JP4292872B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶基板に洗浄を施した後に気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、シリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する気相成長工程の前後においては、シリコン単結晶基板、あるいはシリコンエピタキシャルウェーハを洗浄する工程が、従来より一般的に行われている(以下、シリコン単結晶基板とシリコンエピタキシャルウェーハを総称してシリコンウェーハと言う)。
上記洗浄は、例えばRCA洗浄法により行われる。このRCA洗浄法とは、SC1洗浄、SC2洗浄、及び、DHF洗浄を、目的に応じて適宜組み合わせる洗浄のことである。
このうちSC1洗浄とは、アンモニア水と過酸化水素水との混合液を用い、アルカリ溶液中におけるシリコン等の微粒子とシリコンウェーハとの間の静電気的反発を利用して微粒子(パーティクル)を除去する洗浄である。また、SC2洗浄とは、塩酸と過酸化水素水との混合液を用い、金属をイオン化して除去する洗浄である。さらに、DHF洗浄とは、希フッ酸を用いて、シリコンウェーハに形成された自然酸化膜を除去する洗浄である。
【0003】
ここで、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるには、まず、鏡面研磨後のシリコン単結晶基板を洗浄装置へ搬送する。そして、このシリコン単結晶基板を上記RCA洗浄した後に、洗浄後のシリコン単結晶基板を、気相成長を行う反応容器内に搬送し、反応容器内に配されたサセプタ上に載置する。その後、反応容器内を加熱して水素熱処理を行うことによって、シリコン単結晶基板の表面に形成された自然酸化膜を水素によりエッチングして除去する。次いで、反応容器内を成長温度に設定し、シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン原料ガスを供給し、これによりシリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
また、シリコンエピタキシャルウェーハ製造後に、シリコンエピタキシャルウェーハに付着しているパーティクルや金属を除去するために上記RCA洗浄を行う。
【0004】
ところで、上述のような製造工程では気相成長工程前後に上記洗浄を行うが、シリコン単結晶基板又はシリコンエピタキシャルウェーハが外部搬送されるため、外部搬送中にパーティクルや金属が付着することがある。
そこで、外部搬送中にパーティクルや金属が付着するのを抑制するために、気相成長前のシリコン単結晶基板をオゾン水を用いて洗浄し、洗浄後のシリコン単結晶基板を外部環境に接触させることなく直ちに気相成長工程へ移送し、かつ、気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハも外部環境に接触させることなく直ちにオゾン水洗浄又はSC1洗浄を行うことが知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−31071号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1において、気相成長前にオゾン水洗浄を施すだけではシリコン単結晶基板にパーティクルや金属が付着することがあり、その付着を確実に抑制することができない。
一方、RCA洗浄後のシリコン単結晶基板に気相成長を施したシリコンエピタキシャルウェーハは、その裏面の略全面に微小な凹凸が形成され、該裏面が鏡面の場合には集光灯下で曇りが観察されることがある。
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、パーティクルの付着を確実に抑制することができ、かつ、裏面に微小な凹凸が生じるのを抑制することのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
気相成長工程において、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面全面に微小な凹凸が形成されるのは、次のような理由に依るものと考えられる。
シリコンエピタキシャルウェーハを製造するためには、上述したように水素熱処理した後にシリコン原料ガスを供給して、シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。しかしながら、シリコン単結晶基板の裏面では、水素熱処理の際に、サセプタに載置されたシリコン単結晶基板の裏面とサセプタの上面との隙間に水素ガスが回り込むため、SC1洗浄又はSC2洗浄の際に裏面に形成された自然酸化膜が局部的にエッチングされてしまう。
このように、裏面に形成された自然酸化膜が局部的にエッチングされてエッチングムラの生じた状態でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させた場合、シリコン単結晶基板の裏面のシリコンが露出された箇所に局部的にシリコンエピタキシャル層が気相成長され、そのため裏面の略全面に微少な凹凸が形成されてしまう。そして、裏面が鏡面の場合、集光灯下で微小な凹凸が曇りとして顕在化する。
なお、上述の特許文献1に記載されているように、気相成長前にオゾン水洗浄を施すと、オゾンとシリコン単結晶基板との反応により自然酸化膜(以下、オゾン酸化膜と言う)が形成されて裏面のオゾン酸化膜のエッチングは大幅に抑制されて微小な凹凸の形成が抑制されることになるが、上述したようにオゾン水洗浄を施すだけではシリコン単結晶基板にパーティクルが付着するのを確実に抑制することができない。
【0009】
そこで、上記課題を解決するため、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、裏面が鏡面であるシリコン単結晶基板にSC1洗浄を施すSC1洗浄工程と、
該SC1洗浄工程後に、シリコン単結晶基板にSC2洗浄を施すSC2洗浄工程と、
該SC2洗浄工程後に、オゾン水を用いてシリコン単結晶基板の両主面にオゾン酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程と、
該オゾン水洗浄工程後に、裏面がオゾン酸化膜で被覆されたシリコン単結晶基板を反応室内のサセプタ上に載置して水素雰囲気中で熱処理を施し、該シリコン単結晶基板の主表面に形成されているオゾン酸化膜を除去するが、主裏面に形成されているオゾン酸化膜は残存させる水素熱処理工程と、
該水素熱処理工程後に、前記反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程とを備え、
前記オゾン水洗浄工程においてシリコン単結晶基板の主裏面に形成されるオゾン酸化膜の厚さを1.1nm以上1.8nm以下とすることを特徴とする。
【0010】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、シリコン単結晶基板にSC1洗浄を施すことによって、シリコン単結晶基板に付着しているパーティクルを確実に除去し、その後オゾン水洗浄を施すことによって、シリコン単結晶基板の両主面(主表面と裏面)にパーティクルの付着が抑制された良質なオゾン酸化膜が形成される。このオゾン酸化膜は、SC1洗浄又はSC2洗浄の際に形成される自然酸化膜に比べて、水素ガスによりエッチングされ難い。そして、このような良質なオゾン酸化膜が両主面に形成されたシリコン単結晶基板を反応室内のサセプタ上に載置し、水素雰囲気中で熱処理を施すと、サセプタに近接する裏面のオゾン酸化膜は、主表面側に比べて水素によるエッチング速度が小さい上、SC1洗浄又はSC2洗浄により形成される自然酸化膜に比べて水素によるエッチング速度が小さいため、水素熱処理終了時までほぼ残存する。その結果、シリコン単結晶基板の裏面がエッチングされ難くなる。よって、裏面が局部的にエッチングされることもほとんどなくなる。したがって、水素熱処理後、主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長しても、裏面の略全面に微小な凹凸が生じるのを抑制することができる。
【0012】
また、SC1洗浄後にSC2洗浄を施すことによって、シリコン単結晶基板に付着しているパーティクルと金属を確実に除去することができる。また、SC1洗浄やSC2洗浄の後にオゾン水洗浄を行うと、シリコン単結晶基板の両主面に形成される自然酸化膜は、オゾン水洗浄によりシリコン単結晶基板の両主面に形成される自然酸化膜(すなわち、オゾン酸化膜)と同じ特性になる。
【0014】
オゾン水洗浄工程後のシリコン単結晶基板の裏面に形成されるオゾン酸化膜の厚さを1.1nm以上とすることによって、水素によりオゾン酸化膜が多少エッチングされても、水素熱処理終了時までほぼ残存し、次の工程で気相成長した場合にシリコン単結晶基板の裏面に微小な凹凸が形成されにくい。一方、オゾン水洗浄で厚さ1.8mmよりも厚いオゾン酸化膜を形成するためには、シリコン単結晶基板をオゾン水中に数十分浸漬する必要があり、効率的ではない。したがって、オゾン酸化膜の厚さは、1.1nm以上1.8nm以下とすることが好ましい。
【0017】
このシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、シリコン単結晶基板の両主面に対するパーティクルの付着を確実に抑制することができ、かつ、シリコン単結晶の裏面の略全面に微小な凹凸が生じるのを抑制でき、曇りの顕在化を抑制できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の好ましい実施の形態について説明する。本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン単結晶基板に洗浄を施した後、気相成長装置内で洗浄後のシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を気相成長させることによってなされる。
ここでは、まず、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において使用される気相成長装置の好適な一例として、枚様式の気相成長装置の構成について説明する。
【0019】
図1に示すように、気相成長装置11は、反応容器11と、該反応容器11の内部に設けられてシリコン単結晶基板Wを上面で支持するサセプタ20とを備えている。
反応容器11には、該反応容器11内に原料ガス(例えば、トリクロロシラン)及びキャリアガス(例えば、水素)を含む気相成長用ガスをサセプタ20の上側の領域に導入してサセプタ20上のシリコン単結晶基板Wの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管15が設けられている。
また、反応容器11のうちの、気相成長用ガス導入管15が設けられた側と同じ側には、反応容器11内にパージガス(例えば、水素)をサセプタ20の下側の領域に導入するパージガス導入管16が設けられている。
さらに、反応容器11のうちの、気相成長用ガス導入管15及びパージガス導入管16が設けられた側と反対側には、反応容器11内のガス(気相成長用ガス及びパージガス)が排気される排気管17が設けられている。
反応容器11の外部には、該反応容器11を上側と下側とから加熱する加熱装置14a、14bが設けられている。加熱装置14a、14bとしては、例えば、ハロゲンランプ等が挙げられる。
【0020】
サセプタ20は、例えば炭化ケイ素で被覆されたグラファイトにより構成されている。このサセプタ20は、例えば略円板状に形成され、その主表面には、該主表面上にシリコン単結晶基板Wを位置決めするための平面視略円形状の凹部である座ぐり21が形成されている。
座ぐり21の底面には、座ぐり21に載置されたシリコン単結晶基板Wを裏面から支持するとともに、シリコン単結晶基板Wを上下方向に移動するためのリフトピン13が挿通されるリフトピン用孔部22が形成されている。
【0021】
リフトピン13は、丸棒状に形成された胴体部13aと、該胴体部13aの上端部に形成されてシリコン単結晶基板Wを支持する頭部13bとを備えている。頭部13bは、シリコン単結晶基板Wを支持しやすいように胴体部13aの径に比べて大きく形成されている。
【0022】
また、サセプタ20の裏面には、該裏面からサセプタ20を支持するサセプタ支持部材12が設けられている。このサセプタ支持部材12は、矢印Aで示す上下方向に移動可能で、かつ、矢印Bで示す方向に回転可能とされている。サセプタ支持部材12の先端部には、放射状に分岐した複数の支持アーム12aが設けられている。
そして、支持アーム12aの先端部は、サセプタ20をその上面が略水平となるようにサセプタ20の裏面に形成された凹部23に嵌合されている。また、支持アーム12aには、リフトピン13の胴体部13aが貫通する貫通孔12bが形成されている。
【0023】
次に、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。まず、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において行われる洗浄工程について説明する(図3中ステップS1〜S7)。図3は、シリコンエピタキシャルウェーハの製造工程を示す工程図の一例である。
図3に示すように、ステップS1において、アンモニア水と過酸化水素水の入った薬液槽に、主表面と裏面に鏡面研磨加工が施されたシリコン単結晶基板を浸してSC1洗浄を行い、シリコン単結晶基板に付着したパーティクル等を除去する(SC1洗浄工程)。
次いで、ステップS2において、SC1洗浄工程後のシリコン単結晶基板を純水槽に浸して純水リンスする。
【0024】
次いで、ステップS3において、純水リンス後のシリコン単結晶基板を、塩酸と過酸化水素水の入った薬液槽に浸してSC2洗浄を行い、シリコン単結晶基板に付着した金属等を除去する(SC2洗浄工程)。
次いで、ステップS4において、SC2洗浄工程後のシリコン単結晶基板を純水槽に浸して純水リンスする。
【0025】
次いで、ステップS5において純水リンス後のシリコン単結晶基板を、オゾン水の入った薬液槽に浸してオゾン水洗浄を行い、シリコン単結晶基板をオゾンで酸化することによってオゾン酸化膜を形成する(オゾン水洗浄工程)。
なお、オゾン水洗浄によってシリコン単結晶基板の裏面に形成される自然酸化膜の厚さは、1.1nm以上1.8nm以下とする。
ここで、オゾン水洗浄工程後におけるオゾン酸化膜の厚さを1.1nm以上としたのは、厚さを1.1nm未満とすると、オゾン酸化膜の厚さが薄いことから、水素熱処理によりオゾン酸化膜がエッチングされるとシリコン単結晶基板の裏面のシリコンが露出され易くなる。これによって、露出された箇所に局部的にシリコンエピタキシャル層が気相成長され、微小な凹凸が形成されてしまうからである。
【0026】
次いで、ステップS6において、オゾン水洗浄工程後のシリコン単結晶基板を純水槽に浸して純水リンスして、ステップS7において乾燥する。
以上の洗浄工程によりシリコン単結晶基板に形成されたオゾン酸化膜は、パーティクル等の付着が抑制された良質な自然酸化膜となる。
【0027】
なお、上記各工程は、例えばフッ素樹脂製のキャリアに複数枚のシリコン単結晶基板を搭載し、キャリアを各薬液槽に浸すことでキャリアに搭載された複数枚のシリコン単結晶基板に対して一括して行う。このように各キャリアに搭載されたシリコン単結晶基板に対し、流れ作業的に各工程を順次行うため、多数のシリコン単結晶基板を効率的に洗浄することができる。
【0028】
次に、上記洗浄工程によって両主面にオゾン酸化膜が形成されたシリコン単結晶基板の主表面に、上述の気相成長装置1を使用して、シリコンエピタキシャル層を気相成長させる工程について説明する(図3中ステップS8〜S9)。
図1に示すように、上記洗浄後のシリコン単結晶基板Wを、投入温度(例えば650℃)に設定した反応容器11内のサセプタ20により支持させる。
このためには、リフトピン13上にシリコン単結晶基板Wを受け渡すために、各リフトピン13を互いに略等量だけサセプタ20上面より上方に突出するように該サセプタ20に対し相対的に上昇させる。すなわち、サセプタ支持部材12を下降させる動作に伴わせてサセプタ20を下降させていき、この下降の過程でリフトピン13の下端部が例えば、反応容器11の内部底面に到達すると、リフトピン13はそれ以上に下降できないが、サセプタ20はさらに下降する。このため、サセプタ20に対し相対的にリフトピン13が上昇し、図2においてシリコン単結晶基板Wが無い状態となる。
このようにサセプタ20に対し相対的にリフトピン13が上昇した状態で、図示しないハンドラによりシリコン単結晶基板Wを反応容器11内に搬送し、各リフトピン13の頭部13bにより主表面を上にしてシリコン単結晶基板Wを支持させる(図2参照)。
【0029】
そして、ハンドラを退避させる一方で、サセプタ支持部材12を上昇させるのに伴わせて、サセプタ20を上昇させていき、この上昇の過程で座ぐり21の外周側部分がシリコン単結晶基板Wの裏面に到達すると、それまでリフトピン13の頭部13b上に支持されていたシリコン単結晶基板Wが、座ぐり21の外周側部分により支持された状態へと移行する。
さらに、リフトピン用孔部22の縁部がリフトピン13の頭部13bに到達すると、それまで例えば、反応容器11の内部底面により支持された状態であったリフトピン13は、サセプタ20により支持された状態へと移行する(図1参照)。
【0030】
このようにサセプタ20によりシリコン単結晶基板Wを支持させたら、ステップS8において、水素雰囲気の反応容器11内でシリコン単結晶基板Wに熱処理を施す(水素熱処理工程)。
すなわち、気相成長用ガス導入管15及びパージガス導入管16をそれぞれ介して反応容器11内に水素ガスを流した状態で、反応容器11内の温度を水素熱処理温度(例えば1050℃〜1200℃程度)になるように加熱装置14a、14bに電力を供給することによりシリコン単結晶基板Wを加熱する。この際に、サセプタ支持部材12を鉛直軸回りに回転駆動させることによりサセプタ20及びシリコン単結晶基板Wを回転させる。
【0031】
ここで、シリコン単結晶基板Wの主表面では、該主表面に形成されたオゾン酸化膜が水素雰囲気中に露出していることから、当該オゾン酸化膜は水素ガスによりエッチングされて全て除去される。これに対して、シリコン単結晶基板Wの裏面では、水素ガスがシリコン単結晶基板Wの裏面とサセプタ20の上面との隙間に回り込むが、その量は主表面側に比べて大幅に少ないので裏面のオゾン酸化膜のエッチング速度は主表面のものに比べて大幅に小さい。また、裏面のオゾン酸化膜は上記オゾン洗浄工程により形成された良質な自然酸化膜であるので、SC1洗浄又はSC2洗浄により形成される自然酸化膜に比べてエッチング速度が小さい。その結果、シリコン単結晶基板Wの裏面のオゾン酸化膜は、水素熱処理終了時までほぼ残存し、シリコン単結晶基板Wの裏面が水素によりエッチングされることを防止するので、当該裏面がエッチングされ難くなる。
【0032】
次いで、ステップS9において、シリコン単結晶基板Wの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長する(気相成長工程)。
すなわち、気相成長用ガス導入管15を介してシリコン単結晶基板Wの主表面上に気相成長用ガスを供給するとともに、パージガス導入管16を介して水素ガスを供給し、シリコン単結晶基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハは、水素熱処理工程において、シリコン単結晶基板Wの主表面のオゾン酸化膜は全て除去されており、裏面に形成されたオゾン酸化膜はほとんどエッチングされていないので、裏面全面には微小な凹凸が形成されずにほぼ均一な面となっている。
【0033】
このようにシリコンエピタキシャルウェーハを製造したら、降温し、反応容器11外に搬出する。
すなわち、予めサセプタ20の回転を止めた後に、サセプタ支持部材12を下降させて、図2に示すように、各リフトピン13を互いに略等量だけサセプタ20上方に突出動作させ、この突出動作に伴わせてシリコンエピタキシャルウェーハWをサセプタ20の座ぐり21上方に上昇させる。そして、図示しないハンドラによりシリコンエピタキシャルウェーハWを搬出する。
【0034】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
以下に示す方法に従って、それぞれシリコン単結晶基板の洗浄を行い、洗浄後のシリコン単結晶基板に対して図1及び図2に示す気相成長装置1を使用して水素熱処理した後、シリコンエピタキシャル層を気相成長させた。
【0035】
[実施例1]
両主面に鏡面研磨が施された直径300mmのシリコン単結晶基板を、アンモニア水と過酸化水素水の入った薬液槽浸してSC1洗浄を行った後、塩酸と過酸化水素水の入った薬液槽に浸してSC2洗浄を行い、さらにオゾン水の入った薬液槽に10分間浸してオゾン水洗浄を行った。
洗浄後、シリコン単結晶基板の裏面に形成されたオゾン酸化膜の膜厚は、1.6nmであった。
【0036】
[実施例2]
オゾン水洗浄工程において、シリコン単結晶基板をオゾン水に3分間浸した以外は実施例1と同様の条件で洗浄を行った。
洗浄後、シリコン単結晶基板の裏面に形成されたオゾン酸化膜の膜厚は、1.4nmであった。
【0037】
[実施例3]
オゾン水洗浄工程において、シリコン単結晶基板をオゾン水に1分間浸した以外は実施例1と同様の条件で洗浄を行った。
洗浄後、シリコン単結晶基板の裏面に形成されたオゾン酸化膜の膜厚は、1.1nmであった。
【0038】
[比較例1]
両主面に鏡面研磨が施された直径300mmのシリコン単結晶基板に対して、SC1洗浄及びSC2洗浄を施さないでオゾン水洗浄のみを行った。なお、オゾン水は実施例1と同様のものを使用した。
【0039】
[比較例2]
両主面に鏡面研磨が施された直径300mmのシリコン単結晶基板に対して、SC1洗浄を行った後、SC2洗浄を行ったが、オゾン水洗浄は行わなかった。なお、SC1洗浄液及びSC2洗浄液は実施例1と同様のものを使用した。
洗浄後、シリコン単結晶基板の裏面に形成された自然酸化膜の膜厚は、1.2nmであった。
【0040】
そして、洗浄後の実施例1、比較例1のシリコン単結晶基板について、該シリコン単結晶基板に付着したパーティクルを光散乱式のウェーハパーティクル検査装置(以下、パーティクルカウンタと言う)により調べ、一連の洗浄処理前のシリコン単結晶基板に付着したパーティクルからの増加量を算出した。この結果は以下に示す通りである。
なお、カウントしたパーティクルは直径0.12μm以上のものである。また、ここでは、シリコン単結晶基板を5枚ずつ洗浄し、これら5枚当たりのパーティクルの増加量の平均値を算出した。
実施例1 [1個/ウェーハ]
比較例1 [115個/ウェーハ]
【0041】
次に、洗浄後の実施例1〜実施例3、比較例2のシリコン単結晶基板を、図1及び図2に示す気相成長装置1の反応容器11内に搬送して、上記水素熱処理工程及び気相成長工程を行いシリコンエピタキシャルウェーハを得た。
【0042】
得られた実施例1〜実施例3、比較例2のシリコンエピタキシャルウェーハについて集光灯下でその裏面を観察したところ、実施例1〜実施例3のシリコンエピタキシャルウェーハに関しては曇りがほとんど観察されず、これらはほぼ同レベルであった。これに対し、比較例2のシリコンエピタキシャルウェーハはその裏面の略全面に曇りが観察された。
【0043】
以上の結果から明らかなように、実施例1のようにオゾン水洗浄前にSC1洗浄及びSC2洗浄を施したシリコンエピタキシャルウェーハは、比較例1のようにオゾン水洗浄のみ施したシリコンエピタキシャルウェーハに比して、付着したパーティクルの数が著しく少ないことから、SC1洗浄及びSC2洗浄を予め施すことによりパーティクルの付着を確実に低減できることがわかる。
また、実施例1〜実施例3のように気相成長前にオゾン水洗浄を施したシリコンエピタキシャルウェーハは、比較例2のようにSC1洗浄及びSC2洗浄を施したがオゾン水洗浄を施さなかったシリコンエピタキシャルウェーハに比して、集光灯下で裏面に曇りが観察されなかったことから、オゾン水洗浄により形成された良質なオゾン酸化膜により水素熱処理時にシリコン単結晶基板の裏面のエッチングが抑制され、気相成長後、裏面の略全面に微小な凹凸が生じることを抑制できることがわかる。
【0044】
【発明の効果】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、シリコン単結晶基板にSC1洗浄を施した後、オゾン水洗浄を施すことによって、シリコン単結晶基板にパーティクルの付着が抑制された良質なオゾン酸化膜が形成される。そして、このような良質なオゾン酸化膜の存在により、水素雰囲気の反応室内で熱処理を施しても、シリコン単結晶基板の裏面がエッチングされることがほとんどない。したがって、主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長しても、裏面の略全面に微小な凹凸が生じるのを抑制することができ、裏面が鏡面の場合に集光灯下で曇りが観察されることもほとんどなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る反応容器の模式的な正面断面図であり、特に、気相成長中の状態を示す。
【図2】本発明の実施の形態に係る反応容器の模式的な正面断面図であり、特に、リフトピンによりシリコン単結晶基板をサセプタ上方に支持した状態を示す。
【図3】本発明の実施の形態に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を示す工程図の一例である。
【符号の説明】
W シリコン単結晶基板
Claims (1)
- 裏面が鏡面であるシリコン単結晶基板にSC1洗浄を施すSC1洗浄工程と、
該SC1洗浄工程後に、シリコン単結晶基板にSC2洗浄を施すSC2洗浄工程と、
該SC2洗浄工程後に、オゾン水を用いてシリコン単結晶基板の両主面にオゾン酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程と、
該オゾン水洗浄工程後に、裏面がオゾン酸化膜で被覆されたシリコン単結晶基板を反応室内のサセプタ上に載置して水素雰囲気中で熱処理を施し、該シリコン単結晶基板の主表面に形成されているオゾン酸化膜を除去するが、主裏面に形成されているオゾン酸化膜は残存させる水素熱処理工程と、
該水素熱処理工程後に、前記反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程とを備え、
前記オゾン水洗浄工程においてシリコン単結晶基板の主裏面に形成されるオゾン酸化膜の厚さを1.1nm以上1.8nm以下とすることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
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