JP3384397B2 - 液晶装置、その製造方法および電子機器 - Google Patents
液晶装置、その製造方法および電子機器Info
- Publication number
- JP3384397B2 JP3384397B2 JP2001103494A JP2001103494A JP3384397B2 JP 3384397 B2 JP3384397 B2 JP 3384397B2 JP 2001103494 A JP2001103494 A JP 2001103494A JP 2001103494 A JP2001103494 A JP 2001103494A JP 3384397 B2 JP3384397 B2 JP 3384397B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- liquid crystal
- base film
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銀合金等を用いて
光を反射する反射型または半透過半反射型の液晶装置、
その製造方法、および、該液晶装置を表示部に用いた電
子機器に関する。
光を反射する反射型または半透過半反射型の液晶装置、
その製造方法、および、該液晶装置を表示部に用いた電
子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、液晶表示装置は、液晶そ
れ自体が発光するのではなく、単に光の偏光状態を制御
することによって表示を行うものである。このため、液
晶表示装置には、パネルに対して必ず何らかの形で光を
入射させる構成が必要となり、この点において、他の表
示装置、例えば、エレクトロルミネッセンス装置や、プ
ラズマディスプレイなどとは大きく相違する。
れ自体が発光するのではなく、単に光の偏光状態を制御
することによって表示を行うものである。このため、液
晶表示装置には、パネルに対して必ず何らかの形で光を
入射させる構成が必要となり、この点において、他の表
示装置、例えば、エレクトロルミネッセンス装置や、プ
ラズマディスプレイなどとは大きく相違する。
【０００３】さて、液晶表示装置は、光源をパネルの裏
側に配置し、その光がパネルを通過して観察者に視認さ
れる透過型と、光源をパネルの表側に配置し（あるい
は、配置せずに）、前面からの入射光がパネルによって
反射して観察者に視認される反射型との２つのタイプに
大別される。
側に配置し、その光がパネルを通過して観察者に視認さ
れる透過型と、光源をパネルの表側に配置し（あるい
は、配置せずに）、前面からの入射光がパネルによって
反射して観察者に視認される反射型との２つのタイプに
大別される。
【０００４】このうち、透過型では、パネルの裏側に配
置される光源（ゆえにバックライトと呼ばれる）から発
せられた光が、導光板によってパネル全体に導かれた
後、偏光板→背面側基板→電極→液晶→電極→前面側基
板→偏光板という経路を辿って、観察者に視認される。
これに対して反射型では、パネルに入射した光が、偏光
板→前面側基板→電極→液晶→電極まで到達すると、反
射層で反射して、いま来た経路を逆に辿って観察者に視
認される。このように、反射型では、光の入射経路・反
射経路という二重の経路を有するために、各部での光損
失が大きい。このため、透過型と比較すると、環境から
の採光（外光）量が、パネルの裏側に配置される光源ほ
ど多くないので、観察者に視認される光量が少なくなる
結果、表示画面が暗い、という欠点がある。が、反射型
は、日光が当たる屋外でも視認性が高い点や、光源がな
くても表示が可能である点など、透過型と比較して特筆
すべき多くの利点を有する。このため、反射型の液晶表
示装置は、携帯型電子機器などの表示部として広く用い
られている。
置される光源（ゆえにバックライトと呼ばれる）から発
せられた光が、導光板によってパネル全体に導かれた
後、偏光板→背面側基板→電極→液晶→電極→前面側基
板→偏光板という経路を辿って、観察者に視認される。
これに対して反射型では、パネルに入射した光が、偏光
板→前面側基板→電極→液晶→電極まで到達すると、反
射層で反射して、いま来た経路を逆に辿って観察者に視
認される。このように、反射型では、光の入射経路・反
射経路という二重の経路を有するために、各部での光損
失が大きい。このため、透過型と比較すると、環境から
の採光（外光）量が、パネルの裏側に配置される光源ほ
ど多くないので、観察者に視認される光量が少なくなる
結果、表示画面が暗い、という欠点がある。が、反射型
は、日光が当たる屋外でも視認性が高い点や、光源がな
くても表示が可能である点など、透過型と比較して特筆
すべき多くの利点を有する。このため、反射型の液晶表
示装置は、携帯型電子機器などの表示部として広く用い
られている。
【０００５】ただ、反射型では、環境からの採光がほと
んどない場合、観察者が、表示を視認することができな
い、という本質的な欠点を有する。そこで、近年では、
パネルの背面にバックライトを設けるとともに、反射層
を、前面からの光を反射させるだけでなく、背面からの
光を一部透過させる構成とした半透過半反射型なるもの
も登場しつつある。この半透過半反射型では、外光がほ
とんどない場合には、バックライトを点灯させることで
透過型となり、これによって表示の視認性が確保される
一方、外光が十分にある場合には、バックライトを消灯
させることで反射型となり、これによって、低消費電力
が図られる構成となっている。すなわち、外光の強弱に
応じて透過型または反射型を選択することで、表示の視
認性を確保するとともに、低消費電力を図る構成となっ
ている。
んどない場合、観察者が、表示を視認することができな
い、という本質的な欠点を有する。そこで、近年では、
パネルの背面にバックライトを設けるとともに、反射層
を、前面からの光を反射させるだけでなく、背面からの
光を一部透過させる構成とした半透過半反射型なるもの
も登場しつつある。この半透過半反射型では、外光がほ
とんどない場合には、バックライトを点灯させることで
透過型となり、これによって表示の視認性が確保される
一方、外光が十分にある場合には、バックライトを消灯
させることで反射型となり、これによって、低消費電力
が図られる構成となっている。すなわち、外光の強弱に
応じて透過型または反射型を選択することで、表示の視
認性を確保するとともに、低消費電力を図る構成となっ
ている。
【０００６】ところで、反射型や半透過半反射型にあっ
て、反射層の構成材料には、一般には、アルミニウムが
用いられていたが、近年では、反射率を向上させて明る
い表示を得るために、銀単体または銀を主成分とする銀
合金（以下、「銀合金等」という）を用いることが検討
されている。
て、反射層の構成材料には、一般には、アルミニウムが
用いられていたが、近年では、反射率を向上させて明る
い表示を得るために、銀単体または銀を主成分とする銀
合金（以下、「銀合金等」という）を用いることが検討
されている。
【０００７】ここで、構成簡略化を図るために、液晶に
印加するための一方の電極を反射層と兼用する構成は、
好ましくない。これは、他方の電極には、透明性が要求
されるために、ITO（Indium Tin Oxide）などのような
透明導電材料が用いられるが、一方の電極に銀合金等を
用いる構成にすると、異種金属で液晶を挟持することに
よって、極性の偏りが発生するからである。さらに、液
晶と銀合金等との間に配向膜だけが介在する構成では、
銀合金等からの不純物が配向膜を通過して液晶中に溶出
し、液晶自体を劣化させる可能性も指摘されている。
印加するための一方の電極を反射層と兼用する構成は、
好ましくない。これは、他方の電極には、透明性が要求
されるために、ITO（Indium Tin Oxide）などのような
透明導電材料が用いられるが、一方の電極に銀合金等を
用いる構成にすると、異種金属で液晶を挟持することに
よって、極性の偏りが発生するからである。さらに、液
晶と銀合金等との間に配向膜だけが介在する構成では、
銀合金等からの不純物が配向膜を通過して液晶中に溶出
し、液晶自体を劣化させる可能性も指摘されている。
【０００８】このため、反射層が設けられる一方の基板
の電極は、銀合金等と兼用することができず、他方の基
板の電極として用いられる透明導電材料と同一材料を用
いる必要がある。結果、反射層が設けられる一方の基板
には、反射層として用いる銀合金等と、電極として用い
る透明導電材料との少なくとも２つの金属が用いられる
ことになる。ところで、銀合金等は、反射率のほか、導
電性にも優れているので、基板の配線層として用いるこ
とも検討されている。このように反射層として用いる銀
合金等を、配線層にも用いる場合、当該銀合金等と、電
極として用いる透明導電材料とを接触させて、両者を電
気的に接続しなければならない。
の電極は、銀合金等と兼用することができず、他方の基
板の電極として用いられる透明導電材料と同一材料を用
いる必要がある。結果、反射層が設けられる一方の基板
には、反射層として用いる銀合金等と、電極として用い
る透明導電材料との少なくとも２つの金属が用いられる
ことになる。ところで、銀合金等は、反射率のほか、導
電性にも優れているので、基板の配線層として用いるこ
とも検討されている。このように反射層として用いる銀
合金等を、配線層にも用いる場合、当該銀合金等と、電
極として用いる透明導電材料とを接触させて、両者を電
気的に接続しなければならない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀合金
等は、他の材料との密着性に欠けるので、機械的な摩擦
で傷んだり、その界面から侵入する水分によって腐食・
剥離等したりする結果、信頼性の高い液晶表示装置を実
現することが困難である、という問題があった。
等は、他の材料との密着性に欠けるので、機械的な摩擦
で傷んだり、その界面から侵入する水分によって腐食・
剥離等したりする結果、信頼性の高い液晶表示装置を実
現することが困難である、という問題があった。
【００１０】そこで、本発明は、銀合金等を反射層のほ
か、配線層としても用いる場合であっても、信頼性の高
い液晶表示装置、その製造方法及び電子機器を提供する
ものである。
か、配線層としても用いる場合であっても、信頼性の高
い液晶表示装置、その製造方法及び電子機器を提供する
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの形態に係
る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設
けられ、金属酸化物を含む下地膜と、前記下地膜上に形
成され、銀を含む反射性導電膜と、前記反射性導電膜に
積層されるとともに、エッジ部分にて前記下地膜と接す
るようにパターニングされた金属酸化物膜とを具備する
ことを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、第１の
基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基
板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装
置であって、前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を
含む下地膜と、前記下地膜上に形成され、銀を含む反射
性導電膜と、前記反射性導電膜に積層されるとともに、
前記反射性導電膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接
するようにパターニングされた金属酸化物膜とを具備す
ることを特徴とする。この構成によれば、反射性導電膜
は、金属酸化物膜によって覆われるとともに、金属酸化
物膜のエッジ部分が、下地膜に接するようにパターニン
グされるので、金属酸化物膜が形成された後において
は、反射性導電膜の表面が露出することがなくなる。こ
のため、銀を含む反射性導電膜の信頼性が向上すること
になる。
る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設
けられ、金属酸化物を含む下地膜と、前記下地膜上に形
成され、銀を含む反射性導電膜と、前記反射性導電膜に
積層されるとともに、エッジ部分にて前記下地膜と接す
るようにパターニングされた金属酸化物膜とを具備する
ことを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、第１の
基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基
板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装
置であって、前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を
含む下地膜と、前記下地膜上に形成され、銀を含む反射
性導電膜と、前記反射性導電膜に積層されるとともに、
前記反射性導電膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接
するようにパターニングされた金属酸化物膜とを具備す
ることを特徴とする。この構成によれば、反射性導電膜
は、金属酸化物膜によって覆われるとともに、金属酸化
物膜のエッジ部分が、下地膜に接するようにパターニン
グされるので、金属酸化物膜が形成された後において
は、反射性導電膜の表面が露出することがなくなる。こ
のため、銀を含む反射性導電膜の信頼性が向上すること
になる。
【００１２】さらに、反射性導電膜は、金属酸化物の間
で挟持されることになる。金属酸化物同士の密着性は良
好であるので、金属酸化物を含む下地膜と、反射性導電
膜に積層される金属酸化膜との界面を介して、水分等が
反射性導電膜に侵入しにくくなる。ところで、銀を含む
反射性導電膜の波長／反射率の特性は、一般的に用いら
れるアルミニウムほどフラットではなく、低波長になる
につれて反射率が低下する傾向がある（図７参照）。こ
のため、銀を含む反射性導電膜による反射光は、青色成
分の光が少なる結果、黄色味を帯びてしまう。そこで、
反射性導電膜の上面に、青色成分の光を反射させる反射
層を有する構成が好ましい。この構成により、青色成分
の光は、反射性導電膜により反射する前に反射層によっ
て反射する成分が多くなるので、該反射層と銀を含む反
射性導電膜とを併せた反射光に黄色味が帯びるのが防止
されることになる。
で挟持されることになる。金属酸化物同士の密着性は良
好であるので、金属酸化物を含む下地膜と、反射性導電
膜に積層される金属酸化膜との界面を介して、水分等が
反射性導電膜に侵入しにくくなる。ところで、銀を含む
反射性導電膜の波長／反射率の特性は、一般的に用いら
れるアルミニウムほどフラットではなく、低波長になる
につれて反射率が低下する傾向がある（図７参照）。こ
のため、銀を含む反射性導電膜による反射光は、青色成
分の光が少なる結果、黄色味を帯びてしまう。そこで、
反射性導電膜の上面に、青色成分の光を反射させる反射
層を有する構成が好ましい。この構成により、青色成分
の光は、反射性導電膜により反射する前に反射層によっ
て反射する成分が多くなるので、該反射層と銀を含む反
射性導電膜とを併せた反射光に黄色味が帯びるのが防止
されることになる。
【００１３】また、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第
１の配線と、前記第２の基板に設けられた導電膜と、前
記第１の配線と前記導電膜とを接続するための導通材と
を有し、前記第１の配線は、金属酸化物を含む下地膜、
前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前
記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前記下地
膜と接するようにパターニングされた金属酸化物膜、を
含むことを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の配
線と、前記第２の基板に設けられた導電膜と、前記第１
の配線と前記導電膜とを接続するための導通材とを有
し、前記第１の配線は、金属酸化物を含む下地膜、前記
下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金
属膜に積層されるとともに前記金属膜の端縁からはみ出
して前記下地膜と接するようにパターニングされた金属
酸化物膜、を含むことを特徴とする。この構成によれ
ば、第２の基板に設けられた導電膜は、第１の基板に設
けられる第１の配線に、導通材によって接続されるの
で、配線が第１の基板側に寄せられる。さらに、この第
１の配線は、銀を含む金属膜を有するので、その低抵抗
化が図られる。くわえて、銀を含む金属膜は、金属酸化
物膜によって覆われるとともに、金属酸化物膜のエッジ
部分が、下層に設けられた下地膜に接するようにパター
ニングされるので、金属酸化物膜が形成された後におい
ては、金属膜の表面が露出することがなくなる。このた
め、銀を含む金属膜の信頼性が向上することになる。さ
らに、上述したように、水分等が反射性導電膜に侵入し
にくくなるからである。さらに、この構成において、金
属膜は、前記導通材との接続部分を避けて形成されてい
る構成が好ましい。銀合金等は密着性に欠けるので、応
力の加わる部分に設けるのは好ましくないからである。
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第
１の配線と、前記第２の基板に設けられた導電膜と、前
記第１の配線と前記導電膜とを接続するための導通材と
を有し、前記第１の配線は、金属酸化物を含む下地膜、
前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前
記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前記下地
膜と接するようにパターニングされた金属酸化物膜、を
含むことを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の配
線と、前記第２の基板に設けられた導電膜と、前記第１
の配線と前記導電膜とを接続するための導通材とを有
し、前記第１の配線は、金属酸化物を含む下地膜、前記
下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金
属膜に積層されるとともに前記金属膜の端縁からはみ出
して前記下地膜と接するようにパターニングされた金属
酸化物膜、を含むことを特徴とする。この構成によれ
ば、第２の基板に設けられた導電膜は、第１の基板に設
けられる第１の配線に、導通材によって接続されるの
で、配線が第１の基板側に寄せられる。さらに、この第
１の配線は、銀を含む金属膜を有するので、その低抵抗
化が図られる。くわえて、銀を含む金属膜は、金属酸化
物膜によって覆われるとともに、金属酸化物膜のエッジ
部分が、下層に設けられた下地膜に接するようにパター
ニングされるので、金属酸化物膜が形成された後におい
ては、金属膜の表面が露出することがなくなる。このた
め、銀を含む金属膜の信頼性が向上することになる。さ
らに、上述したように、水分等が反射性導電膜に侵入し
にくくなるからである。さらに、この構成において、金
属膜は、前記導通材との接続部分を避けて形成されてい
る構成が好ましい。銀合金等は密着性に欠けるので、応
力の加わる部分に設けるのは好ましくないからである。
【００１４】また、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた画
素電極と、前記画素電極に一端が接続されたアクティブ
素子と、前記第１の基板に設けられるとともに、前記ア
クティブ素子の他端に接続された信号線と、を有し、前
記信号線は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に
形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に積層
されるとともにエッジ部分にて前記下地膜と接するよう
にパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴
とする。また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２
の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第
２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であっ
て、 前記第１の基板に設けられた画素電極と、前記画
素電極に一端が接続されたアクティブ素子と、前記第１
の基板に設けられるとともに、前記アクティブ素子の他
端に接続された信号線と、を有し、前記信号線は、金属
酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含
む金属膜、および、前記金属膜に積層されるとともに前
記金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するよう
にパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴
とする。また、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、
第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第
１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された
液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた画素電
極と、前記画素電極に一端が接続されたアクティブ素子
と、前記第１の基板に設けられるとともに、前記アクテ
ィブ素子の他端に接続された信号線と、を有し、前記画
素電極は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形
成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に積層さ
れるとともにエッジ部分にて前記下地膜と接するように
パターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴と
する。また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の
基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２
の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、
前記第１の基板に設けられた画素電極と、前記画素電
極に一端が接続されたアクティブ素子と、前記第１の基
板に設けられるとともに、前記アクティブ素子の他端に
接続された信号線と、を有し、前記画素電極は、金属酸
化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む
金属膜、および、前記金属膜に積層されるとともに前記
金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するように
パターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴と
する。
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた画
素電極と、前記画素電極に一端が接続されたアクティブ
素子と、前記第１の基板に設けられるとともに、前記ア
クティブ素子の他端に接続された信号線と、を有し、前
記信号線は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に
形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に積層
されるとともにエッジ部分にて前記下地膜と接するよう
にパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴
とする。また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２
の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第
２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であっ
て、 前記第１の基板に設けられた画素電極と、前記画
素電極に一端が接続されたアクティブ素子と、前記第１
の基板に設けられるとともに、前記アクティブ素子の他
端に接続された信号線と、を有し、前記信号線は、金属
酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含
む金属膜、および、前記金属膜に積層されるとともに前
記金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するよう
にパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴
とする。また、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、
第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第
１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された
液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた画素電
極と、前記画素電極に一端が接続されたアクティブ素子
と、前記第１の基板に設けられるとともに、前記アクテ
ィブ素子の他端に接続された信号線と、を有し、前記画
素電極は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形
成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に積層さ
れるとともにエッジ部分にて前記下地膜と接するように
パターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴と
する。また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の
基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２
の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、
前記第１の基板に設けられた画素電極と、前記画素電
極に一端が接続されたアクティブ素子と、前記第１の基
板に設けられるとともに、前記アクティブ素子の他端に
接続された信号線と、を有し、前記画素電極は、金属酸
化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む
金属膜、および、前記金属膜に積層されるとともに前記
金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するように
パターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴と
する。
【００１５】また、この液晶装置において、前記液晶を
駆動するドライバＩＣチップをさらに有し、前記ドライ
バＩＣチップは、前記第１の配線に出力信号を供給する
出力側バンプを含み、前記出力側バンプは、前記第１の
配線に接続されている構成が好ましい。このように第１
の配線に出力信号を供給するドライバＩＣチップを実装
すると、外部回路との接続点数を減らすことが可能とな
る。ここで、ドライバＩＣチップが実装される場合、第
１の配線のうち、金属膜は、前記出力側バンプとの接続
部分を避けて形成されている構成が好ましい。上述した
ように銀合金等は密着性に欠けるので、応力の加わる部
分に設けるのは好ましくないからであり、特に、ドライ
バＩＣチップをリペアするため、当該チップを第１の基
板から剥離する際に、銀を含む金属膜も剥離してしまう
可能性があるからである。
駆動するドライバＩＣチップをさらに有し、前記ドライ
バＩＣチップは、前記第１の配線に出力信号を供給する
出力側バンプを含み、前記出力側バンプは、前記第１の
配線に接続されている構成が好ましい。このように第１
の配線に出力信号を供給するドライバＩＣチップを実装
すると、外部回路との接続点数を減らすことが可能とな
る。ここで、ドライバＩＣチップが実装される場合、第
１の配線のうち、金属膜は、前記出力側バンプとの接続
部分を避けて形成されている構成が好ましい。上述した
ように銀合金等は密着性に欠けるので、応力の加わる部
分に設けるのは好ましくないからであり、特に、ドライ
バＩＣチップをリペアするため、当該チップを第１の基
板から剥離する際に、銀を含む金属膜も剥離してしまう
可能性があるからである。
【００１６】本発明の一つの形態に係る液晶装置は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、前記第１の基板に設けられた配線と、
前記液晶を駆動するドライバＩＣチップと、を有し、前
記ドライバＩＣチップは、前記配線から入力信号を入力
する入力側バンプを含み、前記入力側バンプは、前記配
線に接続されており、前記配線は、金属酸化物を含む下
地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、およ
び、前記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前
記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化物
膜、を含むことを特徴とする。また、本発明の液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた
配線と、前記液晶を駆動するドライバＩＣチップと、を
有し、前記ドライバＩＣチップは、前記配線から入力信
号を入力する入力側バンプを含み、前記入力側バンプ
は、前記配線に接続されており、前記配線は、 金属酸
化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む
金属膜、および、前記金属膜に積層されるとともに前記
金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するように
パターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴と
する。この構成によれば、配線は、銀を含む金属膜を有
するので、その低抵抗化が図られるとともに、該金属膜
の表面が露出することがないので、高い信頼性を確保す
ることが可能となる。ここで、ドライバＩＣチップが実
装される場合、配線のうち、金属膜は、前記入力側バン
プとの接続部分を避けて形成されている構成が好まし
い。ドライバＩＣチップをリペアする際に、銀を含む金
属膜も剥離してしまうのを防止するためである。さら
に、前記ドライバＩＣチップに入力信号を供給する外部
回路基板をさらに有し、前記外部回路基板と前記第２の
配線とが接続されており、前記金属膜は、前記外部回路
基板との接続部分を避けて形成されている構成も好まし
い。外部回路基板をリペアする際に、銀を含む金属膜も
剥離してしまうのを防止するためである。
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、前記第１の基板に設けられた配線と、
前記液晶を駆動するドライバＩＣチップと、を有し、前
記ドライバＩＣチップは、前記配線から入力信号を入力
する入力側バンプを含み、前記入力側バンプは、前記配
線に接続されており、前記配線は、金属酸化物を含む下
地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、およ
び、前記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前
記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化物
膜、を含むことを特徴とする。また、本発明の液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた
配線と、前記液晶を駆動するドライバＩＣチップと、を
有し、前記ドライバＩＣチップは、前記配線から入力信
号を入力する入力側バンプを含み、前記入力側バンプ
は、前記配線に接続されており、前記配線は、 金属酸
化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む
金属膜、および、前記金属膜に積層されるとともに前記
金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するように
パターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特徴と
する。この構成によれば、配線は、銀を含む金属膜を有
するので、その低抵抗化が図られるとともに、該金属膜
の表面が露出することがないので、高い信頼性を確保す
ることが可能となる。ここで、ドライバＩＣチップが実
装される場合、配線のうち、金属膜は、前記入力側バン
プとの接続部分を避けて形成されている構成が好まし
い。ドライバＩＣチップをリペアする際に、銀を含む金
属膜も剥離してしまうのを防止するためである。さら
に、前記ドライバＩＣチップに入力信号を供給する外部
回路基板をさらに有し、前記外部回路基板と前記第２の
配線とが接続されており、前記金属膜は、前記外部回路
基板との接続部分を避けて形成されている構成も好まし
い。外部回路基板をリペアする際に、銀を含む金属膜も
剥離してしまうのを防止するためである。
【００１７】次に、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、前
記液晶に電圧を印加するための電極と、前記電極に接続
された第１の配線と、前記第１の配線に接続されたドラ
イバＩＣチップとを有し、前記第１の配線は、下地膜、
前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前
記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前記下地
膜と接するようにパターニングされた金属酸化物膜、を
含むことを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、前記液晶
に電圧を印加するための電極と、前記電極に接続された
第１の配線と、前記第１の配線に接続されたドライバＩ
Ｃチップとを有し、前記第１の配線は、下地膜、前記下
地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属
膜に積層されるとともに前記金属膜の端縁からはみ出し
て前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸
化物膜、を含むことを特徴とする。この構成によれば、
第１の配線は、導通性に優れた銀を含む金属膜を有する
ので、低抵抗化が図られる。さらに、銀を含む金属膜
は、金属酸化物膜によって覆われるとともに、金属酸化
物膜のエッジ部分が、下層に設けられた下地膜に接する
ようにパターニングされるので、金属酸化物膜が形成さ
れた後においては、金属膜の表面が露出することがなく
なる。このため、銀を含む金属膜の信頼性が向上するこ
とになる。
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、前
記液晶に電圧を印加するための電極と、前記電極に接続
された第１の配線と、前記第１の配線に接続されたドラ
イバＩＣチップとを有し、前記第１の配線は、下地膜、
前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前
記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前記下地
膜と接するようにパターニングされた金属酸化物膜、を
含むことを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、前記液晶
に電圧を印加するための電極と、前記電極に接続された
第１の配線と、前記第１の配線に接続されたドライバＩ
Ｃチップとを有し、前記第１の配線は、下地膜、前記下
地膜上に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属
膜に積層されるとともに前記金属膜の端縁からはみ出し
て前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸
化物膜、を含むことを特徴とする。この構成によれば、
第１の配線は、導通性に優れた銀を含む金属膜を有する
ので、低抵抗化が図られる。さらに、銀を含む金属膜
は、金属酸化物膜によって覆われるとともに、金属酸化
物膜のエッジ部分が、下層に設けられた下地膜に接する
ようにパターニングされるので、金属酸化物膜が形成さ
れた後においては、金属膜の表面が露出することがなく
なる。このため、銀を含む金属膜の信頼性が向上するこ
とになる。
【００１８】この構成において、前記金属膜は、前記ド
ライバＩＣチップとの接続部分を避けて形成されている
構成が好ましい。ドライバＩＣチップをリペアする際
に、銀を含む金属膜も剥離してしまうのを防止するため
である。さらに、この液晶装置においては、前記第１の
基板に設けられた第２の配線をさらに有し、前記ドライ
バＩＣチップは、前記第２の配線から入力信号を入力す
る入力側バンプを含み、前記入力側バンプは、前記第２
の配線に接続されており、 前記第２の配線は、下地
膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、およ
び、前記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前
記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化物
膜、を含む構成が好ましい。この構成によれば、第１の
配線のほか、第２の配線についても、低抵抗化が図ら
れ、また、銀を含む金属膜の表面が露出することが防止
される。くわえて、この構成において、第２の配線に入
力信号を供給する外部回路基板をさらに有し、前記金属
膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成され
ている構成が好ましい。外部回路基板をリペアする際
に、銀を含む金属膜も剥離してしまうのを防止するため
である。
ライバＩＣチップとの接続部分を避けて形成されている
構成が好ましい。ドライバＩＣチップをリペアする際
に、銀を含む金属膜も剥離してしまうのを防止するため
である。さらに、この液晶装置においては、前記第１の
基板に設けられた第２の配線をさらに有し、前記ドライ
バＩＣチップは、前記第２の配線から入力信号を入力す
る入力側バンプを含み、前記入力側バンプは、前記第２
の配線に接続されており、 前記第２の配線は、下地
膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、およ
び、前記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて前
記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化物
膜、を含む構成が好ましい。この構成によれば、第１の
配線のほか、第２の配線についても、低抵抗化が図ら
れ、また、銀を含む金属膜の表面が露出することが防止
される。くわえて、この構成において、第２の配線に入
力信号を供給する外部回路基板をさらに有し、前記金属
膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成され
ている構成が好ましい。外部回路基板をリペアする際
に、銀を含む金属膜も剥離してしまうのを防止するため
である。
【００１９】
【００２０】また、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、金
属酸化物を含む下地膜と、前記下地膜に形成され、銀を
含む反射性導電膜と、前記反射性導電膜に積層されると
ともにエッジ部分にて前記下地膜と接するようにパター
ニングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前
記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前
記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に
対応して、半透過部が設けられていることを特徴とす
る。また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基
板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の
基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前
記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜と、
前記下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、前記
反射性導電膜に積層されるとともに前記反射性導電膜の
端縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパターニ
ングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前記
第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前記
第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に対
応して、半透過部が設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、銀を含む反射性導電膜の信頼性を確
保した上で、半透過半反射型とすることができる。
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、金
属酸化物を含む下地膜と、前記下地膜に形成され、銀を
含む反射性導電膜と、前記反射性導電膜に積層されると
ともにエッジ部分にて前記下地膜と接するようにパター
ニングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前
記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前
記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に
対応して、半透過部が設けられていることを特徴とす
る。また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基
板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の
基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前
記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜と、
前記下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、前記
反射性導電膜に積層されるとともに前記反射性導電膜の
端縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパターニ
ングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前記
第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前記
第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に対
応して、半透過部が設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、銀を含む反射性導電膜の信頼性を確
保した上で、半透過半反射型とすることができる。
【００２１】また、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、金
属酸化物を含む下地膜と、前記下地膜に形成され、銀を
含む反射性導電膜と、前記反射性導電膜に積層されると
ともにエッジ部分にて前記下地膜と接するようにパター
ニングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前
記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前
記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に
対応して、着色層が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板と
が対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第
１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜と、前記
下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、前記反射
性導電膜に積層されるとともに前記反射性導電膜の端縁
からはみ出して前記下地膜と接するようにパターニング
された金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前記第２
の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前記第１
の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に対応し
て、着色層が設けられていることを特徴とする。この構
成によれば、銀を含む反射性導電膜の信頼性を確保した
上で、カラー表示が可能となる。そして、本発明の一つ
の形態における電子機器は、上記液晶装置を備えるの
で、信頼性が向上することになる。
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、金
属酸化物を含む下地膜と、前記下地膜に形成され、銀を
含む反射性導電膜と、前記反射性導電膜に積層されると
ともにエッジ部分にて前記下地膜と接するようにパター
ニングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前
記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前
記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に
対応して、着色層が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板と
が対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第
１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜と、前記
下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、前記反射
性導電膜に積層されるとともに前記反射性導電膜の端縁
からはみ出して前記下地膜と接するようにパターニング
された金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、前記第２
の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、前記第１
の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域に対応し
て、着色層が設けられていることを特徴とする。この構
成によれば、銀を含む反射性導電膜の信頼性を確保した
上で、カラー表示が可能となる。そして、本発明の一つ
の形態における電子機器は、上記液晶装置を備えるの
で、信頼性が向上することになる。
【００２２】くわえて、本発明の一つの形態に係る液晶
装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向し
て配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙
に液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、前記
第１の基板に、金属酸化物を含む下地膜を形成する工程
と、銀を含む反射性導電膜を前記下地膜上に形成する工
程と、前記反射性導電膜上に、エッジ部分にて前記下地
膜と接するように金属酸化物膜を形成する工程とを備え
ることを特徴とする。また、本発明の液晶装置の製造方
法は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入
された液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板
に、金属酸化物を含む下地膜を形成する工程と、銀を含
む反射性導電膜を前記下地膜上に形成する工程と、前記
反射性導電膜上に、前記反射性導電膜の端縁からはみ出
して前記下地膜と接するように金属酸化物膜を形成する
工程とを備えることを特徴とする。この製造方法によれ
ば、反射性導電膜は、金属酸化物膜によって覆われると
ともに、金属酸化物膜のエッジ部分が、下地膜に接する
ように形成されるので、反射性導電膜の表面が露出する
ことがなくなる。このため、銀を含む反射性導電膜の信
頼性が向上することになる。さらに、前記下地膜とし
て、金属酸化物を形成することにより、水分等が反射性
導電膜に侵入しにくくなる。また、この製造方法におい
て、前記下地膜および前記金属酸化物膜を、同時にパタ
ーニングする工程をさらに有することが好ましい。こう
すると、パターニング工程が兼用される分、工程が簡略
化される。
装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向し
て配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙
に液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、前記
第１の基板に、金属酸化物を含む下地膜を形成する工程
と、銀を含む反射性導電膜を前記下地膜上に形成する工
程と、前記反射性導電膜上に、エッジ部分にて前記下地
膜と接するように金属酸化物膜を形成する工程とを備え
ることを特徴とする。また、本発明の液晶装置の製造方
法は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入
された液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板
に、金属酸化物を含む下地膜を形成する工程と、銀を含
む反射性導電膜を前記下地膜上に形成する工程と、前記
反射性導電膜上に、前記反射性導電膜の端縁からはみ出
して前記下地膜と接するように金属酸化物膜を形成する
工程とを備えることを特徴とする。この製造方法によれ
ば、反射性導電膜は、金属酸化物膜によって覆われると
ともに、金属酸化物膜のエッジ部分が、下地膜に接する
ように形成されるので、反射性導電膜の表面が露出する
ことがなくなる。このため、銀を含む反射性導電膜の信
頼性が向上することになる。さらに、前記下地膜とし
て、金属酸化物を形成することにより、水分等が反射性
導電膜に侵入しにくくなる。また、この製造方法におい
て、前記下地膜および前記金属酸化物膜を、同時にパタ
ーニングする工程をさらに有することが好ましい。こう
すると、パターニング工程が兼用される分、工程が簡略
化される。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２４】＜第１実施形態＞まず、本発明の第１実施
形態に係る液晶表示装置について説明する。この液晶表
示装置は、外光が十分ある場合には、反射型として機能
する一方、外光が不十分である場合には、バックライト
を点灯させることで、透過型として機能する半透過半反
射型である。図１は、この液晶表示装置の液晶パネルの
構成を示す斜視図であり、また、図２は、この液晶パネ
ルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面
図である。
形態に係る液晶表示装置について説明する。この液晶表
示装置は、外光が十分ある場合には、反射型として機能
する一方、外光が不十分である場合には、バックライト
を点灯させることで、透過型として機能する半透過半反
射型である。図１は、この液晶表示装置の液晶パネルの
構成を示す斜視図であり、また、図２は、この液晶パネ
ルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面
図である。
【００２５】これらの図に示されるように、液晶表示装
置を構成する液晶パネル１００は、観察者側に位置する
前面側基板２００と、その背面側に位置する背面側基板
３００とが、スペーサを兼ねる導電性粒子（導通材）１
１４の混入されたシール材１１０によって一定の間隙を
保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴ
Ｎ（Twisted Nematic）型の液晶１６０が封入された構
成となっている。なお、シール材１１０は、前面側基板
２００の内周縁に沿っていずれか一方の基板に形成され
るが、液晶１６０を封入するために、その一部が開口し
ている。このため、液晶の封入後に、その開口部分が封
止材１１２によって封止されている。
置を構成する液晶パネル１００は、観察者側に位置する
前面側基板２００と、その背面側に位置する背面側基板
３００とが、スペーサを兼ねる導電性粒子（導通材）１
１４の混入されたシール材１１０によって一定の間隙を
保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴ
Ｎ（Twisted Nematic）型の液晶１６０が封入された構
成となっている。なお、シール材１１０は、前面側基板
２００の内周縁に沿っていずれか一方の基板に形成され
るが、液晶１６０を封入するために、その一部が開口し
ている。このため、液晶の封入後に、その開口部分が封
止材１１２によって封止されている。
【００２６】さて、前面側基板２００にあって背面側基
板３００との対向面には、複数のコモン（走査）電極２
１０が、Ｘ（行）方向に延在して形成される一方、背面
側基板３００にあって前面側基板２００との対向面に
は、複数のセグメント（データ）電極３１０が、Ｙ
（列）方向に延在して形成されている。したがって、本
実施形態では、コモン電極２１０とセグメント電極３１
０とが互いに交差する領域において、両電極によって液
晶１６０に電圧が印加されるので、この交差領域がサブ
画素として機能することになる。
板３００との対向面には、複数のコモン（走査）電極２
１０が、Ｘ（行）方向に延在して形成される一方、背面
側基板３００にあって前面側基板２００との対向面に
は、複数のセグメント（データ）電極３１０が、Ｙ
（列）方向に延在して形成されている。したがって、本
実施形態では、コモン電極２１０とセグメント電極３１
０とが互いに交差する領域において、両電極によって液
晶１６０に電圧が印加されるので、この交差領域がサブ
画素として機能することになる。
【００２７】また、背面側基板３００にあって前面側基
板２００から張り出した２辺には、コモン電極２１０を
駆動するためのドライバＩＣチップ１２２、および、セ
グメント電極３１０を駆動するためのドライバＩＣチッ
プ１２４が、それぞれ後述するようにＣＯＧ（Chip On
Glass）技術により実装されている。さらに、この２辺
のうち、ドライバＩＣチップ１２４が実装される領域の
外側には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板１
５０が接合されている。
板２００から張り出した２辺には、コモン電極２１０を
駆動するためのドライバＩＣチップ１２２、および、セ
グメント電極３１０を駆動するためのドライバＩＣチッ
プ１２４が、それぞれ後述するようにＣＯＧ（Chip On
Glass）技術により実装されている。さらに、この２辺
のうち、ドライバＩＣチップ１２４が実装される領域の
外側には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板１
５０が接合されている。
【００２８】ここで、前面側基板２００に形成されたコ
モン電極２１０は、シール材１１０に混入された導電性
粒子１１４を介し、背面側基板３００に形成された配線
（第１の配線）３５０の一端に接続されている。一方、
配線３５０の他端は、ドライバＩＣチップ１２２の出力
側バンプ（突起電極）に接続されている。すなわち、ド
ライバＩＣチップ１２２は、配線３５０、導電性粒子１
１４およびコモン電極２１０という経路でコモン信号を
供給する構成となっている。なお、ドライバＩＣチップ
１２２の入力側バンプとＦＰＣ基板（外部回路基板）１
５０との間は、配線（第２の配線）３６０により接続さ
れている。また、背面側基板３００に形成されたセグメ
ント電極３１０は、そのままドライバＩＣチップ１２４
の出力側バンプに接続されている。すなわち、ドライバ
ＩＣチップ１２４は、セグメント電極３１０に、セグメ
ント信号を直接供給する構成となっている。なお、ドラ
イバＩＣチップ１２４の入力側バンプとＦＰＣ基板１５
０との間は、配線（第２の配線）３７０により接続され
ている。
モン電極２１０は、シール材１１０に混入された導電性
粒子１１４を介し、背面側基板３００に形成された配線
（第１の配線）３５０の一端に接続されている。一方、
配線３５０の他端は、ドライバＩＣチップ１２２の出力
側バンプ（突起電極）に接続されている。すなわち、ド
ライバＩＣチップ１２２は、配線３５０、導電性粒子１
１４およびコモン電極２１０という経路でコモン信号を
供給する構成となっている。なお、ドライバＩＣチップ
１２２の入力側バンプとＦＰＣ基板（外部回路基板）１
５０との間は、配線（第２の配線）３６０により接続さ
れている。また、背面側基板３００に形成されたセグメ
ント電極３１０は、そのままドライバＩＣチップ１２４
の出力側バンプに接続されている。すなわち、ドライバ
ＩＣチップ１２４は、セグメント電極３１０に、セグメ
ント信号を直接供給する構成となっている。なお、ドラ
イバＩＣチップ１２４の入力側バンプとＦＰＣ基板１５
０との間は、配線（第２の配線）３７０により接続され
ている。
【００２９】なお、液晶パネルには、実際には、図２に
示されるように前面側基板２００の手前側（観察者側）
に偏光板１２１や位相差板１２３が設けられる一方、背
面側基板３００の背面側（観察者側とは反対側）に偏光
板１２１や位相差板１３３などが設けられるが、図１に
おいては、図示を省略している。また、背面側基板３０
０の背面側には、外光が少ない場合に透過型として用い
るためのバックライトが設けられるが、これについて
は、図１および図２において図示を省略している。
示されるように前面側基板２００の手前側（観察者側）
に偏光板１２１や位相差板１２３が設けられる一方、背
面側基板３００の背面側（観察者側とは反対側）に偏光
板１２１や位相差板１３３などが設けられるが、図１に
おいては、図示を省略している。また、背面側基板３０
０の背面側には、外光が少ない場合に透過型として用い
るためのバックライトが設けられるが、これについて
は、図１および図２において図示を省略している。
【００３０】＜表示領域＞次に、液晶パネル１００にお
ける表示領域の詳細について説明する。まず、前面側基
板２００の詳細について説明する。図２に示されるよう
に、基板２００の外面には、位相差板１２３および偏光
板１２１が貼り付けられる。一方、基板２００の内面に
は、遮光膜２０２が形成されて、サブ画素間の混色を防
止するとともに、表示領域を規定する額縁として機能し
ている。さらに、コモン電極２１０とセグメント電極３
１０とが交差する領域に対応して（遮光膜２０２の開口
領域に対応して）、カラーフィルタ２０４が所定の配列
で設けられている。なお、本実施形態では、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ２０４が、データ
系の表示に好適なストライプ配列（図３参照）となって
おり、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素の３個で略正方形状の１画
素を構成しているが、本発明をこれに限定する趣旨では
ない。
ける表示領域の詳細について説明する。まず、前面側基
板２００の詳細について説明する。図２に示されるよう
に、基板２００の外面には、位相差板１２３および偏光
板１２１が貼り付けられる。一方、基板２００の内面に
は、遮光膜２０２が形成されて、サブ画素間の混色を防
止するとともに、表示領域を規定する額縁として機能し
ている。さらに、コモン電極２１０とセグメント電極３
１０とが交差する領域に対応して（遮光膜２０２の開口
領域に対応して）、カラーフィルタ２０４が所定の配列
で設けられている。なお、本実施形態では、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ２０４が、データ
系の表示に好適なストライプ配列（図３参照）となって
おり、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素の３個で略正方形状の１画
素を構成しているが、本発明をこれに限定する趣旨では
ない。
【００３１】次に、絶縁材からなる平坦化膜２０５は、
遮光膜２０２およびカラーフィルタ２０４による段差を
平坦化するものであり、この平坦化された面に、ITO等
の透明導電材料が帯状にパターニングされて、コモン電
極２１０となっている。そして、コモン電極２１０の表
面には、ポリイミド等からなる配向膜２０８が形成され
ている。なお、この配向膜２０８には、背面側基板３０
０と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング処理が施
される。また、遮光膜２０２、カラーフィルタ２０４お
よび平坦化膜２０５は、表示領域外では不要であるか
ら、シール材１１０の領域近傍では、設けられていな
い。
遮光膜２０２およびカラーフィルタ２０４による段差を
平坦化するものであり、この平坦化された面に、ITO等
の透明導電材料が帯状にパターニングされて、コモン電
極２１０となっている。そして、コモン電極２１０の表
面には、ポリイミド等からなる配向膜２０８が形成され
ている。なお、この配向膜２０８には、背面側基板３０
０と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング処理が施
される。また、遮光膜２０２、カラーフィルタ２０４お
よび平坦化膜２０５は、表示領域外では不要であるか
ら、シール材１１０の領域近傍では、設けられていな
い。
【００３２】続いて、背面側基板３００の構成について
説明する。基板３００の外面には、位相差板１３３およ
び偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板３００の
内面全面には、絶縁性および光透過性を有する下地膜３
０３が形成されている。この下地膜３０３の表面には、
さらに、反射パターン３１２と透明導電膜３１４とが積
層された帯状のセグメント電極３１０が形成されてい
る。このうち、反射パターン３１２は、銀合金等からな
り、前面側基板２００の側から入射した光を反射して、
再び前面側基板２００に戻すために用いられる。この
際、反射パターン３１２は、完全な鏡面である必要はな
く、むしろ適度に乱反射する構成が良い。このために
は、反射パターン３１２を、ある程度、起伏のある面に
形成するのが望ましいが、この点については、本出願と
直接関係しないので、その説明を省略することとする。
また、反射パターン３１２には、透過型としても用いる
ことができるように、バックライトによる光を透過させ
るための開口部３０９が、サブ画素１個あたり２つ設け
られている（図３参照）。なお、基板３００の表面に下
地膜３０３が設けられる理由は、その表面に形成される
反射パターン３１２の密着性を向上させるためである。
説明する。基板３００の外面には、位相差板１３３およ
び偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板３００の
内面全面には、絶縁性および光透過性を有する下地膜３
０３が形成されている。この下地膜３０３の表面には、
さらに、反射パターン３１２と透明導電膜３１４とが積
層された帯状のセグメント電極３１０が形成されてい
る。このうち、反射パターン３１２は、銀合金等からな
り、前面側基板２００の側から入射した光を反射して、
再び前面側基板２００に戻すために用いられる。この
際、反射パターン３１２は、完全な鏡面である必要はな
く、むしろ適度に乱反射する構成が良い。このために
は、反射パターン３１２を、ある程度、起伏のある面に
形成するのが望ましいが、この点については、本出願と
直接関係しないので、その説明を省略することとする。
また、反射パターン３１２には、透過型としても用いる
ことができるように、バックライトによる光を透過させ
るための開口部３０９が、サブ画素１個あたり２つ設け
られている（図３参照）。なお、基板３００の表面に下
地膜３０３が設けられる理由は、その表面に形成される
反射パターン３１２の密着性を向上させるためである。
【００３３】一方、透明導電膜３１４は、反射パターン
３１２よりも一回り広く、具体的には、反射パターン３
１２からはみ出したエッジ（周縁）部分が下地膜３０３
に接するように形成されている。このため、反射パター
ン３１２の表面は、透明導電膜３１４で完全に覆われる
ので、反射パターンが露出する部分は、開口部３０９を
含めて本実施形態では存在しないことになる。次に、保
護膜３０７は、例えばTiO2などから形成されて、反射パ
ターン３１２と透明導電膜３１４とを含めたセグメント
電極３１０の保護と、青色成分の光を多く反射させる層
（反射層）とを兼用したものである。そして、保護膜３
０７の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が
形成されている。なお、この配向膜３０８には、前面側
基板２００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング
処理が施される。また、このような背面側基板３００の
製造プロセスについての説明は、便宜上、配線３５０、
３６０、３７０を説明した後とする。
３１２よりも一回り広く、具体的には、反射パターン３
１２からはみ出したエッジ（周縁）部分が下地膜３０３
に接するように形成されている。このため、反射パター
ン３１２の表面は、透明導電膜３１４で完全に覆われる
ので、反射パターンが露出する部分は、開口部３０９を
含めて本実施形態では存在しないことになる。次に、保
護膜３０７は、例えばTiO2などから形成されて、反射パ
ターン３１２と透明導電膜３１４とを含めたセグメント
電極３１０の保護と、青色成分の光を多く反射させる層
（反射層）とを兼用したものである。そして、保護膜３
０７の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が
形成されている。なお、この配向膜３０８には、前面側
基板２００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング
処理が施される。また、このような背面側基板３００の
製造プロセスについての説明は、便宜上、配線３５０、
３６０、３７０を説明した後とする。
【００３４】＜シール材近傍＞次に、液晶パネル１００
のうち、シール材１１０が形成される領域近傍につい
て、図２のほか、図３をも参照して説明する。ここで、
図３は、当該領域近傍の詳細な構成を示す平面図であ
る。これらの図に示されるように、前面側基板２００に
おけるコモン電極２１０は、シール材１１０が形成され
る領域まで延設される一方、背面側基板３００にあって
は、配線３５０を構成する透明導電膜３５４が、コモン
電極２１０に対向するように、シール材１１０が形成さ
れる領域まで延設されている。このため、シール材１１
０中に、スペーサを兼ねた球状の導電性粒子１１４を適
切な割合で分散させると、コモン電極２１０と透明導電
膜３５４とが、当該導電性粒子１１４を介して電気的に
接続されることになる。
のうち、シール材１１０が形成される領域近傍につい
て、図２のほか、図３をも参照して説明する。ここで、
図３は、当該領域近傍の詳細な構成を示す平面図であ
る。これらの図に示されるように、前面側基板２００に
おけるコモン電極２１０は、シール材１１０が形成され
る領域まで延設される一方、背面側基板３００にあって
は、配線３５０を構成する透明導電膜３５４が、コモン
電極２１０に対向するように、シール材１１０が形成さ
れる領域まで延設されている。このため、シール材１１
０中に、スペーサを兼ねた球状の導電性粒子１１４を適
切な割合で分散させると、コモン電極２１０と透明導電
膜３５４とが、当該導電性粒子１１４を介して電気的に
接続されることになる。
【００３５】ここで、配線３５０は、上述したように、
コモン電極２１０とドライバＩＣチップ１２２の出力側
バンプとの間を電気的に接続するものであって、反射性
導電膜３５２と透明導電膜３５４とが積層されたもので
ある。このうち、反射性導電膜３５２は、反射パターン
３１２と同一の導電層をパターニングしたものであり、
同様に、透明導電膜３５４は、透明導電膜３１４と同一
の導電層を、反射性導電膜３５２よりも一回り広く、具
体的には、反射性導電膜３５２からはみ出したエッジ部
分が下地膜３０３に接するように、パターニングしたも
のである。ただし、シール材１１０が形成される領域に
は、図２に示されるように、反射性導電膜３５２は積層
されずに、透明導電膜３５４のみが設けられる。換言す
れば、反射性導電膜３５２は、シール材１１０の形成領
域であって、コモン電極２１０との接続部分を避けて形
成されている。なお、図２における導電性粒子１１４の
径は、説明の便宜上、実際よりもかなり大きくしてあ
り、このため、シール材１１０の幅方向に１個だけ設け
られたように見えるが、より正確には、図３に示される
ように、シール材１１０の幅方向に多数の導電性粒子１
１４がランダムに配列する構成となる。
コモン電極２１０とドライバＩＣチップ１２２の出力側
バンプとの間を電気的に接続するものであって、反射性
導電膜３５２と透明導電膜３５４とが積層されたもので
ある。このうち、反射性導電膜３５２は、反射パターン
３１２と同一の導電層をパターニングしたものであり、
同様に、透明導電膜３５４は、透明導電膜３１４と同一
の導電層を、反射性導電膜３５２よりも一回り広く、具
体的には、反射性導電膜３５２からはみ出したエッジ部
分が下地膜３０３に接するように、パターニングしたも
のである。ただし、シール材１１０が形成される領域に
は、図２に示されるように、反射性導電膜３５２は積層
されずに、透明導電膜３５４のみが設けられる。換言す
れば、反射性導電膜３５２は、シール材１１０の形成領
域であって、コモン電極２１０との接続部分を避けて形
成されている。なお、図２における導電性粒子１１４の
径は、説明の便宜上、実際よりもかなり大きくしてあ
り、このため、シール材１１０の幅方向に１個だけ設け
られたように見えるが、より正確には、図３に示される
ように、シール材１１０の幅方向に多数の導電性粒子１
１４がランダムに配列する構成となる。
【００３６】＜ドライバＩＣチップの実装領域、ＦＰＣ
基板の接合領域の近傍＞続いて、背面側基板３００のう
ち、ドライバＩＣチップ１２２、１２４が実装される領
域や、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域の近傍につい
て説明する。ここで、図４は、これらの領域における構
成を、配線を中心にして示す断面図であり、図５は、こ
のうち、ドライバＩＣチップ１２２の実装領域における
配線の構成を示す平面図である。なお、上述したよう
に、背面側基板３００には、セグメント電極３１０のほ
か、配線３５０、３６０および３７０が設けられるが、
ここでは、ドライバＩＣチップ１２２に関連する配線３
５０、３６０を例にとって説明する。
基板の接合領域の近傍＞続いて、背面側基板３００のう
ち、ドライバＩＣチップ１２２、１２４が実装される領
域や、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域の近傍につい
て説明する。ここで、図４は、これらの領域における構
成を、配線を中心にして示す断面図であり、図５は、こ
のうち、ドライバＩＣチップ１２２の実装領域における
配線の構成を示す平面図である。なお、上述したよう
に、背面側基板３００には、セグメント電極３１０のほ
か、配線３５０、３６０および３７０が設けられるが、
ここでは、ドライバＩＣチップ１２２に関連する配線３
５０、３６０を例にとって説明する。
【００３７】まず、これらの図に示されるように、ドラ
イバＩＣチップ１２２によるコモン信号をコモン電極２
１０まで供給するための配線３５０は、上述したよう
に、反射性導電膜３５２と透明導電膜３５４とを積層し
たものであるが、ドライバＩＣチップ１２２が実装され
る領域では、反射性導電膜３５２が設けられずに、透明
導電膜３５４のみとなっている。換言すれば、反射性導
電膜３５２は、ドライバＩＣチップ１２２との接合部分
を避けて形成されている。また、ＦＰＣ基板１５０から
供給される各種信号をドライバＩＣチップ１２２まで供
給するための配線３６０は、同様に、反射性導電膜３６
２と透明導電膜３６４とを積層したものである。このう
ち、反射性導電膜３６２は、反射パターン３１２や反射
性導電膜３５２と同一の導電層をパターニングしたもの
であり、同様に、透明導電膜３６４は、透明導電膜３１
４、３５４と同一の導電層を、反射性導電膜３６２より
も一回り広く、反射性導電膜３６２からはみ出したエッ
ジ部分が下地膜３０３に接するように、パターニングし
たものである。ただし、配線３６０のうち、ドライバＩ
Ｃチップ１２２が実装される領域、および、ＦＰＣ基板
１５０が接合される領域（図５では図示省略）では、反
射性導電膜３６２が設けられずに、透明導電膜３６４の
みとなっている。換言すれば、反射性導電膜３６４は、
ドライバＩＣチップ１２２との接合部分、および、ＦＰ
Ｃ基板１５０との接合部分を避けて形成されている。
イバＩＣチップ１２２によるコモン信号をコモン電極２
１０まで供給するための配線３５０は、上述したよう
に、反射性導電膜３５２と透明導電膜３５４とを積層し
たものであるが、ドライバＩＣチップ１２２が実装され
る領域では、反射性導電膜３５２が設けられずに、透明
導電膜３５４のみとなっている。換言すれば、反射性導
電膜３５２は、ドライバＩＣチップ１２２との接合部分
を避けて形成されている。また、ＦＰＣ基板１５０から
供給される各種信号をドライバＩＣチップ１２２まで供
給するための配線３６０は、同様に、反射性導電膜３６
２と透明導電膜３６４とを積層したものである。このう
ち、反射性導電膜３６２は、反射パターン３１２や反射
性導電膜３５２と同一の導電層をパターニングしたもの
であり、同様に、透明導電膜３６４は、透明導電膜３１
４、３５４と同一の導電層を、反射性導電膜３６２より
も一回り広く、反射性導電膜３６２からはみ出したエッ
ジ部分が下地膜３０３に接するように、パターニングし
たものである。ただし、配線３６０のうち、ドライバＩ
Ｃチップ１２２が実装される領域、および、ＦＰＣ基板
１５０が接合される領域（図５では図示省略）では、反
射性導電膜３６２が設けられずに、透明導電膜３６４の
みとなっている。換言すれば、反射性導電膜３６４は、
ドライバＩＣチップ１２２との接合部分、および、ＦＰ
Ｃ基板１５０との接合部分を避けて形成されている。
【００３８】このような配線３５０、３６０に対して、
ドライバＩＣチップ１２２は、例えば次のようにしてＣ
ＯＧ実装される。まず、直方体形状のドライバＩＣチッ
プ１２２の一面には、その内周縁部分に電極が複数設け
られるが、このような電極の各々には、それぞれ、例え
ば金（Au）などからなるバンプ１２９ａ、１２９ｂが予
め形成されている。そして、第１に、背面側基板３００
にあってドライバＩＣチップ１２２が実装されるべき領
域に、エポキシ等の接着材１３０に導電性粒子１３４を
均一に分散させたシート状の異方性導電膜が載置され、
第２に、該異方性導電膜が、電極形成面を下側にしたド
ライバＩＣチップ１２２と背面側基板３００とで挟持さ
れ、第３に、ドライバＩＣチップ１２２が、位置決めさ
れた後に、当該異方性導電膜を介して背面側基板３００
に加圧・加熱される。
ドライバＩＣチップ１２２は、例えば次のようにしてＣ
ＯＧ実装される。まず、直方体形状のドライバＩＣチッ
プ１２２の一面には、その内周縁部分に電極が複数設け
られるが、このような電極の各々には、それぞれ、例え
ば金（Au）などからなるバンプ１２９ａ、１２９ｂが予
め形成されている。そして、第１に、背面側基板３００
にあってドライバＩＣチップ１２２が実装されるべき領
域に、エポキシ等の接着材１３０に導電性粒子１３４を
均一に分散させたシート状の異方性導電膜が載置され、
第２に、該異方性導電膜が、電極形成面を下側にしたド
ライバＩＣチップ１２２と背面側基板３００とで挟持さ
れ、第３に、ドライバＩＣチップ１２２が、位置決めさ
れた後に、当該異方性導電膜を介して背面側基板３００
に加圧・加熱される。
【００３９】これにより、ドライバＩＣチップ１２２の
うち、コモン信号を供給する出力側バンプ１２９ａは、
配線３５０を構成する透明導電膜３５４に、また、ＦＰ
Ｃ基板１５０からの信号を入力する入力側バンプ１２９
ｂは、配線３６０を構成する透明導電膜３６４に、それ
ぞれ、接着材１３０中の導電性粒子１３４を介して電気
的に接続されることとなる。この際、接着材１３０は、
ドライバＩＣチップ１２２の電極形成面を、湿気や、汚
染、応力などから保護する封止材を兼ねることになる。
うち、コモン信号を供給する出力側バンプ１２９ａは、
配線３５０を構成する透明導電膜３５４に、また、ＦＰ
Ｃ基板１５０からの信号を入力する入力側バンプ１２９
ｂは、配線３６０を構成する透明導電膜３６４に、それ
ぞれ、接着材１３０中の導電性粒子１３４を介して電気
的に接続されることとなる。この際、接着材１３０は、
ドライバＩＣチップ１２２の電極形成面を、湿気や、汚
染、応力などから保護する封止材を兼ねることになる。
【００４０】なお、ここでは、ドライバＩＣチップ１２
２に関連する配線３５０、３６０を例にとって説明した
が、ドライバＩＣチップ１２４に関連するセグメント電
極３１０、および、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号をドライバＩＣチップ１２４まで供給するための
配線３７０についても、それぞれ図４において括弧書で
示されるように、配線３５０、３６０と同様な構成とな
っている。すなわち、ドライバＩＣチップ１２４による
セグメント信号を供給するためのセグメント電極３１０
は、上述したように、反射パターン３１２と透明導電膜
３１４とが積層された構成となっているが、ドライバＩ
Ｃチップ１２４が実装される領域では、反射パターン３
１２が設けられずに、透明電極３１２のみとなってい
る。換言すれば、反射パターン３１２は、ドライバＩＣ
チップ１２４との接合部分を避けて形成されている。
２に関連する配線３５０、３６０を例にとって説明した
が、ドライバＩＣチップ１２４に関連するセグメント電
極３１０、および、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号をドライバＩＣチップ１２４まで供給するための
配線３７０についても、それぞれ図４において括弧書で
示されるように、配線３５０、３６０と同様な構成とな
っている。すなわち、ドライバＩＣチップ１２４による
セグメント信号を供給するためのセグメント電極３１０
は、上述したように、反射パターン３１２と透明導電膜
３１４とが積層された構成となっているが、ドライバＩ
Ｃチップ１２４が実装される領域では、反射パターン３
１２が設けられずに、透明電極３１２のみとなってい
る。換言すれば、反射パターン３１２は、ドライバＩＣ
チップ１２４との接合部分を避けて形成されている。
【００４１】また、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号をドライバＩＣチップ１２４まで供給するための
配線３７０は、同様に、反射性導電膜３７２と透明導電
膜３７４とが積層された構成となっている。このうち、
反射性導電膜３７２は、反射パターン３１２や反射性導
電膜３５２、３６２と同一の導電層をパターニングした
ものであり、透明導電膜３７４は、透明導電膜３１４、
３５４、３６４と同一の導電層を、反射性導電膜３７２
よりも一回り広く、反射性導電膜３７２からはみ出した
エッジ部分が下地膜３０３に接するように、パターニン
グしたものである。ただし、配線３７０のうち、ドライ
バＩＣチップ１２４が実装される領域、および、ＦＰＣ
基板１５０が接合される領域では、反射性導電膜３７２
が設けられずに、透明導電膜３７４のみとなっている。
換言すれば、反射性導電膜３７２は、ドライバＩＣチッ
プ１２４との接合部分、および、ＦＰＣ基板１５０との
接合部分を避けて形成されている。そして、このような
セグメント電極３２０、配線３７０に対して、ドライバ
ＩＣチップ１２４は、ドライバＩＣチップ１２２と同様
に、異方性導電膜を介して接続されることになる。
種信号をドライバＩＣチップ１２４まで供給するための
配線３７０は、同様に、反射性導電膜３７２と透明導電
膜３７４とが積層された構成となっている。このうち、
反射性導電膜３７２は、反射パターン３１２や反射性導
電膜３５２、３６２と同一の導電層をパターニングした
ものであり、透明導電膜３７４は、透明導電膜３１４、
３５４、３６４と同一の導電層を、反射性導電膜３７２
よりも一回り広く、反射性導電膜３７２からはみ出した
エッジ部分が下地膜３０３に接するように、パターニン
グしたものである。ただし、配線３７０のうち、ドライ
バＩＣチップ１２４が実装される領域、および、ＦＰＣ
基板１５０が接合される領域では、反射性導電膜３７２
が設けられずに、透明導電膜３７４のみとなっている。
換言すれば、反射性導電膜３７２は、ドライバＩＣチッ
プ１２４との接合部分、および、ＦＰＣ基板１５０との
接合部分を避けて形成されている。そして、このような
セグメント電極３２０、配線３７０に対して、ドライバ
ＩＣチップ１２４は、ドライバＩＣチップ１２２と同様
に、異方性導電膜を介して接続されることになる。
【００４２】また、配線３６０、３７０に対して、ＦＰ
Ｃ基板１５０が接合される場合にも、同様に異方性導電
膜が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０におい
て、ポリイミドのような基材１５２に形成された配線１
５４は、配線３６０を構成する透明導電膜３６４、およ
び、配線３７０を構成する透明導電膜３７４に対し、そ
れぞれ接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気
的に接続されることとなる。
Ｃ基板１５０が接合される場合にも、同様に異方性導電
膜が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０におい
て、ポリイミドのような基材１５２に形成された配線１
５４は、配線３６０を構成する透明導電膜３６４、およ
び、配線３７０を構成する透明導電膜３７４に対し、そ
れぞれ接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気
的に接続されることとなる。
【００４３】＜製造プロセス＞ここで、上述した液晶パ
ネルの製造プロセス、特に、背面側基板の製造プロセス
について、図６を参照して説明する。なお、ここでは、
コモン電極２１０とセグメント電極３１０とが交差する
表示領域を中心にして説明することとする。まず、同図
（ａ）に示されるように、基板３００の内面全面に、Ta
2O5やSiO2などをスパッタリングなどにより堆積して、
下地膜３０３を形成する。続いて、同図（ｂ）に示され
るように、銀単体または銀を主成分とする反射性の導電
層３１２’をスパッタリングなどにより成膜する。この
導電層３１２’としては、例えば、重量比で９８％程度
の銀（Ag）の他に白金（Pt）・銅（Cu）を含む合金や、
銀・銅・金の合金、さらには銀・ルテニウム（Ru）・銅
の合金などが望ましい。
ネルの製造プロセス、特に、背面側基板の製造プロセス
について、図６を参照して説明する。なお、ここでは、
コモン電極２１０とセグメント電極３１０とが交差する
表示領域を中心にして説明することとする。まず、同図
（ａ）に示されるように、基板３００の内面全面に、Ta
2O5やSiO2などをスパッタリングなどにより堆積して、
下地膜３０３を形成する。続いて、同図（ｂ）に示され
るように、銀単体または銀を主成分とする反射性の導電
層３１２’をスパッタリングなどにより成膜する。この
導電層３１２’としては、例えば、重量比で９８％程度
の銀（Ag）の他に白金（Pt）・銅（Cu）を含む合金や、
銀・銅・金の合金、さらには銀・ルテニウム（Ru）・銅
の合金などが望ましい。
【００４４】続いて、同図（ｃ）に示されるように、導
電層３１２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を用いてパターニングして、表示領域において
は反射パターン３１２とし、表示領域外においては反射
性導電膜３５２、３６２、３７２とする。この際、反射
パターン３１２においては、同時に開口部３０９を形成
する。
電層３１２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を用いてパターニングして、表示領域において
は反射パターン３１２とし、表示領域外においては反射
性導電膜３５２、３６２、３７２とする。この際、反射
パターン３１２においては、同時に開口部３０９を形成
する。
【００４５】この後、同図（ｄ）に示されるように、IT
Oなどの導電層３１４’を、スパッタリングなどにより
成膜する。そして、同図（ｅ）に示されるように、導電
層３１４’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチン
グ技術を用いてパターニングして、表示領域においては
透明導電膜３１４とし、表示領域外においては透明導電
膜３５４、３６４、３７４とする。この際、反射パター
ン３１２、反射性導電膜膜３５２、３６２、３７２が露
出しないように、透明導電膜３１４、３５４、３６４、
３７４の周縁部分が下地膜３０３に接するようにする。
これにより、導電層３１４’の成膜後には、反射パター
ン３１２、反射性導電膜３５２、３６２、３７２の表面
が露出しないので、これらの腐食・剥離等が防止される
ことになる。また、液晶１６０と反射パターン３１２と
の間には、透明導電膜３１４が介在するので、反射パタ
ーン３１２から不純物が液晶１６０に溶出するのが防止
されることとなる。
Oなどの導電層３１４’を、スパッタリングなどにより
成膜する。そして、同図（ｅ）に示されるように、導電
層３１４’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチン
グ技術を用いてパターニングして、表示領域においては
透明導電膜３１４とし、表示領域外においては透明導電
膜３５４、３６４、３７４とする。この際、反射パター
ン３１２、反射性導電膜膜３５２、３６２、３７２が露
出しないように、透明導電膜３１４、３５４、３６４、
３７４の周縁部分が下地膜３０３に接するようにする。
これにより、導電層３１４’の成膜後には、反射パター
ン３１２、反射性導電膜３５２、３６２、３７２の表面
が露出しないので、これらの腐食・剥離等が防止される
ことになる。また、液晶１６０と反射パターン３１２と
の間には、透明導電膜３１４が介在するので、反射パタ
ーン３１２から不純物が液晶１６０に溶出するのが防止
されることとなる。
【００４６】なお、これ以降については、図示を省略す
るが、図２における保護膜３０７、配向膜３０８を順番
に形成し、当該配向膜３０８にラビング処理を施す。続
いて、このような背面側基板３００と、同様に配向膜２
０８にラビング処理を施した背面側基板２００とを、導
電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１０によ
り貼り合わせ、次に、真空に近い状態にして、シール材
１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常
圧に戻すことで、パネル全体に液晶１６０が封入され、
この後、当該開口部分を封止材１１２で封止する。この
後、上述したように、ドライバＩＣチップ１２２、１２
４およびＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１に示
されるような液晶パネル１００となる。
るが、図２における保護膜３０７、配向膜３０８を順番
に形成し、当該配向膜３０８にラビング処理を施す。続
いて、このような背面側基板３００と、同様に配向膜２
０８にラビング処理を施した背面側基板２００とを、導
電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１０によ
り貼り合わせ、次に、真空に近い状態にして、シール材
１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常
圧に戻すことで、パネル全体に液晶１６０が封入され、
この後、当該開口部分を封止材１１２で封止する。この
後、上述したように、ドライバＩＣチップ１２２、１２
４およびＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１に示
されるような液晶パネル１００となる。
【００４７】＜表示動作等＞次に、このような構成に係
る液晶表示装置の表示動作について簡単に説明する。ま
ず、上述したドライバＩＣチップ１２２は、コモン電極
２１０の各々に対し、水平走査期間毎に所定の順番で選
択電圧を印加する一方、ドライバＩＣチップ１２４は、
選択電圧が印加されたコモン電極２１０に位置するサブ
画素１行分の表示内容に応じたセグメント信号を、対応
するセグメント電極３１０を介してそれぞれ供給する。
この際、コモン電極２１０およびセグメント電極３１０
とで印加される電圧差にしたがって、当該領域における
液晶１６０の配向状態がサブ画素毎に制御される。
る液晶表示装置の表示動作について簡単に説明する。ま
ず、上述したドライバＩＣチップ１２２は、コモン電極
２１０の各々に対し、水平走査期間毎に所定の順番で選
択電圧を印加する一方、ドライバＩＣチップ１２４は、
選択電圧が印加されたコモン電極２１０に位置するサブ
画素１行分の表示内容に応じたセグメント信号を、対応
するセグメント電極３１０を介してそれぞれ供給する。
この際、コモン電極２１０およびセグメント電極３１０
とで印加される電圧差にしたがって、当該領域における
液晶１６０の配向状態がサブ画素毎に制御される。
【００４８】ここで、図２において、観察者側からの外
光は、偏光板１２１および位相差板１２３を経ること
で、所定の偏光状態となり、さらに、前面側基板２００
→カラーフィルタ２０４→コモン電極２１０→液晶１６
０→セグメント電極３１０という経路を介して反射パタ
ーン３１２に到達し、ここで反射して、今来た経路を逆
に辿る。したがって、反射型においては、コモン電極２
１０とセグメント電極３１０との間に印加された電圧差
により液晶１６０の配向状態が変化することによって、
外光のうち、反射パターン３１２の反射後、偏光板を通
過して最終的に観察者に視認される光の量が、サブ画素
毎に制御されることになる。
光は、偏光板１２１および位相差板１２３を経ること
で、所定の偏光状態となり、さらに、前面側基板２００
→カラーフィルタ２０４→コモン電極２１０→液晶１６
０→セグメント電極３１０という経路を介して反射パタ
ーン３１２に到達し、ここで反射して、今来た経路を逆
に辿る。したがって、反射型においては、コモン電極２
１０とセグメント電極３１０との間に印加された電圧差
により液晶１６０の配向状態が変化することによって、
外光のうち、反射パターン３１２の反射後、偏光板を通
過して最終的に観察者に視認される光の量が、サブ画素
毎に制御されることになる。
【００４９】なお、反射型において、低波長側（青色
側）の光は、反射パターン３１２により反射する成分と
比較して、その上層に位置する保護膜３０７で反射する
成分が多くなる。ここで、本実施形態において、このよ
うな保護膜３０７が設けられる理由は、次の通りであ
る。すなわち、銀を含む反射性パターン３１２の波長／
反射率の特性は、図７に示されるように、一般的に用い
られるアルミニウムほどフラットではなく、低波長にな
るにつれて反射率が低下する傾向がある。この結果、反
射パターン３１２による反射した光は、青色成分が少な
くなって、黄色味を帯びる傾向があるので、特にカラー
表示を行う場合には、色再現性に悪影響を与えることに
なる。そこで、青色成分の光については、反射パターン
３１２で反射される成分に比較して、保護膜３０７で反
射される成分を多くして、該保護膜３０７と反射パター
ン３１２とを併せた反射光に黄色味が帯びるのを防止し
ているのである。
側）の光は、反射パターン３１２により反射する成分と
比較して、その上層に位置する保護膜３０７で反射する
成分が多くなる。ここで、本実施形態において、このよ
うな保護膜３０７が設けられる理由は、次の通りであ
る。すなわち、銀を含む反射性パターン３１２の波長／
反射率の特性は、図７に示されるように、一般的に用い
られるアルミニウムほどフラットではなく、低波長にな
るにつれて反射率が低下する傾向がある。この結果、反
射パターン３１２による反射した光は、青色成分が少な
くなって、黄色味を帯びる傾向があるので、特にカラー
表示を行う場合には、色再現性に悪影響を与えることに
なる。そこで、青色成分の光については、反射パターン
３１２で反射される成分に比較して、保護膜３０７で反
射される成分を多くして、該保護膜３０７と反射パター
ン３１２とを併せた反射光に黄色味が帯びるのを防止し
ているのである。
【００５０】一方、背面側基板の背面側に位置するバッ
クライト（図示省略）を点灯させた場合、当該バックラ
イトによる光は、偏光板１３１および位相差板１３３を
経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、背面側基
板３００→開口部３０９→セグメント電極３１０→液晶
１６０→コモン電極２１０→前面側基板２００→偏光板
２０１という経路を介して観察者側に出射する。したが
って、透過型においても、コモン電極２１０とセグメン
ト電極３１０との間に印加された電圧差により液晶１６
０の配向状態が変化することによって、開口部３０９を
透過した光のうち、偏光板を通過して最終的に観察者に
視認される光の量が、サブ画素毎に制御されることにな
る。
クライト（図示省略）を点灯させた場合、当該バックラ
イトによる光は、偏光板１３１および位相差板１３３を
経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、背面側基
板３００→開口部３０９→セグメント電極３１０→液晶
１６０→コモン電極２１０→前面側基板２００→偏光板
２０１という経路を介して観察者側に出射する。したが
って、透過型においても、コモン電極２１０とセグメン
ト電極３１０との間に印加された電圧差により液晶１６
０の配向状態が変化することによって、開口部３０９を
透過した光のうち、偏光板を通過して最終的に観察者に
視認される光の量が、サブ画素毎に制御されることにな
る。
【００５１】したがって、本実施形態により液晶表示装
置では、外光が十分であれば反射型となり、外光が弱け
れば、バックライトを点灯させることで主として透過型
となるので、いずれの型においても表示が可能となる。
ここで、本実施形態では、光を反射する反射パターン３
１２に、銀または銀を主成分とする銀合金等を用いてい
るので、反射率が高められて、観察者側に戻る光が多く
なる結果、明るい表示が可能となる。さらに、反射パタ
ーン３１２の表面が露出する部分は、本実施形態では、
透明電極を構成する導電層３１２’の成膜後には存在し
ないので、反射パターン３１２の腐食・剥離等が防止さ
れる結果、信頼性が向上することになる。
置では、外光が十分であれば反射型となり、外光が弱け
れば、バックライトを点灯させることで主として透過型
となるので、いずれの型においても表示が可能となる。
ここで、本実施形態では、光を反射する反射パターン３
１２に、銀または銀を主成分とする銀合金等を用いてい
るので、反射率が高められて、観察者側に戻る光が多く
なる結果、明るい表示が可能となる。さらに、反射パタ
ーン３１２の表面が露出する部分は、本実施形態では、
透明電極を構成する導電層３１２’の成膜後には存在し
ないので、反射パターン３１２の腐食・剥離等が防止さ
れる結果、信頼性が向上することになる。
【００５２】また、前面側基板２００に設けられるコモ
ン電極２１０は、導電性粒子１１４および配線３５０を
介して背面側基板３００に引き出され、さらに、配線３
６０によりドライバＩＣチップ１２４の実装領域近傍ま
で引き回されているので、本実施形態では、パッシブマ
トリクス型であるにもかかわらず、ＦＰＣ基板１５０と
の接合が片面の１箇所で済んでいる。このため、実装工
程の簡易化が図られることになる。
ン電極２１０は、導電性粒子１１４および配線３５０を
介して背面側基板３００に引き出され、さらに、配線３
６０によりドライバＩＣチップ１２４の実装領域近傍ま
で引き回されているので、本実施形態では、パッシブマ
トリクス型であるにもかかわらず、ＦＰＣ基板１５０と
の接合が片面の１箇所で済んでいる。このため、実装工
程の簡易化が図られることになる。
【００５３】一方、セグメント電極３１０は、透明導電
膜３１４と、銀単体または銀を主成分とする銀合金等か
らなる反射パターン３１２とを積層した構成となってい
るので、低抵抗化が図られ、同様に、表示領域外におけ
る配線３５０、３６０、３７０は、それぞれ透明導電膜
３５４、３６４、３７４と、反射パターン３１２と同一
導電層からなる反射性導電膜３５２、３６２、３７２と
を積層した構成となっているので、低抵抗化が図られて
いる。特に、ＦＰＣ基板１５０からドライバＩＣチップ
１２２の入力側バンプに至るまでの配線３６０には、コ
モン信号を供給するドライバＩＣチップ１２２の電源ラ
インが含まれるので、比較的高い電圧が印加され、しか
も、その配線距離は、配線３７０と比較して長い。この
ため、配線３６０が高抵抗であると、電圧降下による影
響を無視することができなくなる。これに対して、本実
施形態における配線３６０では、積層により低抵抗化が
図られているので、電圧降下の影響が少なくなる。
膜３１４と、銀単体または銀を主成分とする銀合金等か
らなる反射パターン３１２とを積層した構成となってい
るので、低抵抗化が図られ、同様に、表示領域外におけ
る配線３５０、３６０、３７０は、それぞれ透明導電膜
３５４、３６４、３７４と、反射パターン３１２と同一
導電層からなる反射性導電膜３５２、３６２、３７２と
を積層した構成となっているので、低抵抗化が図られて
いる。特に、ＦＰＣ基板１５０からドライバＩＣチップ
１２２の入力側バンプに至るまでの配線３６０には、コ
モン信号を供給するドライバＩＣチップ１２２の電源ラ
インが含まれるので、比較的高い電圧が印加され、しか
も、その配線距離は、配線３７０と比較して長い。この
ため、配線３６０が高抵抗であると、電圧降下による影
響を無視することができなくなる。これに対して、本実
施形態における配線３６０では、積層により低抵抗化が
図られているので、電圧降下の影響が少なくなる。
【００５４】ここで、セグメント電極３１０のうち、ド
ライバＩＣチップ１２４が実装される領域では、反射パ
ターン３１２が設けられずに、透明導電膜３１４のみと
なっている。また、配線３５０のうち、シール材１１０
に含まれることになる領域、および、ドライバＩＣチッ
プ１２２が実装される領域では、反射性導電膜３５２が
設けられずに、透明導電膜３５４のみとなっている。同
様に、配線３６０のうち、ドライバＩＣチップ１２２が
実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合され
る領域では、反射性導電膜３６２が設けられずに、透明
導電膜３６４のみとなっており、また、配線３７０のう
ち、ドライバＩＣチップ１２４が実装される領域、およ
び、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、反射性導
電膜３７２が設けられずに、透明導電膜３７４のみとな
っている。これは、銀合金等は密着性に欠けるので、応
力が加わる部分に設けるのは好ましくないからである。
すなわち、配線の低抵抗化を優先させるならば、透明電
極または透明導電膜の下層全域にわたって反射パターン
または反射性導電膜を形成する構成が望ましいが、この
ような構成では、例えば、ドライバＩＣチップの実装工
程における接続不良の発生により、当該チップを交換す
る際に、密着性が低いために当該反射性導電膜が基板か
ら剥離してしまう可能性がある。そこで、本実施形態で
は、応力のかかりやすい部分には、銀合金等を設けず
に、透明電極または透明導電膜のみとして、銀合金等の
剥離を未然に防止しているのである。
ライバＩＣチップ１２４が実装される領域では、反射パ
ターン３１２が設けられずに、透明導電膜３１４のみと
なっている。また、配線３５０のうち、シール材１１０
に含まれることになる領域、および、ドライバＩＣチッ
プ１２２が実装される領域では、反射性導電膜３５２が
設けられずに、透明導電膜３５４のみとなっている。同
様に、配線３６０のうち、ドライバＩＣチップ１２２が
実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合され
る領域では、反射性導電膜３６２が設けられずに、透明
導電膜３６４のみとなっており、また、配線３７０のう
ち、ドライバＩＣチップ１２４が実装される領域、およ
び、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、反射性導
電膜３７２が設けられずに、透明導電膜３７４のみとな
っている。これは、銀合金等は密着性に欠けるので、応
力が加わる部分に設けるのは好ましくないからである。
すなわち、配線の低抵抗化を優先させるならば、透明電
極または透明導電膜の下層全域にわたって反射パターン
または反射性導電膜を形成する構成が望ましいが、この
ような構成では、例えば、ドライバＩＣチップの実装工
程における接続不良の発生により、当該チップを交換す
る際に、密着性が低いために当該反射性導電膜が基板か
ら剥離してしまう可能性がある。そこで、本実施形態で
は、応力のかかりやすい部分には、銀合金等を設けず
に、透明電極または透明導電膜のみとして、銀合金等の
剥離を未然に防止しているのである。
【００５５】＜第２実施形態＞上述した第１実施形態で
は、コモン電極２１０をドライバＩＣチップ１２２によ
り、セグメント電極３１０をドライバＩＣチップ１２４
により、それぞれ駆動する構成としたが、本発明は、こ
れに限られず、例えば、図８に示されるように、両者を
１チップ化したタイプにも適用可能である。この図に示
される液晶表示装置では、前面側基板２００にコモン電
極２１０がＸ方向に複数本延在して形成される点におい
て実施形態と共通であるが、上半分のコモン電極２１０
が左側から、下半分のコモン電極２１０が右側から、そ
れぞれ引き出されてドライバＩＣチップ１２６に接続さ
れている点において実施形態と相違している。ここで、
ドライバＩＣチップ１２６は、実施形態におけるドライ
バＩＣチップ１２２、１２４を１チップ化したものであ
る。このため、ドライバＩＣチップ１２６の出力側は、
セグメント電極３１０のほか、配線３５０を介してコモ
ン電極２１０にも接続されている。また、ＦＰＣ基板１
５０は、外部回路（図示省略）からドライバＩＣチップ
１２６を制御するための信号等を、配線３６０（３７
０）を介して供給することになる。
は、コモン電極２１０をドライバＩＣチップ１２２によ
り、セグメント電極３１０をドライバＩＣチップ１２４
により、それぞれ駆動する構成としたが、本発明は、こ
れに限られず、例えば、図８に示されるように、両者を
１チップ化したタイプにも適用可能である。この図に示
される液晶表示装置では、前面側基板２００にコモン電
極２１０がＸ方向に複数本延在して形成される点におい
て実施形態と共通であるが、上半分のコモン電極２１０
が左側から、下半分のコモン電極２１０が右側から、そ
れぞれ引き出されてドライバＩＣチップ１２６に接続さ
れている点において実施形態と相違している。ここで、
ドライバＩＣチップ１２６は、実施形態におけるドライ
バＩＣチップ１２２、１２４を１チップ化したものであ
る。このため、ドライバＩＣチップ１２６の出力側は、
セグメント電極３１０のほか、配線３５０を介してコモ
ン電極２１０にも接続されている。また、ＦＰＣ基板１
５０は、外部回路（図示省略）からドライバＩＣチップ
１２６を制御するための信号等を、配線３６０（３７
０）を介して供給することになる。
【００５６】ここで、ドライバＩＣチップ１２６が実装
される領域近傍の実際的な配線レイアウトについて説明
する。図９は、この配線レイアウトの一例を示す平面図
である。この図に示されるように、セグメント電極３１
０は、ドライバＩＣチップ１２６の出力側からピッチが
拡大されて、表示領域まで引き回されているのに対し、
配線３５０からコモン電極２１０までついては、ドライ
バＩＣチップ１２６の出力側からピッチが一旦狭められ
て、Ｙ方向に延在した後、９０度屈曲するとともにピッ
チが拡大されて、表示領域まで引き回されている。ここ
で、配線３５０（コモン電極２１０）が、ドライバＩＣ
チップ１２６の出力側から、Ｙ方向に延在する領域にお
いてそのピッチが狭められている理由は、この領域が表
示に寄与しないデッドスペースだからであり、この領域
が広いと、それだけ１枚の大型ガラス（マザーガラス）
からの取り数が少なくなって、コスト高を招くからであ
る。また、ドライバＩＣチップ１２６の出力側バンプを
配線３５０にＣＯＧ技術により接合するためには、ある
程度のピッチが必要であるため、ドライバＩＣチップ１
２６の接合領域については、逆にピッチを拡大している
のである。
される領域近傍の実際的な配線レイアウトについて説明
する。図９は、この配線レイアウトの一例を示す平面図
である。この図に示されるように、セグメント電極３１
０は、ドライバＩＣチップ１２６の出力側からピッチが
拡大されて、表示領域まで引き回されているのに対し、
配線３５０からコモン電極２１０までついては、ドライ
バＩＣチップ１２６の出力側からピッチが一旦狭められ
て、Ｙ方向に延在した後、９０度屈曲するとともにピッ
チが拡大されて、表示領域まで引き回されている。ここ
で、配線３５０（コモン電極２１０）が、ドライバＩＣ
チップ１２６の出力側から、Ｙ方向に延在する領域にお
いてそのピッチが狭められている理由は、この領域が表
示に寄与しないデッドスペースだからであり、この領域
が広いと、それだけ１枚の大型ガラス（マザーガラス）
からの取り数が少なくなって、コスト高を招くからであ
る。また、ドライバＩＣチップ１２６の出力側バンプを
配線３５０にＣＯＧ技術により接合するためには、ある
程度のピッチが必要であるため、ドライバＩＣチップ１
２６の接合領域については、逆にピッチを拡大している
のである。
【００５７】なお、図８に示される液晶表示装置におい
て、コモン電極２１０の本数が少ないのであれば、当該
コモン電極２１０を片側一方からのみ引き出す構成とし
ても良い。また、図１０に示されるように、ドライバＩ
Ｃチップを液晶パネル１００に実装しないタイプにも適
用可能である。すなわち、この図に示される液晶表示装
置では、ドライバＩＣチップ１２６がフリップチップ等
の技術によりＦＰＣ基板１５０に実装されている。な
お、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いて、
ドライバＩＣチップ１２６をそのインナーリードでボン
ディングする一方、液晶パネル１００とはそのアウター
リードで接合する構成としても良い。ただし、このよう
な構成では、画素数が多くなるにつれて、ＦＰＣ基板１
５０との接続点数が増加することになる。
て、コモン電極２１０の本数が少ないのであれば、当該
コモン電極２１０を片側一方からのみ引き出す構成とし
ても良い。また、図１０に示されるように、ドライバＩ
Ｃチップを液晶パネル１００に実装しないタイプにも適
用可能である。すなわち、この図に示される液晶表示装
置では、ドライバＩＣチップ１２６がフリップチップ等
の技術によりＦＰＣ基板１５０に実装されている。な
お、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いて、
ドライバＩＣチップ１２６をそのインナーリードでボン
ディングする一方、液晶パネル１００とはそのアウター
リードで接合する構成としても良い。ただし、このよう
な構成では、画素数が多くなるにつれて、ＦＰＣ基板１
５０との接続点数が増加することになる。
【００５８】＜第３実施形態＞上述した第１実施形態に
あっては、銀合金等の下地膜３０３として絶縁材料を有
するものを用いたが、本発明はこれに限られず、ITOやS
n2O3等の導電材料を用いることも可能である。そこで次
に、下地膜３０３として導電性材料を用いた第３実施形
態について説明する。なお、この第３実施形態に係る液
晶表示装置は、外観的には、第１実施形態を示す図１と
同一であるので、ここでは、内部的な電極や配線の構成
を中心にして説明することにする。
あっては、銀合金等の下地膜３０３として絶縁材料を有
するものを用いたが、本発明はこれに限られず、ITOやS
n2O3等の導電材料を用いることも可能である。そこで次
に、下地膜３０３として導電性材料を用いた第３実施形
態について説明する。なお、この第３実施形態に係る液
晶表示装置は、外観的には、第１実施形態を示す図１と
同一であるので、ここでは、内部的な電極や配線の構成
を中心にして説明することにする。
【００５９】図１１は、第３実施形態に係る液晶表示装
置の液晶パネルの構成を、Ｘ方向に沿って破断した場合
の構成を示す部分断面図であり、第１実施形態における
図２に相当するものである。また、図１２は、背面側基
板３００のうち、ドライバＩＣチップ１２２（１２４）
が実装される領域や、ＦＰＣ基板１５０が接合される領
域の構成を示す断面図であり、第１実施形態における図
４に相当するものである。これらの図において、下地膜
３０３は、反射パターン３１２や、反射性導電膜３５
２、３６２、３７２の密着性を向上させるために設けら
れる点で第１実施形態と同様であるが、ITOやSn2O3等の
導電性および光透過性を有する材料からなる点で第１実
施形態と相違する。
置の液晶パネルの構成を、Ｘ方向に沿って破断した場合
の構成を示す部分断面図であり、第１実施形態における
図２に相当するものである。また、図１２は、背面側基
板３００のうち、ドライバＩＣチップ１２２（１２４）
が実装される領域や、ＦＰＣ基板１５０が接合される領
域の構成を示す断面図であり、第１実施形態における図
４に相当するものである。これらの図において、下地膜
３０３は、反射パターン３１２や、反射性導電膜３５
２、３６２、３７２の密着性を向上させるために設けら
れる点で第１実施形態と同様であるが、ITOやSn2O3等の
導電性および光透過性を有する材料からなる点で第１実
施形態と相違する。
【００６０】この下地膜３０３は、後述するように、透
明導電膜３１４、３５４、３６４、３７４と同一プロセ
スによって、これらの透明導電膜と略同一形状にパター
ニングされている。詳細には、第１に、セグメント電極
３１０にあっては、図１１に示されるように、反射パタ
ーン３１２が、下地膜３０３と透明導電膜３１４とによ
ってサンドイッチされ、なおかつ、透明導電膜３１４の
うち、反射パターン３１２からはみ出したエッジ（周
縁）部分が、下地膜３０３に接するように形成される。
このため、セグメント電極３１０は、導電材料の下地膜
３０３と、反射パターン３１２と、透明導電膜３１４と
を順番に積層した３層構造となる。ただし、反射パター
ン３１２は、図１２の括弧書で示されるように、ドライ
バＩＣチップ１２４における出力側バンプ１２９ａとの
接合部分を避けるように形成されている。
明導電膜３１４、３５４、３６４、３７４と同一プロセ
スによって、これらの透明導電膜と略同一形状にパター
ニングされている。詳細には、第１に、セグメント電極
３１０にあっては、図１１に示されるように、反射パタ
ーン３１２が、下地膜３０３と透明導電膜３１４とによ
ってサンドイッチされ、なおかつ、透明導電膜３１４の
うち、反射パターン３１２からはみ出したエッジ（周
縁）部分が、下地膜３０３に接するように形成される。
このため、セグメント電極３１０は、導電材料の下地膜
３０３と、反射パターン３１２と、透明導電膜３１４と
を順番に積層した３層構造となる。ただし、反射パター
ン３１２は、図１２の括弧書で示されるように、ドライ
バＩＣチップ１２４における出力側バンプ１２９ａとの
接合部分を避けるように形成されている。
【００６１】また、第２に、ドライバＩＣチップ１２２
の出力側バンプ１２９ａから、コモン電極２１０との接
続部分まで引き回される配線３５０にあっては、図１１
および図１２に示されるように、反射性導電膜３５２
が、下地膜３０３と透明導電膜３５４とによってサンド
イッチされ、なおかつ、透明導電膜３５４のうち、反射
性導電膜３５２からはみ出したエッジ部分が、下地膜３
０３に接するように形成される。このため、配線３５０
は、下地膜３０３と、反射性導電膜３５２と、透明導電
膜３５４とを順番に積層した３層構造となるが、このう
ち、反射性導電膜３５２は、導電性粒子１１４を介した
コモン電極２１０との接合部分（図１１参照）、およ
び、ドライバＩＣチップ１２２における出力側バンプと
の接合部分（図１２参照）を避けて形成されている。
の出力側バンプ１２９ａから、コモン電極２１０との接
続部分まで引き回される配線３５０にあっては、図１１
および図１２に示されるように、反射性導電膜３５２
が、下地膜３０３と透明導電膜３５４とによってサンド
イッチされ、なおかつ、透明導電膜３５４のうち、反射
性導電膜３５２からはみ出したエッジ部分が、下地膜３
０３に接するように形成される。このため、配線３５０
は、下地膜３０３と、反射性導電膜３５２と、透明導電
膜３５４とを順番に積層した３層構造となるが、このう
ち、反射性導電膜３５２は、導電性粒子１１４を介した
コモン電極２１０との接合部分（図１１参照）、およ
び、ドライバＩＣチップ１２２における出力側バンプと
の接合部分（図１２参照）を避けて形成されている。
【００６２】第３に、ＦＰＣ基板１５０との接続端子か
らドライバＩＣチップ１２２の入力側バンプ１２９ｂま
で引き回される配線３６０にあっては、図１２に示され
るように、反射性導電膜３６２が、下地膜３０３と透明
導電膜３６４とによってサンドイッチされ、なおかつ、
透明導電膜３６４のうち、反射性導電膜３６２からはみ
出したエッジ部分が、下地膜３０３に接するように形成
される。このため、配線３６０は、下地膜３０３と、反
射性導電膜３６２と、透明導電膜３６４とを順番に積層
した３層構造となるが、このうち、反射性導電膜３６２
は、導電性粒子１４４を介したＦＰＣ基板１５０との接
合部分、および、ドライバＩＣチップ１２２における入
力側バンプ１２９ｂとの接合部分を避けて形成されてい
る。
らドライバＩＣチップ１２２の入力側バンプ１２９ｂま
で引き回される配線３６０にあっては、図１２に示され
るように、反射性導電膜３６２が、下地膜３０３と透明
導電膜３６４とによってサンドイッチされ、なおかつ、
透明導電膜３６４のうち、反射性導電膜３６２からはみ
出したエッジ部分が、下地膜３０３に接するように形成
される。このため、配線３６０は、下地膜３０３と、反
射性導電膜３６２と、透明導電膜３６４とを順番に積層
した３層構造となるが、このうち、反射性導電膜３６２
は、導電性粒子１４４を介したＦＰＣ基板１５０との接
合部分、および、ドライバＩＣチップ１２２における入
力側バンプ１２９ｂとの接合部分を避けて形成されてい
る。
【００６３】第４に、ＦＰＣ基板１５０との接続端子か
らドライバＩＣチップ１２４の入力側バンプ１２９ｂま
で引き回される配線３７０にあっては、図１２の括弧書
に示されるように、反射性導電膜３７２が、下地膜３０
３と透明導電膜３７４とによってサンドイッチされ、な
おかつ、透明導電膜３６４のうち、反射性導電膜３７２
からはみ出したエッジ部分が、下地膜３０３に接するよ
うに形成される。このため、配線３７０は、下地膜３０
３と、反射性導電膜３７２と、透明導電膜３７４とを順
番に積層した３層構造となるが、このうち、反射性導電
膜３７２は、導電性粒子１４４を介したＦＰＣ基板１５
０との接合部分、および、ドライバＩＣチップ１２４に
おける入力側バンプ１２９ｂとの接合部分を避けて形成
されている。
らドライバＩＣチップ１２４の入力側バンプ１２９ｂま
で引き回される配線３７０にあっては、図１２の括弧書
に示されるように、反射性導電膜３７２が、下地膜３０
３と透明導電膜３７４とによってサンドイッチされ、な
おかつ、透明導電膜３６４のうち、反射性導電膜３７２
からはみ出したエッジ部分が、下地膜３０３に接するよ
うに形成される。このため、配線３７０は、下地膜３０
３と、反射性導電膜３７２と、透明導電膜３７４とを順
番に積層した３層構造となるが、このうち、反射性導電
膜３７２は、導電性粒子１４４を介したＦＰＣ基板１５
０との接合部分、および、ドライバＩＣチップ１２４に
おける入力側バンプ１２９ｂとの接合部分を避けて形成
されている。
【００６４】なお、図１１および図１２にあっては、ド
ライバＩＣチップの接合部分やＦＰＣ基板１５０との接
合部分では、下地膜３０３と、透明導電膜３１４、３５
４、３６４、３７４との２層となっているが、いずれか
の一方の１層構造としても良い。また、第３実施形態に
おいて、下地膜３０３は、平面的に見て、透明導電膜３
１４、３５４、３６４、３７４と同一形状となる。この
ため、第３実施形態に係る液晶パネルのサブ画素を示す
平面図は、第１実施形態に係る液晶パネルのサブ画素を
示す図３と同一となり、また、第３実施形態に係る液晶
パネルにおいて、ドライバＩＣチップの実装領域近傍を
示す部分平面図についても、第１実施形態に係る液晶パ
ネルにおいて、ドライバＩＣチップの実装領域近傍を示
す図５と同一となる。
ライバＩＣチップの接合部分やＦＰＣ基板１５０との接
合部分では、下地膜３０３と、透明導電膜３１４、３５
４、３６４、３７４との２層となっているが、いずれか
の一方の１層構造としても良い。また、第３実施形態に
おいて、下地膜３０３は、平面的に見て、透明導電膜３
１４、３５４、３６４、３７４と同一形状となる。この
ため、第３実施形態に係る液晶パネルのサブ画素を示す
平面図は、第１実施形態に係る液晶パネルのサブ画素を
示す図３と同一となり、また、第３実施形態に係る液晶
パネルにおいて、ドライバＩＣチップの実装領域近傍を
示す部分平面図についても、第１実施形態に係る液晶パ
ネルにおいて、ドライバＩＣチップの実装領域近傍を示
す図５と同一となる。
【００６５】＜製造プロセス＞次に、第３実施形態にお
ける液晶パネルの製造プロセス、特に、背面側基板の製
造プロセスについて説明する。図１３は、この製造プロ
セスを示す図であり、第１実施形態における図６に相当
するものである。まず、同図（ａ）に示されるように、
基板３００の内面全面に、ITOやSn2O3などの金属酸化物
材料をスパッタリングなどにより堆積して、下地３０
３’を形成する。続いて、同図（ｂ）に示されるよう
に、銀単体または銀を主成分とする反射性の導電層３１
２’をスパッタリングなどにより成膜する。なお、この
導電層３１２’については、第１実施形態と同様のもの
を用いることができる。
ける液晶パネルの製造プロセス、特に、背面側基板の製
造プロセスについて説明する。図１３は、この製造プロ
セスを示す図であり、第１実施形態における図６に相当
するものである。まず、同図（ａ）に示されるように、
基板３００の内面全面に、ITOやSn2O3などの金属酸化物
材料をスパッタリングなどにより堆積して、下地３０
３’を形成する。続いて、同図（ｂ）に示されるよう
に、銀単体または銀を主成分とする反射性の導電層３１
２’をスパッタリングなどにより成膜する。なお、この
導電層３１２’については、第１実施形態と同様のもの
を用いることができる。
【００６６】続いて、同図（ｃ）に示されるように、下
地３０３’に形成された導電層３１２’のみを、フォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパター
ニングする。このエッチングにより、表示領域では、開
口部３０９とともに反射パターン３１２が形成され、表
示領域外では、反射性導電膜３５２、３６２、３７２が
形成される。ここで、金属酸化物である下地３０３’
と、合金である導電層３１２’とでは、選択比が相違す
るので、詳細には、下地３０３’よりも導電層３１２’
の方がエッチングされやすいので、適切なエッチング溶
液を用いれば、導電層３１２’のみを選択的にエッチン
グすることが可能である。なお、このようなエッチング
液としては、例えば、重量比でリン酸（５４％）、酢酸
（３３％）、硝酸（０．６％）、残余を水とする混合溶
液が挙げられる。
地３０３’に形成された導電層３１２’のみを、フォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパター
ニングする。このエッチングにより、表示領域では、開
口部３０９とともに反射パターン３１２が形成され、表
示領域外では、反射性導電膜３５２、３６２、３７２が
形成される。ここで、金属酸化物である下地３０３’
と、合金である導電層３１２’とでは、選択比が相違す
るので、詳細には、下地３０３’よりも導電層３１２’
の方がエッチングされやすいので、適切なエッチング溶
液を用いれば、導電層３１２’のみを選択的にエッチン
グすることが可能である。なお、このようなエッチング
液としては、例えば、重量比でリン酸（５４％）、酢酸
（３３％）、硝酸（０．６％）、残余を水とする混合溶
液が挙げられる。
【００６７】この後、同図（ｄ）に示されるように、IT
Oなどの導電層３１４’を、スパッタリングなどにより
成膜する。そして、同図（ｅ）に示されるように、下地
３０３０’と導電層３１４’とを、フォトリソグラフィ
技術およびエッチング技術を用いて同時にパターニング
し、下地膜３０３および透明導電膜３１４として形成す
る。これにより、セグメント電極３１０が形成されるこ
とになる。なお、表示領域外においては、下地３０３’
を下地膜３０３として、また、導電層３１４’を透明導
電膜３５４、３６４、３７４として、それぞれパターニ
ングする。これにより、配線３５０、３６０、３７０が
形成されることになる。ここで、透明導電膜３１４、３
５４、３６４、３７４（下地膜３０３）を、反射パター
ン３１２や反射性導電膜３５２、３６２、３７２よりも
一回り大きくパターニングすると、透明導電膜のうち、
反射パターンや反射性導電膜からはみ出したエッジ部分
が下地膜３０３に接するので、反射パターンや反射性導
電膜が露出することはない。
Oなどの導電層３１４’を、スパッタリングなどにより
成膜する。そして、同図（ｅ）に示されるように、下地
３０３０’と導電層３１４’とを、フォトリソグラフィ
技術およびエッチング技術を用いて同時にパターニング
し、下地膜３０３および透明導電膜３１４として形成す
る。これにより、セグメント電極３１０が形成されるこ
とになる。なお、表示領域外においては、下地３０３’
を下地膜３０３として、また、導電層３１４’を透明導
電膜３５４、３６４、３７４として、それぞれパターニ
ングする。これにより、配線３５０、３６０、３７０が
形成されることになる。ここで、透明導電膜３１４、３
５４、３６４、３７４（下地膜３０３）を、反射パター
ン３１２や反射性導電膜３５２、３６２、３７２よりも
一回り大きくパターニングすると、透明導電膜のうち、
反射パターンや反射性導電膜からはみ出したエッジ部分
が下地膜３０３に接するので、反射パターンや反射性導
電膜が露出することはない。
【００６８】なお、これ以降については、第１実施形態
と同様であり、図１１における保護膜３０７、配向膜３
０８を順番に形成し、当該配向膜３０８にラビング処理
を施す。この後、背面側基板３００と、同様に配向膜２
０８にラビング処理を施した背面側基板２００とを、導
電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１０によ
り貼り合わせ、さらに、真空に近い状態にして、シール
材１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。この後、
常圧に戻して、当該開口部分を封止材１１２で封止す
る。そして、ドライバＩＣチップ１２２、１２４および
ＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１に示される第
１実施形態と同様な液晶パネル１００となる。
と同様であり、図１１における保護膜３０７、配向膜３
０８を順番に形成し、当該配向膜３０８にラビング処理
を施す。この後、背面側基板３００と、同様に配向膜２
０８にラビング処理を施した背面側基板２００とを、導
電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１０によ
り貼り合わせ、さらに、真空に近い状態にして、シール
材１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。この後、
常圧に戻して、当該開口部分を封止材１１２で封止す
る。そして、ドライバＩＣチップ１２２、１２４および
ＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１に示される第
１実施形態と同様な液晶パネル１００となる。
【００６９】このような第３実施形態によれば、銀合金
等の反射パターン３１２、反射性導電膜３５２、３６
２、３７２が、それぞれ透明導電膜３１４、３５４、３
６４、３７４によって完全に覆われ、なおかつ、金属酸
化物同士である下地膜と透明導電膜とによって挟持され
る。このため、下地膜と透明導電膜との密着性は、無機
材料および金属酸化物を用いた第１実施形態と比較して
良好であるため、これらの界面を介して水分等の侵入が
少なくなる。また、第３実施形態では、下地膜３０３が
金属酸化物膜として追加されているが、そのパターニン
グ工程は、透明導電膜３１４、３５４、３６４、３７４
と兼用されるので、第１実施形態と比較してプロセスが
複雑化することもない。さらに、第３実施形態では、配
線抵抗についても、接合部分以外では３層構造となるの
で、２層構造である第１実施形態と比較して、低くする
ことができる。なお、他の作用効果については、第１実
施形態と同様である。
等の反射パターン３１２、反射性導電膜３５２、３６
２、３７２が、それぞれ透明導電膜３１４、３５４、３
６４、３７４によって完全に覆われ、なおかつ、金属酸
化物同士である下地膜と透明導電膜とによって挟持され
る。このため、下地膜と透明導電膜との密着性は、無機
材料および金属酸化物を用いた第１実施形態と比較して
良好であるため、これらの界面を介して水分等の侵入が
少なくなる。また、第３実施形態では、下地膜３０３が
金属酸化物膜として追加されているが、そのパターニン
グ工程は、透明導電膜３１４、３５４、３６４、３７４
と兼用されるので、第１実施形態と比較してプロセスが
複雑化することもない。さらに、第３実施形態では、配
線抵抗についても、接合部分以外では３層構造となるの
で、２層構造である第１実施形態と比較して、低くする
ことができる。なお、他の作用効果については、第１実
施形態と同様である。
【００７０】＜第４実施形態＞上述した第１、第２及び
第３実施形態では、パッシブマトリクス型として説明し
たが、本発明では、アクティブ（スイッチング）素子を
用いて液晶を駆動するアクティブマトリクス型でも適用
可能である。そこで次に、アクティブ素子によって液晶
を駆動する第４実施形態について説明することにする。
なお、第４実施形態では、アクティブ素子の一例として
ＴＦＤ（Thin Filmed Diode：薄膜ダイオード）を用い
ることにする。また、第４実施形態に係る液晶表示装置
は、外観的には、第１実施形態を示す図１と同一である
ので、ここでも、内部的な電極や配線の構成を中心にし
て説明することにする。
第３実施形態では、パッシブマトリクス型として説明し
たが、本発明では、アクティブ（スイッチング）素子を
用いて液晶を駆動するアクティブマトリクス型でも適用
可能である。そこで次に、アクティブ素子によって液晶
を駆動する第４実施形態について説明することにする。
なお、第４実施形態では、アクティブ素子の一例として
ＴＦＤ（Thin Filmed Diode：薄膜ダイオード）を用い
ることにする。また、第４実施形態に係る液晶表示装置
は、外観的には、第１実施形態を示す図１と同一である
ので、ここでも、内部的な電極や配線の構成を中心にし
て説明することにする。
【００７１】図１４（ａ）は、第４実施形態に係る液晶
パネル１００において、１画素分のレイアウトを示す平
面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）におけるＡ
−Ａ’線に沿って示す断面図である。これらの図に示さ
れるように、液晶パネル１００では、前面側基板におい
て走査線２１００が行（Ｘ）方向に延在して形成される
一方、背面側基板においてデータ線（信号線）３１００
が列（Ｙ）方向に延在して形成されるとともに、走査線
２１００とデータ線３１００との各交差に対応して、矩
形状の画素電極３３０がマトリクス状に配列している。
このうち、同一列にて配列された画素電極３３０が、１
本のデータ線３１００に、それぞれＴＦＤ３２０を介し
て共通接続されている。なお、本実施形態において、走
査線２１００はドライバＩＣチップ１２２によって、デ
ータ線３１００はドライバＩＣチップ１２４によって、
それぞれ駆動される。
パネル１００において、１画素分のレイアウトを示す平
面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）におけるＡ
−Ａ’線に沿って示す断面図である。これらの図に示さ
れるように、液晶パネル１００では、前面側基板におい
て走査線２１００が行（Ｘ）方向に延在して形成される
一方、背面側基板においてデータ線（信号線）３１００
が列（Ｙ）方向に延在して形成されるとともに、走査線
２１００とデータ線３１００との各交差に対応して、矩
形状の画素電極３３０がマトリクス状に配列している。
このうち、同一列にて配列された画素電極３３０が、１
本のデータ線３１００に、それぞれＴＦＤ３２０を介し
て共通接続されている。なお、本実施形態において、走
査線２１００はドライバＩＣチップ１２２によって、デ
ータ線３１００はドライバＩＣチップ１２４によって、
それぞれ駆動される。
【００７２】本実施形態において、ＴＦＤ３２０は、第
１のＴＦＤ３２０ａおよび第２のＴＦＤ３２０ｂからな
り、背面側基板３００の表面に形成され、かつ、絶縁性
および光透過性を有する下地膜３０３において、タンタ
ルタングステンなどの第１金属膜３１１６と、この第１
金属膜３１１６の表面を陽極酸化することによって形成
された絶縁膜３１１８と、この表面に形成されて相互に
離間した第２金属膜３１２２、３１２４とを有する。こ
のうち、第１金属膜３１２２、３１２４は、銀合金等の
反射性導電膜であり、前者の第２金属膜３１２２は、そ
のままデータ線３１００の一部となる一方、後者の第２
金属膜３１２４は、開口部３０９を有する画素電極３３
０の反射性導電膜３３２２となっている。
１のＴＦＤ３２０ａおよび第２のＴＦＤ３２０ｂからな
り、背面側基板３００の表面に形成され、かつ、絶縁性
および光透過性を有する下地膜３０３において、タンタ
ルタングステンなどの第１金属膜３１１６と、この第１
金属膜３１１６の表面を陽極酸化することによって形成
された絶縁膜３１１８と、この表面に形成されて相互に
離間した第２金属膜３１２２、３１２４とを有する。こ
のうち、第１金属膜３１２２、３１２４は、銀合金等の
反射性導電膜であり、前者の第２金属膜３１２２は、そ
のままデータ線３１００の一部となる一方、後者の第２
金属膜３１２４は、開口部３０９を有する画素電極３３
０の反射性導電膜３３２２となっている。
【００７３】ここで、ＴＦＤ３２０のうち、第１のＴＦ
Ｄ３２０ａは、データ線３１００の側からみると順番
に、第２金属膜３１２２／絶縁膜３１１８／第１金属膜
３１１６となって、金属／絶縁体／金属のＭＩＭ構造を
採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって
非線形となる。一方、第２のＴＦＤ３２０ｂは、データ
線３１００の側からみると順番に、第１金属膜３１１６
／絶縁膜３１１８／第２金属膜３１２４となって、第１
のＴＦＤ３２０ａとは、反対の電流−電圧特性を有する
ことになる。したがって、ＴＦＤ３２０は、２つのダイ
オード素子を互いに逆向きに直列接続した形となるた
め、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の
非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることに
なる。
Ｄ３２０ａは、データ線３１００の側からみると順番
に、第２金属膜３１２２／絶縁膜３１１８／第１金属膜
３１１６となって、金属／絶縁体／金属のＭＩＭ構造を
採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって
非線形となる。一方、第２のＴＦＤ３２０ｂは、データ
線３１００の側からみると順番に、第１金属膜３１１６
／絶縁膜３１１８／第２金属膜３１２４となって、第１
のＴＦＤ３２０ａとは、反対の電流−電圧特性を有する
ことになる。したがって、ＴＦＤ３２０は、２つのダイ
オード素子を互いに逆向きに直列接続した形となるた
め、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の
非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることに
なる。
【００７４】ここで、データ線３１００の一部である反
射線導電膜３１２０と、第２金属膜３１２２、３１２４
と、画素電極３３０の反射性導電膜３３２０とは、同一
の銀合金層をパターニングしたものである。したがっ
て、第４実施形態では、これらの膜が、露出しないよう
に、ITOからなる透明導電膜３１４０、３３４０によっ
て覆われている。一方、データ線３１００は、下地膜３
０３から順番に、金属膜３１１２、絶縁膜３１１４、反
射性導電膜３１２０、透明導電膜３１４０となってい
る。
射線導電膜３１２０と、第２金属膜３１２２、３１２４
と、画素電極３３０の反射性導電膜３３２０とは、同一
の銀合金層をパターニングしたものである。したがっ
て、第４実施形態では、これらの膜が、露出しないよう
に、ITOからなる透明導電膜３１４０、３３４０によっ
て覆われている。一方、データ線３１００は、下地膜３
０３から順番に、金属膜３１１２、絶縁膜３１１４、反
射性導電膜３１２０、透明導電膜３１４０となってい
る。
【００７５】また、同一行の画素電極３３０は、それぞ
れ同一行の走査線２１００と対向している。この走査線
２１００は、第１、第２および第３実施形態におけるコ
モン電極２１０と同様に、ITOからなるストライプ状の
透明電極である。このため、走査線２１００は、画素電
極３３０の対向電極として機能することになる。したが
って、ある色に対応するサブ画素の液晶容量は、走査線
２１００とデータ線３１００との交差において、当該走
査線２１００と、画素電極３３０と、両者の間に挟持さ
れた液晶１６０とによって構成されることになる。
れ同一行の走査線２１００と対向している。この走査線
２１００は、第１、第２および第３実施形態におけるコ
モン電極２１０と同様に、ITOからなるストライプ状の
透明電極である。このため、走査線２１００は、画素電
極３３０の対向電極として機能することになる。したが
って、ある色に対応するサブ画素の液晶容量は、走査線
２１００とデータ線３１００との交差において、当該走
査線２１００と、画素電極３３０と、両者の間に挟持さ
れた液晶１６０とによって構成されることになる。
【００７６】このような構成において、データ線３１０
０に印加されているデータ電圧にかかわらず、ＴＦＤ３
２０がオンする選択電圧を走査線２１００に印加する
と、当該走査線２１００および当該データ線３１００の
交差に対応するＴＦＤ３２０がオンして、オンしたＴＦ
Ｄ３２０に接続された液晶容量に、当該選択電圧および
当該データ電圧の差に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄
積後、走査線２１００に非選択電圧を印加して、当該Ｔ
ＦＤ３２０をオフさせても、液晶容量における電荷の蓄
積は維持される。ここで、液晶容量に蓄積される電荷量
に応じて、液晶１６０の配向状態が変化するので、偏光
版１２１（図２、図１１参照）を通過する光量も、透過
型、反射型のいずれにおいても、蓄積された電荷量に応
じて変化する。したがって、選択電圧が印加されたとき
のデータ電圧によって、液晶容量における電荷の蓄積量
をサブ画素毎に制御することで、所定の階調表示が可能
になる。
０に印加されているデータ電圧にかかわらず、ＴＦＤ３
２０がオンする選択電圧を走査線２１００に印加する
と、当該走査線２１００および当該データ線３１００の
交差に対応するＴＦＤ３２０がオンして、オンしたＴＦ
Ｄ３２０に接続された液晶容量に、当該選択電圧および
当該データ電圧の差に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄
積後、走査線２１００に非選択電圧を印加して、当該Ｔ
ＦＤ３２０をオフさせても、液晶容量における電荷の蓄
積は維持される。ここで、液晶容量に蓄積される電荷量
に応じて、液晶１６０の配向状態が変化するので、偏光
版１２１（図２、図１１参照）を通過する光量も、透過
型、反射型のいずれにおいても、蓄積された電荷量に応
じて変化する。したがって、選択電圧が印加されたとき
のデータ電圧によって、液晶容量における電荷の蓄積量
をサブ画素毎に制御することで、所定の階調表示が可能
になる。
【００７７】＜製造プロセス＞次に、第４実施形態にお
ける液晶パネルの製造プロセス、特に、背面側基板にお
けるＴＦＴ３２０の製造プロセスについて説明する。図
１５、図１６および図１７は、この製造プロセスを示す
図である。まず、図１５（ａ）に示されるように、基板
３００の内面全面に、Ta2O5やSiO 2などをスパッタリン
グなどにより堆積したり、スパッタリング法等で堆積し
たタンタル（Ta）膜を熱酸化したりすることによって、
下地膜３０３を形成する。
ける液晶パネルの製造プロセス、特に、背面側基板にお
けるＴＦＴ３２０の製造プロセスについて説明する。図
１５、図１６および図１７は、この製造プロセスを示す
図である。まず、図１５（ａ）に示されるように、基板
３００の内面全面に、Ta2O5やSiO 2などをスパッタリン
グなどにより堆積したり、スパッタリング法等で堆積し
たタンタル（Ta）膜を熱酸化したりすることによって、
下地膜３０３を形成する。
【００７８】続いて、同図（ｂ）に示されるように、下
地膜３０３の上面に第１金属層３１１２’を成膜する。
ここで、第１金属層３１１２’の膜厚としては、ＴＦＤ
３２０の用途によって適切な値が選択され、通常、100
〜500nm程度である。また、第１金属層３１１２’の組
成は、例えば、タンタル単体や、タンタルタングステン
（TaW）などのタンタル合金である。ここで、第１金属
層３１１２’としてタンタル単体を用いる場合には、ス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法などで形成可能であ
る。また、第１金属層３１１２’としてタンタル合金を
用いる場合には、主成分のタンタルに、タングステンの
ほか、クロムや、モリブデン、レニウム、イットリウ
ム、ランタン、ディスプロリウムなどの周期律表におい
て第６〜第８族に属する元素が添加される。この添加元
素としては、上述したようにタングステンが好ましく、
その含有割合は、例えば、0.1〜6重量％が望ましい。ま
た、タンタル合金からなる第１金属層３１１２’を形成
するには、混合ターゲットを用いたスパッタリング法
や、コスパッタリング法、電子ビーム蒸着法などが用い
られる。
地膜３０３の上面に第１金属層３１１２’を成膜する。
ここで、第１金属層３１１２’の膜厚としては、ＴＦＤ
３２０の用途によって適切な値が選択され、通常、100
〜500nm程度である。また、第１金属層３１１２’の組
成は、例えば、タンタル単体や、タンタルタングステン
（TaW）などのタンタル合金である。ここで、第１金属
層３１１２’としてタンタル単体を用いる場合には、ス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法などで形成可能であ
る。また、第１金属層３１１２’としてタンタル合金を
用いる場合には、主成分のタンタルに、タングステンの
ほか、クロムや、モリブデン、レニウム、イットリウ
ム、ランタン、ディスプロリウムなどの周期律表におい
て第６〜第８族に属する元素が添加される。この添加元
素としては、上述したようにタングステンが好ましく、
その含有割合は、例えば、0.1〜6重量％が望ましい。ま
た、タンタル合金からなる第１金属層３１１２’を形成
するには、混合ターゲットを用いたスパッタリング法
や、コスパッタリング法、電子ビーム蒸着法などが用い
られる。
【００７９】さらに、同図（ｃ）に示されるように、導
電層３１１２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッ
チング技術を用いてパターニングして、データ線３１０
０の最下層となる金属膜３１１２と、該金属膜３１１２
から枝分かれする第１金属膜３１１６とを形成する。
電層３１１２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッ
チング技術を用いてパターニングして、データ線３１０
０の最下層となる金属膜３１１２と、該金属膜３１１２
から枝分かれする第１金属膜３１１６とを形成する。
【００８０】続いて、同図（ｄ）に示されるように、第
１金属膜３１１６の表面を陽極酸化法によって酸化し
て、絶縁膜３１１８を形成する。このとき、データ線３
１１０の最下層となる金属膜３１１２の表面も同時に酸
化されて、同様に絶縁膜３１１４が形成される。絶縁膜
３１１８の膜厚は、その用途によって適切な値が選択さ
れ、本実施形態では、例えば10〜35nm程度である。本実
施形態では、ＴＦＤ３２０が、第１のＴＦＤ３２０ａと
第２のＴＦＤ３２０ｂとの２つからなるので、１つのサ
ブ画素について１個のＴＦＤを用いる場合と比較する
と、絶縁膜３１１８の膜厚は、ほぼ半分となっている。
なお、陽極酸化に用いられる化成液は、特に、限定され
ないが、例えば、0.01〜0.1重量％のクエン酸水溶液を
用いることができる。
１金属膜３１１６の表面を陽極酸化法によって酸化し
て、絶縁膜３１１８を形成する。このとき、データ線３
１１０の最下層となる金属膜３１１２の表面も同時に酸
化されて、同様に絶縁膜３１１４が形成される。絶縁膜
３１１８の膜厚は、その用途によって適切な値が選択さ
れ、本実施形態では、例えば10〜35nm程度である。本実
施形態では、ＴＦＤ３２０が、第１のＴＦＤ３２０ａと
第２のＴＦＤ３２０ｂとの２つからなるので、１つのサ
ブ画素について１個のＴＦＤを用いる場合と比較する
と、絶縁膜３１１８の膜厚は、ほぼ半分となっている。
なお、陽極酸化に用いられる化成液は、特に、限定され
ないが、例えば、0.01〜0.1重量％のクエン酸水溶液を
用いることができる。
【００８１】次に、同図（ｅ）に示されるように、デー
タ線３１００の基礎部分（絶縁膜３１１４によって覆わ
れた金属膜３１１２）から枝分かれした絶縁膜３１１８
のうち、破線部分３１１９を、その基礎となっている第
１金属膜３１１６とともに除去する。これにより、第１
のＴＦＤ３２０ａおよび第２のＴＦＤ３２０ｂで共用さ
れる第１金属膜３１１６が、データ線３１００と電気的
に分離されることになる。なお、破線部分３１１９の除
去については、一般に用いられているフォトリソグラフ
ィおよびエッチング技術が用いられる。
タ線３１００の基礎部分（絶縁膜３１１４によって覆わ
れた金属膜３１１２）から枝分かれした絶縁膜３１１８
のうち、破線部分３１１９を、その基礎となっている第
１金属膜３１１６とともに除去する。これにより、第１
のＴＦＤ３２０ａおよび第２のＴＦＤ３２０ｂで共用さ
れる第１金属膜３１１６が、データ線３１００と電気的
に分離されることになる。なお、破線部分３１１９の除
去については、一般に用いられているフォトリソグラフ
ィおよびエッチング技術が用いられる。
【００８２】続いて、図１６（ｆ）に示されるように、
銀単体または銀を主成分とする反射性の導電層３１２
０’をスパッタリングなどにより成膜する。なお、この
導電層３１２０’については、第１実施形態における導
電層３１２’と同様のものを用いることができる。さら
に、同図（ｇ）に示されるように、導電層３１２０’を
フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて
パターニングして、データ線３１００における反射性導
電膜３１２０と、ＴＦＤ３２０における第２金属膜３１
２２、３１２４と、画素電極３３０における反射性導電
膜３３２０とをそれぞれ形成する。ここで、反射性導電
膜３３２０には、透過型として用いるための開口部３０
９が同時に設けられる。また、第２金属膜３１２２は、
反射性導電膜３１２０からの分岐部分であり、第２金属
膜３１２４は、反射性導電膜３３２０からの突出部分で
ある。また、導電層３１２０’をパターニングする際
に、配線における反射性導電膜３５２、３６２、３７２
（図４参照）も同時に形成する。ここで、本実施形態に
おける反射性導電膜３１２０が、第１実施形態等におけ
る反射性導電膜３１２として用いられる。なお、これら
の反射性導電膜については、ドライバＩＣチップやＦＰ
Ｃ基板などの接合部分を避けて形成されるの点は、上述
した第１実施形態と同様である。
銀単体または銀を主成分とする反射性の導電層３１２
０’をスパッタリングなどにより成膜する。なお、この
導電層３１２０’については、第１実施形態における導
電層３１２’と同様のものを用いることができる。さら
に、同図（ｇ）に示されるように、導電層３１２０’を
フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて
パターニングして、データ線３１００における反射性導
電膜３１２０と、ＴＦＤ３２０における第２金属膜３１
２２、３１２４と、画素電極３３０における反射性導電
膜３３２０とをそれぞれ形成する。ここで、反射性導電
膜３３２０には、透過型として用いるための開口部３０
９が同時に設けられる。また、第２金属膜３１２２は、
反射性導電膜３１２０からの分岐部分であり、第２金属
膜３１２４は、反射性導電膜３３２０からの突出部分で
ある。また、導電層３１２０’をパターニングする際
に、配線における反射性導電膜３５２、３６２、３７２
（図４参照）も同時に形成する。ここで、本実施形態に
おける反射性導電膜３１２０が、第１実施形態等におけ
る反射性導電膜３１２として用いられる。なお、これら
の反射性導電膜については、ドライバＩＣチップやＦＰ
Ｃ基板などの接合部分を避けて形成されるの点は、上述
した第１実施形態と同様である。
【００８３】次に、図１７（ｈ）に示されるように、IT
Oなどの透明性を有する導電層３１４０’を、スパッタ
リングなどにより成膜する。そして、同図（ｉ）に示さ
れるように、導電層３１４０’を、フォトリソグラフィ
技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、
銀合金等の反射性導電膜３１２０および第２金属膜３１
２２を完全に覆うように、透明導電膜３１４０を形成す
る。同様にして、反射性導電膜３３２０および第２金属
膜３１２４を完全に覆うように、透明導電膜３３４０を
形成する。また、導電層３１４０’をパターニングする
際に、配線における透明導電膜３５４、３６４、３７４
の各々についても、それぞれ反射性導電膜３５２、３６
２、３７２を完全に覆うように形成する。
Oなどの透明性を有する導電層３１４０’を、スパッタ
リングなどにより成膜する。そして、同図（ｉ）に示さ
れるように、導電層３１４０’を、フォトリソグラフィ
技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、
銀合金等の反射性導電膜３１２０および第２金属膜３１
２２を完全に覆うように、透明導電膜３１４０を形成す
る。同様にして、反射性導電膜３３２０および第２金属
膜３１２４を完全に覆うように、透明導電膜３３４０を
形成する。また、導電層３１４０’をパターニングする
際に、配線における透明導電膜３５４、３６４、３７４
の各々についても、それぞれ反射性導電膜３５２、３６
２、３７２を完全に覆うように形成する。
【００８４】なお、これ以降の製造プロセスについて
は、第１実施形態と同様である。すなわち、図２におけ
る保護膜３０７、配向膜３０８を順番に形成し、当該配
向膜３０８にラビング処理を施す。この後、背面側基板
３００と、同様に配向膜２０８にラビング処理を施した
背面側基板２００とを、導電性粒子１１４を適切に分散
させたシール材１１０により貼り合わせ、さらに、真空
に近い状態にして、シール材１１０の開口部分に液晶１
６０を滴下する。この後、常圧に戻して、当該開口部分
を封止材１１２で封止する。そして、ドライバＩＣチッ
プ１２２、１２４およびＦＰＣ基板１５０を実装するこ
とで、図１に示される第１実施形態と同様な液晶パネル
１００となる。
は、第１実施形態と同様である。すなわち、図２におけ
る保護膜３０７、配向膜３０８を順番に形成し、当該配
向膜３０８にラビング処理を施す。この後、背面側基板
３００と、同様に配向膜２０８にラビング処理を施した
背面側基板２００とを、導電性粒子１１４を適切に分散
させたシール材１１０により貼り合わせ、さらに、真空
に近い状態にして、シール材１１０の開口部分に液晶１
６０を滴下する。この後、常圧に戻して、当該開口部分
を封止材１１２で封止する。そして、ドライバＩＣチッ
プ１２２、１２４およびＦＰＣ基板１５０を実装するこ
とで、図１に示される第１実施形態と同様な液晶パネル
１００となる。
【００８５】このように第４実施形態では、ＴＦＤ３２
０における第２金属膜３１２２、３１２４と、データ線
３１００のうち反射性導電膜３１２０とが、反射性導電
膜３３２０と同一層によって形成されるので、製造プロ
セスがそれほど複雑化することはない。また、データ線
３１００には、低抵抗である反射性導電膜３１２０を含
むので、その配線抵抗が低減されることになる。また、
第４実施形態によれば、第２金属膜３１２２、３１２４
や、反射性導電膜３１２０、３３２０はそれぞれ銀合金
等ではあるが、配線３５０、３６０、３７０における反
射性導電膜３５２、３６２、３７２と同様に、ITO等の
透明導電膜３１４０、３３４０によって露出することな
く覆われるので、腐食・剥離等が防止される結果、信頼
性を向上させることが可能となる。
０における第２金属膜３１２２、３１２４と、データ線
３１００のうち反射性導電膜３１２０とが、反射性導電
膜３３２０と同一層によって形成されるので、製造プロ
セスがそれほど複雑化することはない。また、データ線
３１００には、低抵抗である反射性導電膜３１２０を含
むので、その配線抵抗が低減されることになる。また、
第４実施形態によれば、第２金属膜３１２２、３１２４
や、反射性導電膜３１２０、３３２０はそれぞれ銀合金
等ではあるが、配線３５０、３６０、３７０における反
射性導電膜３５２、３６２、３７２と同様に、ITO等の
透明導電膜３１４０、３３４０によって露出することな
く覆われるので、腐食・剥離等が防止される結果、信頼
性を向上させることが可能となる。
【００８６】なお、第４実施形態におけるＴＦＤ３２０
は、電流−電圧特性を正負双方向にわたって対称化とな
るように、第１のＴＦＤ３２０ａと第２のＴＦＤ３２０
ｂとを互いに逆向きとするような構成であったが、電流
−電圧特性の対称性がそれほど強く要求されないのであ
れば、単に１個のＴＦＤを用いても良いのはもちろんで
ある。そもそも、第４実施形態におけるＴＦＤ３２０
は、二端子型スイッチング素子の一例である。このた
め、アクティブ素子としては、ZnO（酸化亜鉛）バリス
タや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）などを用いた単
一素子のほか、これら素子を２つ逆向きに直列接続また
は並列接続したものなどを、二端子型スイッチング素子
として用いることも可能である。さらに、これらの二端
子型素子のほか、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子
を設けて、これらにより駆動するとともに、これら素子
への配線の一部（または全部）に、反射パターンと同一
の導電層を用いる構成としても良い。
は、電流−電圧特性を正負双方向にわたって対称化とな
るように、第１のＴＦＤ３２０ａと第２のＴＦＤ３２０
ｂとを互いに逆向きとするような構成であったが、電流
−電圧特性の対称性がそれほど強く要求されないのであ
れば、単に１個のＴＦＤを用いても良いのはもちろんで
ある。そもそも、第４実施形態におけるＴＦＤ３２０
は、二端子型スイッチング素子の一例である。このた
め、アクティブ素子としては、ZnO（酸化亜鉛）バリス
タや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）などを用いた単
一素子のほか、これら素子を２つ逆向きに直列接続また
は並列接続したものなどを、二端子型スイッチング素子
として用いることも可能である。さらに、これらの二端
子型素子のほか、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子
を設けて、これらにより駆動するとともに、これら素子
への配線の一部（または全部）に、反射パターンと同一
の導電層を用いる構成としても良い。
【００８７】＜応用例・変形例＞なお、上述した実施形
態では、半透過半反射型の液晶表示装置としたが、開口
部３０９を設けずに、単なる反射型としても良い。反射
型とする場合には、バックライトに代えて、必要に応じ
て観察者側から光を照射するフロントライトを設けても
良い。また、半透過半反射型とする場合、反射パターン
３１２（反射性導電膜３３２０）に、開口部３０９を必
ずしも設ける必要がない。すなわち、背面側基板３００
側からの入射光の一部が、なんらかの構成によって、液
晶１６０を介し観察者に視認されれば良い。例えば、銀
合金等の反射パターンの膜厚をごく薄くすれば、開口部
３０９を設けることなく、半透過半反射パターンとして
機能することになる。一方、実施形態では、コモン電極
２１０と配線３５０との導通を、シール材１１０に混入
された導電性粒子１１４により図る構成としたが、シー
ル材１１０の枠外に別途設けられた領域において導通を
図る構成としても良い。さらに、コモン電極２１０（走
査線２１００）およびセグメント電極３１０（データ線
３１００）は、互いに相対的な関係にあるため、前面側
基板２００にセグメント電極（データ線）を形成すると
ともに、背面側基板３００にコモン電極（走査線）を形
成しても良い。くわえて、実施形態では、カラー表示を
行う液晶表示装置として説明したが、単に、白黒表示を
行う液晶表示装置としても良いのはもちろんである。
態では、半透過半反射型の液晶表示装置としたが、開口
部３０９を設けずに、単なる反射型としても良い。反射
型とする場合には、バックライトに代えて、必要に応じ
て観察者側から光を照射するフロントライトを設けても
良い。また、半透過半反射型とする場合、反射パターン
３１２（反射性導電膜３３２０）に、開口部３０９を必
ずしも設ける必要がない。すなわち、背面側基板３００
側からの入射光の一部が、なんらかの構成によって、液
晶１６０を介し観察者に視認されれば良い。例えば、銀
合金等の反射パターンの膜厚をごく薄くすれば、開口部
３０９を設けることなく、半透過半反射パターンとして
機能することになる。一方、実施形態では、コモン電極
２１０と配線３５０との導通を、シール材１１０に混入
された導電性粒子１１４により図る構成としたが、シー
ル材１１０の枠外に別途設けられた領域において導通を
図る構成としても良い。さらに、コモン電極２１０（走
査線２１００）およびセグメント電極３１０（データ線
３１００）は、互いに相対的な関係にあるため、前面側
基板２００にセグメント電極（データ線）を形成すると
ともに、背面側基板３００にコモン電極（走査線）を形
成しても良い。くわえて、実施形態では、カラー表示を
行う液晶表示装置として説明したが、単に、白黒表示を
行う液晶表示装置としても良いのはもちろんである。
【００８８】くわえて、実施形態では、液晶としてＴＮ
型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stableTwisted Nematic）型
・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子
分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視
光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子
配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子
と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶
を用いても良い。また、電圧無印加時には液晶分子が両
基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には
液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という
垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良い
し、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方
向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に
対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向
（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このよう
に、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに
適用することが可能である。
型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stableTwisted Nematic）型
・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子
分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視
光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子
配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子
と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶
を用いても良い。また、電圧無印加時には液晶分子が両
基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には
液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という
垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良い
し、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方
向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に
対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向
（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このよう
に、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに
適用することが可能である。
【００８９】＜電子機器＞次に、上述した液晶表示装置
を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明
する。
を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明
する。
【００９０】＜その１：モバイル型コンピュータ＞ま
ず、この実施形態に係る液晶表示装置を、モバイル型の
パーソナルコンピュータに適用した例について説明す
る。図１８は、このパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ
１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０
４と、液晶表示ユニット１１０６とから構成されてい
る。この液晶表示ユニット１１０６は、先に述べた液晶
パネル１００の背面にバックライト（図示省略）を付加
することにより構成されている。これにより、外光があ
れば反射型として、外光が不十分であればバックライト
を点灯させることで透過型として、表示が視認できるよ
うになっている。
ず、この実施形態に係る液晶表示装置を、モバイル型の
パーソナルコンピュータに適用した例について説明す
る。図１８は、このパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ
１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０
４と、液晶表示ユニット１１０６とから構成されてい
る。この液晶表示ユニット１１０６は、先に述べた液晶
パネル１００の背面にバックライト（図示省略）を付加
することにより構成されている。これにより、外光があ
れば反射型として、外光が不十分であればバックライト
を点灯させることで透過型として、表示が視認できるよ
うになっている。
【００９１】＜その２：携帯電話＞次に、液晶表示装置
を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。
図１９は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図
において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２
０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６ととも
に、上述した液晶パネル１００を備えるものである。な
お、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高める
ためのバックライト（図示省略）が必要に応じて設けら
れる。
を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。
図１９は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図
において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２
０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６ととも
に、上述した液晶パネル１００を備えるものである。な
お、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高める
ためのバックライト（図示省略）が必要に応じて設けら
れる。
【００９２】＜その３：ディジタルスチルカメラ＞さら
に、液晶表示装置をファインダに用いたディジタルスチ
ルカメラについて説明する。図２０は、このディジタル
スチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器と
の接続についても簡易的に示すものである。通常のカメ
ラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対
し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像
をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子に
より光電変換して撮像信号を生成するものである。ここ
で、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１
３０２の背面には、上述した液晶パネル１００が設けら
れ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成
となっている。このため、液晶パネル１００は、被写体
を表示するファインダとして機能する。また、ケース１
３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レン
ズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けら
れている。
に、液晶表示装置をファインダに用いたディジタルスチ
ルカメラについて説明する。図２０は、このディジタル
スチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器と
の接続についても簡易的に示すものである。通常のカメ
ラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対
し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像
をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子に
より光電変換して撮像信号を生成するものである。ここ
で、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１
３０２の背面には、上述した液晶パネル１００が設けら
れ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成
となっている。このため、液晶パネル１００は、被写体
を表示するファインダとして機能する。また、ケース１
３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レン
ズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けら
れている。
【００９３】ここで、撮影者が液晶パネル１００に表示
された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を
押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回
路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース
１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、デ
ータ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者の
データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコン
ピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続され
る。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８の
メモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０
や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成
となっている。
された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を
押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回
路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース
１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、デ
ータ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者の
データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコン
ピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続され
る。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８の
メモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０
や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成
となっている。
【００９４】なお、電子機器としては、図１８のパーソ
ナルコンピュータや、図１９の携帯電話、図２０のディ
ジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューフ
ァインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上
述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
ナルコンピュータや、図１９の携帯電話、図２０のディ
ジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューフ
ァインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上
述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００９５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、銀
合金等を反射膜のほか配線としても用いる場合であって
も、高い信頼性を得ることが可能となる。
合金等を反射膜のほか配線としても用いる場合であって
も、高い信頼性を得ることが可能となる。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の
全体構成を示す斜視図である。
全体構成を示す斜視図である。
【図２】 同液晶表示装置を構成する液晶パネルをＸ方
向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図３】 同液晶パネルにおける画素の構成を示す平面
図である。
図である。
【図４】 同液晶パネルにおいて、ドライバＩＣチップ
の実装領域近傍を示す部分断面図である。
の実装領域近傍を示す部分断面図である。
【図５】 同液晶パネルの背面側基板においてドライバ
ＩＣチップの実装領域近傍を示す部分平面図である。
ＩＣチップの実装領域近傍を示す部分平面図である。
【図６】 （ａ）〜（ｅ）は、それぞれ同液晶パネルに
おける背面側基板の製造プロセスを示す断面図である。
おける背面側基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図７】 銀およびアルミニウムの反射特性を示す図で
ある。
ある。
【図８】 本発明の第２実施形態に係る液晶パネルの構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図９】 同液晶パネルにおいてドライバＩＣチップ周
辺の配線レイアウトを示す平面図である。
辺の配線レイアウトを示す平面図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態の変形例に係る液晶
パネルの構成を示す斜視図である。
パネルの構成を示す斜視図である。
【図１１】 本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置
を構成する液晶パネルをＸ方向に破断した場合の構成を
示す部分断面図である。
を構成する液晶パネルをＸ方向に破断した場合の構成を
示す部分断面図である。
【図１２】 同液晶パネルにおいて、ドライバＩＣチッ
プの実装領域近傍を示す部分断面図である。
プの実装領域近傍を示す部分断面図である。
【図１３】 （ａ）〜（ｅ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
【図１４】 （ａ）は、本発明の第４実施形態に係る液
晶表示装置を構成する液晶パネルの画素構成を示す平面
図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面
図である。
晶表示装置を構成する液晶パネルの画素構成を示す平面
図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面
図である。
【図１５】 （ａ）〜（ｅ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す図である。
における背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図１６】 （ｆ）、（ｇ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す図である。
における背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図１７】 （ｈ）、（ｉ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す図である。
における背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図１８】 実施形態に係る液晶パネルを適用した電子
機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜
視図である。
機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜
視図である。
【図１９】 同液晶パネルを適用した電子機器の一例た
る携帯電話の構成を示す斜視図である。
る携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図２０】 同液晶パネルを適用した電子機器の一例た
るディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図
である。
るディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図
である。
１００…液晶パネル
１１０…シール材
１１２…封止材
１１４…導電性粒子（導通材）
１２２、１２４、１２６…ドライバＩＣチップ
１２９…突起電極（バンプ）
１３０、１４０…接着材
１３４、１４４…導電性粒子
１５０…ＦＰＣ基板
１６０…液晶
２００…基板（第２の基板）
２０２…遮光膜
２０４…カラーフィルタ
２０８…配向膜
２１０…コモン電極
３００…基板（第１の基板）
３０３…下地膜
３１０…セグメント電極
３１２…反射パターン
３１４…透明電極
３０７…保護膜（青色成分の光を反射する反射層）
３０８…配向膜
３０９…開口部
３１０…セグメント電極
３１２…透明電極
３１４…反射パターン
３２０…ＴＦＤ（アクティブ素子）
３５０、３６０、３７０…配線
３５２、３６２、３７２…反射性導電膜
３５４、３６４、３７４…透明導電膜
１１００…パーソナルコンピュータ
１２００…携帯電話
１３００…ディジタルスチルカメラ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1345
G02F 1/1343
G02F 1/1333
G02F 1/1335
G02F 1/1362
G02F 1/13 101
Claims (24)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜
と、 前記下地膜上に形成され、銀を含む反射性導電膜と、 前記反射性導電膜に積層されるとともに、エッジ部分に
て前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸
化物膜とを具備することを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜
と、 前記下地膜上に形成され、銀を含む反射性導電膜と、 前記反射性導電膜に積層されるとともに、前記反射性導
電膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパ
ターニングされた金属酸化物膜とを具備することを特徴
とする液晶装置。 - 【請求項３】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた第１の配線と、 前記第２の基板に設けられた導電膜と、 前記第１の配線と前記導電膜とを接続するための導通材
とを有し、 前記第１の配線は、 金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀
を含む金属膜、および、前記金属膜に積層されるととも
にエッジ部分にて前記下地膜と接するようにパターニン
グされた金属酸化物膜、を含むことを特徴とする液晶装
置。 - 【請求項４】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた第１の配線と、 前記第２の基板に設けられた導電膜と、 前記第１の配線と前記導電膜とを接続するための導通材
とを有し、 前記第１の配線は、 金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀
を含む金属膜、および、前記金属膜に積層されるととも
に前記金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接する
ようにパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを
特徴とする液晶装置。 - 【請求項５】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた画素電極と、 前記画素電極に一端が接続されたアクティブ素子と、 前記第１の基板に設けられるとともに、前記アクティブ
素子の他端に接続された信号線と、 を有し、 前記信号線は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上
に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に積
層されるとともにエッジ部分にて前記下地膜と接するよ
うにパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを特
徴とする液晶装置。 - 【請求項６】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた画素電極と、 前記画素電極に一端が接続されたアクティブ素子と、 前記第１の基板に設けられるとともに、前記アクティブ
素子の他端に接続された信号線と、 を有し、 前記信号線は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上
に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に積
層されるとともに前記金属膜の端縁からはみ出して前記
下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化物
膜、を含むことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項７】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた画素電極と、 前記画素電極に一端が接続されたアクティブ素子と、 前記第１の基板に設けられるとともに、前記アクティブ
素子の他端に接続された信号線と、 を有し、 前記画素電極は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜
上に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に
積層されるとともにエッジ部分にて前記下地膜と接する
ようにパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを
特徴とする液晶装置。 - 【請求項８】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた画素電極と、 前記画素電極に一端が接続されたアクティブ素子と、 前記第１の基板に設けられるとともに、前記アクティブ
素子の他端に接続された信号線と、 を有し、 前記画素電極は、金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜
上に形成されて銀を含む金属膜、および、前記金属膜に
積層されるとともに前記金属膜の端縁からはみ出して前
記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化物
膜、を含むことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項９】 前記液晶を駆動するドライバＩＣチップ
をさらに有し、 前記ドライバＩＣチップは、前記第１の配線に出力信号
を供給する出力側バンプを含み、 前記出力側バンプは、前記第１の配線に接続されている
ことを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。 - 【請求項１０】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた配線と、 前記液晶を駆動するドライバＩＣチップと、 を有し、 前記ドライバＩＣチップは、前記配線から入力信号を入
力する入力側バンプを含み、 前記入力側バンプは、前記配線に接続されており、 前記配線は、 金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀
を含む金属膜、および、前記金属膜に積層されるととも
にエッジ部分にて前記下地膜と接するようにパターニン
グされた金属酸化物膜、を含むことを特徴とする液晶装
置。 - 【請求項１１】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられた配線と、 前記液晶を駆動するドライバＩＣチップと、 を有し、 前記ドライバＩＣチップは、前記配線から入力信号を入
力する入力側バンプを含み、 前記入力側バンプは、前記配線に接続されており、 前記配線は、 金属酸化物を含む下地膜、前記下地膜上に形成されて銀
を含む金属膜、および、前記金属膜に積層されるととも
に前記金属膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接する
ようにパターニングされた金属酸化物膜、を含むことを
特徴とする液晶装置。 - 【請求項１２】 前記ドライバＩＣチップに入力信号を
供給する外部回路基板をさらに有し、 前記外部回路基板と前記第２の配線とが接続されてお
り、 前記金属膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて
形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液
晶装置。 - 【請求項１３】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、前記液晶に電圧を印加する
ための電極と、 前記電極に接続された第１の配線と、 前記第１の配線に接続されたドライバＩＣチップとを有
し、 前記第１の配線は、 下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、お
よび、前記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて
前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化
物膜、を含むことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１４】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、前記液晶に電圧を印加する
ための電極と、 前記電極に接続された第１の配線と、 前記第１の配線に接続されたドライバＩＣチップとを有
し、 前記第１の配線は、 下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、お
よび、前記金属膜に積層されるとともに前記金属膜の端
縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパターニン
グされた金属酸化物膜、を含むことを特徴とする液晶装
置。 - 【請求項１５】 前記第１の基板に設けられた第２の配
線をさらに有し、 前記ドライバＩＣチップは、前記第２の配線から入力信
号を入力する入力側バンプを含み、 前記入力側バンプは、前記第２の配線に接続されてお
り、 前記第２の配線は、 下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、お
よび、前記金属膜に積層されるとともにエッジ部分にて
前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化
物膜、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の液晶
装置。 - 【請求項１６】 前記第１の基板に設けられた第２の配
線をさらに有し、 前記ドライバＩＣチップは、前記第２の配線から入力信
号を入力する入力側バンプを含み、 前記入力側バンプは、前記第２の配線に接続されてお
り、 前記第２の配線は、 下地膜、前記下地膜上に形成されて銀を含む金属膜、お
よび、前記金属膜に積層されるとともに前記金属膜の端
縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパターニン
グされた金属酸化物膜、を含むことを特徴とする請求項
１４に記載の液晶装置。 - 【請求項１７】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜
と、 前記下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、 前記反射性導電膜に積層されるとともにエッジ部分にて
前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化
物膜を含む第１の透明電極と、 前記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、 前記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域
に対応して、半透過部が設けられていることを特徴とす
る液晶装置。 - 【請求項１８】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜
と、 前記下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、 前記反射性導電膜に積層されるとともに前記反射性導電
膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパタ
ーニングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、 前記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、 前記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域
に対応して、半透過部が設けられていることを特徴とす
る液晶装置。 - 【請求項１９】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜
と、 前記下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、 前記反射性導電膜に積層されるとともにエッジ部分にて
前記下地膜と接するようにパターニングされた金属酸化
物膜を含む第１の透明電極と、 前記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、 前記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域
に対応して、着色層が設けられていることを特徴とする
液晶装置。 - 【請求項２０】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属酸化物を含む下地膜
と、 前記下地膜に形成され、銀を含む反射性導電膜と、 前記反射性導電膜に積層されるとともに前記反射性導電
膜の端縁からはみ出して前記下地膜と接するようにパタ
ーニングされた金属酸化物膜を含む第１の透明電極と、 前記第２の基板に設けられた第２の透明電極とを有し、 前記第１の透明電極と前記第２の透明電極との交差領域
に対応して、着色層が設けられていることを特徴とする
液晶装置。 - 【請求項２１】 請求項１乃至２０のいずれか１項に記
載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。 - 【請求項２２】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、 前記第１の基板に、金属酸化物を含む下地膜を形成する
工程と、 銀を含む反射性導電膜を前記下地膜上に形成する工程
と、 前記反射性導電膜上に、エッジ部分にて前記下地膜と接
するように金属酸化物膜を形成する工程とを備えること
を特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項２３】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、 前記第１の基板に、金属酸化物を含む下地膜を形成する
工程と、 銀を含む反射性導電膜を前記下地膜上に形成する工程
と、 前記反射性導電膜上に、前記反射性導電膜の端縁からは
み出して前記下地膜と接するように金属酸化物膜を形成
する工程とを備えることを特徴とする液晶装置の製造方
法。 - 【請求項２４】 前記下地膜および前記金属酸化物膜
を、同時にパターニングする工程を、さらに有すること
を特徴とする請求項２２又は２３に記載の液晶装置の製
造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103494A JP3384397B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
| TW090111997A TWI285768B (en) | 2000-05-25 | 2001-05-18 | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| EP01304533A EP1158344B1 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-23 | Liquid crystal device and method for making the same |
| DE60120044T DE60120044T2 (de) | 2000-05-25 | 2001-05-23 | Flüssigkristallvorrichtung und ihr Herstellungsverfahren |
| US09/865,046 US6747723B2 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | Liquid crystal device having multi-layer electrode, method of making the same, and electronic apparatus |
| KR10-2001-0028661A KR100449791B1 (ko) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | 액정 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| CNB011221216A CN1188731C (zh) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | 液晶装置及其制造方法和电子装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-154698 | 2000-05-25 | ||
| JP2000154698 | 2000-05-25 | ||
| JP2001103494A JP3384397B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002049032A JP2002049032A (ja) | 2002-02-15 |
| JP3384397B2 true JP3384397B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=26592589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103494A Expired - Fee Related JP3384397B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6747723B2 (ja) |
| EP (1) | EP1158344B1 (ja) |
| JP (1) | JP3384397B2 (ja) |
| KR (1) | KR100449791B1 (ja) |
| CN (1) | CN1188731C (ja) |
| DE (1) | DE60120044T2 (ja) |
| TW (1) | TWI285768B (ja) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4785229B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3384398B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2003-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
| JP2002311449A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-10-23 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2003098538A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
| JP3909572B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2007-04-25 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| JP3959253B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2007-08-15 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置及び携帯型表示装置 |
| TW561295B (en) * | 2002-02-01 | 2003-11-11 | Prime View Int Corp Ltd | Reflective optical self-compensated LCD structure |
| EP1501671A4 (en) * | 2002-05-08 | 2007-03-21 | Target Technology Co Llc | SILVER ALLOY THIN FILM REFLECTOR AND TRANSPARENT ELECTRICAL CONDUCTOR |
| JP3896933B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2007-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| TW588559B (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-21 | Ritdisplay Corp | Organic light emitting panel with alloy |
| JP2004145095A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP3841040B2 (ja) | 2002-10-25 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| TWI290008B (en) * | 2002-12-24 | 2007-11-11 | Ritdisplay Corp | Active driven organic electroluminescent device |
| JP3770240B2 (ja) | 2003-02-20 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP4050709B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びこの電気光学装置を備えた電子機器 |
| GB0308484D0 (en) * | 2003-04-12 | 2003-05-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Transflective active matrix liquid crystal display device and method of manufacture |
| JP2005011793A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Sony Corp | 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置 |
| CN100361003C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-01-09 | 铼宝科技股份有限公司 | 双面显示装置 |
| KR20050091291A (ko) * | 2004-03-11 | 2005-09-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US7078095B2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-07-18 | Xerox Corporation | Adhesive film exhibiting anisotropic electrical conductivity |
| US7145616B2 (en) * | 2004-08-27 | 2006-12-05 | Nano Loa, Inc. | Transflective liquid crystal device |
| KR100647775B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2006-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법 |
| TW200702780A (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-16 | Ind Tech Res Inst | Flexible reflective display device and manufacturing method for the same |
| CN100399136C (zh) * | 2005-09-19 | 2008-07-02 | 联诚光电股份有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法 |
| KR20070059293A (ko) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 이를 위한 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP4870436B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2012-02-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| KR20080003226A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| CN101165573B (zh) * | 2006-10-18 | 2010-05-12 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法 |
| WO2008099535A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置および電子機器 |
| CN101226310B (zh) * | 2008-01-24 | 2011-04-06 | 汕头超声显示器（二厂）有限公司 | 液晶显示器驱动电极的布线方法 |
| US8629842B2 (en) * | 2008-07-11 | 2014-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| US8928597B2 (en) | 2008-07-11 | 2015-01-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| US9342176B2 (en) * | 2008-07-21 | 2016-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| KR101058106B1 (ko) * | 2009-08-06 | 2011-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
| KR101230196B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 내장형 액정표시장치 |
| CN102645801B (zh) * | 2011-04-07 | 2014-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备 |
| US9253892B2 (en) * | 2012-04-13 | 2016-02-02 | Wistron Corporation | Peripheral circuit of touch panel and manufacturing method thereof |
| CN102723308B (zh) * | 2012-06-08 | 2014-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| KR102035005B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2019-10-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 표시장치 |
| JP6386377B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2018-09-05 | 積水化学工業株式会社 | 液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料、及び、液晶表示素子 |
| TW202340820A (zh) * | 2015-03-27 | 2023-10-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
| CN107615153A (zh) * | 2015-05-21 | 2018-01-19 | 夏普株式会社 | 液晶显示面板 |
| CN105068300A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-11-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
| CN105068294B (zh) | 2015-08-25 | 2018-01-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及装置 |
| JP6586358B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2019-10-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| KR102446875B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2022-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102534107B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2023-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN106094230B (zh) * | 2016-08-23 | 2018-07-06 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 2d/3d可切换的显示装置与其制备方法 |
| CN110383366B (zh) * | 2017-03-17 | 2021-09-07 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板以及显示面板 |
| WO2022087892A1 (zh) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制备方法和显示模组 |
| CN112684628A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-04-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板和彩膜基板制备方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL91721C (ja) | 1952-10-21 | |||
| US3814501A (en) | 1972-12-04 | 1974-06-04 | Rca Corp | Liquid-crystal display device and method of making |
| JP2566164B2 (ja) | 1989-06-28 | 1996-12-25 | 東京電力株式会社 | 貯水池における漏水部の検知方法及び装置 |
| US5265021A (en) * | 1991-08-23 | 1993-11-23 | Raymond Corporation | Motor vehicle steering system having reversible direction control |
| JP3392440B2 (ja) * | 1991-12-09 | 2003-03-31 | 株式会社東芝 | 多層導体層構造デバイス |
| JPH05265021A (ja) | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | テープキャリアパッケージおよびその接続方法ならびに加熱加圧ヘッド |
| JP2793076B2 (ja) * | 1992-05-20 | 1998-09-03 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3049996B2 (ja) | 1993-07-09 | 2000-06-05 | 凸版印刷株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2921356B2 (ja) | 1993-09-28 | 1999-07-19 | 凸版印刷株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| JPH07134300A (ja) | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JPH07218923A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP3498763B2 (ja) * | 1995-03-22 | 2004-02-16 | 凸版印刷株式会社 | 光反射板と反射型液晶表示装置用光反射板並びに反射型液晶表示装置用光反射性電極板 |
| EP0733931B1 (en) * | 1995-03-22 | 2003-08-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same |
| JP3427648B2 (ja) | 1995-03-22 | 2003-07-22 | 凸版印刷株式会社 | 電極板およびこれを用いた液晶表示装置 |
| JP2792492B2 (ja) * | 1995-12-21 | 1998-09-03 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3684720B2 (ja) | 1995-12-27 | 2005-08-17 | 旭硝子株式会社 | 液晶ディスプレイ用透明導電基板および透明電極形成方法 |
| JPH09283866A (ja) | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板 |
| JPH09281516A (ja) | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH1048650A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法 |
| JPH10208554A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Canon Inc | 透明導電膜及びそれを用いた液晶素子 |
| JP3309753B2 (ja) * | 1997-02-18 | 2002-07-29 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH10239697A (ja) | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
| JPH11282383A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | 電極基板およびその製造方法 |
| TW409261B (en) * | 1998-01-13 | 2000-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | A electrode plate with transmission-type or reflection-type multilayer electroconductive film, and the process for producing the electrode plate |
| JP4137233B2 (ja) | 1998-05-29 | 2008-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US6317185B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-11-13 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display apparatus |
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103494A patent/JP3384397B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-18 TW TW090111997A patent/TWI285768B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-23 DE DE60120044T patent/DE60120044T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-23 EP EP01304533A patent/EP1158344B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-24 CN CNB011221216A patent/CN1188731C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-24 KR KR10-2001-0028661A patent/KR100449791B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-24 US US09/865,046 patent/US6747723B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1188731C (zh) | 2005-02-09 |
| US20020005928A1 (en) | 2002-01-17 |
| US6747723B2 (en) | 2004-06-08 |
| CN1335531A (zh) | 2002-02-13 |
| EP1158344B1 (en) | 2006-05-31 |
| EP1158344A3 (en) | 2003-09-10 |
| JP2002049032A (ja) | 2002-02-15 |
| TWI285768B (en) | 2007-08-21 |
| KR100449791B1 (ko) | 2004-09-22 |
| KR20010107725A (ko) | 2001-12-07 |
| DE60120044T2 (de) | 2006-11-23 |
| EP1158344A2 (en) | 2001-11-28 |
| DE60120044D1 (de) | 2006-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3384397B2 (ja) | 液晶装置、その製造方法および電子機器 | |
| JP3384398B2 (ja) | 液晶装置、その製造方法および電子機器 | |
| KR100404259B1 (ko) | 액정 장치 및 전자 기기 | |
| KR100486007B1 (ko) | 액정 장치, 액정 장치의 제조 방법 및 전자기기 | |
| US8269923B2 (en) | Multilayer display element and method of fabricating the same | |
| JP3525918B2 (ja) | 電気光学装置、その検査方法および電子機器 | |
| JP3687581B2 (ja) | 液晶パネル、その製造方法および電子機器 | |
| KR20040025606A (ko) | 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
| JP2002049034A (ja) | 液晶装置、その製造方法および電子機器 | |
| JP2002049035A (ja) | 液晶装置、その製造方法および電子機器 | |
| KR100500482B1 (ko) | 액정 장치 및 이를 사용한 전자 기기 | |
| JP2002323865A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2002040468A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JP2002049054A (ja) | 液晶装置、その製造方法および電子機器 | |
| JPH11326929A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2003186415A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
| JP2003098543A (ja) | 電気光学パネル、その製造方法および電子機器 | |
| JP4367060B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2002314172A (ja) | 二端子型非線形素子およびその製造方法、液晶装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021126 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121227 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |