ回路三、接続回路四、第二のメモリトランジスタMN17〜MN19は、セレクタ回路46により選択されたビット線の電位を3ステートバッファ44のしきい値である1/2Vccにまでプリチャージするプリチャージ手段を構成している。
【0024】
次に動作について説明する。
図2は図1のしきい値の低いメモリトランジスタMN8からデータを読み出した場合のメモリ装置の各部の電圧波形を示すタイムチャートであり、図3は図1のしきい値の高いメモリトランジスタMN11からデータを読み出した場合のメモリ装置の各部電圧波形を示すタイムチャートである。
【0025】
図2及び図3において、(1)はメモリ装置に入力される基準クロック30、(2)は基準クロック30を2分周した分周クロック31、(3)はアドレスの電位、(4)はメモリ読み出し信号線32の電位、(5)は図2においてはワード線42及びセレクタ信号線39の電位、図3においてはワード線42及びセレクタ信号線40の電位、(6)は接続回路4を構成するNチャネルトランジスタMN15のオン又はオフを制御する制御信号線5の電位、(7)はビット線接地回路48内のトランジスタ及びスイッチ回路3内のトランジスタMN16を制御する制御信号線6の電位、(8)は入力信号線(選択されたビット線)34の電位、(9)は図2においてはビット線36の電位、図3においてはビット線37の電位、(10)はセンスアンプ出力線38の電位を示す。
【0026】
まず、”0”読み出しの場合と”1”読み出しの場合で共通する動作を図1、図2及び図3により説明する。メモリ装置に入力されるアドレスは、図4に示した従来回路と同様に、分周クロック31の立ち上がりにより確定するものとする。分周クロック31が”H”で、基準クロック30が”H”のとき(図2及び図3における期間t1)、基準クロック30の立ち上がりに応じて制御信号線6の電位は”H”になることにより、ビット線接地回路48内のトランジスタMN13及びMN14がオンになるとともにスイッチ回路3内のトランジスタMN16もオンになる。トランジスタMN13及びMN14がオンになることにより、ビット線36と37の電位は”L”になって寄生容量C1及びC2はディスチャージされる。また、トランジスタMN16がオンになることにより、第二のビット線2が電源に接続されて寄生容量C3は電源電圧Vccに充電される。
【0027】
この状態で、メモリ装置に入力されるアドレスのデコードにより分周クロック31の立ち上がりからアドレス遅延時間49及びワード線セレクタ信号遅延時間50の後にワード線42が選択され、これに接続されたメモリトランジスタMN8とMN11のゲートが”H”になる。しかし、期間t1内で制御信号線6の電位が”H”の間はビット線36及び37の電位はメモリトランジスタMN8及びMN11のしきい値の如何に関わらず”L”に固定されている。
【0028】
一方、アドレスのデコードにより分周クロック31の立ち上がりからアドレス遅延時間49及びワード線セレクタ信号遅延時間50の後にセレクタ信号線39又は40が選択されて”H”となり、それによりビット線36又は37がセンスアンプ回路45の入力信号線34に接続される。期間t1においては、メモリ読み出し信号線32の電位が”H”のため、センスアンプ回路45内のPチャネルトランジスタMP1がオフなのでセンスアンプ回路45の入力信号線34の電位はビット線36又は37と同電位すなわち”L”になる。
【0029】
次に分周クロック31が”H”の状態で、基準クロック30が”L”になると(図2及び図3における期間t2)、制御信号線5が”H”、制御信号線6が”L”となる。制御信号線6が”L”になることにより、ビット線接地回路48内のトランジスタMN13及びMN14がオフになり、スイッチ回路3内のトランジスタMN16もオフになる。トランジスタMN13及びMN14がオフになることにより、ビット線36及び37の電位はそれぞれワード線により選択されているメモリトランジスタMN8及びMN11のしきい値によって決まろうとする。メモリトランジスタMN8はしきい値が低いためオンになるので、ビット線36の電位は”L”となり、トランジスタMN11はしきい値が高いためオフになるので、ビット線37の電位はフローティングとなる。そして、制御信号線5が”H”となることにより接続回路4内のトランジスタMN15がオンするので、第二のビット線2が入力信号線34に接続される。この時、選択されたビット線の寄生容量C1又はC2と第二のビット線2の寄生容量C3とが接続されることになり、先の動作で寄生容量C1又はC2がディスチャージされ、寄生容量C3はチャージされているので、入力信号線34の電位は寄生容量C3から寄生容量C1又はC2への電荷の移動により、Vccのほぼ1/2となる。
【0030】
期間t2の後に分周クロック31が”L”になると制御信号5は”L”となり、それによりトランジスタMN15がオフになって入力信号線34は第二のビット線2から切り離される。また、分周クロック31が”L”になるとメモリ読み出し信号線32も”L”になるので、センスアンプ回路45内のPチャネルトランジスタMP1がオンになる。
【0031】
PチャネルトランジスタMP1がオンになった状態で”0”読み出しの場合は、図2に示すようにセレクタ信号線39が”H”となっているので、PチャネルトランジスタMP1、トランジスタMN5及びメモリトランジスタMN8が直列接続される。メモリトランジスタMN8はオンとなっているので、入力信号線34及びビット線36の電位は、電源電圧Vccと接地電圧との間のトランジスタの持つ抵抗により定まる電位となる。この発明の実施の形態によれば、センスアンプ回路45の入力信号線34の電位が、1/2Vccから若干低下するようにPチャネルトランジスタMP1の駆動能力を予め定めてある。入力信号線34の電位がセンスアンプ回路45内の3ステートバッファ44のしきい値である1/2Vccにプリチャージされているので、入力信号線34の電位が1/2Vccから少しでも下がれば、センスアンプ回路45の出力38には”0”が直ちに読み出される。
【0032】
また、PチャネルトランジスタMP1がオンになっている状態で”1”読み出しの場合は、図3に示すようにセレクタ信号線40が”H”となっているので、PチャネルトランジスタMP1、トランジスタMN6及びメモリトランジスタMN11が直列接続される。このとき、メモリトランジスタMN11はフローティング状態にあり、PチャネルトランジスタMP1及びメモリトランジスタMN11がオンになっているので、図3(8)及び(9)に示すように入力信号線34及びビット線37の電位はVccまで上昇する。この場合も入力信号線34の電位がセンスアンプ回路45内の3ステートバッファ44のしきい値である1/2Vccにプリチャージされているので、入力信号線34の電位が1/2Vccから少しでも上昇すれば、センスアンプ回路45の出力38には”1”が直ちに読み出され、従来のように所定電位到達時間51の経過を待つ必要はなくなる。
【0033】
上記の実施の形態では3ステートバッファ44のしきい値を1/2Vccとしたが、”0”読み出し時にビット線37が1/2Vccから若干低下したレベルと電源電圧Vccとの中間のレベルの任意のレベルを3ステートバッファ44のしきい値としても同様の効果が得られる。
【0034】
以上のように、この発明によれば、選択されたビット線の電位を所定電位までプリチャージし、その後に、選択されたビット線の電位を上記所定電位をしきい値として判定するように構成したので、半導体メモリ装置から情報を読み出す場合のセンスアンプ回路における判定時間が大幅に短縮され、高速読み出すことができる効果がある。
【0035】
この発明によれば、プリチャージのために、メモリセルが接続されているビット線とは別の第二のビット線をもうけ、所定期間にビット線を接地電位に固定し、且つ第二のビット線を電源に接続しておき、上記所定期間に続く第二の所定期間に、選択されたビット線と第二のビット線とを接続するように構成したので、特にシングルチップマイコン等のようにプログラムに応じて内蔵するメモリ容量を種々とりそろえるような場合、メモリ容量増加によりビット線容量が増加しても、読み出し速度の低下が最小限に抑えられるという効果がある。したがって、従来のように読み出し速度の低下を防ぐために読み出し回路の変更やセンスアンプ回路、セレクタ回路を小容量メモリごとに持たせていたものが、この発明では不要になり、開発が迅速に行え、且つ、レイアウト面積を削減できる効果がある。
【0036】
この発明によれば、トランジスタを、選択されたビット線が電源に接続された後に選択されたビット線の電位が、2値情報の一方を読み出すときは上記所定電圧より低くなるようにする駆動能力を有するように構成したので、半導体メモリ装置から情報“1”を読み出す場合のセンスアンプ回路における判定時間が大幅に短縮され、高速に読み出すことができる効果がある。
【0037】
この発明によれば、メモリセルの各々は、接地されたソース、前記ビット線のいずれかに接続されたドレイン、及び前記ワード線のいずれかに接続されたゲートを備え、蓄積情報が“0”のときはしきい値が低く、蓄積情報が“1”のときはしきい値が高い、NチャネルMOSトランジスタで構成したので、しきい値が高いメモリセルからの情報の読み出し時には、選択されたビット線の電位をセンスアンプ回路内のトランジスタにより急速に電源電圧にまで上昇させることができ、この結果センスアンプ回路における判定時間が大幅に短縮され、高速に読み出すことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の一形態による半導体メモリ装置の構成を示す回路図である。
【図2】 図1の回路における”0”読み出し時の動作を説明する電位波形図である。
【図3】 図1の回路における”1”読み出し時の動作を説明する電位波形図である。
【図4】 従来の半導体メモリ装置の構成を示す回路図である。
【図5】 図4の回路における”0”読み出し時の動作を説明する電位波形図である。
【図6】 図4の回路における”1”読み出し時の動作を説明する電位波形図である。
【符号の説明】
2 第二のビット線(プリチャージ手段)、3 スイッチ回路(第二のスイッチ回路、プリチャージ手段)、4 接続回路(プリチャージ手段)、34 入力信号線(選択されたビット線)、36〜37 ビット線、41〜43 ワード線、44 3ステートバッファ(出力バッファ回路)、46 セレクタ回路(ビット線選択回路)、48 ビット線接地回路(第一のスイッチ回路、プリチャージ手段)、MN7〜MN12 メモリセル(NチャネルMOSトランジスタ)、MN17〜MN19 第二のメモリトランジスタ(第二のメモリセル)、MP1 Pチャネルトランジスタ(トランジスタ)。
Claims (3)
- ワード線とビット線との交差部に設けられた複数のメモリセルと、
前記ビット線の一つを選択するビット線選択回路と、
第一の所定期間に前記ビット線を接地電位に固定し、前記第一の所定期間以外の期間に前記ビット線を接地電位から切り離すための第一のスイッチ回路、前記ビット線とは別の第二のビット線、前記第一の所定期間に前記第二のビット線を電源電圧に接続する第二のスイッチ回路、前記ワード線と前記第二のビット線との交差部に設けられ、前記ワード線に接続された前記メモリセルと実質的に同一サイズの第二のメモリセル、および前記第一の所定期間に続く第二の所定期間に、前記選択されたビット線と前記第二のビット線とを接続する接続回路を備え、前記ビット線選択回路により選択されたビット線の電位を所定電位までプリチャージするプリチャージ手段と、
前記プリチャージ手段を前記選択されたビット線から切り離した後に前記選択されたビット線を電源に接続するトランジスタと、
前記選択されたビット線が前記電源に接続された後に前記所定電圧をしきい値として前記選択されたビット線の電位を判定する出力バッファ回路とを備えた半導体メモリ装置。 - 前記トランジスタは、前記選択されたビット線が前記電源に接続された後の前記選択されたビット線の電位が、2値情報の一方を読み出すときは前記所定電圧より低くなるようにする駆動能力を有する請求項1記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリセルの各々は、接地されたソース、前記ビット線のいずれかに接続されたドレイン、及び前記ワード線のいずれかに接続されたゲートを備え、蓄積情報が“0”のときはしきい値が低く、蓄積情報が“1”のときはしきい値が高い、NチャネルMOSトランジスタである請求項1記載の半導体メモリ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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