JP2000224000A - 弾性表面波デバイスの構造 - Google Patents
弾性表面波デバイスの構造Info
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- JP2000224000A JP2000224000A JP2610399A JP2610399A JP2000224000A JP 2000224000 A JP2000224000 A JP 2000224000A JP 2610399 A JP2610399 A JP 2610399A JP 2610399 A JP2610399 A JP 2610399A JP 2000224000 A JP2000224000 A JP 2000224000A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 1つのパッケージに800MHz帯のRFフィルタと
1.9GHzのRFフィルタとを収容したデュアルRFフィルタを
小型にする手段を得る。 【解決手段】 圧電基板の両主面上に複数のＩＤＴ電極
とその両側に反射器を配置して形成したデュアルフィル
タ素子を、パッケージの内定面上に設けたリード電極に
バンプ金属を介してフェイスダウンボンディングにより
接続すると共に、デュアルフィルタ素子の上面のボンデ
ィングパッドとパッケージの電極端子とをワイヤボンデ
ィングを用いて接続して構成する。
1.9GHzのRFフィルタとを収容したデュアルRFフィルタを
小型にする手段を得る。 【解決手段】 圧電基板の両主面上に複数のＩＤＴ電極
とその両側に反射器を配置して形成したデュアルフィル
タ素子を、パッケージの内定面上に設けたリード電極に
バンプ金属を介してフェイスダウンボンディングにより
接続すると共に、デュアルフィルタ素子の上面のボンデ
ィングパッドとパッケージの電極端子とをワイヤボンデ
ィングを用いて接続して構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
の構造に関し、特にデュアルRFフィルタの小型化を実現
可能にした弾性表面波デバイスの構造に関する。
の構造に関し、特にデュアルRFフィルタの小型化を実現
可能にした弾性表面波デバイスの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。北
米、欧州、日本等においては、800MHz帯のアナログ通信
方式における携帯電話の錯綜を解消するため、該方式に
加え1.5MHz_1.9MHZ帯のデジタル通信方式（PCS、PCN、P
DC等）が採用されて、運用されてきた。ところが、最
近、1台の携帯電話端末に両通信方式を採用した、所謂
デュアル端末への需要が高まってきた。即ち、例えば１
台の携帯電話端末に800MHz帯のRFフィルタと1.9MHz帯の
RFフィルタとを搭載し、スイッチによりいずれかの通信
方式を選択する携帯電話端末である。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。北
米、欧州、日本等においては、800MHz帯のアナログ通信
方式における携帯電話の錯綜を解消するため、該方式に
加え1.5MHz_1.9MHZ帯のデジタル通信方式（PCS、PCN、P
DC等）が採用されて、運用されてきた。ところが、最
近、1台の携帯電話端末に両通信方式を採用した、所謂
デュアル端末への需要が高まってきた。即ち、例えば１
台の携帯電話端末に800MHz帯のRFフィルタと1.9MHz帯の
RFフィルタとを搭載し、スイッチによりいずれかの通信
方式を選択する携帯電話端末である。
【０００３】図３（ａ）は、上記デュアル携帯電話端末
に用いられている表面波RFフィルタの構成を示す平面
図、同図（ｂ）はＡ_Ａにおける模式的断面図であっ
て、1つのパッケージ11に2つの周波数帯の異なるRFフィ
ルタP1、P2を搭載したデュアルフィルタである。RFフィ
ルタP1、P2は周波数帯は異なるものの、同様な構成であ
るので、RFフィルタP2ついてのみ説明する。圧電基板12
の主面上に表面波の伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極
13、13・・とその両側にグレーティング反射器14、14を
配置して縦結合多重モードＳＡＷフィルタ素子P2を形成
する。該フィルタ素子P2を接着剤を用いてパッケージ11
の内底面に接着固定し、フィルタP2上のボンディングパ
ッド15、15・・とパッケージ11の内周辺に形成された段
差部上の電極端子16、16・・とをボンディングワイヤ1
7、17・・にて接続する。さらに、パッケージ11の周辺
上に形成したシームリング（図示しない）に金属蓋18を
シーム溶接してデュアルRFフィルタを構成する。
に用いられている表面波RFフィルタの構成を示す平面
図、同図（ｂ）はＡ_Ａにおける模式的断面図であっ
て、1つのパッケージ11に2つの周波数帯の異なるRFフィ
ルタP1、P2を搭載したデュアルフィルタである。RFフィ
ルタP1、P2は周波数帯は異なるものの、同様な構成であ
るので、RFフィルタP2ついてのみ説明する。圧電基板12
の主面上に表面波の伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極
13、13・・とその両側にグレーティング反射器14、14を
配置して縦結合多重モードＳＡＷフィルタ素子P2を形成
する。該フィルタ素子P2を接着剤を用いてパッケージ11
の内底面に接着固定し、フィルタP2上のボンディングパ
ッド15、15・・とパッケージ11の内周辺に形成された段
差部上の電極端子16、16・・とをボンディングワイヤ1
7、17・・にて接続する。さらに、パッケージ11の周辺
上に形成したシームリング（図示しない）に金属蓋18を
シーム溶接してデュアルRFフィルタを構成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
デュアルRFフィルタでは、2つのRFフィルタ素子をパッ
ケージの内底面に併置するため、デュアルRFフィルタの
平面形状が大きくなるという問題があった。本発明は上
記問題を解決するためになされたものであって、小型な
デュアルRFフィルタを提供することを目的とする。
デュアルRFフィルタでは、2つのRFフィルタ素子をパッ
ケージの内底面に併置するため、デュアルRFフィルタの
平面形状が大きくなるという問題があった。本発明は上
記問題を解決するためになされたものであって、小型な
デュアルRFフィルタを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る弾性表面波デバイスの構造の請求項１記
載の発明は、圧電基板の両主面上に表面波の伝搬方向に
沿って複数のＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反
射器を配置して形成したデュアルフィルタ素子の電極パ
ッドを、パッケージの内定面上に設けたリード電極にバ
ンプ金属を介してフェイスダウンボンディング手法によ
り接続すると共に、デュアルフィルタ素子の上面のボン
ディングパッドとパッケージ周辺部に形成した段差部上
の電極端子とをワイヤボンディングを用いて接続して構
成したことを特徴とする弾性表面波デバイスの構造であ
る。請求項２記載の発明は、第1の圧電基板の主面上に
表面波の伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極とその両側
にグレーティング反射器を配置して第1のフィルタ素子
を形成すると共に、第2の圧電基板の主面上に表面波の
伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極とその両側にグレー
ティング反射器を配置して第2のフィルタ素子を形成
し、前記第1のフィルタ素子と前記第2のフィルタ素子と
を背中合わせに接着固定したデュアルフィルタ素子の電
極パッドをパッケージの内底面に設けたリード電極上に
金属バンプを介して接続し、さらに、前記デュアルフィ
ルタ素子の上面の電極パッドとパッケージ周辺部に形成
した段差部上の電極端子とをワイヤボンディングにて接
続して構成したことを特徴とする弾性表面波デバイスの
構造である。
に本発明に係る弾性表面波デバイスの構造の請求項１記
載の発明は、圧電基板の両主面上に表面波の伝搬方向に
沿って複数のＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反
射器を配置して形成したデュアルフィルタ素子の電極パ
ッドを、パッケージの内定面上に設けたリード電極にバ
ンプ金属を介してフェイスダウンボンディング手法によ
り接続すると共に、デュアルフィルタ素子の上面のボン
ディングパッドとパッケージ周辺部に形成した段差部上
の電極端子とをワイヤボンディングを用いて接続して構
成したことを特徴とする弾性表面波デバイスの構造であ
る。請求項２記載の発明は、第1の圧電基板の主面上に
表面波の伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極とその両側
にグレーティング反射器を配置して第1のフィルタ素子
を形成すると共に、第2の圧電基板の主面上に表面波の
伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極とその両側にグレー
ティング反射器を配置して第2のフィルタ素子を形成
し、前記第1のフィルタ素子と前記第2のフィルタ素子と
を背中合わせに接着固定したデュアルフィルタ素子の電
極パッドをパッケージの内底面に設けたリード電極上に
金属バンプを介して接続し、さらに、前記デュアルフィ
ルタ素子の上面の電極パッドとパッケージ周辺部に形成
した段差部上の電極端子とをワイヤボンディングにて接
続して構成したことを特徴とする弾性表面波デバイスの
構造である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1（ａ）は本発明に
係るデュアルRFフィルタの一実施例の構成を示す平面
図、同図（ｂ）はＡ_Ａにおける模式的断面図である。
デュアルRFフィルタは圧電基板2の一方の主面上に表面
波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極３ａ、３ａ、・・とそ
の両側にグレーティング反射器4ａ、4ａを配置して、第
1の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ素子（RFフィルタ
1）を構成すると共に、圧電基板2の他方の主面上にも表
面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極3b、3b・・とその両
側にグレーティング反射器4b、4b（図示しない）を配置
して、第2の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ素子（RF
フィルタ2）を形成する。そして、該デュアルフィルタ
素子の第2のRFフィルタの電極パッド5b、5b・・と、パ
ッケージ1の内底面に設けたリード電極（図示しない）
とを金属バンプα、α・・（例えば金バンプ等）を介し
てフリップチップ（フエイスダウンボンディング）手法
を用いて接続し、第2のRFフィルタ2の電気的接続を行
う。さらに、第1のRFフィルタ1に関しては、そのボンデ
ィングパッド5ａ、５ａ・・と、パッケージ1の内側周辺
に形成した段差部上に設けた電極端子6、6・・とをボン
ディングワイヤ7、7・・にて接続すると共に、パッケー
ジ1の周辺上に形成したシームリング（図示しない）に
金属蓋8をシーム溶接してデュアルRFフィルタを構成す
る。
形態に基づいて詳細に説明する。図1（ａ）は本発明に
係るデュアルRFフィルタの一実施例の構成を示す平面
図、同図（ｂ）はＡ_Ａにおける模式的断面図である。
デュアルRFフィルタは圧電基板2の一方の主面上に表面
波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極３ａ、３ａ、・・とそ
の両側にグレーティング反射器4ａ、4ａを配置して、第
1の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ素子（RFフィルタ
1）を構成すると共に、圧電基板2の他方の主面上にも表
面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極3b、3b・・とその両
側にグレーティング反射器4b、4b（図示しない）を配置
して、第2の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ素子（RF
フィルタ2）を形成する。そして、該デュアルフィルタ
素子の第2のRFフィルタの電極パッド5b、5b・・と、パ
ッケージ1の内底面に設けたリード電極（図示しない）
とを金属バンプα、α・・（例えば金バンプ等）を介し
てフリップチップ（フエイスダウンボンディング）手法
を用いて接続し、第2のRFフィルタ2の電気的接続を行
う。さらに、第1のRFフィルタ1に関しては、そのボンデ
ィングパッド5ａ、５ａ・・と、パッケージ1の内側周辺
に形成した段差部上に設けた電極端子6、6・・とをボン
ディングワイヤ7、7・・にて接続すると共に、パッケー
ジ1の周辺上に形成したシームリング（図示しない）に
金属蓋8をシーム溶接してデュアルRFフィルタを構成す
る。
【０００７】デュアルRFフィルタの周波数帯としては、
例えば第1のRFフィルタ1の周波数帯を800MHz、第2のRF
フィルタ2の周波数帯を1.9GHzに設定する。このように
圧電基板2の両主面上に2つのRFフィルタ素子を形成し、
1つのパッケージ1に収容してデュアルRFフィルタを構成
すれば、該フィルタの平面形状を大幅に小型化できると
いう利点がある。
例えば第1のRFフィルタ1の周波数帯を800MHz、第2のRF
フィルタ2の周波数帯を1.9GHzに設定する。このように
圧電基板2の両主面上に2つのRFフィルタ素子を形成し、
1つのパッケージ1に収容してデュアルRFフィルタを構成
すれば、該フィルタの平面形状を大幅に小型化できると
いう利点がある。
【０００８】ところで、周知のように、弾性表面波フィ
ルタは数インチの大型圧電基板上に複数個の素子を形成
した後に、所定のスクラブラインに沿って個片に切り分
けるという所謂バッチ処理により製造するのが一般的で
ある。しかし、図1示すデュアルRFフィルタを構成する
場合、ウエハの一方の面に形成する第1のRFフィルタ用
のスクラブラインと、他方の面に形成する第2のRFフィ
ルタのスクラブラインとを一致させる必要があり、フォ
トリソグラフィの際のアライメントが難しくなる。ま
た、一方の面に形成したＩＤＴ電極による表面波の一部
が、反射等でバルク波に変換されて圧電基板中を伝搬
し、他方の面のＩＤＴ電極にピックアップされて、不要
の応答が生ずるという虞もある。これを解消すべく本発
明は以下のように変形してもよい。
ルタは数インチの大型圧電基板上に複数個の素子を形成
した後に、所定のスクラブラインに沿って個片に切り分
けるという所謂バッチ処理により製造するのが一般的で
ある。しかし、図1示すデュアルRFフィルタを構成する
場合、ウエハの一方の面に形成する第1のRFフィルタ用
のスクラブラインと、他方の面に形成する第2のRFフィ
ルタのスクラブラインとを一致させる必要があり、フォ
トリソグラフィの際のアライメントが難しくなる。ま
た、一方の面に形成したＩＤＴ電極による表面波の一部
が、反射等でバルク波に変換されて圧電基板中を伝搬
し、他方の面のＩＤＴ電極にピックアップされて、不要
の応答が生ずるという虞もある。これを解消すべく本発
明は以下のように変形してもよい。
【０００９】図2は本発明に係るデュアルRFフィルタの
他の実施例を示す模式的断面図であって、圧電基板２ａ
の主面上に表面波の伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極
３ａ、３ａ・・と、その両側にグレーティング反射器
（図示しない）を配置して第1の縦結合多重モードＳＡ
Ｗフィルタ素子（RFフィルタ1）を形成する。次に、圧
電基板2bの主面上に表面波の伝搬方向に沿って複数のＩ
ＤＴ電極３b、３b・・と、その両側にグレーティング反
射器（図示しない）を配置して第2の縦結合多重モード
ＳＡＷフィルタ素子（RFフィルタ2）を形成する。そし
て、第1のRFフィルタ1と第2のRFフィルタ2とを、互いに
背中合わせになるように接着剤βを用いて接着して、デ
ュアルRFフィルタ素子を形成し、該フィルタ素子の第2
のRFフィルタ2のボンディングパッド5b、5b・・と、パ
ッケージ1の内底面上に設けたリード電極（図示しな
い）とを金属バンプα、α・・を介してフリップチップ
手法にて接続する。さらに、第1のRFフィルタ1のボンデ
ィングパッド５ａ、５ａ・・と、パッケージの段差部上
に設けた端子電極6、6・・とをボンディングワイヤ7、7
・・を用いて接続すると共に、パッケージ1の周辺上に
形成したシームリング（図示しない）に金属蓋8をシー
ム溶接してデュアルRFフィルタを構成する。
他の実施例を示す模式的断面図であって、圧電基板２ａ
の主面上に表面波の伝搬方向に沿って複数のＩＤＴ電極
３ａ、３ａ・・と、その両側にグレーティング反射器
（図示しない）を配置して第1の縦結合多重モードＳＡ
Ｗフィルタ素子（RFフィルタ1）を形成する。次に、圧
電基板2bの主面上に表面波の伝搬方向に沿って複数のＩ
ＤＴ電極３b、３b・・と、その両側にグレーティング反
射器（図示しない）を配置して第2の縦結合多重モード
ＳＡＷフィルタ素子（RFフィルタ2）を形成する。そし
て、第1のRFフィルタ1と第2のRFフィルタ2とを、互いに
背中合わせになるように接着剤βを用いて接着して、デ
ュアルRFフィルタ素子を形成し、該フィルタ素子の第2
のRFフィルタ2のボンディングパッド5b、5b・・と、パ
ッケージ1の内底面上に設けたリード電極（図示しな
い）とを金属バンプα、α・・を介してフリップチップ
手法にて接続する。さらに、第1のRFフィルタ1のボンデ
ィングパッド５ａ、５ａ・・と、パッケージの段差部上
に設けた端子電極6、6・・とをボンディングワイヤ7、7
・・を用いて接続すると共に、パッケージ1の周辺上に
形成したシームリング（図示しない）に金属蓋8をシー
ム溶接してデュアルRFフィルタを構成する。
【００１０】図2に示した構成のデュアルRFフィルタ
は、図1のようにスクラブラインを両面で一致させる必
要性もなく、また、周波数帯が異なるためRFフィルタ素
子の大きさが違うことによるアライメント上の歩留まり
等の問題を解決する。さらに、表面波が引き起こすバル
ク波による不要波も圧電基板が2つに分離されているた
めに、他方のＩＤＴ電極から伝搬する不要波が大幅に減
少する。例えば、接着剤βとして柔らかい材質を用いれ
ばＩＤＴ電極が励起する不要な表面波をより効果的に吸
収するという利点もある。さらに、２つの圧電基板の接
合面の少なくとも一方を粗面加工することにより、（図
２においては２ａ側のみ）上記不要波の影響を抑えるこ
とが可能となる。
は、図1のようにスクラブラインを両面で一致させる必
要性もなく、また、周波数帯が異なるためRFフィルタ素
子の大きさが違うことによるアライメント上の歩留まり
等の問題を解決する。さらに、表面波が引き起こすバル
ク波による不要波も圧電基板が2つに分離されているた
めに、他方のＩＤＴ電極から伝搬する不要波が大幅に減
少する。例えば、接着剤βとして柔らかい材質を用いれ
ばＩＤＴ電極が励起する不要な表面波をより効果的に吸
収するという利点もある。さらに、２つの圧電基板の接
合面の少なくとも一方を粗面加工することにより、（図
２においては２ａ側のみ）上記不要波の影響を抑えるこ
とが可能となる。
【００１１】また、図2に示す構造のデュアルRFフィル
タでは第1のRFフィルタ1の圧電基板２ａと、第2のRFフ
ィルタ2の圧電基板2bとに材質の異なる、例えばタンタ
ル酸リチウムと四硼酸リチウム等の基板を用いて、通過
帯域幅の大幅に異なるフィルタを構成することができる
という利点もある。
タでは第1のRFフィルタ1の圧電基板２ａと、第2のRFフ
ィルタ2の圧電基板2bとに材質の異なる、例えばタンタ
ル酸リチウムと四硼酸リチウム等の基板を用いて、通過
帯域幅の大幅に異なるフィルタを構成することができる
という利点もある。
【００１２】以上では、結合モードを利用したデュアル
RFフィルタについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、複数の弾性表面波素子を備えたあら
ゆる複合型弾性表面波デバイスに適用できることは云う
までもない。
RFフィルタについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、複数の弾性表面波素子を備えたあら
ゆる複合型弾性表面波デバイスに適用できることは云う
までもない。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、デュアルRFフィルタの大きさを大幅に小型に構成
することができ、本フィルタをデュアル携帯電話端末に
用いれば、その大きさを大幅に小型化できるという優れ
た効果を奏す。
ので、デュアルRFフィルタの大きさを大幅に小型に構成
することができ、本フィルタをデュアル携帯電話端末に
用いれば、その大きさを大幅に小型化できるという優れ
た効果を奏す。
【図１】（ａ）は本発明に係るデュアルRFフィルタの構
成を示す平面図、（b）はその模式的断面図である。
成を示す平面図、（b）はその模式的断面図である。
【図２】他の実施例の構成を示す模式的断面図である。
【図３】（ａ）は従来のデュアルRFフィルタの構成を示
す平面図、（b）はその模式的断面図である。
す平面図、（b）はその模式的断面図である。
１・・パッケージ ２、２ａ、２ｂ・・圧電基板 ３ａ、３ｂ・・ＩＤＴ電極 ４ａ・・グレーティング反射器 ５ａ、５ｂ・・電極パッド ６・・パッケージの段差部上の電極端子 ７・・ボンディングワイヤ ８・・金属蓋 α・・金属バンプ β・・接着剤 Ａ_Ａ・・切断面
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板の一方の主面上に第1の弾性表
面波素子を、他方の主面上に第2の弾性表面波素子をそ
れぞれ配置し、前記第1の弾性表面波素子の電極パッド
を、パッケージの内底面上に設けたリード電極にバンプ
を介して接続すると共に、前記第2の弾性表面波素子の
電極パッドと前記パッケージ内周辺部の電極端子とをワ
イヤボンディングにて接続して構成したことを特徴とす
る弾性表面波デバイスの構造。 - 【請求項２】 第1の主面上に弾性表面波素子を配置し
た第1の圧電基板と第１の主面上に弾性表面波素子を配
置した第2の圧電基板とを有し、前記第1の圧電基板の第
2の主面と前記第2の圧電基板の第2の主面とを接合する
と共に、前記第1の圧電基板上の弾性表面波素子の電極
パッドをパッケージの内底面に設けたリード電極上にバ
ンプを介して接続し、さらに、前記第2の圧電基板上の
弾性表面波素子の電極パッドと前記パッケージ内周辺部
の電極端子とをワイヤボンディングにて接続して構成し
たことを特徴とする弾性表面波デバイスの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2610399A JP2000224000A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 弾性表面波デバイスの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2610399A JP2000224000A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 弾性表面波デバイスの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000224000A true JP2000224000A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12184272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2610399A Pending JP2000224000A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 弾性表面波デバイスの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000224000A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076834A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2002111441A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-04-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2002111438A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-04-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| WO2007007462A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
| JP2007208516A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス |
| JPWO2016060072A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2017-05-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP2610399A patent/JP2000224000A/ja active Pending
Cited By (8)
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| WO2007007462A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
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