JPH07282468A - 光ディスク基板および光ディスク - Google Patents
光ディスク基板および光ディスクInfo
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- JPH07282468A JPH07282468A JP6067160A JP6716094A JPH07282468A JP H07282468 A JPH07282468 A JP H07282468A JP 6067160 A JP6067160 A JP 6067160A JP 6716094 A JP6716094 A JP 6716094A JP H07282468 A JPH07282468 A JP H07282468A
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- recording
- groove
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C2045/2667—Particular inner or outer peripheral portions of the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】基板上に情報を記録または再生するための記録
層を有する光ディスク基板において、外周端部付近まで
安定して情報を記録できる領域を確保でき、また、高出
力で記録層を成膜しても異常放電が発生せず高速で成膜
できる光ディスク基板および光ディスクを提供する。 【構成】光を用いて情報を記録または再生する光ディス
クの基板において、基板の外周部の少なくとも一面に凹
状の溝５を形成し、溝の記録領域とは反対側の基板の厚
さｃを、記録領域側の基板の厚さａより低くして成るこ
とを特徴とする光ディスク基板、および基板の表面に情
報を記録または再生するための記録層を形成して成る光
ディスク。
層を有する光ディスク基板において、外周端部付近まで
安定して情報を記録できる領域を確保でき、また、高出
力で記録層を成膜しても異常放電が発生せず高速で成膜
できる光ディスク基板および光ディスクを提供する。 【構成】光を用いて情報を記録または再生する光ディス
クの基板において、基板の外周部の少なくとも一面に凹
状の溝５を形成し、溝の記録領域とは反対側の基板の厚
さｃを、記録領域側の基板の厚さａより低くして成るこ
とを特徴とする光ディスク基板、および基板の表面に情
報を記録または再生するための記録層を形成して成る光
ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録媒体として有用な、
光ディスク基板および光ディスクに関するものである。
光ディスク基板および光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ヘッドを用いて、情報を記録または再
生する光ディスクは、記録密度が高いため音楽やコンピ
ューターの記憶素子として広く応用されている。通常、
光ディスクの記録層は、スパッタリング、真空蒸着等の
真空成膜法で形成されている。その上には記録層を保護
するため紫外線硬化型アクリル樹脂による保護コート層
が形成されるが、基板の外周端部（角部）と内周端部は
共に保護コート層の膜厚が薄くなるため保護効果が弱
く、酸化や腐食によって記録層が欠損することがある。
そのため記録層を成膜する際にはディスクの内外周部に
マスクを装着し、端部まで記録層が形成されないように
している（図４参照）。しかし、全表面が平坦な基板に
マスクを装着した場合には、マスク表面と基板表面の間
に段差が発生し、そのためマスクの基板側端部から 1.5
mm程度は記録層の膜厚が薄くなる傾向がある。この膜厚
の減少により光の反射率が変化したり、ディスクの最内
周部および最外周部までは情報を記録または再生するこ
とができなくなるという問題があった。
生する光ディスクは、記録密度が高いため音楽やコンピ
ューターの記憶素子として広く応用されている。通常、
光ディスクの記録層は、スパッタリング、真空蒸着等の
真空成膜法で形成されている。その上には記録層を保護
するため紫外線硬化型アクリル樹脂による保護コート層
が形成されるが、基板の外周端部（角部）と内周端部は
共に保護コート層の膜厚が薄くなるため保護効果が弱
く、酸化や腐食によって記録層が欠損することがある。
そのため記録層を成膜する際にはディスクの内外周部に
マスクを装着し、端部まで記録層が形成されないように
している（図４参照）。しかし、全表面が平坦な基板に
マスクを装着した場合には、マスク表面と基板表面の間
に段差が発生し、そのためマスクの基板側端部から 1.5
mm程度は記録層の膜厚が薄くなる傾向がある。この膜厚
の減少により光の反射率が変化したり、ディスクの最内
周部および最外周部までは情報を記録または再生するこ
とができなくなるという問題があった。
【０００３】内周から外周部まで記録領域全体で記録膜
の厚さを一定にする方法として、特開平２−282942号で
はディスク基板の外周部に段差を形成し、段差を利用し
てマスクと基板面の高さの差を小さくすることが開示さ
れており、この方法によればマスクにより記録層の膜厚
が薄くなる現象は軽減することができる。また、ディス
ク基板の外周部に段差や溝または面取り部分を形成する
ことは、貼り合わせ基板において接着剤のはみ出しを
防止する、保護コート層が記録層を十分に保護でき
る、ヘッドクラッシュを防止できる等の理由で数多く
開示されている（特開平２−282941号、特開平３−1768
31号、実開平３−76222 号、実開平３−76223 号、特開
平５−47035 号参照）。
の厚さを一定にする方法として、特開平２−282942号で
はディスク基板の外周部に段差を形成し、段差を利用し
てマスクと基板面の高さの差を小さくすることが開示さ
れており、この方法によればマスクにより記録層の膜厚
が薄くなる現象は軽減することができる。また、ディス
ク基板の外周部に段差や溝または面取り部分を形成する
ことは、貼り合わせ基板において接着剤のはみ出しを
防止する、保護コート層が記録層を十分に保護でき
る、ヘッドクラッシュを防止できる等の理由で数多く
開示されている（特開平２−282941号、特開平３−1768
31号、実開平３−76222 号、実開平３−76223 号、特開
平５−47035 号参照）。
【０００４】しかしながら、本発明者等は高出力のスパ
ッタリング装置で記録層を成膜することを検討した。そ
の結果、特に高出力、例えば 150mmφのターゲットに４
kw以上を印加した時、基板の単位面積あたり25w/cm2 以
上の出力でスパッタ成膜を行った時に、マスクの端部
（鋭角頂部）と基板上の形成された膜の端部との距離が
ある程度（約 0.1mm）以下になると、マスクの付近で異
常放電が発生し外周部での記録層の膜厚が薄くなった
り、プラスチック製の基板の表面が昇温により溶融する
ことがわかった。このような異常放電を防止するために
は、例えば特開平３−168948号に開示されているように
マスクを基板の表面から離すことが有効である。しか
し、前述したようにマスクを基板から離し過ぎると外周
部で記録層の膜厚が薄くなるという不利がある。例え
ば、呼称直径90mmφの光磁気ディスクの場合、現行の規
格（日本規格協会：JIS X 6272-'92）では、最外周が半
径41mm（82mmφ）まで使用されることになっており、基
板の径が86mmφであることを考えれば、基板の最外周か
ら２mmの間で、記録層がマスクされる必要がある。も
し、１mmの幅をマスクすると、情報を記録する最外周ま
での間隔は、残りが１mmとなり、この間で記録層の膜厚
を均一にするのは困難である。また、記録容量を増やす
ために、さらに外周まで記録領域を形成した場合には、
マスクと記録領域との間隔がさらに縮められるので最外
周まで記録層を一定の膜厚で形成することはできないと
いう不利が生ずる。
ッタリング装置で記録層を成膜することを検討した。そ
の結果、特に高出力、例えば 150mmφのターゲットに４
kw以上を印加した時、基板の単位面積あたり25w/cm2 以
上の出力でスパッタ成膜を行った時に、マスクの端部
（鋭角頂部）と基板上の形成された膜の端部との距離が
ある程度（約 0.1mm）以下になると、マスクの付近で異
常放電が発生し外周部での記録層の膜厚が薄くなった
り、プラスチック製の基板の表面が昇温により溶融する
ことがわかった。このような異常放電を防止するために
は、例えば特開平３−168948号に開示されているように
マスクを基板の表面から離すことが有効である。しか
し、前述したようにマスクを基板から離し過ぎると外周
部で記録層の膜厚が薄くなるという不利がある。例え
ば、呼称直径90mmφの光磁気ディスクの場合、現行の規
格（日本規格協会：JIS X 6272-'92）では、最外周が半
径41mm（82mmφ）まで使用されることになっており、基
板の径が86mmφであることを考えれば、基板の最外周か
ら２mmの間で、記録層がマスクされる必要がある。も
し、１mmの幅をマスクすると、情報を記録する最外周ま
での間隔は、残りが１mmとなり、この間で記録層の膜厚
を均一にするのは困難である。また、記録容量を増やす
ために、さらに外周まで記録領域を形成した場合には、
マスクと記録領域との間隔がさらに縮められるので最外
周まで記録層を一定の膜厚で形成することはできないと
いう不利が生ずる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
上に情報を記録または再生するための記録層を有する光
ディスク基板において、外周端部付近まで安定して情報
を記録できる領域を確保でき、また、高出力で記録層を
成膜しても異常放電が発生せず高速で成膜できる光ディ
スク基板および光ディスクを提供することにある。
上に情報を記録または再生するための記録層を有する光
ディスク基板において、外周端部付近まで安定して情報
を記録できる領域を確保でき、また、高出力で記録層を
成膜しても異常放電が発生せず高速で成膜できる光ディ
スク基板および光ディスクを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、かかる課
題を解決するために、基板の端部形状について種々検討
と試行を重ね、諸条件を確立して本発明を完成したもの
で、その要旨は、光を用いて情報を記録または再生する
光ディスクの基板において、基板の外周部の少なくとも
一面に凹状の溝を形成し、該溝の記録領域とは反対側の
基板の高さを、記録領域側の基板の高さより低くして成
り、基板の高さをａ、溝の記録領域とは反対側の基板の
高さをｃ、その差ｄ＝ａ−ｃとした時、式ａ＞ｃまたは
0.1≦ｄ≦1.0 (mm)を満足し、凹状の溝の縦断面形状が
矩形、楔形または矩形の角を落としてＲをつけた形であ
る光ディスク基板、および該光ディスク基板の表面に情
報を記録または再生するための記録層を形成して成る光
ディスクにある。
題を解決するために、基板の端部形状について種々検討
と試行を重ね、諸条件を確立して本発明を完成したもの
で、その要旨は、光を用いて情報を記録または再生する
光ディスクの基板において、基板の外周部の少なくとも
一面に凹状の溝を形成し、該溝の記録領域とは反対側の
基板の高さを、記録領域側の基板の高さより低くして成
り、基板の高さをａ、溝の記録領域とは反対側の基板の
高さをｃ、その差ｄ＝ａ−ｃとした時、式ａ＞ｃまたは
0.1≦ｄ≦1.0 (mm)を満足し、凹状の溝の縦断面形状が
矩形、楔形または矩形の角を落としてＲをつけた形であ
る光ディスク基板、および該光ディスク基板の表面に情
報を記録または再生するための記録層を形成して成る光
ディスクにある。
【０００７】以下、本発明を図面によって詳細に説明す
る。本発明の光ディスク基板１および光ディスクは、図
１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように記録層を形成す
る面の外周部に凹状の溝５を形成し、その溝５の外側の
部分の高さｃを溝の内側の部分の高さａ（元の基板の厚
さ）より低くすることで実現される。溝５の形状は縦断
面で矩形［図１（ａ）］か、楔形［図１（ｂ）］か、矩
形の角を落としてＲをつけた形［図１（ｃ）］のいずれ
も有効である。基板の高さをａ、溝５の記録領域とは反
対側の基板の高さをｃ、その差ｄ＝ａ−ｃとした時、式
ａ＞ｃまたは 0.1≦ｄ≦1.0 (mm)を満足する光ディスク
基板である。一例として直径86mmφの光ディスクの場
合、溝５の深さｂ（基板の高さａ基準）を 0.1mm以上と
することで高出力スパッタリング時の異常放電を有効に
防止することができるが、溝５の外側の部分を記録層が
形成される面より低くするために、 0.2mm以上の深さと
した方が実用上好適である。また、溝５の幅ｅも異常放
電を防ぐために 0.1mm以上とすることが望ましいが、あ
まり大きくすると記録領域として使用できる部分が小さ
くなるため最大でも１mm以下とするのがよい。
る。本発明の光ディスク基板１および光ディスクは、図
１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように記録層を形成す
る面の外周部に凹状の溝５を形成し、その溝５の外側の
部分の高さｃを溝の内側の部分の高さａ（元の基板の厚
さ）より低くすることで実現される。溝５の形状は縦断
面で矩形［図１（ａ）］か、楔形［図１（ｂ）］か、矩
形の角を落としてＲをつけた形［図１（ｃ）］のいずれ
も有効である。基板の高さをａ、溝５の記録領域とは反
対側の基板の高さをｃ、その差ｄ＝ａ−ｃとした時、式
ａ＞ｃまたは 0.1≦ｄ≦1.0 (mm)を満足する光ディスク
基板である。一例として直径86mmφの光ディスクの場
合、溝５の深さｂ（基板の高さａ基準）を 0.1mm以上と
することで高出力スパッタリング時の異常放電を有効に
防止することができるが、溝５の外側の部分を記録層が
形成される面より低くするために、 0.2mm以上の深さと
した方が実用上好適である。また、溝５の幅ｅも異常放
電を防ぐために 0.1mm以上とすることが望ましいが、あ
まり大きくすると記録領域として使用できる部分が小さ
くなるため最大でも１mm以下とするのがよい。
【０００８】溝５の外側の高さｃは、記録層が形成され
る面（元の基板表面）より 0.1mm以上低くすることで、
外周部の記録層の膜厚の減少を有効に防止することがで
きる。成膜する必要のない部分を覆い隠すマスク４をセ
ットした影響で記録層の膜厚がマスクの近くで減少する
という影響を完全になくすためには、図２のようにマス
ク４の表面が基板１の記録層２と同じ位置か、これより
低いことが望ましい。溝５については図１（ａ）〜
（ｃ）に示したような形状に加工した基板を用い、図２
に示したようにマスク４の先端部が溝５の内側に掛かる
ようにしてスパッタリング法により記録層２を成膜し、
次いで記録層２を保護するための保護コート層３を紫外
線硬化型アクリル樹脂を用いスピンコート法により塗布
する。図３に示したように保護コート層３は完全に記録
層２を覆うので保護性能は極めて良好で、その耐久性は
通常の基板を使って作製したディスクと比較して遥かに
優れたものとなる。
る面（元の基板表面）より 0.1mm以上低くすることで、
外周部の記録層の膜厚の減少を有効に防止することがで
きる。成膜する必要のない部分を覆い隠すマスク４をセ
ットした影響で記録層の膜厚がマスクの近くで減少する
という影響を完全になくすためには、図２のようにマス
ク４の表面が基板１の記録層２と同じ位置か、これより
低いことが望ましい。溝５については図１（ａ）〜
（ｃ）に示したような形状に加工した基板を用い、図２
に示したようにマスク４の先端部が溝５の内側に掛かる
ようにしてスパッタリング法により記録層２を成膜し、
次いで記録層２を保護するための保護コート層３を紫外
線硬化型アクリル樹脂を用いスピンコート法により塗布
する。図３に示したように保護コート層３は完全に記録
層２を覆うので保護性能は極めて良好で、その耐久性は
通常の基板を使って作製したディスクと比較して遥かに
優れたものとなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施態様を実施例を挙げて具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。 （光ディスクの特性測定方法） １）膜厚分布：波長 632.8nmのＨe-Ｎe レーザー光線を
用いたエリプソメーターで、半径方向に 0.1mm間隔でＳ
i Ｎ単層の膜厚を測定した。 ２）反射率：光ディスク評価装置 OMS-2000 （ナカミチ
社製商品名）を用い、光の波長 780nm、回転数900rpm
で、各半径において12点反射率を測定し、その平均値を
採った。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。 （光ディスクの特性測定方法） １）膜厚分布：波長 632.8nmのＨe-Ｎe レーザー光線を
用いたエリプソメーターで、半径方向に 0.1mm間隔でＳ
i Ｎ単層の膜厚を測定した。 ２）反射率：光ディスク評価装置 OMS-2000 （ナカミチ
社製商品名）を用い、光の波長 780nm、回転数900rpm
で、各半径において12点反射率を測定し、その平均値を
採った。
【００１０】（実施例１）透明ＰＣ（ポリカーボネー
ト）製直径86mmφ×厚さ1.2mmt基板を用いて、図１
（ａ）のように、記録層２を形成する面の外周部に凹状
の溝５［ａ＝1.2 、ｂ＝0.5 、ｃ＝1.0 、ｄ＝0.2 、ｅ
＝0.2 単位mm］を形成し、その溝５の外側の部分の高さ
ｃを溝の内側の部分の高さａより低くなるように成形し
た。次に溝５の外側表面が記録層２を形成する面（元の
基板表面）と同じ高さになるようにマスク４をセット
し、Ｓi Ｎの単層保護膜を形成した。Ｓi Ｎ膜はＤＣマ
グネトロンスパッタ装置を用い、Ｓi ターゲットをＡr
とＮ2 を１：１に混合したガスの雰囲気で６mTorr の圧
力下６kWの出力でスパッタして作製した。膜厚は記録領
域中心部で1000Åとなるように成膜時間を設定した。得
られたＳi Ｎ単層膜の膜厚分布を特に外周端部に注目し
てプロットした（図６参照）。図から明らかなように、
本発明の溝付き基板で作製したＳi Ｎ膜はマスク端部の
極く近くまで膜厚の減少は見られなかった（マスク端部
は溝の幅ｅ(0.2mm) の中心(0.1mm) まで掛かってい
る）。次に、基板面上にＳi Ｎ保護層（前記成膜済）、
Ｔb-Ｆe-Ｃo 層からなる光磁気記録層、さらにＳi Ｎ保
護層、Ａl 合金からなる反射層を順次積層し、光磁気デ
ィスクを作製した。このときＳi Ｎ層は６kWで、他の層
は２kWで成膜したが、どの層でもマスク４の端部での異
常放電は全く発生しなかった。本発明の溝付き基板で作
製した光磁気ディスクは、図７に示したように半径41mm
の位置でも反射率の増大は殆ど見られなかった。
ト）製直径86mmφ×厚さ1.2mmt基板を用いて、図１
（ａ）のように、記録層２を形成する面の外周部に凹状
の溝５［ａ＝1.2 、ｂ＝0.5 、ｃ＝1.0 、ｄ＝0.2 、ｅ
＝0.2 単位mm］を形成し、その溝５の外側の部分の高さ
ｃを溝の内側の部分の高さａより低くなるように成形し
た。次に溝５の外側表面が記録層２を形成する面（元の
基板表面）と同じ高さになるようにマスク４をセット
し、Ｓi Ｎの単層保護膜を形成した。Ｓi Ｎ膜はＤＣマ
グネトロンスパッタ装置を用い、Ｓi ターゲットをＡr
とＮ2 を１：１に混合したガスの雰囲気で６mTorr の圧
力下６kWの出力でスパッタして作製した。膜厚は記録領
域中心部で1000Åとなるように成膜時間を設定した。得
られたＳi Ｎ単層膜の膜厚分布を特に外周端部に注目し
てプロットした（図６参照）。図から明らかなように、
本発明の溝付き基板で作製したＳi Ｎ膜はマスク端部の
極く近くまで膜厚の減少は見られなかった（マスク端部
は溝の幅ｅ(0.2mm) の中心(0.1mm) まで掛かってい
る）。次に、基板面上にＳi Ｎ保護層（前記成膜済）、
Ｔb-Ｆe-Ｃo 層からなる光磁気記録層、さらにＳi Ｎ保
護層、Ａl 合金からなる反射層を順次積層し、光磁気デ
ィスクを作製した。このときＳi Ｎ層は６kWで、他の層
は２kWで成膜したが、どの層でもマスク４の端部での異
常放電は全く発生しなかった。本発明の溝付き基板で作
製した光磁気ディスクは、図７に示したように半径41mm
の位置でも反射率の増大は殆ど見られなかった。
【００１１】（実施例２）透明ＰＣ製直径86mmφ×厚さ
1.2mmt基板を用いて、図１（ｂ）のように、記録層２を
形成する面の外周部に楔状の溝５［ａ＝1.2 、ｂ＝0.5
、ｃ＝1.0 、ｄ＝0.2 、ｅ＝0.2 単位mm］を形成し、
その溝５の外側の部分の高さｃを溝の内側の部分の高さ
ａより低くなるように成形した。次に溝５の外側表面が
記録層２を形成する面（元の基板表面）と同じ高さにな
るようにマスク４をセットし、Ｓi Ｎの単層保護膜を形
成した。成膜条件は実施例１と同様にし、得られたＳi
Ｎ単層膜の膜厚分布を特に外周端部に注目してプロット
した（図６参照）。図から明らかなように、本発明の楔
状溝付き基板で作製したＳi Ｎ膜はマスク端部の極く近
くまで膜厚の減少は見られなかった。次に、実施例１と
同様のスパッタ条件で、基板面上にＳi Ｎ保護層（前記
成膜済）、Ｔb-Ｆe-Ｃo 層からなる光磁気記録層、さら
にＳi Ｎ保護層、Ａl 合金からなる反射層を順次積層
し、光磁気ディスクを作製した。このときにも、どの層
においてもマスク４の端部での異常放電は全く発生しな
かった。本発明の楔状溝付き基板で作製した光磁気ディ
スクは、図７に示したように半径41mmの外周部でも反射
率の増大は殆ど見られなかった。
1.2mmt基板を用いて、図１（ｂ）のように、記録層２を
形成する面の外周部に楔状の溝５［ａ＝1.2 、ｂ＝0.5
、ｃ＝1.0 、ｄ＝0.2 、ｅ＝0.2 単位mm］を形成し、
その溝５の外側の部分の高さｃを溝の内側の部分の高さ
ａより低くなるように成形した。次に溝５の外側表面が
記録層２を形成する面（元の基板表面）と同じ高さにな
るようにマスク４をセットし、Ｓi Ｎの単層保護膜を形
成した。成膜条件は実施例１と同様にし、得られたＳi
Ｎ単層膜の膜厚分布を特に外周端部に注目してプロット
した（図６参照）。図から明らかなように、本発明の楔
状溝付き基板で作製したＳi Ｎ膜はマスク端部の極く近
くまで膜厚の減少は見られなかった。次に、実施例１と
同様のスパッタ条件で、基板面上にＳi Ｎ保護層（前記
成膜済）、Ｔb-Ｆe-Ｃo 層からなる光磁気記録層、さら
にＳi Ｎ保護層、Ａl 合金からなる反射層を順次積層
し、光磁気ディスクを作製した。このときにも、どの層
においてもマスク４の端部での異常放電は全く発生しな
かった。本発明の楔状溝付き基板で作製した光磁気ディ
スクは、図７に示したように半径41mmの外周部でも反射
率の増大は殆ど見られなかった。
【００１２】（比較例）比較例として通常の溝のない基
板を用いた以外は実施例１と同様にＳi Ｎ単層膜を成膜
し、Ｓi Ｎ単層膜の膜厚分布を特に外周端部に注目して
プロットした（図６参照）。図から明らかなように、マ
スク端部から約 1.5mmの位置から徐々に膜厚が減少し、
１mmの位置では20％程度薄くなっているのが判る。次
に、実施例１と同様のスパッタ条件で基板面からＳi Ｎ
保護層（前記成膜済）、Ｔb-Ｆe-Ｃo 層からなる光磁気
記録層、さらにＳi Ｎ保護層、Ａl 合金からなる反射層
を順次積層し、光磁気ディスクを作製したが、10枚に３
枚程度の割合でマスクの端部に異常放電が発生し、基板
の外周部が黒っぽく変色しているものがあった。異常放
電が起きなかったものを選んで、種々の半径で反射率を
測定した結果（図７参照）、外周部での反射率が半径40
mm以上で異常に大きくなっていた。
板を用いた以外は実施例１と同様にＳi Ｎ単層膜を成膜
し、Ｓi Ｎ単層膜の膜厚分布を特に外周端部に注目して
プロットした（図６参照）。図から明らかなように、マ
スク端部から約 1.5mmの位置から徐々に膜厚が減少し、
１mmの位置では20％程度薄くなっているのが判る。次
に、実施例１と同様のスパッタ条件で基板面からＳi Ｎ
保護層（前記成膜済）、Ｔb-Ｆe-Ｃo 層からなる光磁気
記録層、さらにＳi Ｎ保護層、Ａl 合金からなる反射層
を順次積層し、光磁気ディスクを作製したが、10枚に３
枚程度の割合でマスクの端部に異常放電が発生し、基板
の外周部が黒っぽく変色しているものがあった。異常放
電が起きなかったものを選んで、種々の半径で反射率を
測定した結果（図７参照）、外周部での反射率が半径40
mm以上で異常に大きくなっていた。
【００１３】
【発明の効果】本発明の溝付き基板を用いて光ディスク
を作製すると、記録層や反射層の膜厚分布が基板外周端
部付近まで均一となり、記録トラックの最外周まで安定
した情報の記録再生領域を確保できる。また高出力で記
録層を成膜してもマスクの端部で異常放電が発生しない
ため、成膜速度を向上させることができ、光ディスクの
生産性が向上する。さらに記録トラックを現在の規格よ
り外周部まで拡大することが可能となり記録容量が増大
することとなり、産業上その利用価値は極めて高い。
を作製すると、記録層や反射層の膜厚分布が基板外周端
部付近まで均一となり、記録トラックの最外周まで安定
した情報の記録再生領域を確保できる。また高出力で記
録層を成膜してもマスクの端部で異常放電が発生しない
ため、成膜速度を向上させることができ、光ディスクの
生産性が向上する。さらに記録トラックを現在の規格よ
り外周部まで拡大することが可能となり記録容量が増大
することとなり、産業上その利用価値は極めて高い。
【図１】本発明の外周部に溝を付けた光ディスク基板の
縦断面図（内周部は省略）である。 （ａ）矩形溝付き光ディスク基板の縦断面図である。 （ｂ）楔形溝付き光ディスク基板の縦断面図である。 （ｃ）矩形の角を落としＲを付けた形の溝付き光ディス
ク基板の縦断面図である。
縦断面図（内周部は省略）である。 （ａ）矩形溝付き光ディスク基板の縦断面図である。 （ｂ）楔形溝付き光ディスク基板の縦断面図である。 （ｃ）矩形の角を落としＲを付けた形の溝付き光ディス
ク基板の縦断面図である。
【図２】矩形溝付き光ディスク基板にマスクをセット
し、記録層を成膜した状態を示す縦断面図である。
し、記録層を成膜した状態を示す縦断面図である。
【図３】矩形溝付き光ディスク基板に保護膜を成膜し、
光ディスクとした状態を示す縦断面図である。
光ディスクとした状態を示す縦断面図である。
【図４】従来の溝なし光ディスク基板にマスクをセット
し、記録層を成膜した状態を示す縦断面図である。
し、記録層を成膜した状態を示す縦断面図である。
【図５】光ディスクの情報領域を示す平面図である。
【図６】実施例と比較例について、Ｓi Ｎ層を成膜した
時の半径方向の膜厚分布を示すグラフである。
時の半径方向の膜厚分布を示すグラフである。
【図７】実施例と比較例について、光ディスクの半径方
向の反射率を示すグラフである。
向の反射率を示すグラフである。
１ 基板 ２ 記録層 ３ 保護膜 ４ マスク ５ 溝 ６ マスクする領域 ７ 記録領域 ８ 中心孔 ａ 基板の高さ ｂ 溝の深さ ｃ 基板の溝の記録領域とは反対側の高さ ｄ ａとｃとの差 ｅ 溝の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 博樹 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 吉田 郁男 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 山村 和市 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】光を用いて情報を記録または再生する光デ
ィスクの基板において、基板の外周部の記録層の成膜さ
れる側の面に凹状の溝を形成し、該溝の記録領域とは反
対側の基板の高さを記録領域側の基板の高さより低くし
て成ることを特徴とする光ディスク基板。 - 【請求項２】基板の高さをａ、溝の記録領域とは反対側
の基板の高さをｃ、その差ｄ＝ａ−ｃとした時、式ａ＞
ｃまたは 0.1≦ｄ≦1.0 (単位mm) を満足する請求項１
に記載の光ディスク基板。 - 【請求項３】凹状の溝の縦断面形状が矩形、楔形または
矩形の角を落としてＲをつけた形である請求項１または
２に記載の光ディスク基板。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の光ディス
ク基板の表面に情報を記録または再生するための記録層
を形成して成る光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6067160A JPH07282468A (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | 光ディスク基板および光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6067160A JPH07282468A (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | 光ディスク基板および光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282468A true JPH07282468A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13336872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6067160A Pending JPH07282468A (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | 光ディスク基板および光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07282468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1245363A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | TDK Corporation | Stamper, mold system, recording medium substrate, recording medium, optical disc substrate, optical disc, and method for producing stamper |
| US6844045B2 (en) * | 2001-02-23 | 2005-01-18 | Tdk Corporation | Method for making optical information medium and optical information medium |
| KR100648332B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2006-11-23 | 엘지전자 주식회사 | 광 디스크 제조 방법 |
-
1994
- 1994-04-05 JP JP6067160A patent/JPH07282468A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100648332B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2006-11-23 | 엘지전자 주식회사 | 광 디스크 제조 방법 |
| US6844045B2 (en) * | 2001-02-23 | 2005-01-18 | Tdk Corporation | Method for making optical information medium and optical information medium |
| EP1245363A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | TDK Corporation | Stamper, mold system, recording medium substrate, recording medium, optical disc substrate, optical disc, and method for producing stamper |
| US6815029B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-09 | Tdk Corporation | Stamper, mold system, recording medium substrate, recording medium, optical disc substrate, optical disc, and method for producing stamper |
| US6835435B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-12-28 | Tdk Corporation | Stamper, mold system, recording medium substrate, recording medium, optical disc substrate, optical disc, and method for producing stamper |
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