JP3307370B2 - 半導体製造装置用治具及びその使用方法 - Google Patents
半導体製造装置用治具及びその使用方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01L21/3105—After-treatment
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置用
治具及びその使用方法に関し、特に、化学気相成長装置
等に使用され、エッチングにより再生する際のダメージ
の防止を図った半導体製造装置用治具及びその使用方法
に関する。
治具及びその使用方法に関し、特に、化学気相成長装置
等に使用され、エッチングにより再生する際のダメージ
の防止を図った半導体製造装置用治具及びその使用方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体基板に所定の処理を行う
ため、その基板を処理容器内に保持する治具は重金属汚
染物質で汚染されている等の問題があり、使用する前に
治具を清浄にする。例えば、熱処理工程に使用される炭
化珪素（ＳｉＣ）製治具を清浄にする方法においては、
先ず塩酸によってＳｉＣ製治具（以下ＳｉＣ）を洗浄し
て表面の汚染物質を取り除いた後、１２７０℃で３時間
の酸化を行ってＳｉＣ表面に酸化膜を形成し、次いで１
２７０℃、窒素雰囲気中で４８時間の熱処理を行ってＳ
ｉＣ表面とシリコン酸化膜との界面にシリコン窒化膜を
形成する。このようにして清浄にしたＳｉＣは、十分緻
密なシリコン窒化膜が形成されるため、ＳｉＣに含まれ
ている汚染物質が外方向へ拡散せず半導体基板に悪影響
を及ぼさない（特開昭６３−１２３８８７）。
ため、その基板を処理容器内に保持する治具は重金属汚
染物質で汚染されている等の問題があり、使用する前に
治具を清浄にする。例えば、熱処理工程に使用される炭
化珪素（ＳｉＣ）製治具を清浄にする方法においては、
先ず塩酸によってＳｉＣ製治具（以下ＳｉＣ）を洗浄し
て表面の汚染物質を取り除いた後、１２７０℃で３時間
の酸化を行ってＳｉＣ表面に酸化膜を形成し、次いで１
２７０℃、窒素雰囲気中で４８時間の熱処理を行ってＳ
ｉＣ表面とシリコン酸化膜との界面にシリコン窒化膜を
形成する。このようにして清浄にしたＳｉＣは、十分緻
密なシリコン窒化膜が形成されるため、ＳｉＣに含まれ
ている汚染物質が外方向へ拡散せず半導体基板に悪影響
を及ぼさない（特開昭６３−１２３８８７）。
【０００３】従来、減圧化学気相成長（low pressure c
hemical vapor deposition（ＬＰＣＶＤ））装置用治具
の使用方法においては、半導体基板にＬＰＣＶＤにより
窒化膜等を成膜すると、同時に治具上にも窒化膜及びチ
ャンバー内の不純物等（以下、窒化膜等という。）が付
着し、堆積する。この治具上に堆積する窒化膜等が所定
の累積膜厚に達した後、その治具を湿式エッチングする
ことにより治具上の窒化膜等を除去して治具を再生し、
繰り返し使用する方法が採用されている。
hemical vapor deposition（ＬＰＣＶＤ））装置用治具
の使用方法においては、半導体基板にＬＰＣＶＤにより
窒化膜等を成膜すると、同時に治具上にも窒化膜及びチ
ャンバー内の不純物等（以下、窒化膜等という。）が付
着し、堆積する。この治具上に堆積する窒化膜等が所定
の累積膜厚に達した後、その治具を湿式エッチングする
ことにより治具上の窒化膜等を除去して治具を再生し、
繰り返し使用する方法が採用されている。
【０００４】しかしながら、このような方法では、治具
上に付着し、堆積する窒化膜等に局部的な膜厚のばらつ
きがあると、膜厚が厚い部分で、エッチング後に窒化膜
等の膜残りが発生しやすい。そこで、膜残り防止のため
に一般的には追加エッチングが実施されている。図２
（ａ）乃至（ｃ）はＬＰＣＶＤ装置に使用される従来の
治具を説明する模式図である。
上に付着し、堆積する窒化膜等に局部的な膜厚のばらつ
きがあると、膜厚が厚い部分で、エッチング後に窒化膜
等の膜残りが発生しやすい。そこで、膜残り防止のため
に一般的には追加エッチングが実施されている。図２
（ａ）乃至（ｃ）はＬＰＣＶＤ装置に使用される従来の
治具を説明する模式図である。
【０００５】ＬＰＣＶＤ装置の治具を使用する際には、
先ず、治具を治具洗浄槽にセットして初期洗浄を行う。
初期洗浄はＨＦ、ＨＮＯ3及びＨ2Ｏの混合液を使用して
３０分間行う。次に、例えば半導体基板を治具１上に保
持し、半導体基板上に窒化膜３を堆積するために治具１
を使用すると、図２（ａ）に示すように、治具１上にも
窒化膜３が付着し、堆積する。治具１上に堆積する窒化
膜３の累積膜厚が所定の膜厚に達した後、治具１を装置
から外す。その後、窒化膜３を堆積した治具１をＬＰＣ
ＶＤ装置から取り外し、ＨＦ及びＨＮＯ3混合液を使用
してエッチングにより治具１を再生する。図２（ｂ）に
示すように、治具１上に堆積した窒化膜３はその膜厚が
均一でなく、局部的なばらつきがあると、堆積している
窒化膜３の膜厚が厚い部分はエッチングによって除去さ
れず、従って、エッチングにより再生した治具１の表面
上には窒化膜の凸部分３ａが残存している。このような
治具１上に残存してしまった窒化膜の凸部分３ａを除去
するために、追加エッチングを行い、治具１を再生して
いる。
先ず、治具を治具洗浄槽にセットして初期洗浄を行う。
初期洗浄はＨＦ、ＨＮＯ3及びＨ2Ｏの混合液を使用して
３０分間行う。次に、例えば半導体基板を治具１上に保
持し、半導体基板上に窒化膜３を堆積するために治具１
を使用すると、図２（ａ）に示すように、治具１上にも
窒化膜３が付着し、堆積する。治具１上に堆積する窒化
膜３の累積膜厚が所定の膜厚に達した後、治具１を装置
から外す。その後、窒化膜３を堆積した治具１をＬＰＣ
ＶＤ装置から取り外し、ＨＦ及びＨＮＯ3混合液を使用
してエッチングにより治具１を再生する。図２（ｂ）に
示すように、治具１上に堆積した窒化膜３はその膜厚が
均一でなく、局部的なばらつきがあると、堆積している
窒化膜３の膜厚が厚い部分はエッチングによって除去さ
れず、従って、エッチングにより再生した治具１の表面
上には窒化膜の凸部分３ａが残存している。このような
治具１上に残存してしまった窒化膜の凸部分３ａを除去
するために、追加エッチングを行い、治具１を再生して
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
治具１に対する追加エッチングにより、以下に示す問題
点が生じる。即ち、治具１上に形成された窒化膜３のう
ち膜厚が比較的薄い部分では、既に窒化膜３の除去が完
了しており、この部分においては治具１の表面が露出し
ている。このため、治具１に対してオーバーエッチング
をすることになり、図２（ｃ）に示すように、治具１の
表面が部分的に過度にエッチングされ、治具１にダメー
ジを与えてしまい、治具の寿命を短くしてしまうという
問題点がある。
治具１に対する追加エッチングにより、以下に示す問題
点が生じる。即ち、治具１上に形成された窒化膜３のう
ち膜厚が比較的薄い部分では、既に窒化膜３の除去が完
了しており、この部分においては治具１の表面が露出し
ている。このため、治具１に対してオーバーエッチング
をすることになり、図２（ｃ）に示すように、治具１の
表面が部分的に過度にエッチングされ、治具１にダメー
ジを与えてしまい、治具の寿命を短くしてしまうという
問題点がある。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ダメージを与えることなくエッチング再生
することができる半導体製造装置用治具及びその使用方
法を提供することを目的とする。
のであって、ダメージを与えることなくエッチング再生
することができる半導体製造装置用治具及びその使用方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜が表面にコーティングされてい
ることを特徴とする。また、本発明に係る他の半導体製
造装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に
使用される半導体製造装置用治具において、前記半導体
基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度
が速いポリシリコン膜が表面にコーティングされている
ことを特徴とする。
装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜が表面にコーティングされてい
ることを特徴とする。また、本発明に係る他の半導体製
造装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に
使用される半導体製造装置用治具において、前記半導体
基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度
が速いポリシリコン膜が表面にコーティングされている
ことを特徴とする。
【０００９】本発明に係る半導体製造装置用治具の使用
方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用され
る半導体製造装置用治具の使用方法において、前記半導
体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速
度が速いＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を表面にコーティングする
工程と、このＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を有する治具を使用し
て前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式
エッチングすることにより前記治具表面のＴＥＯＳ−Ｎ
ＳＧ膜を除去して再生する工程とを有することを特徴と
する。また、本発明に係る他の半導体製造装置用治具の
使用方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用
される半導体製造装置用治具の使用方法において、前記
半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチン
グ速度が速いポリシリコン膜を表面にコーティングする
工程と、このポリシリコン膜を有する治具を使用して前
記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式エッ
チングすることにより前記治具表面のポリシリコン膜を
除去して再生する工程とを有することを特徴とする。
方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用され
る半導体製造装置用治具の使用方法において、前記半導
体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速
度が速いＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を表面にコーティングする
工程と、このＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を有する治具を使用し
て前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式
エッチングすることにより前記治具表面のＴＥＯＳ−Ｎ
ＳＧ膜を除去して再生する工程とを有することを特徴と
する。また、本発明に係る他の半導体製造装置用治具の
使用方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用
される半導体製造装置用治具の使用方法において、前記
半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチン
グ速度が速いポリシリコン膜を表面にコーティングする
工程と、このポリシリコン膜を有する治具を使用して前
記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式エッ
チングすることにより前記治具表面のポリシリコン膜を
除去して再生する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】本発明においては、半導体基板上に形成し
ようとする膜よりエッチング速度が速い膜が治具表面に
予めコーティングされている。なお、以下、半導体基板
上に形成しようとする膜を生産膜ともいう。この治具を
半導体製造装置で使用し、前記半導体基板上に生産膜を
成膜すると、生産膜が治具表面のコーティング膜上にも
付着する。付着した生産膜が所定の膜厚となった後、治
具を装置から取り出し湿式エッチングにより再生する。
そうすると、先ず、コーティング膜に付着している生産
膜のうち膜厚が薄い部分において生産膜の下のコーティ
ング膜が露出され、露出したコーティング膜は生産膜よ
りエッチング速度が速いために優先的にエッチングが進
み、除去される。このとき、除去されるコーティング膜
と共にその上に付着していた生産膜も剥離して除去され
るため、治具上に生産膜が残存することはなく、従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないので
治具に対するオーバーエッチングが解消される。
ようとする膜よりエッチング速度が速い膜が治具表面に
予めコーティングされている。なお、以下、半導体基板
上に形成しようとする膜を生産膜ともいう。この治具を
半導体製造装置で使用し、前記半導体基板上に生産膜を
成膜すると、生産膜が治具表面のコーティング膜上にも
付着する。付着した生産膜が所定の膜厚となった後、治
具を装置から取り出し湿式エッチングにより再生する。
そうすると、先ず、コーティング膜に付着している生産
膜のうち膜厚が薄い部分において生産膜の下のコーティ
ング膜が露出され、露出したコーティング膜は生産膜よ
りエッチング速度が速いために優先的にエッチングが進
み、除去される。このとき、除去されるコーティング膜
と共にその上に付着していた生産膜も剥離して除去され
るため、治具上に生産膜が残存することはなく、従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないので
治具に対するオーバーエッチングが解消される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る半導
体製造装置用治具及びその使用方法について添付の図面
を参照して具体的に説明する。本実施例の半導体製造装
置用治具としては、例えばＬＰＣＶＤ装置に使用され、
半導体基板上に形成しようとする膜である生産膜を成膜
する際に前記基板を保持するステージ等がある。このよ
うな治具をエッチングにより再生するためには、例えば
基板上に生産膜を形成する前に、治具を初期洗浄し、そ
の後治具をエッチングにより再生する際のエッチング液
に対して前記基板上に形成する生産膜の膜種よりエッチ
ング速度が速い膜を予め治具にコーティングする。その
後、治具をＬＰＣＶＤ装置内で使用して窒化膜等の生産
膜を半導体基板上に形成すると、治具表面にコーティン
グされたコーティング膜よりエッチング速度が遅い膜で
ある生産膜が半導体基板だけではなく治具上にも付着
し、堆積する。
体製造装置用治具及びその使用方法について添付の図面
を参照して具体的に説明する。本実施例の半導体製造装
置用治具としては、例えばＬＰＣＶＤ装置に使用され、
半導体基板上に形成しようとする膜である生産膜を成膜
する際に前記基板を保持するステージ等がある。このよ
うな治具をエッチングにより再生するためには、例えば
基板上に生産膜を形成する前に、治具を初期洗浄し、そ
の後治具をエッチングにより再生する際のエッチング液
に対して前記基板上に形成する生産膜の膜種よりエッチ
ング速度が速い膜を予め治具にコーティングする。その
後、治具をＬＰＣＶＤ装置内で使用して窒化膜等の生産
膜を半導体基板上に形成すると、治具表面にコーティン
グされたコーティング膜よりエッチング速度が遅い膜で
ある生産膜が半導体基板だけではなく治具上にも付着
し、堆積する。
【００１２】その後、生産膜が所定の膜厚に達した後、
この治具を装置から取り出し、湿式エッチング液中に浸
漬する。この治具表面には、予めコーティング膜が形成
されているため、治具を湿式エッチングすると、コーテ
ィング膜上に堆積したエッチング速度が遅い生産膜が、
その膜厚が薄い部分で先ず除去されてその下層のコーテ
ィング膜が露出する。そうすると、このエッチング速度
が速いコーティング膜が優先的に除去され、その上の生
産膜が剥離する。これにより、生産膜がエッチング速度
が速いコーティング膜と共に剥離して除去され、治具上
に残存することがない。従って、治具に対するオーバー
エッチングが解消される。
この治具を装置から取り出し、湿式エッチング液中に浸
漬する。この治具表面には、予めコーティング膜が形成
されているため、治具を湿式エッチングすると、コーテ
ィング膜上に堆積したエッチング速度が遅い生産膜が、
その膜厚が薄い部分で先ず除去されてその下層のコーテ
ィング膜が露出する。そうすると、このエッチング速度
が速いコーティング膜が優先的に除去され、その上の生
産膜が剥離する。これにより、生産膜がエッチング速度
が速いコーティング膜と共に剥離して除去され、治具上
に残存することがない。従って、治具に対するオーバー
エッチングが解消される。
【００１３】以下、本発明の第１の実施例について更に
詳細に説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）は本実施例に係
るＬＰＣＶＤ装置に使用される治具の使用方法を説明す
る模式図である。本実施例の治具はＬＰＣＶＤ装置に使
用するものであって、例えば、半導体基板に生産膜を成
膜する際、基板を保持するために使用するステージ等の
治具であるが、ＬＰＣＶＤ装置及び半導体基板は図示を
省略する。
詳細に説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）は本実施例に係
るＬＰＣＶＤ装置に使用される治具の使用方法を説明す
る模式図である。本実施例の治具はＬＰＣＶＤ装置に使
用するものであって、例えば、半導体基板に生産膜を成
膜する際、基板を保持するために使用するステージ等の
治具であるが、ＬＰＣＶＤ装置及び半導体基板は図示を
省略する。
【００１４】ＬＰＣＶＤ装置の治具を使用する際には、
先ず、治具をその洗浄槽に浸漬し初期洗浄を行う。初期
洗浄は、ＨＦ、ＨＮＯ3及びＨ2Ｏの混合液等を使用し、
３０分間実施する。
先ず、治具をその洗浄槽に浸漬し初期洗浄を行う。初期
洗浄は、ＨＦ、ＨＮＯ3及びＨ2Ｏの混合液等を使用し、
３０分間実施する。
【００１５】次に、図１（ａ）に示すように、治具１上
にエッチング再生する際のエッチング液に対して生産膜
よりエッチング速度が速いコーティング膜を治具１上に
形成する。エッチング再生するエッチング液にはＨＦ及
びＨＮＯ3の混合液等を使用することができる。本実施
例においてはＨＦ及びＨＮＯ3の混合液のエッチング液
に対して、例えば生産膜を窒化膜とすると、エッチング
速度が生産膜より速いコーティング膜として例えばＴＥ
ＯＳ-ＮＳＧ（オルトテトラエトキシシラン（Si(OC2H5)
4）−nitride-silicate glass）膜２を使用することが
できる。
にエッチング再生する際のエッチング液に対して生産膜
よりエッチング速度が速いコーティング膜を治具１上に
形成する。エッチング再生するエッチング液にはＨＦ及
びＨＮＯ3の混合液等を使用することができる。本実施
例においてはＨＦ及びＨＮＯ3の混合液のエッチング液
に対して、例えば生産膜を窒化膜とすると、エッチング
速度が生産膜より速いコーティング膜として例えばＴＥ
ＯＳ-ＮＳＧ（オルトテトラエトキシシラン（Si(OC2H5)
4）−nitride-silicate glass）膜２を使用することが
できる。
【００１６】先ず、治具１をＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜成長装
置にセットし、窒化膜よりエッチング速度が速いＴＥＯ
Ｓ-ＮＳＧ膜２を治具１に例えば膜厚５０００Åでコー
ティングする。エッチングにより再生する際のエッチン
グ液をＨＦ及びＨＮＯ3の混合液とすると、このＴＥＯ
Ｓ-ＮＳＧ膜２のエッチング液に対するエッチング速度
は例えば約１０００Å／分である。
置にセットし、窒化膜よりエッチング速度が速いＴＥＯ
Ｓ-ＮＳＧ膜２を治具１に例えば膜厚５０００Åでコー
ティングする。エッチングにより再生する際のエッチン
グ液をＨＦ及びＨＮＯ3の混合液とすると、このＴＥＯ
Ｓ-ＮＳＧ膜２のエッチング液に対するエッチング速度
は例えば約１０００Å／分である。
【００１７】ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２による治具１のコー
ティングが完了した後、例えば、治具１上に半導体基板
を保持し、その半導体基板上にＬＰＣＶＤにより生産膜
を成膜する。この生産膜は本実施例においては例えば窒
化膜である。
ティングが完了した後、例えば、治具１上に半導体基板
を保持し、その半導体基板上にＬＰＣＶＤにより生産膜
を成膜する。この生産膜は本実施例においては例えば窒
化膜である。
【００１８】なお、生産膜が窒化膜であるときは、この
生産膜よりもエッチング速度が速いコーティング膜とし
て、ポリシリコン膜等を使用することもできる。治具１
のコーティング膜にポリシリコン膜を使用した場合のポ
リシリコン膜の膜厚及びエッチングにより再生するため
に要する時間はＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２と同様である。
生産膜よりもエッチング速度が速いコーティング膜とし
て、ポリシリコン膜等を使用することもできる。治具１
のコーティング膜にポリシリコン膜を使用した場合のポ
リシリコン膜の膜厚及びエッチングにより再生するため
に要する時間はＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２と同様である。
【００１９】コーティング膜が形成された治具１に半導
体基板を保持した後、治具１を窒化膜成長炉に装入し、
前記半導体基板上に窒化膜３を形成する。図１（ａ）に
示すように、基板上に生産膜である窒化膜３を形成する
と治具１上のＴＥＯＳ-ＮＳＧ膜２上にも窒化膜３が付
着する。この窒化膜３の累積膜厚が例えば６００００Å
に達した後、治具１をＬＰＣＶＤ装置から取り外す。こ
の場合に、治具１上のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２上に堆積し
た窒化膜３の表面は通常平坦ではなく凹凸ができてお
り、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分とがある。
体基板を保持した後、治具１を窒化膜成長炉に装入し、
前記半導体基板上に窒化膜３を形成する。図１（ａ）に
示すように、基板上に生産膜である窒化膜３を形成する
と治具１上のＴＥＯＳ-ＮＳＧ膜２上にも窒化膜３が付
着する。この窒化膜３の累積膜厚が例えば６００００Å
に達した後、治具１をＬＰＣＶＤ装置から取り外す。こ
の場合に、治具１上のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２上に堆積し
た窒化膜３の表面は通常平坦ではなく凹凸ができてお
り、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分とがある。
【００２０】次に、ＨＦ及びＨＮＯ3の混合を使用して
治具１を湿式エッチングする。エッチング液としてＨＦ
及びＨＮＯ3の混合液を使用する場合は、窒化膜３に対
するエッチング速度は例えば約４００Å／分である。
治具１を湿式エッチングする。エッチング液としてＨＦ
及びＨＮＯ3の混合液を使用する場合は、窒化膜３に対
するエッチング速度は例えば約４００Å／分である。
【００２１】図１（ｂ）に示すように、上層の窒化膜３
の膜厚が均一でないので、エッチング液に浸漬された
後、先ず、窒化膜３における膜厚が薄い凹部分が完全に
除去され、下層のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２が露出する。窒
化膜３における膜厚が厚い凸部分ではＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜２上に窒化膜の凸部分３ａが残存する。
の膜厚が均一でないので、エッチング液に浸漬された
後、先ず、窒化膜３における膜厚が薄い凹部分が完全に
除去され、下層のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２が露出する。窒
化膜３における膜厚が厚い凸部分ではＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜２上に窒化膜の凸部分３ａが残存する。
【００２２】このように、部分的に下層のＴＥＯＳ−Ｎ
ＳＧ膜２が露出した状態で治具１のエッチングが進む
と、図１（ｃ）に示すように、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２
は、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２上に付着している窒化膜３と
比べるとエッチング速度が２倍以上速いためにＴＥＯＳ
-ＮＳＧ膜２が露出した部分では、窒化膜３より優先的
にＴＥＯＳ-ＮＳＧ膜２がエッチングされる。
ＳＧ膜２が露出した状態で治具１のエッチングが進む
と、図１（ｃ）に示すように、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２
は、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２上に付着している窒化膜３と
比べるとエッチング速度が２倍以上速いためにＴＥＯＳ
-ＮＳＧ膜２が露出した部分では、窒化膜３より優先的
にＴＥＯＳ-ＮＳＧ膜２がエッチングされる。
【００２３】図１（ｄ）に示すように、更にエッチング
が進むと、治具１表面上にコーティングされていたＴＥ
ＯＳ−ＮＳＧ膜２が横方向にエッチングされていき、Ｔ
ＥＯＳ-ＮＳＧ膜２が治具１上から完全に除去される際
に、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２上にエッチング除去されずに
残存していた窒化膜３も治具１から剥離し、ＴＥＯＳ−
ＮＳＧ膜２と共に治具１から除去される。
が進むと、治具１表面上にコーティングされていたＴＥ
ＯＳ−ＮＳＧ膜２が横方向にエッチングされていき、Ｔ
ＥＯＳ-ＮＳＧ膜２が治具１上から完全に除去される際
に、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２上にエッチング除去されずに
残存していた窒化膜３も治具１から剥離し、ＴＥＯＳ−
ＮＳＧ膜２と共に治具１から除去される。
【００２４】このように生産用の窒化膜３よりエッチン
グ速度が速い膜によって治具１をコーティングしておく
ことにより、治具１をエッチングにより再生する際、治
具１上に付着した生産用の窒化膜３が残存することがな
く、従って従来のように追加エッチングをする必要がな
いため、治具１表面のオーバーエッチングが解消され、
治具１へのダメージを防止することができる。
グ速度が速い膜によって治具１をコーティングしておく
ことにより、治具１をエッチングにより再生する際、治
具１上に付着した生産用の窒化膜３が残存することがな
く、従って従来のように追加エッチングをする必要がな
いため、治具１表面のオーバーエッチングが解消され、
治具１へのダメージを防止することができる。
【００２５】なお、エッチング再生が終了した治具１
は、その後、水洗を例えば８０分間行い、乾燥機に移し
て例えば６時間乾燥した後、再度ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２
を成膜し、再使用される。
は、その後、水洗を例えば８０分間行い、乾燥機に移し
て例えば６時間乾燥した後、再度ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２
を成膜し、再使用される。
【００２６】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。第１の実施例においては治具１にＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜２をコーティングする工程と、基板上に生産用の窒化
膜３を成膜する工程とは別々のＬＰＣＶＤ装置で行った
が、本実施例ではＬＰＣＶＤ装置を、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜２と窒化膜３との双方を成膜できるように構成し、Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜２と窒化膜３との成膜を同一装置の同
一チャンバ内で連続して行うことができるようにした。
る。第１の実施例においては治具１にＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜２をコーティングする工程と、基板上に生産用の窒化
膜３を成膜する工程とは別々のＬＰＣＶＤ装置で行った
が、本実施例ではＬＰＣＶＤ装置を、ＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜２と窒化膜３との双方を成膜できるように構成し、Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜２と窒化膜３との成膜を同一装置の同
一チャンバ内で連続して行うことができるようにした。
【００２７】通常、ＬＰＣＶＤ装置の治具は５００乃至
８００℃の高温に熱せられているので、第１の実施例で
行ったようにＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２と窒化膜３とを形成
するために治具を付け替えると、高温に熱せられた治具
を一旦冷却する必要がある。そこで、２種類の膜種を同
一の装置によって成膜することができるようにＬＰＣＶ
Ｄ装置を構成すれば、治具にコーティング膜を形成する
ＬＰＣＶＤ装置から、生産膜を半導体基板上に形成する
ＬＰＣＶＤ装置に治具を付け替える必要がなくなるた
め、治具を冷却するのに必要な時間（約６時間）を節約
することができる。
８００℃の高温に熱せられているので、第１の実施例で
行ったようにＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜２と窒化膜３とを形成
するために治具を付け替えると、高温に熱せられた治具
を一旦冷却する必要がある。そこで、２種類の膜種を同
一の装置によって成膜することができるようにＬＰＣＶ
Ｄ装置を構成すれば、治具にコーティング膜を形成する
ＬＰＣＶＤ装置から、生産膜を半導体基板上に形成する
ＬＰＣＶＤ装置に治具を付け替える必要がなくなるた
め、治具を冷却するのに必要な時間（約６時間）を節約
することができる。
【００２８】また、治具付け替えに伴う余計なハンドリ
ングを低減することができるので、ハンドリングによる
治具破損の危険性を低減することができる。
ングを低減することができるので、ハンドリングによる
治具破損の危険性を低減することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体基板に形成しようとする膜よりもエッチング速度
が速い膜が表面にコーティングされているので、この半
導体製造装置用治具を使用することにより、半導体基板
に形成した膜が治具表面にも付着するが、この治具をエ
ッチングにより再生する際にコーティング膜が優先的に
除去されて付着物も完全に除去することができる。従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないの
で、半導体製造装置用治具の表面へのオーバーエッチン
グが解消され、半導体製造装置用治具へのダメージを防
止することができる。
半導体基板に形成しようとする膜よりもエッチング速度
が速い膜が表面にコーティングされているので、この半
導体製造装置用治具を使用することにより、半導体基板
に形成した膜が治具表面にも付着するが、この治具をエ
ッチングにより再生する際にコーティング膜が優先的に
除去されて付着物も完全に除去することができる。従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないの
で、半導体製造装置用治具の表面へのオーバーエッチン
グが解消され、半導体製造装置用治具へのダメージを防
止することができる。
【図１】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例に係るＬＰ
ＣＶＤ装置に使用される治具の使用方法を説明する模式
図である。
ＣＶＤ装置に使用される治具の使用方法を説明する模式
図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）はＬＰＣＶＤ装置に使用され
る従来の治具を説明する模式図である。
る従来の治具を説明する模式図である。
１；治具 ２；ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜 ３；窒化膜 ３ａ；凸部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/3065
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜が表面にコーティングされてい
ることを特徴とする半導体製造装置用治具。 - 【請求項２】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いポリシリコン膜が表面にコーティングされているこ
とを特徴とする半導体製造装置用治具。 - 【請求項３】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具の使用方法において、前
記半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチ
ング速度が速いＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を表面にコーティン
グする工程と、このＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を有する治具を
使用して前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具
を湿式エッチングすることにより前記治具表面のＴＥＯ
Ｓ−ＮＳＧ膜を除去して再生する工程とを有することを
特徴とする半導体製造装置用治具の使用方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具の使用方法において、前
記半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチ
ング速度が速いポリシリコン膜を表面にコーティングす
る工程と、このポリシリコン膜を有する治具を使用して
前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式エ
ッチングすることにより前記治具表面のポリシリコン膜
を除去して再生する工程とを有することを特徴とする半
導体製造装置用治具の使用方法。 - 【請求項５】 前記半導体製造装置は減圧化学気相成長
装置であることを特徴とする請求項３又は４に記載の半
導体製造装置用治具の使用方法。 - 【請求項６】 前記半導体基板上に形成しようとする窒
化膜及びその窒化膜よりエッチング速度が速い膜は同一
の化学気相成長装置により成膜されることを特徴とする
請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体製造装置
用治具の使用方法。
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|---|---|---|---|
| JP20390199A JP3307370B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 半導体製造装置用治具及びその使用方法 |
| KR1020000039502A KR20010029920A (ko) | 1999-07-16 | 2000-07-11 | 반도체 제조 장치용 툴 및 그 사용 방법 |
| US09/615,130 US6458707B1 (en) | 1999-07-16 | 2000-07-13 | Tool for semiconductor manufacturing apparatus and method for using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20390199A JP3307370B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 半導体製造装置用治具及びその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035792A JP2001035792A (ja) | 2001-02-09 |
| JP3307370B2 true JP3307370B2 (ja) | 2002-07-24 |
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ID=16481595
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20390199A Expired - Fee Related JP3307370B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 半導体製造装置用治具及びその使用方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3307370B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010029920A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5753930A (ja) | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Kagakukisoseichosochi |
| JPS63123887A (ja) | 1986-11-10 | 1988-05-27 | 日本電気株式会社 | 治工具の洗浄方法 |
| JPH02118076A (ja) | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Matsushita Electron Corp | 膜作製装置の洗浄方法 |
| US5101457A (en) | 1990-02-28 | 1992-03-31 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber with an integral lens at its end portion |
| KR930001418B1 (ko) * | 1990-08-07 | 1993-02-27 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
| JPH06151333A (ja) | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Sony Corp | プラズマ装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP3517959B2 (ja) * | 1993-09-30 | 2004-04-12 | マツダ株式会社 | 塗装装置 |
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1999
- 1999-07-16 JP JP20390199A patent/JP3307370B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-11 KR KR1020000039502A patent/KR20010029920A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-07-13 US US09/615,130 patent/US6458707B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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