JP2002040468A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
液晶装置および電子機器Info
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Abstract
招くことなく、狭額縁化による小型化を図ることができ
る液晶装置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶装置は、一対の基板のう
ち、下側基板2の内面上に信号電極6が設けられるとと
もに、信号電極用引き廻し配線11が下側基板2を貫通
するスルーホール17を介して基板外面にわたって設け
られている。一方、上側基板3の内面上に走査電極7が
設けられるとともに、走査電極用引き廻し配線が基板間
にわたる上下導通部、さらに下側基板2を貫通するスル
ーホールを介して下側基板2の外面にわたって設けられ
ている。そして、下側基板2の外面側には、信号電極用
引き廻し配線11および走査電極用引き廻し配線と電気
的に接続された駆動用IC10が実装されている。
Description
子機器に関し、特に液晶装置の小型化にあたって表示領
域外の領域を極力狭くした液晶表示パネルの構成に関す
るものである。
時計等の携帯用電子機器において、各種の情報を表示す
る手段として液晶表示パネルが広く使用されている。特
に携帯用電子機器等では、筐体内部の限られた空間に液
晶表示パネルを収容し、しかも表示し得る情報量を多く
したいという要求から、表示領域を極力広く、表示領域
外の部分(以下、本明細書ではこの部分を非表示領域ま
たは額縁などという)を狭くする構成が望まれている。
ブマトリクス(単純マトリクス)型と呼ばれる液晶表示
装置では、2枚の透明基板間に液晶が封入され、各透明
基板の対向面に互いに直交するストライプ状の透明電極
が形成されている。この液晶表示装置では、2枚の基板
上の透明電極が互いに交差する部分が画素となり、液晶
を各画素毎に外部から駆動する方式が採用されている。
液晶を外部から駆動するためには、例えば各透明基板上
の非表示領域を互いに対向する基板の外側に張り出さ
せ、その領域に各基板の透明電極に対して信号を供給す
る駆動用ICをそれぞれ実装し、各駆動用ICの端子と
各透明電極とを引き廻し配線を用いて電気的に接続する
構成が採用されていた。
化、駆動用ICの使用数の削減等を目的として、画素数
がそれ程多くない小規模のパネルの場合には、2枚の透
明基板上の全ての電極を一方の基板上の非表示領域に設
けた多数の引き廻し配線に導通させ、これら引き廻し配
線に接続した1個の駆動用ICで駆動する方式が提案さ
れた。図27、図28はこの方式の液晶表示装置の構成
例を示している。
基板上に実装した、いわゆるCOF(Chip On Film)実
装と呼ばれる形態の回路基板を液晶表示パネルに接合し
たものである。下側基板100の一辺側が上側基板10
1の外側に張り出しており、この部分に1個の駆動用I
C102が搭載されたフレキシブルプリント配線基板1
03(Flexible Printed Circuit, 以下、FPCと略記
する)が電気的に接合されている。下側基板100およ
び上側基板101の対向面には互いに直交する方向に多
数のストライプ状電極104,105が形成されてい
る。
した、いわゆるCOG(Chip On Glass)実装と呼ばれ
る形態のものであり、下側基板(ガラス基板)110の
一辺側が上側基板111の外側に張り出しており、この
部分に駆動用IC112が直接搭載され、さらに駆動用
IC112に駆動信号を供給するためのFPC113が
電気的に接合されている。
の引き廻し配線と上側基板の電極用の引き廻し配線は全
て、FPCや駆動用ICが実装された下側基板の一辺側
に集められている。
基板の引き廻し配線の接続構造の一例を図29、図30
を用いて詳細に説明する。図29は上側基板120の電
極および引き廻し配線の配置を示す平面図であり、図3
0は下側基板130の電極および引き廻し配線の配置を
示す平面図である。図29に示すように、上側基板12
0においては、図中横方向に延在する短冊状の走査電極
121がストライプ状に多数配置されている。ここで、
多数の走査電極121が形成された領域が液晶表示装置
としての表示領域122となる。そして、表示領域12
2の外方(図中表示領域122の右側と左側)の非表示
領域に、各走査電極121に信号を供給するための走査
電極用引き廻し配線123がそれぞれ配置されている。
この引き廻し配線123は電極の延在方向に引き出され
た後、屈曲して上側基板120の一辺側(図中下側の
辺)の両端部に集められている。
0においては、上側基板120に形成された走査電極1
21と直交する方向(図中縦方向)に延在する短冊状の
信号電極131がストライプ状に多数配置されている。
そして、表示領域122の外方(図中表示領域122の
下側中央部)の非表示領域に、各信号電極131に信号
を供給するための信号電極用引き廻し配線132がそれ
ぞれ配置されている。また、これら信号電極用引き廻し
配線132が配置された領域の両側方に、上側基板12
0の走査電極用引き廻し配線123と電気的に接続する
ための走査電極用引き廻し配線133が走査電極121
の数と同数、配置されている。また、この走査電極用引
き廻し配線133のピッチは上側基板120の走査電極
用引き廻し配線123のピッチと一致している。なお、
本構成例においては、全ての引き廻し配線123,13
2は走査電極121もしくは信号電極131と一体に形
成されており、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxid
e, 以下、ITOと略記する)等の透明導電膜で形成さ
れている。
0を貼り合わせると、下側基板130の外形よりも上側
基板120の外形の方が小さく、上側基板120上の走
査電極用引き廻し配線123の下端と下側基板130上
の走査電極用引き廻し配線133の上端とが、図中符号
134で示す上下導通部で対向するように位置する。上
下導通部134には例えば異方性導電膜、導電ペース
ト、導電性粒子を含む導電材等が設けられており、これ
を介して上側基板120上の走査電極用引き廻し配線1
23と下側基板130上の走査電極用引き廻し配線13
3とが電気的に接続される。このようにして、全ての走
査電極用引き廻し配線133と全ての信号電極用引き廻
し配線132が下側基板130の一辺側に集められたこ
とになるので、この部分に例えば図27に示したような
COF実装された基板との接続を行えば、COF実装基
板上の1個の駆動用ICから全ての走査電極121と信
号電極131に対して信号を供給することができる。
成の液晶表示装置には、以下のような問題点があった。
すなわち、従来の液晶表示装置を構成する基板には、上
記のように表示領域の外側に引き廻し配線を形成する領
域が必ず必要になる。上述したように、近年の液晶表示
装置においては表示容量がますます増加する傾向にある
が、表示容量(画素数)が増加する程、この引き廻し配
線の本数が増えて引き廻し配線の形成領域が広くなって
しまうため、これが狭額縁化の障害となる。
域が広くならないようにするには、引き廻し配線のピッ
チ(配線幅+配線間隔)を小さくすることも考えられる
が、その場合、引き廻し配線抵抗の増大を招き、表示品
質に悪影響を与える恐れがある。例えば100本の引き
廻し配線を50μmピッチで形成する場合、5mm程度
の引き廻し配線形成領域が必要になる。この時の引き廻
し抵抗は数kΩ〜MΩオーダーにまで達し、信号波形な
まりなどの問題が生じる場合がある。
は、引き廻し配線を構成する透明導電膜の低抵抗化、低
抵抗の金属補助配線の付加等の方法がある。しかしなが
ら、前者の方法の場合、透明導電膜は電極の部分では充
分な光透過率を確保することが重要であり、高い透過率
を維持したままでの低抵抗化は困難である。また、後者
の方法の場合は、製造工程の負荷が増大するという問題
がある。結局のところ、引き廻し配線の抵抗を増大させ
ることなく、引き廻し配線形成領域の縮小化を図る有効
な手段は今まで存在しなかった。
来の液晶表示装置ではFPCや駆動用ICを実装する領
域が必要なため、一方の基板を他方の基板から大きく張
り出させなければならず、液晶表示装置を電子機器の筐
体内に収容する場合、この部分が無駄な空間となってい
た。そのため、液晶表示装置の非表示(額縁)領域の確
保、及び拡大に繋がっていた。
て、基板の裏面側に電子回路および駆動用ICを搭載す
る技術が特開平5−323354号公報に開示されてい
る。同様に、一方の基板に画素パターン配線基板と駆動
回路配線基板としての機能を兼用させる技術が特開平7
−159802号公報に開示されている。しかしなが
ら、この公報には、ただ単に一方の基板の表面側の駆動
線をビアホール(コンタクトホール)を介して裏面側に
導通させ、裏面側の駆動回路および駆動用ICに接続す
ることが記載されているだけであって、液晶表示装置の
全体構成は不詳である。
されたものであって、引き廻し抵抗の増大などによる表
示品質の低下を招くことなく、狭額縁化による小型化を
図ることができる液晶装置、およびこれを用いた電子機
器を提供することを目的とする。
めに、本発明の液晶装置は、互いに対向配置された一対
の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、一対
の基板のうち、第1の基板においては液晶層に面する内
面上に第1の導電部が設けられるとともに、第1の導電
部と電気的に接続された第1の引き廻し導電部が前記内
面から基板内部を通り前記内面と反対側の外面にわたっ
て設けられ、透光性を有する第2の基板においては液晶
層に面する内面上に第2の導電部が設けられるととも
に、第2の導電部と電気的に接続された第2の引き廻し
導電部が第2の基板の内面から第1の基板の内面へ、さ
らに第1の基板の内面から基板内部を通り第1の基板の
外面にわたって設けられ、第1の基板の内面側に光反射
部が設けられるとともに第2の基板の外面側には偏光手
段が設けられ、第1の基板の外面側には第1の引き廻し
導電部および第2の引き廻し導電部と電気的に接続され
た電子部品が実装されたことを特徴とする。
板の外面側に、第1の基板内面の第1の導電部および第
2の基板内面の第2の導電部と電気的に接続された電子
部品が実装されたものである。ここで言う「第1の導電
部」、「第2の導電部」とは、具体的にはパッシブマト
リクス型液晶装置における走査電極、信号電極等の電
極、もしくはアクティブマトリクス型液晶装置における
走査線、データ線等の配線のことを指す。また、「電子
部品」とは、具体的には液晶装置の駆動回路に用いる駆
動用IC、コンデンサ等のことを指す。
内面から基板内部を通り第1の基板の外面にわたって設
けられた第1の引き廻し導電部を介して電子部品に電気
的に接続されている。一方、第2の導電部は、第2の基
板の内面から基板間をわたって第1の基板の内面へ、さ
らに第1の基板の内面から基板内部を通り第1の基板の
外面にわたって設けられた第2の引き廻し導電部を介し
て電子部品に電気的に接続されている。
線が第1の基板の内面上の電極形成領域(言い換えると
表示領域)の外側の領域(非表示領域)に引き廻されて
いたのに対し、本発明の基本的構成では、引き廻し配線
(引き廻し導電部)が第1の基板の内面側から基板内部
を通って外面側に引き廻されている。ここで、本発明
は、第1の基板の内面側に光反射部が設けられ、第2の
基板の外面側に偏光手段が設けられた反射型液晶装置で
あるから、引き廻し配線を第1の基板の外面側に引き廻
した後は平面的に表示領域に相当する領域内に配線を形
成しても表示上何ら支障はない。また、これらの配線に
電気的に接続される電子部品も、同様に第1の基板外面
の表示領域に相当する領域内に配置することができる。
導電部の基本構成は、電子部品が実装された側の基板で
ある第1の基板上の第1の引き廻し導電部のみならず、
液晶層を挟んで対峙する第2の基板からの第2の引き廻
し導電部についても同様である。すなわち、一対の基板
の全ての引き廻し導電部が第1の基板の内部を通って最
終的に第1の基板の外面側に引き廻され、電子部品に接
続される構成になっている。
の構成において第1の基板内面の表示領域外側に設けて
いた引き廻し領域、さらにはFPCや電子部品の実装領
域が不要となるので、その分だけ従来に比べて大幅に額
縁部分を狭くすることができる。また、表示領域内を含
めて第1の基板の外面側全面に引き廻し導電部をレイア
ウトすることができ、引き廻し導電部間のピッチを余裕
を持って設計することができるため、引き廻し抵抗が増
大するという問題が生じることもない。
必ずしも透光性基板である必要はないため、基板材料の
選択肢として従来から一般的なガラス基板、石英基板等
の透明基板の他、例えばポリイミド等の樹脂基板、セラ
ミック基板等を用いることもでき、第1の基板の材料選
択の自由度が向上する。別の表現をすれば、本発明の液
晶装置において、第1の基板は、液晶装置そのものを構
成する一方の基板として機能すると同時に、駆動回路の
搭載基板としても機能する。したがって、場合によって
は、フレキシブルテープ等の接続用部品の削減を図るこ
ともできる。
用IC等の電子部品の入力端子と電気的に接続した外部
接続端子を設けることが望ましい。
動用ICに駆動信号を供給するためのFPCなどをさら
に実装するような場合、外部接続端子とFPCの端子を
接合する際の位置合わせを容易に行うことができる。ま
た、FPC接合時もしくは接合後、接合部分に応力が発
生する場合があるが、その位置が表示領域から外れた基
板周縁部であれば、前記応力が表示に悪影響を及ぼすこ
ともない。
の具体的な構成は、第1の基板の内面側と外面側との間
に設けられた孔の内部に設けられ第1の導電部と電気的
に接続された第1の孔内接続部と、第1の基板の外面上
において第1の孔内接続部と電子部品とを電気的に接続
する第1の外面上接続部とを有するものを用いることが
できる。また、前記孔は、第1の基板の内面側と外面側
とを貫通するスルーホールとすることができる。
ーザー加工、ケミカルエッチング等の操作を施すことに
より容易にスルーホールを形成することができる。さら
に、スルーホール内への銀ペースト等の充填、電解メッ
キ処理等を施すことによりスルーホール内に導電性材料
からなる上記第1の孔内接続部を形成することができ
る。一方、第1の外面上接続部は、導電膜の成膜、パタ
ーニング等の通常の配線形成技術によって容易に形成す
ることができる。なお、上記第1の孔内接続部は、第1
の導電部と第1の外面上接続部とを電気的に接続できれ
ばよいのであって、必ずしも孔の内部全体に埋め込まれ
ていなくてもかまわない。また、第1の孔内接続部はシ
ール直下に設けても良いし、シールから離間した位置に
第1の孔内接続部を配置しても良い。シール直下に第1
の孔内接続部を設けた場合には、例えばシール材中に導
電部材を混入させ、重合することで電気的に接続できる
ので、額縁を狭くできるとともに構造が簡単になる。第
1の孔内接続部の部分は製造上の理由から第1の基板上
で若干盛り上がった形状となる可能性があるので、表示
上で支障があればシールの外側に第1の孔内接続部を配
置させれば問題ない。
部を構成する導電層、外面側の第1の外面上接続部を構
成する導電層の他、基板内部に1層以上の内部導電層を
有する基板、いわゆる多層プリント配線基板のような基
板で構成してもよい。この場合には、第1の基板の内面
から外面にわたる孔は、第1の基板の内面と内部導電層
との間、第1の基板の外面と内部導電層との間、もしく
は相互の内部導電層の間に設けられた複数のビアホール
から構成されるものとなる。
導電部の数が増え、第1の基板の外面上だけに多数の引
き廻し導電部を配置するのが難しくなった場合に、一部
の引き廻し導電部を内部導電層を用いて引き廻すことも
でき、引き回しの自由度が向上するので、表示容量の増
大にも対応することが可能になる。
内面側の第1の導電部と外面側の第1の外面上接続部を
同じ導電性材料で構成することができる。
外面側に導電膜を成膜した後、内面側と外面側の両面に
フォトリソグラフィー、エッチングを施し、両面の導電
膜を同時にパターニングして第1の導電部と第1の外面
上接続部を形成することができるので、製造工程の簡略
化を図ることができる。
の第1の外面上接続部を異なる導電性材料で構成するこ
ともできる。
の導電部、例えばパッシブマトリクス型液晶装置におけ
る電極が光反射部を兼ねる場合、第1の導電部には光反
射率の高い銀(または銀を含有する合金)、アルミニウ
ム等の金属材料を用い、第1の外面上接続部には引き廻
し抵抗低減のために低抵抗材料である銅等の金属材料を
用いるというように、第1の導電部、第1の外面上接続
部各々の機能に最適な導電材料を選択することができ
る。その結果、製造工程の簡略化という上記の利点は得
られない代りに、表示品質を高めることができる。
成については、第2の引き廻し導電部が、第1の基板と
第2の基板との間に設けられ第2の導電部と電気的に接
続された基板間接続部と、第1の基板の内面側と外面側
との間に設けられた孔の内部に設けられ基板間接続部と
電気的に接続された第2の孔内接続部と、第1の基板の
外面上において第2の孔内接続部と電子部品とを電気的
に接続する第2の外面上接続部とを有する構成とするこ
とができる。
たるように形成した導電性ペーストや導電性粒子等、任
意の手段を用いることができる。もしくは、液晶層を封
止するシール材の内部に混入させた導電材を用いて基板
間の導電接続を行っても良い。
の位置関係については、基板間接続部の直下に第2の孔
内接続部を設けても良いし、基板間接続部から離間した
位置に第2の孔内接続部を配置しても良い。その場合、
第1の基板の内面上に、基板間接続部と第2の孔内接続
部との間を電気的に接続する第2の内面上接続部を設け
ることが望ましい。
設けた場合には、例えばシール材中に導電部材を混入さ
せ、重合することで電気的に接続できるので、額縁を狭
くできるとともに構造が簡単になる。第1の孔内接続部
と同様、第2の孔内接続部の部分は製造上の理由から第
1の基板上で若干盛り上がった形状となる可能性がある
ので、基板間接続部の形成との関係、もしくは表示上で
支障があれば、基板間接続部と第2の孔内接続部とを離
間させれば問題はない。
1の導電部とを同じ導電性材料で形成することが望まし
い。
と第1の導電部とを一工程で同時に形成できるので、製
造工程が複雑化することがない。
第1の基板に使用可能な基板材料の選択肢が多くなって
いるが、さらに第1の基板、第2の基板の一方あるいは
両方の基板ともに、例えばプラスチックフィルム基板等
の可撓性を有する基板で構成しても良い。
量化が図れる、基板の割れ等の破損が生じにくくなる、
基板を湾曲させることで曲面表示が可能になる、等の利
点が得られ、携帯機器等の電子機器に好適なものとな
る。
は、例えば以下の3つが挙げられる。一つはパッシブマ
トリクス型液晶装置であり、その場合、第1の基板上の
第1の導電部はストライプ状に形成された複数の電極と
なり、第2の基板上の第2の導電部が前記電極と交差す
る方向に延在するようストライプ状に形成された複数の
電極となる。勿論、第1の導電部と第2の導電部のどち
らが走査電極であっても、信号電極であってもかまわな
い。
適用する場合、第1の基板上の第1の導電部を光反射性
の高い材料、例えば銀(または銀を含有する合金)やア
ルミニウム等の金属で形成すれば、第1の導電部自身を
前記光反射部を兼ねた反射電極とすることができる。す
なわち、本発明の液晶装置は、反射電極を有するタイプ
の反射型液晶装置であっても良いし、反射層と表示電極
とを別個に有するタイプの反射型液晶装置であっても良
い。
ード(Thin Film Diode, 以下、TFDと略記する)を
用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、その場
合、第1の基板上の第1の導電部は複数のデータ線もし
くは走査線となり、第2の基板上の第2の導電部は前記
データ線もしくは走査線と交差する方向に延在するよう
ストライプ状に形成された複数の走査線もしくはデータ
線となる。
トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと
略記する)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置で
あり、その場合、第1の基板上の第1の導電部は複数の
データ線もしくは走査線の少なくともいずれか一方とな
り、第2の基板上の第2の導電部は一つの共通電極とな
る。
いて、第1の基板または第2の基板の内面上にカラーフ
ィルターを設けても良い。
いカラー液晶装置を実現することができ、今後、カラー
化がさらに進むことが予想される各種電子機器に好適な
ものとなる。
置を備えたことを特徴とする。本発明によれば、狭額縁
化による小型の液晶装置を備えたことによって、装置全
体が小型である割に表示領域が広く、携帯性に優れた電
子機器を実現することができる。
明の第1の実施の形態を図1〜図13を参照して説明す
る。
シブマトリクス型液晶表示装置に適用した例であって、
光反射部を兼ねた表示電極、いわゆる反射電極を有する
液晶表示装置の例である。
上面側から見た斜視図、図2は下面側から見た斜視図、
図3は下側基板の上面(電極形成面)図、図4は下側基
板を下面側から観た透過平面図(電子部品の実装面側か
ら観た透過平面図)、図5は上側基板の下面(電極形成
面)図、図6は上側基板と下側基板を重ね合わせた状態
を示す透過平面図、図7は図6のA−A’線に沿う断面
図、図8は図6のB−B’線に沿う断面図である。な
お、以下の全ての図面においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならせてある。
示すように、下側基板2(第1の基板)と上側基板3
(第2の基板)とが対向配置され、これら基板間に液晶
層(図1では図示略)が挟持されている。本実施の形態
では、下側基板2としてポリイミド等からなる不透明基
板が用いられ、上側基板3としてポリカーボネート、ポ
リエーテルスルホン、アクリル系樹脂等からなる透明基
板が用いられている。以下の説明では、双方の基板の液
晶層に面する側の面を「内面」、それと反対側の面を
「外面」という。即ち、双方の基板において液晶層が配
置される側の面を「内面」、それと反対側の面を「外
面」という。また、上側基板3の外面側に、位相差板4
(λ/4板)、偏光板5(偏光手段)が順次貼着されて
いる。なお、図2以降の図面では、位相差板4、偏光板
5の図示を省略する。
(第1の導電部)がストライプ状に設けられ、それと対
向する上側基板3の内面上には信号電極6と直交する方
向に延在する多数の走査電極7(第2の導電部)がスト
ライプ状に設けられている。そして、信号電極6と走査
電極7が交差する部分が個々の画素8となり、多数の画
素8がマトリクス状に配列した領域が表示領域9とな
る。なお、本実施の形態では下側基板2側の電極を信号
電極、上側基板3側の電極を走査電極として説明する
が、これは逆であっても一向にかまわない。また、本実
施の形態では信号電極6及び走査電極7の形状をストラ
イプ状としたが、本形状に限定されるものでなく、例え
ば多重マトリクス構成やアイコン等の任意の電極形状に
も適応が可能である。
おいて、平面的に表示領域9に対応する領域内に駆動用
IC10(電子部品)が実装されている。この駆動用I
C10は、外部回路(図示せず)から外部接続端子26
を通じて入力された信号を受けて信号電極6に対しては
画像信号を、走査電極7に対しては走査信号を供給する
ものである。また、下側基板2の外面上には、後述する
信号電極用引き廻し配線(第1の引き廻し導電部)の一
部を構成する信号電極用接続配線12(第1の外面上接
続部)、および走査電極用引き廻し配線(第2の引き廻
し導電部)の一部を構成する走査電極用接続配線14
(第2の外面上接続部)がそれぞれ配設されており、駆
動用IC10の端子(図2、図4は図示省略)と電気的
に接続されている。
に、アルミニウムや銀(または銀を含有する合金)など
の光反射率の高い金属薄膜からなる多数の信号電極6が
ストライプ状(帯状)に設けられている。これら信号電
極6は反射層を兼ねており、表示時には偏光板5、位相
差板4を介して上側基板3の外方から入射し、液晶層を
透過した光が下側基板の内面に達してこれら信号電極6
の表面で反射し、画像表示がなされるようになってい
る。信号電極6の一端はそのまま電極の延在方向に細く
延び、その先端が円形に形成され、後述する孔内接続部
(第1の孔内接続部)と接続するためのランド16とな
っている。ランド16は下側基板2において信号電極6
の延在方向の基板辺に沿って端部に配置されている。ラ
ンド16の中央には、下側基板2の内面、外面間を貫通
するスルーホールが形成されている。信号電極6の端部
のこの部分が、信号電極6と駆動用IC10とを電気的
に接続する信号電極用引き廻し配線の一部を構成する信
号電極用接続配線18となる。
18は、図3における最上部の信号電極6から順に、信
号電極6の左側、右側、左側、…というように交互に反
対側の領域に引き出されているため、上下方向に隣接す
る接続配線間の間隔が広く、接続配線同士が短絡しにく
く信頼性が確保されている。しかしながら、特に接続配
線間の間隔等に問題がなければ、全ての接続配線を同方
向に引き出したり、例えば上側半分の接続配線を左側、
下側半分の接続配線を右側と分けて引き出すなど、接続
配線の引き出し方向は任意で良い。また、スルーホール
を直線的に配置するのではなく、ジグザグ(千鳥配列)
に配置することで狭ピッチにも対応可能になる。さら
に、特に接続配線として信号電極6よりも細い部分を作
らなくても、単に信号電極6の端部にスルーホールを設
けた構成でも良い。
部で配置された基板辺と隣接する他の一方の基板辺の端
部には、後述する上下導通部(基板間接続部)と孔内接
続部(第2の孔内接続部)との間を電気的に接続する多
数の走査電極用接続配線21(第2の内面上接続部)が
形成されている。これら走査電極用接続配線21は上側
基板3の各走査電極7とランド22で上下基板間の上下
導通により電気的に接続されるものである。本実施の形
態の場合、各走査電極用接続配線21の一端は上下導通
部に接する矩形のランド22、他端は孔内接続部に接す
る円形のランド23となっており、円形のランド23の
中央には下側基板2の内面、外面間を貫通するスルーホ
ールが形成されている。これら走査電極用接続配線21
も信号電極6と同じアルミニウムなどの材料で形成され
ている。
状態を示している。下側基板2の外面上には、図3に示
した信号電極用接続配線18のランド16の中に形成さ
れたスルーホール、走査電極用接続配線21のランド2
3の中に形成されたスルーホールの位置に対応して円形
のランド24,25がそれぞれ設けられている。更に下
側基板2の外面上には、信号電極用接続配線18のラン
ド16の中に形成されたスルーホールに対応する各ラン
ド24から駆動用IC10の実装領域に向けて信号電極
用接続配線12がそれぞれ設けられ、同様に走査電極用
接続配線21のランド23の中に形成されたスルーホー
ルに対応する各ランド25から駆動用IC10の実装領
域に向けて走査電極用接続配線14が設けられている。
辺)のうち、3辺(三つの基板辺)に沿って上記多数の
ランド24,25が配置されており、上側基板3の内面
に形成された走査電極7との電気的接続(上下導通)が
なされる基板辺(ランド25が配置される基板辺)と対
向する残りの1辺に沿って多数の外部接続端子26が形
成されている。つまり、下側基板2の外面上に形成され
る外部接続端子26は、上側基板3の内面に形成された
走査電極7の延在方向に位置する下側基板2の基板辺に
沿って端部で配列形成されている。外部接続端子26
は、この液晶表示装置1と駆動用外部回路等をFPCや
異方性導電コネクター(またはラバーコネクター)など
の接続用部品を用いて接続する際にそのFPCの端子と
接続するための端子である。そして、これら外部接続端
子26の各々から駆動用IC10の実装領域に向けて、
駆動用IC10に駆動信号を供給するための信号入力用
配線41がそれぞれ設けられている。本実施の形態の場
合、下側基板2の外面に形成された信号電極用接続配線
12、走査電極用接続配線14、外部接続端子26、信
号入力用配線41等は全て、内面側の信号電極6、各接
続配線18,21等と同じく、アルミニウムや銀(また
は銀を含有する合金)等の材料から形成されている。つ
まり、上側基板3の内面に形成された走査電極7以外の
配線、及び電極は同じ材料から形成されている。
0の実装領域および外部接続端子26の形成領域を除
く、配線が露出した領域をポリイミド、レジスト等の樹
脂を用いて被覆しておくことが望ましい。このような被
覆層を形成すると、信号電極用接続配線12、走査電極
用接続配線14、信号入力用配線41等の配線の腐食、
断線、ショート等の不具合を防止することができる。
に、ITOなどの透明導電性薄膜からなる多数の走査電
極7がストライプ状(帯状)に設けられている。図5に
おける各走査電極7の長さ方向(配線形成方向)の端部
が上下導通部に接続される部分となる。なお、図示しな
い上側基板3の外面側は何も形成されていない平坦な面
となっている。
合わせると、図6に示すようになる。図6において、2
点鎖線で示した符号27の部材は両基板を接着するとと
もに液晶層を基板間に封止するためのシール材である。
信号電極6と走査電極7が交差する部分が個々の画素8
となり、多数の画素8がマトリクス状に配列した領域が
表示領域9となる。本実施の形態の場合、下側基板2の
外形よりも上側基板3の外形の方が小さく、下側基板2
の周縁部は上側基板3の外側にはみ出している。下側基
板2の内面上の各信号電極用接続配線18の先端のラン
ド16の部分は、それぞれ上側基板3の外側にはみ出し
て位置している。つまり、各信号電極6から導出される
各信号電極用接続配線18はシール材の形成部を突き抜
け、更に上側基板3の外形(外周)よりも外側に延在し
て形成され、その先端部分にランド16が配置されてい
る。一方、下側基板2の内面上の各走査電極用接続配線
21については、上下導通部に接する矩形のランド22
の部分がシール材27の部分に位置し、スルーホールが
設けられた円形のランド23の部分が上側基板3の外側
にはみ出して位置している。
なわち信号電極6に沿った方向に切断した断面図であ
る。この図に示すように、下側基板2と上側基板3との
間にシール材27が挟持され、下側基板2と上側基板3
とシール材27とにより密閉された空間に液晶層28が
挟持されている。ここでは、液晶層28として例えばS
TN(Super Twisted Nematic)液晶等の一般的な液晶
を用いることができる。
号電極6と一体形成された信号電極用接続配線18が形
成されるとともに、下側基板2の外面上には信号電極用
接続配線12が形成され、双方の信号電極用接続配線1
2,18の先端のランドの部分には基板を貫通するスル
ーホール17が形成されている。スルーホール17の内
部には銀ペースト等の導電性材料が充填されており、こ
の導電性材料が、内面側の信号電極用接続配線18と外
面側の信号電極用接続配線12とを電気的に接続する孔
内接続部15を構成している。
としては、例えば図11(a)に示すように、スルーホ
ール17の内部に銀ペースト等の導電性材料を埋め込ん
で孔内接続部15を形成した後、導電性材料の表面を絶
縁性の樹脂で被覆するなどして被覆層29を形成する
と、導電性材料の腐食を防止することができる。もしく
は、図11(b)に示すように、スルーホール17の内
部に導電性材料を埋め込んで孔内接続部15を先に形成
した後、孔内接続部15の上面および下面を覆うように
下側基板2の内面上および外面上にそれぞれ信号電極用
接続配線18,12を形成してもよい。
面側の信号電極用接続配線同士を電気的に接続できれば
よいのであって、必ずしも孔の内部全体に埋め込まれて
いなくてもかまわない。したがって、図12に示すよう
に、電解メッキ法を用いてスルーホール17の内壁にの
み導電性材料を付着させ、孔内接続部30としてもよ
い。
上に形成された信号電極用接続配線12のスルーホール
17が設けられた側と反対側の端部には、駆動用IC1
0の端子31が接続されている。以上のような配線構造
を採ることにより、駆動用IC10から出力された画像
信号は、下側基板2の外面上の信号電極用接続配線1
2、孔内接続部15、下側基板2の内面上の信号電極用
接続配線18を経由して各信号電極6に供給される。よ
って、これら下側基板2の外面上の信号電極用接続配線
12、孔内接続部15、下側基板2の内面上の信号電極
用接続配線18が信号電極用引き廻し配線11を構成す
ることになる。
ICの表面(端子形成面)側を基板側に向けた、いわゆ
るフェイスダウン実装(もしくはILB(Inner Lead B
onding)実装)と呼ばれるものであり、例えばマトリク
ス状に配置された半田ボールが端子31を構成するBG
A(Ball Grid Array)型半導体素子やバンプ電極をI
Cの外形周辺部に沿って配置された半導体素子などが用
いられる。
C32の裏面側を下側基板2上に固定し、IC表面側の
電極パッド33と信号電極用接続配線12とをワイヤー
34でボンディングした、いわゆるフェイスアップ実装
(もしくはOLB(Outer Lead Bonding)実装)と呼ば
れる実装形態により駆動用ICを実装してもよい。
には多数の走査電極7が形成されている。そして、下側
基板2、上側基板3双方の液晶層28に接する側の最上
層には配向膜35,36がそれぞれ形成されている。配
向膜35,36はポリイミド等の膜からなり、ラビング
等の配向処理が施されたものである。また、下側基板2
と上側基板3の間には基板間の間隔(以下、セルギャッ
プという)を一定に保持するためのスペーサ37が散布
されている。
図、すなわち走査電極7に沿った方向に切断した断面図
であり、走査電極用引き廻し配線13の構成が示されて
いる。この図に示すように、上側基板3の内面上に、シ
ール材27の上面と走査電極7の端部で接触するように
走査電極7が形成されている。また、下側基板2の内面
上には、多数の信号電極6が形成されるとともに、シー
ル材27の下面と接触するように走査電極用接続配線2
1が形成されている。ここで、シール材27の内部には
樹脂等のバインダー中に金属粒子、プラスチックボール
の表面を金属めっきした粒子等の導電材が混入されてお
り、シール材27の上面および下面にそれぞれ接触した
走査電極7と走査電極用接続配線21とが異方性を有し
て電気的に接続されて上下導通部19を構成している。
て電気的に接続される構成は、信号電極用引き廻し配線
11の場合と同様である。すなわち、下側基板2の外面
上に走査電極用接続配線14が形成され、内面側、外面
側双方の走査電極用接続配線21,14の先端のランド
23,25の部分にスルーホール38が形成されてい
る。スルーホール38の内部には銀ペースト等の導電性
材料が充填され、この導電性材料が孔内接続部20を構
成し、内面側、外面側の走査電極用接続配線21,14
を互いに電気的に接続している。
続配線14の一端にはスルーホール38が設けられ、反
対側の端部には駆動用IC10の端子31が接続されて
いる。以上のような配線構造を採ることにより、駆動用
IC10から出力された走査信号は、下側基板2の外面
上の走査電極用接続配線14、孔内接続部20、下側基
板2の内面上の走査電極用接続配線21、上下導通部1
9を経由して各走査電極7に供給される。よって、これ
ら下側基板2の外面上の走査電極用接続配線14、孔内
接続部20、下側基板2の内面上の走査電極用接続配線
21、および上下導通部19が走査電極用引き廻し配線
13を構成することになる。
してこの部分を上下導通部19とすることに代えて、例
えば図9に示すように、上側基板2の内面上でシール材
27外側の下側基板2のスルーホール38の上方にあた
る位置まで走査電極7を延在させ、下側基板2のスルー
ホール38の上方に任意の上下導通材39を形成し、こ
の部分を上下導通部40としてもよい。この上下導通材
39は、例えば銀ペースト等の印刷により形成すること
ができる。この構成の場合、シール材27の部分では電
気的導通がないが、上下導通材39の形成部分で基板間
の導通がなされ、導通経路としては図8の配置、及び接
続構造とほとんど同様になる。
について説明する。
用意し、基板の表裏両面にアルミニウム等の金属材料か
らなる導電性薄膜を成膜する。次に、基板両面の導電性
薄膜上に感光性レジストを塗布した後、基板両面上にフ
ォトマスクを配置し、同時に露光を行う。次いで、周知
のフォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて下側
基板の表裏両面の導電性薄膜のパターニングを同時に行
うことにより、上述の下側基板2内面側の信号電極6、
各接続配線18,21、外面側の信号電極用接続配線1
2、走査電極用接続配線14、信号入力用配線41、外
部接続端子26等を一括して形成する。
所にCO2レーザー等を照射することによって基板を貫
通するスルーホール17,38を形成する。スルーホー
ルの他の形成方法としては、レジストパターンをマスク
としたケミカルエッチング等を用いてもよい。その後、
スルーホール17,38の内部に銀ペースト等の導電性
材料を充填して孔内接続部15,20を形成し、下側基
板2両面の各接続配線間を電気的に導通させる。また、
孔内接続部の他の形成方法としては、電解メッキ処理等
を用いてスルーホールの内壁に導電性材料を付着させる
方法でもよい。いずれにしても、本実施の形態の場合、
基板の表裏両面の導電性薄膜材料を同じにしたことによ
って、1回のフォトリソグラフィー、エッチング工程で
下側基板2内面側の信号電極等と外面側の各種接続配線
等を同時に形成できるため、製造工程を大幅に簡略化す
ることができる。
ネート、ポリエーテルスルホン、アクリル系樹脂等の透
明基板を用意し、基板の一面(内面となる面)側にIT
O等の透明性導電膜を成膜する。次いで、周知のフォト
リソグラフィー、エッチング技術を用いて透明性導電膜
をパターニングし、ストライプ状の走査電極7を形成す
る。
上にポリイミド等を塗布、焼成した後、ラビング法等に
よる配向処理を施して配向膜35,36をそれぞれ形成
する。次いで、下側基板2、上側基板3のいずれか一方
の基板上にセルギャップを保持するためのスペーサ37
を散布し、シール材27となる樹脂材料を印刷した後、
下側基板2と上側基板3とを貼り合わせ、シール材27
を硬化させて、空セルを作製する。本実施の形態の場
合、シール材27の部分を上下導通部とするためにシー
ル材27となる樹脂材料の中に金属粒子等の導電材を混
入させておく。
ール材の液晶注入口から液晶を注入し、液晶注入口を封
止することで液晶セルが作製される。さらに、上側基板
3の外面側に位相差板4、偏光板5を順次貼着した後、
下側基板2の外面側にフェイスダウン実装、フェイスア
ップ実装等の形態で駆動用IC10を実装する。以上の
工程により、本実施の形態の液晶表示装置1が完成す
る。
は、下側基板2の外面上に下側基板2内面の信号電極6
および上側基板3内面の走査電極7と電気的に接続さ
れ、これら電極に対して信号を供給する駆動用IC10
が実装されている。そして、従来の構成では、各電極の
引き廻し配線が例えば下側基板の内面上の表示領域の外
側に引き廻されていたのに対し、本実施の形態の構成で
は、信号電極用引き廻し配線11、走査電極用引き廻し
配線13の双方が、下側基板2、上側基板3各々の内面
から下側基板2の内部を通って下側基板2の外面側に引
き廻されている。
の構成において下側基板内面の表示領域外側に設けてい
た引き廻し領域、さらにはFPCや電子部品の実装領域
が不要となるので、その分だけ従来に比べて大幅に額縁
を狭くすることができる。また、表示領域9内を含めて
下側基板2の外面側全面に多数の接続配線をレイアウト
することができ、接続配線間のピッチを余裕を持って設
計することができるので、引き廻し抵抗が増大するとい
う問題が生じることもない。
にポリイミドを用いたように、下側基板2は必ずしも透
明基板である必要はないため、液晶表示装置の基板材料
として従来から一般的なガラス、石英等の透明基板の
他、ポリイミド等の樹脂基板、セラミック基板等を用い
ることもでき、下側基板2の材料選択の自由度が向上す
る。例えば下側基板2にセラミック基板を用いた場合、
下側基板の剛性が向上するので、基板の変形が生じにく
くなり、セルギャップの均一性、ひいては表示の均一性
に優れた液晶表示装置が得られる。また、上下の基板と
もにプラスチックフィルム基板等の可撓性を有する基板
で構成しても良い。この構成にすると、液晶表示装置の
薄型化、軽量化が図れる、基板の割れ等の破損が生じに
くくなる、基板を湾曲させることで曲面表示が可能にな
る、等の利点が得られ、携帯機器等の電子機器に好適な
ものとなる。
端子26が設けられているので、駆動用IC10に駆動
信号を供給するためのFPCなどをさらに実装するよう
な場合、外部接続端子26とFPCの端子を接続する際
の位置合わせを容易に行うことができる。また、FPC
接合時もしくは接合後、接合部分に応力が発生する場合
があるが、その位置が表示領域9から外れた基板周縁部
であれば、前記応力が表示に悪影響を及ぼすこともな
い。
ホール17,38の位置をシール材27の外側に配置し
たため、スルーホール17,38の孔内接続部15,2
0の部分が下側基板2上で若干盛り上がった形状となっ
たとしても、その影響でシール材27内部の表示領域9
のセルギャップが変わるようなこともなく、画像表示上
何ら支障がない。
下側基板2の内面側の信号電極6等と外面側の各種接続
配線等をアルミニウムなどの同じ材料で構成したため、
製造工程の簡略化を図ることができたが、下側基板2の
内面側の信号電極6等と外面側の各種接続配線等を異な
る材料で形成してもよい。例えば、内面側の信号電極6
には光反射率の高い銀(または銀を含有する合金)、ア
ルミニウム等の金属材料を用い、外面側の接続配線には
低抵抗材料である銅等の金属材料を用いるようにしても
良い。このようにすると、製造工程の簡略化という上記
の利点は得られない代りに、引き廻し抵抗のより一層の
低減を図ることができる。
内外面に導電層を形成し基板を貫通するスルーホールに
より、内外面の導電層の導通を図る基板だけでなく、例
えば図13に示すように、下側基板2の内部に1層以上
の内部導電層42を有する基板、いわゆる多層プリント
配線基板のような基板で構成してもよい。この場合に
は、下側基板2の内面と外面の間の電気的導通は、下側
基板2の内面と内部導電層42との間を貫通及び導通す
るビアホール43内の孔内接続部44、および下側基板
2の外面と内部導電層42との間を貫通及び導通するビ
アホール45内の孔内接続部46(もしくは内部導電層
が2層以上ある場合には相互の内部導電層間を貫通及び
導通するビアホール内の孔内接続部)によってなされる
ことになる。
えば引き廻し配線の数が増え、下側基板の外面上だけで
多数の引き廻し配線を引き廻すことが難しくなった場合
に、一部の引き廻し配線を内部導電層を経由して引き廻
すこともできる。そうすれば、引き回しの自由度が向上
するので、表示容量の増大にも対応することが可能にな
る。
の実施の形態を図14〜図16を参照して説明する。
本発明の液晶装置をパッシブマトリクス型液晶表示装置
に適用した例であって、光反射部を兼ねた表示電極、い
わゆる反射電極を有する液晶表示装置の例である。第1
の実施の形態と異なる点は、上側基板と下側基板がほぼ
同一形状である点と、下側基板上のスルーホールの位置
および外部接続端子の位置が異なる点である。第1の実
施の形態では、下側基板を上側基板の外形より大きくし
てスルーホールをシール材の外側に配置するとともに、
外部接続端子は下側基板の外面上で上側基板から下側基
板が張り出した領域の基板辺に沿って配置されたのに対
し、本実施の形態では、上側基板と下側基板をほぼ等し
い大きさにしてスルーホールをシール材の直下に配置し
ている。即ち、シール材の形成領域にスルーホールを配
置している。また、更に外部接続端子の配置は下側基板
の外面上で上下両基板の重なる領域に配置されている。
の概略構成は第1の実施の形態と共通であるため、共通
な構成については図示および説明を省略する。図14は
第1の実施の形態の図6に対応する図であって、上側基
板と下側基板を重ね合わせた状態を示す透視図、図15
は図14のA−A’線に沿う断面図、図16は図14の
B−B’線に沿う断面図である。なお、これらの図面に
おいて、図1〜図13と共通の構成要素については同一
の符号を付す。
4に示すように、下側基板2の内面上に多数の信号電極
6(第1の導電部)がストライプ状に設けられており、
各信号電極6の長さ方向(配線形成方向)の一端には、
先端のランド16の中央にスルーホールを有する信号電
極用接続配線18が設けられている。これと対向する上
側基板3の内面上には、信号電極6と直交する方向に多
数の走査電極7(第2の導電部)がストライプ状に設け
られている。そして、図15、図16に示すように、下
側基板2の外面上には、信号電極用引き廻し配線11
(第1の引き廻し導電部)の一部を構成する信号電極用
接続配線12(第1の外面上接続部)、および走査電極
用引き廻し配線13(第2の引き廻し導電部)の一部を
構成する走査電極用接続配線14(第2の外面上接続
部)がそれぞれ配設されており、駆動用IC10と電気
的に接続されている。さらに、下側基板2の外面上に
は、外部接続端子26、信号入力用配線41等が設けら
れている。以上の構成は、第1の実施の形態と同様であ
る。
ル38の位置がシール材27(上下導通部)の位置の外
側に離れて配置されていたので、下側基板2のシール材
の外側の内面上に、シール材27とスルーホール38内
の孔内接続部20との間を電気的に接続する走査電極用
接続配線21が形成されていた。これに対して、本実施
の形態の場合、スルーホール38とシール材27とが同
じ位置にあるので、第1の実施の形態における下側基板
2内面上の走査電極用接続配線21に相当するものは特
に必要がない。したがって、下側基板2の内面上のシー
ル材27が配置される領域には、これに対向する位置に
配置される上側基板3上の各走査電極7の本数に対応す
る数の矩形のランド22が設けられている。これらラン
ド22の中央には下側基板2の内面、外面間を貫通する
スルーホール38が形成されている。
と、第1の実施の形態では、図6に示すように、下側基
板2の内面上の各信号電極用接続配線18のランド16
の部分がシール材27の外側(上側基板3の外側)には
み出して位置し、各走査電極用接続配線21の端部のス
ルーホール38が設けられた円形のランド23の部分が
シール材27の外側(上側基板3の外側)にはみ出して
位置している。これに対して、本実施の形態において
は、図14に示すように、下側基板2の内面上の各信号
電極用接続配線18のランド16の部分がシール材27
の直下に位置し、各走査電極7に対応して設けられた上
下導通用の矩形のランド22の部分もシール材27の直
下に位置している。つまり、上下基板間の導通を図るラ
ンド22、並びに下側基板2の内面上から外面上への導
通を図るランド16,23とスルーホール17,38の
全てがシール材27の形成領域内に配置されている。
16に示す通りである。すなわち、信号電極6に沿った
方向に切断すると、図15に示すように、下側基板2の
内面上の信号電極6および信号電極6と一体の信号電極
用接続配線18が形成されるとともに、下側基板2の外
面上には信号電極用接続配線12が形成されている。そ
して、シール材27の直下にあたる双方の信号電極用接
続配線18,12のランド16,24の部分には基板を
貫通するスルーホール17が形成されている。スルーホ
ール17の内部には銀ペースト等の導電性材料が充填さ
れ、この導電性材料が内面側の信号電極用接続配線18
と外面側の信号電極用接続配線12を接続することで孔
内接続部15を構成している。また、下側基板2の外面
上の信号電極用接続配線12のスルーホール17が設け
られた側と反対側の端部には、駆動用IC10の端子3
1が接続されている。孔内接続部の具体的な構成とし
て、図11(a)、(b)、図12に示したような種々
の構造が採用できることは、第1の実施の形態と同様で
ある。
駆動用IC10からの画像信号は、下側基板2の外面上
の信号電極用接続配線12、孔内接続部15、下側基板
2の内面上の信号電極用接続配線18を経由して各信号
電極6に供給される。よって、これら下側基板2の外面
上の信号電極用接続配線12、孔内接続部15、下側基
板2の内面上の信号電極用接続配線18が信号電極用引
き廻し配線11を構成することになる。
と、図16に示すように、上側基板3の内面上に、シー
ル材27の上面と接触するように走査電極7が形成され
ている。また、下側基板2の内面上には、多数の信号電
極6とともに、シール材27の下面と接触するように走
査電極7との接続用のランド22が形成されている。シ
ール材27の内部には金属粒子等の導電材が混入されて
おり、シール材27の上面および下面にそれぞれ接触し
た走査電極7とランド22とが電気的に接続されて上下
導通部19を構成している。
2、外面側の走査電極用接続配線14の先端のランド2
5の部分にスルーホール38が形成されている。スルー
ホール38の内部には銀ペースト等の導電性材料が充填
され、この導電性材料が孔内接続部20を構成し、内面
側のランド22と外面側の走査電極用接続配線14とを
電気的に接続している。また、下側基板2の外面上の走
査電極用接続配線14のスルーホール38が設けられた
側と反対側の端部には、駆動用IC10の端子31が接
続されている。以上のような配線構造を採ることによ
り、駆動用IC10から出力された走査信号は、下側基
板2の外面上の走査電極用接続配線14、孔内接続部2
0、下側基板2の内面上のランド22、上下導通部19
を経由して各走査電極7に供給される。よって、これら
下側基板2の外面上の走査電極用接続配線14、孔内接
続部20、下側基板2の内面上のランド22、および上
下導通部19が走査電極用引き廻し配線13を構成する
ことになる。
ように下側基板2の内面上の各信号電極用接続配線18
のランド16や走査電極7と接続されるランド22の部
分がシール材27の外側にはみ出していないので、下側
基板2の外形と上側基板3の外形とを同じ程度の大きさ
にできる。その結果、第1の実施の形態に比べてさらに
狭額縁化を図ることができる。
の実施の形態を図17、図18を参照して説明する。
同様、本発明の液晶装置をパッシブマトリクス型液晶表
示装置に適用した例であって、光反射部を兼ねた表示電
極、いわゆる反射電極を有する液晶表示装置の例であ
る。そして、本実施の形態の液晶表示装置は下側基板に
カラーフィルターを備え、反射型カラー液晶表示装置を
実現した例である。
第1、第2の実施の形態と共通であるため、共通な構成
については図示および説明を省略する。図17は第1の
実施の形態の図7(図6のA−A’線に沿う断面図)に
対応する断面図、図18は第1の実施の形態の図8(図
6のB−B’線に沿う断面図)に対応する断面図であ
る。なお、これらの図面において、図7、図8と共通の
構成要素については同一の符号を付す。
は、図17および図18に示すように、下側基板2の信
号電極6を覆うように表示領域全域に絶縁膜53が形成
され、その絶縁膜53上にカラーフィルター54が形成
されている。カラーフィルター54は、各画素に対応し
て形成された赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の色
材層55と、金属膜、ブラックレジスト等からなる格子
状の遮光膜56(ブラックマトリクス)とから構成され
ている。そして、カラーフィルター54上に配向膜35
が形成されている。信号電極6、走査電極7等の電極構
成、信号電極用引き廻し配線11、走査電極用引き廻し
配線13等の配線構成に関しては、上記第1の実施の形
態と全く同様である。
下側基板2の内面上にカラーフィルター54を備えてい
るので、狭額縁による小型化が図れ、表示品質の高いカ
ラー液晶表示装置を実現することができ、今後、カラー
化がさらに進むことが予想される携帯電子機器等に好適
なものとなる。また、本実施の形態においては、カラー
フィルターを下側基板側に形成しているが、上側基板側
に形成してもよく、その効果には何ら支障をきたすもの
ではない。
の実施の形態を図19、図20を参照して説明する。
同様、本発明の液晶装置をパッシブマトリクス型液晶表
示装置に適用した例である。しかしながら、第1〜第3
の実施の形態が反射電極を有するタイプの反射型液晶表
示装置の例であったのに対して、本実施の形態の液晶表
示装置は反射層と表示電極とを別個に有するタイプの反
射型液晶表示装置の例である。
第1、第2の実施の形態と共通であるため、共通な構成
については図示および説明を省略する。図19は第1の
実施の形態の図7(図6のA−A’線に沿う断面図)に
対応する断面図、図20は第1の実施の形態の図8(図
6のB−B’線に沿う断面図)に対応する断面図であ
る。なお、これらの図面において、図7、図8と共通の
構成要素については同一の符号を付す。
は、図19および図20に示すように、下側基板2上の
表示領域全域にアルミニウム、銀(または銀を含有する
合金)等の光反射率の高い金属薄膜からなる反射層59
が形成されている。そして、この反射層59を覆うよう
に絶縁膜60が形成され、その絶縁膜60上に多数の信
号電極6がストライプ状に形成されている。信号電極6
は、絶縁膜60および反射層59の形成領域外では下側
基板2上に直接形成された状態となっているため、スル
ーホール17,38の部分の接続構造は第1の実施の形
態と全く同様である。
続配線18を反射層59を形成する際に同時に形成し、
少なくとも表示領域内の反射層59表面に絶縁膜60を
形成し、絶縁膜60上に多数の信号電極6をストライプ
状に形成し、信号電極6を延伸させて信号電極用接続配
線18と電気的に導通させる構成としてもよい。
層を兼ねておらず、信号電極6の下方に反射層59が別
個に形成されている。したがって、表示時には上側基板
3の外方から入射し、液晶層28を透過した光が反射層
59の表面で反射し、画像表示がなされるようになって
いるので、反射層59の上方に位置する信号電極6は透
明でなければならない。したがって、本実施の形態で
は、信号電極6は上側基板3の走査電極7と同様、IT
O等の透明性導電膜で形成されている。また第1の実施
の形態と同様、図20に示すように、下側基板2の内面
上には、シール材27の部分の上下導通部19とスルー
ホール38の部分の孔内接続部20とを電気的に接続す
る走査電極用接続配線21が設けられているが、この走
査電極用接続配線21は、反射層59と同じ材料である
アルミニウム、銀(または銀を含有する合金)等の金属
膜で形成してもよいし、信号電極6と同じ材料であるI
TO等の透明性導電膜で形成してもよい。いずれにし
ろ、反射層59または信号電極6と同じ材料を用いる限
り、製造工程が増えることはない。
用接続配線12、走査電極用接続配線14、信号入力用
配線等が設けられており、これら配線の引き廻しについ
ては第1の実施の形態と同様であるが、配線の材料とし
ては銅等の低抵抗金属材料が用いられている。
も、下側基板2にスルーホール17,38を設け、信号
電極6、走査電極7それぞれの引き廻し配線11,13
を下側基板2の外面側に引き廻し、駆動用IC10を実
装したことにより狭額縁化を図ることができる、という
第1〜第3の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
信号電極6とを別個に設けているため、反射層として必
要な特性と信号電極として必要な特性を分けて考えるこ
とができ、特に信号電極の設計の自由度を上げることが
できる。しかも本実施の形態の場合、下側基板2外面の
各種接続配線等には銅等の低抵抗金属材料を用いたた
め、内面側の導電層材料と異なることで製造プロセスが
若干複雑にはなるものの、引き廻し抵抗が低減し、表示
品質の向上を図ることができる。
の実施の形態を図22を参照して説明する。
マトリクス型液晶表示装置の例を示したが、本実施の形
態では、TFDをスイッチング素子に用いたアクティブ
マトリクス方式の反射型液晶表示装置への本発明の適用
例を示す。図22(a)は本実施の形態の液晶表示装置
の全体構成を示す斜視図であり、図22(b)は図22
(a)における一画素の拡大図である。
2(a)に示すように、2枚の基板、すなわちTFD素
子が形成された側の素子基板62(第1の基板)と対向
基板63(第2の基板)とが対向配置され、これら基板
間に液晶(図示略)が封入されている。なお、図示は省
略するが、実際には液晶と接する各基板の内面には配向
膜が形成されている。素子基板62の内面側には、多数
のデータ線64(第1の導電部)が設けられており、各
データ線64に対して多数の画素電極65がTFD素子
66を介して接続されている。一方、対向基板63の内
面側には、短冊状の多数の走査線67(第2の導電部)
がデータ線に交差する方向に形成されている。
用接続配線および走査線用接続配線(いずれも図示略)
が設けられ、データ線64、走査線67をそれぞれ駆動
するデータ線駆動回路、走査線駆動回路(いずれも図示
略)がそれぞれ形成されている。
うに、例えばタンタル膜からなる第1の導電膜68と、
第1の導電膜68の表面に陽極酸化によって形成された
タンタル酸化膜からなる絶縁膜69と、絶縁膜69の表
面に形成されたクロム、アルミニウム、チタン、モリブ
デン等の金属膜からなる第2の導電膜70とから構成さ
れている。そして、TFD素子66の第1の導電膜68
がデータ線64に接続され、第2の導電膜70が画素電
極65に接続されている。本実施の形態の場合、画素電
極65が光反射層を兼ねる反射電極であり、アルミニウ
ム等の光反射率の高い金属薄膜から形成されている。も
しくは、第4の実施の形態のように、画素電極65をI
TO等の透明性導電膜で形成し、画素電極65の下方に
反射層を別個に形成してもよい。一方、対向基板63の
内面の走査線67は、ITO等の透明性導電膜で形成さ
れている。
の場合、素子基板62の内面の各データ線64の一端が
矩形状に形成され、この部分に素子基板62の内面側と
外面側を貫通するスルーホール71が形成されている。
断面構造は、第1の実施の形態の図7および図8におい
て、信号電極6を本実施の形態のデータ線64に置き換
えたものと同様になる。
線64が形成される一方、素子基板62の外面上にはデ
ータ線用接続配線が形成され、双方の配線の先端には基
板を貫通するスルーホール71が形成されている。スル
ーホール71の内部には銀ペースト等の導電性材料が充
填されており、この導電性材料が内面側のデータ線と外
面側のデータ線用接続配線を接続することで孔内接続部
を構成する。そして、データ線用接続配線の他端には駆
動用ICが接続されている。以上のような配線構造を採
ることにより、駆動用ICから出力された画像信号は、
素子基板62の外面上のデータ線用接続配線、孔内接続
部を経由して各データ線64に供給される。つまり、こ
れら素子基板62の外面上のデータ線用接続配線、孔内
接続部がデータ線用引き廻し配線を構成することにな
る。
ては、シール材の上面と接触するように走査線67が形
成されている。シール材中には金属粒子等の導電材が混
入されており、シール材の上面および下面が電気的に接
続されて上下導通部を構成する。素子基板62の上下導
通部の下部にあたる部分はランドおよびスルーホールが
形成されており、スルーホールの内部に銀ペースト等の
導電性材料が充填され、この導電性材料が孔内接続部を
構成し、内面側、外面側の走査線用接続配線を電気的に
接続している。また、素子基板の外面上の走査線用接続
配線の他端には駆動用ICが接続されている。以上のよ
うな配線構造を採ることにより、駆動用ICから出力さ
れた走査信号は、素子基板62の外面上の走査線用接続
配線、孔内接続部、上下導通部を経由して対向基板63
上の各走査線67に供給される。つまり、これら素子基
板62の外面上の走査線用接続配線、孔内接続部、およ
び上下導通部が走査線用引き廻し配線を構成することに
なる。
ィブマトリクス型液晶表示装置の例であるが、この場合
も上記第1〜第4の実施の形態のパッシブマトリクス型
液晶表示装置の例と同様の効果を得ることができる。す
なわち、素子基板62の内面の表示領域外部に引き廻し
配線を配置するスペースが要らなくなり、しかもTFD
アクティブマトリクス型液晶表示装置に必要なデータ線
駆動回路、走査線駆動回路等の形成領域を素子基板62
の外面側に配置できるので、大幅な狭額縁化を図ること
ができる。また、素子基板62の外面側全域を引き廻し
配線のためのスペースとできるので、充分な配線ピッチ
を確保することができ、引き廻し抵抗の増大を招くこと
もない。
の実施の形態を図23を参照して説明する。
素子に用いたアクティブマトリクス方式の反射型液晶表
示装置への本発明の適用例を示す。図23(a)は本実
施の形態の液晶表示装置の全体構成を示す斜視図であ
り、図23(b)は図23(a)における一画素の拡大
図である。
3(a)に示すように、TFD型液晶表示装置の第5の
実施の形態とほぼ同様の構成を有している。すなわち、
TFT素子が形成された側の素子基板74(第1の基
板)と対向基板75(第2の基板)とが対向配置され、
これら基板間に液晶(図示略)が封入されている。素子
基板74の内面側には、多数のソース線76(データ
線、第1の導電部)および多数のゲート線77(走査
線、第1の導電部)が互いに交差するように格子状に設
けられている。各ソース線76と各ゲート線77の交差
点の近傍にはTFT素子78が形成されており、各TF
T素子78を介して画素電極79が接続されている。一
方、対向基板75の内面側全面には、表示領域に対応し
て共通電極80(第2の導電部)が形成されている。
接続配線およびゲート線用接続配線(いずれも図示略)
が設けられ、ソース線76、ゲート線77をそれぞれ駆
動するソース線駆動回路、ゲート線駆動回路(いずれも
図示略)がそれぞれ形成されている。
うに、ゲート線77から延びるゲート電極81と、ゲー
ト電極81を覆う絶縁膜(図示略)と、絶縁膜上に形成
された多結晶シリコン、アモルファスシリコン等からな
る半導体層82と、半導体層82中のソース領域に接続
されたソース線76から延びるソース電極83と、半導
体層82中のドレイン領域に接続されたドレイン電極8
4とを有している。そして、TFT素子78のドレイン
電極84が画素電極79に接続されている。本実施の形
態の場合も第5の実施の形態と同様、画素電極79が光
反射層を兼ねる反射電極であり、アルミニウム等の光反
射率の高い金属薄膜から形成されている。もしくは、第
4の実施の形態のように、画素電極79をITO等の透
明性導電膜で形成し、画素電極79の下方に反射層を別
個に形成してもよい。一方、対向基板75側の共通電極
80は、ITO等の透明性導電膜で形成されている。
の場合、素子基板74の内面の各ソース線76の一端が
矩形状に形成され、この部分に素子基板74の内面側と
外面側を貫通するスルーホール85が形成されている。
同様に、各ゲート線77の一端も矩形状に形成され、こ
の部分に素子基板74の内面側と外面側を貫通するスル
ーホール86が形成されている。スルーホール85,8
6の部分の断面構造は、第1の実施の形態の図7および
図8において、信号電極6を本実施の形態のソース線7
6もしくはゲート線77に置き換えたものと同様にな
る。
線76が形成される一方、素子基板74の外面上にはソ
ース線用接続配線が形成され、双方の配線の先端には基
板を貫通するスルーホール85が形成されている。スル
ーホール85の内部には銀ペースト等の導電性材料が充
填されており、この導電性材料が内面側のソース線76
と外面側のソース線用接続配線を接続することで孔内接
続部を構成する。そして、ソース線用接続配線の他端に
は駆動用ICが接続されている。以上のような配線構造
を採ることにより、駆動用ICから出力された画像信号
は、素子基板74の外面上のソース線用接続配線、孔内
接続部を経由して各ソース線76に供給される。よっ
て、これら素子基板74の外面上のソース線用接続配
線、孔内接続部がソース線用引き廻し配線を構成するこ
とになる。
り、駆動用ICから出力された走査信号は、素子基板7
4の外面上のゲート線用接続配線、孔内接続部を経由し
て各ゲート線77に供給される。よって、これら素子基
板74の外面上のゲート線用接続配線、孔内接続部がゲ
ート線用引き廻し配線を構成することになる。
ては、共通電極80の一部がシール材の上面と接触する
ように形成されている。シール材中には金属粒子等の導
電材が混入されており、シール材の上面および下面が電
気的に接続されて上下導通部を構成する。素子基板74
の上下導通部の下部にあたる部分はランドおよびスルー
ホールが形成されており、スルーホールの内部に銀ペー
スト等の導電性材料が充填され、この導電性材料が孔内
接続部を構成し、内面側、外面側の共通電極用接続配線
を電気的に接続している。共通電極用接続配線は素子基
板74の外面側の任意の箇所で接地されている。
ィブマトリクス型液晶表示装置の例であるが、この場合
も上記第5の実施の形態のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の例と同様の効果を得ることができる。すなわ
ち、素子基板74の内面の表示領域外部に引き廻し配線
を配置するスペースが要らなくなり、しかもTFTアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に必要なソース線駆動
回路、ゲート線駆動回路等の駆動回路形成領域を素子基
板74の外面側に配置できるので、大幅な狭額縁化を図
ることができる。また、素子基板74の外面側全域を引
き廻し配線のためのスペースとできるので、充分な配線
ピッチを確保することができ、引き廻し抵抗の増大を招
くこともない。
置を備えた電子機器の例について説明する。図24は、
携帯電話の一例を示した斜視図である。図24におい
て、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001
は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示してい
る。
た斜視図である。図25において、符号1100は時計
本体を示し、符号1101は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図26に
おいて、符号1200は情報処理装置、符号1202は
キーボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置
本体、符号1206は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。
施の形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えてい
るので、狭額縁化による小型の液晶パネルを備えたこと
により装置全体が小型である割に表示領域が広く、携帯
性に優れた電子機器を実現することができる。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば第1、第2の実施の形態では反射電極を有するパッ
シブマトリクス型液晶表示装置においてスルーホールの
形成位置が異なる例、第3の実施の形態ではカラーフィ
ルターを備えた液晶表示装置の例、第4の実施の形態で
は反射層と表示電極を別個に有する液晶表示装置の例、
第5の実施の形態ではTFDアクティブマトリクス型液
晶表示装置の例、第6の実施の形態ではTFTアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の例をそれぞれ説明した
が、これら実施の形態の特徴点を適宜組み合わせたもの
であってもよい。
示装置の構成材料、形状、製造方法等の具体的な記載に
関しては、適宜変更が可能なことは勿論である。また、
本発明の液晶装置は、直視型のみならず、投射型液晶装
置(プロジェクタ)の液晶ライトバルブに適用すること
もできる。
液晶装置の構成によれば、従来、基板内面の表示領域外
側に設けていた引き廻し領域やFPC、電子部品等の実
装領域が不要となるので、従来に比べて大幅に額縁部分
を狭くすることができる。また、表示領域内を含めて第
1の基板の外面側全域に引き廻し導電部をレイアウトす
ることができ、引き廻し導電部間のピッチを余裕を持っ
て設計することができ、引き廻し抵抗が増大するという
問題が生じることもない。さらに、基板材料の選択の自
由度が向上すると同時に、一方の基板が駆動回路の搭載
基板としても機能するため、接続用部品の削減を図るこ
ともできる。このように、狭額縁による小型の液晶装置
を備えたことにより、装置全体が小型である割に表示領
域が広く、携帯性に優れた電子機器を実現することがで
きる。
体を上面側から見た斜視図である。
ある。
(電極形成面)図である。
(電極形成面)図である。
態を示す透視図である。
て、図6のA−A’線に沿う断面図である。
す断面図である。
の他の例を示す断面図である。
ある。
ある。
において、上側基板と下側基板とを重ね合わせた状態を
示す透視図である。
って、図14のA−A’線に沿う断面図である。
る。
の断面構造を示す図であって、図6のA−A’線に相当
する断面図である。
って、図6のB−B’線に相当する断面図である。
の断面構造を示す図であって、図6のA−A’線に相当
する断面図である。
って、図6のB−B’線に相当する断面図である。
極用接続配線との接続構造の他の例を示す、図6のA−
A’線に相当する断面図である。
を示す図であって、(a)全体を上面側から見た斜視
図、(b)一画素の拡大図である。
を示す図であって、(a)全体を上面側から見た斜視
図、(b)一画素の拡大図である。
る。
ある。
視図である。
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
ける上側基板の構成を示す平面図である。
晶装置) 2 下側基板(第1の基板) 3 上側基板(第2の基板) 5 偏光板(偏光手段) 6 信号電極(第1の導電部) 7 走査電極(第2の導電部) 10,32 駆動用IC(電子部品) 11 信号電極用引き廻し配線(第1の引き廻し導電
部) 12 信号電極用接続配線(第1の外面上接続部) 13 走査電極用引き廻し配線(第2の引き廻し導電
部) 14 走査電極用接続配線(第2の外面上接続部) 15,30,44,46 孔内接続部(第1の孔内接続
部) 17,38 スルーホール 18 信号電極用接続配線 19,40 上下導通部(基板間接続部) 20 孔内接続部(第2の孔内接続部) 21 走査電極用接続配線(第2の内面上接続部) 26 外部接続端子 27 シール材 28 液晶層 42 内部導電層 43,45 ビアホール 54 カラーフィルター 59 反射層 62,74 素子基板(第1の基板) 63,75 対向基板(第2の基板) 64 データ線(第1の導電部) 66 TFD素子 67 走査線(第2の導電部) 76 ソース線(データ線、第1の導電部) 77 ゲート線(走査線、第1の導電部) 78 TFT素子 80 共通電極(第2の導電部)
Claims (19)
- 【請求項1】 互いに対向配置された一対の基板間に液
晶層が挟持された液晶装置であって、 前記一対の基板のうち、第1の基板においては前記液晶
層に面する内面上に第1の導電部が設けられるととも
に、該第1の導電部と電気的に接続された第1の引き廻
し導電部が前記内面から基板内部を通り前記内面と反対
側の外面にわたって設けられ、透光性を有する第2の基
板においては前記液晶層に面する内面上に第2の導電部
が設けられるとともに、該第2の導電部と電気的に接続
された第2の引き廻し導電部が前記第2の基板の内面か
ら前記第1の基板の内面へ、さらに第1の基板の内面か
ら基板内部を通り第1の基板の外面にわたって設けら
れ、前記第1の基板の内面側に光反射部が設けられると
ともに前記第2の基板の外面側には偏光手段が設けら
れ、前記第1の基板の外面側には前記第1の引き廻し導
電部および前記第2の引き廻し導電部と電気的に接続さ
れた電子部品が実装されたことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項2】 前記第1の基板の外面側周縁部に前記電
子部品の入力端子と電気的に接続された外部接続端子が
設けられたことを特徴とする請求項1に記載の液晶装
置。 - 【請求項3】 前記第1の基板における第1の引き廻し
導電部が、前記第1の基板の内面側と外面側との間に設
けられた孔の内部に設けられ前記第1の導電部と電気的
に接続された第1の孔内接続部と、前記第1の基板の外
面上において前記第1の孔内接続部と前記電子部品とを
電気的に接続する第1の外面上接続部とを有することを
特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。 - 【請求項4】 前記孔が、前記第1の基板の内面側と外
面側とを貫通するスルーホールであることを特徴とする
請求項3に記載の液晶装置。 - 【請求項5】 前記第1の基板が、基板内部に1層以上
の内部導電層を有する基板で構成されたことを特徴とす
る請求項1ないし3のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 【請求項6】 前記孔が、前記第1の基板の内面と前記
内部導電層との間、前記第1の基板の外面と前記内部導
電層との間、もしくは相互の内部導電層の間に設けられ
た複数のビアホールからなることを特徴とする請求項5
に記載の液晶装置。 - 【請求項7】 前記第1の基板において、内面側の前記
第1の導電部と外面側の前記第1の外面上接続部とが同
じ導電性材料からなることを特徴とする請求項3ないし
6のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 【請求項8】 前記第1の基板において、内面側の前記
第1の導電部と外面側の前記第1の外面上接続部とが異
なる導電性材料からなることを特徴とする請求項3ない
し6のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 【請求項9】 前記第2の基板から第1の基板にわたる
前記第2の引き廻し導電部が、前記第1の基板と前記第
2の基板との間に設けられ前記第2の導電部と電気的に
接続された基板間接続部と、前記第1の基板の内面側と
外面側との間に設けられた孔の内部に設けられ前記基板
間接続部と電気的に接続された第2の孔内接続部と、前
記第1の基板の外面上において前記第2の孔内接続部と
前記電子部品とを電気的に接続する第2の外面上接続部
とを有することを特徴とする請求項1ないし8のいずれ
か一項に記載の液晶装置。 - 【請求項10】 前記基板間接続部が、双方の基板間で
前記液晶層を封止するシール材の内部に混入させた導電
材からなることを特徴とする請求項9に記載の液晶装
置。 - 【請求項11】 前記第1の基板の内面上に、前記基板
間接続部と前記第2の孔内接続部との間を電気的に接続
する第2の内面上接続部が設けられたことを特徴とする
請求項9または10に記載の液晶装置。 - 【請求項12】 前記第1の基板において、前記第2の
内面上接続部と前記第1の導電部とが同じ導電性材料か
らなることを特徴とする請求項11に記載の液晶装置。 - 【請求項13】 前記第1の基板および/または前記第
2の基板が可撓性を有する基板で構成されたことを特徴
とする請求項1ないし12のいずれか一項に記載の液晶
装置。 - 【請求項14】 前記第1の基板上の第1の導電部がス
トライプ状に形成された複数の電極であり、前記第2の
基板上の第2の導電部が前記電極と交差する方向に延在
するようストライプ状に形成された複数の電極であり、
パッシブマトリクス型液晶装置を構成することを特徴と
する請求項1ないし13のいずれか一項に記載の液晶装
置。 - 【請求項15】 前記第1の基板上の第1の導電部が複
数のデータ線もしくは走査線であり、前記第2の基板上
の第2の導電部が前記データ線もしくは走査線と交差す
る方向に延在するようストライプ状に形成された複数の
走査線もしくはデータ線であり、スイッチング素子に薄
膜ダイオードを用いたアクティブマトリクス型液晶装置
を構成することを特徴とする請求項1ないし13のいず
れか一項に記載の液晶装置。 - 【請求項16】 前記第1の基板上の第1の導電部が複
数のデータ線もしくは走査線の少なくともいずれか一方
であり、前記第2の基板上の第2の導電部が一つの共通
電極であり、スイッチング素子に薄膜トランジスタを用
いたアクティブマトリクス型液晶装置を構成することを
特徴とする請求項1ないし13のいずれか一項に記載の
液晶装置。 - 【請求項17】 前記第1の基板上の第1の導電部が光
反射性を有する材料で形成され、該第1の導電部が前記
光反射部を兼ねる反射電極とされたことを特徴とする請
求項14ないし16のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 【請求項18】 前記第1の基板または前記第2の基板
の内面上にカラーフィルターが設けられたことを特徴と
する請求項1ないし17のいずれか一項に記載の液晶装
置。 - 【請求項19】 請求項1ないし18のいずれか一項に
記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007147961A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Denso Corp | 液晶表示器およびそれを用いた液晶表示装置 |
KR101296627B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
JP2014170101A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Toppan Forms Co Ltd | バーコード表示媒体 |
JP2015228018A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
TWI639878B (zh) * | 2016-07-29 | 2018-11-01 | 日商日本顯示器股份有限公司 | 電子機器及其製造方法 |
US10290495B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-05-14 | Japan Display Inc. | Electronic apparatus and manufacturing method of the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50103295A (ja) * | 1974-01-11 | 1975-08-15 | ||
JPS5429680U (ja) * | 1977-07-29 | 1979-02-27 | ||
JPH05323354A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-07 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JPH10293319A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000231465A patent/JP3937701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50103295A (ja) * | 1974-01-11 | 1975-08-15 | ||
JPS5429680U (ja) * | 1977-07-29 | 1979-02-27 | ||
JPH05323354A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-07 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JPH10293319A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007147961A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Denso Corp | 液晶表示器およびそれを用いた液晶表示装置 |
JP4569453B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2010-10-27 | 株式会社デンソー | 液晶表示器およびそれを用いた液晶表示装置 |
KR101296627B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
JP2014170101A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Toppan Forms Co Ltd | バーコード表示媒体 |
JP2020013131A (ja) * | 2014-04-25 | 2020-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10496203B2 (en) | 2014-04-25 | 2019-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2015228018A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
JP2021099509A (ja) * | 2014-04-25 | 2021-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11199920B2 (en) | 2014-04-25 | 2021-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP7029007B2 (ja) | 2014-04-25 | 2022-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11669181B2 (en) | 2014-04-25 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
TWI832717B (zh) * | 2014-04-25 | 2024-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI831924B (zh) * | 2014-04-25 | 2024-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI639878B (zh) * | 2016-07-29 | 2018-11-01 | 日商日本顯示器股份有限公司 | 電子機器及其製造方法 |
US10290495B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-05-14 | Japan Display Inc. | Electronic apparatus and manufacturing method of the same |
US11018000B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-05-25 | Japan Display Inc. | Electronic apparatus and manufacturing method of the same |
US11587785B2 (en) | 2016-07-29 | 2023-02-21 | Japan Display Inc. | Electronic apparatus |
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