JP3383608B2 - ナノ結晶性材料を合成するための装置 - Google Patents

ナノ結晶性材料を合成するための装置

Info

Publication number
JP3383608B2
JP3383608B2 JP13173999A JP13173999A JP3383608B2 JP 3383608 B2 JP3383608 B2 JP 3383608B2 JP 13173999 A JP13173999 A JP 13173999A JP 13173999 A JP13173999 A JP 13173999A JP 3383608 B2 JP3383608 B2 JP 3383608B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
arc
nanocrystalline
aerosol
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP13173999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000024493A (ja
Inventor
シー． パーカー，ジョン
エヌ． アリ，モハメド
ビー． リンパニー，バイロン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanophase Technologies Corp
Original Assignee
Nanophase Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanophase Technologies Corp filed Critical Nanophase Technologies Corp
Publication of JP2000024493A publication Critical patent/JP2000024493A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3383608B2 publication Critical patent/JP3383608B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/06—Metallic powder characterised by the shape of the particles
    • B22F1/065—Spherical particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/20—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
    • C01B13/22—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides
    • C01B13/28—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides using a plasma or an electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00—Compounds of aluminium
    • C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
    • C01F7/42—Preparation of aluminium oxide or hydroxide from metallic aluminium, e.g. by oxidation
    • C01F7/422—Preparation of aluminium oxide or hydroxide from metallic aluminium, e.g. by oxidation by oxidation with a gaseous oxidator at a high temperature
    • C01F7/424—Preparation of aluminium oxide or hydroxide from metallic aluminium, e.g. by oxidation by oxidation with a gaseous oxidator at a high temperature using a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/04—Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C01G25/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/50—Agglomerated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/14—Pore volume
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16—Pore diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16—Pore diameter
    • C01P2006/17—Pore diameter distribution

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にナノ構造材
料の製造装置に関する。より詳細には、本発明は、プラ
ズマアーク装置において作用気体組成を制御することに
よって各種の化学量論的ナノ構造材料を製造する装置に
関する。ナノ構造材料の製造速度は、Ｎ2又はＨ2 気体
とＡｒ作用気体とを組み合わせることによって実質的に
高めることもできる。
【０００２】
【従来の技術】最近、ナノ構造材料が典型的な多結晶性
材料と比べて高い又は特異な特性を示すことが示されて
いる。例えば、金属性ナノ構造材料は低温で焼結されう
るが、多結晶性金属材料よりも高い硬度及び降伏強さを
示す。セラミックス系ナノ構造材料は、低温において常
用のセラミックス材料よりもはるかに高い延性を示す。
このようなナノ構造材料を製造するためには、粒径と化
学量論性を制御する必要がある。しかしながら、こうし
たナノ構造材料を商業用に大量生産するには、化学量論
性と粒径を制御しながら迅速に製造する装置がなければ
ならない。現在の製造装置では、多少の粒径制御はでき
ても、化学量論性を信頼性よく制御し、或いは大量の材
料を迅速に製造すると同時に、粒径や化学量論性をも制
御することはできない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】それゆえ、本発明の目
的は、ナノ構造材料を製造するための改良された装置を
提供することにある。また、本発明の目的は、化学量論
性を制御したナノ構造材料を製造するための新規な装置
を提供することにもある。本発明の別の目的は、粒径と
化学量論性を十分に制御したナノ構造材料を大量生産す
るための改良された装置を提供することである。本発明
のさらなる目的は、粒径が十分に画定され非常に小さい
ナノ構造材料の新規製品を提供することにある。本発明
のさらに別の目的は、ナノ構造のガンマ−フェライトを
製造するための改良された装置を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、アルゴン並びに窒素及び／
又は水素及び／又は炭素含有気体の作用気体混合物を用
いて、粒径を制御したナノ構造材料を製造するための新
規装置を提供することにある。
【０００４】本発明のさらに別の目的は、プラズマアー
ク装置の反応帯域内に注入される急冷気体の量及び種類
を制御することによって、ナノ構造粒子の大きさを制御
するための改良された装置を提供することにある。本発
明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置の反応帯
域、カソード帯域及びアノード帯域から出力される光の
色及び強度を制御することによって、ナノ構造材料の製
造を制御するための新規な装置を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、化学量論的にＡｌ2 Ｏ3 、
ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 及びＦｅ2 Ｏ3 であり且つナノ構造
である材料を製造するための改良された装置を提供する
ことにある。本発明のさらに別の目的は、プラズマアー
ク装置における作用気体及び急冷気体の注入位置を制御
しながら調整することによって、ナノ構造材料の製造を
制御するための新規な装置を提供することにある。本発
明のさらに別の目的は、ナノ構造材料の細孔分布及び細
孔間隔を制御するための新規な装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、金属、
半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結
晶性エアロゾルを発生させるための手段を含有するチャ
ンバーと、前記チャンバー内に配置された非消費性カソ
ードであって、前記カソードを化学反応から遮蔽し且つ
電離アークを延長させる作用気体流を提供するための手
段を有する非消費性カソードと、前記チャンバー内に配
置され、前記電離アークによって気化可能な物質を提供
するための、前記カソードに対してある角度で傾斜され
た消費性アノードと、前記電離アークの少なくとも一つ
の地点に急冷気体及び反応気体の少なくとも一方を注入
して前記アークをその注入地点において消失せしめ、よ
ってアーク末端を確立するための第一注入手段と、前記
急冷気体及び反応気体の少なくとも一方の注入により消
失されたアーク末端を越えた下流の地点において前記ナ
ノ結晶性エアロゾル中に冷却気体流を注入するための第
二注入手段と、反応帯域の形成、前記ナノ結晶性エアロ
ゾルの発生及びナノ結晶性材料の合成を可能ならしめる
べく前記アノードと前記カソードに電力を供給するため
の手段とを含む、ナノ結晶性材料を合成するための装置
を提供することにより達成される。
【０００６】好ましい実施態様の詳細な説明 本発明により構築されたプラズマアーク装置を図１に１
０で概略的に示す。ナノ構造材料又はナノ結晶性材料の
製造は、チャンバー１４内で、高純度前駆体物質１２
を、例えば、電源１８によって作動する水冷式ＴＩＧ
（タングステン不活性ガス）トーチ１６により発生させ
たアークによって、気化させることから始まる。チャン
バー１４の内部は、相対圧力で約２０水銀柱インチ（約
６．８×１０ 4 Ｐａ）の減圧から最大で＋３ｐｓｉ（約
２．０７×１０4 Ｐａ）の陽圧の範囲（絶対圧２５０ｔ
ｏｒｒ〜１０００ｔｏｒｒ）（約３．３×１０4 Ｐａ〜
約１．３×１０5 Ｐａ）で維持することが好ましい。
【０００７】前駆体物質１２は、非消費性電極、例え
ば、２％の酸化トリウムを含むタングステン電極２０か
らのアークエネルギーの移動によって溶融して気化す
る。この非消費性タングステン電極２０は溜２５からの
不活性作用気体２２の流れによって遮蔽されており、ア
ークを発生させる。作用気体２２は非消費性タングステ
ン電極２０を酸化性環境から遮蔽するように作用した
後、アークを発生させるに十分な濃度にまでイオン化す
ると作用プラズマガスになる。不活性作用気体２２は好
ましくはアルゴンを含有し、そしてトーチ１６に結合し
ている水冷式ノズル２４によって導かれる。
【０００８】消費性の前駆体物質１２は、例えば、直径
が０．０６２５〜２インチ（約１．５９〜５０．８ｍ
ｍ）のロッド状であり、そして非消費性タングステン電
極２０に対して水平に（図１参照）又は垂直に（図２参
照）供給される。供給用ロッド状前駆体物質１２は連続
供給され、安定なアーク及びナノ結晶性材料の連続製造
が可能になる。連続製造は、より一貫した基準で工程を
運転できるのでバッチ運転よりも好ましい。前駆体物質
１２は、銅アノード２８によって電気的に接地され且つ
冷却され、また前駆体物質１２には並進運動と回転運動
の両方が与えられる。
【０００９】非消費性タングステン電極２０は、細長い
アークプラズマ尾炎部３０を発生させるような角度に傾
斜させることが好ましい。電流レベルによってプラズマ
尾炎部３０は約１〜数インチ（約２．５４〜数ｃｍ）の
長さになりうる。プラズマ尾炎部３０は高温の勾配炉と
して作用し、その中に気化した前駆体物質１２が急冷及
び／又は反応気体３２（以降、「急冷／反応気体」）と
一緒に、所望によりノズル３５から注入される。プラズ
マ尾炎部３０に注入される急冷／反応気体３２の量は、
作用気体溜２５の場合と同様に調節器３１を有する流量
計３６によって制御される。プラズマ尾炎部３０の周囲
には同心気体注入形状が確立され、急冷／反応気体３２
の均質な挿入が可能になる。好ましくは、ノズル３５
は、図３又は図４に示したようなノズル３７の配置の一
つである。急冷／反応気体ノズル３７は、図１又は図２
に示したようなプラズマ尾炎部３０の長さ方向における
いずれの地点に位置することもできる。急冷／反応気体
３２の挿入位置は、プラズマ尾炎部３０の長さを切断す
るように作用し且つ製造工程を制御することができる。
急冷及び反応気体の組成は、酸素、窒素、ヘリウム、空
気又はこれらの気体の組合せのうちの一つであることが
好ましい。
【００１０】アノード２０とカソード２８の長手方向軸
の交点付近に、第一の特性色を示す反応帯域が形成され
る。さらに、カソード２８の付近に第一の電離アークが
形成され、これが第二の特性色を示す。さらに、カソー
ド２８の付近に第一の電離アークが形成され、これが第
二の特性色を示す。さらに、アノード２０の付近に別の
アークが形成され、これが第三の特性色を示す。ナノ結
晶性材料を合成する方法は、第一、第二及び第三の特性
色の中で最大の色分解を発生させることにより製造速度
について最適化することができる。形成されるナノ結晶
性材料が酸化鉄である場合、反応帯域は黄色の特性色を
示し、カソード２８付近のアークは赤色の特性色を示
し、そしてアノード２０付近のアークは緑色の特性色を
示す。
【００１１】プラズマアーク装置１０を用いて様々なナ
ノ構造材料を製造することができる。例えば、プラズマ
尾炎部３０の中で金属チタン蒸気を気体窒素と反応させ
て８〜２５ｎｍのＴｉＮナノ結晶を形成させることがで
きる。金属チタンを気体酸素と反応させて５〜４０ｎｍ
のＴｉＯ2 ナノ結晶を形成させることもできる（実施例
を参照されたい）。これら２種のＴｉ系セラミックス材
料ＴｉＮ（図５（Ａ））及びＴｉＯ2 （図５（Ｂ））の
Ｘ線回折データは、異なる２種の材料がプラズマ尾炎部
３０を反応帯域として使用することで形成されたことを
示している。透過型電子顕微鏡もまた、これら２種の材
料の明らかに異なる形態を示している。
【００１２】プラズマ尾炎部３０における温度勾配を増
加させ且つその長さを伸ばすために、非消費性タングス
テン電極２０を遮蔽する作用気体２２に解離可能な不活
性気体（例、窒素、水素、又はこれら両方）を混合（１
〜７０％）してもよい。プラズマ尾炎部３０における温
度が高いほど、前駆体物質１２と反応気体３２との反応
の完全性が高くなる。また、注入地点を制御することに
より、前駆体物質１２の反応の完全性を制御することが
できる。大きな温度勾配は、ナノ結晶の形成（大きさや
分布）及びナノ結晶の凝集度を制御することができる。
従来技術（例、米国特許第４，７３２，３６９号明細
書）とは異なり、作用気体（米国特許第４，７３２，３
６９号明細書での名称は「ピンチガス」）には解離可能
な気体酸素を使用しないことが最も好ましい。というの
は、気体酸素は非消費性タングステン電極２０の腐食の
原因となり、また最終製品にタングステンの不純物を発
生させるからである。図６は、作用気体２２中に酸素を
存在させない場合（図６（Ａ））及び０．５％存在させ
た場合（図６（Ｂ））で作られた材料のエネルギー分散
Ｘ線分析を示す。作用気体２２中に少量（＞０．５％）
の酸素が含まれる場合でさえも、最終製品に含まれるタ
ングステン不純物濃度は約０．２％になりうることが明
らかである。誘導結合プラズママススペクトロメトリー
による不純物分析は、この方法で作用気体２２に酸素を
使用しないで製造された材料の純度が非常に高いことを
示している。表１は、この好ましい方法で製造された材
料中に存在する典型的な不純物を示すものである。
【００１３】
【表１】
【００１４】急冷／反応気体３２によってナノ結晶エア
ロゾル４０（図３又は図４参照）が形成されると、ナノ
結晶の凝集が起こる。この点において、そのエアロゾル
４０を、径違い円錐形ノズル４２の中で乱流混合してさ
らなる凝集を防止する。再循環気体または室内空気４４
を送風機４６により円錐形ノズル４２の中に導入する。
この再循環気体４４は、気体導入ヘッド４８によって半
径方向（図８参照）又は接線方向（図７参照）において
ノズル４２に注入することができる。円錐形ノズル４２
において発生した気体４４の渦運動によって、エアロゾ
ル４０が低温再循環気体４４と混合され且つこれにより
希釈されて、ナノ結晶のさらなる凝集が防止される。図
９に示したように一つ以上のソース４３によって発生し
たナノ結晶エアロゾル４０を配合し且つ均質化するため
に、円錐形ノズル４２を使用することもできる。ソース
４３は、製造速度を高めるために同じ材料のものであっ
てもよいし、また複合材の形成を可能にする異なる材料
を発生させる別個のソースであってもよい。
【００１５】図１又は図２で最もよくわかるように、円
錐形ノズル４２を出た後は、混合されたエアロゾル４５
は送風機４６の作用により大容積の集積ハウジング５０
の中に急速に膨張する。この気体の膨張によりエアロゾ
ル４５はさらに冷却される。気体の膨張後には数百度の
温度低下が測定されている。大容積の集積ハウジング５
０は濾過媒体５４を含有する。この濾過媒体５４が凝集
の弱いナノ結晶を捕捉し、そして気体は送風機４６によ
り濾過媒体５４を介して分離される。ナノ結晶は、気体
注入源５６からの気体パルスにより解放されるまで濾過
媒体５４表面に残留する。濾過媒体５４は、耐熱コーテ
ィングを有する布繊維又は多孔質焼結金属であることが
できる。凝集したナノ結晶は一般的な粉末として挙動
し、そして濾過媒体５４から遊離すると、粉末は弁６０
を介して保存容器５８の中に重力作用で集められる。
【００１６】ナノ構造材料の品質（平均粒径、粒径分
布、純度及び凝集度）は急冷／反応気体３２を注入する
地点によって制御することができ、そしてナノ結晶エア
ロゾル４０の希釈は粒子形成直後に行うことができる。
図１０に、円錐形ノズル４２の中に半径方向で又は接線
方向で注入される急冷／反応気体３２の流量に対する凝
集粒子の大きさを示す。多くの場合、急冷／反応気体３
２は、アーク電流及び前駆体物質によって同じ地点で注
入することができる。急冷／反応気体３２は、核生成と
凝縮が開始するような温度の地点においてプラズマ尾炎
部３０に注入することが好ましい。プラズマ尾炎部３０
におけるいずれの地点にも、胚種性微結晶の凝縮と蒸発
の間にはバランスが存在する。分析的には、この臨界粒
径は以下の温度と物性との関係で表される。
【００１７】
【数１】
【００１８】ここで、ｄc は臨界粒径であり、γは表面
張力（Ｎ／ｍ）であり、Ｖa は原子容（ｍ3 ）であり、
ｋはボルツマン定数（１．３８×１０-23 Ｊ／Ｋ）であ
り、Ｔは温度（Ｋ）であり、そしてｐv 及びｐ0 は実測
蒸気圧及び平衡蒸気圧（Ｎ／ｍ2 ）である。特許請求の
範囲を制限するものではないが、これらの粒子は、他の
モノマー又は小粒子との融合によって大きな粒子へと成
長するためのモノマーとして作用すると考えられる。融
合成長の量はモノマーが経験する衝突の数に依存する。
プラズマ尾炎部３０における温度勾配は非常に大きいの
で、蒸気と形成されつつある粒子は高速度で運動する。
プラズマ尾炎部３０における速度はアークの特性に強く
依存する。
【００１９】
【数２】
【００２０】ここで、ｖは速度（ｍ／ｓ）であり、Ｉは
アーク電流（Ａ）であり、Ｊは電流密度（Ａ／ｍ2 ）で
あり、μ0 は自由空間透過率（１．２５６×１０-8Ｎ／
Ａ2）であり、そしてρは蒸気密度（ｋｇ／ｍ-3）であ
る。臨界粒子は、モノマーが形成される適当な位置にお
いて急冷／反応気体３２を注入することによって急速に
冷却されることができ、そしてモノマーの衝突数は最適
量の急冷／反応気体３２で希釈することにより減らすこ
とができる。この制御の度合いによって所望の小さい粒
径を実現することができる。速度成分はｒ-1/2に比例し
て変動するので、急冷／反応気体３２の注入量が気体の
注入地点よりも重要となる。しかしながら、製造速度が
増加する（すなわち、蒸気密度が増加する）につれて、
急冷／反応気体３２の注入の量及び位置が重要になる。
図１１（Ａ）に、プラズマ尾炎部３０に注入される急冷
／反応気体３２の量を関数にした平均粒径を示し、また
図１１（Ｂ）に、ナノ結晶性粒子の直径に与える急冷／
反応気体３２の注入位置の効果を示す。
【００２１】金属性又は半導体性の前駆体物質から酸化
物、炭化物又は窒化物を形成するため（例、前駆体Ｓｉ
を用いてＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 もしくはＳｉＣを形成す
ることができる）、反応気体を急冷気体と一緒に又は別
々に導入することができる。反応気体を急冷気体と一緒
にプラズマ尾炎部３０の中に導入することにより、急冷
過程を高め且つ小さなナノ結晶粒子の形成を増進する融
点のより高い材料の形成が可能となる。また、作用気体
２２において解離可能な気体、例えばＨ2 又はＮ2 を使
用することにより、プラズマ尾炎部３０の到達温度をよ
り高くすることができ、前駆体蒸気の反応をより完全な
ものとすることができる。
【００２２】作用気体２２として高純度アルゴンを用
い、そして反応気体３２として酸素を用いてプラズマ尾
炎部３０に注入すると、二次化学量論的（酸素欠乏）金
属酸化物ナノ結晶生成物が形成される。この二次化学量
論性はラマン分光光度分析放射線写真、Ｘ線回折法又は
熱重量分析法によって検出することができる。この二次
化学量論的材料は完全酸化を達成するために後処理を必
要とする。この後処理には、粉末を空気中、高温でアニ
ール工程が通常は含まれる。この工程は往々にして凝集
度を増大させ、粒子の大きさを成長させてしまう。作用
気体２２（特にＡｒガス）に５〜５０％の水素を添加す
ると、形成されるナノ結晶生成物は完全に化学量論的に
することができ、その生成物は後処理をまったく必要と
しない。この気体混合物は、ナノ構造材料の製造コスト
を削減し、凝集の弱い材料の形成を可能にする。このこ
とが粒径に及ぼす効果は相当なものである。合成時に物
質を完全に反応させることによりナノ結晶は凝集が弱く
且つ粒径範囲が１５〜２０ナノメートルとなるのに対
し、後反応を要する粒子は一般に粒径が３０〜５０ナノ
メートルになってしまう。
【００２３】本明細書中に記載した方法で形成されたナ
ノ結晶は、ナノ構造材料を形成することができる能力に
ついて試験することができる。ナノメートル寸法の極微
細粒子を製造するための技法は各種あるが、バルクのナ
ノ構造体又はナノメートル分散体が望まれる場合には凝
集度が重要である。凝集が強すぎると、実用の機械力で
は凝集体を一次粒子又は近一次粒子へと破壊するには十
分ではない。こうした粒子を破壊するため、ボールミル
微粉砕法のような高エネルギー方法を使用することはで
きる。しかしながら、ボールミル微粉砕法によると、材
料に汚染物が混入して純度が低下することがしばしば起
こる。
【００２４】ナノメートル領域の粒径測定には、通常２
種類の技法、すなわち透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）と
ＢＥＴ表面積測定法が用いられる。ＴＥＭは、凝集して
粒子になる個々の微結晶の目視検査であり、またＢＥＴ
は、下式を用いて表面積測定値から平均粒径を求めるも
のである。
【００２５】
【数３】
【００２６】ここで、ｄは平均粒径であり、ρは物質の
比重（ｋｇ／ｍ3 ）であり、そしてＳは比表面積測定値
（ｍ2 ／ｇｍ）である。微結晶が弱く凝集し、微結晶間
に小さな首部を形成し、そしてその微結晶の形状が等軸
でほぼ球形である場合には、ＴＥＭとＢＥＴの平均粒径
はほぼ等しくなるはずである。平均ＴＥＭ微結晶寸法と
平均ＢＥＴ粒径は、ナノ構造材料を形成するのに十分に
弱い凝集を示すためには互いに３０％以内になければな
らない。この方法で得られるナノ結晶は、ナノ結晶性材
料を製造するための他の従来技術の方法（すなわち、米
国特許第４，６４２，２０７号）よりもはるかに小さい
平均粒径及び狭い粒径分布を示す。
【００２７】表２は、本発明の方法と米国特許第４，６
４２，２０７号明細書に記載の方法とによって得られた
酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの比較を示すもの
である。どちらの方法もアークエネルギーを利用して前
駆体蒸気を発生させるものであるが、本発明の方法によ
る変更によって、粒径がより小さく且つ粒径分布がより
狭い良好なナノ結晶性材料が得られる。また、米国特許
第４，７３２，３６９号明細書で用いられているような
高周波誘導プラズマを付加しなくても粒径分布がより狭
くなったことにも着目すべきである。
【００２８】
【表２】
【００２９】ナノ構造材料における凝集度は、ナノ結晶
のバルク団結によってもナノ結晶の分散によっても測定
することができる。ナノ結晶粉末の団結試験は、適量の
ナノ結晶性粉末をダイパンチ装置に装填し、そのパンチ
に１０００〜４０，０００ｐｓｉ（約６．９×１０6 〜
約２．８×１０8 Ｐａ）の圧力をかけることによって行
われる。得られたペレットは、その細孔粒径分布が粒径
分布と同等である場合にはナノ構造体である。バルクの
単結晶状態において光学的に透明である物質はナノ構造
材料としてもまた透明である。というのは、その材料の
粒子及び細孔は可視光の波長よりもはるかに小さい（す
なわち、５０ｎｍ未満）からである。ＢＥＴとＴＥＭに
よる平均粒径をその平均細孔寸法及び分布幅と共に表３
に示す。凝集度の弱いナノ結晶を団結することにより透
明な試料を得ることができる。凝集のより強い（硬い）
ナノ結晶から調製すると不透明試料が得られ、粒子は小
さいが細孔の大きな材料が形成される。凝集は、チャン
バー１４の中の注入位置、急冷／反応気体３２の注入
量、及び円錐形混合ノズル４２の中へ注入される気体の
量によって制御される。この種の細孔は、常用の焼結法
で取り除くことが困難な場合がある。
【００３０】
【表３】
【００３１】団結試験は、ナノ結晶の凝集が、団結の際
に発生する機械的エネルギーによって凝集体が破壊され
うるに十分に弱いことを確立するものである。ナノ結晶
材料を合成する他の発明に対する本発明の改良点は、酸
化チタンの細孔寸法分布、粒径分布及び細孔間隔規則性
を示す図１２を参照すると最もよく理解できる。「別
法」を付したデータは米国特許第５，１２８，０８１号
明細書に記載されている方法で得られた酸化チタンのも
のである。未標識データは本発明の方法で得られた酸化
チタンのものである。図１２（Ａ）からわかるように、
本発明の方法を採用した場合のＴＥＭ粒径分布ははるか
に小さく且つ狭くなっている。図１２（Ｂ）には、ナノ
結晶を団結すると、本発明の装置によって得られた酸化
チタンの細孔分布は、米国特許第５，１２８，０８１号
明細書に記載されている方法で得られたものよりもはる
かに小さいことが示されている。図１３では、細孔間隔
の規則性がナノ構造材料の製造方法の信頼性及び再現性
をさらに例示している。また、本発明による方法の製造
速度は、米国特許第５，１２８，０８１号明細書に記載
されている方法の製造速度よりも１００倍以上高く、本
発明の方法が商業的に成功しうる方法であることにも着
目すべきである。
【００３２】凝集のさらに別の試験は、ナノ結晶を５〜
５０重量％含有する液体（水又はエチレングリコール）
に超音波プローブから超音波エネルギー（０．２〜１ワ
ット）を印加することによって達成される、未処理のナ
ノ結晶粉末の分散である。この超音波エネルギーにより
コロイド分散体が形成され、これは最低でも５ヵ月間は
分散した懸濁状態のままにある。この液体をさらに別の
液体で処理することによって、ナノ結晶はさらに長期間
にわたり懸濁状態のままにあることができる。この分散
試験によって、本発明の方法で得られたナノ結晶粉末の
凝集が弱いか、また純度が高く且つ粒子表面が清浄であ
るかどうかがわかる。
【００３３】
【実施例】以下の非限定的実施例は、ナノ構造材料の製
造方法を例示するものである。 実施例１ 移動した(transferred) アークにおけるアノードとして
出発純度が既知（純度９９〜９９．９９％）である直径
１／８〜３インチ（０．３２〜７．６２ｃｍ）のＴｉ、
Ａｌ、Ｚｒ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｓｎ又
はＺｎの金属ロッドを使用した。カソードは２％トリウ
ム化−Ｗ電極とし、５〜１００％窒素及び／又は５〜５
０％水素と組み合わせたアルゴン作用気体２５〜１００
ｃｆｈで遮蔽した。アークの電流は１００〜７５０アン
ペアの範囲とした。このアークにより長さ１〜４インチ
（２．５４〜１０．１６ｃｍ）のプラズマ尾炎が発生
し、アノード金属前駆体が蒸発した。移動したアークに
よって発生したプラズマ尾炎の中に１〜２００ｇ／時の
金属蒸気を注入した。プラズマ尾炎の内部では粒子核生
成が進行し、そしてその尾炎に１０〜１０００ｃｆｈの
酸素を注入し、出発物質の二次酸化物種を形成させた。
作用気体中に存在する水素により水蒸気が形成され、完
全に酸化された材料が得られた。さらに冷却し、酸素の
存在と高温によって金属酸化物セラミックス粒子を形成
させた。後に、急冷気体（１〜１０００ｃｆｍ）を空気
又は空気の個別成分（Ｏ2 、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ
2 ）の形態で添加し、粒子をさらに冷却し且つ硬い凝集
を防止した。ナノ結晶性粉末を集めると、一次凝結体の
大きさは典型的には１〜５０ｎｍであり、また凝集体の
大きさは典型的には１０〜１００ｎｍであった。
【００３４】実施例２ 移動したアークにおけるアノードとして出発純度が既知
である直径１／８〜３インチ（０．３２〜７．６２ｃ
ｍ）のＴｉ又はＡｌの金属ロッドを使用した。カソード
は２％トリウム化−Ｗ電極とし、５〜１００％窒素又は
５〜５０％水素と組み合わせたアルゴン作用気体２５〜
１００ｃｆｈで遮蔽した。アーク電流は１００〜７５０
アンペアの範囲とした。このアークによって、長さ１〜
４インチ（２．５４〜１０．１６ｃｍ）のプラズマ尾炎
が発生し、アノード金属前駆体が蒸発した。移動したア
ークによって発生したプラズマ尾炎の中に１〜２００ｇ
／時の金属蒸気を注入した。プラズマ尾炎の内部では粒
子核生成が進行し、その尾炎に１０〜４００ｃｆｈの窒
素を注入し、出発物質の窒化物種を形成させた。さらに
冷却し、窒素の存在と高温によって窒化物セラミックス
粒子を形成させた。後に、急冷気体（１〜１０００ｃｆ
ｍ）をＮ2 、Ａｒ又はＨｅの形態で添加し、該粒子をさ
らに冷却し且つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を
集めると、一次凝結体の大きさは典型的には１〜５０ｎ
ｍであり、また凝集体の大きさは典型的には１０〜１０
０ｎｍであった。
【００３５】実施例３ 金属粉末を配合量１５〜５０重量％で金属酸化物粉末と
混合した。次いで、その粉末を加圧及び焼結によって直
径１／２〜３インチ（１．２７〜７．６２ｃｍ）のロッ
ドにした。このロッドは導電性であり、移動アークにお
けるアノードとして使用した。カソードは２％トリウム
化−Ｗ電極とし、５〜１００％窒素又は５〜５０％水素
と組み合わせたアルゴン作用気体２５〜１００ｃｆｈで
遮蔽した。アーク電流は１００〜７５０アンペアの範囲
とした。このアークによってアノードが蒸発し、移動ア
ークによって発生した長さ１〜４インチ（２．５４〜１
０．１６ｃｍ）のプラズマ尾炎の中にアノード蒸気１〜
２００ｇ／時を注入した。プラズマ尾炎の内部では粒子
核生成が進行し、その尾炎に１０〜１０００ｃｆｈの酸
素を注入して冷却し、金属酸化物セラミックス粒子を形
成させた。後に急冷気体（１〜１０００ｃｆｍ）を空気
又は空気の個別成分（Ｏ2 、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｈ 2 Ｏ、ＣＯ
2 ）の形態で添加し、該粒子をさらに冷却し且つ硬い凝
集を防止した。ナノ結晶性粉末を集めると、一次凝結体
の大きさは典型的には１〜５０ｎｍであり、また凝集体
の大きさは典型的には１０〜１００ｎｍであった。
【００３６】実施例４ 実施例１と同様にナノ結晶性粉末を製造し、これをダイ
パンチ装置で５〜５０ｋｐｓｉ（約３．４×１０7 〜
３．４×１０8 Ｐａ）の圧力をかけて一軸方向に団結さ
せた。得られたバルク試料はそのバルク理論値の４０〜
５０％の密度を示した。その圧縮体の多孔性は細孔が１
〜５０ｎｍの範囲にある狭い大きさ分布を示した。団結
した試料を９００℃付近の温度に加熱すると、その多孔
性は、狭い分布を残したまま、細孔分離間隔が試料全体
にわたり一定となるように秩序化した。この秩序化は、
図１４に示したように、小角中性子散乱（ＳＡＮＳ）を
利用することにより検出することができた。図１３に示
したように、この秩序化により、良好に画定された細孔
間隔分布が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により構築されたプラズマアーク装置の
一態様である。
【図２】本発明により構築されたプラズマアーク装置の
別の態様である。
【図３】本発明のプラズマアーク装置の気体注入ノズル
の一態様である。
【図４】本発明のプラズマアーク装置の気体注入ノズル
の別の態様である。
【図５】（Ａ）は、ＴｉＮナノ構造材料のＸ線回折プロ
ットを示し、また（Ｂ）は、ＴｉＯ2 ナノ構造材料のＸ
線回折プロットを示す。
【図６】（Ａ）は、作用アークに酸素を存在させずに製
造した酸化チタンのエネルギー分散Ｘ線分析出力を示
し、また（Ｂ）は、作用気体に酸素を用いて製造した酸
化チタンのものを示す。
【図７】接線方向注入気体を用いてナノ結晶エアロゾル
を乱流混合するためのノズルの上面図を示す。
【図８】半径方向注入気体を用いた混合ノズルを示す。
【図９】ナノ結晶性エアロゾルを複数のソースから受容
するための混合ノズルを示す。
【図１０】ナノ結晶性粒子径に対する混合ノズル内への
急冷／反応気体流速のグラフを示す。
【図１１】（Ａ）は、プラズマ尾炎部内への急冷気体流
速に対するナノ結晶性粒子の大きさのグラフを示し、ま
た（Ｂ）は、溶融アノード位置を基準とした急冷／反応
気体注入地点に対するナノ結晶性粒子の大きさのグラフ
を示し、そして（Ｃ）は、チタニアの製造速度を示す。
【図１２】（Ａ）は、従来技法と比較した場合の本発明
により製造されたナノ結晶性材料の粒径分布を示し、ま
た（Ｂ）は、従来技法と比較した場合の本発明により製
造されたナノ結晶性材料の細孔径に対する細孔体積を示
す。
【図１３】本発明により製造されたナノ結晶性材料の細
孔の大きさの間隔の分布を示す。
【図１４】間隔を制御した細孔配列を形成するための処
理前後のナノ結晶性材料に特徴的な小角中性子散乱を示
す。
【符号の説明】
１０…プラズマアーク装置 １２…前駆体物質 １４…チャンバー １６…トーチ ２０…非消費性タングステン電極 ２２…作用気体 ２４…水冷式ノズル ２８…アノード ３０…アークプラズマ尾炎部 ３１…調節器 ３２…急冷及び／又は反応気体 ３５…ノズル ３６…流量計 ４０，４５…エアロゾル ４２…円錐形ノズル ４４…再循環気体 ４６…送風機 ４８…気体導入ヘッド ５０…集積ハウジング ５４…濾過媒体 ５６…気体注入源 ５８…保存容器 ６０…弁
フロントページの続き (72)発明者 リンパニー，バイロン ビー. アメリカ合衆国，イリノイ 60514，ウ ィローブルック，ナンバー 823，スチ ュアート ドライブ 5961 (56)参考文献 特開 昭62−207802（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 19/08 B22F 9/14

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属、半導体及びセラミックスから成る
    群より選ばれたナノ結晶性エアロゾルを発生させるため
    の手段を含有するチャンバーと、 前記チャンバー内に配置された非消費性カソードであっ
    て、前記カソードを化学反応から遮蔽し且つ電離アーク
    を延長させる作用気体流を提供するための手段を有する
    非消費性カソードと、 前記チャンバー内に配置され、前記電離アークによって
    気化可能な物質を提供するための、前記カソードに対し
    てある角度で傾斜された消費性アノードと、 前記電離アークの少なくとも一つの地点に急冷気体及び
    反応気体の少なくとも一方を注入して前記アークをその
    注入地点において消失せしめ、よってアーク末端を確立
    するための第一注入手段と、 前記急冷気体及び反応気体の少なくとも一方の注入によ
    り消失されたアーク末端を越えた下流の地点において前
    記ナノ結晶性エアロゾル中に冷却気体流を注入するため
    の第二注入手段と、 反応帯域の形成、前記ナノ結晶性エアロゾルの発生及び
    ナノ結晶性材料の合成を可能ならしめるべく前記アノー
    ドと前記カソードに電力を供給するための手段とを含
    む、ナノ結晶性材料を合成するための装置。
  2. 【請求項２】 前記作用気体、急冷気体及び反応気体の
    少なくとも一種の流速を制御する手段をさらに含む、請
    求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記反応気体が、窒素、酸素、炭素含有
    気体及びこれらの混合物から成る群より選ばれた、請求
    項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記作用気体が、窒素、水素及びこれら
    の混合物から成る群より選ばれた、請求項１に記載の装
    置。
  5. 【請求項５】 前記作用気体が５〜５０体積％の気体水
    素と不活性気体とから本質的に成る、請求項４に記載の
    装置。
  6. 【請求項６】 前記エアロゾルを冷却するために前記反
    応帯域において生成した前記エアロゾルを乱流混合する
    ためのサイクロン式混合器と、 前記装置内を流れる気体からナノ結晶性材料を濾過する
    ための手段とをさらに含む、請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記第一注入手段が、前記細長いアーク
    の位置に沿って配置可能な同心気体注入装置を含む、請
    求項１に記載の装置。
JP13173999A 1993-07-27 1999-05-12 ナノ結晶性材料を合成するための装置 Expired - Lifetime JP3383608B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/097,884 US5460701A (en) 1993-07-27 1993-07-27 Method of making nanostructured materials
US08/097884 1993-07-27

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7505974A Division JP2980987B2 (ja) 1993-07-27 1994-07-26 ナノ構造材料を製造するための方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000024493A JP2000024493A (ja) 2000-01-25
JP3383608B2 true JP3383608B2 (ja) 2003-03-04

Family

ID=22265605

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7505974A Expired - Lifetime JP2980987B2 (ja) 1993-07-27 1994-07-26 ナノ構造材料を製造するための方法及び装置
JP13173999A Expired - Lifetime JP3383608B2 (ja) 1993-07-27 1999-05-12 ナノ結晶性材料を合成するための装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7505974A Expired - Lifetime JP2980987B2 (ja) 1993-07-27 1994-07-26 ナノ構造材料を製造するための方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US5460701A (ja)
EP (1) EP0711217B1 (ja)
JP (2) JP2980987B2 (ja)
AU (1) AU685828B2 (ja)
DE (1) DE69426886T2 (ja)
WO (1) WO1995003907A1 (ja)

Families Citing this family (163)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2823494B2 (ja) * 1993-09-29 1998-11-11 健 増本 非晶質金属超微粒子及びその製造方法
US5984996A (en) * 1995-02-15 1999-11-16 The University Of Connecticut Nanostructured metals, metal carbides, and metal alloys
US6033624A (en) * 1995-02-15 2000-03-07 The University Of Conneticut Methods for the manufacturing of nanostructured metals, metal carbides, and metal alloys
US5874134A (en) * 1996-01-29 1999-02-23 Regents Of The University Of Minnesota Production of nanostructured materials by hypersonic plasma particle deposition
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US6569397B1 (en) * 2000-02-15 2003-05-27 Tapesh Yadav Very high purity fine powders and methods to produce such powders
US7559494B1 (en) 1996-09-03 2009-07-14 Ppg Industries Ohio, Inc. Method of forming non-stoichiometric nanoscale powder comprising temperature-processing of a stoichiometric metal compound
US5958348A (en) * 1997-02-28 1999-09-28 Nanogram Corporation Efficient production of particles by chemical reaction
US6919054B2 (en) * 2002-04-10 2005-07-19 Neophotonics Corporation Reactant nozzles within flowing reactors
US7132783B1 (en) * 1997-10-31 2006-11-07 Nanogram Corporation Phosphor particles having specific distribution of average diameters
US6692660B2 (en) * 2001-04-26 2004-02-17 Nanogram Corporation High luminescence phosphor particles and related particle compositions
US6849334B2 (en) 2001-08-17 2005-02-01 Neophotonics Corporation Optical materials and optical devices
US6099798A (en) 1997-10-31 2000-08-08 Nanogram Corp. Ultraviolet light block and photocatalytic materials
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US7423512B1 (en) * 1997-10-31 2008-09-09 Nanogram Corporation Zinc oxide particles
US20010051118A1 (en) * 1999-07-21 2001-12-13 Ronald J. Mosso Particle production apparatus
CA2212471C (en) * 1997-08-06 2003-04-01 Tony Addona A method of forming an oxide ceramic anode in a transferred plasma arc reactor
US5891205A (en) * 1997-08-14 1999-04-06 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition
US6027616A (en) * 1998-05-01 2000-02-22 Mse Technology Applications, Inc. Extraction of contaminants from a gas
US6270732B1 (en) * 1998-06-30 2001-08-07 Nanogram Corporation Particle collection apparatus and associated methods
WO2000005017A1 (en) * 1998-07-21 2000-02-03 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method and apparatus for producing material vapour
US6416818B1 (en) * 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6379419B1 (en) * 1998-08-18 2002-04-30 Noranda Inc. Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultrafine powders
US6313578B1 (en) 1998-09-28 2001-11-06 Osram Sylvania Inc. Phosphor coating for gas discharge lamps and lamp containing same
EP1166286A4 (en) 1999-03-10 2005-08-10 Neophotonics Corp ZINC OXIDE PARTICLES
DE19948548B4 (de) * 1999-04-19 2006-04-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Pastöse Massen mit nanokristallinen Materialien für elektrochemische Bauelemente und daraus hergestellte Schichten und elektrochemische Bauelemente
US6245280B1 (en) * 1999-06-21 2001-06-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method and apparatus for forming polycrystalline particles
US6972115B1 (en) 1999-09-03 2005-12-06 American Inter-Metallics, Inc. Apparatus and methods for the production of powders
DE60045037D1 (de) * 1999-10-12 2010-11-11 Nat Inst Of Advanced Ind Scien Hren und vorrichtung zur herstellung
US6528029B1 (en) 1999-10-13 2003-03-04 Engelhard Corporation Catalyst compositions employing sol gel particles and methods of using the same
US6387981B1 (en) 1999-10-28 2002-05-14 3M Innovative Properties Company Radiopaque dental materials with nano-sized particles
US6572693B1 (en) 1999-10-28 2003-06-03 3M Innovative Properties Company Aesthetic dental materials
US20020187889A1 (en) * 1999-10-28 2002-12-12 Lauf Robert J. Mixed oxide nanoparticles and apparatus for making same
US6730156B1 (en) 1999-10-28 2004-05-04 3M Innovative Properties Company Clustered particle dental fillers
US6376590B2 (en) 1999-10-28 2002-04-23 3M Innovative Properties Company Zirconia sol, process of making and composite material
US6887566B1 (en) * 1999-11-17 2005-05-03 Cabot Corporation Ceria composition and process for preparing same
US6399670B1 (en) 2000-01-21 2002-06-04 Congoleum Corporation Coating having macroscopic texture and process for making same
WO2001055473A1 (en) * 2000-01-25 2001-08-02 Boston Scientific Limited Manufacturing medical devices by vapor deposition
EP1398100A3 (en) * 2000-02-10 2005-06-08 Tetronics Limited Plasma arc reactor for the production of fine powders
GB0004845D0 (en) * 2000-02-29 2000-04-19 Tetronics Ltd A method and apparatus for packaging ultra fine powders into containers
CA2405743C (en) * 2000-04-10 2009-09-15 Tetronics Limited Twin plasma torch apparatus
US6502419B2 (en) 2000-04-13 2003-01-07 Sun Microsystems, Inc. Electro-desorption compressor
DE10021726A1 (de) * 2000-05-04 2001-11-15 Henkel Kgaa Verwendung von nanoskaligen Teilchen zur Verbesserung der Schmutzablösung
AU2001267700B2 (en) * 2000-06-29 2006-07-27 Neuftec Limited A fuel additive
GB2364875A (en) * 2000-07-10 2002-02-06 Tetronics Ltd A plasma torch electrode
WO2002005969A2 (en) * 2000-07-19 2002-01-24 Regents Of The University Of Minnesota Apparatus and method for synthesizing films and coatings by focused particle beam deposition
US20040060620A1 (en) * 2000-10-05 2004-04-01 Johns Hopkins University High performance nanostructured materials and methods of making the same
WO2002029128A1 (en) * 2000-10-05 2002-04-11 Johns Hopkins University High performance nanostructured materials and methods of making the same
US6468497B1 (en) * 2000-11-09 2002-10-22 Cyprus Amax Minerals Company Method for producing nano-particles of molybdenum oxide
US7572430B2 (en) * 2000-11-09 2009-08-11 Cyprus Amax Minerals Company Method for producing nano-particles
CA2335260A1 (en) * 2001-02-12 2002-08-12 Sabin Boily Method of forming single crystals of a ceramic, semiconductive or magnetic material
US7091136B2 (en) * 2001-04-16 2006-08-15 Basol Bulent M Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same
US6890968B2 (en) * 2001-05-16 2005-05-10 Kerr Corporation Prepolymerized filler in dental restorative composite
US6593395B2 (en) 2001-05-16 2003-07-15 Kerr Corporation Dental composition containing discrete nanoparticles
TWI288121B (en) 2001-06-04 2007-10-11 Sumitomo Chemical Co Process for producing zirconia powder
WO2003084871A2 (en) * 2001-06-20 2003-10-16 Nanophase Technologies Corporation Non-aqueous dispersion of nanocrystalline metal oxides
US6794265B2 (en) 2001-08-02 2004-09-21 Ultradots, Inc. Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials
US6819845B2 (en) * 2001-08-02 2004-11-16 Ultradots, Inc. Optical devices with engineered nonlinear nanocomposite materials
US20030066998A1 (en) 2001-08-02 2003-04-10 Lee Howard Wing Hoon Quantum dots of Group IV semiconductor materials
US6710366B1 (en) 2001-08-02 2004-03-23 Ultradots, Inc. Nanocomposite materials with engineered properties
US7005669B1 (en) 2001-08-02 2006-02-28 Ultradots, Inc. Quantum dots, nanocomposite materials with quantum dots, devices with quantum dots, and related fabrication methods
WO2003020226A2 (en) 2001-08-31 2003-03-13 L'oreal S.A. Cosmetic compositions comprising nanoparticles and processes for using the same
US6759096B2 (en) 2001-09-24 2004-07-06 Congoleum Corporation Method for making differential gloss coverings
JP3735686B2 (ja) 2001-10-30 2006-01-18 独立行政法人理化学研究所 金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法
JP4223957B2 (ja) * 2001-11-03 2009-02-12 ナノフェイズ テクノロジーズ コーポレイション ナノ構造組成物
JP2005508246A (ja) * 2001-11-06 2005-03-31 サイプラス・アマックス・ミネラルズ・カンパニー 顔料ナノ粒子を製造するための装置及び方法
US20030108459A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 L. W. Wu Nano powder production system
US20050199861A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-15 Wu L. W. Manufacturing method for transparent and conductive coatings
US6635307B2 (en) 2001-12-12 2003-10-21 Nanotek Instruments, Inc. Manufacturing method for thin-film solar cells
JP4356313B2 (ja) * 2001-12-19 2009-11-04 住友金属鉱山株式会社 金属化合物微粉末の製造方法
CA2469335A1 (en) * 2002-02-04 2003-12-31 Nanophase Technologies Corporation Stable dispersions of nanoparticles in aqueous media
US20030145681A1 (en) * 2002-02-05 2003-08-07 El-Shall M. Samy Copper and/or zinc alloy nanopowders made by laser vaporization and condensation
US6755886B2 (en) * 2002-04-18 2004-06-29 The Regents Of The University Of California Method for producing metallic microparticles
US7189417B2 (en) * 2002-05-01 2007-03-13 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Nanometer-sized carrier medium
US6777639B2 (en) * 2002-06-12 2004-08-17 Nanotechnologies, Inc. Radial pulsed arc discharge gun for synthesizing nanopowders
US20030222025A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Archuleta John Paul Use of foamed glass article for environment remediation and filtration
US6669823B1 (en) * 2002-06-17 2003-12-30 Nanophase Technologies Corporation Process for preparing nanostructured materials of controlled surface chemistry
WO2004027385A2 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 The Children's Hospital Of Philadelphia Engineering of material surfaces
US20040065170A1 (en) * 2002-10-07 2004-04-08 L. W. Wu Method for producing nano-structured materials
CN1301816C (zh) * 2002-11-20 2007-02-28 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 纳米金属的连续生产设备
KR100480393B1 (ko) * 2002-12-05 2005-03-31 엔바이로테크(주) 입자크기와 응집상태를 조절할 수 있는 고순도의 나노 및서브미크론 입자의 기상 제조방법
US7071105B2 (en) 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
DE10308722A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Degussa Ag Homogenisierung von nanoskaligen Pulvern
AU2003304337A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-28 Seoul National University Industry Foundation Nanostructured carbon materials having good crystallinity and large surface area suitable for electrodes, and method for synthesizing the same using catalytic graphitization of polymeric carbon precursors
US7131597B2 (en) 2003-09-09 2006-11-07 Scattergood John R Atomization technique for producing fine particles
US20070158450A1 (en) * 2003-09-09 2007-07-12 John Scattergood Systems and methods for producing fine particles
US7012214B2 (en) * 2003-09-24 2006-03-14 Nanotechnologies, Inc. Nanopowder synthesis using pulsed arc discharge and applied magnetic field
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
US7384448B2 (en) * 2004-02-16 2008-06-10 Climax Engineered Materials, Llc Method and apparatus for producing nano-particles of silver
TWI233321B (en) * 2004-02-20 2005-05-21 Ind Tech Res Inst Method for producing nano oxide powder using D.C. plasma thermo-reaction
CN1304150C (zh) * 2004-02-23 2007-03-14 大连理工大学 一种自动控制直流电弧金属纳米粉生产设备和使用方法
SG111177A1 (en) 2004-02-28 2005-05-30 Wira Kurnia Fine particle powder production
DE102004026433A1 (de) 2004-05-29 2005-12-22 Schott Ag Nanoglaspulver und deren Verwendung
EP1781717B1 (en) 2004-07-10 2012-11-07 Henkel AG & Co. KGaA Copolymer-containing cleaning compositions
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
KR100593265B1 (ko) * 2004-09-02 2006-06-26 한국기계연구원 플라즈마 아크방전을 이용한 나노분말 제조공정
US7262384B2 (en) 2004-09-30 2007-08-28 Novacentrix, Corp. Reaction vessel and method for synthesizing nanoparticles using cyclonic gas flow
DE112005002548T5 (de) * 2004-10-15 2008-09-18 Climax Molybdenum Co., Phoenix Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines gasförmigen Fluides
US7524353B2 (en) * 2004-10-21 2009-04-28 Climax Engineered Materials, Llc Densified molybdenum metal powder and method for producing same
US7276102B2 (en) * 2004-10-21 2007-10-02 Climax Engineered Materials, Llc Molybdenum metal powder and production thereof
US7476851B2 (en) * 2004-11-12 2009-01-13 Regents Of The University Of Minnesota Aerodynamic focusing of nanoparticle or cluster beams
ES2366917T3 (es) * 2005-01-28 2011-10-26 Tekna Plasma Systems, Inc. Síntesis de nanopolvos mediante plasma de inducción.
US8079838B2 (en) * 2005-03-16 2011-12-20 Horiba, Ltd. Pure particle generator
CA2599679C (en) 2005-03-17 2014-07-29 Lubrizol Advanced Materials, Inc. Nanoparticle/vinyl polymer composites
US20070003694A1 (en) * 2005-05-23 2007-01-04 Shivkumar Chiruvolu In-flight modification of inorganic particles within a reaction product flow
US9649337B2 (en) 2005-06-27 2017-05-16 Edward Via Virginia College Of Osteopathic Medicine Cerium oxide nanoparticles for the treatment and prevention of stroke and cardiovascular disease
EP2251389B8 (en) * 2005-08-12 2012-09-19 Cambrios Technologies Corporation Nanowire ink
US8268405B2 (en) * 2005-08-23 2012-09-18 Uwm Research Foundation, Inc. Controlled decoration of carbon nanotubes with aerosol nanoparticles
US8240190B2 (en) * 2005-08-23 2012-08-14 Uwm Research Foundation, Inc. Ambient-temperature gas sensor
KR100728869B1 (ko) * 2005-09-08 2007-06-14 주식회사리젠코리아 3상교류 방전을 이용한 금속의 합금 방법 및 그 장치
US8119075B2 (en) 2005-11-10 2012-02-21 Basf Corporation Diesel particulate filters having ultra-thin catalyzed oxidation coatings
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
KR101545219B1 (ko) * 2006-10-12 2015-08-18 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 기반의 투명 도전체 및 그의 응용
JP5052291B2 (ja) * 2006-11-02 2012-10-17 株式会社日清製粉グループ本社 合金超微粒子、およびその製造方法
AU2007324979B2 (en) * 2006-12-01 2012-07-19 Umicore Process for the manufacture of nano-sized powders
EP2114349B1 (en) 2006-12-28 2016-09-14 3M Innovative Properties Company Dental filler and methods
KR100860590B1 (ko) * 2007-01-15 2008-09-26 연세대학교 산학협력단 금속 에어로졸 나노입자를 생성하여 고정하는 방법
WO2008106564A2 (en) * 2007-02-28 2008-09-04 The Regents Of The University Of Michigan Immobilizing particles onto surfaces
KR100788412B1 (ko) 2007-03-13 2007-12-24 호서대학교 산학협력단 열플라즈마 장치
US8018563B2 (en) 2007-04-20 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Composite transparent conductors and methods of forming the same
US8114473B2 (en) * 2007-04-27 2012-02-14 Toto Ltd. Composite structure and production method thereof
US9173967B1 (en) 2007-05-11 2015-11-03 SDCmaterials, Inc. System for and method of processing soft tissue and skin with fluids using temperature and pressure changes
US20090020411A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-22 Holunga Dean M Laser pyrolysis with in-flight particle manipulation for powder engineering
US8507401B1 (en) 2007-10-15 2013-08-13 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal catalysts
JP5318463B2 (ja) * 2008-05-27 2013-10-16 住友金属鉱山株式会社 微粒子の製造方法およびそれに用いる製造装置
EP2301307A4 (en) * 2008-06-03 2014-03-19 Quantum Confined Ltd METHOD FOR PRODUCING QUANTUM-LIMITED INDIUM NITRIDE STRUCTURES
DE102009048397A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Plasmatreat Gmbh Atmosphärendruckplasmaverfahren zur Herstellung oberflächenmodifizierter Partikel und von Beschichtungen
US8803025B2 (en) 2009-12-15 2014-08-12 SDCmaterials, Inc. Non-plugging D.C. plasma gun
US8545652B1 (en) 2009-12-15 2013-10-01 SDCmaterials, Inc. Impact resistant material
US8652992B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US9149797B2 (en) 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US9090475B1 (en) 2009-12-15 2015-07-28 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying for silicon SiO2
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US8557727B2 (en) 2009-12-15 2013-10-15 SDCmaterials, Inc. Method of forming a catalyst with inhibited mobility of nano-active material
US8470112B1 (en) 2009-12-15 2013-06-25 SDCmaterials, Inc. Workflow for novel composite materials
CN102834472B (zh) * 2010-02-05 2015-04-22 凯博瑞奥斯技术公司 光敏墨组合物和透明导体以及它们的使用方法
US8298329B2 (en) 2010-04-29 2012-10-30 James R. Glidewell Dental Ceramics, Inc. Nano-crystalline dental ceramics
JP5252460B2 (ja) * 2010-10-04 2013-07-31 独立行政法人物質・材料研究機構 窒素プラズマによるＳｉＣナノ粒子の製造法
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
EP2522373A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-14 Dentsply IH AB Biocompatible component
MX2014001718A (es) 2011-08-19 2014-03-26 Sdcmaterials Inc Sustratos recubiertos para uso en catalisis y convertidores cataliticos y metodos para recubrir sustratos con composiciones de recubrimiento delgado.
RU2486032C1 (ru) * 2012-05-10 2013-06-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ" Способ получения металлического порошка
WO2013173336A1 (en) 2012-05-15 2013-11-21 Basf Se Easily formulated zinc oxide powder
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9105923B2 (en) 2013-02-13 2015-08-11 Nanophase Technologies Corporation Zinc anode alkaline electrochemical cells containing bismuth
US8778181B1 (en) 2013-03-14 2014-07-15 Crititech, Inc. Equipment assembly for and method of processing particles
US9925512B2 (en) 2013-03-14 2018-03-27 Crititech, Inc. Equipment assembly for and method of processing particles
KR101395653B1 (ko) 2013-04-04 2014-05-16 한국에너지기술연구원 나노입자 제조 장치
WO2015013545A1 (en) 2013-07-25 2015-01-29 SDCmaterials, Inc. Washcoats and coated substrates for catalytic converters
JP2016535664A (ja) 2013-10-22 2016-11-17 エスディーシーマテリアルズ， インコーポレイテッド リーンＮＯｘトラップの組成物
KR20160074566A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 에스디씨머티리얼스, 인코포레이티드 대형 디젤 연소 엔진용 촉매 디자인
US9687811B2 (en) 2014-03-21 2017-06-27 SDCmaterials, Inc. Compositions for passive NOx adsorption (PNA) systems and methods of making and using same
DE102014206068A1 (de) 2014-03-31 2015-10-01 Henkel Ag & Co. Kgaa Toilettenreiniger
DE102014226251A1 (de) 2014-12-17 2016-06-23 Henkel Ag & Co. Kgaa Verwendung anorganischer Oxide, Hydroxide oder Oxidhydroxide in enzymhaltigen Wasch- oder Reinigungsmitteln zur Erhöhung der Stabilität von Enzymen
JP6590203B2 (ja) 2015-11-12 2019-10-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 微粒子製造装置及び微粒子製造方法
TW202012074A (zh) * 2018-06-06 2020-04-01 加拿大商匹若堅尼斯加拿大有限公司 用於從一條或兩條銲線以高生產率生產高純度球狀金屬粉末的方法和設備
EP3951394A4 (en) 2019-03-29 2022-04-20 FUJIFILM Corporation IMMUNOCHROMATOGRAPHY
US11672744B2 (en) 2020-07-02 2023-06-13 Nanophase Technologies Corporation Zinc oxide particles, photostable UV filters, and methods of use thereof
WO2022060732A1 (en) 2020-09-17 2022-03-24 Nanophase Technologies Corporation Magnetic beads, method of making and method of use thereof
RU2749814C1 (ru) * 2020-09-29 2021-06-17 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук СПОСОБ СИНТЕЗА НАНОКОМПОЗИТА Mn-O-C
RU2755619C1 (ru) * 2020-10-22 2021-09-17 Моисеенко Валерий Владимирович Способ синтеза антипатогенного углерод-серебряного наноструктурированного порошка

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2899294A (en) * 1959-08-11 Purification melting process for metal-
US2702239A (en) * 1952-05-27 1955-02-15 Henry L Gilbert Process of arc melting zirconium
US2979449A (en) * 1958-12-05 1961-04-11 Sheer Korman Associates Carbothermic reduction of metal oxides
US3752610A (en) * 1969-12-18 1973-08-14 S Glazunov Device for producing fine powder of liquid metal
US3887667A (en) * 1970-07-15 1975-06-03 Special Metals Corp Method for powder metal production
GB1390351A (en) * 1971-02-16 1975-04-09 Tetronics Research Dev Co Ltd High temperature treatment of materials
US3863074A (en) * 1972-08-30 1975-01-28 Ibm Low temperature plasma anodization apparatus
US4058698A (en) * 1974-04-02 1977-11-15 David Grigorievich Bykhovsky Method and apparatus for DC reverse polarity plasma-arc working of electrically conductive materials
US4367393A (en) * 1980-12-24 1983-01-04 Union Carbide Corporation Gas shielded plasma arc torch with improved collet
JPS5854166B2 (ja) * 1981-12-17 1983-12-03 科学技術庁金属材料技術研究所長 金属微粒子の製造法およびその製造装置
JPS5985808A (ja) * 1982-11-08 1984-05-17 Pioneer Electronic Corp 金属超微粒子の製造装置
JPS59206042A (ja) * 1983-05-07 1984-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 微粉末の製造方法及び製造装置
US4889665A (en) * 1983-06-04 1989-12-26 National Research Institute For Metals Process for producing ultrafine particles of ceramics
JPS59227765A (ja) * 1983-06-04 1984-12-21 科学技術庁金属材料技術研究所長 セラミツクスの超微粒子の製造法
JPS6024333A (ja) * 1983-07-21 1985-02-07 Daido Steel Co Ltd 金属等の溶融方法
JPS6039134A (ja) * 1983-08-12 1985-02-28 Sumitomo Metal Ind Ltd チタン族金属合金の溶解法
JPS60175537A (ja) * 1984-02-22 1985-09-09 Toyota Motor Corp セラミツク超微粒子の製造方法
US4732369A (en) * 1985-10-30 1988-03-22 Hitachi, Ltd. Arc apparatus for producing ultrafine particles
JPH059075Y2 (ja) * 1987-01-27 1993-03-05
JPS63267431A (ja) * 1987-04-24 1988-11-04 Hitachi Ltd 超微粒子の製造方法
DE3714239C2 (de) * 1987-04-29 1996-05-15 Krupp Ag Hoesch Krupp Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffs mit einem Gefüge nanokristalliner Struktur
DE3813224A1 (de) * 1988-04-20 1988-08-25 Krupp Gmbh Verfahren zur einstellung feinstkristalliner bis nanokristalliner strukturen in metall-metallmetalloid-pulvern
US4982067A (en) * 1988-11-04 1991-01-01 Marantz Daniel Richard Plasma generating apparatus and method
US5194128A (en) * 1989-07-12 1993-03-16 Thermo Electron Technologies Corporation Method for manufacturing ultrafine particles
US5112388A (en) * 1989-08-22 1992-05-12 Hydro-Quebec Process for making nanocrystalline metallic alloy powders by high energy mechanical alloying
CA2045125A1 (en) * 1989-11-09 1991-05-10 Larry E. Mccandlish Spray conversion process for the production of nanophase composite powders
US5128081A (en) * 1989-12-05 1992-07-07 Arch Development Corporation Method of making nanocrystalline alpha alumina
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
JPH04281840A (ja) * 1991-03-07 1992-10-07 Takeshi Masumoto 金属酸化物超微粒子の製造方法及び製造装置
GB9116446D0 (en) * 1991-07-31 1991-09-11 Tetronics Research & Dev Co Li A twin plasma torch process for the production of ultra-fine aluminium nitride
JPH05148514A (ja) * 1991-10-01 1993-06-15 Hitachi Metals Ltd 溶融金属の噴霧装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU685828B2 (en) 1998-01-29
EP0711217B1 (en) 2001-03-14
EP0711217A1 (en) 1996-05-15
DE69426886T2 (de) 2001-09-27
WO1995003907A1 (en) 1995-02-09
US5460701A (en) 1995-10-24
JP2000024493A (ja) 2000-01-25
EP0711217A4 (en) 1996-09-04
JPH09502920A (ja) 1997-03-25
JP2980987B2 (ja) 1999-11-22
US5514349A (en) 1996-05-07
US5874684A (en) 1999-02-23
DE69426886D1 (de) 2001-04-19
AU7374894A (en) 1995-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3383608B2 (ja) ナノ結晶性材料を合成するための装置
US4812166A (en) Process for producing ultrafine particles of metals, metal compounds and ceramics and apparatus used therefor
US6689191B2 (en) Rapid conversion of metal-containing compounds to form metals or metal alloys
US20030108459A1 (en) Nano powder production system
US3848068A (en) Method for producing metal compounds
US4786490A (en) Process and apparatus for producing high purity magnesium oxide fine particles
US3475158A (en) Production of particulate,non-pyrophoric metals and product
US20030102207A1 (en) Method for producing nano powder
US6416862B1 (en) Ultrafine particulate zinc oxide and production process thereof
AU775479B2 (en) Fine particulate titanium oxide and method for producing the same
JPH07247106A (ja) 金属、合金および金属化合物の微細粉末
JP2004124257A (ja) 金属銅微粒子及びその製造方法
RU2349424C1 (ru) Способ получения порошков на основе карбида вольфрама
JPH08508000A (ja) 超微細窒化アルミニウム粉末の製造方法
JPS6263604A (ja) 球状銅微粉の製造方法
EP1215174B1 (en) Highly white zinc oxide fine particles and method for preparation thereof
US4502885A (en) Method for making metal powder
TWI471266B (zh) 碳化物微粒子之製造方法
US3592627A (en) Production of particulate,non-pyrophoric metals
JP4315576B2 (ja) 超微粉シリカの製造方法
JP4545357B2 (ja) 窒化アルミニウム粉末の製造方法
JPS5822309A (ja) 非晶質合金粉末の製造方法及びその装置
Safronov et al. Plasma way for oxide nanoparticles obtaining
JPH10137574A (ja) 粒子径大なる球状無機物粒子の製造方法
RU2647075C1 (ru) Способ получения нанопорошка оксинитрида алюминия

Legal Events

Date Code Title Description
S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131220

Year of fee payment: 11

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term