JP3307689B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は、磁界変調用の浮上式磁
気ヘッドを用いて記録を行う、光磁気ディスクに関す
る。
気ヘッドを用いて記録を行う、光磁気ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来技術】ガラスや合成樹脂等の基板に、光磁気記録
層と樹脂保護層とを設けた光磁気ディスクは周知であ
る。このような光磁気ディスクの一例を、図５に示す。
図において、１はガラスや合成樹脂等の基板で、その一
方の主面に光磁気記録層２と樹脂保護層３とを積層す
る。樹脂保護層３は一般にスピンコート等で成膜する。
層と樹脂保護層とを設けた光磁気ディスクは周知であ
る。このような光磁気ディスクの一例を、図５に示す。
図において、１はガラスや合成樹脂等の基板で、その一
方の主面に光磁気記録層２と樹脂保護層３とを積層す
る。樹脂保護層３は一般にスピンコート等で成膜する。
【０００３】ここで発明者は、スピンコート時に樹脂材
料が基板１の外周部付近に溜り、***部０１が発生する
ことを見い出した。例えば図５の実線で示した基板のよ
うに、端面処理の無い角のある基板を用いると、***部
０１の高さｈは１０μｍ程度となり、浮上式磁気ヘッド
０２と接触してしまう。図５の破線のように端面を滑ら
かなＲで処理しても、（Ｒ部の両端と基板１の交角が０
度）、***部０１の高さは５μｍを越え、浮上式磁気ヘ
ッド０２と接触してしまう。磁気ヘッド０２とディスク
との接触は、ヘッドクラッシュや樹脂保護層３の損傷や
剥離をもたらす。一般に磁界変調用磁気ヘッド０２の浮
上量は５μｍ程度で、***部０１の高さを５μｍ以下に
する必要がある。
料が基板１の外周部付近に溜り、***部０１が発生する
ことを見い出した。例えば図５の実線で示した基板のよ
うに、端面処理の無い角のある基板を用いると、***部
０１の高さｈは１０μｍ程度となり、浮上式磁気ヘッド
０２と接触してしまう。図５の破線のように端面を滑ら
かなＲで処理しても、（Ｒ部の両端と基板１の交角が０
度）、***部０１の高さは５μｍを越え、浮上式磁気ヘ
ッド０２と接触してしまう。磁気ヘッド０２とディスク
との接触は、ヘッドクラッシュや樹脂保護層３の損傷や
剥離をもたらす。一般に磁界変調用磁気ヘッド０２の浮
上量は５μｍ程度で、***部０１の高さを５μｍ以下に
する必要がある。
【０００４】
【発明の課題】この発明の課題は、光磁気ディスクの樹
脂保護層の外周端に生じる***部の高さを浮上式磁気ヘ
ッドに接触しない高さとし、磁気ヘッドのクラッシュや
樹脂保護層の損傷を防止することにある。この発明の副
次的課題は、このことを基板の複屈折異常等の弊害無し
に実現することにある。
脂保護層の外周端に生じる***部の高さを浮上式磁気ヘ
ッドに接触しない高さとし、磁気ヘッドのクラッシュや
樹脂保護層の損傷を防止することにある。この発明の副
次的課題は、このことを基板の複屈折異常等の弊害無し
に実現することにある。
【０００５】
【発明の構成】この発明の光磁気ディスクは、合成樹脂
基板の少なくとも一方の主面上に、少なくとも光磁気記
録層とスピンコートで成膜した紫外線硬化樹脂からなる
樹脂保護層とを順次積層した、磁界変調記録用の３．５
インチ単板型光磁気ディスクにおいて、前記樹脂保護層
の膜厚を５〜１５μｍとし、かつ前記基板の光磁気記録
層形成面の外周端部のみに、その基板に対して内または
外に凸なＲ面からなるテーパー部を設けるとともに、該
テーパー部の形成領域を、前記基板の半径方向に沿っ
て、基板の外周端より０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下、
基板の板厚方向に沿って０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下
とし、さらに前記テーパー部と前記基板の光磁気記録層
形成面との交角を２０度以上で７０度以下としたことを
特徴とする。
基板の少なくとも一方の主面上に、少なくとも光磁気記
録層とスピンコートで成膜した紫外線硬化樹脂からなる
樹脂保護層とを順次積層した、磁界変調記録用の３．５
インチ単板型光磁気ディスクにおいて、前記樹脂保護層
の膜厚を５〜１５μｍとし、かつ前記基板の光磁気記録
層形成面の外周端部のみに、その基板に対して内または
外に凸なＲ面からなるテーパー部を設けるとともに、該
テーパー部の形成領域を、前記基板の半径方向に沿っ
て、基板の外周端より０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下、
基板の板厚方向に沿って０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下
とし、さらに前記テーパー部と前記基板の光磁気記録層
形成面との交角を２０度以上で７０度以下としたことを
特徴とする。
【０００６】ここに光磁気記録層自体の材質や形状、構
成は任意であり、公知技術に従い適宜のものを用いれば
良い。基板には合成樹脂を用い、樹脂保護層には紫外線
硬化樹脂を用い、スピンコートで成膜する。
成は任意であり、公知技術に従い適宜のものを用いれば
良い。基板には合成樹脂を用い、樹脂保護層には紫外線
硬化樹脂を用い、スピンコートで成膜する。
【０００７】
【発明の作用】この発明では基板の外周端部にテーパー
部を設け、スピンコート時に外周部に溜ろうとする樹脂
材料をテーパー部で吸収し、***の発生を抑える。テー
パー部の形成領域を、基板の光磁気記録層形成面で半径
方向に０.１ｍｍ以上とすると***部の高さを小さくす
ることができ、０.１ｍｍ未満では***部の高さは一般
に５μｍ超となる。次にテーパー部の形成領域が半径方
向に沿って０.５ｍｍを越えると、基板に複屈折異常等
が発生した。これは基板への歪の増加を示す。このこと
からテーパー部の半径方向に沿っての広さは０.１〜０.
５ｍｍに限られる。
部を設け、スピンコート時に外周部に溜ろうとする樹脂
材料をテーパー部で吸収し、***の発生を抑える。テー
パー部の形成領域を、基板の光磁気記録層形成面で半径
方向に０.１ｍｍ以上とすると***部の高さを小さくす
ることができ、０.１ｍｍ未満では***部の高さは一般
に５μｍ超となる。次にテーパー部の形成領域が半径方
向に沿って０.５ｍｍを越えると、基板に複屈折異常等
が発生した。これは基板への歪の増加を示す。このこと
からテーパー部の半径方向に沿っての広さは０.１〜０.
５ｍｍに限られる。
【０００８】なおテーパー部を平面として、基板の端部
を平面でカットしたテーパー部の場合、基板の板厚方向
に沿ってのテーパー部の形成領域が重要で、この値を
０.１〜０.６ｍｍとすることにより、複屈折異常の発生
や浮上式磁気ヘッドとの接触を防止し得る。
を平面でカットしたテーパー部の場合、基板の板厚方向
に沿ってのテーパー部の形成領域が重要で、この値を
０.１〜０.６ｍｍとすることにより、複屈折異常の発生
や浮上式磁気ヘッドとの接触を防止し得る。
【０００９】テーパー部を曲面とする場合、光磁気記録
層形成面とテーパー部との交角が重要で、交角を２０度
以上７０度以下とすることにより、***部の高さを５μ
ｍ以下に抑制できる。例えば図５の破線で示した光磁気
記録層形成面と滑らかに接するＲ部（基板との交角０
度）では、基板の半径方向に沿ってのテーパー部の形成
領域を０.１〜０.５ｍｍの範囲としても、***部の高さ
は５μｍを越えてしまう。
層形成面とテーパー部との交角が重要で、交角を２０度
以上７０度以下とすることにより、***部の高さを５μ
ｍ以下に抑制できる。例えば図５の破線で示した光磁気
記録層形成面と滑らかに接するＲ部（基板との交角０
度）では、基板の半径方向に沿ってのテーパー部の形成
領域を０.１〜０.５ｍｍの範囲としても、***部の高さ
は５μｍを越えてしまう。
【００１０】このように***部の高さに影響する因子
は、第１に基板の光磁気記録層形成面の半径方向に沿っ
たテーパー部の形成幅であり、テーパー部が平面の場合
（Ｃ面）、第２に基板の板厚方向に沿ったテーパー部の
深さが重要である。またテーパー部が曲面の場合、第２
にテーパー部と光磁気記録層形成面との交角が重要であ
る。
は、第１に基板の光磁気記録層形成面の半径方向に沿っ
たテーパー部の形成幅であり、テーパー部が平面の場合
（Ｃ面）、第２に基板の板厚方向に沿ったテーパー部の
深さが重要である。またテーパー部が曲面の場合、第２
にテーパー部と光磁気記録層形成面との交角が重要であ
る。
【００１１】
【実施例】図１に、参考例の光磁気ディスクを示す。図
において、１は合成樹脂基板で、例えばポリカーボネー
ト基板を用い、２は光磁気記録層で、例えばスパッタリ
ングで形成し、３は樹脂保護層で、スピンコーティング
により成膜したものである。４は樹脂保護層３の外周端
に生じる***部である。図２に、基板１の要部を示す。
５は光磁気記録層形成面で、６は基板１の外周端に設け
たテーパー部である。テーパー部６の光磁気記録層形成
面５の半径方向に沿った幅をＷ，基板１の端面方向に沿
った深さをＤとする。幅Ｗは０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ
以下とし、深さＤは０.１ｍｍ以上で０.６ｍｍ以下とす
る。
において、１は合成樹脂基板で、例えばポリカーボネー
ト基板を用い、２は光磁気記録層で、例えばスパッタリ
ングで形成し、３は樹脂保護層で、スピンコーティング
により成膜したものである。４は樹脂保護層３の外周端
に生じる***部である。図２に、基板１の要部を示す。
５は光磁気記録層形成面で、６は基板１の外周端に設け
たテーパー部である。テーパー部６の光磁気記録層形成
面５の半径方向に沿った幅をＷ，基板１の端面方向に沿
った深さをＤとする。幅Ｗは０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ
以下とし、深さＤは０.１ｍｍ以上で０.６ｍｍ以下とす
る。
【００１２】参考例では、光磁気記録層２を、イットリ
ウムサイアロンの第１誘電体層（約１００ｎｍ厚），Ｇ
ｄ−Ｄｙ−Ｆｅ系の光磁気記録層（約２０ｎｍ厚），イ
ットリウムサイアロンの第２誘電体層（約３０ｎｍ
厚），及びＡｌ反射層（約４０ｎｍ厚）を順次積層した
ものとした。また樹脂保護層３は、ウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化樹脂を、約１０μｍ厚に塗布形成した
ものとした。紫外線硬化樹脂の材質は任意で、例えばア
クリル系やウレタン系等も用い得る。また樹脂保護層３
にはＳｉＯ2等のフィラーを含有させ、適切な表面粗さ
を得られるようにしても良い。樹脂保護層３の膜厚は、
テーパー部６以外の場所で５〜１５μｍとする。基板１
の成形を行う際に、型を用いて図２のようなＣ面のテー
パー部６を有する基板１を形成した。
ウムサイアロンの第１誘電体層（約１００ｎｍ厚），Ｇ
ｄ−Ｄｙ−Ｆｅ系の光磁気記録層（約２０ｎｍ厚），イ
ットリウムサイアロンの第２誘電体層（約３０ｎｍ
厚），及びＡｌ反射層（約４０ｎｍ厚）を順次積層した
ものとした。また樹脂保護層３は、ウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化樹脂を、約１０μｍ厚に塗布形成した
ものとした。紫外線硬化樹脂の材質は任意で、例えばア
クリル系やウレタン系等も用い得る。また樹脂保護層３
にはＳｉＯ2等のフィラーを含有させ、適切な表面粗さ
を得られるようにしても良い。樹脂保護層３の膜厚は、
テーパー部６以外の場所で５〜１５μｍとする。基板１
の成形を行う際に、型を用いて図２のようなＣ面のテー
パー部６を有する基板１を形成した。
【００１３】テーパー部６の幅Ｗと深さＤの影響を調べ
るため、表１に示すように、Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.１
ｍｍ（参考例１)，Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同
２），Ｗが０.５ｍｍ，Ｄが０.１ｍｍ（同３），Ｗが
０.５ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同４）の、４種のテーパー
部６を設けた。これらのテーパー部６は、基板１の最外
周端部を平面状にカットしたものである。比較例とし
て、テーパー部を設けないもの（比較例１）の他に、Ｗ
が０.６ｍｍ，Ｄが０.７ｍｍ（比較例２），Ｗが０.０
８ｍｍ，Ｄが０.０８ｍｍ（同３）の平面から成るテー
パー部６を用いた。また、曲率Ｒが０.３ｍｍ（比較例
４），曲率Ｒが０.５ｍｍ（比較例５）の、曲面状のテ
ーパー部を設けた。比較例４，５のテーパー部は、テー
パー部の両端が、交角を０度とし、滑らかに光磁気記録
層形成面５と基板端面とに接するものである。
るため、表１に示すように、Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.１
ｍｍ（参考例１)，Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同
２），Ｗが０.５ｍｍ，Ｄが０.１ｍｍ（同３），Ｗが
０.５ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同４）の、４種のテーパー
部６を設けた。これらのテーパー部６は、基板１の最外
周端部を平面状にカットしたものである。比較例とし
て、テーパー部を設けないもの（比較例１）の他に、Ｗ
が０.６ｍｍ，Ｄが０.７ｍｍ（比較例２），Ｗが０.０
８ｍｍ，Ｄが０.０８ｍｍ（同３）の平面から成るテー
パー部６を用いた。また、曲率Ｒが０.３ｍｍ（比較例
４），曲率Ｒが０.５ｍｍ（比較例５）の、曲面状のテ
ーパー部を設けた。比較例４，５のテーパー部は、テー
パー部の両端が、交角を０度とし、滑らかに光磁気記録
層形成面５と基板端面とに接するものである。
【００１４】これらの試料について、スピンコートで樹
脂保護層３を成膜し、（スピンコート時の回転数２００
ｒｐｍ、樹脂保護層３の膜厚１０μｍ）、硬化後の***
部４の高さを測定した。またこれらの試料を用いて、浮
上式磁気ヘッド０２により浮上テストを行った。テスト
条件は、ディスク回転数３０００ｒｐｍ，ヘッド荷重４
ｇｆ，ヘッド浮上量５μｍである。なお樹脂保護層３の
***部４は、半径ｒが４３ｍｍ，基板厚が１．２ｍｍ基
板１の場合（３.５インチ光磁気ディスクの規格ＩＳＯ
／ＩＥＣ１００９０，１３９６３，１５０４１参照）ｒ
＝４１〜４３ｍｍの範囲に生じることから、ｒ＝４０ｍ
ｍでの樹脂保護層３の厚さと、ｒ＝４１〜４３ｍｍでの
樹脂保護層３の厚さの最大値との差を***部４の高さｈ
とした。結果を表１に示す。
脂保護層３を成膜し、（スピンコート時の回転数２００
ｒｐｍ、樹脂保護層３の膜厚１０μｍ）、硬化後の***
部４の高さを測定した。またこれらの試料を用いて、浮
上式磁気ヘッド０２により浮上テストを行った。テスト
条件は、ディスク回転数３０００ｒｐｍ，ヘッド荷重４
ｇｆ，ヘッド浮上量５μｍである。なお樹脂保護層３の
***部４は、半径ｒが４３ｍｍ，基板厚が１．２ｍｍ基
板１の場合（３.５インチ光磁気ディスクの規格ＩＳＯ
／ＩＥＣ１００９０，１３９６３，１５０４１参照）ｒ
＝４１〜４３ｍｍの範囲に生じることから、ｒ＝４０ｍ
ｍでの樹脂保護層３の厚さと、ｒ＝４１〜４３ｍｍでの
樹脂保護層３の厚さの最大値との差を***部４の高さｈ
とした。結果を表１に示す。
【００１５】
【表１】 Ｗ Ｄ ***部４の ヘッドと 半径方向 板厚 高さ（μｍ） の接触 参考例１ ０.１ ０.１ ４.８ 無 ２ ０.１ ０.５ ３.１ 無 ３ ０.５ ０.１ ４.０ 無 ４ ０.５ ０.５ ２.５ 無 比較例１ ０ ０ ７.０ 有 ２ ０.６ ０.７ ３.０ 無 ３ ０.０８ ０.０８ ５.６ 有 ４ ０.３Ｒ ６.０ 有 ５ ０.５Ｒ ５.４ 有 ＊ ＷやＤはｍｍ単位で示す， ＊ 比較例２では基板外周部に成形時複屈折異常が発生した。
【００１６】図５の従来例の基板（比較例１）では、隆
起部４の突起高さは７μｍで５μｍを越え、浮上テスト
で磁気ヘッドとディスクが接触した。端面形状をＲ面と
した比較例４及び５でも***部４の高さは５μｍを越
え、テーパー部６の大きさだけでなく基板１との交角θ
が重要なことが明らかになった。
起部４の突起高さは７μｍで５μｍを越え、浮上テスト
で磁気ヘッドとディスクが接触した。端面形状をＲ面と
した比較例４及び５でも***部４の高さは５μｍを越
え、テーパー部６の大きさだけでなく基板１との交角θ
が重要なことが明らかになった。
【００１７】一方平面状のテーパー部６を設けたもので
は、幅Ｗや深さＤが小さい比較例３で***部４の高さが
５μｍを越えた。これはテーパー形成領域が小さすぎる
ことによると考えられ、幅Ｗや深さＤは少なくとも０.
１ｍｍ以上が必要である。一方幅Ｗを０.６ｍｍ，深さ
Ｄを０.７ｍｍとした比較例では、基板１の成形時に基
板の最外周部に複屈折異常が発生した。これは大きなテ
ーパー部６を設けることによる基板１の歪の増加を意味
する。これに対し、本発明の参考例１〜４は良好な結果
が得られている。以上のことから、テーパー部６を半径
方向の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、板厚方向の深さＤ
を０.１ｍｍ〜０.６ｍｍの平面から成るテーパーにする
ことで、ヘッド０２がディスクに接触せず安定に浮上さ
せることができ、かつ基板１に複屈折異常等の弊害をも
たらさないことが分かる。なお表１の結果以外に、樹脂
保護層３の膜厚を８μｍと１２μｍに変え他は同一の条
件で評価した試料を作成したが、いずれもテーパー部６
の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、深さＤを０.１ｍｍ〜
０.６ｍｍの平面テーパー部６とすれば、複屈折異常を
もたらさずに、ヘッド０２をディスクに接触させずに安
定に浮上させられることが分かった。
は、幅Ｗや深さＤが小さい比較例３で***部４の高さが
５μｍを越えた。これはテーパー形成領域が小さすぎる
ことによると考えられ、幅Ｗや深さＤは少なくとも０.
１ｍｍ以上が必要である。一方幅Ｗを０.６ｍｍ，深さ
Ｄを０.７ｍｍとした比較例では、基板１の成形時に基
板の最外周部に複屈折異常が発生した。これは大きなテ
ーパー部６を設けることによる基板１の歪の増加を意味
する。これに対し、本発明の参考例１〜４は良好な結果
が得られている。以上のことから、テーパー部６を半径
方向の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、板厚方向の深さＤ
を０.１ｍｍ〜０.６ｍｍの平面から成るテーパーにする
ことで、ヘッド０２がディスクに接触せず安定に浮上さ
せることができ、かつ基板１に複屈折異常等の弊害をも
たらさないことが分かる。なお表１の結果以外に、樹脂
保護層３の膜厚を８μｍと１２μｍに変え他は同一の条
件で評価した試料を作成したが、いずれもテーパー部６
の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、深さＤを０.１ｍｍ〜
０.６ｍｍの平面テーパー部６とすれば、複屈折異常を
もたらさずに、ヘッド０２をディスクに接触させずに安
定に浮上させられることが分かった。
【００１８】
【実施例】図３，図４に示すように、曲面から成るテー
パー部１６，２６を設けた基板１を作製した。実施例
は、特に指摘した点以外は参考例１〜参考例５（図１，
図２）と同様とする。テーパー部１６，２６と光磁気記
録層形成面５との交点での交角をθ、交点でのテーパー
部１６，２６への接線をＬとする。図３のテーパー部１
６は、基板１の端面を平面でカットしたＣ面ではなく、
幅Ｗと深さＤをいずれも０.３ｍｍとし、基板１に対し
て外に凸となるＲ面のテーパー部１６を設けたものであ
る。テーパー部１６と光磁気記録層形成面５との交角θ
を変えたサンプルを、表２に示す通りに作製した。また
図４のテーパー部２６は、基板１の端面形状を基板１に
対して内に凸となるＲ面として、テーパーを設けたもの
である。幅Ｗと深さＤはいずれも０.３ｍｍとした。テ
ーパー部２６と光磁気記録層形成面５との交角θを変え
たサンプルを、表３に示す通りに作製した。
パー部１６，２６を設けた基板１を作製した。実施例
は、特に指摘した点以外は参考例１〜参考例５（図１，
図２）と同様とする。テーパー部１６，２６と光磁気記
録層形成面５との交点での交角をθ、交点でのテーパー
部１６，２６への接線をＬとする。図３のテーパー部１
６は、基板１の端面を平面でカットしたＣ面ではなく、
幅Ｗと深さＤをいずれも０.３ｍｍとし、基板１に対し
て外に凸となるＲ面のテーパー部１６を設けたものであ
る。テーパー部１６と光磁気記録層形成面５との交角θ
を変えたサンプルを、表２に示す通りに作製した。また
図４のテーパー部２６は、基板１の端面形状を基板１に
対して内に凸となるＲ面として、テーパーを設けたもの
である。幅Ｗと深さＤはいずれも０.３ｍｍとした。テ
ーパー部２６と光磁気記録層形成面５との交角θを変え
たサンプルを、表３に示す通りに作製した。
【００１９】これらの基板を用いて参考例１と同様にし
て各光磁気ディスクを作製し、表１と同様の評価を行っ
た。結果をそれぞれ表２，３に示す。
て各光磁気ディスクを作製し、表１と同様の評価を行っ
た。結果をそれぞれ表２，３に示す。
【００２０】
【表２】 Ｌ ***部４ ヘッド 交角θ の高さ（μｍ） との接触 光磁気ディスク１ １５度 ６.７ 有 ２ ２３度 ４.８ 無 ３ ３５度 ４.０ 無 ４ ４３度 ３.２ 無
【００２１】
【表３】 Ｌ ***部４ ヘッド 交角θ の高さ（μｍ） との接触 光磁気ディスク５ ５０度 ３.１ 無 ６ ６０度 ３.９ 無 ７ ６８度 ４.７ 無 ８ ７５度 ６.５ 有
【００２２】図３のテーパー部１６で、θが１５度のサ
ンプル１は***部４の高さが５μｍを越え、ヘッド０２
との接触が生じた。しかしθを２３度〜４３度としたサ
ンプル２〜４では、良好な結果が得られた。これらのこ
とから交角θを２０度以上としたＲ面が必要なことが分
かった。同様にして図４のテーパー部２６の結果から、
交角θを７０度以下としたＲ面が必要なことが分かっ
た。これらの結果を総合すると、光磁気記録層形成面５
と端面のテーパー部１６，２６の交角θは、２０度以上
７０度以下となる。次に発明者は、テーパー部１６，２
６の幅Ｗや深さＤを共に０.５ｍｍとしたサンプル、共
に０.１ｍｍとしたサンプルを作成し、表２，表３と同
様の評価を行ったが、いずれも交角θを２０度以上で７
０度以下とすることにより、ヘッド０２との接触を防止
することができた。なおテーパー部１６，２６の幅Ｗが
０.５ｍｍを越えると、基板１の外周端に複屈折異常が
生じることは表１の結果から明らかである。
ンプル１は***部４の高さが５μｍを越え、ヘッド０２
との接触が生じた。しかしθを２３度〜４３度としたサ
ンプル２〜４では、良好な結果が得られた。これらのこ
とから交角θを２０度以上としたＲ面が必要なことが分
かった。同様にして図４のテーパー部２６の結果から、
交角θを７０度以下としたＲ面が必要なことが分かっ
た。これらの結果を総合すると、光磁気記録層形成面５
と端面のテーパー部１６，２６の交角θは、２０度以上
７０度以下となる。次に発明者は、テーパー部１６，２
６の幅Ｗや深さＤを共に０.５ｍｍとしたサンプル、共
に０.１ｍｍとしたサンプルを作成し、表２，表３と同
様の評価を行ったが、いずれも交角θを２０度以上で７
０度以下とすることにより、ヘッド０２との接触を防止
することができた。なおテーパー部１６，２６の幅Ｗが
０.５ｍｍを越えると、基板１の外周端に複屈折異常が
生じることは表１の結果から明らかである。
【００２３】実施例では、テーパー部１６，２６のＲ面
の形状を内にまたは外に凸の特定の形状とし、テーパー
部１６，２６の幅Ｗを０.１ｍｍ以上０.５ｍｍ以下で、
光磁気記録層形成面５との交角θを２０度以上７０度以
下とした。
の形状を内にまたは外に凸の特定の形状とし、テーパー
部１６，２６の幅Ｗを０.１ｍｍ以上０.５ｍｍ以下で、
光磁気記録層形成面５との交角θを２０度以上７０度以
下とした。
【００２４】
【発明の効果】この発明では、基板の外周端部に特定の
形状のテーパー部を設けることで、浮上式磁気ヘッドと
光磁気ディスクの接触を防止し、ヘッドクラッシュや樹
脂保護層の損傷を防止する。またこの発明では同時に、
基板外周端付近での複屈折異常等の弊害を防止する。
形状のテーパー部を設けることで、浮上式磁気ヘッドと
光磁気ディスクの接触を防止し、ヘッドクラッシュや樹
脂保護層の損傷を防止する。またこの発明では同時に、
基板外周端付近での複屈折異常等の弊害を防止する。
【図１】 参考例の光磁気ディスクの要部断面図
【図２】 参考例に用いた基板の要部断面図
【図３】 実施例に用いた基板の要部断面図
【図４】 他の実施例の基板の要部断面図
【図５】 従来例の光磁気ディスクの要部断面図１
合成樹脂基板 ２ 光磁気記録層 ３ 樹脂保護層 ４ ***部 ５ 光磁気記録層形成面 ６ テーパー部 １６ テーパー部 ２６ テーパー部 ０２ フライングヘッド
合成樹脂基板 ２ 光磁気記録層 ３ 樹脂保護層 ４ ***部 ５ 光磁気記録層形成面 ６ テーパー部 １６ テーパー部 ２６ テーパー部 ０２ フライングヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 平４−72322（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−181129（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−105823（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 7/24 G11B 7/26
Claims (1)
- 【請求項１】 合成樹脂基板の少なくとも一方の主面上
に、少なくとも光磁気記録層とスピンコートで成膜した
紫外線硬化樹脂からなる樹脂保護層とを順次積層した、
磁界変調記録用の３．５インチ単板型光磁気ディスクに
おいて、 前記樹脂保護層の膜厚を５〜１５μｍとし、かつ前記基
板の光磁気記録層形成面の外周端部のみに、その基板に
対して内または外に凸なＲ面からなるテーパー部を設け
るとともに、 該テーパー部の形成領域を、前記基板の半径方向に沿っ
て、基板の外周端より０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下、
基板の板厚方向に沿って０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下
とし、さらに前記テーパー部と前記基板の光磁気記録層
形成面との交角を２０度以上で７０度以下としたことを
特徴とする、光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25420192A JP3307689B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25420192A JP3307689B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676384A JPH0676384A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3307689B2 true JP3307689B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17261661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25420192A Expired - Fee Related JP3307689B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307689B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7233565B2 (en) | 2001-08-21 | 2007-06-19 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP3833506B2 (ja) | 2001-08-28 | 2006-10-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体製造用のスタンパ、情報記録領域及び光透過層の形成方法及び光記録媒体 |
| US7180709B2 (en) * | 2002-05-09 | 2007-02-20 | Maxtor Corporation | Information-storage media with dissimilar outer diameter and/or inner diameter chamfer designs on two sides |
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| US7083376B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-08-01 | Maxtor Corporation | Automated merge nest for pairs of magnetic storage disks |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP25420192A patent/JP3307689B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0676384A (ja) | 1994-03-18 |
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