JPH09129923A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH09129923A JPH09129923A JP28510995A JP28510995A JPH09129923A JP H09129923 A JPH09129923 A JP H09129923A JP 28510995 A JP28510995 A JP 28510995A JP 28510995 A JP28510995 A JP 28510995A JP H09129923 A JPH09129923 A JP H09129923A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- light emitting
- layer
- type
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光素子組立工程を簡素化し、コストダウンを
図ることができる構造を有する発光素子を提供する。 【解決手段】導電性Ｓｉ基板上に形成した、一般式Ｉｎ
x Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合
物半導体を用いた発光素子において、該発光素子が、ｎ
型の導電性を有する３−５族化合物半導体上に形成され
てなる電極と、導電性Ｓｉ基板上に形成されてなる電極
とを有し、かつ該二つの電極が電気的に連結してなるこ
とを特徴とする発光素子。
図ることができる構造を有する発光素子を提供する。 【解決手段】導電性Ｓｉ基板上に形成した、一般式Ｉｎ
x Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合
物半導体を用いた発光素子において、該発光素子が、ｎ
型の導電性を有する３−５族化合物半導体上に形成され
てなる電極と、導電性Ｓｉ基板上に形成されてなる電極
とを有し、かつ該二つの電極が電気的に連結してなるこ
とを特徴とする発光素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は３−５族化合物半導
体を用いた発光素子に関する。
体を用いた発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外もしくは青色の発光ダイオード又は
紫外もしくは青色のレーザダイオード等の発光素子の材
料として一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表
される３−５族化合物半導体が知られている。該化合物
半導体は、直接遷移型であることから発光効率が高いこ
と、Ｉｎ濃度により赤色から黄、緑、青、紫、紫外線領
域までの発光波長で発光可能であることから、特に発光
素子用材料として有用である。
紫外もしくは青色のレーザダイオード等の発光素子の材
料として一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表
される３−５族化合物半導体が知られている。該化合物
半導体は、直接遷移型であることから発光効率が高いこ
と、Ｉｎ濃度により赤色から黄、緑、青、紫、紫外線領
域までの発光波長で発光可能であることから、特に発光
素子用材料として有用である。
【０００３】該化合物半導体の大型の単結晶の作製は非
常に困難であり、エピタキシャル成長用基板として利用
することができるような結晶性の優れた大面積の結晶は
得られていない。このため異なる材料の基板の上に成長
させる、いわゆるヘテロエピタキシャル成長が行なわれ
ている。これまで該化合物半導体では、サファイア基
板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板及びＺｎＯ基板上で優れた結
晶性のものが得られている。特にサファイア基板は大面
積で高品質結晶が得られ、しかも透明基板であることか
ら上記材料の中ではよく用いられている。
常に困難であり、エピタキシャル成長用基板として利用
することができるような結晶性の優れた大面積の結晶は
得られていない。このため異なる材料の基板の上に成長
させる、いわゆるヘテロエピタキシャル成長が行なわれ
ている。これまで該化合物半導体では、サファイア基
板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板及びＺｎＯ基板上で優れた結
晶性のものが得られている。特にサファイア基板は大面
積で高品質結晶が得られ、しかも透明基板であることか
ら上記材料の中ではよく用いられている。
【０００４】ところがサファイア基板は絶縁性であるた
め、化合物半導体結晶側に２つの電極を取り付けなけれ
ばならないので、ＬＥＤや半導体レーザーの組立工程が
複雑化し、しかも絶縁性基板特有の絶縁破壊の問題を生
じるため、歩留まりを高くすることができなかった。ま
た、サファイア基板は劈開性がないため、平行な端面を
形成することが難しく、半導体レーザーの作製が非常に
困難であった。一方、Ｓｉ基板は導電性を持たせること
ができるが、該化合物半導体の高品質結晶作製に必須な
バッファー層が高抵抗であるために、従来法のように基
板側をボンディングして一方の電極とすると駆動電圧が
高くなる問題が生じ、やはり化合物半導体結晶側に２つ
の電極を取り付けることが必要となり、ＬＥＤや半導体
レーザーの組立工程が複雑化するという問題があった。
め、化合物半導体結晶側に２つの電極を取り付けなけれ
ばならないので、ＬＥＤや半導体レーザーの組立工程が
複雑化し、しかも絶縁性基板特有の絶縁破壊の問題を生
じるため、歩留まりを高くすることができなかった。ま
た、サファイア基板は劈開性がないため、平行な端面を
形成することが難しく、半導体レーザーの作製が非常に
困難であった。一方、Ｓｉ基板は導電性を持たせること
ができるが、該化合物半導体の高品質結晶作製に必須な
バッファー層が高抵抗であるために、従来法のように基
板側をボンディングして一方の電極とすると駆動電圧が
高くなる問題が生じ、やはり化合物半導体結晶側に２つ
の電極を取り付けることが必要となり、ＬＥＤや半導体
レーザーの組立工程が複雑化するという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
素子組立工程を簡素化し、コストダウンを図ることがで
きる構造を有する発光素子を提供することにある。
素子組立工程を簡素化し、コストダウンを図ることがで
きる構造を有する発光素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な事情をみて鋭意検討した結果、導電性のＳｉ基板の上
に作製した３−５族化合物半導体の積層構造に、ｎ型半
導体の露出部と、導電性Ｓｉ基板の露出部を作製し、こ
れら２つの露出部それぞれにオーミック接触となる電極
１及び電極２を形成し、該電極１と該電極と２が電気的
に連結した構造となるようにすることにより、半導体表
面から基板裏面までの電流経路が形成され、半導体側か
ら１つの電極、基板側からもう１つの電極を取り出すこ
とが可能となり、この構造のＬＥＤが効率よく発光する
ことを見出し本発明に至った。
な事情をみて鋭意検討した結果、導電性のＳｉ基板の上
に作製した３−５族化合物半導体の積層構造に、ｎ型半
導体の露出部と、導電性Ｓｉ基板の露出部を作製し、こ
れら２つの露出部それぞれにオーミック接触となる電極
１及び電極２を形成し、該電極１と該電極と２が電気的
に連結した構造となるようにすることにより、半導体表
面から基板裏面までの電流経路が形成され、半導体側か
ら１つの電極、基板側からもう１つの電極を取り出すこ
とが可能となり、この構造のＬＥＤが効率よく発光する
ことを見出し本発明に至った。
【０００７】即ち、本発明は、導電性Ｓｉ基板上に形成
した、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表さ
れる３−５族化合物半導体を用いた発光素子において、
該発光素子が、ｎ型の導電性を有する３−５族化合物半
導体上に形成されてなる電極と、導電性Ｓｉ基板上に形
成されてなる電極とを有し、かつ該二つの電極が電気的
に連結してなることを特徴とする発光素子に係るもので
ある。次に、本発明を詳細に説明する。
した、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表さ
れる３−５族化合物半導体を用いた発光素子において、
該発光素子が、ｎ型の導電性を有する３−５族化合物半
導体上に形成されてなる電極と、導電性Ｓｉ基板上に形
成されてなる電極とを有し、かつ該二つの電極が電気的
に連結してなることを特徴とする発光素子に係るもので
ある。次に、本発明を詳細に説明する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における３−５族化合物半
導体とは、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体（積層構造を含む。）か
らなるものである。特に、ｐ型及びｎ型の該化合物半導
体の間に、発光層があり、この発光層がその両側で発光
層よりもバンドギャップの大きい化合物半導体で鋏まれ
た構造のものは、いわゆるダブルヘテロ接合構造と呼ば
れ、高い発光効率で発光できるため好ましい。
導体とは、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体（積層構造を含む。）か
らなるものである。特に、ｐ型及びｎ型の該化合物半導
体の間に、発光層があり、この発光層がその両側で発光
層よりもバンドギャップの大きい化合物半導体で鋏まれ
た構造のものは、いわゆるダブルヘテロ接合構造と呼ば
れ、高い発光効率で発光できるため好ましい。
【０００９】本発明の３−５族化合物半導体は、導電性
Ｓｉ基板の上に成長させて得られる。該導電性Ｓｉ基板
上にはＡｌＮ等の薄膜をバッファ層とすることで結晶性
の高い３−５族化合物半導体層を成長させることができ
る。導電性Ｓｉ基板の好ましい結晶方位は（１１１）面
である。これ以外の方位の場合、結晶性の良好な該３−
５族化合物半導体が成長できないので好ましくない。
（１１１）面からのズレ、いわゆるオフ角は５゜以下が
好ましい。５゜よりも大きなオフ角の場合には、基板上
に成長する３−５族化合物半導体の結晶品質が低下する
ので好ましくない。
Ｓｉ基板の上に成長させて得られる。該導電性Ｓｉ基板
上にはＡｌＮ等の薄膜をバッファ層とすることで結晶性
の高い３−５族化合物半導体層を成長させることができ
る。導電性Ｓｉ基板の好ましい結晶方位は（１１１）面
である。これ以外の方位の場合、結晶性の良好な該３−
５族化合物半導体が成長できないので好ましくない。
（１１１）面からのズレ、いわゆるオフ角は５゜以下が
好ましい。５゜よりも大きなオフ角の場合には、基板上
に成長する３−５族化合物半導体の結晶品質が低下する
ので好ましくない。
【００１０】本発明におけるＳｉ基板の伝導型はｎ型で
もｐ型でもどちらでも好適に利用できる。ｎ型のＳｉ基
板は、不純物としてＮ又はＰをドープしたものを好適に
用いることができる。ｎ型キャリア濃度は、１×１０18
ｃｍ-3以上が好ましく、さらに好ましくは５×１０18ｃ
ｍ-3以上である。１×１０18ｃｍ-3よりも小さい場合に
は、電極の接触抵抗が大きくなり、電流が流れにくくな
る場合があるのであまり好ましくない。ｐ型のＳｉ基板
は、不純物としてＡｌ又はＢをドープしたものを好適に
用いることができる。ｐ型キャリア濃度は、１×１０18
ｃｍ-3以上が好ましく、さらに好ましくは５×１０18ｃ
ｍ-3以上である。１×１０18ｃｍ-3よりも小さい場合に
は、電極の接触抵抗が大きくなり、電流が流れにくくな
る場合があるのであまり好ましくない。
もｐ型でもどちらでも好適に利用できる。ｎ型のＳｉ基
板は、不純物としてＮ又はＰをドープしたものを好適に
用いることができる。ｎ型キャリア濃度は、１×１０18
ｃｍ-3以上が好ましく、さらに好ましくは５×１０18ｃ
ｍ-3以上である。１×１０18ｃｍ-3よりも小さい場合に
は、電極の接触抵抗が大きくなり、電流が流れにくくな
る場合があるのであまり好ましくない。ｐ型のＳｉ基板
は、不純物としてＡｌ又はＢをドープしたものを好適に
用いることができる。ｐ型キャリア濃度は、１×１０18
ｃｍ-3以上が好ましく、さらに好ましくは５×１０18ｃ
ｍ-3以上である。１×１０18ｃｍ-3よりも小さい場合に
は、電極の接触抵抗が大きくなり、電流が流れにくくな
る場合があるのであまり好ましくない。
【００１１】本発明における３−５族化合物半導体の製
造方法としては、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥ
と記すことがある。）法、分子線エピタキシー（以下、
ＭＢＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長
（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが用いら
れる。このうちＭＯＶＰＥ法とは、常圧又は減圧中に置
かれた基板を加熱して、３族元素を含む有機金属化合物
と５族元素を含む原料を気相状態で供給して、基板上で
熱分解反応をさせ、半導体膜を成長させる方法である ＭＢＥ法とは、高真空中で３族元素単体又は３族元素を
含む有機金属化合物と５族元素を含む原料を気相状態で
供給して、基板上に成長させる方法である。ＶＰＥ法と
は、常圧又は減圧中に置かれた基板を加熱して、３族元
素単体とハロゲン元素を含む気体を反応させて３族ハロ
ゲン化物の気体を得て、これと５族元素を含む原料を気
相状態で供給して、基板上で熱分解反応をさせ、半導体
膜を成長させる方法である 以上の方法の中でも、複雑な層構成の化合物半導体を組
成、膜厚ともに精度よく作製できる方法として、ＭＯＶ
ＰＥ法、ＭＢＥ法が好ましく、大面積にわたって均一な
膜を作製できるＭＯＶＰＥ法がさらに好ましい。
造方法としては、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥ
と記すことがある。）法、分子線エピタキシー（以下、
ＭＢＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長
（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが用いら
れる。このうちＭＯＶＰＥ法とは、常圧又は減圧中に置
かれた基板を加熱して、３族元素を含む有機金属化合物
と５族元素を含む原料を気相状態で供給して、基板上で
熱分解反応をさせ、半導体膜を成長させる方法である ＭＢＥ法とは、高真空中で３族元素単体又は３族元素を
含む有機金属化合物と５族元素を含む原料を気相状態で
供給して、基板上に成長させる方法である。ＶＰＥ法と
は、常圧又は減圧中に置かれた基板を加熱して、３族元
素単体とハロゲン元素を含む気体を反応させて３族ハロ
ゲン化物の気体を得て、これと５族元素を含む原料を気
相状態で供給して、基板上で熱分解反応をさせ、半導体
膜を成長させる方法である 以上の方法の中でも、複雑な層構成の化合物半導体を組
成、膜厚ともに精度よく作製できる方法として、ＭＯＶ
ＰＥ法、ＭＢＥ法が好ましく、大面積にわたって均一な
膜を作製できるＭＯＶＰＥ法がさらに好ましい。
【００１２】ＭＯＶＰＥ法の場合、以下のような原料を
用いることができる。即ち、３族原料としては、トリメ
チルガリウム［（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、以下「ＴＭＧ」と記
すことがある。］、トリエチルガリウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 Ｇａ、以下「ＴＥＧ」と記すことがある。］等の一般
式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｇａ（ここでＲ1 、Ｒ 2 、Ｒ3 、は低級
アルキル基を示す。）で表されるトリアルキルガリウ
ム；トリメチルアルミニウム［（ＣＨ3 ）3 Ａｌ］、ト
リエチルアルミニウム［（Ｃ2 Ｈ 5 ）3 Ａｌ、以下「Ｔ
ＥＡ」と記すことがある。］、トリイソブチルアルミニ
ウム［（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ａｌ］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ
3 Ａｌ（ここでＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、は低級アルキル基を
示す。）で表されるトリアルキルアルミニウム；トリメ
チルアミンアラン［（ＣＨ3 ）3 Ｎ：ＡｌＨ3 ］；トリ
メチルインジウム［（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、 以下「ＴＭ
Ｉ」と記すことがある。］、トリエチルインジウム
［（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｉｎ］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉｎ
（ここでＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、は低級アルキル基を示
す。）で表されるトリアルキルインジウム等が挙げられ
る。これらは単独又は混合して用いられる。次に５族原
料としては、アンモニア、ヒドラジン、メチルヒドラジ
ン、１，１−ジメチルヒドラジン、１，２−ジメチルヒ
ドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが
挙げられる。これらは単独又は混合して用いられる。こ
れらの原料のうち、アンモニアとヒドラジンは分子中に
炭素原子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が少
なく好適である。該３−５族化合物半導体のｎ型ドーパ
ントとしては、４族元素と６族元素が好ましい。具体的
にはＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅが挙げられるが、この中
では低抵抗のｎ型がつくりやすく、原料純度の高いもの
が得られるＳｉが好ましい。Ｓｉドーパントの原料とし
ては、シラン（ＳｉＨ4 ）、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）な
どが好適である。 該３−５族化合物半導体のｐ型ドー
パントとしては、２族元素が好ましい。具体的にはＭ
ｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂｅが挙げられるが、このなか
では低抵抗のｐ型がつくりやすいＭｇが好ましい。Ｍｇ
ドーパントの原料としては、ビスシクロペンタジエニル
マグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネ
シウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、ビス−ｎ−プロピルシクロペンタジエニルマグネシ
ウム、ビス−ｉ−プロピルシクロペンタジエニルマグネ
シウム等の一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ（ただし、Ｒは
水素原子又は炭素原子数１以上４以下の低級アルキル基
を示す。）で表される有機金属化合物が適当な蒸気圧を
有するために好適である。
用いることができる。即ち、３族原料としては、トリメ
チルガリウム［（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、以下「ＴＭＧ」と記
すことがある。］、トリエチルガリウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 Ｇａ、以下「ＴＥＧ」と記すことがある。］等の一般
式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｇａ（ここでＲ1 、Ｒ 2 、Ｒ3 、は低級
アルキル基を示す。）で表されるトリアルキルガリウ
ム；トリメチルアルミニウム［（ＣＨ3 ）3 Ａｌ］、ト
リエチルアルミニウム［（Ｃ2 Ｈ 5 ）3 Ａｌ、以下「Ｔ
ＥＡ」と記すことがある。］、トリイソブチルアルミニ
ウム［（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ａｌ］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ
3 Ａｌ（ここでＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、は低級アルキル基を
示す。）で表されるトリアルキルアルミニウム；トリメ
チルアミンアラン［（ＣＨ3 ）3 Ｎ：ＡｌＨ3 ］；トリ
メチルインジウム［（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、 以下「ＴＭ
Ｉ」と記すことがある。］、トリエチルインジウム
［（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｉｎ］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉｎ
（ここでＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、は低級アルキル基を示
す。）で表されるトリアルキルインジウム等が挙げられ
る。これらは単独又は混合して用いられる。次に５族原
料としては、アンモニア、ヒドラジン、メチルヒドラジ
ン、１，１−ジメチルヒドラジン、１，２−ジメチルヒ
ドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが
挙げられる。これらは単独又は混合して用いられる。こ
れらの原料のうち、アンモニアとヒドラジンは分子中に
炭素原子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が少
なく好適である。該３−５族化合物半導体のｎ型ドーパ
ントとしては、４族元素と６族元素が好ましい。具体的
にはＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅが挙げられるが、この中
では低抵抗のｎ型がつくりやすく、原料純度の高いもの
が得られるＳｉが好ましい。Ｓｉドーパントの原料とし
ては、シラン（ＳｉＨ4 ）、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）な
どが好適である。 該３−５族化合物半導体のｐ型ドー
パントとしては、２族元素が好ましい。具体的にはＭ
ｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂｅが挙げられるが、このなか
では低抵抗のｐ型がつくりやすいＭｇが好ましい。Ｍｇ
ドーパントの原料としては、ビスシクロペンタジエニル
マグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネ
シウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、ビス−ｎ−プロピルシクロペンタジエニルマグネシ
ウム、ビス−ｉ−プロピルシクロペンタジエニルマグネ
シウム等の一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ（ただし、Ｒは
水素原子又は炭素原子数１以上４以下の低級アルキル基
を示す。）で表される有機金属化合物が適当な蒸気圧を
有するために好適である。
【００１３】次に、本発明の発光素子における電極の作
製方法について説明する。まず、導電性Ｓｉ基板上に３
−５族化合物半導体の積層構造を形成し、次にｎ型層の
露出部と導電性Ｓｉ基板の露出部を形成し、該露出部上
に電極を形成する。該化合物半導体のｎ型層の露出部及
びＳｉ基板の露出部を形成させる方法としては、２回の
エッチングを行なう方法、選択成長と１回のエッチング
を行なう方法、２回の選択成長を行う方法がある。図１
に２回のエッチングを行ないＬＥＤを作製する方法を、
図２に選択成長と１回のエッチングを行ないＬＥＤを作
製する方法を示す。
製方法について説明する。まず、導電性Ｓｉ基板上に３
−５族化合物半導体の積層構造を形成し、次にｎ型層の
露出部と導電性Ｓｉ基板の露出部を形成し、該露出部上
に電極を形成する。該化合物半導体のｎ型層の露出部及
びＳｉ基板の露出部を形成させる方法としては、２回の
エッチングを行なう方法、選択成長と１回のエッチング
を行なう方法、２回の選択成長を行う方法がある。図１
に２回のエッチングを行ないＬＥＤを作製する方法を、
図２に選択成長と１回のエッチングを行ないＬＥＤを作
製する方法を示す。
【００１４】まず、図１に基づいて、２回のエッチング
を行ないＬＥＤを作製する方法を説明する。該化合物半
導体の成長においては、成長の容易さから通常ｎ型層を
まず成長し、その上に発光素子の積層構造を成長するこ
とが行われる。導電性Ｓｉ基板５の上に、バッファー層
４を介して、ｎ型層３、発光層２、ｐ型層１からなる化
合物半導体を作製する（Ａ）。次に、ｐ型層１の上に、
通常のフォトリソグラフィーの方法で、マスクパターン
６を形成し（Ｂ）、このマスクを用いて化合物半導体の
積層構造をエッチングし、ｎ型層の露出部７を形成する
（Ｃ）。該化合物半導体のエッチング方法としては、ド
ライエッチングとウエットエッチングがある。ドライエ
ッチングは大きなエッチングレートが得られることか
ら、プロセス時間を短くすることが可能であるため有用
である。しかし、ドライエッチングではエッチング後の
表面がダメージを受けて、導電性が劣化している場合が
ある。このような場合にはウェットエッチング又はアニ
ール処理等によりダメージを取り除くことが必要であ
る。
を行ないＬＥＤを作製する方法を説明する。該化合物半
導体の成長においては、成長の容易さから通常ｎ型層を
まず成長し、その上に発光素子の積層構造を成長するこ
とが行われる。導電性Ｓｉ基板５の上に、バッファー層
４を介して、ｎ型層３、発光層２、ｐ型層１からなる化
合物半導体を作製する（Ａ）。次に、ｐ型層１の上に、
通常のフォトリソグラフィーの方法で、マスクパターン
６を形成し（Ｂ）、このマスクを用いて化合物半導体の
積層構造をエッチングし、ｎ型層の露出部７を形成する
（Ｃ）。該化合物半導体のエッチング方法としては、ド
ライエッチングとウエットエッチングがある。ドライエ
ッチングは大きなエッチングレートが得られることか
ら、プロセス時間を短くすることが可能であるため有用
である。しかし、ドライエッチングではエッチング後の
表面がダメージを受けて、導電性が劣化している場合が
ある。このような場合にはウェットエッチング又はアニ
ール処理等によりダメージを取り除くことが必要であ
る。
【００１５】ウエットエッチングでは、エッチングダメ
ージが発生しないので、ダメージ処理工程が不要になる
メリットがあるが、一般に該化合物半導体は化学的に極
めて安定なため、強い酸又はアルカリが必要で、フォト
レジストをマスクとして使用できないため、マスクとし
てはＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等を利用する。このためマス
ク作製の工程がドライエッチングの場合に比べて増え
る。また、ウエットエッチングのエッチングレートは大
きくできないためプロセス時間が長くなる。したがって
ドライエッチングの方が工程短縮の意味からは好まし
い。次に、同様の方法で２回目のエッチングを行ない
（（Ｄ）及び（Ｅ））、導電性Ｓｉ基板の露出部９を形
成する（Ｅ）。
ージが発生しないので、ダメージ処理工程が不要になる
メリットがあるが、一般に該化合物半導体は化学的に極
めて安定なため、強い酸又はアルカリが必要で、フォト
レジストをマスクとして使用できないため、マスクとし
てはＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等を利用する。このためマス
ク作製の工程がドライエッチングの場合に比べて増え
る。また、ウエットエッチングのエッチングレートは大
きくできないためプロセス時間が長くなる。したがって
ドライエッチングの方が工程短縮の意味からは好まし
い。次に、同様の方法で２回目のエッチングを行ない
（（Ｄ）及び（Ｅ））、導電性Ｓｉ基板の露出部９を形
成する（Ｅ）。
【００１６】次に、ｎ型半導体の露出部７の上に、通常
のフォトリソグラフィーの方法を用いて、フォトレジス
トによるマスクパターンを作製し、これを用いて電極１
０−１を形成する（Ｆ）。ｎ型の該化合物半導体に対し
て電流注入特性がよく、いわゆるオーミック電極として
利用できるものとして、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ−Ａｌ合金が
挙げられる。これらのなかでも、特別な熱処理を行なわ
なくてもオーミック接触が得られ、耐熱性が高いＡｌが
好ましい。電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などがあるが、半導体表面のダメージがな
く、膜厚制御性のよい、真空蒸着法が好ましい。
のフォトリソグラフィーの方法を用いて、フォトレジス
トによるマスクパターンを作製し、これを用いて電極１
０−１を形成する（Ｆ）。ｎ型の該化合物半導体に対し
て電流注入特性がよく、いわゆるオーミック電極として
利用できるものとして、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ−Ａｌ合金が
挙げられる。これらのなかでも、特別な熱処理を行なわ
なくてもオーミック接触が得られ、耐熱性が高いＡｌが
好ましい。電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などがあるが、半導体表面のダメージがな
く、膜厚制御性のよい、真空蒸着法が好ましい。
【００１７】同様の方法で、導電性Ｓｉ基板の露出部９
の上に、導電性Ｓｉ基板に対して電流注入特性のよい電
極材料を用いて、電極１０−２を形成する（Ｆ）。ｎ型
の導電性を示すＳｉ基板に対するオーミック電極材料と
してはＡｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＴｉＮ等を好適に用い
ることができる。ｐ型の導電性を示すＳｉ基板に対する
オーミック電極材料としてはＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等を好適
に用いることができる。導電性Ｓｉ基板の露出部に形成
する電極１０−２と、ｎ型半導体露出部に形成する電極
１０−１は、電気的に連結していることが必要である。
連結していないと、電流経路が形成されず、本発明の効
果が得られないので好ましくない。なお導電性Ｓｉ基板
露出部に形成する電極１０−２と、ｎ型半導体露出部に
形成する電極１０−１の作製順序は、上記説明と逆であ
ってもかまわない。また、ｎ型半導体露出部に形成する
電極１０−１の材料と導電性Ｓｉ基板の露出部に形成す
る電極１０−２の材料とが同一のものを利用できる場合
には、両電極を同時に形成できる。
の上に、導電性Ｓｉ基板に対して電流注入特性のよい電
極材料を用いて、電極１０−２を形成する（Ｆ）。ｎ型
の導電性を示すＳｉ基板に対するオーミック電極材料と
してはＡｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＴｉＮ等を好適に用い
ることができる。ｐ型の導電性を示すＳｉ基板に対する
オーミック電極材料としてはＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等を好適
に用いることができる。導電性Ｓｉ基板の露出部に形成
する電極１０−２と、ｎ型半導体露出部に形成する電極
１０−１は、電気的に連結していることが必要である。
連結していないと、電流経路が形成されず、本発明の効
果が得られないので好ましくない。なお導電性Ｓｉ基板
露出部に形成する電極１０−２と、ｎ型半導体露出部に
形成する電極１０−１の作製順序は、上記説明と逆であ
ってもかまわない。また、ｎ型半導体露出部に形成する
電極１０−１の材料と導電性Ｓｉ基板の露出部に形成す
る電極１０−２の材料とが同一のものを利用できる場合
には、両電極を同時に形成できる。
【００１８】次に、ｐ型半導体表面に、電極１１を形成
する（Ｇ）。ｐ型の該化合物半導体に対して電流注入特
性のよい、いわゆるオーミック電極とし利用できるもの
として、Ｍｇ−Ａｕ合金、Ｍｇ−Ａｕ−Ｚｎ合金、Ｚｎ
−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金等が挙げられる。形成した
電極は、熱処理を行なうことによってさらに電流注入特
性を向上できる場合がある。Ｎｉ−Ａｕ合金の場合、熱
処理温度は２００℃以上６００℃以下である。Ｍｇ−Ａ
ｕ合金の場合、熱処理温度は６００℃以上９００℃以下
である。熱処理温度が上記範囲を外れると、電流注入特
性が向上しないので好ましくない。
する（Ｇ）。ｐ型の該化合物半導体に対して電流注入特
性のよい、いわゆるオーミック電極とし利用できるもの
として、Ｍｇ−Ａｕ合金、Ｍｇ−Ａｕ−Ｚｎ合金、Ｚｎ
−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金等が挙げられる。形成した
電極は、熱処理を行なうことによってさらに電流注入特
性を向上できる場合がある。Ｎｉ−Ａｕ合金の場合、熱
処理温度は２００℃以上６００℃以下である。Ｍｇ−Ａ
ｕ合金の場合、熱処理温度は６００℃以上９００℃以下
である。熱処理温度が上記範囲を外れると、電流注入特
性が向上しないので好ましくない。
【００１９】上記ｐ電極１１用の材料は、ｐ型層との密
着性が充分でなくワイヤーボンディング工程で剥がれる
場合がある。この場合には、ｐ型層と密着性の良い材料
でボンディング用パッド部１１’を形成すればよい
（Ｇ）。ｐ型層と密着性の良い材料としてＡｌが好適に
利用できる。なお、ｐ型半導体上に形成する電極１１の
熱処理温度によっては、ｎ型半導体露出部上に形成した
電極１０−１、又は導電性Ｓｉ基板露出部に形成した電
極１０−２がボールアップを起こして島状化し、電極と
して利用できなくなる場合がある。この場合には、ｐ型
半導体上の電極１１をまず形成し、熱処理を行なったあ
とで、他の電極を形成すればよい。次に、導電性Ｓｉ基
板の裏面全面に、電極１２を形成する（Ｇ）。電極材料
は、前述の導電性Ｓｉ基板露出部に作製した電極と同じ
ものが利用できる。
着性が充分でなくワイヤーボンディング工程で剥がれる
場合がある。この場合には、ｐ型層と密着性の良い材料
でボンディング用パッド部１１’を形成すればよい
（Ｇ）。ｐ型層と密着性の良い材料としてＡｌが好適に
利用できる。なお、ｐ型半導体上に形成する電極１１の
熱処理温度によっては、ｎ型半導体露出部上に形成した
電極１０−１、又は導電性Ｓｉ基板露出部に形成した電
極１０−２がボールアップを起こして島状化し、電極と
して利用できなくなる場合がある。この場合には、ｐ型
半導体上の電極１１をまず形成し、熱処理を行なったあ
とで、他の電極を形成すればよい。次に、導電性Ｓｉ基
板の裏面全面に、電極１２を形成する（Ｇ）。電極材料
は、前述の導電性Ｓｉ基板露出部に作製した電極と同じ
ものが利用できる。
【００２０】ｐ電極１１、ｎ電極１２、及びｎ型半導体
露出部上に形成した電極１０−１とこれに連結した導電
性Ｓｉ基板露出部上に形成した電極１０−２が形成され
た基板は、次にＬＥＤのチップに分割される。分割は、
導電性Ｓｉ基板の結晶方位（１１１）の劈開性を利用し
て、公知の方法により、具体的にはダイシングもしくは
スクライビング又は両者の組み合わせによって行なう。
ダイシングとはダイシングソーを用いて基板に切れ込み
を入れ、この切れ込みを利用して割る方法である。ダイ
シングは基板の劈開方向以外の任意の方向に分割できる
が、ダイシングソーの幅分の切りしろが必要なため１枚
の基板から取り出せるチップの数がスクライビングより
も少なくなる。また、ダイシングダメージも発生するの
でダメージ除去工程が必要な場合がある。スクライビン
グとは基板の劈開性を利用して、ダイヤモンド等で劈開
方向に傷を入れ、この傷を起点にして基板を劈開する方
法である。基板を劈開性のある方向の分割しかできない
が、ダイシングに比べて切りしろ幅が小さくできるので
１枚の基板から取り出せるチップの数を多くでき、ダメ
ージが入りにくく、平滑な端面が得られる等の特徴があ
る。
露出部上に形成した電極１０−１とこれに連結した導電
性Ｓｉ基板露出部上に形成した電極１０−２が形成され
た基板は、次にＬＥＤのチップに分割される。分割は、
導電性Ｓｉ基板の結晶方位（１１１）の劈開性を利用し
て、公知の方法により、具体的にはダイシングもしくは
スクライビング又は両者の組み合わせによって行なう。
ダイシングとはダイシングソーを用いて基板に切れ込み
を入れ、この切れ込みを利用して割る方法である。ダイ
シングは基板の劈開方向以外の任意の方向に分割できる
が、ダイシングソーの幅分の切りしろが必要なため１枚
の基板から取り出せるチップの数がスクライビングより
も少なくなる。また、ダイシングダメージも発生するの
でダメージ除去工程が必要な場合がある。スクライビン
グとは基板の劈開性を利用して、ダイヤモンド等で劈開
方向に傷を入れ、この傷を起点にして基板を劈開する方
法である。基板を劈開性のある方向の分割しかできない
が、ダイシングに比べて切りしろ幅が小さくできるので
１枚の基板から取り出せるチップの数を多くでき、ダメ
ージが入りにくく、平滑な端面が得られる等の特徴があ
る。
【００２１】次に、ＬＥＤのチップを、通常用いられる
反射カップ付きＬＥＤ用リードフレームに基板が下にな
るように固定する（Ｇ）。固定は、Ａｇペーストを用い
たダイボンディングにより行なう。次に、ボンディング
用パッド１１’ともう一方のリードフレームとをワイヤ
ーボンディングによりリード線で接続する（Ｇ）。これ
により片方のリードフレームから、ＬＥＤチップを通し
て、もう一方のリードフレームへと電流経路が形成され
る。半導体側からの１個のワイヤーボンディングと、基
板裏面のダイボンディングによりチップとリードフレー
ムが固定されているので、従来のＬＥＤ組立プロセスを
変更することなくＬＥＤが作製できる。ＬＥＤチップが
固定されたリードフレームに樹脂モールドを行い、ＬＥ
Ｄランプが作製される。
反射カップ付きＬＥＤ用リードフレームに基板が下にな
るように固定する（Ｇ）。固定は、Ａｇペーストを用い
たダイボンディングにより行なう。次に、ボンディング
用パッド１１’ともう一方のリードフレームとをワイヤ
ーボンディングによりリード線で接続する（Ｇ）。これ
により片方のリードフレームから、ＬＥＤチップを通し
て、もう一方のリードフレームへと電流経路が形成され
る。半導体側からの１個のワイヤーボンディングと、基
板裏面のダイボンディングによりチップとリードフレー
ムが固定されているので、従来のＬＥＤ組立プロセスを
変更することなくＬＥＤが作製できる。ＬＥＤチップが
固定されたリードフレームに樹脂モールドを行い、ＬＥ
Ｄランプが作製される。
【００２２】次に、選択成長と１回のエッチングを行な
いＬＥＤを作製する方法を図２を用いて説明する。ま
ず、導電性Ｓｉ基板５に、マスク１５を形成する
（Ａ）。マスク材料は、該化合物半導体の成長プロセス
に耐える熱的、化学的に安定なものであり、なおかつフ
ォトリソグラフィーの方法で微細なマスクパターンが容
易に形成できるものが必要である。このような材料とし
てＳｉＯ2 が好適に利用できる。
いＬＥＤを作製する方法を図２を用いて説明する。ま
ず、導電性Ｓｉ基板５に、マスク１５を形成する
（Ａ）。マスク材料は、該化合物半導体の成長プロセス
に耐える熱的、化学的に安定なものであり、なおかつフ
ォトリソグラフィーの方法で微細なマスクパターンが容
易に形成できるものが必要である。このような材料とし
てＳｉＯ2 が好適に利用できる。
【００２３】次に、例えばＳｉＯ2 マスクの形成された
基板上に、化合物半導体の積層構造を成長させる
（Ｂ）。このとき、ＳｉＯ2 マスクの上には化合物半導
体は成長せず、ＳｉＯ2 マスクのない部分のみに化合物
半導体は成長する。成長後、フッ酸等を用いてＳｉＯ2
マスクを取り除くことにより、導電性Ｓｉ基板の露出部
９が形成される（Ｃ）。
基板上に、化合物半導体の積層構造を成長させる
（Ｂ）。このとき、ＳｉＯ2 マスクの上には化合物半導
体は成長せず、ＳｉＯ2 マスクのない部分のみに化合物
半導体は成長する。成長後、フッ酸等を用いてＳｉＯ2
マスクを取り除くことにより、導電性Ｓｉ基板の露出部
９が形成される（Ｃ）。
【００２４】次に、化合物半導体の積層構造の上に、通
常のフォトリソグラフィーの方法により、フォトレジス
トパターンを形成し、これをマスクにして、エッチング
を行ない、ｎ型半導体の露出部７を形成する（Ｄ）。以
下は先に述べた方法によりＬＥＤを作製する。すなわ
ち、上記２つの露出部に電極１０−１と１０−２を、互
いに電気的に連結するように形成し（Ｅ）、つづいてｐ
電極１１、ｐ電極パッド部１１’、基板裏面にｎ電極１
２を形成したのち、通常のＬＥＤ組立方法に従い、基板
を分割し、チップをＬＥＤ用ステムに基板裏面のダイボ
ンディングと１個のワイヤーボンディングにより固定
し、ＬＥＤを作製する（Ｆ）。
常のフォトリソグラフィーの方法により、フォトレジス
トパターンを形成し、これをマスクにして、エッチング
を行ない、ｎ型半導体の露出部７を形成する（Ｄ）。以
下は先に述べた方法によりＬＥＤを作製する。すなわ
ち、上記２つの露出部に電極１０−１と１０−２を、互
いに電気的に連結するように形成し（Ｅ）、つづいてｐ
電極１１、ｐ電極パッド部１１’、基板裏面にｎ電極１
２を形成したのち、通常のＬＥＤ組立方法に従い、基板
を分割し、チップをＬＥＤ用ステムに基板裏面のダイボ
ンディングと１個のワイヤーボンディングにより固定
し、ＬＥＤを作製する（Ｆ）。
【００２５】本発明におけるｎ型化合物半導体の露出部
と導電性Ｓｉ基板の露出部を連結する電極１０（ｎ型半
導体上の電極１０−１と導電性Ｓｉ基板上の電極１０−
２が連結してなる電極）及びｐ電極１１のパターンに関
しては、図３の（Ａ）と（Ｂ）に例示する構造（平面
図）のものを用いることができる。図１、２に示した構
造の発光素子では、発光は主にｐ電極１１を通して取り
出すため、ｐ電極１１の膜厚を薄くすることが好まし
い。この場合、発光部はｐ電極部１１とほぼ一致する。
従って、輝度を大きくするためには、ｐ電極部面積を大
きくすることが望ましい。図４に示す従来の電極パター
ンでは、半導体側から２つの電極を取り出すために、発
光部分の面積を大きくすることが困難であったが、本発
明の発光素子を用いると、半導体側から１個の電極を取
り出すだけなので、ｐ電極面積を大きくすることがで
き、輝度を向上させることができる。本発明におけるｎ
型化合物半導体の露出部とｎ型のＳｉ基板の露出部を連
結する電極１０はｐ電極部での発光を均一にするため
に、ｐ電極の周囲にあることが望ましいが、周囲の一部
のみにあってもよい。
と導電性Ｓｉ基板の露出部を連結する電極１０（ｎ型半
導体上の電極１０−１と導電性Ｓｉ基板上の電極１０−
２が連結してなる電極）及びｐ電極１１のパターンに関
しては、図３の（Ａ）と（Ｂ）に例示する構造（平面
図）のものを用いることができる。図１、２に示した構
造の発光素子では、発光は主にｐ電極１１を通して取り
出すため、ｐ電極１１の膜厚を薄くすることが好まし
い。この場合、発光部はｐ電極部１１とほぼ一致する。
従って、輝度を大きくするためには、ｐ電極部面積を大
きくすることが望ましい。図４に示す従来の電極パター
ンでは、半導体側から２つの電極を取り出すために、発
光部分の面積を大きくすることが困難であったが、本発
明の発光素子を用いると、半導体側から１個の電極を取
り出すだけなので、ｐ電極面積を大きくすることがで
き、輝度を向上させることができる。本発明におけるｎ
型化合物半導体の露出部とｎ型のＳｉ基板の露出部を連
結する電極１０はｐ電極部での発光を均一にするため
に、ｐ電極の周囲にあることが望ましいが、周囲の一部
のみにあってもよい。
【００２６】本発明における導電性Ｓｉ基板を使用する
場合、発光層２から出る光のうち、基板側に出る光は基
板で吸収されて、有効に外部に取り出せない場合があ
る。このような場合には発光層２と基板５の間に、いわ
ゆるブラッグ反射層を設けることにより、基板側に出る
光を有効に反射させ外部に取り出す効率を高めることが
可能である。ブラッグ反射層とは、屈折率の異なる２種
類の材料を繰り返し積層した構造であって、各層の厚み
がλ／４ｎ1 、λ／４ｎ2 （ただしλは発光波長、
ｎ1 、ｎ2 は各層の屈折率）になるように調整されたも
のである。このような反射層を構成する材料として、Ａ
ｌＮ、ＧａＮ、Ｇａy Ａｌ1-y Ｎ（ただし、０＜ｙ＜
１）を利用することができる。
場合、発光層２から出る光のうち、基板側に出る光は基
板で吸収されて、有効に外部に取り出せない場合があ
る。このような場合には発光層２と基板５の間に、いわ
ゆるブラッグ反射層を設けることにより、基板側に出る
光を有効に反射させ外部に取り出す効率を高めることが
可能である。ブラッグ反射層とは、屈折率の異なる２種
類の材料を繰り返し積層した構造であって、各層の厚み
がλ／４ｎ1 、λ／４ｎ2 （ただしλは発光波長、
ｎ1 、ｎ2 は各層の屈折率）になるように調整されたも
のである。このような反射層を構成する材料として、Ａ
ｌＮ、ＧａＮ、Ｇａy Ａｌ1-y Ｎ（ただし、０＜ｙ＜
１）を利用することができる。
【００２７】本発明の発光素子における３−５族化合物
半導体の積層構造としては、ｎ型の層３及びｐ型の層１
を有し、発光層２が両層の間にあり、発光層の両側が発
光層よりも大きなバンドギャップの２つの層で接してい
るいわゆるダブルヘテロ構造となっているものが挙げら
れる。該ダブルヘテロ構造は注入電荷を発光層に閉じ込
める効果があるため、発光効率を高くできるので有用で
ある。該３−５族化合物半導体を用いて作製した発光素
子においては、基板５との格子不整合を緩和させるため
に、バッファー層４をまず成長し、次に成長の容易さか
ら通常ｎ型の層３を成長し、その上方に発光層２、さら
に発光層の上方にｐ型層１を成長する。ＬＥＤ等の発光
素子の基本的構造としては、ｎ型層３、発光層２及びｐ
型層の１で充分であるが、発光層とｎ型層及び／又はｐ
型層の間にノンドープ層又は低濃度ドープ層をおくこと
により発光効率を向上できる場合がある。
半導体の積層構造としては、ｎ型の層３及びｐ型の層１
を有し、発光層２が両層の間にあり、発光層の両側が発
光層よりも大きなバンドギャップの２つの層で接してい
るいわゆるダブルヘテロ構造となっているものが挙げら
れる。該ダブルヘテロ構造は注入電荷を発光層に閉じ込
める効果があるため、発光効率を高くできるので有用で
ある。該３−５族化合物半導体を用いて作製した発光素
子においては、基板５との格子不整合を緩和させるため
に、バッファー層４をまず成長し、次に成長の容易さか
ら通常ｎ型の層３を成長し、その上方に発光層２、さら
に発光層の上方にｐ型層１を成長する。ＬＥＤ等の発光
素子の基本的構造としては、ｎ型層３、発光層２及びｐ
型層の１で充分であるが、発光層とｎ型層及び／又はｐ
型層の間にノンドープ層又は低濃度ドープ層をおくこと
により発光効率を向上できる場合がある。
【００２８】本発明のダブルヘテロ構造の発光素子にお
いて、効率良く発光層に電荷を閉じ込めるためには、発
光層に接する２つの層のバンドギャップは発光層のバン
ドギャップより０．１ｅＶ以上大きいことが好ましい。
さらに好ましくは０．３ｅＶ以上である。
いて、効率良く発光層に電荷を閉じ込めるためには、発
光層に接する２つの層のバンドギャップは発光層のバン
ドギャップより０．１ｅＶ以上大きいことが好ましい。
さらに好ましくは０．３ｅＶ以上である。
【００２９】本発明における３−５族化合物半導体の格
子定数は、組成により大きく変化する。とくにＩｎＮの
格子定数はＧａＮ又はＡｌＮに対して約１２％又はそれ
以上大きい。このため、該化合物半導体の各層の組成に
よっては、層と層との間の格子定数に大きな差が生じる
ことがある。大きな格子不整合がある場合、結晶に欠陥
が生じる場合があり、結晶品質を低下させる原因とな
る。格子不整合による欠陥の発生を抑えるためには、格
子不整合による歪みの大きさに応じて層の厚さを小さく
しなければならない。好ましい厚さの範囲は歪みの大き
さに依存する。本発明における発光層の好ましい厚さは
５Å以上５００Å以下であり、さらに好ましい厚さの範
囲は５Å以上９０Å以下である。Ｉｎを含む層の厚さが
５Åより小さい場合、発光効率があまり充分でなく、５
００Åより大きい場合、欠陥が発生しやはり発光効率が
あまり充分でないので好ましくない。
子定数は、組成により大きく変化する。とくにＩｎＮの
格子定数はＧａＮ又はＡｌＮに対して約１２％又はそれ
以上大きい。このため、該化合物半導体の各層の組成に
よっては、層と層との間の格子定数に大きな差が生じる
ことがある。大きな格子不整合がある場合、結晶に欠陥
が生じる場合があり、結晶品質を低下させる原因とな
る。格子不整合による欠陥の発生を抑えるためには、格
子不整合による歪みの大きさに応じて層の厚さを小さく
しなければならない。好ましい厚さの範囲は歪みの大き
さに依存する。本発明における発光層の好ましい厚さは
５Å以上５００Å以下であり、さらに好ましい厚さの範
囲は５Å以上９０Å以下である。Ｉｎを含む層の厚さが
５Åより小さい場合、発光効率があまり充分でなく、５
００Åより大きい場合、欠陥が発生しやはり発光効率が
あまり充分でないので好ましくない。
【００３０】また、発光層の厚みを小さくすることで、
電荷を高密度に発光層に閉じ込めることができるため、
発光効率を向上させることができる。このため、格子定
数の差が上記の例よりも小さい場合でも、発光層の厚さ
は上記の例と同様にすることが好ましい。発光層は、発
光層として機能する複数の層からなる層であってもよ
い。具体的に、複数の層からなる層が発光層として機能
する例としては、２つ以上の発光層がこれよりバンドギ
ャップの大きい層と積層されている構造が挙げられる。
電荷を高密度に発光層に閉じ込めることができるため、
発光効率を向上させることができる。このため、格子定
数の差が上記の例よりも小さい場合でも、発光層の厚さ
は上記の例と同様にすることが好ましい。発光層は、発
光層として機能する複数の層からなる層であってもよ
い。具体的に、複数の層からなる層が発光層として機能
する例としては、２つ以上の発光層がこれよりバンドギ
ャップの大きい層と積層されている構造が挙げられる。
【００３１】本発明の発光素子に用いられる発光層とし
ては、Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１、０．１０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表
される３−５族化合物半導体がバンドギャップを可視部
にできるため表示用途に特に有用である。ここで、前記
の一般式の化合物半導体を、以下ＩｎＮ混晶比が１０％
以上の化合物半導体と呼ぶ場合がある。これに準じて、
ＧａＮ混晶比、ＡｌＮ混晶比という表記を行なう場合が
ある。発光層に用いる化合物半導体として、Ａｌを含む
ものはＯ等の不純物を取り込みやすく、発光素子の発光
効率が下がる場合がある。このような場合には、発光層
としては、Ａｌを含まない一般式Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
だし、０＜ｘ≦１）で表されるものを利用することがで
きる。
ては、Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１、０．１０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表
される３−５族化合物半導体がバンドギャップを可視部
にできるため表示用途に特に有用である。ここで、前記
の一般式の化合物半導体を、以下ＩｎＮ混晶比が１０％
以上の化合物半導体と呼ぶ場合がある。これに準じて、
ＧａＮ混晶比、ＡｌＮ混晶比という表記を行なう場合が
ある。発光層に用いる化合物半導体として、Ａｌを含む
ものはＯ等の不純物を取り込みやすく、発光素子の発光
効率が下がる場合がある。このような場合には、発光層
としては、Ａｌを含まない一般式Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
だし、０＜ｘ≦１）で表されるものを利用することがで
きる。
【００３２】発光層に不純物をドープすることで、発光
層のバンドギャップとは異なる波長で発光させることが
できる。これは不純物からの発光であるため、不純物発
光と呼ばれる。不純物発光の場合、発光波長は発光層の
３族元素の組成と不純物元素により決まる。この場合、
発光層のＩｎＮ混晶比は５％以上が好ましい。ＩｎＮ混
晶比が５％より小さい場合、発光する光はほとんど紫外
線であり、充分な明るさを感じることができない。Ｉｎ
Ｎ混晶比を増やすにつれて発光波長が長くなり、発光波
長を紫から青、緑へと調整できる。不純物発光に適した
不純物としては、２族元素が好ましい。２族元素のなか
では、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄをドープした場合、発光効率が
高いので好適である。とくにＺｎが好ましい。これらの
元素の濃度は、１０18〜１０22ｃｍ-3が好ましい。発光
層はこれらの２族元素とともにＳｉ又はＧｅを同時にド
ープしてもよい。Ｓｉ、Ｇｅの好ましい濃度範囲は１０
18〜１０22ｃｍ-3である。
層のバンドギャップとは異なる波長で発光させることが
できる。これは不純物からの発光であるため、不純物発
光と呼ばれる。不純物発光の場合、発光波長は発光層の
３族元素の組成と不純物元素により決まる。この場合、
発光層のＩｎＮ混晶比は５％以上が好ましい。ＩｎＮ混
晶比が５％より小さい場合、発光する光はほとんど紫外
線であり、充分な明るさを感じることができない。Ｉｎ
Ｎ混晶比を増やすにつれて発光波長が長くなり、発光波
長を紫から青、緑へと調整できる。不純物発光に適した
不純物としては、２族元素が好ましい。２族元素のなか
では、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄをドープした場合、発光効率が
高いので好適である。とくにＺｎが好ましい。これらの
元素の濃度は、１０18〜１０22ｃｍ-3が好ましい。発光
層はこれらの２族元素とともにＳｉ又はＧｅを同時にド
ープしてもよい。Ｓｉ、Ｇｅの好ましい濃度範囲は１０
18〜１０22ｃｍ-3である。
【００３３】不純物発光の場合、一般に発光スペクトル
がブロードになり、注入電荷量が増すにつれて発光スペ
クトルがシフトしたり、バンド端発光のピークが現われ
てくるなど好ましくない発光特性を有しており、また発
光効率を高くすることが難しい。このため、高い色純度
が要求される場合や狭い波長範囲に発光パワーを集中さ
せることが必要な場合、又は高い発光効率の素子が必要
な場合にはバンド端発光を利用する方が有利である。バ
ンド端発光による発光素子を実現するためには、発光層
に含まれる不純物の量を低く抑えなければならない。具
体的には、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃｄ及びＺｎの各元素に
ついて、いずれもその濃度が１０19ｃｍ -3以下が好まし
い。さらに好ましくは１０18ｃｍ-3以下である。バンド
端発光の場合、発光色は発光層の３族元素の組成で決ま
る。可視部で発光させる場合、ＩｎＮ混晶比は１０％以
上が好ましい。ＩｎＮ混晶比が１０％より小さい場合、
発光する光はほとんど紫外線であり、充分な明るさを感
じることができない。ＩｎＮ混晶比が増えるにつれて発
光波長が長くなり、発光波長を紫から青、緑へと調整で
きる。
がブロードになり、注入電荷量が増すにつれて発光スペ
クトルがシフトしたり、バンド端発光のピークが現われ
てくるなど好ましくない発光特性を有しており、また発
光効率を高くすることが難しい。このため、高い色純度
が要求される場合や狭い波長範囲に発光パワーを集中さ
せることが必要な場合、又は高い発光効率の素子が必要
な場合にはバンド端発光を利用する方が有利である。バ
ンド端発光による発光素子を実現するためには、発光層
に含まれる不純物の量を低く抑えなければならない。具
体的には、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃｄ及びＺｎの各元素に
ついて、いずれもその濃度が１０19ｃｍ -3以下が好まし
い。さらに好ましくは１０18ｃｍ-3以下である。バンド
端発光の場合、発光色は発光層の３族元素の組成で決ま
る。可視部で発光させる場合、ＩｎＮ混晶比は１０％以
上が好ましい。ＩｎＮ混晶比が１０％より小さい場合、
発光する光はほとんど紫外線であり、充分な明るさを感
じることができない。ＩｎＮ混晶比が増えるにつれて発
光波長が長くなり、発光波長を紫から青、緑へと調整で
きる。
【００３４】
【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ ＭＯＶＰＥ法による気相成長により図５に示す３−５族
化合物半導体を作製する。ｎ型の導電性を有する導電性
Ｓｉ基板５（ただし、結晶方位は（１１１））を鏡面研
磨したものを基板として用いる。成長は低温成長バッフ
ァ層を用いる２段階成長法による。バッファ層４として
６００℃でＴＭＡとアンモニアによりＡｌＮを５００Å
成膜した後、ＴＭＧ、アンモニア及びドーパントとして
シラン（ＳｉＨ4 ）を用いて１１００℃でＳｉをドープ
したＧａＮを３μｍの厚み（ｎ型層３）で、ノンドープ
のＧａＮを１５００Åの厚み（ノンドープ層３’）で、
この順に成膜する。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ ＭＯＶＰＥ法による気相成長により図５に示す３−５族
化合物半導体を作製する。ｎ型の導電性を有する導電性
Ｓｉ基板５（ただし、結晶方位は（１１１））を鏡面研
磨したものを基板として用いる。成長は低温成長バッフ
ァ層を用いる２段階成長法による。バッファ層４として
６００℃でＴＭＡとアンモニアによりＡｌＮを５００Å
成膜した後、ＴＭＧ、アンモニア及びドーパントとして
シラン（ＳｉＨ4 ）を用いて１１００℃でＳｉをドープ
したＧａＮを３μｍの厚み（ｎ型層３）で、ノンドープ
のＧａＮを１５００Åの厚み（ノンドープ層３’）で、
この順に成膜する。
【００３５】次に７８５℃まで降温した後、キャリアガ
スを水素から窒素に変え、ＴＥＧ、ＴＭＩ、アンモニア
をそれぞれ０．０４ｓｃｃｍ、０．０８ｓｃｃｍ、４ｓ
ｌｍ供給して発光層２であるＩｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎを９０
秒成長し、さらにＴＥＧ、ＴＥＡ及びアンモニアをそれ
ぞれ０．０３２ｓｃｃｍ、０．００８ｓｃｃｍ、４ｓｌ
ｍ供給して保護層１’であるＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ｎを１０
分成長する。ただし、ｓｃｃｍ及びｓｌｍは気体の流量
の単位で、１ｓｃｃｍは１分当たり標準状態で１ｃｃの
体積を占める重量の気体が流れていることを示し、１ｓ
ｌｍは１０００ｓｃｃｍである。これらの層を本実施例
と同一条件で長時間成長した膜から求められる成長速度
は各々、３３Å／分、２５Å／分であり、この成長速度
から求められる各層の膜厚は、各々Ｉｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎ
層は５０Å、Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ｎ層は２５０Åである。
スを水素から窒素に変え、ＴＥＧ、ＴＭＩ、アンモニア
をそれぞれ０．０４ｓｃｃｍ、０．０８ｓｃｃｍ、４ｓ
ｌｍ供給して発光層２であるＩｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎを９０
秒成長し、さらにＴＥＧ、ＴＥＡ及びアンモニアをそれ
ぞれ０．０３２ｓｃｃｍ、０．００８ｓｃｃｍ、４ｓｌ
ｍ供給して保護層１’であるＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ｎを１０
分成長する。ただし、ｓｃｃｍ及びｓｌｍは気体の流量
の単位で、１ｓｃｃｍは１分当たり標準状態で１ｃｃの
体積を占める重量の気体が流れていることを示し、１ｓ
ｌｍは１０００ｓｃｃｍである。これらの層を本実施例
と同一条件で長時間成長した膜から求められる成長速度
は各々、３３Å／分、２５Å／分であり、この成長速度
から求められる各層の膜厚は、各々Ｉｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎ
層は５０Å、Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ｎ層は２５０Åである。
【００３６】次に、温度を１１００℃に昇温し、アンモ
ニア、ｐ型ドーパント原料のビスシクロペンタジエニル
マグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ、以下、Ｃｐ2 Ｍｇ
と記すことがある。）を４０秒間供給してＭｇの空流し
工程を行った後、ＴＭＧ、アンモニア及びＣｐ2 Ｍｇを
用いて、ＭｇをドープしたＧａＮを５０００Å成長する
（ｐ型層１）。成長終了後、基板を取り出し、窒素中８
００℃で熱処理を行ない、ＭｇをドープしたＧａＮを低
抵抗のｐ型とする（ｐ型層１）。
ニア、ｐ型ドーパント原料のビスシクロペンタジエニル
マグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ、以下、Ｃｐ2 Ｍｇ
と記すことがある。）を４０秒間供給してＭｇの空流し
工程を行った後、ＴＭＧ、アンモニア及びＣｐ2 Ｍｇを
用いて、ＭｇをドープしたＧａＮを５０００Å成長する
（ｐ型層１）。成長終了後、基板を取り出し、窒素中８
００℃で熱処理を行ない、ＭｇをドープしたＧａＮを低
抵抗のｐ型とする（ｐ型層１）。
【００３７】このようにして得られた試料にフォトリソ
グラフィの手法により、フォトレジストパターンを形成
し、１回目のドライエッチングを行い、７０００Åエッ
チングして、ｎ型半導体の露出部分７を形成する。ドラ
イエッチングはＣｌ2 ガスを用い、ＥＣＲプラズマドラ
イエッチングにより行う。エッチング条件は、Ｃｌ2ガ
ス流量３０ｓｃｃｍ、エッチング圧力１ｍＴｏｒｒ、Ｒ
Ｆパワー９０Ｗ、マイクロ波パワー４００Ｗ、試料温度
２０℃である。１回目のドライエッチング終了後、残留
フォトレジストマスクを有機溶剤で除去したのち、再度
フォトリソグラフィの手法により、フォトレジストパタ
ーンを形成し、２回目のドライエッチングを行い、約３
μｍエッチングして、ｎ型基板の露出部９を形成する。
ドライエッチング条件は１回目と同じである。
グラフィの手法により、フォトレジストパターンを形成
し、１回目のドライエッチングを行い、７０００Åエッ
チングして、ｎ型半導体の露出部分７を形成する。ドラ
イエッチングはＣｌ2 ガスを用い、ＥＣＲプラズマドラ
イエッチングにより行う。エッチング条件は、Ｃｌ2ガ
ス流量３０ｓｃｃｍ、エッチング圧力１ｍＴｏｒｒ、Ｒ
Ｆパワー９０Ｗ、マイクロ波パワー４００Ｗ、試料温度
２０℃である。１回目のドライエッチング終了後、残留
フォトレジストマスクを有機溶剤で除去したのち、再度
フォトリソグラフィの手法により、フォトレジストパタ
ーンを形成し、２回目のドライエッチングを行い、約３
μｍエッチングして、ｎ型基板の露出部９を形成する。
ドライエッチング条件は１回目と同じである。
【００３８】２回のドライエッチングを行い、ｎ型半導
体の露出部７と、ｎ型基板の露出部９を形成した試料に
対して、次に真空蒸着法により電極を形成する。まずフ
ォトリソグラフィの手法によりフォトレジストパターン
を形成し、ｐ電極であるＭｇ−Ａｕを蒸着した後、リフ
トオフによって余分な蒸着部をフォトレジストとともに
除去することによって、ｐ型半導体層上に、ｐ電極１１
を形成する。なお、蒸着は抵抗加熱蒸着法により、Ｍｇ
を５０Å堆積した後、Ａｕを４５０Å堆積して行う。試
料を真空チャンバーから取り出し、Ｎ2 中で８００℃９
０秒間の熱処理を行い、Ｍｇ−Ａｕを合金化させ、電流
注入特性を向上させる。つぎに、同様の方法でｎ型半導
体の露出部７上と、ｎ型基板の露出部９上のＡｌ電極１
０と、ワイヤーボンディング用パッド１１’のＡｌパタ
ーンを形成する。なお、蒸着は電子ビーム蒸着法により
行う。つぎに、同様の方法で、ｎ型半導体露出部上のＡ
ｌ電極パターン（ｐ電極１１）と、ｐ電極取り出しパッ
ド用のＡｌ電極パターン（ワイヤーボンディング用パッ
ド１１’）をｐ電極１１と連結させて形成する。最後
に、ｎ型導電性Ｓｉ基板の裏面全体に、Ａｌの電極１２
を抵抗加熱蒸着法により堆積させて形成する。
体の露出部７と、ｎ型基板の露出部９を形成した試料に
対して、次に真空蒸着法により電極を形成する。まずフ
ォトリソグラフィの手法によりフォトレジストパターン
を形成し、ｐ電極であるＭｇ−Ａｕを蒸着した後、リフ
トオフによって余分な蒸着部をフォトレジストとともに
除去することによって、ｐ型半導体層上に、ｐ電極１１
を形成する。なお、蒸着は抵抗加熱蒸着法により、Ｍｇ
を５０Å堆積した後、Ａｕを４５０Å堆積して行う。試
料を真空チャンバーから取り出し、Ｎ2 中で８００℃９
０秒間の熱処理を行い、Ｍｇ−Ａｕを合金化させ、電流
注入特性を向上させる。つぎに、同様の方法でｎ型半導
体の露出部７上と、ｎ型基板の露出部９上のＡｌ電極１
０と、ワイヤーボンディング用パッド１１’のＡｌパタ
ーンを形成する。なお、蒸着は電子ビーム蒸着法により
行う。つぎに、同様の方法で、ｎ型半導体露出部上のＡ
ｌ電極パターン（ｐ電極１１）と、ｐ電極取り出しパッ
ド用のＡｌ電極パターン（ワイヤーボンディング用パッ
ド１１’）をｐ電極１１と連結させて形成する。最後
に、ｎ型導電性Ｓｉ基板の裏面全体に、Ａｌの電極１２
を抵抗加熱蒸着法により堆積させて形成する。
【００３９】以上のようにして、電極を形成したエピウ
エーハーを、ダイシング装置を用いて切れ込みを入れ、
この切れ込みを利用して短冊状に分割した後、スクライ
バーで劈開方向に傷を入れた後、劈開してＬＥＤチップ
に分割する。次に、ダイボンダーを用いて、チップ裏面
を反射カップ付きＬＥＤ用リードフレームのＬＥＤ固定
部にＡｇペーストで固定し、１５０℃２時間の乾燥を行
い、Ａｇペーストを固化した後、ワイヤーボンダーを用
いてｐ電極取り出し用のワイヤーボンディング用パッド
１１’にＡｕワイヤーでボンディングしＡｕワイヤーの
もう一方の端をリードフレームに固定する。次に、ＬＥ
Ｄチップが固定されたリードフレームに樹脂モールドを
行い、ＬＥＤランプを作製する。こうして半導体側から
一方の電極を取り出し、基板側からもう一方の電極を取
り出した構造のＬＥＤランプが得られる。
エーハーを、ダイシング装置を用いて切れ込みを入れ、
この切れ込みを利用して短冊状に分割した後、スクライ
バーで劈開方向に傷を入れた後、劈開してＬＥＤチップ
に分割する。次に、ダイボンダーを用いて、チップ裏面
を反射カップ付きＬＥＤ用リードフレームのＬＥＤ固定
部にＡｇペーストで固定し、１５０℃２時間の乾燥を行
い、Ａｇペーストを固化した後、ワイヤーボンダーを用
いてｐ電極取り出し用のワイヤーボンディング用パッド
１１’にＡｕワイヤーでボンディングしＡｕワイヤーの
もう一方の端をリードフレームに固定する。次に、ＬＥ
Ｄチップが固定されたリードフレームに樹脂モールドを
行い、ＬＥＤランプを作製する。こうして半導体側から
一方の電極を取り出し、基板側からもう一方の電極を取
り出した構造のＬＥＤランプが得られる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の発光素子構造を用いることによ
り、半導体側から１つの電極を取り出し、基板側からも
う１方の電極を取り出せるので、即ち、例えば半導体側
からの１個のボールボンディングと基板裏面側からのダ
イボンディングにより電極を取り出せるので、発光素子
組立工程を簡素化し、コストダウンを図ることができ
る。また、導電性のＳｉ基板を用いているので、素子の
絶縁破壊を防止できる。このため該化合物半導体を用い
たＬＥＤの製造のコストを飛躍的に低くすることが可能
であり、工業的価値がきわめて大きい。
り、半導体側から１つの電極を取り出し、基板側からも
う１方の電極を取り出せるので、即ち、例えば半導体側
からの１個のボールボンディングと基板裏面側からのダ
イボンディングにより電極を取り出せるので、発光素子
組立工程を簡素化し、コストダウンを図ることができ
る。また、導電性のＳｉ基板を用いているので、素子の
絶縁破壊を防止できる。このため該化合物半導体を用い
たＬＥＤの製造のコストを飛躍的に低くすることが可能
であり、工業的価値がきわめて大きい。
【図１】本発明の発光素子の作製工程の１例を示す断面
図
図
【図２】本発明の発光素子の作製工程の１例を示す断面
図
図
【図３】本発明の発光素子における電極パターンの１例
を示す平面図
を示す平面図
【図４】従来の発光素子における電極パターンを示す平
面図
面図
【図５】実施例１の発光素子の断面構造を示す図
１…ｐ型層 １’…保護層 ２…発光層 ３…ｎ型層 ３’…ノンドープ層 ４…バッファー層 ５…導電性Ｓｉ基板 ６、８…エッチング用マスク ７…ｎ型半導体露出部 ９…導電性Ｓｉ基板露出部 １０−１…ｎ型半導体上の電極 １０−２…導電性Ｓｉ基板上の電極 １０…ｎ型半導体上の電極１０−１と導電性Ｓｉ基板上
の電極１０−２が連結してなる電極 １１…ｐ電極 １１’…ワイヤーボンディング用パッド １２…電極 １３…ワイヤーボンディングにより形成されたＡｕワイ
ヤー １４…ＬＥＤ用リードフレーム １５…マスク
の電極１０−２が連結してなる電極 １１…ｐ電極 １１’…ワイヤーボンディング用パッド １２…電極 １３…ワイヤーボンディングにより形成されたＡｕワイ
ヤー １４…ＬＥＤ用リードフレーム １５…マスク
Claims (3)
- 【請求項１】導電性Ｓｉ基板上に形成した、一般式Ｉｎ
x Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合
物半導体を用いた発光素子において、該発光素子が、ｎ
型の導電性を有する３−５族化合物半導体上に形成され
てなる電極と、導電性Ｓｉ基板上に形成されてなる電極
とを有し、かつ該二つの電極が電気的に連結してなるこ
とを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】発光層の厚みが５Å以上５００Å以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の発光素子。 - 【請求項３】発光層に含まれるＳｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｚｎ
及びＣｄの各元素の濃度がいずれも１×１０19ｃｍ-3以
下であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28510995A JPH09129923A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28510995A JPH09129923A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129923A true JPH09129923A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17687240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28510995A Pending JPH09129923A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129923A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2002208729A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sanken Electric Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| JP2002217453A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sanken Electric Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| US6606333B2 (en) | 1998-07-10 | 2003-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor photonic device |
| WO2004077579A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| US6881651B2 (en) | 1999-05-21 | 2005-04-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices using group III nitride compound semiconductor |
| DE102006051745A1 (de) * | 2006-09-28 | 2008-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
| JP2013135104A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPWO2020100296A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-09-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100299A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-09-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100300A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100298A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100297A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP28510995A patent/JPH09129923A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| US8003974B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED semiconductor element having increased luminance |
| US8314431B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED semiconductor element having increased luminance |
| JP2013135104A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPWO2020100296A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-09-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100299A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-09-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100300A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100298A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2020100297A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法 |
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