JP3449358B2 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子及びその
製造方法に関し、詳しくは、窒化ガリウム系化合物半導
体を用いた発光素子及びその製造方法に関する。
製造方法に関し、詳しくは、窒化ガリウム系化合物半導
体を用いた発光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光素子の発光機能層に、ＩｎｘＡｌｙ
Ｇａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋
ｙ≦１）等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いると、
紫外から緑色までの波長帯の光を発光できることから、
窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子が近年注
目されている。このような発光素子は、一般に、サファ
イアまたはシリコンカーバイドから形成された基板上
に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光機能層を
積層し、基板をダイシング、スクライビング、または劈
開することにより形成されている。
Ｇａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋
ｙ≦１）等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いると、
紫外から緑色までの波長帯の光を発光できることから、
窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子が近年注
目されている。このような発光素子は、一般に、サファ
イアまたはシリコンカーバイドから形成された基板上
に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光機能層を
積層し、基板をダイシング、スクライビング、または劈
開することにより形成されている。
【０００３】しかし、サファイアやシリコンカーバイド
から形成された基板は硬質であるため、ダイシング等を
容易に行うことができず、発光素子の生産性が悪くなっ
てしまうという問題があった。また、サファイアやシリ
コンカーバイドから形成された基板は高価であり、材料
コスト面からも問題があった。
から形成された基板は硬質であるため、ダイシング等を
容易に行うことができず、発光素子の生産性が悪くなっ
てしまうという問題があった。また、サファイアやシリ
コンカーバイドから形成された基板は高価であり、材料
コスト面からも問題があった。
【０００４】このため、発光素子の基板をサファイアや
シリコンカーバイドではなく、シリコンによって構成
し、シリコン基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から
なる発光機能層を積層して、発光素子を製造する試みが
なされている。発光素子の基板にシリコン基板を用いる
場合には、シリコン基板上に窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）からなるバッファ層を介して発光機能層が形成され
ている。窒化アルミニウムからなるバッファ層を配した
のは、バッファ層がシリコン基板の面方位を受け継ぎ、
バッファ層の上面に結晶性の良好な窒化ガリウム系化合
物半導体からなる発光機能層を形成できるためである。
シリコンカーバイドではなく、シリコンによって構成
し、シリコン基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から
なる発光機能層を積層して、発光素子を製造する試みが
なされている。発光素子の基板にシリコン基板を用いる
場合には、シリコン基板上に窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）からなるバッファ層を介して発光機能層が形成され
ている。窒化アルミニウムからなるバッファ層を配した
のは、バッファ層がシリコン基板の面方位を受け継ぎ、
バッファ層の上面に結晶性の良好な窒化ガリウム系化合
物半導体からなる発光機能層を形成できるためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、窒化アルミ
ニウムのバンドギャップは約６．２ｅｖであり、Ｉｎｘ
ＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ系化合物半導体の中で最も広い
バンドギャップを有している。このため、シリコン基板
上に窒化アルミニウムからなるバッファ層を介して発光
機能層を形成すると、ＡｌＮバッファ層がシリコン基板
と発光機能層との間に電位障壁を形成し、発光素子の駆
動電圧が高くなるという問題がある。例えば、サファイ
ア等から形成された基板上にバッファ層を介して発光機
能層を形成した発光素子の駆動電圧に比較して、順方向
電圧が２．５倍以上大きくなってしまう。
ニウムのバンドギャップは約６．２ｅｖであり、Ｉｎｘ
ＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ系化合物半導体の中で最も広い
バンドギャップを有している。このため、シリコン基板
上に窒化アルミニウムからなるバッファ層を介して発光
機能層を形成すると、ＡｌＮバッファ層がシリコン基板
と発光機能層との間に電位障壁を形成し、発光素子の駆
動電圧が高くなるという問題がある。例えば、サファイ
ア等から形成された基板上にバッファ層を介して発光機
能層を形成した発光素子の駆動電圧に比較して、順方向
電圧が２．５倍以上大きくなってしまう。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、シリコン基板上に結晶性の良好な発光機能層を
形成でき、駆動電圧を低減することができる発光素子及
びその製造方法を提供することを目的とする。
であり、シリコン基板上に結晶性の良好な発光機能層を
形成でき、駆動電圧を低減することができる発光素子及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点にかかる発光素子は、シリコ
ン基板と、前記シリコン基板上に形成され、ガリウムと
インジウムとを含む窒化アルミニウム層と、前記窒化ア
ルミニウム層上に形成され、ガリウムとインジウムとを
含む第１窒化物系化合物半導体層と、前記第１窒化物系
化合物半導体層上に形成され、発光機能を有する第２窒
化物系化合物半導体層とを備える、ことを特徴とする。
め、この発明の第１の観点にかかる発光素子は、シリコ
ン基板と、前記シリコン基板上に形成され、ガリウムと
インジウムとを含む窒化アルミニウム層と、前記窒化ア
ルミニウム層上に形成され、ガリウムとインジウムとを
含む第１窒化物系化合物半導体層と、前記第１窒化物系
化合物半導体層上に形成され、発光機能を有する第２窒
化物系化合物半導体層とを備える、ことを特徴とする。
【０００８】この構成によれば、窒化アルミニウム層に
ガリウムとインジウムとが含まれているので、発光素子
の駆動電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒
化物系化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形
成されているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合
物半導体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が
良好になる。
ガリウムとインジウムとが含まれているので、発光素子
の駆動電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒
化物系化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形
成されているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合
物半導体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が
良好になる。
【０００９】前記窒化アルミニウム層は、前記第１窒化
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている
ことが好ましい。この場合、さらにシリコン基板上の第
１窒化物系化合物半導体層及び第２窒化物系化合物半導
体層の結晶性が良好になる。拡散開始時期を遅延可能な
厚さとしては、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍの厚さに形成さ
れていることが好ましい。
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている
ことが好ましい。この場合、さらにシリコン基板上の第
１窒化物系化合物半導体層及び第２窒化物系化合物半導
体層の結晶性が良好になる。拡散開始時期を遅延可能な
厚さとしては、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍの厚さに形成さ
れていることが好ましい。
【００１０】前記第１窒化物系化合物半導体層は、所定
量のガリウム及びインジウムを前記窒化アルミニウム層
に拡散可能な厚さに形成されていることが好ましい。こ
のような厚さとしては、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍの
厚さに形成されていることが好ましい。
量のガリウム及びインジウムを前記窒化アルミニウム層
に拡散可能な厚さに形成されていることが好ましい。こ
のような厚さとしては、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍの
厚さに形成されていることが好ましい。
【００１１】前記第１窒化物系化合物半導体層は前記第
２窒化物系化合物半導体層の一部を構成することが好ま
しい。この場合、発光素子が簡易な構造になる。
２窒化物系化合物半導体層の一部を構成することが好ま
しい。この場合、発光素子が簡易な構造になる。
【００１２】この発明の第２の観点にかかる発光素子の
製造方法は、シリコン基板上に、窒化アルミニウム層を
形成する工程と、前記窒化アルミニウム層上に、ガリウ
ムとインジウムとを含む第１窒化物系化合物半導体層を
形成する工程と、前記第１窒化物系化合物半導体層から
ガリウムとインジウムとを前記窒化アルミニウム層に拡
散させる工程と、前記第１窒化物系化合物半導体層上
に、発光機能を有する第２窒化物系化合物半導体層を形
成する工程とを備える、ことを特徴とする。
製造方法は、シリコン基板上に、窒化アルミニウム層を
形成する工程と、前記窒化アルミニウム層上に、ガリウ
ムとインジウムとを含む第１窒化物系化合物半導体層を
形成する工程と、前記第１窒化物系化合物半導体層から
ガリウムとインジウムとを前記窒化アルミニウム層に拡
散させる工程と、前記第１窒化物系化合物半導体層上
に、発光機能を有する第２窒化物系化合物半導体層を形
成する工程とを備える、ことを特徴とする。
【００１３】この構成によれば、窒化アルミニウム層に
ガリウムとインジウムとが拡散され、発光素子の駆動電
圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化物系化
合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成され、
シリコン基板上に結晶性が良好な第１窒化物系化合物半
導体層及び第２窒化物系化合物半導体層が形成される。
ガリウムとインジウムとが拡散され、発光素子の駆動電
圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化物系化
合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成され、
シリコン基板上に結晶性が良好な第１窒化物系化合物半
導体層及び第２窒化物系化合物半導体層が形成される。
【００１４】前記窒化アルミニウム層上に、ガリウムと
インジウムとを含む第１窒化物系化合物半導体層を形成
しながら、該第１窒化物系化合物半導体層からガリウム
とインジウムとを前記窒化アルミニウム層に拡散させる
ことが好ましい。
インジウムとを含む第１窒化物系化合物半導体層を形成
しながら、該第１窒化物系化合物半導体層からガリウム
とインジウムとを前記窒化アルミニウム層に拡散させる
ことが好ましい。
【００１５】前記窒化アルミニウム層を、前記第１窒化
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成することが
好ましい。この場合、さらに結晶性が良好な第１窒化物
系化合物半導体層及び第２窒化物系化合物半導体層を形
成することができる。
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成することが
好ましい。この場合、さらに結晶性が良好な第１窒化物
系化合物半導体層及び第２窒化物系化合物半導体層を形
成することができる。
【００１６】前記第１窒化物系化合物半導体層を、所定
量のガリウム及びインジウムを前記窒化アルミニウム層
に拡散可能な厚さに形成することが好ましい。
量のガリウム及びインジウムを前記窒化アルミニウム層
に拡散可能な厚さに形成することが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の発光
素子及びその製造方法について説明する。図１に本実施
の形態の発光素子の構造を示す。図１に示すように、発
光素子１は、半導体基体２と、半導体基体２の上面に電
気的に接続されたアノード電極３と、半導体基体２の下
面に電気的に接続されたカソード電極４とを備えてい
る。
素子及びその製造方法について説明する。図１に本実施
の形態の発光素子の構造を示す。図１に示すように、発
光素子１は、半導体基体２と、半導体基体２の上面に電
気的に接続されたアノード電極３と、半導体基体２の下
面に電気的に接続されたカソード電極４とを備えてい
る。
【００１８】半導体基体２は、シリコン基板５と、シリ
コン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含
む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に
形成され、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系
化合物半導体層としての反応源供給層７と、反応源供給
層７上に形成された第２窒化物系化合物半導体層として
の発光機能層８とを備えている。
コン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含
む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に
形成され、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系
化合物半導体層としての反応源供給層７と、反応源供給
層７上に形成された第２窒化物系化合物半導体層として
の発光機能層８とを備えている。
【００１９】シリコン基板５は、ｎ形導電形の不純物、
例えば、砒素（Ａｓ）が５×１０１ ８ｃｍ−３〜５×１
０１９ｃｍ−３程度の比較的高濃度にドープされたｎ＋
形のシリコン単結晶基板から構成されている。そして、
その抵抗率は０．００１Ω・ｃｍ〜０．０１Ω・ｃｍ程
度に形成されている。このため、シリコン基板５は、実
質的に導電体であり、カソード電極４とともに電極とし
て機能する。また、シリコン基板５は、発光機能層８等
の支持部材として機能し、発光機能層８等を良好に支持
できるように、例えば、３５０μｍ程度の厚みに形成さ
れている。
例えば、砒素（Ａｓ）が５×１０１ ８ｃｍ−３〜５×１
０１９ｃｍ−３程度の比較的高濃度にドープされたｎ＋
形のシリコン単結晶基板から構成されている。そして、
その抵抗率は０．００１Ω・ｃｍ〜０．０１Ω・ｃｍ程
度に形成されている。このため、シリコン基板５は、実
質的に導電体であり、カソード電極４とともに電極とし
て機能する。また、シリコン基板５は、発光機能層８等
の支持部材として機能し、発光機能層８等を良好に支持
できるように、例えば、３５０μｍ程度の厚みに形成さ
れている。
【００２０】窒化アルミニウム層６は、シリコン基板５
上に形成されている。窒化アルミニウム層６は、窒化ア
ルミニウムに、後述する反応源供給層７から拡散された
ガリウム（Ｇａ）とインジウム（Ｉｎ）とが含まれてい
る。この窒化アルミニウム層６は、シリコン基板５上に
窒化物系化合物半導体（反応源供給層７、発光機能層
８）を膜成長させるためのバッファ層として機能する。
シリコン基板５の表面に、窒化物系化合物半導体、例え
ば、ＧａＮ、ＧａＩｎＮからなる発光機能層８を直接膜
成長させることは困難であるが、バッファ層として機能
する窒化アルミニウム層６を介して形成させることによ
り、シリコン基板５上に窒化物系化合物半導体を膜成長
させることができる。これは、窒化アルミニウム層６は
シリコン基板５の面方位を受け継ぐことができ、窒化ア
ルミニウム層６を介することで、シリコン基板５上に結
晶性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する
ことができるためである。
上に形成されている。窒化アルミニウム層６は、窒化ア
ルミニウムに、後述する反応源供給層７から拡散された
ガリウム（Ｇａ）とインジウム（Ｉｎ）とが含まれてい
る。この窒化アルミニウム層６は、シリコン基板５上に
窒化物系化合物半導体（反応源供給層７、発光機能層
８）を膜成長させるためのバッファ層として機能する。
シリコン基板５の表面に、窒化物系化合物半導体、例え
ば、ＧａＮ、ＧａＩｎＮからなる発光機能層８を直接膜
成長させることは困難であるが、バッファ層として機能
する窒化アルミニウム層６を介して形成させることによ
り、シリコン基板５上に窒化物系化合物半導体を膜成長
させることができる。これは、窒化アルミニウム層６は
シリコン基板５の面方位を受け継ぐことができ、窒化ア
ルミニウム層６を介することで、シリコン基板５上に結
晶性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する
ことができるためである。
【００２１】窒化アルミニウム層６は、反応源供給層７
から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期
を遅延可能な厚さに形成されている。ここで、拡散開始
時期を遅延可能な厚さとは、反応源供給層７を形成する
初期段階において、反応源供給層７から供給されるガリ
ウム及びインジウムが窒化アルミニウム層６に拡散する
ことを抑制可能な厚さをいい、窒化アルミニウム層６
は、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍの厚さに形成されているこ
とが好ましい。
から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期
を遅延可能な厚さに形成されている。ここで、拡散開始
時期を遅延可能な厚さとは、反応源供給層７を形成する
初期段階において、反応源供給層７から供給されるガリ
ウム及びインジウムが窒化アルミニウム層６に拡散する
ことを抑制可能な厚さをいい、窒化アルミニウム層６
は、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍの厚さに形成されているこ
とが好ましい。
【００２２】反応源供給層７は、窒化アルミニウム層６
上に形成されている。反応源供給層７は、ＩｎｘＡｌ
１−ｘ−ｙＧａｙＮ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ
＋ｙ≦１）から構成されている。すなわち、反応源供給
層７は、インジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）とを必
須の構成元素とする窒化物系化合物半導体であり、本実
施の形態ではｎ形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎから構成され
ている。
上に形成されている。反応源供給層７は、ＩｎｘＡｌ
１−ｘ−ｙＧａｙＮ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ
＋ｙ≦１）から構成されている。すなわち、反応源供給
層７は、インジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）とを必
須の構成元素とする窒化物系化合物半導体であり、本実
施の形態ではｎ形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎから構成され
ている。
【００２３】この反応源供給層７は、膜中に含まれてい
るガリウム及びインジウムを窒化アルミニウム層６に拡
散するためのガリウム及びインジウムの供給源として機
能する。このため、反応源供給層７の厚さは、窒化アル
ミニウム層６に必要な量のガリウム及びインジウムが拡
散できる所定厚、例えば、１ｎｍ以上にすることが好ま
しい。ただし、反応源供給層７をあまり厚くしすぎる
と、反応源供給層７とシリコン基板５との線膨張係数差
に起因するクラックが反応源供給層７に生じるおそれが
ある。反応源供給層７にクラックが発生すると、反応源
供給層７上に形成される発光機能層８の結晶性を損なう
原因となるため、反応源供給層７の厚さは、１００ｎｍ
以下に設定することが好ましい。本実施の形態では、反
応源供給層７の厚さを３０ｎｍに形成している。
るガリウム及びインジウムを窒化アルミニウム層６に拡
散するためのガリウム及びインジウムの供給源として機
能する。このため、反応源供給層７の厚さは、窒化アル
ミニウム層６に必要な量のガリウム及びインジウムが拡
散できる所定厚、例えば、１ｎｍ以上にすることが好ま
しい。ただし、反応源供給層７をあまり厚くしすぎる
と、反応源供給層７とシリコン基板５との線膨張係数差
に起因するクラックが反応源供給層７に生じるおそれが
ある。反応源供給層７にクラックが発生すると、反応源
供給層７上に形成される発光機能層８の結晶性を損なう
原因となるため、反応源供給層７の厚さは、１００ｎｍ
以下に設定することが好ましい。本実施の形態では、反
応源供給層７の厚さを３０ｎｍに形成している。
【００２４】発光機能層８は、反応源供給層７上に形成
されている。発光機能層８は、ｎ形クラッド層９と、活
性層１０と、ｐ形クラッド層１１とが順次積層された構
成に形成されている。
されている。発光機能層８は、ｎ形クラッド層９と、活
性層１０と、ｐ形クラッド層１１とが順次積層された構
成に形成されている。
【００２５】ｎ形クラッド層９は反応源供給層７上に形
成され、その厚さが５００ｎｍのｎ形ＧａＮからなるｎ
形半導体領域である。活性層１０はｎ形クラッド層９上
に形成され、その厚さが３ｎｍのＧａＩｎＮから構成さ
れている。ｐ形クラッド層１１は活性層１０上に形成さ
れ、その厚さが５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形半
導体領域である。
成され、その厚さが５００ｎｍのｎ形ＧａＮからなるｎ
形半導体領域である。活性層１０はｎ形クラッド層９上
に形成され、その厚さが３ｎｍのＧａＩｎＮから構成さ
れている。ｐ形クラッド層１１は活性層１０上に形成さ
れ、その厚さが５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形半
導体領域である。
【００２６】アノード電極３は、ｐ形クラッド層１１の
上面に、例えば、低抵抗性接触して形成されている。ア
ノード電極３は、例えば、ニッケルと金を真空蒸着して
形成されている。また、カソード電極４は、シリコン基
板５の下面に、例えば、低抵抗性接触して形成されてい
る。カソード電極４は、例えば、チタンとアルミニウム
とを真空蒸着して形成されている。アノード電極３及び
カソード電極４は、他の金属材料により形成することも
可能であり、例えば、カソード電極４は、チタンと金ゲ
ルマニウムニッケル合金と金とが順次積層されてなる電
極を用いてもよい。
上面に、例えば、低抵抗性接触して形成されている。ア
ノード電極３は、例えば、ニッケルと金を真空蒸着して
形成されている。また、カソード電極４は、シリコン基
板５の下面に、例えば、低抵抗性接触して形成されてい
る。カソード電極４は、例えば、チタンとアルミニウム
とを真空蒸着して形成されている。アノード電極３及び
カソード電極４は、他の金属材料により形成することも
可能であり、例えば、カソード電極４は、チタンと金ゲ
ルマニウムニッケル合金と金とが順次積層されてなる電
極を用いてもよい。
【００２７】次に、以上のように構成された発光素子１
の製造方法について、図２に示すタイムシーケンスを参
照して説明する。
の製造方法について、図２に示すタイムシーケンスを参
照して説明する。
【００２８】まず、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemic
al Vapor Deposition）装置の反応室内に、洗浄等の前
処理を施したシリコン基板５を配置する。そして、シリ
コン基板５に１１２０℃で１０分程度の熱処理を施し、
その表面をサーマルクリーニングして表面の酸化膜を完
全に除去する（サーマルクリーニング工程）。
al Vapor Deposition）装置の反応室内に、洗浄等の前
処理を施したシリコン基板５を配置する。そして、シリ
コン基板５に１１２０℃で１０分程度の熱処理を施し、
その表面をサーマルクリーニングして表面の酸化膜を完
全に除去する（サーマルクリーニング工程）。
【００２９】次に、シリコン基板５の表面に水素終端処
理を施す（水素終端処理工程）。水素終端処理とは、シ
リコン基板５の表面のダングリングボンド、すなわちシ
リコンの４つの結合手のうちで、結合に使用されていな
い結合手（ボンド）に水素を結合させる処理である。
理を施す（水素終端処理工程）。水素終端処理とは、シ
リコン基板５の表面のダングリングボンド、すなわちシ
リコンの４つの結合手のうちで、結合に使用されていな
い結合手（ボンド）に水素を結合させる処理である。
【００３０】続いて、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、ト
リメチルアルミニウムガス（ＴＭＡガス）を所定量、例
えば、６３μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス（Ｎ
Ｈ３）を所定量、例えば、０．１４ｍｏｌ／ｍｉｎ供給
して、シリコン基板５の上面に所定厚の窒化アルミニウ
ムからなる窒化アルミニウム層６を形成する（窒化アル
ミニウム層形成工程）。
リメチルアルミニウムガス（ＴＭＡガス）を所定量、例
えば、６３μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス（Ｎ
Ｈ３）を所定量、例えば、０．１４ｍｏｌ／ｍｉｎ供給
して、シリコン基板５の上面に所定厚の窒化アルミニウ
ムからなる窒化アルミニウム層６を形成する（窒化アル
ミニウム層形成工程）。
【００３１】ここで、窒化アルミニウム層６を、反応源
供給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散
開始時期を遅延可能な厚さ、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍに
形成することが好ましい。窒化アルミニウム層６が１ｎ
ｍより薄い場合には、窒化アルミニウム層６の上面に窒
化ガリウム系化合物半導体（反応源供給層７）を堆積形
成する間（反応源供給層７を形成する初期段階）に、堆
積された反応源供給層７からガリウム及びインジウムが
窒化アルミニウム層６に拡散する。このため、成長直後
の反応源供給層７の結晶性が劣化し、これを核として成
長する発光機能層８等の結晶性が全体的に低下してしま
うおそれが生じる。また、窒化アルミニウム層６がバッ
ファ層としての本来の機能を果たさなくなってしまうお
それが生じる。一方、窒化アルミニウム層６が６ｎｍよ
り厚い場合には、反応源供給層７を形成する初期段階以
降に、反応源供給層７から窒化アルミニウム層６の下部
にまでガリウム及びインジウムが拡散されないおそれが
生じる。本実施の形態では、窒化アルミニウム層６の厚
さを３ｎｍに形成している。
供給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散
開始時期を遅延可能な厚さ、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍに
形成することが好ましい。窒化アルミニウム層６が１ｎ
ｍより薄い場合には、窒化アルミニウム層６の上面に窒
化ガリウム系化合物半導体（反応源供給層７）を堆積形
成する間（反応源供給層７を形成する初期段階）に、堆
積された反応源供給層７からガリウム及びインジウムが
窒化アルミニウム層６に拡散する。このため、成長直後
の反応源供給層７の結晶性が劣化し、これを核として成
長する発光機能層８等の結晶性が全体的に低下してしま
うおそれが生じる。また、窒化アルミニウム層６がバッ
ファ層としての本来の機能を果たさなくなってしまうお
それが生じる。一方、窒化アルミニウム層６が６ｎｍよ
り厚い場合には、反応源供給層７を形成する初期段階以
降に、反応源供給層７から窒化アルミニウム層６の下部
にまでガリウム及びインジウムが拡散されないおそれが
生じる。本実施の形態では、窒化アルミニウム層６の厚
さを３ｎｍに形成している。
【００３２】次に、トリメチルアルミニウムガスの供給
を停止し、シリコン基板５の温度を７００℃まで下げ
る。シリコン基板５の温度が７００℃にまで下がると、
ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルインジウムガ
ス（ＴＭＩガス）を所定量、例えば、５９μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧガス）を所定
量、例えば、６．２μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス
を所定量、例えば、０．２３ｍｏｌ／ｍｉｎ、及びシラ
ンガスを所定量、例えば、２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給
し、窒化アルミニウム層６の上面に厚さ約３０ｎｍのｎ
形Ｇａ０．５Ｉｎ０． ５Ｎからなる反応源供給層７を形
成する（反応源供給層形成工程）。なお、シランガスを
供給したのは、反応源供給層７中にｎ形不純物としての
シリコンを導入するためである。
を停止し、シリコン基板５の温度を７００℃まで下げ
る。シリコン基板５の温度が７００℃にまで下がると、
ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルインジウムガ
ス（ＴＭＩガス）を所定量、例えば、５９μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧガス）を所定
量、例えば、６．２μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス
を所定量、例えば、０．２３ｍｏｌ／ｍｉｎ、及びシラ
ンガスを所定量、例えば、２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給
し、窒化アルミニウム層６の上面に厚さ約３０ｎｍのｎ
形Ｇａ０．５Ｉｎ０． ５Ｎからなる反応源供給層７を形
成する（反応源供給層形成工程）。なお、シランガスを
供給したのは、反応源供給層７中にｎ形不純物としての
シリコンを導入するためである。
【００３３】ここで、窒化アルミニウム層６が、反応源
供給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散
開始時期を遅延可能な厚さに形成されているので、反応
源供給層７を形成する初期段階では、反応源供給層７か
ら供給されるガリウム及びインジウムが窒化アルミニウ
ム層６に拡散しにくくなる。従って、形成される反応源
供給層７の結晶性が劣化することがなくなる。
供給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散
開始時期を遅延可能な厚さに形成されているので、反応
源供給層７を形成する初期段階では、反応源供給層７か
ら供給されるガリウム及びインジウムが窒化アルミニウ
ム層６に拡散しにくくなる。従って、形成される反応源
供給層７の結晶性が劣化することがなくなる。
【００３４】また、反応源供給層７を形成する初期段階
以降では、図３（ａ）に示すように、既に形成された反
応源供給層７から窒化アルミニウム層６にガリウム及び
インジウムが拡散される。そして、図３（ｂ）に示すよ
うに、窒化アルミニウム層６にはガリウム及びインジウ
ムが拡散される。従って、反応源供給層７を形成しなが
ら、窒化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムが
拡散される。
以降では、図３（ａ）に示すように、既に形成された反
応源供給層７から窒化アルミニウム層６にガリウム及び
インジウムが拡散される。そして、図３（ｂ）に示すよ
うに、窒化アルミニウム層６にはガリウム及びインジウ
ムが拡散される。従って、反応源供給層７を形成しなが
ら、窒化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムが
拡散される。
【００３５】このように、窒化アルミニウム層６にガリ
ウム及びインジウムが拡散されると、シリコン基板５と
窒化アルミニウム層６との間の電気的接続を良好にする
ことができる。これは、窒化アルミニウム層６にガリウ
ム及びインジウムを拡散させることにより、シリコン基
板５と窒化アルミニウム層６との界面に、結果的にガリ
ウム及びインジウムを含む金属化合物領域等が形成さ
れ、この形成された金属化合物領域等の存在により、シ
リコン基板５と窒化アルミニウム層６との間の電位障壁
を乗り越えやすくなると考えられるためである。
ウム及びインジウムが拡散されると、シリコン基板５と
窒化アルミニウム層６との間の電気的接続を良好にする
ことができる。これは、窒化アルミニウム層６にガリウ
ム及びインジウムを拡散させることにより、シリコン基
板５と窒化アルミニウム層６との界面に、結果的にガリ
ウム及びインジウムを含む金属化合物領域等が形成さ
れ、この形成された金属化合物領域等の存在により、シ
リコン基板５と窒化アルミニウム層６との間の電位障壁
を乗り越えやすくなると考えられるためである。
【００３６】さらに、シリコン基板５と反応源供給層７
との間に、バッファ層として機能する窒化アルミニウム
層６が形成されているので、シリコン基板５上に結晶性
の良好な反応源供給層７を形成することができる。
との間に、バッファ層として機能する窒化アルミニウム
層６が形成されているので、シリコン基板５上に結晶性
の良好な反応源供給層７を形成することができる。
【００３７】次に、反応源供給層７上に発光機能層８を
形成する。まず、シリコン基板５の温度を１０４０℃ま
で上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで上が
ると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウ
ムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５３．
６ｍｍｏｌ／ｍｉｎ、シランガスを所定量、例えば、
１．５ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、反応源供給層７の上面
にｎ形ＧａＮからなる厚さ約５００ｎｍのｎ形クラッド
層９を形成する（ｎ形クラッド層形成工程）。なお、ｎ
形クラッド層９の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３で
あり、シリコン基板５の不純物濃度よりも十分に低い。
形成する。まず、シリコン基板５の温度を１０４０℃ま
で上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで上が
ると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウ
ムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５３．
６ｍｍｏｌ／ｍｉｎ、シランガスを所定量、例えば、
１．５ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、反応源供給層７の上面
にｎ形ＧａＮからなる厚さ約５００ｎｍのｎ形クラッド
層９を形成する（ｎ形クラッド層形成工程）。なお、ｎ
形クラッド層９の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３で
あり、シリコン基板５の不純物濃度よりも十分に低い。
【００３８】次に、シリコン基板５の温度を８００℃ま
で下げる。シリコン基板５の温度が８００℃まで下がる
と、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウム
ガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、１．１μｍｏｌ
／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、６７ｍｍ
ｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルインジウムガス（ＴＭＩガ
ス）を所定量、例えば、４．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス
シクロペンタジェニルマグネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガ
ス）を所定量、例えば、１２ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、
ｎ形クラッド層９上に厚さ約３ｎｍのｐ形ＧａＩｎＮか
らなる活性層１０を形成する（活性層形成工程）。な
お、ビスシクロペンタジェニルマグネシウムガスを供給
したのは、活性層１０中にｐ形導電形の不純物としての
Ｍｇを導入するためである。また、活性層１０の不純物
濃度は３×１０１７ｃｍ−３である。
で下げる。シリコン基板５の温度が８００℃まで下がる
と、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウム
ガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、１．１μｍｏｌ
／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、６７ｍｍ
ｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルインジウムガス（ＴＭＩガ
ス）を所定量、例えば、４．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス
シクロペンタジェニルマグネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガ
ス）を所定量、例えば、１２ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、
ｎ形クラッド層９上に厚さ約３ｎｍのｐ形ＧａＩｎＮか
らなる活性層１０を形成する（活性層形成工程）。な
お、ビスシクロペンタジェニルマグネシウムガスを供給
したのは、活性層１０中にｐ形導電形の不純物としての
Ｍｇを導入するためである。また、活性層１０の不純物
濃度は３×１０１７ｃｍ−３である。
【００３９】続いて、シリコン基板５の温度を１０４０
℃まで上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで
上がると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガ
リウムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５
３．６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビスシクロペンタジェニルマ
グネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガス）を所定量、例えば、
０．１２μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、活性層１０上に厚さ
約５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形クラッド層１１
を形成する（ｐ形クラッド層形成工程）。なお、ｐ形ク
ラッド層１１の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３であ
る。
℃まで上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで
上がると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガ
リウムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５
３．６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビスシクロペンタジェニルマ
グネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガス）を所定量、例えば、
０．１２μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、活性層１０上に厚さ
約５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形クラッド層１１
を形成する（ｐ形クラッド層形成工程）。なお、ｐ形ク
ラッド層１１の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３であ
る。
【００４０】以上のように形成された発光機能層８（ｎ
形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１）
は、結晶性の良好な反応源供給層７上に形成（反応源供
給層７を核として成長）されている。このため、形成さ
れる発光機能層８の結晶性が低下せず、反応源供給層７
上に結晶性の良好な発光機能層８を形成することができ
る。
形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１）
は、結晶性の良好な反応源供給層７上に形成（反応源供
給層７を核として成長）されている。このため、形成さ
れる発光機能層８の結晶性が低下せず、反応源供給層７
上に結晶性の良好な発光機能層８を形成することができ
る。
【００４１】その後、真空蒸着法によって形成されたア
ノード電極３を低抵抗性接触させて、ｐ形クラッド層１
１の上面に設置する。また、真空蒸着法によって形成さ
れたカソード電極４を低抵抗性接触させて、シリコン基
板５の下面に設置する（電極形成工程）。このような工
程により、図１に示すような発光素子１が製造される。
ノード電極３を低抵抗性接触させて、ｐ形クラッド層１
１の上面に設置する。また、真空蒸着法によって形成さ
れたカソード電極４を低抵抗性接触させて、シリコン基
板５の下面に設置する（電極形成工程）。このような工
程により、図１に示すような発光素子１が製造される。
【００４２】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、シリコン基板５と反応源供給層７との間に、ガリウ
ム及びインジウムを含む窒化アルミニウム層６を形成し
ているので、シリコン基板５と窒化アルミニウム層６と
の電気的接続を良好にすることができる。このため、発
光素子１の駆動電圧を低減することができる。また、シ
リコン基板５と反応源供給層７との間に窒化アルミニウ
ム層６を形成しているので、シリコン基板５上に結晶性
の良好な反応源供給層７及び発光機能層８を形成するこ
とができる。
ば、シリコン基板５と反応源供給層７との間に、ガリウ
ム及びインジウムを含む窒化アルミニウム層６を形成し
ているので、シリコン基板５と窒化アルミニウム層６と
の電気的接続を良好にすることができる。このため、発
光素子１の駆動電圧を低減することができる。また、シ
リコン基板５と反応源供給層７との間に窒化アルミニウ
ム層６を形成しているので、シリコン基板５上に結晶性
の良好な反応源供給層７及び発光機能層８を形成するこ
とができる。
【００４３】本実施の形態によれば、窒化アルミニウム
層６を反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成している
ので、反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムが短期間に拡散することを抑制して、その拡散開
始時期が遅延される。この結果、窒化アルミニウム層６
上に結晶性の良好な反応源供給層７を形成した後に、窒
化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムの拡散が
生じる。このため、膜成長の初期における窒化ガリウム
系化合物半導体層（反応源供給層７）の結晶性が良好と
なり、反応源供給層７上に形成される発光機能層８等の
結晶性を全体にわたって良好にすることができる。
層６を反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成している
ので、反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムが短期間に拡散することを抑制して、その拡散開
始時期が遅延される。この結果、窒化アルミニウム層６
上に結晶性の良好な反応源供給層７を形成した後に、窒
化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムの拡散が
生じる。このため、膜成長の初期における窒化ガリウム
系化合物半導体層（反応源供給層７）の結晶性が良好と
なり、反応源供給層７上に形成される発光機能層８等の
結晶性を全体にわたって良好にすることができる。
【００４４】なお、本発明は、上記の実施の形態に限ら
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００４５】上記実施の形態では、窒化アルミニウム層
６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形成する場
合を例に本発明を説明したが、反応源供給層７は、窒化
アルミニウム層６にガリウム及びインジウムを拡散可能
であればよく、例えば、図４に示すように、窒化アルミ
ニウム層６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形
成せずに、発光機能層８から窒化アルミニウム層６にガ
リウム及びインジウムを拡散させてもよい。すなわち、
反応源供給層が発光機能層８の一部を構成し、ｎ形クラ
ッド層９を反応源供給層として機能させてもよい。この
場合、窒化アルミニウム層６に拡散されるガリウム及び
インジウムはｎ形クラッド層９から供給され、発光素子
を簡易な構造にすることができる。
６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形成する場
合を例に本発明を説明したが、反応源供給層７は、窒化
アルミニウム層６にガリウム及びインジウムを拡散可能
であればよく、例えば、図４に示すように、窒化アルミ
ニウム層６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形
成せずに、発光機能層８から窒化アルミニウム層６にガ
リウム及びインジウムを拡散させてもよい。すなわち、
反応源供給層が発光機能層８の一部を構成し、ｎ形クラ
ッド層９を反応源供給層として機能させてもよい。この
場合、窒化アルミニウム層６に拡散されるガリウム及び
インジウムはｎ形クラッド層９から供給され、発光素子
を簡易な構造にすることができる。
【００４６】上記実施の形態では、反応源供給層７がｎ
形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎ、ｎ形クラッド層９がｎ形Ｇ
ａＮからなるｎ形半導体領域等の場合を例に本発明を説
明したが、シリコン基板５、反応源供給層７、ｎ形クラ
ッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１の導電形を
反転してもよい。この場合にも、シリコン基板５上に結
晶性の良好な発光機能層８を形成でき、また、発光素子
の駆動電圧を低減することができる。
形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎ、ｎ形クラッド層９がｎ形Ｇ
ａＮからなるｎ形半導体領域等の場合を例に本発明を説
明したが、シリコン基板５、反応源供給層７、ｎ形クラ
ッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１の導電形を
反転してもよい。この場合にも、シリコン基板５上に結
晶性の良好な発光機能層８を形成でき、また、発光素子
の駆動電圧を低減することができる。
【００４７】上記実施の形態では、ＭＯＣＶＤ装置の反
応室内で発光素子を製造する場合を例に本発明を説明し
たが、例えば、ＭＯＣＶＤ装置に反応室を複数設け、各
製造工程ごとに別々の反応室を用いてもよい。
応室内で発光素子を製造する場合を例に本発明を説明し
たが、例えば、ＭＯＣＶＤ装置に反応室を複数設け、各
製造工程ごとに別々の反応室を用いてもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
によれば、シリコン基板上に結晶性の良好な発光機能層
を形成できる。また、その駆動電圧を低減することがで
きる。
によれば、シリコン基板上に結晶性の良好な発光機能層
を形成できる。また、その駆動電圧を低減することがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態の発光素子の断面構造を示
した概略図である。
した概略図である。
【図２】本発明の実施の形態の発光素子の製造手順を説
明するためのタイムシーケンスを示した図である。
明するためのタイムシーケンスを示した図である。
【図３】本発明の実施の形態の窒化アルミニウム層にガ
リウム及びインジウムを拡散させる過程を説明するため
の概略図である。
リウム及びインジウムを拡散させる過程を説明するため
の概略図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の発光素子の断面構造
を示した概略図である。
を示した概略図である。
１ 発光素子
５ シリコン基板
６ 窒化アルミニウム層
７ 反応源供給層
８ 発光機能層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−343741（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−129923（ＪＰ，Ａ)
特開2000−277441（ＪＰ，Ａ)
特開2002−208729（ＪＰ，Ａ)
特開2001−102673（ＪＰ，Ａ)
特開2001−176804（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 21/205
H01L 21/22
Claims (10)
- 【請求項１】シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成され、ガリウムとインジウム
とを含む窒化アルミニウム層と、 前記窒化アルミニウム層上に形成され、ガリウムとイン
ジウムとを含む第１窒化物系化合物半導体層と、 前記第１窒化物系化合物半導体層上に形成され、発光機
能を有する第２窒化物系化合物半導体層と、を備える、
ことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】前記窒化アルミニウム層は、前記第１窒化
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されてい
る、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項３】前記窒化アルミニウム層は、１ｎｍ〜６ｎ
ｍの厚さに形成されている、ことを特徴とする請求項２
に記載の発光素子。 - 【請求項４】前記第１窒化物系化合物半導体層は、所定
量のガリウム及びインジウムを前記窒化アルミニウム層
に拡散可能な厚さに形成されている、ことを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子。 - 【請求項５】前記第１窒化物系化合物半導体層は、１ｎ
ｍ〜１００ｎｍの厚さに形成されている、ことを特徴と
する請求項４に記載の発光素子。 - 【請求項６】前記第１窒化物系化合物半導体層は前記第
２窒化物系化合物半導体層の一部を構成する、ことを特
徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素
子。 - 【請求項７】シリコン基板上に、窒化アルミニウム層を
形成する工程と、 前記窒化アルミニウム層上に、ガリウムとインジウムと
を含む第１窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、 前記第１窒化物系化合物半導体層からガリウムとインジ
ウムとを前記窒化アルミニウム層に拡散させる工程と、 前記第１窒化物系化合物半導体層上に、発光機能を有す
る第２窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、を備
える、ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項８】前記窒化アルミニウム層上に、ガリウムと
インジウムとを含む第１窒化物系化合物半導体層を形成
しながら、該第１窒化物系化合物半導体層からガリウム
とインジウムとを前記窒化アルミニウム層に拡散させ
る、ことを特徴とする請求項７に記載の発光素子の製造
方法。 - 【請求項９】前記窒化アルミニウム層を、前記第１窒化
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成する、こと
を特徴とする請求項７または８に記載の発光素子の製造
方法。 - 【請求項１０】前記第１窒化物系化合物半導体層を、所
定量のガリウム及びインジウムを前記窒化アルミニウム
層に拡散可能な厚さに形成する、ことを特徴とする請求
項７乃至９のいずれか１項に記載の発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008617A JP3449358B2 (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 発光素子及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001008617A JP3449358B2 (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217453A JP2002217453A (ja) | 2002-08-02 |
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ID=18876214
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001008617A Expired - Fee Related JP3449358B2 (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 発光素子及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3449358B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8796111B2 (en) | 2010-12-21 | 2014-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same |
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|---|---|---|---|---|
| JP5258285B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-08-07 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2015005534A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-08 | 学校法人立命館 | 縦型発光ダイオードおよび結晶成長方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3352712B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2002-12-03 | 浩 天野 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
| JPH09129923A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 発光素子 |
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