JP3770240B2

JP3770240B2 - 電気光学装置および電子機器

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Publication number: JP3770240B2
Application number: JP2003043145A
Authority: JP
Inventors: 一喜坂井; 忠渡邉
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-02-20
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2006-04-26
Anticipated expiration: 2023-02-20
Also published as: US7212272B2; TW200424648A; CN100380219C; JP2004252207A; KR20040075749A; KR100622172B1; CN1523402A; TWI285762B; US20040207795A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置に用いて好適な電気光学装置および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
対向する一対の基板との間に液晶等の電気光学物質が介在されてなる液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。
【０００３】
この液晶表示装置の構成をより具体的に説明すると、液晶表示装置は、基台をなす第１基板と、この第１基板に対向して配置され、観察側となる第２基板と、これらの基板間に間隙を持たせてその内部に液晶層を画成する矩形状のシール材と、を具備して構成される。そして、第１基板には透明な第１駆動電極が形成され、第２基板には第１駆動電極と略直交する方向に延びる透明な第２駆動電極が形成され、各電極間が交差する部分の電極とこの電極間に介在された液晶とにより、１つの画素が構成される。そして、各駆動電極に信号が供給されることにより、各画素に位置した液晶には信号に応じた捻れが発生する。この際、各電極間の液晶を通過する光には、この液晶の捻れにより光変調が施されることになる。
【０００４】
このような液晶表示装置には、第１基板の背面側にバックライト装置を配置した透過型と、第１駆動電極の下層側に光反射膜が形成された反射型とがある。
透過型の液晶表示装置は、バックライト装置から出射された光に対し、電気光学物質層を透過する間に光変調を施して所定の画像を表示するものであり、反射型の液晶表示装置は、第２基板側から入射した外光が光反射膜で反射し、再び第２基板から出射される間に光変調を施して所定の画像を表示するものである。
【０００５】
さらに、液晶表示装置には、半透過反射型の液晶表示装置がある。この装置は、第１基板の背面側にバックライト装置を配置すると共に、第１駆動電極の下層側に光透過孔を有する光反射膜を形成したものである。この半透過反射型の液晶表示装置は、光透過孔を介してバックライト装置からの光を透過させて表示を行うと共に（以下、透過モードという）、光透過孔が形成されていない領域では入射した外光を光反射膜で反射させて表示を行う（以下、反射モードという）ようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
そして、液晶表示装置に画像を表示させるためには、第１駆動電極および第２駆動電極に所定の信号をそれぞれ供給する駆動用ＩＣを設ける必要がある。この駆動用ＩＣを液晶表示装置に設ける方法としては、第１基板および第２基板の双方に駆動用ＩＣを別々に設ける方法と、一方の基板にのみ駆動用ＩＣを設ける方法とがある。
【０００７】
そこで、液晶表示装置の形状を小型化すると共に少しでも大きく画像表示領域を確保するために、第１基板に第２基板から張り出した張出領域を形成し、この張出領域に駆動用ＩＣを設ける方法が従来より採用されている。
【０００８】
この張出領域には、駆動用ＩＣが直接実装されたり、駆動用ＩＣが接続された可撓性基板が実装されたりする実装端子が形成され、この実装端子に第１駆動電極および第２駆動電極を接続するために、第１基板には、後述する第１基板間導通端子、第１配線パターンおよび第２配線パターンが形成され、第２基板には、第２基板間導通端子が形成される。
【０００９】
ここで、第１配線パターンは、実装端子と第１駆動電極とを電気的に接続する配線である。第１基板間導通端子は第２基板と重なる領域に形成され、第２配線パターンは実装端子と第１基板間導通端子とを接続する配線である。第２基板側の第２基板間導通端子は、第１基板間導通端子に対向する位置に形成される。
そして、第１基板と第２基板とは、導電粒子が配合されたシール材により所定距離を離間した状態で貼り合わされる。この導電粒子は、第１基板間導電端子と第２基板間導電端子とを電気的に接続する。
【００１０】
このように、実装端子と第１駆動電極とは、第１配線パターンによってのみ接続される。また、実装端子と第２駆動電極とは、第２配線パターン、第１基板間導電端子、導電粒子および第２基板間導電端子によって接続される。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１４３３４号公報（第８頁―第９頁、図１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第１配線パターンおよび第２配線パターンは、その材料に第１駆動電極を形成する透明導電膜（例えば、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜））と同じ材料が用いられていた。
これらの配線パターンの材料に用いられるＩＴＯ膜は、金属材料に比べて電気的抵抗の値が比較的大きい材料である。このため、第１配線パターンおよび第２配線パターンは、その配線抵抗値が著しく大きくなってしまうという問題がある。
【００１３】
本発明は、前述した事情に鑑なみてなされたものであり、本発明は、配線抵抗の値を低減することのできる電気光学装置および電子機器を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明が採用する電機光学装置の構成は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成された透明導電膜からなる第１駆動電極と、前記第２基板上に形成された透明導電膜からなる第２駆動電極と、前記第１基板及び前記第２基板間にシール材により画成された空間に封入された電気光学物質層と、を具備した電気光学装置であって、前記第１基板には、前記第２基板から張り出した張出領域に形成された実装端子と、前記第２基板と重なる領域に形成された第１基板間導通端子と、前記第１基板間導通端子と前記実装端子とを電気的に接続する配線パターンと、が設けられ、前記第２基板には、前記第１基板間導通端子と電気的に接続されるとともに前記第２駆動電極と電気的に接続された第２基板間導通端子が設けられ、前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、前記第１基板の側から、前記第１駆動電極よりも電気的な配線抵抗値が小さく且つ反射型表示に用いられる金属膜と、絶縁膜と、がこの順で設けられており、前記実装端子及び前記第１基板間導通端子の部分は、前記第１基板側から、前記金属膜、前記絶縁膜、前記第１駆動電極の順で設けられた構造を具備してなることを特徴とする。
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明が採用する電機光学装置の構成は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成された透明導電膜からなる第１駆動電極と、前記第２基板上に形成された透明導電膜からなる第２駆動電極と、前記第１基板及び前記第２基板間にシール材により画成された空間に封入された電気光学物質層と、を具備した電気光学装置であって、前記第１基板には、前記第２基板から張り出した張出領域に形成された実装端子と、前記第２基板と重なる領域に形成された第１基板間導通端子と、前記第１基板間導通端子と前記実装端子とを電気的に接続する配線パターンと、が設けられ、前記第２基板には、前記第１基板間導通端子と電気的に接続されるとともに前記第２駆動電極と電気的に接続された第２基板間導通端子が設けられ、前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、前記第１基板の側から、前記第１駆動電極よりも電気的な配線抵抗値が小さく且つ反射型表示に用いられる金属膜と、絶縁膜と、がこの順で設けられており、前記実装端子及び前記第１基板間導通端子の部分は、前記第１基板側から、前記金属膜、前記絶縁膜、前記第１駆動電極の順で設けられた構造を具備し、前記配線パターンは、前記透明導電膜、前記金属膜、前記透明導電膜の順で電流が流れる経路を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記配線パターンには、前記電気光学物質が封入された領域内において、前記第１基板側から、前記金属膜及び前記絶縁膜がこの順で積層された部位のうち、該絶縁層上に前記金属膜と電気的に接続された前記第１駆動電極が積層されていない部位が存在することを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、カラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層を覆う有機絶縁膜が設けられ、前記金属膜と前記絶縁膜との間に該有機絶縁膜が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記実装端子及び前記第１基板間導通端子の前記金属膜と電気的に接続された透明導電膜は、前記配線パターンが延出するいずれか一方の側では互いに接触して電気的に接続された構造となり、他方の側では接触しない構造となることを特徴とする。
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明が採用する電機光学装置の構成は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成された透明導電膜からなる第１駆動電極と、前記第２基板上に形成された透明導電膜からなる第２駆動電極と、前記第１基板及び前記第２基板間にシール材により画成された空間に封入された電気光学物質層と、を具備し、前記第１基板には前記第２基板から張り出した張出領域が備えられ、該張出領域には配線パターンによって前記第１駆動電極と電気的に接続された実装端子が形成された電気光学装置であって、前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、前記第１基板の側から、前記第１駆動電極よりも電気的な配線抵抗値が小さい金属膜と、絶縁膜とが備えられ、前記配線パターンの一部には、前記第１基板側から、前記金属膜と、前記絶縁膜と、透明導電膜と、がこの順で設けた構造を具備しており、前記配線パターンは、前記第１駆動電極の配線を介して電流が流れる経路と、前記透明導電膜、前記金属膜、前記透明導電膜の順で電流が流れる経路の２系統を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記配線部は、前記実装端子に対応した部分に設けられていることが望ましい。
【００２１】
本発明において、前記絶縁膜は、前記第１基板の略全体を覆う無機絶縁膜であることが望ましい。
【００２２】
本発明において、前記金属膜と前記第１基板との間には、導電性の下地密着膜を備えていることが望ましい。
【００２３】
本発明において、前記金属膜の膜厚をａ、前記絶縁膜の膜厚をｂとした場合に、ａ／ｂ＞５であることが望ましい。
【００２４】
本発明において、前記金属膜の膜厚ａは、ａ＞１００ｎｍ、前記絶縁膜の膜厚ｂは、ｂ＜２０ｎｍであることが望ましい。
【００２５】
本発明において、前記配線パターンは、前記金属膜及び前記透明導電膜が、前記絶縁膜から露出された前記金属膜の側面を通して互いに電気的に接続されることが望ましい。
【００２６】
本発明において、前記金属膜のうち側面を通して前記透明導電膜と電気的に接続される部分は、櫛歯状に形成されていることが望ましい。
【００２８】
本発明を適用した電気光学装置は、例えば、電子機器の表示部として用いられる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３０】
［実施形態］
＜全体構成＞
図１は、本発明の一実施形態である電気光学装置としての液晶表示装置１の斜視図であり、図２は、液晶表示装置１の分解斜視図である。これらの図および以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、便宜上、各層や各部材ごとに縮尺や数を異ならせている。
【００３１】
図１および図２に示すように、本実施形態による液晶表示装置１は、シール材３０によって所定の間隙を離間した状態で、透明材料（例えば、ガラス等）によって矩形状に形成された一対の第１基板１０および第２基板２０が貼り合わされた形状をなす。これらの基板１０，２０間にはシール材３０によって液晶封入領域３５が画成され、この液晶封入領域３５内に電気光学物質としての液晶が封入されることにより液晶層３６（電気光学物質層）が形成される。
第１基板１０には、画像が表示される画像表示領域２内で縦方向（図１および図２中のＸ方向）に延びる複数列の第１駆動電極１５０が形成され、第２基板２０には、画像表示領域２内で横方向（図１および図３中のＹ方向）に延びる複数列の第２駆動電極２５０が形成される。
【００３２】
第１基板１０の外側表面に偏光板６１が貼着され、第２基板２０の外側表面には偏光板６２が貼着される。さらに、第１基板１０の外側には、バックライト装置９が配置されている。
【００３３】
この液晶表示装置１においては、第１基板１０と第２基板２０とを比較すると、互いに横寸法（Ｙ方向）は略等しく、縦寸法（Ｘ方向）は第１基板１０が長くなっている。第１基板１０は、第２基板２０を貼り合わせた状態で、第２基板２０から張り出した張出領域１５を有し、この張出領域１５には、駆動用ＩＣ５０が実装される実装端子１６０が群をなしてＸ軸方向に向けて配列した状態で形成されている。また、この実装端子１６０には、可撓性基板８がさらに実装される。
【００３４】
また、第１基板１０上には、これら実装端子１６０のうちＹ軸方向の中央部付近で配列されている実装端子１６０からＸ軸方向に延びる第１駆動電極１５０に向けて第１配線パターン１１が形成されている。
【００３５】
また、第１基板１０には、図３に示すように、画像表示領域２のＹ軸方向両側には、第２基板２０と重なる領域に第１基板間導通端子１７０が群をなしてＹ軸方向に向けて配列した状態で形成されている。また、駆動用ＩＣ５０が実装される実装端子１６０のうちＹ軸方向両側の領域で配列されている実装端子１６０は、第１配線パターン１１が形成されている領域の外側を通る第２配線パターン１２により第１基板間導通端子１７０に接続される。
【００３６】
これに対し、第２基板２０では、画像表示領域２内で第２駆動電極２５０がＹ軸方向に延びており、第２駆動電極２５０の端部は、第１基板間導通端子１７０と対向する位置に形成された第２基板間導通端子２７０（図４、参照）となる。
【００３７】
＜基板上の構造＞
このように構成した液晶表示装置１の構成を、図３、および図４（Ａ）、（Ｂ）に基づいて説明する。
【００３８】
図３は、図１に示す電気光学装置に用いた第１基板１０の構成を模式的に示す平面図である、図４（Ａ）は図３のI−Iから見た断面図、図４（Ｂ）は図３のII−IIおよびIII−IIIから見た断面図である。
【００３９】
図３および図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１基板１０には、下層側から上層側に向けて、ＩＴＯ膜からなる下地導電膜１１０、銀合金等からなる光反射膜１２０、カラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ、平坦化膜としての有機絶縁膜１３０、シリコン酸化膜などからなる無機絶縁膜１４０、ＩＴＯ膜からなる第１駆動電極１５０および配向膜（図示せず）が順次形成されている。
【００４０】
これに対し、第２基板２０には、ＩＴＯ膜からなる第２駆動電極２５０および配向膜（図示せず）が順次形成されている。
【００４１】
第１基板１０と第２基板２０とは、樹脂成分に球状のスペーサが配合されたシール材３０によって貼り合わされている。ここで、シール材３０は、画像表示領域２を区画するように形成され、その内側が電気光学物質が封入されて液晶層３６となる。
【００４２】
シール材３０には、樹脂成分に球状のスペーサおよび導電粒子が配合された導電粒子入りのシール材３０１と、樹脂成分に球状のスペーサのみが配合されたシール材３０２とがある。導電粒子入りのシール材３０１は、シール材３０の４辺のうち、Ｘ軸方向に延びる両辺と、張出領域１５側に位置してＹ軸方向に延びる辺、合わせて３つの辺に対して塗布され、残りの辺にはスペーサのみが配合されたシール材３０２が塗布される。
【００４３】
また、下地導電膜１１０は、図４（Ａ）に示すように、光反射膜１２０の下層側のみならず、実装端子１６０の下層側から張出領域１５側で第２基板２０と重なる位置まで延びる。また、下地導電膜１１０は、図４（Ｂ）に示すように、実装端子１６０の下層側から第１基板間導通端子１７０の下層側まで延びる。
【００４４】
光反射膜１２０は、図４（Ａ）に示すように、第１駆動電極１５０と第２駆動電極２５０とが対向する位置（以下、画素という）では、その一部が除去されて光透過孔１２５が穿設される。
【００４５】
光反射膜１２０と同時形成される金属膜は、図４（Ａ）に示すように、実装端子１６０の下層側に位置した部分が下地電極１２３となり、シール材３０１と重なる領域に位置した部分が下地電極１２１となる。さらに、光反射膜１２０と同時に形成される金属膜は、図４（Ｂ）に示すように、シール材３０１との重なる位置から第１基板間導通端子１７０の下層側まで延びる部分が第２配線パターン１２の下地電極１２２となる。
【００４６】
光反射膜１２０の上層側には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成される。このカラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、色材を樹脂に分散させたものである。各画素においては、光反射膜１２０が除去されて光透過孔１２５が形成されている領域が、光反射膜１２０が形成されている領域と比較して分厚くなる。
【００４７】
カラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの上層には、分厚い有機絶縁膜１３０が平坦化膜として形成されている。この有機絶縁膜１３０は、画像表示領域２内の第１基板１０上を平坦化するのが目的であるため、実装端子１６０、第１基板間導通端子１７０およびシール材３０が設けられている位置を避けて形成される。
【００４８】
さらに、有機絶縁膜１３０の上層には、第１基板１０の全面を覆うように薄いシリコン酸化膜からなる無機絶縁膜１４０が形成される。
【００４９】
無機絶縁膜１４０の上層には、図４（Ａ）に示すように、画像表示領域２にＩＴＯ膜からなる第１駆動電極１５０が形成される。第１駆動電極１５０と同時形成されるＩＴＯ膜は、図４（Ａ）に示すように、実装端子１６０からシール材３０１と重なる部分までが第１配線パターン１１となる。
【００５０】
さらに、この第１駆動電極１５０と同時形成されるＩＴＯ膜は、図４（Ｂ）に示すように、実装端子１６０からシール材３０１まで延びる部分が上層配線１５２となり、第２基板間導通端子２７０と対向する部分が第１基板間導通端子１７０となる。
【００５１】
＜配線パターンの構造＞
次に、図５ないし図８に基づいて、本発明の特徴となる第１配線パターン１１および第２配線パターン１２について説明する。図５は図４（Ａ）中の（イ）部を拡大した図であり、図６は図４（Ｂ）中の（ロ）部を拡大した図である。図７は図３中の（ハ）部を拡大した図であり、図８は図７中のIV−IV線から見た断面図である。
【００５２】
ここで、下地電極１２１には略垂直に立ち上がる側面１２１Ａ，１２１Ａが形成され、下地電極１２３には略垂直に立ち上がる側面１２３Ａが形成される。さらに、下地電極１２２には略垂直に立ち上がる側面１２２Ａ，１２２Ａが形成される。
また、下地電極１２１〜１２３となる金属膜の膜厚ａは約１００ｎｍ、無機絶縁膜１４０の膜厚ｂは約２０ｎｍとなっている。このため、金属膜に無機絶縁膜１４０を形成する工程において、膜厚の差から、金属膜の各側面には無機絶縁膜１４０が付着されるのが防止される。
【００５３】
従って、図５に示すように、下地電極１２１の側面１２１Ａには無機絶縁膜１４０が付着しない。これにより、下地電極１２１を跨ぐ第１配線パターン１１は、各側面１２１Ａを介して下地電極１２１と電気的に接続される。下地電極１２３の側面１２３Ａには無機絶縁膜１４０が付着しない。これにより、下地電極１２３を跨ぐ第１配線パターン１１は、側面１２３Ａを介して下地電極１２３と電気的に接続される。
【００５４】
ここで、実装端子１６０から第１駆動電極１５０までの経路を考えると、第１配線パターン１１の上層配線１５１を電流が流れる経路と、下地電極１２１の一方の側面１２１Ａ→下地電極１２１→他方の側面１２１Ａと電流が流れる経路との合わせて２つの経路が形成されることになる。特に、下地電極１２１は金属材料によって形成されているため、上層配線１５１を経路とした場合の配線抵抗の値に比べて、その抵抗値を大幅に低減することができる。
【００５５】
次に、実装端子１６０に繋がる上層配線１５２と第１基板間導通端子１７０とを接続する第２配線パターン１２は、図６に示すように、下地電極１２２を具備する。この下地電極１２２の側面１２２Ａには無機絶縁膜１４０が付着していないため、下地電極１２２の各側面１２２Ａに掛かる上層配線１５２および第１基板間導通端子１７０は、各側面１２２Ａを介して下地電極１２２と電気的に接続されることになる。
【００５６】
実装端子１６０から第１基板間導通端子１７０までの経路を考えると、上層配線１５２→下地電極１２２の一方の側面１２２Ａ→下地電極１２２→他方の側面１２２Ａ→第１基板間導通端子１７０と電流が流れる経路が形成される。
このように、第２配線パターン１２を金属膜からなる下地電極１２２を用いるようにしたから、配線抵抗の値を大幅に低減することができる。
【００５７】
さらに、下地電極１２２の先端は、図７および図８に示すように、先端が分岐された歯部１２２Ｂ，１２２Ｂ・・・となる櫛歯状に形成されている。このように、下地電極１２２の先端を櫛歯状に形成することにより、側面１２２Ａの面積を広げることができ、第１基板間導通端子１７０と下地電極１２２との接触面積を広げることができる。この結果、第１基板間導通端子１７０から下地電極１２２に流れ込む電流値を大きくすることができ、ひいては、配線抵抗の値をさらに低減することができる。
なお、この下地電極１２２の櫛歯状の形状は、下地電極１２１，１２３にも適用してもよいことは勿論である。
【００５８】
＜製造方法＞
次に、図９、図１０および図１１を参照しつつ、本実施形態による液晶表示装置１を構成する基板１０，２０の製造方法について説明する。
【００５９】
図９（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す液晶表示装置１に用いた第１基板および第２基板に形成された各要素の説明図である。図１０（Ａ）〜（Ｆ）、および図１１（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す液晶表示装置１に用いた第１基板および第２基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、図９（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）において画像表示領域内には、矩形枠内複数の画素を拡大して模式的に示してある。
【００６０】
まず、図９（Ａ）に示すように、第２基板２０を製造するには、基板全面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域２で横方向（Ｙ軸方向）に延びる第２駆動電極２５０を形成する。ここで、第２駆動電極２５０の端部が第２基板間導通端子２７０となる。
【００６１】
これに対し、第１基板１０を製造するに当たって、まず、図９（Ｂ）、図１０（Ａ）および図１１（Ａ）に示すように、基板全面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、下地導電膜１１０（図９（Ｂ））を画像表示領域２に矩形領域として形成する。また、下地導電膜１１０は、実装端子１６０の下層側から第２基板２０と重なるまでの部分、および実装端子１６０の下層側から第１基板間導通端子１７０の下層側までの部分に形成される。
【００６２】
次に、図９（Ｃ）、図１０（Ｂ）および図１１（Ｂ）に示すように、下地導電膜１１０の上層に銀合金膜などからなる金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域２内に光反射膜１２０（図９（Ｃ））が形成される。この際、光反射膜１２０には、第１駆動電極１５０と第２駆動電極２５０とが対向する領域の一部を除去し光透過孔１２５が形成される。
【００６３】
また、光反射膜１２０と同時形成された金属膜は、実装端子１６０を形成すべき領域の下層側に下地電極１２３として残すと共に、第２基板２０と重なる領域に下地電極１２１として残す。また、光反射膜１２０と同時形成された金属膜は、第２基板２０と重なる領域から第１基板間導通端子１７０までを第２配線パターン１２となる下地電極１２２として残す。
【００６４】
ここで、光反射膜１２０を構成する金属膜の下層側に下地導電膜１１０が形成されているため、金属膜と基板との密着性が低くても、光反射膜１２０などのパターニング精度の低下や剥がれなどといった不具合が発生しない。
【００６５】
次に、図９（Ｄ）、図１０（Ｃ）および図１１（Ｃ）に示すように、光反射膜１２０の上層側において、画像表示領域２の所定位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを形成する。カラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、色材を樹脂に分散させてなるもので、各画素において、光反射膜１２０が除去されて光透過孔１２５が形成されている領域では、光反射膜１２０が形成されている領域と比較して分厚く形成される。
【００６６】
次に、図９（Ｅ）、図１０（Ｄ）および図１１（Ｄ）に示すように、カラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの上層に分厚い有機絶縁膜１３０を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、有機絶縁膜１３０を画像表示領域２に選択的に残し、その外周側には残さない。その結果、有機絶縁膜１３０は、実装端子１６０および第１基板間導通端子１７０を避けて形成されると共に、シール材３０が塗布される領域も避けて形成された状態となる。
【００６７】
次に、図１０（Ｅ）および図１１（Ｅ）に示すように、有機絶縁膜１３０の上層において、基板全面に薄いシリコン酸化膜からなる無機絶縁膜１４０を形成する。
この際、前述した如く、下地電極１２１〜１２３の側面には、無機絶縁膜１４０の膜厚の関係から、無機絶縁膜１４０が付着し難くしている。
【００６８】
次に、図９（Ｆ）、図１０（Ｆ）および図１１（Ｆ）に示すように、無機絶縁膜１４０の上層において基板全面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域２に第１駆動電極１５０を形成する。また、第１駆動電極１５０と同時形成されたＩＴＯ膜は、実装端子１６０および第１基板間導通端子１７０として残される。
さらに、第１駆動電極１５０と同時形成されたＩＴＯ膜は、実装端子１６０から第２基板２０と重なる領域までが第１配線パターン１１の上層配線１５１として残される。
【００６９】
エッチングを行う際、光反射膜１２０を構成する金属膜は、外部に露出した状態にないため、ＩＴＯ膜に対するエッチング液で光反射膜１２０を構成する銀合金膜が腐食することがない。
【００７０】
＜ＩＣの実装構造および基板間導通構造＞
実装端子１６０には、図４（Ａ）に示す如く、樹脂成分に導電粒子４１が配合された異方性導電膜４０によって駆動用ＩＣ５０が実装される。この際、実装端子１６０の下層側には、シリコン酸化膜からなる薄い無機絶縁膜１４０が形成されているが、その下層側には、光反射膜１２０と同時形成された金属膜からなる下地電極１２３が形成されている。
このため、異方性導電膜４０を介して駆動用ＩＣ５０を第１基板１０の実装端子１６０に接触させた場合、実装端子１６０は下地電極１２３の側面１２３Ａを通してこの下地電極１２３に電気的に接続され、この下地電極１２３は下地導電膜１１０に電気的に接続される。
【００７１】
また、図４（Ｂ）に示す如く、第１基板間導通端子１７０と第２基板間導通端子２７０との間には、導電粒子３０３が混在されたシール材３０１が介在され、このシール材３０１によって第１基板間導通端子１７０と第２基板間導通端子２７０とは電気的に接続される。しかも、第１基板間導通端子１７０は下地電極１２２を介して実装端子１６０に接続されるため、第２駆動電極２５０は、第２基板間導通端子２７０→導電粒子３０３（シール材３０１）→第１基板間導通端子１７０→下地電極１２２（第２配線パターン１２）→上層配線１２の経路で実装端子１６０に接続される。
【００７２】
このように構成した液晶表示装置１において、駆動用ＩＣ５０から信号が出力されると、Ｙ軸方向中央に位置した各実装端子１６０を介して出力される信号は、上層配線１５１および下地電極１２１を備えた第１配線パターン１１を介して第１駆動電極１５０に供給される。
【００７３】
これに対し、実装端子１６０のうち、Ｙ軸方向両側に形成されている実装端子１６０を介して出力される信号は、上層配線１５２および下地電極１２２を介して信号が伝達された後、第２基板２０と重なる領域で第１基板間導通端子１７０、導電粒子３０３および第２基板間導通端子２７０を介して第２駆動電極２５０に供給される。
【００７４】
この結果、第１駆動電極１５０と第２駆動電極２５０とが対向する部分では、液晶層３６の配向状態が画素毎に制御される。従って、第２基板２０側から入射した外光は、光反射膜１２０で反射して再び、第２基板２０から出射される間に光変調を受けて画像を表示する（反射モード）。また、第１駆動電極１５０の下層側に形成した光反射膜１２０には光透過孔１２５が形成されているので、第１基板１０の背面側に配置したバックライト装置９から出射された光は、光透過孔１２５を透過して液晶層３６に入射し、第２基板２０から出射する間に光変調を受けて画像を表示する（透過モード）。
【００７５】
この際、本実施形態による液晶表示装置では、第１基板１０には、第１駆動電極１５０と第２駆動電極２５０とが対向する領域と重なる部分にカラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成されているため、カラー画像を表示することが可能となる。
【００７６】
＜本実施形態の効果＞
以上詳述した如く、実装端子１６０と第１駆動電極１５０とを接続する第１配線パターン１１の途中に、金属膜から形成される下地電極１２１を用いてバイパス経路を形成した。これにより、実装端子１６０と第１駆動電極１５０とを接続する第１配線パターン１１の配線抵抗は、その値を上層配線１５１のみで接続していた場合に比べて大幅に小さくすることができる。
【００７７】
また、実装端子１６０と第２基板間導通端子２７０とを接続する第２配線パターンは、金属膜からなる下地電極１２２を具備しているから、配線抵抗を大幅に小さくできる。
【００７８】
このように、配線抵抗を大幅に低減できることにより、配線における電力消費が低減でき、バッテリや電池の寿命を大幅に延ばすことができる。
【００７９】
［変形例］
なお、前記実施形態では、光反射膜として、銀合金膜、アルミニウム膜を用いた例を説明したが、アルミニウム合金膜、もしくはモリブデン膜あるいはモリブデン合金膜とアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜との多層構造などを採用してもよい。
【００８０】
さらに、金属膜の膜厚ａと、絶縁膜の膜厚ｂとの関係は、膜厚ａ＞１００ｎｍ、膜厚ｂ＜２０ｎｍの条件、或いは膜厚の比率ａ／ｂ＞５の条件を満足する膜厚で形成すればよい。このように膜厚を調整することにより、金属膜の側面に絶縁膜が付着するのを積極的に防止することができる。
【００８１】
本発明の電気光学装置は、上述した液晶表示装置の他にも、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置等に適用可能である。
【００８２】
［電子機器への適用］
次に、本発明を適用した電気光学装置を備えた電子機器の一例を、図１２を参照して説明する。
【００８３】
図１２は、上記の電気光学装置と同様に構成された液晶表示装置１を備えた電子機器の構成を示すブロック図である。
【００８４】
図１２において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、表示モードを切り換えるための制御回路を備えた駆動回路１００４、液晶表示装置１、クロック発生回路１００８、および電源回路１０１０を含んで構成される。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（ＲａｎｄａｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、光ディスクなどのメモリ、テレビ信号の画像信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路１００８からのクロックに基づいて、所定フォーマットの画像信号を処理して表示情報処理回路１００２に出力する。この表示情報処理回路１００２は、たとえば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、あるいはクランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成され、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号ＣＬＫとともに駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶表示装置１を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定の電源を供給する。
【００８５】
このような構成の電子機器としては、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【００８６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、絶縁膜から露出した金属膜の側面を通して金属膜と配線とを電気的に接続させる。これにより、例えば、金属膜の左右の側面を配線が跨る場合を考えると、配線を介して電流が流れる経路と、金属膜の一方の側面から金属膜の内部を介して他方の側面に至るように電流が流れる経路との２系統となり、経路が配線のみの配線抵抗に大幅に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を示す斜視図である。
【図２】本実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図３】液晶表示装置に用いられる第１基板の平面図である。
【図４】（Ａ）は図３中のI−I方向から見た断面図、（Ｂ）は図３中のII−II方向およびIII−III方向から見た断面図である。
【図５】図４（Ａ）中の（イ）部を示す拡大断面図である。
【図６】図４（Ｂ）中の（ロ）部を示す拡大断面図である。
【図７】図３中の（ハ）部を示す拡大断面図である。
【図８】図７中のIV−IV方向から見た断面図である。
【図９】図１に示す液晶表示装置に用いた第１基板および第２基板に形成された各要素の説明図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す液晶表示装置に用いられる第１基板の製造方法を図４（Ａ）に対応するように示した工程図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す液晶表示装置に用いられる第１基板の製造方法を図４（Ｂ）に対応するように示した工程図である。
【図１２】本発明を適用した液晶表示装置を用いた電子機器の電気的な構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１……液晶表示装置、２……画像表示領域、７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ……カラーフィルタ層、９……バックライト装置、１０……第１基板、１１……第１配線パターン、１２……第２配線パターン、１５……張出領域、２０……第２基板、３０……シール材、３５……液晶封入領域、３６……液晶層（電気光学物質層）、５０……駆動用ＩＣ、６１，６２……偏光板、１１０……下地導電膜、１２０……光反射膜、１２１，１２２，１２３……下地電極、１２１Ａ，１２２Ａ，１２３Ａ……側面、１２２Ｂ……歯部、１２５……光透過孔、１３０……有機絶縁膜、１４０……無機絶縁膜、１５０……第１駆動電極、１５１，１５２……上層配線、１６０……実装端子、１７０……第１基板間導通端子、１９０……導電性保護膜、２５０……第２駆動電極、２７０……第２基板間導通端子、３０１……導電粒子入りのシール材、３０３……導電粒子。

Claims

第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成された透明導電膜からなる第１駆動電極と、前記第２基板上に形成された透明導電膜からなる第２駆動電極と、前記第１基板及び前記第２基板間にシール材により画成された空間に封入された電気光学物質層と、を具備した電気光学装置であって、
前記第１基板には、前記第２基板から張り出した張出領域に形成された実装端子と、前記第２基板と重なる領域に形成された第１基板間導通端子と、前記第１基板間導通端子と前記実装端子とを電気的に接続する配線パターンと、が設けられ、
前記第２基板には、前記第１基板間導通端子と電気的に接続されるとともに前記第２駆動電極と電気的に接続された第２基板間導通端子が設けられ、
前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、前記第１基板の側から、前記第１駆動電極よりも電気的な配線抵抗値が小さく且つ反射型表示に用いられる金属膜と、絶縁膜と、がこの順で設けられており、
前記実装端子及び前記第１基板間導通端子の部分は、前記第１基板側から、前記金属膜、前記絶縁膜、前記第１駆動電極の順で設けられた構造を具備してなる
ことを特徴とする電気光学装置。
第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成された透明導電膜からなる第１駆動電極と、前記第２基板上に形成された透明導電膜からなる第２駆動電極と、前記第１基板及び前記第２基板間にシール材により画成された空間に封入された電気光学物質層と、を具備した電気光学装置であって、
前記第１基板には、前記第２基板から張り出した張出領域に形成された実装端子と、前記第２基板と重なる領域に形成された第１基板間導通端子と、前記第１基板間導通端子と前記実装端子とを電気的に接続する配線パターンと、が設けられ、
前記第２基板には、前記第１基板間導通端子と電気的に接続されるとともに前記第２駆動電極と電気的に接続された第２基板間導通端子が設けられ、
前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、前記第１基板の側から、前記第１駆動電極よりも電気的な配線抵抗値が小さく且つ反射型表示に用いられる金属膜と、絶縁膜と、がこの順で設けられており、
前記実装端子及び前記第１基板間導通端子の部分は、前記第１基板側から、前記金属膜、前記絶縁膜、前記第１駆動電極の順で設けられた構造を具備し、
前記配線パターンは、前記透明導電膜、前記金属膜、前記透明導電膜の順で電流が流れる経路を有する
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１または２記載の電気光学装置において、
前記配線パターンには、前記電気光学物質が封入された領域内において、前記第１基板側から、前記金属膜及び前記絶縁膜がこの順で積層された部位のうち、該絶縁層上に前記金属膜と電気的に接続された前記第１駆動電極が積層されていない部位が存在する
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、カラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層を覆う有機絶縁膜が設けられ、前記金属膜と前記絶縁膜との間に該有機絶縁膜が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置において、
前記実装端子及び前記第１基板間導通端子の前記金属膜と電気的に接続された透明導電膜は、前記配線パターンが延出するいずれか一方の側では互いに接触して電気的に接続された構造となり、他方の側では接触しない構造となる
ことを特徴とする電気光学装置。
第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成された透明導電膜からなる第１駆動電極と、前記第２基板上に形成された透明導電膜からなる第２駆動電極と、前記第１基板及び前記第２基板間にシール材により画成された空間に封入された電気光学物質層と、を具備し、前記第１基板には前記第２基板から張り出した張出領域が備えられ、該張出領域には配線パターンによって前記第１駆動電極と電気的に接続された実装端子が形成された電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第１駆動電極との間には、前記第１基板の側から、前記第１駆動電極よりも電気的な配線抵抗値が小さい金属膜と、絶縁膜とが備えられ、前記配線パターンの一部には、前記第１基板側から、前記金属膜と、前記絶縁膜と、透明導電膜と、がこの順で設けた構造を具備しており、
前記配線パターンは、前記第１駆動電極の配線を介して電流が流れる経路と、前記透明導電膜、前記金属膜、前記透明導電膜の順で電流が流れる経路の２系統を有する
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項６記載の電気光学装置において、
前記配線部は、前記実装端子に対応した部分に設けられている
こと特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置において、
前記絶縁膜は、前記第１基板の略全体を覆う無機絶縁膜である
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置において、
前記金属膜と前記第１基板との間には、導電性の下地密着膜を備えている
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１，２または６に記載の電気光学装置において、
前記金属膜の膜厚をａ、前記絶縁膜の膜厚をｂとした場合に、ａ／ｂ＞５である
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１，２または６に記載の電気光学装置において、
前記金属膜の膜厚ａは、ａ＞１００ｎｍ、前記絶縁膜の膜厚ｂは、ｂ＜２０ｎｍである
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項２または６に記載の電気光学装置において、
前記配線パターンは、前記金属膜及び前記透明導電膜が、前記絶縁膜から露出された前記金属膜の側面を通して互いに電気的に接続される
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項２または６に記載の電気光学装置において、
前記金属膜のうち側面を通して前記透明導電膜と電気的に接続される部分は、櫛歯状に形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至１３のいずれかに記載の電気光学装置を表示部として有する
ことを特徴とする電子機器。