JP3641115B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板にフォトレジスト液等の処理液の塗布処理、現像処理、洗浄処理等の種々の処理を行うために基板処理装置が用いられている。
【0003】
例えば、回転式塗布装置では、基板を水平に保持しつつ回転させ、基板上にフォトレジスト等の処理液を塗布する。また、回転式現像装置では、基板を水平に保持しつつ回転させ、基板上に現像液を供給する。
【0004】
図22は従来の基板処理装置の一例を示す概略断面図である。図22の基板処理装置は回転式塗布装置である。
【0005】
図22において、基板処理装置は、基板Wを真空吸引により吸着保持する回転保持部(スピンチャック)1を備える。回転保持部1はモータ(図示せず)の回転軸2の先端に取り付けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。
【0006】
回転保持部1に保持された基板Wの周囲を取り囲むように飛散防止用カップ4が設けられている。このカップ4は、上カップ4aと下カップ4bとから構成され、上カップ4aは下カップ4bに着脱自在に取り付けられている。上カップ4aには開口部13が設けられ、下カップ4bの下部には廃液口8および複数の排気口7が設けられている。排気口7は工場内の排気設備に接続される。
【0007】
回転保持部1の下方には、中カップ6が配置されている。この中カップ6は、外周部に向かって斜め下方に傾斜する傾斜面を有する。
【0008】
回転保持部1の上方には、基板W上にレジスト液を吐出するレジストノズル9が上下動可能かつ基板Wの上方位置とカップ4外の待機位置との間で移動可能に設けられている。また、基板Wの下方には、基板Wの裏面を洗浄するためのリンス液を吐出する複数の裏面洗浄ノズル11が配置されている。
【0009】
レジスト液の塗布処理時には、上方から清浄な空気流が上カップ4aの開口部13を通して基板Wの表面に供給される。レジストノズル9から回転保持部1に保持された基板W上にレジスト液が吐出され、基板Wが回転することにより基板Wの表面の全体にレジスト液が塗り広げられる。
【0010】
このとき、余剰のレジスト液は基板Wの回転による遠心力で基板Wの外方へ飛散し、カップ4の内壁に付着する。カップ4の内壁に付着したレジスト液の一部は付着したまま残り、さらに残りはカップ4の内面を伝って流れ落ち、廃液口8から外部へ排出される。
【0011】
また、一部のレジスト液は、カップ4の内壁に衝突した際の衝撃でミスト(飛滴)となる。このミストは、基板Wの回転により生じるカップ4内の旋回流に乗じて浮遊する。カップ4内に浮遊するミストは、上方から供給される清浄な空気流とともに基板Wの外周部から中カップ6の傾斜面に沿って下降し、中カップ6の下面側から排気口7に吸い込まれて外部の排気設備により排出される。
【0012】
レジスト液の塗布処理後、裏面洗浄ノズル11から基板Wの裏面にリンス液が吐出され、基板Wの裏面が洗浄される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
最近、回転式塗布装置においては、省レジスト化のために、レジスト液を塗り広げる際の基板Wの回転数を高くする傾向がある。また、回転式塗布装置で粘度の高い特殊なレジスト液を用いる場合にも、レジスト液を塗り広げる際の基板Wの回転数を高くし、レジスト膜の膜厚を薄く制御することが行われる。
【0014】
しかしながら、基板Wの回転数が高くなるにつれて、カップ4内の気流の乱れが大きくなり、あるいはレジスト液が吹き飛ばされてミストになる割合が増大する。その結果、カップ4内でのミストの絶対量が増大することになる。
【0015】
一方、従来の基板処理装置の回転保持部1はPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、テフロン、ポリアセタール等の合成樹脂で形成されている。このような合成樹脂はゴムに比すと弾性力は劣るので、図23に矢印で示すように、回転保持部1と基板Wとの吸着面から微小な真空漏れ(リーク)が発生している。
【0016】
特に、各基板Wが熱処理等の工程を通ると、それぞれの基板Wに傾向の異なる反りが発生する。このような場合に、回転式塗布装置での基板Wの処理時に、回転保持部1と基板Wとの吸着面からの漏れが増加する傾向にある。
【0017】
従来は、回転式塗布装置における基板Wの回転数が比較的低かったことから基板Wの周囲に発生するミストの量も少量であった。そのため、回転保持部1と基板Wとの吸着面からの漏れにより吸い寄せられるミストの量も少なかった。
【0018】
しかし、基板Wの回転数が高くなると、上記のように、ミストの絶対量が増大し、それにより回転保持部1と基板Wとの吸着面からの漏れにより吸い寄せられるミストの量も増大する。その結果、基板Wの裏面における回転保持部1の外周部近傍に吸い寄せられたミストが付着する。基板Wの裏面に付着したミストは、乾燥することによりパーティクル(塵埃)となって基板Wの裏面を汚染する。基板Wの裏面が汚染されていると、露光処理の際にフォーカス異常が発生する。
【0019】
基板Wの裏面の汚染は、裏面洗浄ノズル11から吐出されるリンス液により洗浄されるが、リンス液が回転保持部1に侵入することを防止するために、リンス液を回転保持部1の外周部近傍に吐出することはできない。そのため、回転保持部1の外周部近傍の基板Wの裏面に付着したミストを完全に除去することが困難となる。
【0020】
本発明の目的は、ミストの付着による基板裏面の汚染が防止または軽減された基板処理装置を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
(1)第1の発明
第1の発明に係る基板処理装置は、基板を回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の裏面を支持する第1の環状部およびその第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、回転保持部を回転させる回転駆動手段と、回転保持部の第1の環状部の内側の空間を通して基板を吸引する吸引手段とを備え、回転保持部に第1の環状部と第2の環状部との間の空間を回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられ、連通孔は、回転保持部の下面から回転保持部の上面に延び、回転保持部の回転に伴 って回転保持部の下面から回転保持部の上面に向かう気流が生じるように周方向に傾斜しているものである。
【0022】
本発明に係る基板処理装置においては、回転保持部の第1の環状部により基板の裏面が支持され、吸引手段により第1の環状部の内側の空間が真空状態または大気圧に対して負圧状態にされる。それにより、基板が第1の環状部に吸着保持される。この状態で、回転駆動手段により回転保持部が回転駆動される。
【0023】
第1の環状部の外側を取り囲むように回転保持部に1以上の第2の環状部が設けられているので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、第2の環状部により第1および第2の環状部間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0024】
したがって、基板の裏面における回転保持部の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。その結果、基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0025】
また、吸引手段の吸引力により回転保持部の第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが発生した場合に、回転保持部の外側から1または複数の連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。すなわち、回転保持部の周囲から回転保持部と基板との吸着面に向かう気流が、回転保持部の周囲から連通孔に向かう気流に転換される。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0026】
特に、連通孔が回転保持部の下面から回転保持部の上面に延びているので、回転保持部の下面から連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0027】
また、回転保持部の回転に伴って回転保持部の下面から周方向に傾斜した連通孔を通して回転保持部の上面に向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の第1の環状部と第2の環状部との間の空間が大気圧に対して陽圧になる。したがって、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部と基板との吸着面にミストが引き寄せられることが十分に防止される。
【0028】
回転保持部の下方の空間では、回転保持部の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔により比較的清浄な気流が基板の裏面に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0029】
(2)第2の発明
第2の発明に係る基板処理装置は、基板を回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の裏面を支持する第1の環状部およびその第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、回転保持部を回転させる回転駆動手段と、回転保持部の第1の環状部の内側の空間を通して基板を吸引する吸引手段とを備え、回転保持部に第1の環状部と第2の環状部との間の空間を回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられ、連通孔は、回転保持部の下面から回転保持部の上面に延び、回転保持部の下面に、 回転保持部の回転に伴って気流を連通孔内に導く1または複数の羽根が設けられたものである。
【0030】
本発明に係る基板処理装置においては、回転保持部の第1の環状部により基板の裏面が支持され、吸引手段により第1の環状部の内側の空間が真空状態または大気圧に対して負圧状態にされる。それにより、基板が第1の環状部に吸着保持される。この状態で、回転駆動手段により回転保持部が回転駆動される。
【0031】
第1の環状部の外側を取り囲むように回転保持部に1以上の第2の環状部が設けられているので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、第2の環状部により第1および第2の環状部間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0032】
したがって、基板の裏面における回転保持部の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。その結果、基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0033】
また、吸引手段の吸引力により回転保持部の第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが発生した場合に、回転保持部の外側から1または複数の連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。すなわち、回転保持部の周囲から回転保持部と基板との吸着面に向かう気流が、回転保持部の周囲から連通孔に向かう気流に転換される。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0034】
特に、連通孔が回転保持部の下面から回転保持部の上面に延びているので、回転保持部の下面から連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0035】
また、回転保持部の回転に伴って回転保持部の下面に設けられた1または複数の羽根により回転保持部の下面から連通孔を通して回転保持部の上面に向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の第1の環状部と第2の環状部との間の空間が大気圧に対して陽圧になる。したがって、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部と基板との吸着面にミストが引き寄せられることが十分に防止される。
【0036】
回転保持部の下方の空間では、回転保持部の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔により比較的清浄な気流が基板の裏面に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0037】
(3)第3の発明
第3の発明に係る基板処理装置は、基板を回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の裏面を支持する第1の環状部およびその第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、回転保持部を回転させる回転駆動手段と、回転保持部の第1の環状部の内側の空間を通して基板を吸引する吸引手段とを備え、回転保持部に第1の環状部と第2の環状部との間の空間を回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設け られ、連通孔は、回転保持部の下面から回転保持部の上面に延び、回転保持部に、回転保持部の外周部の下端から下方に延びかつ連通孔の開口部の下方を間隔を隔てて覆う遮蔽部が設けられたものである。
【0038】
本発明に係る基板処理装置においては、回転保持部の第1の環状部により基板の裏面が支持され、吸引手段により第1の環状部の内側の空間が真空状態または大気圧に対して負圧状態にされる。それにより、基板が第1の環状部に吸着保持される。この状態で、回転駆動手段により回転保持部が回転駆動される。
【0039】
第1の環状部の外側を取り囲むように回転保持部に1以上の第2の環状部が設けられているので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、第2の環状部により第1および第2の環状部間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0040】
したがって、基板の裏面における回転保持部の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。その結果、基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0041】
また、吸引手段の吸引力により回転保持部の第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが発生した場合に、回転保持部の外側から1または複数の連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。すなわち、回転保持部の周囲から回転保持部と基板との吸着面に向かう気流が、回転保持部の周囲から連通孔に向かう気流に転換される。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0042】
特に、連通孔が回転保持部の下面から回転保持部の上面に延びているので、回転保持部の下面から連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0043】
回転保持部の下方の空間では、回転保持部の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔により比較的清浄な気流が基板の裏面に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0044】
また、回転保持部の周囲から連通孔へ気流が導かれることが遮蔽部により阻止され、回転保持部の下方の中央部近くの比較的清浄な気流が連通孔に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0045】
(4)第4の発明
第4の発明に係る基板処理装置は、基板を回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の裏面を支持する第1の環状部およびその第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、回転保持部を回転させる回転駆動手段と、回転保持部の第1の環状部の内側の空間を通して基板を吸引する吸引手段とを備え、回転保持部に第1の環状部と第2の環状部との間の空間を回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設け られ、連通孔は、回転保持部の外周面から回転保持部の上面に屈曲して延びるものである。
【0046】
本発明に係る基板処理装置においては、回転保持部の第1の環状部により基板の裏面が支持され、吸引手段により第1の環状部の内側の空間が真空状態または大気圧に対して負圧状態にされる。それにより、基板が第1の環状部に吸着保持される。この状態で、回転駆動手段により回転保持部が回転駆動される。
【0047】
第1の環状部の外側を取り囲むように回転保持部に1以上の第2の環状部が設けられているので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、第2の環状部により第1および第2の環状部間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0048】
したがって、基板の裏面における回転保持部の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。その結果、基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0049】
また、吸引手段の吸引力により回転保持部の第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが発生した場合に、回転保持部の外側から1または複数の連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。すなわち、回転保持部の周囲から回転保持部と基板との吸着面に向かう気流が、回転保持部の周囲から連通孔に向かう気流に転換される。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0050】
この場合、連通孔が回転保持部の外周面から回転保持部の上面に屈曲して延びているので、回転保持部の外周面から連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0051】
(5)第5の発明
第5の発明に係る基板処理装置は、基板を回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の裏面を支持する第1の環状部およびその第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、回転保持部を回転させる回転駆動手段と、回転保持部の第1の環状部の内側の空間を通して基板を吸引する吸引手段とを備え、第1の環状部は、内側に湾曲しつつ基板の裏面に密着する環状弾性部であるものである。
【0052】
本発明に係る基板処理装置においては、回転保持部の第1の環状部により基板の裏面が支持され、吸引手段により第1の環状部の内側の空間が真空状態または大気圧に対して負圧状態にされる。それにより、基板が第1の環状部に吸着保持される。この状態で、回転駆動手段により回転保持部が回転駆動される。
【0053】
第1の環状部の外側を取り囲むように回転保持部に1以上の第2の環状部が設けられているので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、第2の環状部により第1および第2の環状部間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0054】
したがって、基板の裏面における回転保持部の外周部近傍にミストが付着することを阻 止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。その結果、基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0055】
また、環状弾性部が内側に湾曲しつつ基板の裏面に密着するので、吸引手段の吸引力により環状弾性部と基板の裏面との間で真空漏れが発生することが防止される。
【0056】
(6)第6の発明
第6の発明に係る基板処理装置は、第1〜第5のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、第2の環状部が、基板の裏面に密着するように回転保持部の上面に設けられた環状シ−ル部材であることを特徴とする。
【0057】
この場合、第1の環状部の上面により基板の裏面が支持されるとともに、環状シール部材が基板の裏面に密着するので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状シール部材により第1の環状部と環状シール部材との間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0058】
(7)第7の発明
第7の発明に係る基板処理装置は、第1〜第5のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、第2の環状部が、外側に広がりつつ基板の裏面に密着するように回転保持部の外周部に設けられた環状弾性部材であることを特徴とする。
【0059】
この場合、第1の環状部の上面により基板の裏面が支持されるとともに、環状弾性部材が外側に広がりつつ基板の裏面に密着するので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状弾性部材により第1の環状部と環状弾性部材との間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0060】
(8)第8の発明
第8の発明に係る基板処理装置は、第1〜第5のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、第2の環状部が、回転保持部の上面の第1の環状部の外側に設けられた環状壁部であることを特徴とする。
【0061】
この場合、第1の環状部の上面および環状壁部の上面により基板の裏面が支持されるので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状壁部により第1の環状部と環状壁部との間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0062】
(9)第9の発明
第9の発明に係る基板処理装置は、第5の発明に係る基板処理装置の構成において、回転保持部に第1の環状部と第2の環状部との間の空間を回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられたことを特徴とする。
【0063】
この場合、吸引手段の吸引力により回転保持部の第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが発生した場合に、回転保持部の外側から1または複数の連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。すなわち、回転保持部の周囲から回転保持部と基板との吸着面に向かう気流が、回転保持部の周囲から連通孔に向かう気流に転換される。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0064】
(10)第10の発明
第10の発明に係る基板処理装置は、第9の発明に係る基板処理装置の構成において、連通孔が、回転保持部の下面から回転保持部の上面に延びることを特徴とする。
【0065】
この場合、連通孔が回転保持部の下面から回転保持部の上面に延びているので、回転保持部の下面から連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0066】
回転保持部の下方の空間では、回転保持部の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔により比較的清浄な気流が基板の裏面に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0067】
(11)第11の発明
第11の発明に係る基板処理装置は、第10の発明に係る基板処理装置の構成において、連通孔が、回転保持部の回転に伴って回転保持部の下面から回転保持部の上面に向かう気流が生じるように周方向に傾斜していることを特徴とする。
【0068】
この場合、回転保持部の回転に伴って回転保持部の下面から周方向に傾斜した連通孔を通して回転保持部の上面に向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の第1の環状部と第2の環状部との間の空間が大気圧に対して陽圧になる。したがって、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部と基板との吸着面にミストが引き寄せられることが十分に防止される。
【0069】
回転保持部の下方の空間では、回転保持部の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔により比較的清浄な気流が基板の裏面に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0070】
(12)第12の発明
第12の発明に係る基板処理装置は、第10または第11の発明に係る基板処理装置の構成において、回転保持部の下面に、回転保持部の回転に伴って気流を連通孔内に導く1または複数の羽根が設けられたことを特徴とする。
【0071】
この場合、回転保持部の回転に伴って回転保持部の下面に設けられた1または複数の羽根により回転保持部の下面から連通孔を通して回転保持部の上面に向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の第1の環状部と第2の環状部との間の空間が大気圧に対して陽圧になる。したがって、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部と基板との吸着面にミストが引き寄せられることが十分に防止される。
【0072】
回転保持部の下方の空間では、回転保持部の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔により比較的清浄な気流が基板の裏面に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0073】
(13)第13の発明
第13の発明に係る基板処理装置は、第10〜第12のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、回転保持部に、回転保持部の外周部の下端から下方に延びかつ連通孔の開口部の下方を間隔を隔てて覆う遮蔽部が設けられたことを特徴とする。
【0074】
この場合、回転保持部の周囲から連通孔へ気流が導かれることが遮蔽部により阻止され、回転保持部の下方の中央部近くの比較的清浄な気流が連通孔に導かれる。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0075】
(14)第14の発明
第14の発明に係る基板処理装置は、第11または第12の発明に係る基板処理装置の構成において、第2の環状部と基板の裏面との間に隙間が設けられたことを特徴とする。
【0076】
この場合、第1の環状部と第2の環状部との間の空間における陽圧効果により第1の環状部と第2の環状部との間の空間から回転保持部の外方に向かう気流が生じる。したがって、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部と基板との吸着面にミストが引き寄せられることが十分に防止される。
【0077】
(15)第15の発明
第15の発明に係る基板処理装置は、第9の発明に係る基板処理装置の構成において、連通孔が、回転保持部の外周面から回転保持部の上面に屈曲して延びることを特徴とする。
【0078】
この場合、連通孔が回転保持部の外周面から回転保持部の上面に屈曲して延びているので、回転保持部の外周面から連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間へ向かう気流が生じる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0079】
このとき、回転保持部の外周面から連通孔内に導かれたミストは連通孔の屈曲部で内壁面に付着する。そのため、連通孔を通して第1の環状部と第2の環状部との間の空間に導かれる気流により基板の裏面にミストが付着することはほとんどない。したがって、ミストの付着による基板の裏面の汚染が防止または軽減される。
【0080】
(16)第16の発明
第16の発明に係る基板処理装置は、第1〜第5のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、第2の環状部が、外側に湾曲しつつ基板の裏面に密着する環状弾性部であることを特徴とする。
【0081】
この場合、第1の環状部の上面により基板の裏面が支持されるとともに、環状弾性部が外側に湾曲しつつ基板の裏面に密着するので、吸引手段の吸引力により第1の環状部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状弾性部により第1の環状部と環状弾性部との間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0082】
(17)第17の発明
第17の発明に係る基板処理装置は、第1〜第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成において、第1の環状部が、内側に湾曲しつつ基板の裏面に密着する環状弾性部であることを特徴とする。
【0083】
この場合、環状弾性部が内側に湾曲しつつ基板の裏面に密着するので、吸引手段の吸引力により環状弾性部と基板の裏面との間で真空漏れが発生することが防止される。
【0084】
また、環状弾性部の外側を取り囲むように回転保持部に1以上の第2の環状部が設けられているので、たとえ吸引手段の吸引力により環状弾性部と基板の裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、第2の環状部により環状弾性部と第2の環状部との間の空間の密閉性が保たれる。それにより、回転保持部の周囲の空間のミストが回転保持部と基板との吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0085】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の第1の実施例における基板処理装置の概略断面図である。本実施例では、基板処理装置の一例として回転式塗布装置について説明する。
【0086】
図1において、基板処理装置は、基板Wを水平姿勢で吸着保持する真空吸引式の回転保持部(スピンチャック)20を備える。回転保持部20はモータ3の回転軸2の先端に取り付けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。モータ3の回転軸2は中空構造を有し、下端が真空ポンプ等の真空吸引源12に連結される。
【0087】
真空吸引源12は、回転軸2の内部の空間を通して回転保持部20上の基板Wを吸引する。これにより、基板Wが回転保持部20上に吸着保持される。回転保持部20の構造は後述する。
【0088】
回転保持部20に保持された基板Wの周囲を取り囲むように飛散防止用カップ4が設けられている。このカップ4は、上カップ4aと下カップ4bとから構成され、上カップ4aは下カップ4bに着脱自在に取り付けられている。上カップ4aには開口部13が設けられ、下カップ4bの下部には廃液口8および複数の排気口7が設けられている。排気口7は工場内の排気設備に接続される。
【0089】
回転保持部20の下方には、中カップ6が配置されている。この中カップ6は、外周部に向かって斜め下方に傾斜する傾斜面を有する。
【0090】
回転保持部20の上方には、基板W上にレジスト液を吐出するレジストノズル9が上下動可能かつ基板Wの上方位置とカップ4外の待機位置との間で移動可能に設けられている。また、基板Wの下方には、基板Wの裏面を洗浄するためのリンス液を吐出する複数の裏面洗浄ノズル11が配置されている。
【0091】
レジスト液の塗布処理時には、上方から清浄な空気流が上カップ4aの開口部13を通して基板Wの表面に供給される。レジストノズル9から回転保持部20に保持された基板W上にレジスト液が吐出され、基板Wが回転することにより基板Wの表面の全体にレジスト液が塗り広げられる。
【0092】
図2は図1の基板処理装置の回転保持部20の断面図であり、図3は図1の基板処理装置の回転保持部20の平面図である。
【0093】
回転保持部20は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、テフロン、ポリアセタール等の合成樹脂により形成され、円板状支持部21および筒状嵌合部22を有する。筒状嵌合部22にはモータ3の回転軸2が嵌合する。この回転保持部20の中央部には上面に開口する連通路25が設けられている。この連通路25はモータ3の回転軸2内の通路2aに連通する。
【0094】
円板状支持部21の上面の外周部内側には、基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成されている。また、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部近傍に環状溝26が形成され、この環状溝26にOリング24が嵌め込まれている。また、円板状支持部21の上面の環状壁部23より内側の領域には、複数の突起部27が設けられている。これらの複数の突起部27は基板Wの裏面を支持する。
【0095】
本実施例では、モータ3が回転駆動手段に相当し、真空吸引源12が吸引手段に相当する。また、環状壁部23が第1の環状部に相当し、Oリング24が第2の環状部に相当する。
【0096】
図4は図2および図3の回転保持部20の一部分の断面図である。図4に示すように、環状壁部23の上面により基板Wの裏面が支持されるとともに、Oリング24が基板Wの裏面に密着する。図1の真空吸引源12によりモータ3の回転軸2内の通路2aおよび回転保持部20の連通路25を通して環状壁部23、円板状支持部21および基板Wで囲まれる空間28内の大気が吸引される。それにより、空間28が真空状態になり、基板Wが環状壁部23に吸着保持される。
【0097】
この場合、環状壁部23の外側を取り囲むように設けられたOリング24が基板Wの裏面に密着しているので、真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、Oリング24により環状壁部23とOリング24との間の空間30の密閉性が保たれる。したがって、回転保持部20の周囲のミストがOリング24と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。その結果、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0098】
図5は本発明の第2の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の断面図である。
【0099】
図5に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部には、基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成されている。また、環状壁部23の外側を取り囲むように環状弾性部材29が円板状支持部21の外周面に加硫により溶着されている。この環状弾性部材29は、例えばパーフロロエストラマー等のフッ素系ゴムからなり、外側に広がりつつ基板Wの裏面に密着する。
【0100】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状弾性部材29が第2の環状部に相当する。
【0101】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図2の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0102】
本実施例の回転保持部20においては、円板状支持部21の環状壁部23の上面により基板Wの裏面が支持されるとともに、環状弾性部材29が基板Wの裏面に密着する。それにより、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状弾性部材29により環状壁部23と環状弾性部材29との間の空間30の密閉性が保たれる。
【0103】
したがって、回転保持部20の周囲のミストが環状弾性部材29と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。その結果、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0104】
図6は本発明の第3の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の断面図である。
【0105】
図6に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成されている。また、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状壁部31が形成されている。
【0106】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図2の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0107】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31が第2の環状部に相当する。
【0108】
図7は図6の回転保持部20の一部分の断面図である。図7に示すように、円板状支持部21の環状壁部23の上面および環状壁部31の上面により基板Wの裏面が支持される。それにより、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状壁部31により環状壁部23,31間の空間30の密閉性が保たれる。
【0109】
したがって、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。その結果、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0110】
図8は本発明の第4の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の断面図である。また、図9は図8の回転保持部20の平面図である。
【0111】
図8および図9に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状壁部31が形成されている。また、円板状支持部21の下面から環状壁部23,31間の空間30に連通する複数の連通孔32が設けられている。
【0112】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図2の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0113】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31が第2の環状部に相当する。
【0114】
図10は図8の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。図10に示すように、円板状支持部21の環状壁部23の上面および環状壁部31の上面により基板Wの裏面が支持される。円板状支持部21の下面から上面に連通する連通孔32が設けられているので、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合、回転保持部20の下方から連通孔32を通して環状壁部23,31間の空間30に向かう気流が発生する。すなわち、回転保持部20の周囲から環状壁部31と基板Wとの吸着面に向かう気流が、回転保持部20の下方から連通孔32に向かう気流に転換される。それにより、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0115】
一方、回転保持部20の下方の空間では、回転保持部20の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔32を通して環状壁部23,31間の空間30に導かれる気流により基板Wの裏面にミストが付着することはほとんどない。
【0116】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0117】
図11は本発明の第5の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の断面図である。
【0118】
図11に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状壁部31が形成されている。また、円板状支持部21の下面から環状壁部23,31間の空間30に連通する複数の連通孔32が設けられている。
【0119】
さらに、円板状支持部21の下面側には、円板状支持部21の外周部下端から下方に延びかつ内側に水平に屈曲する環状遮蔽部33が設けられている。環状遮蔽部33は、複数の連通孔32の下端開口部を所定間隔を隔てて遮蔽する。
【0120】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図8の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0121】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31が第2の環状部に相当する。また、環状遮蔽部33が遮蔽部に相当する。
【0122】
図12は図11の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。図12に示すように、円板状支持部21の環状壁部23の上面および環状壁部31の上面により基板Wの裏面が支持される。図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合、円板状支持部21の下面側の中央部から環状遮蔽部33と円板状支持部21との間の隙間および連通孔32を通って環状壁部23,31間の空間30に向かう気流が発生する。すなわち、回転保持部20の周囲から環状壁部31と基板Wとの吸着面に向かう気流が、回転保持部20の下方の中央部近くから連通孔32へ向かう気流に転換される。それにより、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0123】
また、回転保持部20の下方の中央部に近い空間では、回転保持部20の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔32を通して環状壁部23,31間の空間30に導かれる気流により基板Wの裏面にミストが付着することはほとんどない。
【0124】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0125】
図13は本発明の第6の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分を示す図であり、(a)は拡大断面図、(b)は平面図、(c)は側面図である。
【0126】
図13(a)に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状壁部31が形成されている。また、図13(b),(c)に示すように、円板状支持部21の下面から環状壁部23,31間の空間30に連通する複数の連通孔32aが周方向に傾斜するように設けられている。
【0127】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図8の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0128】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31が第2の環状部に相当する。
【0129】
図13(a)に示すように、円板状支持部21の環状壁部23の上面および環状壁部31の上面により基板Wの裏面が支持される。複数の連通孔32aが周方向に傾斜するように設けられているので、回転保持部20が矢印Xの方向に回転すると、矢印Yで示すように円板状支持部21の下面側から連通孔32aを通って環状壁部23,31間の空間30に向かう気流が発生する。それにより、環状壁部23,31間の空間30が大気圧に対して陽圧となる。
【0130】
したがって、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが十分に防止される。
【0131】
また、回転保持部20の下方の空間では、回転保持部20の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔32aを通して環状壁部23,31間の空間30に導かれる気流により基板Wの裏面にミストが付着することはほとんどない。
【0132】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0133】
図14は本発明の第7の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。
【0134】
図14に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように環状壁部23よりも低い高さの環状壁部31aが円板状支持部21の上面の外周部に形成されている。また、円板状支持部21の下面から環状壁部23,31a間の空間30に連通する複数の連通孔32aが周方向に傾斜するように設けられている。
【0135】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図13の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0136】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31aが第2の環状部に相当する。
【0137】
図14に示すように、円板状支持部21の環状壁部23の上面により基板Wの裏面が支持される。環状壁部31aの高さが環状壁部23の高さよりも低いので、環状壁部31aの上面と基板Wの裏面との間に隙間が形成される。
【0138】
回転保持部20が回転すると、第6の実施例と同様に、矢印Yで示すように、円板状支持部21の下面側から連通孔32aを通って環状壁部23,31a間の空間30に向かう気流が発生する。それにより、環状壁部23,31a間の空間30が大気圧に対して陽圧となり、矢印Rで示すように、環状壁部23,31a間の空間30から回転保持部20の外方に向かう気流が発生する。
【0139】
したがって、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31aと基板Wとの間の隙間に吸い寄せられることが十分に防止される。
【0140】
また、回転保持部20の下方の空間では、回転保持部20の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔32aを通して環状壁部23,31a間の空間30に導かれる気流により基板Wの裏面にミストが付着することはほとんどない。
【0141】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0142】
図15は本発明の第8の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の断面図である。また、図16は図15の回転保持部20の底面図である。
【0143】
図15に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状壁部31が形成されている。また、円板状支持部21の下面から環状壁部23,31間の空間30に連通する複数の連通孔32が形成されている。
【0144】
さらに、第5の実施例と同様に、円板状支持部21の下面側には、円板状支持部21の外周部下端から下方に延びかつ内側に水平に屈曲する環状遮蔽部33が設けられている。環状遮蔽部33は、複数の連通孔32の下端開口部を所定間隔を隔てて遮蔽する。環状遮蔽部33は、円板状支持部21と一体的に形成されてもよく、あるいは円板状支持部21と別個に形成されてもよい。
【0145】
特に、本実施例の回転保持部20においては、円板状支持部21の下面に回転保持部20の回転に伴って連通孔32内に気流を導く複数の羽根34が放射状に設けられている。
【0146】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図11の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0147】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31が第2の環状部に相当する。また、環状遮蔽部33が遮蔽部に相当する。
【0148】
本実施例の回転保持部20においては、円板状支持部21の環状壁部23の上面および環状壁部31の上面により基板Wの裏面が支持される。回転保持部20が回転すると、複数の羽根34により円板状支持部21の下面側から連通孔32を通って環状壁部23,31間の空間30に向かう気流が発生する。それにより、環状壁部23,31間の空間30が大気圧に対して陽圧となる。したがって、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが十分に防止される。
【0149】
また、回転保持部20の下方の中央部に近い空間では、回転保持部20の周囲の空間に比べてミストの量が少ないので、連通孔32を通して環状壁部23,31間の空間30に導かれる気流により基板Wの裏面にミストが付着することはほとんどない。
【0150】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0151】
図17は本発明の第9の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部拡大断面図である。
【0152】
図17に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状壁部31が形成されている。また、円板状支持部21の外周面から中心部に向かってほぼ水平に延びかつ鉛直方向に屈曲して環状壁部23,31間の空間30に開口する複数の連通孔35が設けられている。
【0153】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図8の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0154】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状壁部31が第2の環状部に相当する。
【0155】
本実施例の回転保持部20においては、円板状支持部21の環状壁部23の上面および環状壁部31の上面により基板Wの裏面が支持される。図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合、円板状支持部21の外周面側から連通孔35内を通して環状壁部23,31間の空間30に向かう気流が発生する。それにより、回転保持部20の周囲のミストが環状壁部31と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0156】
この場合、円板状支持部21の周囲の空間から連通孔35内に導入されたミストは連通孔35内の壁面50に付着する。そのため、連通孔32を通して環状壁部23,31間の空間30に導かれる気流により基板Wの裏面にミストが付着することはほとんどない。
【0157】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0158】
図18は本発明の第10の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。
【0159】
図18に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部には、断面三角形状の環状弾性部36,37が2重に設けられている。この環状弾性部36,37は、円板状支持部21の外周端部を薄く加工することで弾性を持たせる。
【0160】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図2の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0161】
本実施例では、環状弾性部36が第1の環状部に相当し、環状弾性部37が第2の環状部に相当する。
【0162】
本実施例の回転保持部20においては、破線で示すように、環状弾性部36が内側に湾曲しつつ基板Wの裏面に密着するととに、環状弾性部37が外側に湾曲しつつ基板Wの裏面に密着する。この場合、2重に設けられた環状弾性部36,37により環状弾性部36、円板状支持部21および基板Wで囲まれる空間28内の真空状態が保たれる。
【0163】
また、たとえ図1の真空吸引源12の吸引力により環状弾性部36と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状弾性部37により環状弾性部36,37間の空間30の密閉性が保たれる。それにより、基板保持部20の周囲のミストが環状弾性部37と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。
【0164】
したがって、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0165】
図19は本発明の第11の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。
【0166】
図19に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に断面三角形状の環状弾性部38が設けられている。この環状弾性部38は、図18の環状弾性部36,37と同様に、円板状支持部21の外周端部を薄く加工することで弾性を持たせる。
【0167】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図18の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0168】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状弾性部38が第2の環状部に相当する。
【0169】
本実施例の回転保持部20においては、円板状支持部21の環状壁部23の上面により基板Wの裏面が支持され、破線で示すように、環状弾性部38が外側に湾曲しつつ基板Wの裏面に密着する。それにより、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状弾性部38により環状壁部23と環状弾性部38との間の空間30の密閉性が保たれる。
【0170】
したがって、回転保持部20の周囲のミストが環状弾性部37と基板Wの裏面との吸着面に吸い寄せられることが防止される。その結果、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0171】
図20は本発明の第12の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。
【0172】
図20に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部内側に基板Wの裏面を支持する環状壁部23が形成され、環状壁部23の外側を取り囲むように円板状支持部21の上面の外周部に環状弾性部39が設けられている。環状弾性部39は、図18の環状弾性部36,37と同様に、円板状支持部21の外周端部を薄く加工することで弾性を持たせる。
【0173】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図19の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0174】
本実施例では、環状壁部23が第1の環状部に相当し、環状弾性部39が第2の環状部に相当する。
【0175】
本実施例の回転保持部20においては、円板状支持部21の環状壁部23の上面により基板Wの裏面が支持され、破線で示すように、環状弾性部39が外側に湾曲しつつ基板Wの裏面に密着する。それにより、図1の真空吸引源12の吸引力により環状壁部23と基板Wの裏面との間で真空漏れが生じた場合でも、環状弾性部39により環状壁部23と環状弾性部39との間の空間30の密閉性が保たれる。
【0176】
したがって、基板保持部20の周囲のミストが環状弾性部39と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。その結果、基板Wの裏面における回転保持部20の外周部近傍にミストが付着することを防止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0177】
図21は本発明の第13の実施例における基板処理装置の回転保持部20の一部分の拡大断面図である。
【0178】
図21に示すように、回転保持部20の円板状支持部21の上面の外周部に環状弾性部40が設けられている。この環状弾性部40は、図18の環状弾性部36,37と同様に、円板状支持部21の外周端部を薄く加工することで弾性を持たせる。
【0179】
本実施例の回転保持部20の他の部分の構成は、図20の回転保持部20の構成と同様である。また、本実施例の基板処理装置の他の部分の構成は、図1の基板処理装置の構成と同様である。
【0180】
本実施例の回転保持部20においては、破線で示すように、円板状支持部21の環状弾性部40が外側に湾曲しつつ基板Wの裏面に密着して基板Wの裏面を支持する。この場合、環状弾性部40により環状弾性部40、円板状支持部21および基板Wで囲まれる空間28内の真空状態が保たれる。
【0181】
したがって、回転保持部20の周囲のミストが環状弾性部40と基板Wとの吸着面に吸い寄せられることが防止される。その結果、基板Wの裏面における基板保持部20の外周部近傍にミストが付着することを阻止することができ、あるいは付着するミストの量を低減することができる。
【0182】
なお、上記実施例では、1つの第2の環状部を設けているが、複数の第2の環状部を設けてもよい。
【0183】
また、上記実施例では、本発明を回転式塗布装置に適用した場合について説明したが、本発明は、回転式現像装置、回転式洗浄装置等の他の回転式基板処理装置にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における基板処理装置の概略断面図である。
【図2】図1の基板処理装置における回転保持部の断面図である。
【図3】図1の基板処理装置における回転保持部の平面図である。
【図4】図2の回転保持部の一部分の断面図である。
【図5】本発明の第2の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の断面図である。
【図6】本発明の第3の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の断面図である。
【図7】図6の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図8】本発明の第4の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の断面図である。
【図9】図8の回転保持部の平面図である。
【図10】図8の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図11】本発明の第5の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の断面図である。
【図12】図11の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図13】本発明の第6の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図、平面図および側面図である。
【図14】本発明の第7の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図15】本発明の第8の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の断面図である。
【図16】図15の回転保持部の底面図である。
【図17】本発明の第9の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図18】本発明の第10の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図19】本発明の第11の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図20】本発明の第12の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図21】本発明の第13の実施例における基板処理装置の回転保持部の一部分の拡大断面図である。
【図22】従来の基板処理装置の主要部の概略断面図である。
【図23】図22の基板処理装置の回転保持部におけるミストの吸い寄せを説明するための図である。
【符号の説明】
2 回転軸
3 モータ
9 レジストノズル
11 裏面洗浄ノズル
12 真空吸引源
20 回転保持部
21 円板状支持部
22 円筒状嵌合部
23,31,31a 環状壁部
24 Oリング
25 連通路
28,30 空間
29 環状弾性部材
36,37,38,39,40 環状弾性部
32,32a,35 連通孔
33 環状遮蔽部
34 羽根
W 基板
Claims (17)
- 基板を回転させながら前記基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の裏面を支持する第1の環状部および前記第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、前記基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、
前記回転保持部を回転させる回転駆動手段と、
前記回転保持部の前記第1の環状部の内側の空間を通して前記基板を吸引する吸引手段とを備え、
前記回転保持部に前記第1の環状部と前記第2の環状部との間の空間を前記回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられ、
前記連通孔は、前記回転保持部の下面から前記回転保持部の上面に延び、前記回転保持部の回転に伴って前記回転保持部の下面から前記回転保持部の上面に向かう気流が生じるように周方向に傾斜していることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を回転させながら前記基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の裏面を支持する第1の環状部および前記第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、前記基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、
前記回転保持部を回転させる回転駆動手段と、
前記回転保持部の前記第1の環状部の内側の空間を通して前記基板を吸引する吸引手段とを備え、
前記回転保持部に前記第1の環状部と前記第2の環状部との間の空間を前記回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられ、
前記連通孔は、前記回転保持部の下面から前記回転保持部の上面に延び、
前記回転保持部の下面に、前記回転保持部の回転に伴って気流を前記連通孔内に導く1または複数の羽根が設けられたことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を回転させながら前記基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の裏面を支持する第1の環状部および前記第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、前記基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、
前記回転保持部を回転させる回転駆動手段と、
前記回転保持部の前記第1の環状部の内側の空間を通して前記基板を吸引する吸引手段とを備え、
前記回転保持部に前記第1の環状部と前記第2の環状部との間の空間を前記回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられ、
前記連通孔は、前記回転保持部の下面から前記回転保持部の上面に延び、
前記回転保持部に、前記回転保持部の外周部の下端から下方に延びかつ前記連通孔の開口部の下方を間隔を隔てて覆う遮蔽部が設けられたことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を回転させながら前記基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の裏面を支持する第1の環状部および前記第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、前記基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、
前記回転保持部を回転させる回転駆動手段と、
前記回転保持部の前記第1の環状部の内側の空間を通して前記基板を吸引する吸引手段とを備え、
前記回転保持部に前記第1の環状部と前記第2の環状部との間の空間を前記回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられ、
前記連通孔は、前記回転保持部の外周面から前記回転保持部の上面に屈曲して延びることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を回転させながら前記基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の裏面を支持する第1の環状部および前記第1の環状部の外側を取り囲むように設けられた1以上の第2の環状部を有し、前記基板を水平姿勢で吸着保持する回転保持部と、
前記回転保持部を回転させる回転駆動手段と、
前記回転保持部の前記第1の環状部の内側の空間を通して前記基板を吸引する吸引手段とを備え、
前記第1の環状部は、内側に湾曲しつつ前記基板の裏面に密着する環状弾性部であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2の環状部は、前記基板の裏面に密着するように前記回転保持部の上面に設けられた環状シール部材であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の環状部は、外側に広がりつつ前記基板の裏面に密着するように前記回転保持部の外周部に設けられた環状弾性部材であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の環状部は、前記回転保持部の上面の前記第1の環状部の外側に設けられた環状壁部であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記回転保持部に前記第1の環状部と前記第2の環状部との間の空間を前記回転保持部の外側の空間に連通させる1または複数の連通孔が設けられたことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 前記連通孔は、前記回転保持部の下面から前記回転保持部の上面に延びることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。
- 前記連通孔は、前記回転保持部の回転に伴って前記回転保持部の下面から前記回転保持部の上面に向かう気流が生じるように周方向に傾斜していることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
- 前記回転保持部の下面に、前記回転保持部の回転に伴って気流を前記連通孔内に導く1または複数の羽根が設けられたことを特徴とする請求項10または11記載の基板処理装置。
- 前記回転保持部に、前記回転保持部の外周部の下端から下方に延びかつ前記連通孔の開口部の下方を間隔を隔てて覆う遮蔽部が設けられたことを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の環状部と前記基板の裏面との間に隙間が設けられたことを特徴とする請求項11または12記載の基板処理装置。
- 前記連通孔は、前記回転保持部の外周面から前記回転保持部の上面に屈曲して延びることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。
- 前記第2の環状部は、外側に湾曲しつつ前記基板の裏面に密着する環状弾性部であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第1の環状部は、内側に湾曲しつつ前記基板の裏面 に密着する環状弾性部であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
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