JP3520414B2 - 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置 - Google Patents

弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置

Info

Publication number
JP3520414B2
JP3520414B2 JP2001111783A JP2001111783A JP3520414B2 JP 3520414 B2 JP3520414 B2 JP 3520414B2 JP 2001111783 A JP2001111783 A JP 2001111783A JP 2001111783 A JP2001111783 A JP 2001111783A JP 3520414 B2 JP3520414 B2 JP 3520414B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
electrode
wave device
metal bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001111783A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002314364A (ja
Inventor
重人 田賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001111783A priority Critical patent/JP3520414B2/ja
Priority to US10/090,151 priority patent/US6734601B2/en
Publication of JP2002314364A publication Critical patent/JP2002314364A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3520414B2 publication Critical patent/JP3520414B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05023—Disposition the whole internal layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電体基板上に形
成された電極パッドに金属バンプを形成し、セラミック
等からなる電子部品パッケージの内部に形成された電極
パターン部に金属バンプを介して接続するフリップチッ
プ工法を用いた弾性表面波素子およびその製造方法、通
信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の携帯通信端末等の通信装置の小型
化、高機能化に伴い、内蔵される電子部品に対しても小
形化、低背化が要求される。携帯通信端末等の通信装置
に使用され、小型化、低背化の望まれる重要な電子部品
の一つとして弾性表面波装置が挙げられる。
【０００３】弾性表面波装置は、その使用形態として、
弾性表面波素子と、弾性表面波素子を収納する電子部品
パッケージとを有している。上記弾性表面波素子は、く
し型電極部とくし型電極部に電気信号を入出力するため
の電極パッドとを表面に備えた圧電体基板を有してい
る。上記電子部品パッケージは、アルミナ等のセラミッ
クスを箱形状に形成したものである。
【０００４】弾性表面波装置において、小型化、低背化
を実現するための組立法としてフリップチップ工法が提
案、実用化されている。このフリップチップ工法のため
に、上記電子部品パッケージの実装面（内表面）上に
は、上記電気信号を入出力するための電極パターン部
が、弾性表面波装置の電極パッドの位置に応じて形成さ
れている。
【０００５】弾性表面波装置におけるフリップチップ工
法とは、 弾性表面波素子の電極パッド上にあらかじめ金属バン
プを形成し、 弾性表面波素子の機能面を電子部品パッケージに対向
させた状態で電極パッドと電子部品パッケージの実装面
上の電極パターン部との間に金属バンプを挟み、 弾性表面波素子を電子部品パッケージに対し押圧して
金属バンプに荷重を印加し、 荷重により金属バンプから形成された金属バンプ接続
部と、電子部品パッケージの実装面上の電極パターン部
および電極パッドとを接続することにより、弾性表面波
素子を電子部品パッケージに実装する工法である。
【０００６】フリップチップ工法を用いた、弾性表面波
素子の電子部品パッケージヘの実装においては特に荷重
と超音波とを同時に印加する工法や、荷重と超音波と熱
とを同時に印加する工法がしばしば用いられる。
【０００７】このようなフリップチップ工法を用いた弾
性表面波装置において、弾性表面波素子上に形成された
金属バンプと電子部品パッケージ上の電極パターン部と
の接続部には、電気的導通の役割と共に電子部品パッケ
ージに弾性表面波素子を固定する機械的強度の役割を果
たす必要があることから、高い信頼性が要求される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来では、フリップチップ工法による接続時に、電極パッ
ド部分の圧電体基板にクラックが発生し易く、クラック
の発生により弾性表面波素子と電子部品パッケージの接
合強度は低下し、落下耐性、耐衝撃性、熱サイクルに対
する耐性等の信頼性の低下が起こるという問題を生じて
いる。
【０００９】つまり、信学技報 TECHNICAL PEPORT OF
IEICE. US95-26, EMD95-22, CPM95-34(1995-07) pp. 47
「フリップチップ型ＧＨｚ帯ＳＡＷ（弾性表面波）フィ
ルタ」谷津田博美、小栗正敏、堀島平（日本無線（株）
研究所）にはフリップチップ工法を用いたＳＡＷフィル
タの工法、特性、信頼性について報告されている。
【００１０】上記論文中では、弾性表面波素子のチップ
（圧電体基板）上の金属バンプと電子部品パッケージの
電極パターン部とを金属バンプにより接続するために、
荷重と熱と超音波を印加する工法が開示されており、ま
た、フリップチップ工法の際の荷重や超音波のパワーが
大きい場合、チップ上の電極パッド部分にクラックが発
生することが報告されている。
【００１１】一般に、弾性表面波装置、特に金属バンプ
の接合部の信頼性の向上を目的として接合部の強度を向
上させるには、接合の工法パラメータである荷重や超音
波のパワーを大きくしたり、温度を上げることは有効で
あると考えられている。一方、荷重や超音波のパワーを
大きくすると、圧電体基板上にクラックが発生し易くな
る。
【００１２】圧電体基板の電極パッド部分にクラックが
発生した場合、クラックの発生により弾性表面波素子と
電子部品パッケージの接合強度は低下し、落下耐性、耐
衝撃性、熱サイクルに対する耐性等の信頼性の低下が起
こる。
【００１３】よって、このような弾性表面波装置を用い
た通信装置においても同様に信頼性が低下するという問
題を生じている。そのため、弾性表面波装置に対して、
クラックの発生を抑制する工法、構造の開発が求められ
ている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、以上の課題を解決するために、くし型電極部（すだ
れ状電極ともいう、Inter-Digital Transducer、以下、
ＩＤＴという）と、ＩＤＴに電気信号を入出力するため
の電極パッドとを圧電体基板上に有する弾性表面波素子
が設けられ、電気信号を入出力するための電極パターン
部を備えた電子部品パッケージが設けられ、電極パッド
と電極パターン部との間を電気的に接続すると共に、弾
性表面波素子を電子部品パッケージにて支持するための
金属バンプ接続部が設けられ、電極パッドは、圧電体基
板を印加される応力から保護するために、主成分として
のＡｌ（アルミニウム）と副成分としてのＣｕ（銅）と
を含み、かつＣｕの重量比が３．５％以上であることを
特徴としている。
【００１５】上記構成によれば、ＩＤＴおよび圧電体基
板により、入力された電気信号は弾性表面波に変換さ
れ、またＩＤＴにより電気信号に変換されることによ
り、上記電気信号に対し、設定された通過帯域のみを通
過させるフィルタ機能を発揮できる。
【００１６】また、上記構成では、電極パッドと電極パ
ターン部との間を電気的に接続するための金属バンプ接
続部を設けたことにより、上記電極パッドや電極パター
ン部を圧電体基板の表面の面積領域内に形成できて、ワ
イヤボンディング等と比較して小型化を図れる。
【００１７】さらに、上記構成では、弾性表面波素子
を、電子部品パッケージに対し金属バンプ接続部を介し
て支持しているために、電極パッドをＩＤＴの形成面に
形成すれば、弾性表面波素子のＩＤＴの形成面と電子部
品パッケージとを離間させることができて、上記ＩＤＴ
の動作を安定化できる。
【００１８】その上、上記構成においては、電極パッド
は、主成分としてのＡｌと副成分としてのＣｕとを含
み、かつＣｕの重量比が３．５％以上であるので、電極
パッド部分の圧電体基板に発生する、クラックや割れを
逓減できる。
【００１９】このため、上記構成では、弾性表面波素子
の破損や、弾性表面波素子と電子部品パッケージとの間
の接合強度の低下を抑制できるから、歩留りの向上や、
故障率の低減、信頼性の改善を図ることができる。
【００２０】上記弾性表面波装置においては、金属バン
プ接続部はＡｕ（金）またはＡｕを主成分とする金属材
料からなっていることが好ましい。
【００２１】上記構成によれば、ＡｕまたはＡｕを主成
分とする金属材料が延性に優れているので、上記金属材
料からなる金属バンプ接続部は、電極パッドや電極パタ
ーン部との間の電気的な接続や、結合を安定化できる。
このことから、上記構成では、弾性表面波素子の破損
や、弾性表面波素子と電子部品パッケージとの間の接合
強度の低下をより一層抑制できる。上記弾性表面波装置
では、さらに、金属バンプ接続部に電気的および機械的
に接続され、金属バンプ接続部との接合強度を得るため
の上部電極が、Ａｌ、Ａｌを含む金属またはＡｕを含む
金属からなるように設けられていてもよい。上記弾性表
面波装置においては、さらに、電極パッドと上部電極と
の密着強度を確保するための中間電極が電極パッド上に
設けられていてもよい。上記弾性表面波装置では、中間
電極は、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、またはＣｒからなっているこ
とが望ましい。上記弾性表面波装置では、電極パッド
は、Ｃｕの重量比が２５％以下であることが好ましい。
【００２２】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、前
記の課題を解決するために、上記の何れかの弾性表面波
装置の製造方法において、電極パッドと、電子部品パッ
ケージ上に設けられた電極パターン部との間に金属バン
プを挟み、金属バンプから金属バンプ接続部を超音波を
用いて形成することを特徴としている。
【００２３】上記方法によれば、前述したように、弾性
表面波素子の破損や、弾性表面波素子と電子部品パッケ
ージとの間の接合強度の低下が抑制された弾性表面波装
置を得ることができると共に、超音波を用いて接続する
ので、例えば、半田付けといった加熱による接続と比べ
て、例えばＩＤＴといった他の部材への熱ダメージを低
減できるので、信頼性を向上できる。
【００２４】上記製造方法においては、電極パッドと電
極パターン部との間に金属バンプを挟む前に、金属バン
プを電極パッド上に配置してもよい。
【００２５】上記方法によれば、電極パッドが圧電体基
板の表面に露出しているので、電子部品パッケージ内の
電極パターン部上に金属バンプを配置する場合と比べ
て、上記配置の手間を軽減でき、弾性表面波装置の製造
を簡素化および確実化できる。
【００２６】本発明の通信装置は、前記の課題を解決す
るために、上記の何れかに記載の弾性表面波装置を有す
ることを特徴としている。上記構成によれば、上述した
ように信頼性の向上した弾性表面波装置を有するので、
信頼性を改善できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の各形態について図
１ないし図８に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
【００２８】（実施の第一形態）本発明の実施の第一形
態の弾性表面波装置には、図２に示すように、弾性表面
波素子といった電子部品用の、略直方体形状の外形を備
えた有底の容器であるパッケージ（電子部品パッケー
ジ）１１が設けられている。上記パッケージ１１は電気
絶縁性を有する素材から形成されている。上記素材とし
ては、ガラスエポキシ樹脂等のプラスチックや、アルミ
ナ等のセラミックが挙げられるが、プラスチックより耐
熱性や耐蝕性に優れたセラミックが好ましい。
【００２９】このようなパッケージ１１の寸法として
は、特に限定されないが、例えば２．５ｍｍ（長さ）×
２．０ｍｍ（幅）×１．１ｍｍ（高さ）といったように
１０ｍｍ（長さ）×１０ｍｍ（幅）×５ｍｍ（高さ）以
下の小型化されたものが好適に用いられる。
【００３０】パッケージ１１は、底板部（支持基板）
７、側壁部１１ａ、キャップ（蓋部）１１ｂ、およびキ
ャビティ１１ｃを有している。キャビティ１１ｃは、弾
性表面波素子１を収納できる空間部であり、底板部７、
側壁部１１ａ、キャップ１１ｂにて囲まれて形成されて
いる。
【００３１】上記底板部７における、パッケージ底面７
ａとは反対面となる内部側表面７ｂ上には、弾性表面波
素子１と外部とを導通させて、電気信号を入出力するた
めの電極パターン部６が形成されている。
【００３２】パッケージ１１の外表面、より好ましくは
厚さ方向の端面の底部側であるパッケージ底面７ａ上
に、後述する各弾性表面波素子１と外部回路との接続用
として、導電性金属、例えば銀等からなる外部接続端子
７ｃが、複数、例えば６端子、上記パッケージ底面７ａ
の各隅部および長手方向の各側部の中央部にそれぞれ設
けられている。また、各外部接続端子７ｃは、底板部７
の側面部または内部（ビアホールといった貫通孔）を介
して、対応する各電極パターン部６と電気的にそれぞれ
接続されている。
【００３３】また、弾性表面波素子１は、弾性表面波を
用いて、高周波（１００ＭＨｚ以上、好ましくはＧＨｚ
以上）の電気信号を変換、例えば通過端域の信号を通過
させて通過帯域外の信号を抑制したり、インピーダンス
を変換したり、不平衡信号−平衡信号間変換機能を備え
たりできるものである。
【００３４】このような弾性表面波素子１は、圧電体基
板１ａ上に、各ＩＤＴ１ｂ、および、各ＩＤＴ１ｂの入
出力端子に合わせてそれぞれ設けられた各素子電極部８
とを備えている。各素子電極部８は、各ＩＤＴ１ｂに対
し電気信号を入出力するためのものである。各ＩＤＴ１
ｂおよび各素子電極部８はフォトリソグラフィー法等に
より形成された箔状の導電体（金属）によってそれぞれ
形成されている。
【００３５】ＩＤＴ１ｂは、例えば帯状の基端部（バス
バー）と、その基端部の一方の側部から直交する方向に
延びる複数の、互いに平行な電極指とを備えた電極指部
を２つ備えており、上記各電極指部の電極指の側部を互
いに対面するように互いの電極指間に入り組んだ状態に
て上記各電極指部を有するものである。
【００３６】このようなＩＤＴ１ｂでは、各電極指の長
さや幅、隣り合う各電極指の間隔、互いの電極指間での
入り組んだ状態の対面長さを示す交差幅を、それぞれ設
定することにより信号変換特性や、通過帯域の設定（フ
ィルタ機能）が可能となっている。
【００３７】また、弾性表面波素子１は、圧電体基板１
ａの形状、つまり略直方体形状に形成され、弾性表面波
素子１の長手方向をパッケージ１１のキャビティ１１ｃ
の長手方向に合わせて、キャビティ１１ｃ内に密封され
て配置されている。
【００３８】弾性表面波素子１は、パッケージ１１の内
部のキャビティ１１ｃ内にてパッケージ１１に対しフリ
ップチップ工法によりフェースダウン実装されている。
つまり、弾性表面波素子１の各素子電極部８と、それら
にそれぞれ対面する位置に形成されたパッケージ１１の
各電極パターン部６との間の電気的導通が各金属バンプ
接続部５の介在により確保されている。さらに、金属バ
ンプ接続部５の結合力により弾性表面波素子１はパッケ
ージ１１内に機械的に支持されている。
【００３９】このような弾性表面波素子１では、それら
ＩＤＴ１ｂと底板部７との間に空間（空隙）を有して底
板部７上に実装つまりフェースダウン実装されているの
で、弾性表面波素子１の各ＩＤＴ１ｂにおける動作の確
保を上記空間により安定化できる。
【００４０】また、上記フリップチップ工法を用いたフ
ェースダウン実装によって、弾性表面波素子１とパッケ
ージ１１との間の電気的および機械的な結合を容易化で
きると共に得られた弾性表面波装置を小型化できる。
【００４１】これは、各ＩＤＴ１ｂが底板部７に面して
いることにより、各ＩＤＴ１ｂと各素子電極部８との間
の入出力用の配線パターンを簡素化でき、かつ、金属バ
ンプ接続部５による結合つまりフリップチップ工法によ
り電気的な結合と機械的な結合とを兼用できるからであ
る。
【００４２】このようなフリップチップ工法では、弾性
表面波素子１の表面面積内にて各電極パターン部６を形
成できるので、従来のように、電気的な接続部を弾性表
面波素子の表面方向外側に設ける必要があるワイヤボン
ディング法等を用いたパッケージの場合と比較してパッ
ケージ１１の全体容積を低減でき、よって、得られた弾
性表面波装置を小型化できる。
【００４３】次に、図１に基づきフリップチップ工法の
ための金属バンプ接続部５について説明する。
【００４４】弾性表面波素子１の素子電極部８は、図１
に示すように、電極パッド２と、中間電極３と、上部電
極４とをこの順にて有している。電極パッド２は、圧電
体基板１ａにおける、ＩＤＴ１ｂの形成面と同一面に、
厚さ１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度にて、下記の素材によ
り形成されている。
【００４５】電極パッド２の素材は、主成分としてのＡ
ｌと、副成分としてのＣｕとの合金であり、Ｃｕの重量
比が３．５％以上のものである。主成分とは、重量比で
５０％以上をいう。電極パッド２上の中間電極３は、Ｎ
ｉＣｒからなっている。中間電極３上の上部電極４はＡ
ｌまたはＡｌを含む金属からなっている。
【００４６】なお、電極パッド２、中間電極３、および
上部電極４の各電極面積については、本願発明において
特に限定されないが、中間電極３は、電極パッド２より
小面積なものであってもよく、中間電極３上の上部電極
４は、中間電極３と同形で互いに重なり合うように形成
されていてもよい。
【００４７】パッケージ１１の底板部７の電極パターン
部６の表面にはＡｕメッキが施されている。弾性表面波
素子１の上部電極４とパッケージ１１の電極パターン部
６とはＡｕまたはＡｕを含む金属（導電体）からなる金
属バンプ接続部５により電気的かつ機械的に互いに接続
されている。
【００４８】また、このような金属バンプ接続部５を形
成して、弾性表面波素子１をパッケージ１１内に取り付
けるときには、後述するように、金属バンプを弾性表面
波素子１の各素子電極部８上に予め配置しておくことが
好ましい。
【００４９】次に、このような金属バンプが予め配置さ
れた弾性表面波素子１の製造方法について図３および図
４に基づいて説明する。
【００５０】まず、図４（ａ）に示すように、圧電体の
ウエハ２１上に各ＩＤＴおよび素子電極部８を各弾性表
面波素子毎の集合体としてそれぞれ形成する。続いて、
図３（ａ）に示すように、金ワイヤ１４を保持する管状
のキャピラリ１２の先端から金ワイヤ１４の先端部を所
定量突出させ、トーチ１６の先端から金ワイヤ１４の先
端部に放電すると、上記金ワイヤ１４の先端部が溶融
し、図３（ｂ）に示すように、金ワイヤ１４の先端部に
金ボール１４ａが形成される。
【００５１】その後、図４（ａ）に示すように、溶融し
ている金ボール１４ａを、素子電極部８の表面方向に対
し直交する方向から素子電極部８上に押し付け、金ワイ
ヤ１４の長手方向に対し直交する方向に超音波振動を印
加する。これにより、上記金ボール１４ａを素子電極部
８上に付着させ、固定させる。
【００５２】そして、図４（ｂ）に示すように、金ボー
ル１４ａに近接した位置の金ワイヤ１４を切断して、素
子電極部８上に金属バンプ５ａが付着されて配置され
る。
【００５３】続いて、各金属バンプ５ａがそれぞれ配置
されたウエハ２１をダイシングにより個々の各弾性表面
波素子１にカットして、各金属バンプ５ａをそれぞれ各
素子電極部８上に有する弾性表面波素子１が形成され
る。
【００５４】このような金属バンプ５ａには、半球状の
バンプ本体上に、金ワイヤの突起部が外方に向かって
（素子電極部８の表面に対しほぼ直交する方向に）形成
されていることになる。
【００５５】次に、このような弾性表面波素子１をパッ
ケージ１１に対し、フリップチップ工法により取り付け
る方法について図５および図６に基づいて説明する。
【００５６】まず、図５（ａ）に示す弾性表面波素子１
を、図５（ｂ）に示すように、弾性表面波素子１の背面
（金属バンプ５ａの形成面とは反対面）側から、超音波
ツール１８により真空吸着にて保持して、金属バンプ５
ａの形成面を下向きにて上記弾性表面波素子１をパッケ
ージ１１上に搬送する。このとき、パッケージ１１は、
キャップ１１ｂが未装着であり、底板部７の内部側表面
が水平となるように載置されている。
【００５７】その後、弾性表面波素子１を、パッケージ
１１の各電極パターン部６に対し、それぞれ対応する各
金属バンプ５ａが合うように、パッケージ１１上に配置
して、超音波ツール１８により押圧する。
【００５８】続いて、図６に示すように、金属バンプ５
ａの形成面の表面方向に沿って超音波振動（往復振動）
を印加する。必要に応じて上記表面方向に対し直交する
方向に荷重をさらに印加してもよい。さらに、必要に応
じて熱（ただし、半田付け等の加熱温度より低い）をさ
らに印加してもよい。
【００５９】これにより、上記各金属バンプ５ａが変形
し、かつ、表面がＡｕめっきされた各電極パターン部６
に対し、超音波振動により、金属バンプ５ａおよび電極
パターン部６の各構成金属間にて相互拡散がより起こり
易くなるので、金属バンプ５ａが電極パターン部６に結
合され、金属バンプ接続部５となる。このとき、金属バ
ンプ接続部５と素子電極部８との間にも相互拡散が生じ
ており、上記両者間の結合も増強される。
【００６０】その後、図２に示すように、キャップ１１
ｂをパッケージ１１に装着して弾性表面波装置を得る。
このようにして弾性表面波素子１がパッケージ１１に対
し超音波を用いて取り付けられ、収納される。
【００６１】このようなフリップチップ工法によれば、
半田付けのような加熱温度を印加せずとも、弾性表面波
素子１をパッケージ１１に対し、電気的に接続、かつ、
機械的に結合できるので、弾性表面波素子１の他の部
材、例えばＩＤＴ１ｂ等への熱ダメージの発生を回避で
きて、信頼性を改善できる。
【００６２】以下に、弾性表面波素子１における電極パ
ッド２の材料について検討した結果を説明する。図７
に、弾性表面波素子１の電極パッド２のＣｕの種々の重
量比とクラックの発生率の関係を調査した結果を示す。
その結果から、Ｃｕの重量比が３．５％以上であるとク
ラックの発生が抑制されることが確認された。
【００６３】また、Ｃｕの含有率が大きくなると、Ａｌ
とＣｕとの合金の抵抗率も上昇し、電極パッド２の抵抗
が大となるので、Ｃｕの含有率（重量比）は、２５％以
下が好ましく、さらに好ましくは１８％以下である。
【００６４】このような結果に関する考察を以下に説明
する。まず、フリップチップ工法では、弾性表面波素子
１を、金属バンプ接続部５によりパッケージ１１の電極
パターン部６に接続する際に印加される荷重や超音波パ
ワーなどにより、弾性表面波素子１の電極パッド２の部
分に大きな応力が加わる。特に各電極パッド２が圧電体
基板１ａの表面周辺部に形成されているため、圧電体基
板１ａの表面周辺部に大きな応力が加わる。
【００６５】一方、ＡｌとＣｕとの合金において合金中
のＣｕの重量比が大きくなるに伴い、ＡｌとＣｕとの合
金の硬度が上昇する。そこで、電極パッド２を、Ｃｕの
重量比３．５％以上であるＡｌとＣｕの合金で形成する
ことにより、電極パッド２の硬度が向上する。
【００６６】その結果、電極パッド２は、フリップチッ
プ工法による製造時や、上記弾性表面波装置を用いた通
信装置を使用しているときの衝撃時における応力から、
圧電体基板１ａを保護する役割を果たし、圧電体基板１
ａにおけるクラックや割れの発生が回避される。
【００６７】よって、本発明に係る弾性表面波装置で
は、製造時や、衝撃時における、圧電体基板１ａに対す
るクラックや割れの発生を防止できるので、製造時の歩
留まりを向上できると共に、経時的な故障率を低減でき
て信頼性を改善できる。
【００６８】なお、本実施の第一形態では、圧電体基板
１ａとしては、タンタル酸リチウムを挙げたが、弾性表
面波素子１の圧電体基板１ａとして機能するものであれ
ば特に限定されるものではない。また、本実施の第一形
態では中間電極３を配置したが、中間電極３は電極パッ
ド２と上部電極４の密着強度を確保するためのもので、
本発明において本質的なものではない。
【００６９】本実施の第一形態では中間電極３の材料と
しては、ＮｉＣｒを挙げたが、電極パッド２と上部電極
４の密着強度が得られる金属材料であれば特に限定され
るものではなく、例えばＴｉ、Ｃｒ等でも同様の効果が
得られる。上部電極４は金属バンプ５ａや金属バンプ接
続部５との接合強度が得られれば特に材料に限定される
ものではなく、例えばＡｕを含んだ金属材料でも同様の
効果が得られる。
【００７０】さらに、本実施の第一形態では中間電極３
と上部電極４がそれぞれ単層であるが、電極パッド２と
金属バンプ接続部５間の接合強度が得られる構造であれ
ばそれぞれ複数層、または中間電極３と上部電極４の組
み合わせを厚み方向に繰り返した構造でも構わない。
【００７１】（実施の第二形態）続いて、図８を参照し
ながら、本実施の第一形態に記載の弾性表面波装置を搭
載した通信装置１００について説明する。上記通信装置
１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、ア
ンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１
０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ
１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２
ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシン
セサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated
crystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１
２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて
構成されている。Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１
０５へは、図８に二本線で示したように、バランス性を
確保するために各平衡信号にて送信することが好まし
い。
【００７２】また、上記通信装置１００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ
１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプ
ラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automaticpow
er control （自動出力制御））１２７を備えて構成さ
れている。
【００７３】そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した本実施の第一形
態に記載の弾性表面波装置が好適に利用できる。
【００７４】よって、上記通信装置は、用いた弾性表面
波装置が小型化や高信頼性化されていることにより、小
型化、特にＧＨｚ帯域以上において小型化および高信頼
性化を図れるものとなっている。
【００７５】
【発明の効果】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、圧電体基板上に形成された電極パッドと電極パター
ン部との間を電気的に接続すると共に、弾性表面波素子
を電子部品パッケージに支持するための金属バンプ接続
部が設けられ、電極パッドは、圧電体基板を印加される
応力から保護するために、主成分としてのＡｌと副成分
としてのＣｕとを含み、かつＣｕの重量比が３．５％以
上である構成である。
【００７６】それゆえ、上記構成は、電極パッドにおけ
るＣｕの重量比が３．５％以上であるので、金属バンプ
接続部と電極パッドとの間の接合強度を十分有し、かつ
圧電体基板にクラックや割れの発生を抑制できるため、
弾性表面波素子の破損や接合強度の低下を低減できるた
め、歩留まりの向上や、故障率の低減、信頼性の向上と
いう効果を奏する。
【００７７】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、以
上のように、電極パッドと、電子部品パッケージ上に設
けられた電極パターン部との間に金属バンプを挟み、金
属バンプから金属バンプ接続部を超音波を用いて形成す
る方法である。
【００７８】それゆえ、上記方法は、超音波を用いて接
続するので、例えば、半田付けといった加熱による接続
と比べて、例えばＩＤＴといった他の部材への熱ダメー
ジを低減できるので、信頼性を向上できるという効果を
奏する。
【００７９】本発明の通信装置は、以上のように、上記
弾性表面波装置を有する構成である。それゆえ、上記構
成は、信頼性に優れた弾性表面波装置を有するので、高
信頼性化を図れるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る弾性表面波装置における要部拡大
構成図である。
【図２】上記弾性表面波装置の概略構成図である。
【図３】上記弾性表面波装置の弾性表面波素子を多数形
成したウエハに対し、金属バンプを形成する各工程の一
部を示す説明図であり、（ａ）は金ワイヤの先端部に、
放電により金ボールを形成する様子を示し、（ｂ）は金
ボールをウエハの素子電極部上に配置する様子を示す。
【図４】上記金属バンプを形成する各工程の残部を示す
説明図であり、金ワイヤと、その先端部の金ボールとの
間を切断して形成した金属バンプを示す。
【図５】上記金属バンプが配置された弾性表面波素子を
パッケージに取り付ける各工程の一部を示す説明図であ
り、（ａ）は上記ウエハが切り出されてなる弾性表面波
素子を示し、（ｂ）は上記弾性表面波素子が超音波ツー
ルに支持されてパッケージ内に載置される様子を示す。
【図６】上記各工程の残部を示す説明図であり、弾性表
面波素子とパッケージとを互いに接続するときに、上記
両者間に挟んだ金属バンプから超音波と押圧により金属
バンプ接続部を形成する様子を示す。
【図７】上記素子電極部における電極パッドのＡｌ合金
中のＣｕの重量比とクラック発生率の関係を示すグラフ
である。
【図８】本発明の弾性表面波装置を用いた通信装置の要
部ブロック図である。
【符号の説明】
１ 弾性表面波素子 ２ 電極パッド ３ 中間電極 ４ 上部電極 ５ 金属バンプ接続部 ５ａ 金属バンプ ６ 電極パターン部 ７ 底板部 ８ 素子電極部 １１ パッケージ
フロントページの続き (56)参考文献 特開2000−196407（ＪＰ，Ａ) 特開2000−299355（ＪＰ，Ａ) 特開2000−286662（ＪＰ，Ａ) Ｈｉｒｏｍｉ Ｔａｔｓｕｄａ，Ｔａ ｉｒａ Ｈｏｒｉｓｈｉｍａ，Ｔａｋｅ ｓｈｉ Ｅｉｍｕｒａ，ａｎｄ Ｔａｋ ａｎｏ Ｏｏｉｗａ，Ｍｉｎｉａｔｕｒ ｉｚｅｄ ＳＡＷ Ｆｉｌｔｅｒｓ Ｕ ｓｉｎｇ ａ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ Ｔ ｅｃｈｎｉｑｕｅ，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮ ＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＵＬＴＲＡＳ ＯＮＩＣＳ，ＦＥＲＲＯＥＬＥＣＴＲＩ ＣＳ，ＡＮＤ ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ Ｃ ＯＮＴＲＯＬ，1996年 １月，ＶＯＬ. 43，ＮＯ．１，ｐ．125−130 Ｍ．Ｋｏｓｈｉｎｏ，Ｍ．Ｋａｗａｓ ｅ，Ｙ．Ｋｕｒｏｄａ，Ｎ．Ｍｉｓｈｉ ｍａ，Ｔ．Ｔａｋａｇｉ，Ｋ．Ｓａｋｉ ｎａｄａ，Ｙ．Ｅｂａｔａ ａｎｄ Ｓ．Ｋｉｍｕｒａ，Ｓｍａｌｌ−ｓｉｚ ｅｄ Ｄｕａｌ−ｂａｎｄ ＳＡＷ Ｆ ｉｌｔｅｒｓ ｕｓｉｎｇ Ｆｌｉｐ− ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｔｅｃｈｎ ｏｌｏｇｙ，ＩＥＥＥ ＵＬＴＲＡＳＯ ＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ，1999 年，ｐ．341−346 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145 H01L 21/60 311 H03H 3/08 H03H 9/25

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】くし型電極部と、くし型電極部に電気信号
    を入出力するための電極パッドとを圧電体基板上に有す
    る弾性表面波素子が設けられ、 弾性表面波素子を支持すると共に、電気信号を入出力す
    るための電極パターン部を備えた電子部品パッケージが
    設けられ、 電極パッドと電極パターン部との間を電気的に接続する
    ための金属バンプ接続部が設けられ、 電極パッドは、圧電体基板を印加される応力から保護す
    るために、主成分としてのＡｌと副成分としてのＣｕと
    を含み、かつＣｕの重量比が３．５％以上であり、さらに、金属バンプ接続部に電気的および機械的に接続
    され、金属バンプ接続部との接合強度を得るための上部
    電極が、Ａｌ、Ａｌを含む金属またはＡｕを含む金属か
    らなるように設けられている ことを特徴とする弾性表面
    波装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の弾性表面波装置において 金属バンプ接続部はＡｕまたはＡｕを主成分とする金属
    材料からなっていることを特徴とする弾性表面波装置。
  3. 【請求項３】請求項１または２記載の弾性表面波装置に
    おいて、 さらに、電極パッドと上部電極との密着強度を確保する
    ための中間電極が電極パッド上に設けられていることを
    特徴とする弾性表面波装置。
  4. 【請求項４】請求項３記載の弾性表面波装置において、 中間電極は、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、またはＣｒからなってい
    ることを特徴とする弾性表面波装置。
  5. 【請求項５】請求項１ないし４の何れか１項に記載の弾
    性表面波装置において、 電極パッドは、Ｃｕの重量比が２５％以下であることを
    特徴とする弾性表面波装置。
  6. 【請求項６】請求項１ないし５の何れか１項に記載の弾
    性表面波装置の製造方法において、 電極パッドと、電子部品パッケージ上に設けられた電極
    パターン部との間に金属バンプを挟み、 金属バンプから金属バンプ接続部を超音波を用いて形成
    することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
  7. 【請求項７】請求項６記載の弾性表面波装置の製造方法
    において、 電極パッドと電極パターン部との間に金属バンプを挟む
    前に、 金属バンプを電極パッド上に配置することを特徴とする
    弾性表面波装置の製造方法。
  8. 【請求項８】請求項１ないし５の何れか１項に記載の弾
    性表面波装置を有することを特徴とする通信装置。
JP2001111783A 2001-04-10 2001-04-10 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置 Expired - Fee Related JP3520414B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001111783A JP3520414B2 (ja) 2001-04-10 2001-04-10 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置
US10/090,151 US6734601B2 (en) 2001-04-10 2002-03-05 Surface acoustic wave device, method for making the same, and communication apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001111783A JP3520414B2 (ja) 2001-04-10 2001-04-10 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002314364A JP2002314364A (ja) 2002-10-25
JP3520414B2 true JP3520414B2 (ja) 2004-04-19

Family

ID=18963322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001111783A Expired - Fee Related JP3520414B2 (ja) 2001-04-10 2001-04-10 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6734601B2 (ja)
JP (1) JP3520414B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100518616B1 (ko) * 2001-01-18 2005-10-04 노키아 코포레이션 필터디바이스 및 필터디바이스를 제조하는 방법
JP4031764B2 (ja) * 2004-03-09 2008-01-09 Ｔｄｋ株式会社 弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法
US20050218052A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-06 Houts Christina M Abient noise power generator
JP4728782B2 (ja) * 2005-11-15 2011-07-20 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5269301B2 (ja) * 2006-07-21 2013-08-21 太陽誘電株式会社 弾性表面波装置
JP2013145932A (ja) * 2010-05-07 2013-07-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
WO2012063521A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
DE102011016554B4 (de) * 2011-04-08 2018-11-22 Snaptrack, Inc. Waferlevel-Package und Verfahren zur Herstellung
CN109473539B (zh) * 2018-12-14 2024-04-12 苏州科阳半导体有限公司 一种滤波器芯片模组及其制备方法
CN114553182A (zh) 2020-11-24 2022-05-27 联华电子股份有限公司 表面音波组件结构及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335878A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Meidensha Corp 表面実装型弾性表面波素子
US5939817A (en) * 1994-09-22 1999-08-17 Nippon Electric Co Surface acoustic wave device
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
JP3328102B2 (ja) * 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JP3123477B2 (ja) * 1997-08-08 2001-01-09 日本電気株式会社 表面弾性波素子の実装構造および実装方法
JPH11239037A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Nec Corp 弾性表面波装置
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
JP2000196407A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Tdk Corp 弾性表面波装置
JP3428488B2 (ja) 1999-04-12 2003-07-22 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP3351402B2 (ja) * 1999-04-28 2002-11-25 株式会社村田製作所 電子素子、弾性表面波素子、それらの実装方法、電子部品または弾性表面波装置の製造方法、および、弾性表面波装置
JP2001094390A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスおよびその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ｈｉｒｏｍｉ Ｔａｔｓｕｄａ，Ｔａｉｒａ Ｈｏｒｉｓｈｉｍａ，Ｔａｋｅｓｈｉ Ｅｉｍｕｒａ，ａｎｄ Ｔａｋａｎｏ Ｏｏｉｗａ，Ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚｅｄ ＳＡＷ Ｆｉｌｔｅｒｓ Ｕｓｉｎｇ ａ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ，ＦＥＲＲＯＥＬＥＣＴＲＩＣＳ，ＡＮＤ ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ ＣＯＮＴＲＯＬ，１９９６年 １月，ＶＯＬ．４３，ＮＯ．１，ｐ．１２５−１３０
Ｍ．Ｋｏｓｈｉｎｏ，Ｍ．Ｋａｗａｓｅ，Ｙ．Ｋｕｒｏｄａ，Ｎ．Ｍｉｓｈｉｍａ，Ｔ．Ｔａｋａｇｉ，Ｋ．Ｓａｋｉｎａｄａ，Ｙ．Ｅｂａｔａ ａｎｄ Ｓ．Ｋｉｍｕｒａ，Ｓｍａｌｌ−ｓｉｚｅｄ Ｄｕａｌ−ｂａｎｄ ＳＡＷ Ｆｉｌｔｅｒｓ ｕｓｉｎｇ Ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＩＥＥＥ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ，１９９９年，ｐ．３４１−３４６

Also Published As

Publication number Publication date
US6734601B2 (en) 2004-05-11
US20020145362A1 (en) 2002-10-10
JP2002314364A (ja) 2002-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7176599B2 (en) Surface acoustic wave device and method of producing the same
USRE45419E1 (en) Surface acoustic wave device and method of fabricating the same
JP4758197B2 (ja) 弾性表面波装置及び通信装置
JP6472945B2 (ja) 弾性波デバイス
JP3520414B2 (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置
JP2000196407A (ja) 弾性表面波装置
JP4382945B2 (ja) 弾性表面波装置
JP4066952B2 (ja) 電子部品素子、電子部品、及び通信機
JP2001189639A (ja) 弾性表面波装置
JP4012753B2 (ja) 弾性表面波装置
US20030137039A1 (en) Packaging substrate and manufacturing method thereof, integrated circuit device and manufacturing method thereof, and saw device
JP4768520B2 (ja) 弾性表面波デバイス
JP2001102905A (ja) 弾性表面波装置
JP2000223989A (ja) 弾性表面波装置
JP2022113172A (ja) 弾性波デバイス
US6864424B2 (en) Electronic component and package
JP2000224000A (ja) 弾性表面波デバイスの構造
JP7361343B2 (ja) モジュール
JP7465515B1 (ja) 弾性波デバイス
JP3638431B2 (ja) 弾性表面波装置
JP2003087093A (ja) 弾性表面波フィルタ
JP6793009B2 (ja) 弾性波デバイス及び多面取り基板
JP2005057447A (ja) 弾性表面波デバイス
JP2003243964A (ja) 弾性表面波フィルタ装置
JP2003163563A (ja) 圧電装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3520414

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees