JPH1049901A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の光ピックアップを搭載したときの不要
輻射の問題を効果的に解決できる半導体レーザ駆動装置
を提供する。 【解決手段】 光ピックアップ２２，２３は、高周波発
振回路４−１を共有している。ここで、高周波発振回路
４−１のトランジスタＱ９のコレクタ（Ｃ）からの高周
波電流が、ＬＤドライブ回路９−０に供給される。ま
た、高周波発振回路４−１のトランジスタＱ９のエミッ
タ（Ｅ）からの高周波電流が、ＬＤドライブ回路９−１
に供給される。システムコントローラ１０−１は、イネ
ーブル信号ＥＮ−０，ＥＮ−１によって、光ピックアッ
プ２２，２３を選択する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の光学系（光
ピックアップ）を搭載した光ディスクドライブに用いら
れる半導体レーザ駆動装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、記録媒体として光ディスクが普及
しており、オーディオ・ビジュアル（ＡＶ）信号を記録
する用途では、ビデオテープが光ディスクに置き換えら
れる傾向がある。ところで、画像処理においては、高転
送レートおよびリアルタイム性が要求されている。これ
らを実現するための主な方法としては、（１）光ディス
クを高速回転させる、（２）光ディスクの記録密度を高
める（短波長化、高ＮＡ化）、（３）複数個の光学系を
用いることが考えられる。

【０００３】しかしながら、（１）の方法には、半導体
レーザの記録パワーを高める必要があり、また寿命が短
くなるという問題がある。（２）の方法にはスキュート
レランスなどのシステムマージンの問題がある。その結
果、技術的および経済的に現実性があるのは、（３）の
複数個の光学系を用いる方法である。尚、（３）の方法
としては、レーザ・ダイオード（ＬＤ）アレー方式も考
えられるが、ＬＤアレーの寿命および経済性や、トラッ
クピッチ方向の密度が向上しないなどの欠点がある。

【０００４】ところで、ＡＶ信号の記録媒体としては、
ダイレクトオーバーライト方式のものが望ましい。この
ダイレクトオーバーライト方式のメディアとして、磁界
変調光磁気（ＭＯ: Magnet Optical) ディスク、光変調
ダイレクトオーバーライトＭＯ、相変化メディア（Ｐ
Ｃ:Phase Change ）がある。

【０００５】ここで、磁界変調光磁気ディスクは、磁界
ヘッドによって転送レートが決定されることから、高転
送レートを実現することが困難である。また、磁界変調
光磁気ディスクは、片面しか使用することができないと
いう問題もある。また、光変調ダイレクトオーバーライ
トＭＯは、高転送レートを実現可能であるが、メディア
がまだ一般的でなく、メディアコストが高いという問題
がある。さらに、相変化メディアは、最近商品化され、
将来有望なメディアであると考えられているが、現時点
では、高転送レートおよび繰り返し記録回数の面で劣る
という問題がある。

【０００６】従って、転送レートの問題が解決されれ
ば、リアルタイム性の向上を図る上で、光磁気ディスク
は他のダイレクトオーバーライトメディアに比べて有望
である。このような、高転送レートおよび疑似オーバー
ライトを実現するために、前述したように複数の光ピッ
クアップを搭載している光磁気ディスクドライブがあ
る。この光磁気ディスクドライブでは、各々の光ピック
アップに高周波重畳回路が備えられている。このような
高周波重畳回路は、ＬＣ発振器を用いて所定の発振周波
数の高周波を発生している。このような光磁気ディスク
ドライブでは、複数の光ピックアップによる不要輻射を
抑制することが重要である。

【０００７】この光磁気ディスクドライブ装置では、光
磁気ディスクへの書き込み（記録）、読み出し（再
生）、消去を行う際におけるレーザ光の出力が異なり、
記録時より弱いレーザビームを照射することによって、
記録ピットを破壊することなく記録情報が読み出される
ようになっている。光磁気ディスクに照射するレーザビ
ームは、記録、消去および再生モードにおいて、レーザ
出力が適切に制御されることが必要である。そのため、
光磁気ディスクドライブ装置は、半導体レーザの光出力
を、各モード毎に切り換えると同時に、各モードにおい
て最適な出力となるように、３種類の基準信号を入力す
るレーザ光出力制御回路を備えている。

【０００８】図４は、従来のレーザ光出力制御回路の構
成図である。図４に示すように、レーザ光出力制御回路
は、半導体レーザダイオード１（以下、ＬＤ１とも記
す）、ＬＤ１の光出力モニター用フォトダイオード２
（以下、ＰＤ２とも記す）、連動するモード切換スイッ
チ３ａおよび３ｂ（再生Ｒ，記録Ｗ、消去Ｅ）、高周波
発振回路４、電流電圧変換回路５、誤差増幅器６、各モ
ードでの光出力を決定する基準電圧７、記録信号発生回
路８、電流ブースタ９を有する。電流ブースタ９の入力
側には、記録信号発生回路８が接続されている。ＰＤ２
は、ＬＤ１と同一パッケージ内にあるものと光路内に別
個に設ける場合があり、特に、記録可能な光ディスクの
記録に用いる高出力半導体レーザ（３０ｍＷ以上）の場
合は、後者が一般的である。このＰＤ２で得られた光出
力に比例した電流は、電流電圧変換回路５にて電圧に変
換されて、誤差増幅器６に出力される。

【０００９】誤差増幅器６には、モード切換スイッチ３
ｂにて切り換えられた基準電圧が入力されており、電流
電圧変換回路５の出力電圧と比較され、その誤差電圧出
力に基づいて制御される各モードの電流が電流ブースタ
９からＬＤ１に供給され、各モードでの光出力が一定に
保たれる。

【００１０】また、一般に、光ディスク用の光学系に半
導体レーザを用いた場合、光ディスクに集束光を照射
し、光ディスクから情報信号およびサーボ信号を得るた
め、ＬＤ１側にもある程度光ディスクからの反射光が戻
る。このＬＤ１への戻り光量および光路長などにより、
戻り光と照射光の干渉によるスクープノイズ、モードホ
ッピングノイズが発生して再生信号のＣ／Ｎ劣化を引き
起こす要因となっている。これらのノイズの発生は、高
出力半導体レーザにおいて顕著である。

【００１１】戻り光によるモードホッピングノイズなど
を低減させるために、高調波重畳法が知られている。こ
の例では、ＬＤ１の直流バイアス電流に高周波電流を重
畳させるために、高周波電流を発生する高周波発振回路
４をモード切換スイッチ３ａ、コンデンサＣ１を経由し
てＬＤ１に接続している。そして、高周波発振回路４か
ら高周波電流をＬＤ１に供給してノイズの低減を図って
いる。高周波発振回路４の発振周波数としては、レー
ザ、光路長により最適値があり、通常２００〜６００Ｍ
Ｈｚである。

【００１２】図５は、高周波重畳法による改善特性を示
している。図５に示すＩ−Ｐ曲線（供給電流−光出力）
で、光出力がリードパワーＰ_R （ｍＷ）になるように前
述したレーザ光出力制御回路が動作しているものとす
る。このとき、レーザ電流は、Ｉ_R で、これに２×（Ｉ
_R −Ｉ_th） （Ｉ_thは閾値電流）以上の電流振幅（図５
（ａ））が得られるように、閾値電流Ｉ_thを横切ってオ
ン／オフさせ、高周波発振回路４の出力を重畳させる
と、図５（ｂ）に示すような光出力が得られ、結果的に
レーザをマルチモード発振させ、スクープノイズやモー
ドホッピングノイズの発生を防止している。

【００１３】高周波の重畳レベルは、前述のように、
（動作電流−閾値電流）×２以上の電流増幅を必要と
し、必ず閾値電流以下にしてＬＤ１をオフさせる必要が
あり、ＬＤ１のオフとオンのデューティ比により、高周
波重畳の効果が変化する。

【００１４】高周波重畳時の発光波形の一例を図６に示
すが、この場合に、重畳（発振）周波数は２３５ＭＨ
ｚ、ＬＤ１がオンしているときのデューティ比は約２８
％である。ここで、発光波形に２つの山が観測されてい
るのは、ＬＤの緩和振動（この場合は２．３ＧＨｚ）に
よるものである。尚、図６において、横軸は時間を示
し、縦軸は光出力を示している。高周波重畳時における
ＬＤ１のオン時のデューティ比は、ＬＤ１および光学系
の光路長などにより最適値があるが、一般的に図６に示
したように、デューティが小さいほど高周波重畳効果が
あると言われている。

【００１５】ＬＤ１のオン時のデューティ比を小さくす
るには、高周波重畳のピークレベルを上げる必要があ
り、それに比例して高周波重畳による不要輻射レベルが
増幅し、電波規制に抵触する可能性がある。光学系が１
つの場合は、発振回路が１回路であるので、不要輻射の
周波数としては、基本周波数およびその高調波成分とな
るが、複数個の光学系を搭載した場合は、個々の発振周
波数が同一になる確率は非常に少なく、微妙な差を生じ
る。従って、基本周波数およびその高調波成分に加えて
周波数差によるビート成分も発生することになる。

【００１６】図７は、高調波重畳回路を含むレーザ光出
力制御回路の具体的な回路構成図である。図７におい
て、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４およびＱ５に
よって、差動スイッチング型レーザ駆動回路が構成され
ている。この差動スイッチング型レーザ駆動回路におい
て、トランジスタＱ３およびＱ４によって電流ミラー回
路が構成され、トランジスタＱ４のコレクタからＬＤ１
に駆動電流が供給される。これらのトランジスタのう
ち、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３およびＱ４によって
ＬＤ電流ブースタ９が構成され、トランジスタＱ５によ
ってＬＤ電流制御回路１３が構成される。

【００１７】記録信号発生回路８からのＤ出力はトラン
ジスタＱ２のベースに供給され、反転Ｄ（Ｄバー）出力
はトランジスタＱ１のベースに供給される。このＤ出力
および反転Ｄ出力によって、トランジスタＱ２またはＱ
１がオンし、後述する各モードが設定される。Ｄ出力に
よってトランジスタＱ２がオンしたとき、トランジスタ
Ｑ４のコレクタ電流がＬＤ１に供給され、ＡＰＣ回路(A
utomatic Power Control) １４から後述する電圧ＤＤＲ
ＶがトランジスタＱ５のベースに印加されて、トランジ
スタＱ４のコレクタ電流、つまりＬＤ１に供給される電
流が制御できる。

【００１８】トランジスタＱ１０は、高周波発振回路４
を構成するトランジスタであって、トランジスタＱ１０
の出力側には、バッファを構成するトランジスタＱ９が
接続されている。再生時にのみ、高周波発振回路４の発
振出力は、トランジスタＱ９およびコンデンサＣ１を経
由してトランジスタＱ５のベースに供給され、これによ
ってトランジスタＱ５のコレクタ電流が振幅変調され、
その結果、トランジスタＱ４のコレクタ電流に高周波電
流が重畳される。ここで、トランジスタＱ１０、コンデ
ンサＣ１〜Ｃ３、コイルＬ１，Ｌ２、抵抗Ｒ１〜Ｒ３に
よって変形コルピッツ回路が構成され、発振周波数ｆ０
は、下記式（１）で与えられる。

【数１】 ｆ０＝１／｛２π（Ｌ１×Ｃ０）^1/2 ）｝ （１） 上記式（１）において、Ｃ０＝Ｃ１//Ｃ２//Ｃ３であ
る。

【００１９】高周波発振回路４を構成するトランジスタ
Ｑ１０のベースに印加されるＭＯＤＯＮ信号は、再生時
に、ハイレベルになり、高周波発振回路４を発振させ
る。一方、ＭＯＤＯＮ信号は、再生時以外は、ローレベ
ルになり、高周波発振回路４は発振しない。

【００２０】ＭＯＤＯＮ信号が、ハイレベルになり、高
周波発振回路４が発振すると、発振出力はバッファトラ
ンジスタＱ９およびコンデンサＣ１を介して、ＬＤ電流
制御回路１３を構成するトランジスタＱ５のベースに供
給され、トランジスタＱ４のコレクタ電流に高周波電流
が重畳される。

【００２１】また、ＰＤ２からの光出力に比例した光電
流を電圧に変換する電流電圧変換回路５は、その出力電
圧をＡＰＣ回路１４に供給する。ＡＰＣ回路１４では、
システムコントローラ１０からの制御に応じてスイッチ
ＳＷによって選択された各モード（再生Ｒ、記録Ｗ、消
去Ｅ）において、光出力と対応する基準電圧とが比較さ
れ、その出力電圧がＬＤ電流制御回路１３を構成するト
ランジスタＱ５のベースにＤＤＲＶとして入力され、ト
ランジスタＱ４のコレクタ電流が制御され、ＬＤ１の各
モードでの光出力が一定になる。

【００２２】以下、図７に示すレーザ光出力制御回路の
各モードでの動作について説明する。 ＜ＬＤ１オフ＞ＬＤ１がオフして発光しない場合は、記
録信号発生回路８からはＤ＝Ｌ（ローレベル）、反転Ｄ
＝Ｈ（ハイレベル）が出力され、ＤＤＲＶ＝０の状態と
なっている。これによって、トランジスタＱ１がオン、
トランジスタＱ２、Ｑ３、Ｑ４がオフになり、トランジ
スタＱ４のコレクタ電流が流れず、ＬＤ１の光出力はゼ
ロである。 ＜再生モード＞再生モードの場合は、記録信号発生回路
８からはＤ＝Ｈ、反転Ｄ＝Ｌが出力され、ＤＤＲＶ＝Ｖ
_R 、ＭＯＤＯＮ＝Ｈの状態となっており、高周波発振回
路４が発振し、ＬＤ１には、高周波電流が重畳されたト
ランジスタＱ４のコレクタ電流が流れてパルス光出力が
得られ、その平均光出力がＰ_R に保たれる。 ＜記録モード＞記録信号発生回路８からは、記録信号に
応じたＤ＝（Ｈ→Ｌ→Ｈ）、反転Ｄ＝（Ｌ→Ｈ→Ｌ）が
出力され、ＭＯＤＯＮ＝Ｌ、ＤＤＲＶ＝Ｖ_W の状態にな
っており、ＬＤ１の光出力は、Ｄ、反転Ｄの変調信号に
同期したピーク光出力Ｐ_W のパルス発光となる。 ＜消去モード＞記録信号発生回路８からはＤ＝Ｈ、反転
Ｄ＝Ｌとなり、ＭＯＤＯＮ＝Ｌとなっている。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＣ発
振器が発生する高周波の発振周波数は±５〜±１０％程
度のばらつきがあり、温度変化によっても変動する。従
って、従来のように複数の光ピックアップのそれぞれに
高周波発振回路を個別に搭載すると、複数の高周波重畳
回路のＬＣ発振器からの高周波の発振周波数がそれぞれ
相違し、その差分によるビート成分が不要輻射として生
じる。ところで、周波数差が一定であれば、ビート成分
も一定であるが、温度変化によって周波数差が微妙にず
れると、ビート成分の変化によって不要輻射のレベルも
変化する。また、複数のＬＣ発振器からの高周波の発振
周波数が同一であったとしても、それらが同位相になっ
たときに、不要輻射レベルが変動する。従って、従来の
光ディスクドライブでは、複数の光ピックアップによる
不要輻射を充分に抑制することができないという問題が
ある。

【００２４】本発明は、上述した従来技術に鑑みてなさ
れ、複数の光ピックアップを設けた際に生じる不要輻射
を充分に抑制することができる半導体レーザ駆動装置を
提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題
点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明の
半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザからの光出力を
検出し、その検出結果に基づいて前記半導体レーザの光
出力を制御する複数の光ピックアップを搭載した光ディ
スク駆動装置に用いられる半導体レーザ駆動装置であっ
て、前記複数の光ピックアップで共用され、前記半導体
レーザを駆動するレーザ電流に重畳するための高周波電
流を発生する高周波電流発生手段を有する。

【００２６】本発明の半導体レーザ駆動装置では、複数
の光ピックアップのぞれぞれに高周波電流発生手段を設
けるのではなく、これら複数の光ピックアップで共有す
る高周波電流発生手段を設ける。そのため、複数の光ピ
ックアップのぞれぞれに高周波電流発生手段を設けたと
きのように、複数の高周波電流発生手段の相互間におけ
る発振周波数の差によるビート成分および温度変化によ
るビート成分の変化による影響が無くなり、不要輻射レ
ベルを抑制することができる。

【００２７】また、本発明の半導体レーザ駆動装置は、
好適には、２個の光ピックアップを搭載した光ディスク
駆動装置に用いられ、前記高周波電流発生手段は、位相
が相互に反転した高周波電流を前記２個の光ピックアッ
プにそれぞれ供給する。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
レーザ光出力制御回路について説明する。このレーザ光
出力制御回路は、例えば、複数の光ピックアップを用い
て光磁気ディスクの記録、再生、消去を行う光ディスク
ドライブに搭載される。第１実施形態 図１は、本実施形態のレーザ光出力制御回路２１の構成
図である。レーザ光出力制御回路２１は、例えば、光磁
気ディスクの両面再生を行うために２個の光ピックアッ
プを搭載した光ディスクドライブに用いられる。図１に
示すように、レーザ光出力制御回路２１は、２個の光ピ
ックアップ２２，２３、高周波発振回路４−１およびシ
ステムコントローラ１０−１を搭載している。すなわ
ち、レーザ光出力制御回路２１では、光ピックアップ２
２，２３が、高周波発振回路４−１を共有した構成にな
っている。

【００２９】システムコントローラ１０−１は、記録信
号に応じたＤ−０出力、反転Ｄ−０出力およびイネーブ
ル信号ＥＮ−０を光ピックアップ２２に供給する。ま
た、システムコントローラ１０−１は、記録信号に応じ
たＤ−１出力、反転Ｄ−１出力およびイネーブル信号Ｅ
Ｎ−１を光ピックアップ２３に供給する。また、高周波
発振回路４−１を構成するトランジスタＱ９のコレクタ
（Ｃ）は、光ピックアップ２２のバッファスイッチＢＳ
−０に接続されている。一方、高周波発振回路４−１を
構成するトランジスタＱ９のエミッタ（Ｅ）は、光ピッ
クアップ２３のバッファスイッチＢＳ−１に接続されて
いる。ここで、トランジスタＱ９のコレクタ（Ｃ）とエ
ミッタ（Ｅ）とに現れる位相が反転していることから、
バッファスイッチＢＳ−０に供給される高周波電流とバ
ッファスイッチＢＳ−１に供給される高周波電流とは位
相が反転したものになる。

【００３０】次に、光ピックアップ２２の構成について
図１，図２を参照しながら詳細に説明する。光ピックア
ップ２３の構成は、光ピックアップ２２の構成と基本的
に同じである。図２は、光ピックアップ２２の構成図で
ある。図１，図２に示すように、光ピックアップ２２
は、ＬＤドライブ回路９−０、レーザダイオードＬＤ−
０、フォトダイオードＰＤ−０、電流電圧変換回路５−
０、ＡＰＣ回路１４−０、バッファスイッチＢＳ−０を
有する。

【００３１】図２に示すように、ＬＤドライブ回路９−
０は、トランジスタＱ１〜Ｑ５を備えており、トランジ
スタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４およびＱ５によって、差動
スイッチング型レーザ駆動回路が構成されている。この
差動スイッチング型レーザ駆動回路において、トランジ
スタＱ３およびＱ４によって電流ミラー回路が構成さ
れ、トランジスタＱ４のコレクタからＬＤ−０に駆動電
流が供給される。これらのトランジスタのうち、トラン
ジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３およびＱ４はＬＤ電流ブースタ
として機能し、トランジスタＱ５はＬＤ電流制御回路と
して機能する。

【００３２】システムコントローラ１０−１からのＤ−
０出力はトランジスタＱ２のベースに供給され、反転Ｄ
（Ｄバー）−０出力はトランジスタＱ１のベースに供給
される。このＤ−０出力および反転Ｄ−０出力によっ
て、トランジスタＱ２またはＱ１がオンし、後述する各
モードが設定される。Ｄ−０出力によってトランジスタ
Ｑ２がオンしたとき、トランジスタＱ４のコレクタ電流
がＬＤ１に供給され、ＡＰＣ回路１４−１から後述する
電圧ＤＤＲＶがトランジスタＱ５のベースに印加され
て、トランジスタＱ４のコレクタ電流、つまりＬＤ−０
に供給される電流が制御できる。

【００３３】次に、図１に示す高周波発振回路４−１に
ついて詳細に説明する。尚、高周波発振回路４−１とし
ては、変形コルピッツ発振回路が用いられている。トラ
ンジスタＱ１０の出力側には、バッファを構成するトラ
ンジスタＱ９が接続されている。再生時にのみ、高周波
発振回路４−１の発振出力は、トランジスタＱ９および
コンデンサＣ１−０を経由してトランジスタＱ５のベー
スに供給され、これによってトランジスタＱ５のコレク
タ電流が振幅変調され、その結果、トランジスタＱ４の
コレクタ電流に高周波電流が重畳される。

【００３４】システムコントローラ１０−１からトラン
ジスタＱ１０のベースに印加されるＭＯＤＯＮ信号は、
再生時に、ハイレベルになり、高周波発振回路４−１を
発振させる。一方、ＭＯＤＯＮ信号は、再生時以外は、
ローレベルになり、高周波発振回路４−１は発振しな
い。

【００３５】ＭＯＤＯＮ信号が、ハイレベルになり、高
周波発振回路４−１が発振すると、システムコントロー
ラ１０−１からのイネーブル信号ＥＮ−０，ＥＮ−１に
よるバッファスイッチＢＳ−０，ＢＳ−１の制御に応じ
て、発振出力が、光ピックアップ２２，２３のバッファ
スイッチＢＳ−０，ＢＳ−１を介して、ＡＰＣ回路１４
−０，１４−１の出力に加算される。このとき、イネー
ブル信号ＥＮ−０，ＥＮ−１によって、ＡＰＣ回路１４
−０，１４−１の双方の出力に高周波電流が重畳される
場合に、ＡＰＣ回路１４−０の出力に重畳される高周波
電流とＡＰＣ回路１４−１の出力に重畳される高周波電
流とは位相が反転したものになっている。

【００３６】電流電圧変換回路５は、ＰＤ−０からの光
出力に比例した光電流を電圧に変換し、その出力電圧を
ＡＰＣ回路１４−０に供給する。ＡＰＣ回路１４−０で
は、システムコントローラ１０からの制御に応じて選択
された各モード（再生Ｒ、記録Ｗ、消去Ｅ）において、
光出力と対応する基準電圧とが比較され、その出力電圧
がＬＤドライブ回路９−０のトランジスタＱ５のベース
にＤＤＲＶとして入力され、トランジスタＱ４のコレク
タ電流が制御され、ＬＤ１の各モードでの光出力が一定
になる。

【００３７】レーザ光出力制御回路２１の動作は、シス
テムコントローラ１０−１からのイネーブル信号ＥＮ−
０，ＥＮ−１によって、光ピックアップ２２，２３が選
択的に動作する点を除いて、図７を用いて前述した従来
のレーザ光出力制御回路と同じである。

【００３８】以上説明したように、レーザ光出力制御回
路２１では、光ピックアップ２２，２３のそれぞれに高
周波発振回路を設けるのではなく、高周波発振回路４−
１を共有するようにした。そのため、光ピックアップ２
２，２３のそれぞれに高周波発振回路を設けたときのよ
うに、２つの高周波発振回路の発振周波数の差によるビ
ート成分および温度変化によるビート成分の変化による
影響が無くなり、不要輻射レベルを抑制することができ
る。また、レーザ光出力制御回路２１では、光ピックア
ップ２２のＡＰＣ回路１４−０の出力に重畳される高周
波電流の位相と、光ピックアップ２３のＡＰＣ回路１４
−１の出力に重畳される高周波電流の位相とが、逆相の
関係にあることから、光ピックアップ２２，２３の双方
が再生モードとなったときに、それぞれの基本周波数成
分の相互間の影響がキャンセルされ、基本周波数成分が
相互に影響し合って不要輻射レベルが増強されることを
防止することができる。

【００３９】第２実施形態 図３は、本実施形態のレーザ光出力制御回路３１の構成
図である。図３に示すように、レーザ光出力制御回路３
１は、（ｎ＋１）個の光ピックアップ２２−０〜２２−
ｎ、高周波発振回路４−２およびシステムコントローラ
１０−２を有する。ここで、ｎは、任意の整数値であ
る。

【００４０】光ピックアップ２２−０〜２２−ｎの構成
は、図１，図２に示す光ピックアップ２２と同じであ
る。また、高周波発振回路４−２およびシステムコント
ローラ１０−２の構成も、図１に示す高周波発振回路４
−１およびシステムコントローラ１０−１と同じであ
る。

【００４１】但し、高周波発振回路４−２のトランジス
タＱ９のエミッタ端子が、バッファスイッチＢＳ−０〜
ＢＳ−ｎおよびコンデンサＣ１−０〜Ｃ１−ｎを介し
て、トランジスタＱ５のベースに接続されている。ま
た、バッファスイッチＢＳ−０〜ＢＳ−ｎは、システム
コントローラ１０−２からのイネーブル信号ＥＮ−０〜
ＥＮ−ｎによって、オン／オフし、オンしているとき
に、トランジスタＱ９のエミッタ端子と、コンデンサＣ
１−０〜Ｃ１−ｎとが接続状態になる。

【００４２】以上説明したように、レーザ光出力制御回
路３１では、光ピックアップ２２−０〜２２−ｎのそれ
ぞれに高周波発振回路を設けるのではなく、高周波発振
回路４−２を共有するようにした。そのため、光ピック
アップ２２−０〜２２−ｎのそれぞれに高周波発振回路
を設けたときのように、２つの高周波発振回路の発振周
波数の差によるビート成分および温度変化によるビート
成分の変化による影響が無くなり、不要輻射レベルを抑
制することができる。

【００４３】本発明は上述した実施形態には限定されな
い。例えば、上述した実施形態では、高周波発振回路に
コルピッツ発振回路を用いた場合について例示したが、
発振回路としてその他にハートレー発振回路を用いても
よい。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ駆動装置によれば、複数の光ピックアップのそれぞ
れに高周波電流発生手段を設けるのではなく、高周波電
流発生手段を共有するようにした。そのため、複数の光
ピックアップのそれぞれに高周波電流発生手段を設けた
ときのように、２つの高周波電流発生手段の発振周波数
の差によるビート成分および温度変化によるビート成分
の変化による影響が無くなり、不要輻射レベルを抑制す
ることができる。また、本発明の半導体レーザ駆動装置
によれば、２個の光ピックアップに、位相が相互に反転
した高周波電流をそれぞれ供給することから、２個の光
ピックアップの双方が再生モードとなったときに、それ
ぞれの基本周波数成分の相互間の影響がキャンセルさ
れ、基本周波数成分が相互に影響し合って不要輻射レベ
ルが増強されることを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１実施形態のレーザ光出力
制御回路の構成図である。

【図２】図２は、図１に示す光ピックアップの構成図で
ある。

【図３】図３は、本発明の第２実施形態のレーザ光出力
制御回路の構成図である。

【図４】図４は、従来のレーザ光出力制御回路の構成図
である。

【図５】図５は、高周波重畳法による改善特性を示して
いる。

【図６】図６は、高周波重畳時の発光波形の一例であ
る。

【図７】図７は、高調波重畳回路を含む従来のレーザ光
出力制御回路の具体的な回路構成図である。

【符号の説明】

ＬＤ−０〜ＬＤ−ｎ…レーザダイオード、ＰＤ−０〜Ｐ
Ｄ−ｎ…フォトダイオード、ＢＳ−０〜ＢＳ−ｎ…バッ
ファスイッチ、５−０〜５−ｎ…電流電圧変換回路、９
−０〜９−ｎ…ＬＤドライブ回路、１０−１…システム
コントローラ、１４−０〜１４−ｎ…ＡＰＣ回路、２１
…レーザ光出力制御回路、２２，２３…光ピックアップ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザからの光出力を検出し、その
   検出結果に基づいて前記半導体レーザの光出力を制御す
   る複数の光ピックアップを搭載した光ディスク駆動装置
   に用いられる半導体レーザ駆動装置において、 前記複数の光ピックアップで共用され、前記半導体レー
   ザを駆動するレーザ電流に重畳するための高周波電流を
   発生する高周波電流発生手段を有する半導体レーザ駆動
   装置。
2. 【請求項２】２個の光ピックアップを搭載した光ディス
   ク駆動装置に用いられ、 前記高周波電流発生手段は、位相が相互に反転した高周
   波電流を前記２個の光ピックアップにそれぞれ供給する
   請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
3. 【請求項３】前記高周波電流発生手段は、発振回路を備
   え、当該発振回路の出力端に設けられたトランジスタの
   エミッタ出力およびコレクタ出力を、それぞれ前記２個
   の光ピックアップに供給する請求項２に記載の半導体レ
   ーザ駆動装置。
4. 【請求項４】前記高周波電流発生手段は、コルピッツ発
   振回路を有する請求項１に記載の半導体レーザ駆動装
   置。