KR100757848B1 - 매엽식 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR100757848B1
KR100757848B1 KR1020060054360A KR20060054360A KR100757848B1 KR 100757848 B1 KR100757848 B1 KR 100757848B1 KR 1020060054360 A KR1020060054360 A KR 1020060054360A KR 20060054360 A KR20060054360 A KR 20060054360A KR 100757848 B1 KR100757848 B1 KR 100757848B1
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임정수
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판상에 처리유체를 공급하여 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체, 그리고 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함한다. 상기 지지체는 회전가능한 몸체 및 상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함한다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판 처리 공정이 수행되는 공간 내 하강기류를 형성시켜 배기시킨다. 따라서, 본 발명은 기판 처리 공정시 사용되는 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 기판이 오염되는 것을 방지한다.
반도체, 웨이퍼, 세정, 건조, 흄, 기류, 하강기류, 블레이드, 팬,

Description

매엽식 기판 처리 장치{APPARATUS OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 지지부의 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지체의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지체의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지체의 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다.
도 8은 본 발명에 따른 기류 발생부재에 의해 기류가 발생되는 것을 보여주는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 매엽식 기판 처리 장치
110 : 하우징
120 : 약액 회수부재
130 : 기판 지지부재
140 : 노즐부
150 : 노즐부 구동기
160 : 처리유체 공급부재
200 : 지지체
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판상에 처리유체를 공급하여 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 식각 공정 및 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.
일반적으로 식각 공정 및 세정 공정은 건식 처리 장치와 습식 처리 장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리 장치는 하우징, 기판 지지부재, 그리고 노즐부를 가진다. 하우징은 내부에 식각 및 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 기판 지지부재는 하우징 내부에서 회전가능하도록 설치되며, 공정시 웨이퍼를 고정시킨다. 그리고, 노즐부는 회전되는 웨이퍼의 처리면으로 처리유체들을 순차적으로 분사하여 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.
그러나, 상기와 같은 습식 기판 처리 장치는 공정 진행시 사용되는 처리유체들에 의해 하우징 내부가 오염된다. 즉, 공정 진행시 사용되는 식각액, 세정액, 그 리고 린스액들은 하우징의 내벽에 잔류하여 하우징 내부를 오염시킨다. 하우징 내벽에 잔류하는 처리액들은 다시 기판의 처리면으로 떨어져나가 기판을 오염시킨다.
또한, 약액 처리시에는 사용되는 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)에 의해 하우징 내부가 오염된다. 처리액으로부터 발생되는 흄은 하우징 내부 및 설비 내부에 잔류하다가 공정 진행시 기판상에 재유입되어 기판을 오염시킨다.
본 발명은 소정의 처리액으로 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정의 효율을 상승시키는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 기판의 처리면이 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 설비가 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체, 그리고 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함하되, 상기 지지체는 회전가능한 몸체 및 상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 하우징의 하부에 제공되며, 상기 하부 영역으로 이동된 공기를 외부로 배기시키는 배기 부재를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 사용되는 처리액들을 회수하는 회수 부재를 더 포함하되, 상기 회수 부재는 상기 지지체의 외측벽 외부를 따라 환형으로 구비되며, 입구가 서로 적층되도록 제공되는 복수의 회수통들 및 상기 회수통들 각각에 연결되는 회수라인을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체의 중심을 기준으로 균등한 각도로 형성되고, 각각이 상기 몸체의 회전방향으로 갈수록 상향되는 나선형상이다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체의 회전 방향으로 볼록하게 라운드진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체의 회전 방향으로 오목하게 라운드진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체로부터 돌출되는 제 1 돌출부와 상기 제 1 돌출부의 끝단으로부터 상기 몸체의 회전 방향으로 연장되는 제 2 돌출부를 포함한다.
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이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 세정 및 건조 공정을 수행하는 매엽식 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지부재가 구비되는 모든 반도체 제조 장치에 적용될 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 지지부의 사시도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 처리액 회수부재(120), 기판 지지부재(130), 노즐부(140), 노즐부 구동기(150), 그리고, 처리유체 공급부재(160)를 포함한다.
하우징(110)는 내부에 세정 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 출입구로 사용된다.
처리액 회수부재(120)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 분사되는 처리액들을 회수한다. 처리액 회수부재(120)는 서로간의 상하 적층되는 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)을 가진다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 하우징(110)의 내측벽을 따라 환형으로 제공된다.
제 1 회수통(122)은 내부에 제 1 세정액을 회수하는 공간(s1)을 가진다. 같은 방식으로 제 2 회수통(124)은 내부에 제 2 세정액을 회수하는 공간(s2)을 가지고, 제 3 회수통(126)은 내부에 린스액을 회수하는 공간(s3)을 가진다. 또한, 회수통들(122, 124, 126) 각각은 기판(W)의 처리면으로 공급되는 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액이 유입되도록 일부가 개방된다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 개방된 일부를 통해 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액을 유입시킨 후 각각의 공간(s1, s2, s3)에 처리액을 수용한다.
제 1 회수라인(122a)은 공간(s1)과 연결되어, 공간(s1) 내 제 1 세정액을 회 수한다. 같은 방식으로서, 제 2 회수라인(124a)은 공간(s2)과 연결되어, 공간(s2) 내 제 2 세정액을 회수하고, 제 3 회수라인(126a)은 공간(s3)과 연결되어, 공간(s3) 내 린스액을 회수한다. 여기서, 제 1 및 제 2 처리액은 서로 다른 종류의 세정액이고, 상기 제 3 처리액은 린스액일 수 있다. 예컨대, 제 1 세정액은 불산(HF) 용액이고, 제 2 세정액은 SC-1(Standard Clean-1) 용액이고, 린스액은 초순수이다.
기판 지지부재(130)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부재(130)는 지지체(200), 회전축(134), 그리고 구동부(136)를 가진다. 지지체(200)는 상부에 기판을 지지한다. 회전축(134)은 하우징(110) 내부 중앙에서 회전가능하도록 설치된다. 회전축(134)은 일단이 지지체(200)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동부(136)에 결합된다. 구동부(136)는 회전축(134)을 회전시켜 지지체(200)를 회전시킨다. 또한, 구동부(136)는 회전축(134)을 승강시켜 지지체(200)의 높이를 조절한다. 특히, 구동부(136)는 세정 및 건조 공정시 사용되는 처리액들이 효과적으로 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)으로 회수되도록 지지체(200)의 높이를 조절한다. 여기서, 지지체(200)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
노즐부(140)는 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 노즐부(140)는 적어도 하나의 노즐(nozzle)들을 가진다. 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 구동한다. 노즐부 구동기(150)는 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 노즐부(140)를 이동시킨다. 공정 위치(a)는 노즐부(140)가 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사하는 위치이고, 대기 위치(b)는 공정 위치(a)로 이동되기 전에 하우 징(110) 외부에서 대기하는 위치이다.
노즐부 구동기(150)는 제 1 아암(152), 제 2 아암(154), 그리고 구동모터(156)를 가진다. 제 1 아암(152)은 용기(110)의 상부에서 수평으로 설치된다. 제 1 아암(152)의 일단은 노즐부(140)와 결합되고, 제 1 아암(152)의 타단은 제 2 아암(154)과 결합된다. 제 2 아암(154)은 제 1 아암(152)과 수직하게 설치된다. 구동모터(156)는 제 2 아암(154)을 회전 및 승강 운동한다. 따라서, 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 승강 운동 및 회전 운동시킨다.
처리유체 공급부재(160)는 노즐부(140)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(160)는 세정액 공급부재(162), 린스액 공급부재(164), 그리고 건조가스 공급부재(166)를 포함한다. 세정액 공급부재(162)는 세정액 공급원(162a) 및 세정액 공급라인(162b)을 가진다. 세정액 공급원(162a)은 제 1 및 제 2 세정액을 저장하고, 세정액 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부(140)로 제 1 및 제 2 세정액을 공급한다. 린스액 공급부재(164)는 린스액 공급원(164a) 및 린스액 공급라인(164b)을 가진다. 린스액 공급원(164a)은 린스액을 저장하고, 린스액 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 건조가스 공급부재(166)는 건조가스 공급원(166a) 및 건조가스 공급라인(164b)을 가진다. 건조가스 공급원(166a)은 건조가스를 공급하고, 건조가스 공급라인(164b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. 여기서, 건조가스로는 질소가스가 사용될 수 있다.
배기부재(170)는 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시킨다. 배기부재(170) 는 배출라인(172) 및 흡입 부재(174)를 가진다. 배출라인(172)은 하우징(110)의 하측에서 하우징(110) 내 공간과 통한다. 배출라인(172)은 하우징(110)의 하부 영역 내 공기를 외부를 배출시킨다. 흡입 부재(174)는 배출라인(172) 상에 설치된다. 흡입 부재(174)는 배출라인(172)에 유동압을 제공하여, 하우징(110) 내 공기를 강제 흡입한다. 흡입 부재(174)로는 진공 펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 배기부재(170)가 흡입 부재(174)를 구비하여, 하우징(110) 내 공기를 진공으로 흡입하여 강제 배출시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 배기부재(170)는 배출라인(172)만을 구비하여 하우징(110)의 하부 영역으로 이동된 공기가 하강기류에 의한 힘에 의해 자연적으로 배출되도록 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 지지체(200)의 구성을 상세히 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 지지체(200)는 몸체(210) 및 기류 발생부재(220)를 포함한다. 몸체(210)는 원통형상을 제작된다. 몸체(210)의 상부에는 척킹핀(212)들이 설치된다. 척킹핀(212)들은 기판(W)을 지지한다. 척킹핀(212)들은 몸체(210)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 설치된다. 각각의 척킹핀(212)들은 공정 진행시 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)하거나 언척킹(unchucking)한다.
기류 발생부재(220)는 복수의 블레이드(222)들을 포함한다. 블레이드(222)들은 몸체(210)의 외측면(214)에 제공된다. 일 실시예로서, 블레이드(222)들은 몸체(210)의 외측면(214)으로부터 돌출된다. 블레이드(222)들은 몸체(210)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 배치된다. 각각의 블레이드(222)들은 몸체(210)의 회전방향(X)으로 갈수록 상향되는 나선형상을 가진다. 또한, 블레이드(222)들은 몸 체(210)가 회전될 때 하우징(110) 내 공기와 충돌하는 면(222)을 가진다. 상기 면(222)은 몸체(210)가 회전하면, 하우징(110) 내 공기와 충돌되어 충돌되는 공기의 흐름을 아래 방향으로 유도시킨다.
또는, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기류 발생부재(320)는 공정 진행시 공기와 충돌하는 면(322)이 라운드(round)처리된 블레이드(320)들을 가진다. 상기와 같은 구조의 블레이드(320)들은 공정 진행시 몸체(310)가 회전되면, 많은 양의 공기를 아래 방향으로 유도시켜, 보다 강한 흐름의 하강기류를 발생시킨다.
또는, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에에 따른 기류 발생부재(420)는 공정 진행시 공기와 충돌하는 면(422)이 상술한 블레이드(320)의 면(322)과 반대되는 방향으로 형성된다. 상기와 같은 구조의 블레이드(420)들은 본 발명의 다른 실시예에 따른 블레이드(320)와 비교할 때, 공정 진행시 강한 하강기류를 발생시키기 어려우나, 몸체(410)의 회전시 블레이드(420)의 공기 저항이 적어 몸체(410)와 하우징(110) 사이 공간에 와류가 발생되는 방지할 수 있다.
또는, 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기류 발생부재(520)는 제 1 돌출부(522)와 제 2 돌출부(524)를 가지는 블레이드(520)를 포함한다. 제 1 돌출부(522)는 본 발명의 일 실시예에 따른 블레이드(220)의 면(222)을 가지는 형상이다. 제 2 돌출부(524)는 제 1 돌출부(522)로부터 회전방향(X)으로 경사지도록 연장된다. 상기와 같은 구조를 가지는 기류 발생부재(520)는 공정 진행시 몸체(510)가 회전되면, 보다 많은 양의 공기를 아래 방향으로 유도시켜, 보다 강한 흐름의 하강기류를 발생시킨다.
본 실시예에서는 네 개의 실시예에 따른 기류 발생부재를 제시하였으나, 기류 발생부재는 기판 처리 공정이 수행되는 하우징(110) 내 공간에 하강기류를 형성하기 위한 것으로, 그 구조 및 형상 등은 다양하게 변형 및 변경이 가능하다.
이하, 상술한 구조를 가지는 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략하고, 참조번호를 동일하게 병기한다.
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 8은 본 발명에 따른 기류 발생부재에 의해 기류가 발생되는 것을 보여주는 도면들이다.
도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 기판(W)이 지지부재(1320)의 상부에 로딩(loading)된다(S110). 기판(W)이 로딩되면, 지지체(200)의 척킹핀(212)들은 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)한다. 기판(W)이 지지체(200)에 고정되면, 구동부(136)는 지지체(200)를 공정 속도로 회전시킨다.
지지체(200)의 회전에 의해 하우징(110) 내부는 하우징(110) 내 상부영역으로부터 하부영역으로 이동되는 기류가 형성된다(S120). 기류가 형성되는 과정은 다음과 같다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지체(200)가 회전되면, 각각의 블레이드(222)에 제공되는 면(222)은 하우징(110) 내 공기와 충돌한다. 블레이드(222)와 충돌되는 공기의 흐름은 나선형상의 면(222)를 따라 아래방향으로 유도된다. 따라서, 하우징(110) 내 공간에는 하강기류가 형성된다. 하강되는 공기는 하우징(110) 의 하부 영역에서 배기부재(170)에 의해 하우징(110) 외부로 배출된다.
하우징(110) 내 공간에 하강기류가 형성되면, 기판(W)의 세정 공정 및 건조 정이 수행된다(S130). 세정 공정은 다음과 같다. 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 대기 위치(b)로부터 공정 위치(a)로 이동시킨다. 밸브(162b')가 오픈되고, 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부(140)로 제 1 세정액을 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 제 1 세정액을 기판(W)의 처리면으로 분사한다. 분사된 제 1 세정액은 기판(W) 처리면에 잔류하는 이물질을 제거한 후 제 1 회수통(122)으로 이동된다. 제 1 회수통(122)에 수용된 제 1 세정액은 제 1 회수라인(122a)을 통해 회수된다. 기판(W)의 제 1 세정이 완료되면, 세정액 공급원(164a)은 제 2 세정액을 노즐부(140)로 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 제 2 세정액을 기판(W)의 처리면에 분사한다. 분사된 제 2 세정액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 제 1 세정액을 2차적으로 세정한 후 제 2 회수통(124)으로 이동된다. 제 2 회수통(124)에 수용된 제 2 세정액은 제 2 회수라인(124a)을 통해 회수된다.
기판(W)의 세정이 완료되면, 밸브(164b')가 오픈되고, 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 노즐부(140)를 통해 분사되는 린스액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 세정액을 제거한 후 제 3 회수통(126)에 수용된다. 제 3 회수통(126)에 수용된 린스액은 제 3 회수라인(126)을 통해 회수된다.
기판(W)의 린스가 완료되면, 밸브(166b')가 오픈되고, 공급라인(166b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. 노즐부(140)를 통해 분사되는 건조가스는 기판(W)을 건조한다(S140).
기판(W)의 건조가 완료되면, 구동부(136)는 지지체(200)의 회전을 중지하고, 척킹핀(212)들은 기판(W)을 언척킹(unchucking)한다. 그리고, 구동부(136)는 지지체(200)를 상승시켜, 기판(W)이 하우징(110)의 개방된 상부를 통해 하우징(110) 외부로 상승시킨다. 그리고, 기판(W)은 설비 일측에 구비된 로봇암(미도시됨)에 의해 기판 처리 장치(100)로부터 언로딩(unloading)된다.
상술한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정시 하우징(110) 내 공간에 하강기류를 형성시킨다. 하우징(110) 내 공기는 하우징(110)의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 이동된 후 하우징(110) 외부로 효율적으로 배출된다. 따라서, 하우징(110) 내 파티클들과 같은 부유성 오염물질들을 효과적으로 배기할 수 있다.
또한, 공정시 사용되는 처리액들로부터 발생되는 흄(fume)을 공정이 이루어지는 공간으로부터 효율적으로 배기시킬 수 있다. 따라서, 설비의 오염을 방지하고, 공정시 기판(W)의 처리면이 흄(fume)에 의해 오염되는 것을 방지한다. 또한, 유독성의 가스가 외부로 누출되는 것을 방지하여 작업 환경의 안전성을 상승시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간 내 하강기류를 형성시켜 배기시킨다. 따라서, 본 발명은 기판 처리 공정시 사용되는 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 기판이 오염되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간 내 파티클과 같은 부유성 오염물질들을 효과적으로 배출시킨다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로부터 유독성 가스들이 누출되는 것을 방지하여 작업 환경의 안전성을 상승시킨다.

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부, 그리고
    공정시 사용되는 처리액들을 회수하는 회수 부재를 포함하되,
    상기 지지체는,
    회전가능한 몸체와,
    상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함하고,
    상기 회수 부재는,
    상기 지지체의 외측벽 외부를 따라 환형으로 구비되며, 입구가 서로 적층되도록 제공되는 복수의 회수통들 및 상기 회수통들 각각에 연결되는 회수라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함하되,
    상기 지지체는,
    회전가능한 몸체와,
    상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함하고,
    상기 기류 발생부재는,
    상기 몸체의 외측면으로부터 돌출되며 상기 몸체의 회전 방향으로 볼록하게 라운드지는 형상을 가지는 복수의 블레이드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함하되,
    상기 지지체는,
    회전가능한 몸체와,
    상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함하고,
    상기 기류 발생부재는,
    상기 몸체의 외측면으로부터 돌출되며 상기 몸체의 회전 방향으로 오목하게 라운드지는 형상을 가지는 복수의 블레이드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
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