JP3500264B2 - 試料分析装置 - Google Patents
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
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- G01N23/18—Investigating the presence of flaws defects or foreign matter
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
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- G—PHYSICS
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- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は試料分析装置、特に
試料を物理分析あるいは化学分析するためのＥＤＸ（エ
ネルギ−分散型Ｘ線分析装置）付き走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）やレ−ザ質量分析装置などのような試料分析
装置に関する。
試料を物理分析あるいは化学分析するためのＥＤＸ（エ
ネルギ−分散型Ｘ線分析装置）付き走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）やレ−ザ質量分析装置などのような試料分析
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の代表的な応用分野として半導体
製造が挙げられる。半導体製造においては、ウエハ上の
付着異物が歩留まりを左右する最大要因の一つである。
付着異物低減の対策を立案し、実施するためには、異物
の発生源を究明することが必須となる。異物発生源を突
き止めるためには、異物組成情報を獲得することが有効
な武器となる。異物の組成分析には、ＥＤＸ付きＳＥＭ
が広く用いられている。ＥＤＸ付きＳＥＭを用いてウエ
ハ上異物の組成分析を行うときは、例えば、次のような
手順でこれを行う。
製造が挙げられる。半導体製造においては、ウエハ上の
付着異物が歩留まりを左右する最大要因の一つである。
付着異物低減の対策を立案し、実施するためには、異物
の発生源を究明することが必須となる。異物発生源を突
き止めるためには、異物組成情報を獲得することが有効
な武器となる。異物の組成分析には、ＥＤＸ付きＳＥＭ
が広く用いられている。ＥＤＸ付きＳＥＭを用いてウエ
ハ上異物の組成分析を行うときは、例えば、次のような
手順でこれを行う。
【０００３】ウェハカセットから取り出された被測定ウ
ェハの一枚は、ウェハのオリエンテ−ションフラットを
基準としてプリアライメントされる。プリアライメント
は、ウエハの結晶方向をＸＹ−ステ−ジの移動方向に合
わせる操作である。プリアライメント後、ウェハは真空
に保持された試料室内のＸＹ−ステ−ジ上に搬送され、
搭載される。ＸＹ−ステ−ジ上に装填されたウェハは、
試料室の上面に装着された光学顕微鏡を用いてアライメ
ントされる。アライメントは、ウエハ上に形成されたパ
タ−ンの座標系とステ−ジ座標系との補正を行う操作で
ある。具体的には、ウェハ上に形成されたアライメント
パタ−ンの数百倍程度に拡大された光学顕微鏡像を予め
登録されているアライメントパタ−ンの参照用画像と比
較し、参照用画像と丁度重なるようにステ−ジ位置座標
を補正する。アライメント後、分析所望の異物位置にウ
ェハをステ−ジ移動する。異物位置に移動した後、電子
ビ−ムを照射し、Ｘ線スペクトルを形成し、表示する。
Ｘ線スペクトルを観測しながら、観測者が自分のもって
いる知識、情報と照らし合わせて、異物の組成判定、同
定を行う。
ェハの一枚は、ウェハのオリエンテ−ションフラットを
基準としてプリアライメントされる。プリアライメント
は、ウエハの結晶方向をＸＹ−ステ−ジの移動方向に合
わせる操作である。プリアライメント後、ウェハは真空
に保持された試料室内のＸＹ−ステ−ジ上に搬送され、
搭載される。ＸＹ−ステ−ジ上に装填されたウェハは、
試料室の上面に装着された光学顕微鏡を用いてアライメ
ントされる。アライメントは、ウエハ上に形成されたパ
タ−ンの座標系とステ−ジ座標系との補正を行う操作で
ある。具体的には、ウェハ上に形成されたアライメント
パタ−ンの数百倍程度に拡大された光学顕微鏡像を予め
登録されているアライメントパタ−ンの参照用画像と比
較し、参照用画像と丁度重なるようにステ−ジ位置座標
を補正する。アライメント後、分析所望の異物位置にウ
ェハをステ−ジ移動する。異物位置に移動した後、電子
ビ−ムを照射し、Ｘ線スペクトルを形成し、表示する。
Ｘ線スペクトルを観測しながら、観測者が自分のもって
いる知識、情報と照らし合わせて、異物の組成判定、同
定を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、そのようなや
り方では、オペレ−タである観測者がエキスパ−トでな
い場合、組成判定基準が曖昧であるため、異物同定結果
に信頼性がなく、分析時間もかかる。
り方では、オペレ−タである観測者がエキスパ−トでな
い場合、組成判定基準が曖昧であるため、異物同定結果
に信頼性がなく、分析時間もかかる。
【０００５】本発明の目的はオペレ−タの知識や伎倆に
かかわらず正確、確実かつ迅速に異物同定を行うのに適
した試料分析装置を提供することにある。
かかわらず正確、確実かつ迅速に異物同定を行うのに適
した試料分析装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の試料分析装置
は、試料を分析してそのスペクトルを生成する試料分析
装置であって、参照用スペクトルをライブラリとして予
め登録しておき、その登録された参照スペクトルを読出
して、前記生成されたスペクトルと比較し、その結果そ
の生成されたスペクトルと同一と推定される参照スペク
トルを選択するように構成したことを特徴とする。
は、試料を分析してそのスペクトルを生成する試料分析
装置であって、参照用スペクトルをライブラリとして予
め登録しておき、その登録された参照スペクトルを読出
して、前記生成されたスペクトルと比較し、その結果そ
の生成されたスペクトルと同一と推定される参照スペク
トルを選択するように構成したことを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明に基づく試料分析装
置としてのＥＤＸ付きＳＥＭの一実施例の基本構成構成
を示す。電子銃１から放出された電子ビ−ム２は、収束
レンズ３および対物レンズ４によって細く絞られ、試料
であるウェハ５の面上に焦点を結ぶ。同時に、電子ビ−
ム２は偏向器６によって軌道を曲げられ、該ウェハ面上
を二次元あるいは一次元走査する。
置としてのＥＤＸ付きＳＥＭの一実施例の基本構成構成
を示す。電子銃１から放出された電子ビ−ム２は、収束
レンズ３および対物レンズ４によって細く絞られ、試料
であるウェハ５の面上に焦点を結ぶ。同時に、電子ビ−
ム２は偏向器６によって軌道を曲げられ、該ウェハ面上
を二次元あるいは一次元走査する。
【０００８】一方、電子ビ−ム２で照射されたウェハ部
分からは二次電子７や特性Ｘ線１４が放出される。二次
電子７は、二次電子検出器８によって検出され、電気信
号に変換された後、増幅などの処理を受ける。処理後の
電気信号はディスプレィ９を輝度変調あるいは振幅変調
するために使われる。ディスプレィ９は、電子ビ−ム２
のウェハ面上走査と同期して走査されており、二次元走
査し、輝度変調すれば試料像(ＳＥＭ像)が、一次元走査
し、振幅変調すればラインプロファイルがそれぞれディ
スプレイ上に形成される。
分からは二次電子７や特性Ｘ線１４が放出される。二次
電子７は、二次電子検出器８によって検出され、電気信
号に変換された後、増幅などの処理を受ける。処理後の
電気信号はディスプレィ９を輝度変調あるいは振幅変調
するために使われる。ディスプレィ９は、電子ビ−ム２
のウェハ面上走査と同期して走査されており、二次元走
査し、輝度変調すれば試料像(ＳＥＭ像)が、一次元走査
し、振幅変調すればラインプロファイルがそれぞれディ
スプレイ上に形成される。
【０００９】特性Ｘ線１４は半導体Ｘ線検出器１５によ
って検出後、エネルギ分析され、ディスプレィ９上には
特性Ｘ線スペクトルが形成される。この手法をエネルギ
分散型Ｘ線分析(ＥＤＸ)という。
って検出後、エネルギ分析され、ディスプレィ９上には
特性Ｘ線スペクトルが形成される。この手法をエネルギ
分散型Ｘ線分析(ＥＤＸ)という。
【００１０】本発明による分析手順のフロ−の一例を図
２に示す。ウェハカセット１０から、被測定ウェハの一
枚５が取り出される（１）。ウェハ５はプリアライメン
トされると同時に、ウェハ上に形成されたウェハ番号
が、図示されていないウェハ番号読取り器によって読取
られる（２）。ウェハ番号は各ウェハに固有のものであ
る。読取られたウェハ番号をキ−にして、予め登録され
ていた、このウェハに対応するレシピが読出される
（３）。レシピは、このウェハの分析手順や分析条件を
定めたものである。以降の操作は、このレシピに従っ
て、自動的あるいは半自動的に行われる。以下は、半自
動操作の場合について述べる。
２に示す。ウェハカセット１０から、被測定ウェハの一
枚５が取り出される（１）。ウェハ５はプリアライメン
トされると同時に、ウェハ上に形成されたウェハ番号
が、図示されていないウェハ番号読取り器によって読取
られる（２）。ウェハ番号は各ウェハに固有のものであ
る。読取られたウェハ番号をキ−にして、予め登録され
ていた、このウェハに対応するレシピが読出される
（３）。レシピは、このウェハの分析手順や分析条件を
定めたものである。以降の操作は、このレシピに従っ
て、自動的あるいは半自動的に行われる。以下は、半自
動操作の場合について述べる。
【００１１】レシピが読込まれた後、ウェハ５は真空に
保持された試料室１１内のＸＹ−ステ−ジ１２上に搬送
され、搭載される（４）。ＸＹ−ステ−ジ１２上に装填
されたウェハ５は、試料室１１の上面に装着された光学
顕微鏡１３を用い、アライメントされる（５）。アライ
メントは、ウェハ５上に形成されたアライメントパタ−
ンの数百倍程度に拡大された光学顕微鏡像を、レシピに
付属して、予め登録されているアライメントパタ−ンの
参照用画像と比較し、参照用画像と丁度重なるように、
ステ−ジ位置座標を補正することによって行われる。
保持された試料室１１内のＸＹ−ステ−ジ１２上に搬送
され、搭載される（４）。ＸＹ−ステ−ジ１２上に装填
されたウェハ５は、試料室１１の上面に装着された光学
顕微鏡１３を用い、アライメントされる（５）。アライ
メントは、ウェハ５上に形成されたアライメントパタ−
ンの数百倍程度に拡大された光学顕微鏡像を、レシピに
付属して、予め登録されているアライメントパタ−ンの
参照用画像と比較し、参照用画像と丁度重なるように、
ステ−ジ位置座標を補正することによって行われる。
【００１２】アライメント後、このウェハに対応した、
予め登録されているウェハマップが読出され、ディスプ
レイ上に表示される（６）。ウェハマップには、このウ
ェハ上に存在する異物の位置や大きさが示されている。
ウェハマップ表示後、オペレ−タはウェハマップ上に示
された異物の中から、分析したい異物を指定する
（７）。分析異物が指定されると、被測定ウェハ５は、
指定の異物が電子ビ−ム直下に来るようにステ−ジ移動
される（８）。その後、走査電子ビ−ムが指定異物上に
照射され、ＳＥＭ像が形成される。ＳＥＭ像は、アライ
メント操作と同様に、予め登録されていた、指定分析点
に対応する参照用ＳＥＭ画像と比較され、参照用ＳＥＭ
画像と丁度重なり合うように、指定異物の精密な位置決
めが行われる（９）。位置決めは、例えば、電子ビ−ム
の走査領域を微調整することによって行われる。
予め登録されているウェハマップが読出され、ディスプ
レイ上に表示される（６）。ウェハマップには、このウ
ェハ上に存在する異物の位置や大きさが示されている。
ウェハマップ表示後、オペレ−タはウェハマップ上に示
された異物の中から、分析したい異物を指定する
（７）。分析異物が指定されると、被測定ウェハ５は、
指定の異物が電子ビ−ム直下に来るようにステ−ジ移動
される（８）。その後、走査電子ビ−ムが指定異物上に
照射され、ＳＥＭ像が形成される。ＳＥＭ像は、アライ
メント操作と同様に、予め登録されていた、指定分析点
に対応する参照用ＳＥＭ画像と比較され、参照用ＳＥＭ
画像と丁度重なり合うように、指定異物の精密な位置決
めが行われる（９）。位置決めは、例えば、電子ビ−ム
の走査領域を微調整することによって行われる。
【００１３】ウエハが位置決めされると、指定異物がほ
ぼ画面中央に位置する。この状態で、指定異物上に電子
ビ−ムを一点照射し、放出された特性Ｘ線を検出する。
検出Ｘ線のスペクトルはディスプレイ上に表示される
（１０）。一方、検出Ｘ線のスペクトルは、そのピ−ク
位置、ピ−ク高さ順が予めライブラリとして登録されて
いる参照用スペクトルと比較され、同一と推定される参
照用スペクトルがリストアップされる（１１）。
ぼ画面中央に位置する。この状態で、指定異物上に電子
ビ−ムを一点照射し、放出された特性Ｘ線を検出する。
検出Ｘ線のスペクトルはディスプレイ上に表示される
（１０）。一方、検出Ｘ線のスペクトルは、そのピ−ク
位置、ピ−ク高さ順が予めライブラリとして登録されて
いる参照用スペクトルと比較され、同一と推定される参
照用スペクトルがリストアップされる（１１）。
【００１４】比較、リストアップには、例えば、図１の
Ａ部に示すようなハ−ド構成を用いる。プロセッサ２１
を用いて、検出Ｘ線スペクトルと参照用スペクトルとの
突合せ（重ね合わせ）が行われる（１２）。検出Ｘ線ス
ペクトルとメモリ２２から読み出された参照用スペクト
ルは、図３に示すように、スペクトル高さを変えながら
そのスペクトル位置を比較、突き合わせられる。
Ａ部に示すようなハ−ド構成を用いる。プロセッサ２１
を用いて、検出Ｘ線スペクトルと参照用スペクトルとの
突合せ（重ね合わせ）が行われる（１２）。検出Ｘ線ス
ペクトルとメモリ２２から読み出された参照用スペクト
ルは、図３に示すように、スペクトル高さを変えながら
そのスペクトル位置を比較、突き合わせられる。
【００１５】リストアップされた参照用スペクトルは、
その付帯情報とともに、ディスプレイ上に同時表示され
る。付帯情報は、そのスペクトルに該当する物質名や該
物質の使用されている工程名・装置名のような試料条件
などである。付帯情報は参照用スペクトルおよびピ−ク
位置、高さ順のテ−ブルとともに、メモリ２２内に格納
されている。
その付帯情報とともに、ディスプレイ上に同時表示され
る。付帯情報は、そのスペクトルに該当する物質名や該
物質の使用されている工程名・装置名のような試料条件
などである。付帯情報は参照用スペクトルおよびピ−ク
位置、高さ順のテ−ブルとともに、メモリ２２内に格納
されている。
【００１６】同一と推定されるスペクトルは複数の場合
がある。観測ウエハの現在の工程名や処理装置の来歴な
ど、観測ウエハの付帯情報を入力することにより、同一
と推定されるスペクトルの数を更に絞り込むことができ
る。
がある。観測ウエハの現在の工程名や処理装置の来歴な
ど、観測ウエハの付帯情報を入力することにより、同一
と推定されるスペクトルの数を更に絞り込むことができ
る。
【００１７】また、同一と推定されるスペクトルが複数
の場合、観測スペクトルと同一と推定される参照用スペ
クトルとの突合せを行う。突き合わせ表示すれば、操作
者による同一スペクトルの絞り込みが容易となる。突き
合わせ表示に際しては、二つのスペクトル間の比較、差
異判別を容易にするため、例えば、両者の差異部分を赤
色とするように色別表示する。
の場合、観測スペクトルと同一と推定される参照用スペ
クトルとの突合せを行う。突き合わせ表示すれば、操作
者による同一スペクトルの絞り込みが容易となる。突き
合わせ表示に際しては、二つのスペクトル間の比較、差
異判別を容易にするため、例えば、両者の差異部分を赤
色とするように色別表示する。
【００１８】また、同一スペクトルの絞り込みをより容
易とするため、レシピに付属した情報として、該異物に
対応する、光学顕微鏡像や集束イオンビ−ム像、各種分
析デ−タなどをファイルしておく。分析時、これ等の画
像や分析デ−タを参考用として読出し、合わせて表示す
ることも可能である。
易とするため、レシピに付属した情報として、該異物に
対応する、光学顕微鏡像や集束イオンビ−ム像、各種分
析デ−タなどをファイルしておく。分析時、これ等の画
像や分析デ−タを参考用として読出し、合わせて表示す
ることも可能である。
【００１９】指定異物の分析が終った後、ウェハマップ
が再度ディスプレイ上に表示される。オペレ−タは、ウ
ェハマップの指定異物上に、分析終了および分析結果な
らびに選択結果を入力して表示し、分析結果の詳細を分
析デ−タベ−スにファイルすなわち格納する。
が再度ディスプレイ上に表示される。オペレ−タは、ウ
ェハマップの指定異物上に、分析終了および分析結果な
らびに選択結果を入力して表示し、分析結果の詳細を分
析デ−タベ−スにファイルすなわち格納する。
【００２０】このようにして一箇所の分析が終わる。さ
らに分析をしたい異物が残っていれば、ウェハマップ上
で新しい異物を指定し、図２中、指定異物位置移動後の
操作を繰返して行う。
らに分析をしたい異物が残っていれば、ウェハマップ上
で新しい異物を指定し、図２中、指定異物位置移動後の
操作を繰返して行う。
【００２１】このようにして一枚のウェハの分析作業が
終わる。ウェハカセットの中に複数の被分析ウェハが残
っている場合には、次のウェハをウェハカセットから取
り出し、図２の分析手順に従って、繰返し分析を行う。
終わる。ウェハカセットの中に複数の被分析ウェハが残
っている場合には、次のウェハをウェハカセットから取
り出し、図２の分析手順に従って、繰返し分析を行う。
【００２２】ここでは、オペレ−タがウェハマップに表
示された異物すなわち分析点を指定しながら作業を進め
る方法を示したが、予め指定された分析点に機械的に移
動し、順次分析していくような自動分析の方法を採って
もよい。
示された異物すなわち分析点を指定しながら作業を進め
る方法を示したが、予め指定された分析点に機械的に移
動し、順次分析していくような自動分析の方法を採って
もよい。
【００２３】ここでは、同一と推定される参照用スペク
トルを選択した後、観測スペクトルと同時表示させ、異
物同定の確認作業を行っているが、同時表示による確認
を省き・以降の作業を自動的に進めるようにしてもよ
い。
トルを選択した後、観測スペクトルと同時表示させ、異
物同定の確認作業を行っているが、同時表示による確認
を省き・以降の作業を自動的に進めるようにしてもよ
い。
【００２４】参照用スペクトルは、分析作業中でも、追
加登録したり、再登録することが可能である。
加登録したり、再登録することが可能である。
【００２５】ここでは、参照用スペクトルとして、作業
前に予め登録されていたスペクトルを用いたが、例え
ば、観測スペクトルがいずれの参照用スペクトルとも合
致せず、新しい物質と考えられるような場合や、観測ス
ペクトルが従来の参照用スペクトルに比べ、参照スペク
トルとしてより適している場合には、その観測スペクト
ルを参照用スペクトルに追加あるいは再登録する。新規
に登録したスペクトルは、仮に物質名が分からないとし
ても、以降の分析結果を分類するために使用することが
できる。
前に予め登録されていたスペクトルを用いたが、例え
ば、観測スペクトルがいずれの参照用スペクトルとも合
致せず、新しい物質と考えられるような場合や、観測ス
ペクトルが従来の参照用スペクトルに比べ、参照スペク
トルとしてより適している場合には、その観測スペクト
ルを参照用スペクトルに追加あるいは再登録する。新規
に登録したスペクトルは、仮に物質名が分からないとし
ても、以降の分析結果を分類するために使用することが
できる。
【００２６】ここでは、一つの異物に一つのスペクトル
を採取する場合について示したが、一つの異物で複数の
スペクトルを収集するようにしてもよい。異なる電子ビ
−ム照射条件や異なる測定個所のデ−タが欲しい場合な
どに対応する。
を採取する場合について示したが、一つの異物で複数の
スペクトルを収集するようにしてもよい。異なる電子ビ
−ム照射条件や異なる測定個所のデ−タが欲しい場合な
どに対応する。
【００２７】電子ビ−ムやイオンビ−ムなどの荷電粒子
線を用いた場合で、チャ−ジアップが飽和するまでに時
間がかかるような試料については、荷電粒子線を所定の
時間照射した後、観察画像を取り込むようにするとよ
い。
線を用いた場合で、チャ−ジアップが飽和するまでに時
間がかかるような試料については、荷電粒子線を所定の
時間照射した後、観察画像を取り込むようにするとよ
い。
【００２８】観測スペクトルと参照用スペクトルとの同
時表示について、一ディスプレイ上を分割して表示する
ようにしてもよいが、それぞれ別のディスプレイ上に表
示しても構わない。
時表示について、一ディスプレイ上を分割して表示する
ようにしてもよいが、それぞれ別のディスプレイ上に表
示しても構わない。
【００２９】ここでは、低倍率光顕像でアライメントし
た後、高倍率ＳＥＭ像で位置決めする方法を示したが、
代わりに 指定異物を高倍率ＳＥＭ像で直接探しにい
き、指定異物を見つけられないときには、周辺をサ−チ
し異物探索する機能を持たせてもよい。
た後、高倍率ＳＥＭ像で位置決めする方法を示したが、
代わりに 指定異物を高倍率ＳＥＭ像で直接探しにい
き、指定異物を見つけられないときには、周辺をサ−チ
し異物探索する機能を持たせてもよい。
【００３０】ここでは、ＸＹ−ステ−ジを用いたが、Ｘ
Ｙ−ステ−ジの代りに、ＸＹＴ（Ｔは傾斜を表す）−ス
テ−ジを用いれば、パタ−ン側壁に付着した異物などの
分析が容易となる。
Ｙ−ステ−ジの代りに、ＸＹＴ（Ｔは傾斜を表す）−ス
テ−ジを用いれば、パタ−ン側壁に付着した異物などの
分析が容易となる。
【００３１】ここでは、観察対象をパタ−ン付ウエハと
して示したが、ベアウェハ上に付着した異物を分析する
ことも可能である。この場合、分析異物の位置決めには
上述の周辺サ−チ法を用いる。
して示したが、ベアウェハ上に付着した異物を分析する
ことも可能である。この場合、分析異物の位置決めには
上述の周辺サ−チ法を用いる。
【００３２】また、分析対象は半導体ウェハに限られな
い。特に試料に対する制約は無く、撮像デバイスや表示
デバイス用のウェハであってもよいし、ウェハ以外の試
料形状であっても構わない。
い。特に試料に対する制約は無く、撮像デバイスや表示
デバイス用のウェハであってもよいし、ウェハ以外の試
料形状であっても構わない。
【００３３】ここでは、電子ビ−ムに依るスペクトル形
成を用いたが、代りに、イオンビ−ムや光ビ−ムによる
物理分析手段を用いても良いし、原子吸光法や質量分析
法などの化学分析手段を用いても良い。
成を用いたが、代りに、イオンビ−ムや光ビ−ムによる
物理分析手段を用いても良いし、原子吸光法や質量分析
法などの化学分析手段を用いても良い。
【００３４】ここでは、アライメントに走査画像を用い
たが、代りに、結像光学系によって形成された画像を用
いることも可能である。
たが、代りに、結像光学系によって形成された画像を用
いることも可能である。
【００３５】以上の説明からわかるように、本発明の実
施例によれば、オペレ−タの知識、伎倆にかかわらず、
正確、確実かつ迅速に異物同定を行うことができる。
施例によれば、オペレ−タの知識、伎倆にかかわらず、
正確、確実かつ迅速に異物同定を行うことができる。
【００３６】また、試料条件などの付帯情報を用いるこ
とにより、分析物質の同定だけではなく、発生場所、時
期などの究明も容易かつ迅速に行える。
とにより、分析物質の同定だけではなく、発生場所、時
期などの究明も容易かつ迅速に行える。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、オペレ−タの知識や伎
倆にかかわらず正確、確実かつ迅速に異物同定を行うの
に適した試料分析装置が提供される。
倆にかかわらず正確、確実かつ迅速に異物同定を行うの
に適した試料分析装置が提供される。
【図１】本発明に基づく試料分析装置としてのＥＤＸ付
きＳＥＭの一実施例の基本構成構成図。
きＳＥＭの一実施例の基本構成構成図。
【図２】本発明における分析手順のフロ−の一例を示す
図。
図。
【図３】本発明におけるスペクトルの選択についての説
明図。
明図。
１：電子銃、２：電子ビ−ム、３：収束レンズ、４：対
物レンズ、５：ウェハ、６：偏向コイル、７：二次電
子：８：二次電子検出器、９：ディスプレイ、１０：ウ
ェハカセット、１１：試料室、１２：ＸＹ−ステ−ジ、
１３：光学顕微鏡、２１：プロセッサ、２２：メモリ。
物レンズ、５：ウェハ、６：偏向コイル、７：二次電
子：８：二次電子検出器、９：ディスプレイ、１０：ウ
ェハカセット、１１：試料室、１２：ＸＹ−ステ−ジ、
１３：光学顕微鏡、２１：プロセッサ、２２：メモリ。
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(56)参考文献 特開 平８−124982（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−137854（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−182323（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−73141（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−49319（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−165445（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−319241（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 23/00 - 23/227
G01N 27/62 - 27/70
G01N 21/00 - 21/74
G01J 3/00 - 3/52
H01J 49/00 - 49/48
Claims (3)
- 【請求項１】半導体ウエハ上の異物に電子線を照射し、
当該異物から放出されるＸ線を検出してそのスペクトル
を生成する試料分析装置であって、参照用スペクトルを
ライブラリとして予め登録しておき、その登録された参
照スペクトルを読出して、前記生成されたスペクトルと
比較し、その結果その生成されたスペクトルと同一と推
定される複数の参照スペクトルを選択し、前記半導体ウ
エハの現在の工程名、或いは前記半導体ウエハの処理装
置の来歴を入力することにより前記生成されたスペクト
ルに同一と推定される前記参照スペクトルの数を更に絞
り込むように構成したことを特徴とする試料分析装置。 - 【請求項２】前記生成されたスペクトル及び前記選択さ
れた参照スペクトルを同時に表示するように構成したこ
とを特徴とする請求項１に記載された試料分析装置。 - 【請求項３】前記生成されたスペクトル及び前記選択さ
れた参照スペクトルを同時に重ね合わせ表示するように
構成したことを特徴とする請求項１に記載された試料分
析装置。
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