JP3134483B2 - 半導体基板の液体による処理装置 - Google Patents
半導体基板の液体による処理装置Info
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- JP3134483B2 JP3134483B2 JP04103737A JP10373792A JP3134483B2 JP 3134483 B2 JP3134483 B2 JP 3134483B2 JP 04103737 A JP04103737 A JP 04103737A JP 10373792 A JP10373792 A JP 10373792A JP 3134483 B2 JP3134483 B2 JP 3134483B2
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板を液体によ
り処理する場合の処理装置に関する。本発明に係る半導
体基板の処理装置は、半導体基板の片面のみを薬液で処
理する場合に利用できる。
り処理する場合の処理装置に関する。本発明に係る半導
体基板の処理装置は、半導体基板の片面のみを薬液で処
理する場合に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造の際など、半導体基板
（以下適宜「半導体ウェハ」と称することもある）を液
体で処理する工程を要する場合がある。例えばシリコン
半導体ウェハの表面に空気酸化により生ずるいわゆる自
然酸化膜をフッ酸系の薬液で処理する場合などである。
また、薬液処理後には、一般に、水等により洗浄する必
要がある。
（以下適宜「半導体ウェハ」と称することもある）を液
体で処理する工程を要する場合がある。例えばシリコン
半導体ウェハの表面に空気酸化により生ずるいわゆる自
然酸化膜をフッ酸系の薬液で処理する場合などである。
また、薬液処理後には、一般に、水等により洗浄する必
要がある。
【０００３】従来、このような液体による処理に際して
は、半導体ウェハの片面だけを薬液処理する場合、反対
面をフォトレジスト等により耐薬品コーティングし、薬
液槽に浸し、処理後にコーティングを除去していた。
は、半導体ウェハの片面だけを薬液処理する場合、反対
面をフォトレジスト等により耐薬品コーティングし、薬
液槽に浸し、処理後にコーティングを除去していた。
【０００４】このような従来方法では、耐薬品コーティ
ングをする工程と、処理後に除去する工程に、時間を多
く費やしていた。また、コーティング材からの汚染がも
たらされるおそれがあった。
ングをする工程と、処理後に除去する工程に、時間を多
く費やしていた。また、コーティング材からの汚染がも
たらされるおそれがあった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
して、液体による処理を少ない工程数で短い時間で行う
ことができ、生産性を高めることを可能とし、また、コ
ーティング材等を用いる必要をなくして汚染等の問題を
解決した、液体による半導体装置の処理装置を提供する
ことを目的とする。
して、液体による処理を少ない工程数で短い時間で行う
ことができ、生産性を高めることを可能とし、また、コ
ーティング材等を用いる必要をなくして汚染等の問題を
解決した、液体による半導体装置の処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【発明の構成】本発明に係る半導体基板の液体による処
理装置は、上記目的を達成するため、半導体基板の上方
に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の
吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏
面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、第１の吐
出口から半導体基板の表面に純水を吐出するとともに、
第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出して、
半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成とし
たものである。
理装置は、上記目的を達成するため、半導体基板の上方
に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の
吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏
面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、第１の吐
出口から半導体基板の表面に純水を吐出するとともに、
第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出して、
半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成とし
たものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、第１，第２の吐出口から同時
に処理液を吐出して、半導体基板の表・裏面両面を同時
に液体処理することができる。よって本発明によれば、
従来、耐薬品コーティング、薬液処理、コーティング除
去の３工程必要だった場合も、薬液処理のみの１工程と
することができた。また、コーティング材を要さないの
で、コーティング材に伴う例えば汚染などのおそれがな
い。
に処理液を吐出して、半導体基板の表・裏面両面を同時
に液体処理することができる。よって本発明によれば、
従来、耐薬品コーティング、薬液処理、コーティング除
去の３工程必要だった場合も、薬液処理のみの１工程と
することができた。また、コーティング材を要さないの
で、コーティング材に伴う例えば汚染などのおそれがな
い。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。但
し、当然のことではあるが、本発明は以下に示す実施例
により限定を受けるものではない。
し、当然のことではあるが、本発明は以下に示す実施例
により限定を受けるものではない。
【０００９】実施例１ 本実施例の装置を図１に示す。本実施例は、被処理半導
体基板１である半導体ウェハが、その両面（表面１ａ及
び裏面１ｂ）に酸化膜の付いたシリコンウェハであり、
その裏面１ｂの酸化膜のみを除去する場合に、本発明を
適用したものである。
体基板１である半導体ウェハが、その両面（表面１ａ及
び裏面１ｂ）に酸化膜の付いたシリコンウェハであり、
その裏面１ｂの酸化膜のみを除去する場合に、本発明を
適用したものである。
【００１０】本実施例の処理装置は、図１に示すよう
に、半導体基板１の表面１ａに第１の処理液３１を吐出
する第１の吐出口２と、半導体基板１の裏面１ｂに第２
の処理液３２を吐出する第２の吐出口２２とを備え、第
１，第２の吐出口２１，２２から同時に同一もしくは異
なる処理液を吐出して、半導体基板１の表面１ａ及び裏
面１ｂ処理を同時に行う構成としたものである。特に、
半導体基板の上方に位置する第１の吐出口２１から半導
体基板１の表面１ａに純水を吐出するとともに、半導体
基板の下方に位置する第２の吐出口２２から半導体基板
１の裏面１ｂに薬液を吐出して、半導体基板の表面及び
裏面の処理を同時に行う構成としたものである。
に、半導体基板１の表面１ａに第１の処理液３１を吐出
する第１の吐出口２と、半導体基板１の裏面１ｂに第２
の処理液３２を吐出する第２の吐出口２２とを備え、第
１，第２の吐出口２１，２２から同時に同一もしくは異
なる処理液を吐出して、半導体基板１の表面１ａ及び裏
面１ｂ処理を同時に行う構成としたものである。特に、
半導体基板の上方に位置する第１の吐出口２１から半導
体基板１の表面１ａに純水を吐出するとともに、半導体
基板の下方に位置する第２の吐出口２２から半導体基板
１の裏面１ｂに薬液を吐出して、半導体基板の表面及び
裏面の処理を同時に行う構成としたものである。
【００１１】更に具体的には、本実施例では、図１に示
すとおり半導体基板１のエッヂのみをスピンチャック４
でチャックして、回転軸４１を中心にして回転しなが
ら、上部ノズルである第１の吐出口２から、半導体基板
１のウェハ表面１ａに処理液３１を吐出し、下部ノズル
である第２の吐出口２２から、半導体基板１のウェハ裏
面１ｂに処理液３２を吐出して、処理を行う。ここで、
被処理半導体基板１は、両面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）の付
いたＳｉウェハであり、その裏面１ｂのみ酸化膜除去す
る場合であるので、上部ノズルである第１の吐出口２１
から第１の処理液３１として純水を吐出し、下部ノズル
である第２の吐出口２２から第２の処理液３２としてフ
ッ酸（ＨＦ）を吐出する。これにより、表面１ａにフッ
酸が回り込むことなく、裏面１ｂのみ、酸化膜除去が行
える。
すとおり半導体基板１のエッヂのみをスピンチャック４
でチャックして、回転軸４１を中心にして回転しなが
ら、上部ノズルである第１の吐出口２から、半導体基板
１のウェハ表面１ａに処理液３１を吐出し、下部ノズル
である第２の吐出口２２から、半導体基板１のウェハ裏
面１ｂに処理液３２を吐出して、処理を行う。ここで、
被処理半導体基板１は、両面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）の付
いたＳｉウェハであり、その裏面１ｂのみ酸化膜除去す
る場合であるので、上部ノズルである第１の吐出口２１
から第１の処理液３１として純水を吐出し、下部ノズル
である第２の吐出口２２から第２の処理液３２としてフ
ッ酸（ＨＦ）を吐出する。これにより、表面１ａにフッ
酸が回り込むことなく、裏面１ｂのみ、酸化膜除去が行
える。
【００１２】半導体基板１の裏面１ｂのみの膜除去が必
要となるのは、例えば次のような場合である。即ち、例
えばＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａ
ｌ）にてウェハをアニールする時の温度制御は、ウェハ
裏面からの熱放射を放射温度計にて測定して行ってい
る。この時、裏面の膜種によって補正をしなければなら
ない。ここで、裏面のみ膜を除去することで、基板材質
の放射率に固定して、温度測定が可能となる。よってこ
の場合、裏面のみの膜除去が有効になる。
要となるのは、例えば次のような場合である。即ち、例
えばＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａ
ｌ）にてウェハをアニールする時の温度制御は、ウェハ
裏面からの熱放射を放射温度計にて測定して行ってい
る。この時、裏面の膜種によって補正をしなければなら
ない。ここで、裏面のみ膜を除去することで、基板材質
の放射率に固定して、温度測定が可能となる。よってこ
の場合、裏面のみの膜除去が有効になる。
【００１３】本実施例により、簡明な、少ない工程によ
り、短時間で効率的な処理が達成でき、かつ、汚染の問
題も生じなかった。
り、短時間で効率的な処理が達成でき、かつ、汚染の問
題も生じなかった。
【００１４】なお図１中、スピンチャック４は、３本程
度の数本の把持部で半導体基板１を把持し、それ以外は
空間となっているものを用いることにより、処理液３２
がスピンチャック４に邪魔されずに、基板１の裏面１ｂ
を処理できる。
度の数本の把持部で半導体基板１を把持し、それ以外は
空間となっているものを用いることにより、処理液３２
がスピンチャック４に邪魔されずに、基板１の裏面１ｂ
を処理できる。
【００１５】実施例２ 実施例１では、シリコン上の酸化膜ＳｉＯ2 の裏面のみ
における除去を行ったが、この実施例では、シリコン半
導体基板上のシリコンナイトライド（ＳｉＮ）を除去す
るのに、本発明を用いた。本実施例では、第２の処理液
２２として、１５０℃前後のＨ3 ＰＯ4 を用いて、膜除
去を行った。その他は実施例１と同様に行った。本実施
例によって、実施例１と同様な効果が得られる。
における除去を行ったが、この実施例では、シリコン半
導体基板上のシリコンナイトライド（ＳｉＮ）を除去す
るのに、本発明を用いた。本実施例では、第２の処理液
２２として、１５０℃前後のＨ3 ＰＯ4 を用いて、膜除
去を行った。その他は実施例１と同様に行った。本実施
例によって、実施例１と同様な効果が得られる。
【００１６】実施例３ 本実施例では、半導体基板上の多結晶Ｓｉ膜を除去する
ようにした。多結晶Ｓｉ膜除去用処理液としてＫＯＨ水
溶液を用い、その他は実施例１と同様にした。本実施例
でも、実施例１と同様な効果が得られる。
ようにした。多結晶Ｓｉ膜除去用処理液としてＫＯＨ水
溶液を用い、その他は実施例１と同様にした。本実施例
でも、実施例１と同様な効果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、液体による処理を少な
い工程数で短い時間で行うことができ、生産性を高める
ことが可能で、また、コーティング材等を用いる必要が
なく、汚染等の問題もない。
い工程数で短い時間で行うことができ、生産性を高める
ことが可能で、また、コーティング材等を用いる必要が
なく、汚染等の問題もない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の処理装置の構成図である。
１ 半導体基板（被処理半導体ウェハ） ２１ 第１の吐出口（上部ノズル） ２２ 第２の吐出口（下部ノズル） ３１ 第１の処理液（純水） ３２ 第２の処理液（フッ酸等の薬液）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 643 H01L 21/306
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の上方に位置して半導体基板の
表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の
下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第
２の吐出口とを備え、 第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出すると
ともに、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐
出して、半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う
構成とした半導体基板の液体による処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04103737A JP3134483B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 半導体基板の液体による処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04103737A JP3134483B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 半導体基板の液体による処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283387A JPH05283387A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3134483B2 true JP3134483B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=14361942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04103737A Expired - Fee Related JP3134483B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 半導体基板の液体による処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134483B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164318A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Ishii Hyoki Corp | 基板スピン装置 |
| JP2011187887A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Toyota Motor Corp | エピタキシャルウエハの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP04103737A patent/JP3134483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05283387A (ja) | 1993-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |