JP3307370B2 - 半導体製造装置用治具及びその使用方法 - Google Patents
半導体製造装置用治具及びその使用方法Info
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- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置用
治具及びその使用方法に関し、特に、化学気相成長装置
等に使用され、エッチングにより再生する際のダメージ
の防止を図った半導体製造装置用治具及びその使用方法
に関する。
治具及びその使用方法に関し、特に、化学気相成長装置
等に使用され、エッチングにより再生する際のダメージ
の防止を図った半導体製造装置用治具及びその使用方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体基板に所定の処理を行う
ため、その基板を処理容器内に保持する治具は重金属汚
染物質で汚染されている等の問題があり、使用する前に
治具を清浄にする。例えば、熱処理工程に使用される炭
化珪素(SiC)製治具を清浄にする方法においては、
先ず塩酸によってSiC製治具(以下SiC)を洗浄し
て表面の汚染物質を取り除いた後、1270℃で3時間
の酸化を行ってSiC表面に酸化膜を形成し、次いで1
270℃、窒素雰囲気中で48時間の熱処理を行ってS
iC表面とシリコン酸化膜との界面にシリコン窒化膜を
形成する。このようにして清浄にしたSiCは、十分緻
密なシリコン窒化膜が形成されるため、SiCに含まれ
ている汚染物質が外方向へ拡散せず半導体基板に悪影響
を及ぼさない(特開昭63−123887)。
ため、その基板を処理容器内に保持する治具は重金属汚
染物質で汚染されている等の問題があり、使用する前に
治具を清浄にする。例えば、熱処理工程に使用される炭
化珪素(SiC)製治具を清浄にする方法においては、
先ず塩酸によってSiC製治具(以下SiC)を洗浄し
て表面の汚染物質を取り除いた後、1270℃で3時間
の酸化を行ってSiC表面に酸化膜を形成し、次いで1
270℃、窒素雰囲気中で48時間の熱処理を行ってS
iC表面とシリコン酸化膜との界面にシリコン窒化膜を
形成する。このようにして清浄にしたSiCは、十分緻
密なシリコン窒化膜が形成されるため、SiCに含まれ
ている汚染物質が外方向へ拡散せず半導体基板に悪影響
を及ぼさない(特開昭63−123887)。
【0003】従来、減圧化学気相成長(low pressure c
hemical vapor deposition(LPCVD))装置用治具
の使用方法においては、半導体基板にLPCVDにより
窒化膜等を成膜すると、同時に治具上にも窒化膜及びチ
ャンバー内の不純物等(以下、窒化膜等という。)が付
着し、堆積する。この治具上に堆積する窒化膜等が所定
の累積膜厚に達した後、その治具を湿式エッチングする
ことにより治具上の窒化膜等を除去して治具を再生し、
繰り返し使用する方法が採用されている。
hemical vapor deposition(LPCVD))装置用治具
の使用方法においては、半導体基板にLPCVDにより
窒化膜等を成膜すると、同時に治具上にも窒化膜及びチ
ャンバー内の不純物等(以下、窒化膜等という。)が付
着し、堆積する。この治具上に堆積する窒化膜等が所定
の累積膜厚に達した後、その治具を湿式エッチングする
ことにより治具上の窒化膜等を除去して治具を再生し、
繰り返し使用する方法が採用されている。
【0004】しかしながら、このような方法では、治具
上に付着し、堆積する窒化膜等に局部的な膜厚のばらつ
きがあると、膜厚が厚い部分で、エッチング後に窒化膜
等の膜残りが発生しやすい。そこで、膜残り防止のため
に一般的には追加エッチングが実施されている。図2
(a)乃至(c)はLPCVD装置に使用される従来の
治具を説明する模式図である。
上に付着し、堆積する窒化膜等に局部的な膜厚のばらつ
きがあると、膜厚が厚い部分で、エッチング後に窒化膜
等の膜残りが発生しやすい。そこで、膜残り防止のため
に一般的には追加エッチングが実施されている。図2
(a)乃至(c)はLPCVD装置に使用される従来の
治具を説明する模式図である。
【0005】LPCVD装置の治具を使用する際には、
先ず、治具を治具洗浄槽にセットして初期洗浄を行う。
初期洗浄はHF、HNO3及びH2Oの混合液を使用して
30分間行う。次に、例えば半導体基板を治具1上に保
持し、半導体基板上に窒化膜3を堆積するために治具1
を使用すると、図2(a)に示すように、治具1上にも
窒化膜3が付着し、堆積する。治具1上に堆積する窒化
膜3の累積膜厚が所定の膜厚に達した後、治具1を装置
から外す。その後、窒化膜3を堆積した治具1をLPC
VD装置から取り外し、HF及びHNO3混合液を使用
してエッチングにより治具1を再生する。図2(b)に
示すように、治具1上に堆積した窒化膜3はその膜厚が
均一でなく、局部的なばらつきがあると、堆積している
窒化膜3の膜厚が厚い部分はエッチングによって除去さ
れず、従って、エッチングにより再生した治具1の表面
上には窒化膜の凸部分3aが残存している。このような
治具1上に残存してしまった窒化膜の凸部分3aを除去
するために、追加エッチングを行い、治具1を再生して
いる。
先ず、治具を治具洗浄槽にセットして初期洗浄を行う。
初期洗浄はHF、HNO3及びH2Oの混合液を使用して
30分間行う。次に、例えば半導体基板を治具1上に保
持し、半導体基板上に窒化膜3を堆積するために治具1
を使用すると、図2(a)に示すように、治具1上にも
窒化膜3が付着し、堆積する。治具1上に堆積する窒化
膜3の累積膜厚が所定の膜厚に達した後、治具1を装置
から外す。その後、窒化膜3を堆積した治具1をLPC
VD装置から取り外し、HF及びHNO3混合液を使用
してエッチングにより治具1を再生する。図2(b)に
示すように、治具1上に堆積した窒化膜3はその膜厚が
均一でなく、局部的なばらつきがあると、堆積している
窒化膜3の膜厚が厚い部分はエッチングによって除去さ
れず、従って、エッチングにより再生した治具1の表面
上には窒化膜の凸部分3aが残存している。このような
治具1上に残存してしまった窒化膜の凸部分3aを除去
するために、追加エッチングを行い、治具1を再生して
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
治具1に対する追加エッチングにより、以下に示す問題
点が生じる。即ち、治具1上に形成された窒化膜3のう
ち膜厚が比較的薄い部分では、既に窒化膜3の除去が完
了しており、この部分においては治具1の表面が露出し
ている。このため、治具1に対してオーバーエッチング
をすることになり、図2(c)に示すように、治具1の
表面が部分的に過度にエッチングされ、治具1にダメー
ジを与えてしまい、治具の寿命を短くしてしまうという
問題点がある。
治具1に対する追加エッチングにより、以下に示す問題
点が生じる。即ち、治具1上に形成された窒化膜3のう
ち膜厚が比較的薄い部分では、既に窒化膜3の除去が完
了しており、この部分においては治具1の表面が露出し
ている。このため、治具1に対してオーバーエッチング
をすることになり、図2(c)に示すように、治具1の
表面が部分的に過度にエッチングされ、治具1にダメー
ジを与えてしまい、治具の寿命を短くしてしまうという
問題点がある。
【0007】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ダメージを与えることなくエッチング再生
することができる半導体製造装置用治具及びその使用方
法を提供することを目的とする。
のであって、ダメージを与えることなくエッチング再生
することができる半導体製造装置用治具及びその使用方
法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いTEOS−NSG膜が表面にコーティングされてい
ることを特徴とする。また、本発明に係る他の半導体製
造装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に
使用される半導体製造装置用治具において、前記半導体
基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度
が速いポリシリコン膜が表面にコーティングされている
ことを特徴とする。
装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いTEOS−NSG膜が表面にコーティングされてい
ることを特徴とする。また、本発明に係る他の半導体製
造装置用治具は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に
使用される半導体製造装置用治具において、前記半導体
基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度
が速いポリシリコン膜が表面にコーティングされている
ことを特徴とする。
【0009】本発明に係る半導体製造装置用治具の使用
方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用され
る半導体製造装置用治具の使用方法において、前記半導
体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速
度が速いTEOS−NSG膜を表面にコーティングする
工程と、このTEOS−NSG膜を有する治具を使用し
て前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式
エッチングすることにより前記治具表面のTEOS−N
SG膜を除去して再生する工程とを有することを特徴と
する。また、本発明に係る他の半導体製造装置用治具の
使用方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用
される半導体製造装置用治具の使用方法において、前記
半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチン
グ速度が速いポリシリコン膜を表面にコーティングする
工程と、このポリシリコン膜を有する治具を使用して前
記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式エッ
チングすることにより前記治具表面のポリシリコン膜を
除去して再生する工程とを有することを特徴とする。
方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用され
る半導体製造装置用治具の使用方法において、前記半導
体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速
度が速いTEOS−NSG膜を表面にコーティングする
工程と、このTEOS−NSG膜を有する治具を使用し
て前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式
エッチングすることにより前記治具表面のTEOS−N
SG膜を除去して再生する工程とを有することを特徴と
する。また、本発明に係る他の半導体製造装置用治具の
使用方法は、半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用
される半導体製造装置用治具の使用方法において、前記
半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチン
グ速度が速いポリシリコン膜を表面にコーティングする
工程と、このポリシリコン膜を有する治具を使用して前
記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式エッ
チングすることにより前記治具表面のポリシリコン膜を
除去して再生する工程とを有することを特徴とする。
【0010】本発明においては、半導体基板上に形成し
ようとする膜よりエッチング速度が速い膜が治具表面に
予めコーティングされている。なお、以下、半導体基板
上に形成しようとする膜を生産膜ともいう。この治具を
半導体製造装置で使用し、前記半導体基板上に生産膜を
成膜すると、生産膜が治具表面のコーティング膜上にも
付着する。付着した生産膜が所定の膜厚となった後、治
具を装置から取り出し湿式エッチングにより再生する。
そうすると、先ず、コーティング膜に付着している生産
膜のうち膜厚が薄い部分において生産膜の下のコーティ
ング膜が露出され、露出したコーティング膜は生産膜よ
りエッチング速度が速いために優先的にエッチングが進
み、除去される。このとき、除去されるコーティング膜
と共にその上に付着していた生産膜も剥離して除去され
るため、治具上に生産膜が残存することはなく、従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないので
治具に対するオーバーエッチングが解消される。
ようとする膜よりエッチング速度が速い膜が治具表面に
予めコーティングされている。なお、以下、半導体基板
上に形成しようとする膜を生産膜ともいう。この治具を
半導体製造装置で使用し、前記半導体基板上に生産膜を
成膜すると、生産膜が治具表面のコーティング膜上にも
付着する。付着した生産膜が所定の膜厚となった後、治
具を装置から取り出し湿式エッチングにより再生する。
そうすると、先ず、コーティング膜に付着している生産
膜のうち膜厚が薄い部分において生産膜の下のコーティ
ング膜が露出され、露出したコーティング膜は生産膜よ
りエッチング速度が速いために優先的にエッチングが進
み、除去される。このとき、除去されるコーティング膜
と共にその上に付着していた生産膜も剥離して除去され
るため、治具上に生産膜が残存することはなく、従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないので
治具に対するオーバーエッチングが解消される。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る半導
体製造装置用治具及びその使用方法について添付の図面
を参照して具体的に説明する。本実施例の半導体製造装
置用治具としては、例えばLPCVD装置に使用され、
半導体基板上に形成しようとする膜である生産膜を成膜
する際に前記基板を保持するステージ等がある。このよ
うな治具をエッチングにより再生するためには、例えば
基板上に生産膜を形成する前に、治具を初期洗浄し、そ
の後治具をエッチングにより再生する際のエッチング液
に対して前記基板上に形成する生産膜の膜種よりエッチ
ング速度が速い膜を予め治具にコーティングする。その
後、治具をLPCVD装置内で使用して窒化膜等の生産
膜を半導体基板上に形成すると、治具表面にコーティン
グされたコーティング膜よりエッチング速度が遅い膜で
ある生産膜が半導体基板だけではなく治具上にも付着
し、堆積する。
体製造装置用治具及びその使用方法について添付の図面
を参照して具体的に説明する。本実施例の半導体製造装
置用治具としては、例えばLPCVD装置に使用され、
半導体基板上に形成しようとする膜である生産膜を成膜
する際に前記基板を保持するステージ等がある。このよ
うな治具をエッチングにより再生するためには、例えば
基板上に生産膜を形成する前に、治具を初期洗浄し、そ
の後治具をエッチングにより再生する際のエッチング液
に対して前記基板上に形成する生産膜の膜種よりエッチ
ング速度が速い膜を予め治具にコーティングする。その
後、治具をLPCVD装置内で使用して窒化膜等の生産
膜を半導体基板上に形成すると、治具表面にコーティン
グされたコーティング膜よりエッチング速度が遅い膜で
ある生産膜が半導体基板だけではなく治具上にも付着
し、堆積する。
【0012】その後、生産膜が所定の膜厚に達した後、
この治具を装置から取り出し、湿式エッチング液中に浸
漬する。この治具表面には、予めコーティング膜が形成
されているため、治具を湿式エッチングすると、コーテ
ィング膜上に堆積したエッチング速度が遅い生産膜が、
その膜厚が薄い部分で先ず除去されてその下層のコーテ
ィング膜が露出する。そうすると、このエッチング速度
が速いコーティング膜が優先的に除去され、その上の生
産膜が剥離する。これにより、生産膜がエッチング速度
が速いコーティング膜と共に剥離して除去され、治具上
に残存することがない。従って、治具に対するオーバー
エッチングが解消される。
この治具を装置から取り出し、湿式エッチング液中に浸
漬する。この治具表面には、予めコーティング膜が形成
されているため、治具を湿式エッチングすると、コーテ
ィング膜上に堆積したエッチング速度が遅い生産膜が、
その膜厚が薄い部分で先ず除去されてその下層のコーテ
ィング膜が露出する。そうすると、このエッチング速度
が速いコーティング膜が優先的に除去され、その上の生
産膜が剥離する。これにより、生産膜がエッチング速度
が速いコーティング膜と共に剥離して除去され、治具上
に残存することがない。従って、治具に対するオーバー
エッチングが解消される。
【0013】以下、本発明の第1の実施例について更に
詳細に説明する。図1(a)乃至(d)は本実施例に係
るLPCVD装置に使用される治具の使用方法を説明す
る模式図である。本実施例の治具はLPCVD装置に使
用するものであって、例えば、半導体基板に生産膜を成
膜する際、基板を保持するために使用するステージ等の
治具であるが、LPCVD装置及び半導体基板は図示を
省略する。
詳細に説明する。図1(a)乃至(d)は本実施例に係
るLPCVD装置に使用される治具の使用方法を説明す
る模式図である。本実施例の治具はLPCVD装置に使
用するものであって、例えば、半導体基板に生産膜を成
膜する際、基板を保持するために使用するステージ等の
治具であるが、LPCVD装置及び半導体基板は図示を
省略する。
【0014】LPCVD装置の治具を使用する際には、
先ず、治具をその洗浄槽に浸漬し初期洗浄を行う。初期
洗浄は、HF、HNO3及びH2Oの混合液等を使用し、
30分間実施する。
先ず、治具をその洗浄槽に浸漬し初期洗浄を行う。初期
洗浄は、HF、HNO3及びH2Oの混合液等を使用し、
30分間実施する。
【0015】次に、図1(a)に示すように、治具1上
にエッチング再生する際のエッチング液に対して生産膜
よりエッチング速度が速いコーティング膜を治具1上に
形成する。エッチング再生するエッチング液にはHF及
びHNO3の混合液等を使用することができる。本実施
例においてはHF及びHNO3の混合液のエッチング液
に対して、例えば生産膜を窒化膜とすると、エッチング
速度が生産膜より速いコーティング膜として例えばTE
OS-NSG(オルトテトラエトキシシラン(Si(OC2H5)
4)−nitride-silicate glass)膜2を使用することが
できる。
にエッチング再生する際のエッチング液に対して生産膜
よりエッチング速度が速いコーティング膜を治具1上に
形成する。エッチング再生するエッチング液にはHF及
びHNO3の混合液等を使用することができる。本実施
例においてはHF及びHNO3の混合液のエッチング液
に対して、例えば生産膜を窒化膜とすると、エッチング
速度が生産膜より速いコーティング膜として例えばTE
OS-NSG(オルトテトラエトキシシラン(Si(OC2H5)
4)−nitride-silicate glass)膜2を使用することが
できる。
【0016】先ず、治具1をTEOS−NSG膜成長装
置にセットし、窒化膜よりエッチング速度が速いTEO
S-NSG膜2を治具1に例えば膜厚5000Åでコー
ティングする。エッチングにより再生する際のエッチン
グ液をHF及びHNO3の混合液とすると、このTEO
S-NSG膜2のエッチング液に対するエッチング速度
は例えば約1000Å/分である。
置にセットし、窒化膜よりエッチング速度が速いTEO
S-NSG膜2を治具1に例えば膜厚5000Åでコー
ティングする。エッチングにより再生する際のエッチン
グ液をHF及びHNO3の混合液とすると、このTEO
S-NSG膜2のエッチング液に対するエッチング速度
は例えば約1000Å/分である。
【0017】TEOS−NSG膜2による治具1のコー
ティングが完了した後、例えば、治具1上に半導体基板
を保持し、その半導体基板上にLPCVDにより生産膜
を成膜する。この生産膜は本実施例においては例えば窒
化膜である。
ティングが完了した後、例えば、治具1上に半導体基板
を保持し、その半導体基板上にLPCVDにより生産膜
を成膜する。この生産膜は本実施例においては例えば窒
化膜である。
【0018】なお、生産膜が窒化膜であるときは、この
生産膜よりもエッチング速度が速いコーティング膜とし
て、ポリシリコン膜等を使用することもできる。治具1
のコーティング膜にポリシリコン膜を使用した場合のポ
リシリコン膜の膜厚及びエッチングにより再生するため
に要する時間はTEOS−NSG膜2と同様である。
生産膜よりもエッチング速度が速いコーティング膜とし
て、ポリシリコン膜等を使用することもできる。治具1
のコーティング膜にポリシリコン膜を使用した場合のポ
リシリコン膜の膜厚及びエッチングにより再生するため
に要する時間はTEOS−NSG膜2と同様である。
【0019】コーティング膜が形成された治具1に半導
体基板を保持した後、治具1を窒化膜成長炉に装入し、
前記半導体基板上に窒化膜3を形成する。図1(a)に
示すように、基板上に生産膜である窒化膜3を形成する
と治具1上のTEOS-NSG膜2上にも窒化膜3が付
着する。この窒化膜3の累積膜厚が例えば60000Å
に達した後、治具1をLPCVD装置から取り外す。こ
の場合に、治具1上のTEOS−NSG膜2上に堆積し
た窒化膜3の表面は通常平坦ではなく凹凸ができてお
り、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分とがある。
体基板を保持した後、治具1を窒化膜成長炉に装入し、
前記半導体基板上に窒化膜3を形成する。図1(a)に
示すように、基板上に生産膜である窒化膜3を形成する
と治具1上のTEOS-NSG膜2上にも窒化膜3が付
着する。この窒化膜3の累積膜厚が例えば60000Å
に達した後、治具1をLPCVD装置から取り外す。こ
の場合に、治具1上のTEOS−NSG膜2上に堆積し
た窒化膜3の表面は通常平坦ではなく凹凸ができてお
り、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分とがある。
【0020】次に、HF及びHNO3の混合を使用して
治具1を湿式エッチングする。エッチング液としてHF
及びHNO3の混合液を使用する場合は、窒化膜3に対
するエッチング速度は例えば約400Å/分である。
治具1を湿式エッチングする。エッチング液としてHF
及びHNO3の混合液を使用する場合は、窒化膜3に対
するエッチング速度は例えば約400Å/分である。
【0021】図1(b)に示すように、上層の窒化膜3
の膜厚が均一でないので、エッチング液に浸漬された
後、先ず、窒化膜3における膜厚が薄い凹部分が完全に
除去され、下層のTEOS−NSG膜2が露出する。窒
化膜3における膜厚が厚い凸部分ではTEOS−NSG
膜2上に窒化膜の凸部分3aが残存する。
の膜厚が均一でないので、エッチング液に浸漬された
後、先ず、窒化膜3における膜厚が薄い凹部分が完全に
除去され、下層のTEOS−NSG膜2が露出する。窒
化膜3における膜厚が厚い凸部分ではTEOS−NSG
膜2上に窒化膜の凸部分3aが残存する。
【0022】このように、部分的に下層のTEOS−N
SG膜2が露出した状態で治具1のエッチングが進む
と、図1(c)に示すように、TEOS−NSG膜2
は、TEOS−NSG膜2上に付着している窒化膜3と
比べるとエッチング速度が2倍以上速いためにTEOS
-NSG膜2が露出した部分では、窒化膜3より優先的
にTEOS-NSG膜2がエッチングされる。
SG膜2が露出した状態で治具1のエッチングが進む
と、図1(c)に示すように、TEOS−NSG膜2
は、TEOS−NSG膜2上に付着している窒化膜3と
比べるとエッチング速度が2倍以上速いためにTEOS
-NSG膜2が露出した部分では、窒化膜3より優先的
にTEOS-NSG膜2がエッチングされる。
【0023】図1(d)に示すように、更にエッチング
が進むと、治具1表面上にコーティングされていたTE
OS−NSG膜2が横方向にエッチングされていき、T
EOS-NSG膜2が治具1上から完全に除去される際
に、TEOS−NSG膜2上にエッチング除去されずに
残存していた窒化膜3も治具1から剥離し、TEOS−
NSG膜2と共に治具1から除去される。
が進むと、治具1表面上にコーティングされていたTE
OS−NSG膜2が横方向にエッチングされていき、T
EOS-NSG膜2が治具1上から完全に除去される際
に、TEOS−NSG膜2上にエッチング除去されずに
残存していた窒化膜3も治具1から剥離し、TEOS−
NSG膜2と共に治具1から除去される。
【0024】このように生産用の窒化膜3よりエッチン
グ速度が速い膜によって治具1をコーティングしておく
ことにより、治具1をエッチングにより再生する際、治
具1上に付着した生産用の窒化膜3が残存することがな
く、従って従来のように追加エッチングをする必要がな
いため、治具1表面のオーバーエッチングが解消され、
治具1へのダメージを防止することができる。
グ速度が速い膜によって治具1をコーティングしておく
ことにより、治具1をエッチングにより再生する際、治
具1上に付着した生産用の窒化膜3が残存することがな
く、従って従来のように追加エッチングをする必要がな
いため、治具1表面のオーバーエッチングが解消され、
治具1へのダメージを防止することができる。
【0025】なお、エッチング再生が終了した治具1
は、その後、水洗を例えば80分間行い、乾燥機に移し
て例えば6時間乾燥した後、再度TEOS−NSG膜2
を成膜し、再使用される。
は、その後、水洗を例えば80分間行い、乾燥機に移し
て例えば6時間乾燥した後、再度TEOS−NSG膜2
を成膜し、再使用される。
【0026】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。第1の実施例においては治具1にTEOS−NSG
膜2をコーティングする工程と、基板上に生産用の窒化
膜3を成膜する工程とは別々のLPCVD装置で行った
が、本実施例ではLPCVD装置を、TEOS−NSG
膜2と窒化膜3との双方を成膜できるように構成し、T
EOS−NSG膜2と窒化膜3との成膜を同一装置の同
一チャンバ内で連続して行うことができるようにした。
る。第1の実施例においては治具1にTEOS−NSG
膜2をコーティングする工程と、基板上に生産用の窒化
膜3を成膜する工程とは別々のLPCVD装置で行った
が、本実施例ではLPCVD装置を、TEOS−NSG
膜2と窒化膜3との双方を成膜できるように構成し、T
EOS−NSG膜2と窒化膜3との成膜を同一装置の同
一チャンバ内で連続して行うことができるようにした。
【0027】通常、LPCVD装置の治具は500乃至
800℃の高温に熱せられているので、第1の実施例で
行ったようにTEOS−NSG膜2と窒化膜3とを形成
するために治具を付け替えると、高温に熱せられた治具
を一旦冷却する必要がある。そこで、2種類の膜種を同
一の装置によって成膜することができるようにLPCV
D装置を構成すれば、治具にコーティング膜を形成する
LPCVD装置から、生産膜を半導体基板上に形成する
LPCVD装置に治具を付け替える必要がなくなるた
め、治具を冷却するのに必要な時間(約6時間)を節約
することができる。
800℃の高温に熱せられているので、第1の実施例で
行ったようにTEOS−NSG膜2と窒化膜3とを形成
するために治具を付け替えると、高温に熱せられた治具
を一旦冷却する必要がある。そこで、2種類の膜種を同
一の装置によって成膜することができるようにLPCV
D装置を構成すれば、治具にコーティング膜を形成する
LPCVD装置から、生産膜を半導体基板上に形成する
LPCVD装置に治具を付け替える必要がなくなるた
め、治具を冷却するのに必要な時間(約6時間)を節約
することができる。
【0028】また、治具付け替えに伴う余計なハンドリ
ングを低減することができるので、ハンドリングによる
治具破損の危険性を低減することができる。
ングを低減することができるので、ハンドリングによる
治具破損の危険性を低減することができる。
【0029】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体基板に形成しようとする膜よりもエッチング速度
が速い膜が表面にコーティングされているので、この半
導体製造装置用治具を使用することにより、半導体基板
に形成した膜が治具表面にも付着するが、この治具をエ
ッチングにより再生する際にコーティング膜が優先的に
除去されて付着物も完全に除去することができる。従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないの
で、半導体製造装置用治具の表面へのオーバーエッチン
グが解消され、半導体製造装置用治具へのダメージを防
止することができる。
半導体基板に形成しようとする膜よりもエッチング速度
が速い膜が表面にコーティングされているので、この半
導体製造装置用治具を使用することにより、半導体基板
に形成した膜が治具表面にも付着するが、この治具をエ
ッチングにより再生する際にコーティング膜が優先的に
除去されて付着物も完全に除去することができる。従っ
て、従来のように追加エッチングをする必要がないの
で、半導体製造装置用治具の表面へのオーバーエッチン
グが解消され、半導体製造装置用治具へのダメージを防
止することができる。
【図1】(a)乃至(d)は本発明の実施例に係るLP
CVD装置に使用される治具の使用方法を説明する模式
図である。
CVD装置に使用される治具の使用方法を説明する模式
図である。
【図2】(a)乃至(c)はLPCVD装置に使用され
る従来の治具を説明する模式図である。
る従来の治具を説明する模式図である。
1;治具 2;TEOS−NSG膜 3;窒化膜 3a;凸部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 H01L 21/3065
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いTEOS−NSG膜が表面にコーティングされてい
ることを特徴とする半導体製造装置用治具。 - 【請求項2】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基
板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が
速いポリシリコン膜が表面にコーティングされているこ
とを特徴とする半導体製造装置用治具。 - 【請求項3】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具の使用方法において、前
記半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチ
ング速度が速いTEOS−NSG膜を表面にコーティン
グする工程と、このTEOS−NSG膜を有する治具を
使用して前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具
を湿式エッチングすることにより前記治具表面のTEO
S−NSG膜を除去して再生する工程とを有することを
特徴とする半導体製造装置用治具の使用方法。 - 【請求項4】 半導体基板上に窒化膜を形成する際に使
用される半導体製造装置用治具の使用方法において、前
記半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチ
ング速度が速いポリシリコン膜を表面にコーティングす
る工程と、このポリシリコン膜を有する治具を使用して
前記半導体基板上に膜を形成した後、前記治具を湿式エ
ッチングすることにより前記治具表面のポリシリコン膜
を除去して再生する工程とを有することを特徴とする半
導体製造装置用治具の使用方法。 - 【請求項5】 前記半導体製造装置は減圧化学気相成長
装置であることを特徴とする請求項3又は4に記載の半
導体製造装置用治具の使用方法。 - 【請求項6】 前記半導体基板上に形成しようとする窒
化膜及びその窒化膜よりエッチング速度が速い膜は同一
の化学気相成長装置により成膜されることを特徴とする
請求項3乃至5のいずれか1項に記載の半導体製造装置
用治具の使用方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20390199A JP3307370B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 半導体製造装置用治具及びその使用方法 |
KR1020000039502A KR20010029920A (ko) | 1999-07-16 | 2000-07-11 | 반도체 제조 장치용 툴 및 그 사용 방법 |
US09/615,130 US6458707B1 (en) | 1999-07-16 | 2000-07-13 | Tool for semiconductor manufacturing apparatus and method for using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001035792A JP2001035792A (ja) | 2001-02-09 |
JP3307370B2 true JP3307370B2 (ja) | 2002-07-24 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20390199A Expired - Fee Related JP3307370B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 半導体製造装置用治具及びその使用方法 |
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Country | Link |
---|---|
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---|---|---|---|---|
JP2004363482A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS566427A (en) | 1979-06-28 | 1981-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method |
JPS5753930A (ja) | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Kagakukisoseichosochi |
JPS63123887A (ja) | 1986-11-10 | 1988-05-27 | 日本電気株式会社 | 治工具の洗浄方法 |
JPH02118076A (ja) | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Matsushita Electron Corp | 膜作製装置の洗浄方法 |
US5101457A (en) | 1990-02-28 | 1992-03-31 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber with an integral lens at its end portion |
KR930001418B1 (ko) * | 1990-08-07 | 1993-02-27 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
JPH06151333A (ja) | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Sony Corp | プラズマ装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP3517959B2 (ja) * | 1993-09-30 | 2004-04-12 | マツダ株式会社 | 塗装装置 |
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1999
- 1999-07-16 JP JP20390199A patent/JP3307370B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-11 KR KR1020000039502A patent/KR20010029920A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-07-13 US US09/615,130 patent/US6458707B1/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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US6458707B1 (en) | 2002-10-01 |
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