JP3275396B2 - Ｉｃチップのボンディング方法およびボンディングヘッド - Google Patents
Ｉｃチップのボンディング方法およびボンディングヘッドInfo
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- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣチップのボンディ
ング方法および該方法で使用するボンディングヘッドに
関する。
ング方法および該方法で使用するボンディングヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップの組立技術の１つとして、フ
リップチップボンディング方法が知られている。このボ
ンディング方法は、例えば図７に示すように、ＩＣチッ
プ１の下面に設けられた電極２を、該電極２の下面に予
め設けられた半田バンプ３を介して、配線基板４の上面
に設けられた配線パターン５の接続パッド６に接続する
方法である。
リップチップボンディング方法が知られている。このボ
ンディング方法は、例えば図７に示すように、ＩＣチッ
プ１の下面に設けられた電極２を、該電極２の下面に予
め設けられた半田バンプ３を介して、配線基板４の上面
に設けられた配線パターン５の接続パッド６に接続する
方法である。
【０００３】このボンディング方法についてさらに詳述
すると、まず、図４に示すように、配線基板４はテーブ
ル７の上面に位置決めされて載置されている。一方、Ｉ
Ｃチップ１は、図示しない真空ポンプに接続された搭載
ヘッド８の下端面に吸着され、搭載ヘッド８の水平方向
への移動により、アライメントされた状態で配線基板４
の上方に位置させられる。この場合、ＩＣチップ１の電
極２の下面に設けられた半田バンプ３の下面には予めフ
ラックス９が塗布されている。そして、搭載ヘッド８が
下降し、ＩＣチップ１に対する吸着を解除した後上昇し
さらに水平方向に移動すると、図５に示すように、ＩＣ
チップ１が配線基板４上の所定位置に載置される。この
状態では、フラックス９が接続パッド６に付着すること
により、ＩＣチップ１が配線基板４上に仮固定される。
すると、まず、図４に示すように、配線基板４はテーブ
ル７の上面に位置決めされて載置されている。一方、Ｉ
Ｃチップ１は、図示しない真空ポンプに接続された搭載
ヘッド８の下端面に吸着され、搭載ヘッド８の水平方向
への移動により、アライメントされた状態で配線基板４
の上方に位置させられる。この場合、ＩＣチップ１の電
極２の下面に設けられた半田バンプ３の下面には予めフ
ラックス９が塗布されている。そして、搭載ヘッド８が
下降し、ＩＣチップ１に対する吸着を解除した後上昇し
さらに水平方向に移動すると、図５に示すように、ＩＣ
チップ１が配線基板４上の所定位置に載置される。この
状態では、フラックス９が接続パッド６に付着すること
により、ＩＣチップ１が配線基板４上に仮固定される。
【０００４】次に、図６に示すように、電圧を印加する
ことにより所定温度に加熱されたボンディングヘッド１
０が下降し、その下端面がＩＣチップ１の上面に圧接さ
れると、半田バンプ３が加熱されて溶融する。この場
合、銅等の金属からなる接続パッド６の表面の酸化膜か
ら酸素をフラックス９が取り込むことにより、接続パッ
ド６の表面が還元され、これにより溶融した半田バンプ
３と接続パッド６の表面との密着性が向上する。次い
で、ボンディングヘッド１０への電圧の印加を停止する
と、ボンディングヘッド１０およびＩＣチップ１の温度
が放熱により低下し、これにより半田バンプ３が温度低
下により固化し、この結果電極２が半田バンプ３を介し
て接続パッド６に固着（接続）される。この後、ボンデ
ィングヘッド１０を上昇させる。次に、塩素系溶剤やフ
ッ素系溶剤等の溶剤により洗浄してフラックス９を除去
すると、図７に示すようになる。フラックス９を除去す
る理由は、フラックス９を残存させておくと、フラック
ス９が空気中の水分を経時的に吸収して導電性を持ち、
この導電性を持ったフラックス９を介してＩＣチップ１
の隣接する電極２間でショートが発生することがあるの
で、これを未然に防止するためである。
ことにより所定温度に加熱されたボンディングヘッド１
０が下降し、その下端面がＩＣチップ１の上面に圧接さ
れると、半田バンプ３が加熱されて溶融する。この場
合、銅等の金属からなる接続パッド６の表面の酸化膜か
ら酸素をフラックス９が取り込むことにより、接続パッ
ド６の表面が還元され、これにより溶融した半田バンプ
３と接続パッド６の表面との密着性が向上する。次い
で、ボンディングヘッド１０への電圧の印加を停止する
と、ボンディングヘッド１０およびＩＣチップ１の温度
が放熱により低下し、これにより半田バンプ３が温度低
下により固化し、この結果電極２が半田バンプ３を介し
て接続パッド６に固着（接続）される。この後、ボンデ
ィングヘッド１０を上昇させる。次に、塩素系溶剤やフ
ッ素系溶剤等の溶剤により洗浄してフラックス９を除去
すると、図７に示すようになる。フラックス９を除去す
る理由は、フラックス９を残存させておくと、フラック
ス９が空気中の水分を経時的に吸収して導電性を持ち、
この導電性を持ったフラックス９を介してＩＣチップ１
の隣接する電極２間でショートが発生することがあるの
で、これを未然に防止するためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＩＣチップのボンディング方法では、ＩＣチ
ップ１を仮固定するため、および接続パッド６の表面を
還元して半田バンプ３との密着性を向上するために、フ
ラックス９を使用し、かつこのフラックス９に起因する
ＩＣチップ１の隣接する電極２間でのショートの発生を
未然に防止するために、フラックス９を除去している関
係から、フラックス９を塗布する工程と、フラックス９
を除去する工程とが必要であり、したがってその分だけ
工程数が多く、コストアップになるという問題があっ
た。また、搭載ヘッド８によるＩＣチップ１の配線基板
４上への載置工程と、ボンディングヘッド１０による熱
圧着工程とが別々であるので、これまた工程数が多く、
さらにコストアップになるという問題があった。この発
明の目的は、工程数を少なくすることのできるＩＣチッ
プのボンディング方法および該方法で使用するボンディ
ングヘッドを提供することにある。
このようなＩＣチップのボンディング方法では、ＩＣチ
ップ１を仮固定するため、および接続パッド６の表面を
還元して半田バンプ３との密着性を向上するために、フ
ラックス９を使用し、かつこのフラックス９に起因する
ＩＣチップ１の隣接する電極２間でのショートの発生を
未然に防止するために、フラックス９を除去している関
係から、フラックス９を塗布する工程と、フラックス９
を除去する工程とが必要であり、したがってその分だけ
工程数が多く、コストアップになるという問題があっ
た。また、搭載ヘッド８によるＩＣチップ１の配線基板
４上への載置工程と、ボンディングヘッド１０による熱
圧着工程とが別々であるので、これまた工程数が多く、
さらにコストアップになるという問題があった。この発
明の目的は、工程数を少なくすることのできるＩＣチッ
プのボンディング方法および該方法で使用するボンディ
ングヘッドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ＩＣチップの電極を該電極に設けられた半田バンプを介
して配線基板の接続パッドに接続する際に、前記ＩＣチ
ップを吸着により平面方向に位置決めした状態で鉛直方
向に圧力を加えて前記配線基板上に圧接させておくとと
もに、不活性ガスと還元用ガスを前記半田バンプを溶融
させることのできる温度以上に加熱して吹き付けて前記
半田バンプを溶融させるようにしたものである。請求項
２記載の発明は、大きい管とその内部に配置された小さ
い管との間から加熱されたガスを射出し、前記小さい管
の内部によって真空吸引するようにしたものである。
ＩＣチップの電極を該電極に設けられた半田バンプを介
して配線基板の接続パッドに接続する際に、前記ＩＣチ
ップを吸着により平面方向に位置決めした状態で鉛直方
向に圧力を加えて前記配線基板上に圧接させておくとと
もに、不活性ガスと還元用ガスを前記半田バンプを溶融
させることのできる温度以上に加熱して吹き付けて前記
半田バンプを溶融させるようにしたものである。請求項
２記載の発明は、大きい管とその内部に配置された小さ
い管との間から加熱されたガスを射出し、前記小さい管
の内部によって真空吸引するようにしたものである。
【０００７】
【作用】請求項１記載の発明によれば、不活性ガスと還
元用ガスとの混合ガスを高温で吹き付けて半田バンプを
溶融する際、該混合ガス中の還元用ガスによって接続パ
ッドの表面を還元することができ、したがって接続パッ
ドの表面を還元するためのフラックスが不要となり、そ
の分だけ工程数を少なくすることができる。この場合、
請求項２記載の発明のように、ＩＣチップを吸着により
平面方向に位置決めした状態で鉛直方向に圧力を加えて
配線基板上に圧接させるようにすると、ＩＣチップを仮
固定するためのフラックスも不要となり、またＩＣチッ
プを配線基板上に載置した後直ちに熱圧着することがで
き、したがって工程数をより一層少なくすることができ
る。請求項３記載の発明によれば、小さい管によりＩＣ
チップを吸着して平面方向に位置決めした状態で鉛直方
向に圧力を加えて配線基板上に圧接させるようにする
と、ＩＣチップを仮固定するためのフラックスが不要と
なり、また大きい管と小さい管との間から不活性ガスと
還元用ガスとの混合ガスを高温で射出させて半田バンプ
を溶融させるようにすると、ＩＣチップを配線基板上に
載置した後直ちに熱圧着することができる上、接続パッ
ドの表面を還元するためのフラックスが不要となり、し
たがって工程数を少なくすることができる。
元用ガスとの混合ガスを高温で吹き付けて半田バンプを
溶融する際、該混合ガス中の還元用ガスによって接続パ
ッドの表面を還元することができ、したがって接続パッ
ドの表面を還元するためのフラックスが不要となり、そ
の分だけ工程数を少なくすることができる。この場合、
請求項２記載の発明のように、ＩＣチップを吸着により
平面方向に位置決めした状態で鉛直方向に圧力を加えて
配線基板上に圧接させるようにすると、ＩＣチップを仮
固定するためのフラックスも不要となり、またＩＣチッ
プを配線基板上に載置した後直ちに熱圧着することがで
き、したがって工程数をより一層少なくすることができ
る。請求項３記載の発明によれば、小さい管によりＩＣ
チップを吸着して平面方向に位置決めした状態で鉛直方
向に圧力を加えて配線基板上に圧接させるようにする
と、ＩＣチップを仮固定するためのフラックスが不要と
なり、また大きい管と小さい管との間から不活性ガスと
還元用ガスとの混合ガスを高温で射出させて半田バンプ
を溶融させるようにすると、ＩＣチップを配線基板上に
載置した後直ちに熱圧着することができる上、接続パッ
ドの表面を還元するためのフラックスが不要となり、し
たがって工程数を少なくすることができる。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の一実施例に
おけるボンディング装置の要部を示したものである。こ
れらの図において、図４と同一部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。このボンディング装置に
おけるボンディングヘッド１１は、大きい管１２とその
内部中心に配置された小さい管１３とによって構成さ
れ、大きい管１２と小さい管１３との間から加熱された
ガスを射出し、小さい管１３の内部によって真空吸引す
るようになっている。このため、大きい管１２と小さい
管１３との間は、図示していないが、ガス加熱器および
ガス供給源に接続されている。小さい管１３の内部は、
これまた図示していないが、真空ポンプに接続されてい
る。なお、この実施例のＩＣチップ１の下面にはアルミ
ニウム等の金属からなる電極２が設けられ、電極２の下
面には必要に応じて半田との密着性の良い金属膜（図示
せず）を介して半田バンプ３が設けられ、また半田バン
プ３の下面にはフラックスが設けられていない。
おけるボンディング装置の要部を示したものである。こ
れらの図において、図４と同一部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。このボンディング装置に
おけるボンディングヘッド１１は、大きい管１２とその
内部中心に配置された小さい管１３とによって構成さ
れ、大きい管１２と小さい管１３との間から加熱された
ガスを射出し、小さい管１３の内部によって真空吸引す
るようになっている。このため、大きい管１２と小さい
管１３との間は、図示していないが、ガス加熱器および
ガス供給源に接続されている。小さい管１３の内部は、
これまた図示していないが、真空ポンプに接続されてい
る。なお、この実施例のＩＣチップ１の下面にはアルミ
ニウム等の金属からなる電極２が設けられ、電極２の下
面には必要に応じて半田との密着性の良い金属膜（図示
せず）を介して半田バンプ３が設けられ、また半田バン
プ３の下面にはフラックスが設けられていない。
【０００９】次に、このボンディング装置の動作につい
て説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、セラミッ
クや樹脂等からなる配線基板４はテーブル７の上面に位
置決めされて載置されている。一方、ＩＣチップ１は、
ボンディングヘッド１１の小さい管１３の下端面に吸着
され、ボンディングヘッド１１の水平方向への移動によ
り、アライメントされた状態で配線基板４の上方に位置
させられる。そして、図２に示すように、ボンディング
ヘッド１１が下降すると、ＩＣチップ１が配線基板４上
の所定位置に載置される。この状態では、ＩＣチップ１
は、ボンディングヘッド１１の小さい管１３の下端面に
吸着されていることにより、平面方向に位置決めされた
状態で鉛直方向に圧力を加えられて配線基板４上に圧接
される。したがって、ＩＣチップ１を仮固定するための
フラックスは不要である。
て説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、セラミッ
クや樹脂等からなる配線基板４はテーブル７の上面に位
置決めされて載置されている。一方、ＩＣチップ１は、
ボンディングヘッド１１の小さい管１３の下端面に吸着
され、ボンディングヘッド１１の水平方向への移動によ
り、アライメントされた状態で配線基板４の上方に位置
させられる。そして、図２に示すように、ボンディング
ヘッド１１が下降すると、ＩＣチップ１が配線基板４上
の所定位置に載置される。この状態では、ＩＣチップ１
は、ボンディングヘッド１１の小さい管１３の下端面に
吸着されていることにより、平面方向に位置決めされた
状態で鉛直方向に圧力を加えられて配線基板４上に圧接
される。したがって、ＩＣチップ１を仮固定するための
フラックスは不要である。
【００１０】次に、図３に示すように、ボンディングヘ
ッド１１の大きい管１２と小さい管１３との間から、ア
ルゴンやヘリウム等の不活性ガスに１〜５％程度の割合
で水素ガス等からなる還元用ガスが混合されてなる混合
ガスを２４０〜３００℃程度の高温で射出させ、ＩＣチ
ップ１等に吹き付ける。すると、高温の混合ガス中の還
元用ガスによって銅等の金属からなる接続パッド６の表
面の酸化膜が次の反応式により還元される（ここでは還
元ガスとして水素ガスを用いた。）。 ＭＯ＋Ｈ2→Ｍ＋Ｈ2Ｏ （Ｍ：金属） この場合、発生したＨ2Ｏは蒸発する。したがって、接
続パッド６の表面を還元するためのフラックスは不要で
ある。
ッド１１の大きい管１２と小さい管１３との間から、ア
ルゴンやヘリウム等の不活性ガスに１〜５％程度の割合
で水素ガス等からなる還元用ガスが混合されてなる混合
ガスを２４０〜３００℃程度の高温で射出させ、ＩＣチ
ップ１等に吹き付ける。すると、高温の混合ガス中の還
元用ガスによって銅等の金属からなる接続パッド６の表
面の酸化膜が次の反応式により還元される（ここでは還
元ガスとして水素ガスを用いた。）。 ＭＯ＋Ｈ2→Ｍ＋Ｈ2Ｏ （Ｍ：金属） この場合、発生したＨ2Ｏは蒸発する。したがって、接
続パッド６の表面を還元するためのフラックスは不要で
ある。
【００１１】また、同時に、２４０〜３００℃程度の混
合ガスによりＩＣチップ１が加熱され、これにより半田
バンプ３が溶融される。ここで、この実施例で用いられ
ている半田はスズと鉛の混合比が６対４である共晶半田
であり、その融点は１８３℃であるので、２４０〜３０
０℃程度の混合ガスでＩＣチップ１を加熱することによ
り、半田バンプ３を十分に溶融させることができる。次
いで、混合ガスの射出を停止すると、ボンディングヘッ
ド１１およびＩＣチップ１の温度が放熱により低下し、
これにより半田バンプ３が温度低下により固化し、この
結果電極２が半田バンプ３を介して接続パッド６に固着
（接続）される。この後、ＩＣチップ１の吸着を解除す
るとともにボンディングヘッド１１を上昇させる。この
ように、特殊な構造のボンディングヘッド１１のみを用
いて、ＩＣチップ１を配線基板４上に載置した後直ちに
熱圧着することができる。
合ガスによりＩＣチップ１が加熱され、これにより半田
バンプ３が溶融される。ここで、この実施例で用いられ
ている半田はスズと鉛の混合比が６対４である共晶半田
であり、その融点は１８３℃であるので、２４０〜３０
０℃程度の混合ガスでＩＣチップ１を加熱することによ
り、半田バンプ３を十分に溶融させることができる。次
いで、混合ガスの射出を停止すると、ボンディングヘッ
ド１１およびＩＣチップ１の温度が放熱により低下し、
これにより半田バンプ３が温度低下により固化し、この
結果電極２が半田バンプ３を介して接続パッド６に固着
（接続）される。この後、ＩＣチップ１の吸着を解除す
るとともにボンディングヘッド１１を上昇させる。この
ように、特殊な構造のボンディングヘッド１１のみを用
いて、ＩＣチップ１を配線基板４上に載置した後直ちに
熱圧着することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、ＩＣチップを吸着により平面方向に位置決
めした状態で鉛直方向に圧力を加えて配線基板上に圧接
させておくことにより、ＩＣチップを仮固定するための
フラックスが不要となり、また不活性ガスと還元用ガス
を高温で吹き付けて半田バンプを溶融する際、該混合ガ
ス中の還元用ガスによって接続パッドの表面を還元する
ことができるので、接続パッドの表面を還元するための
フラックスが不要となるとともに、ＩＣチップを配線基
板上に載置した後直ちに熱圧着することができて、その
分だけ工程数が少なくなり、コストダウンを図ることが
できる。請求項３記載の発明によれば、小さい管により
ＩＣチップを吸着して平面方向に位置決めした状態で鉛
直方向に圧力を加えて配線基板上に圧接させるようにす
ると、ＩＣチップを仮固定するためのフラックスが不要
となり、また大きい管と小さい管との間から不活性ガス
と還元用ガスとの混合ガスを高温で射出させて半田バン
プを溶融させるようにすると、ＩＣチップを配線基板上
に載置した後直ちに熱圧着することができる上、接続パ
ッドの表面を還元するためのフラックスが不要となり、
したがって工程数を少なくすることができ、コストダウ
ンを図ることができる。
明によれば、ＩＣチップを吸着により平面方向に位置決
めした状態で鉛直方向に圧力を加えて配線基板上に圧接
させておくことにより、ＩＣチップを仮固定するための
フラックスが不要となり、また不活性ガスと還元用ガス
を高温で吹き付けて半田バンプを溶融する際、該混合ガ
ス中の還元用ガスによって接続パッドの表面を還元する
ことができるので、接続パッドの表面を還元するための
フラックスが不要となるとともに、ＩＣチップを配線基
板上に載置した後直ちに熱圧着することができて、その
分だけ工程数が少なくなり、コストダウンを図ることが
できる。請求項３記載の発明によれば、小さい管により
ＩＣチップを吸着して平面方向に位置決めした状態で鉛
直方向に圧力を加えて配線基板上に圧接させるようにす
ると、ＩＣチップを仮固定するためのフラックスが不要
となり、また大きい管と小さい管との間から不活性ガス
と還元用ガスとの混合ガスを高温で射出させて半田バン
プを溶融させるようにすると、ＩＣチップを配線基板上
に載置した後直ちに熱圧着することができる上、接続パ
ッドの表面を還元するためのフラックスが不要となり、
したがって工程数を少なくすることができ、コストダウ
ンを図ることができる。
【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例におけるボンディ
ング装置においてボンディングヘッドで吸着したＩＣチ
ップを配線基板の上方に位置させた状態の縦断面図、
（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う横断面図。
ング装置においてボンディングヘッドで吸着したＩＣチ
ップを配線基板の上方に位置させた状態の縦断面図、
（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う横断面図。
【図２】このボンディング装置においてＩＣチップを配
線基板上に載置した状態の縦断面図。
線基板上に載置した状態の縦断面図。
【図３】このボンディング装置において半田バンプを溶
融した状態の縦断面図。
融した状態の縦断面図。
【図４】従来のボンディング装置において搭載ヘッドで
吸着したＩＣチップを配線基板の上方に位置させた状態
の縦断面図。
吸着したＩＣチップを配線基板の上方に位置させた状態
の縦断面図。
【図５】従来のボンディング装置においてＩＣチップを
配線基板上に載置した状態の縦断面図。
配線基板上に載置した状態の縦断面図。
【図６】従来のボンディング装置においてボンディング
ヘッドの下端面をＩＣチップの上面に圧接させた状態の
縦断面図。
ヘッドの下端面をＩＣチップの上面に圧接させた状態の
縦断面図。
【図７】従来のボンディング装置においてＩＣチップを
配線基板上に熱圧着した状態の縦断面図。
配線基板上に熱圧着した状態の縦断面図。
１ ＩＣチップ ２ 電極 ３ 半田バンプ ４ 配線基板 ６ 接続パッド １１ ボンディングヘッド １２ 大きい管 １３ 小さい管
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩＣチップの電極を該電極に設けられた
半田バンプを介して配線基板の接続パッドに接続する際
に、前記ＩＣチップを吸着により平面方向に位置決めした状
態で鉛直方向に圧力を加えて前記配線基板上に圧接させ
ておくとともに、 不活性ガスと還元用ガスを前記半田バ
ンプを溶融させることのできる温度以上に加熱して吹き
付けて前記半田バンプを溶融させることを特徴とするＩ
Ｃチップのボンディング方法。 - 【請求項２】 大きい管とその内部に配置された小さい
管との間から加熱されたガスを射出し、前記小さい管の
内部によって真空吸引するようにしたことを特徴とする
ボンディングヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29926692A JP3275396B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | Ｉｃチップのボンディング方法およびボンディングヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29926692A JP3275396B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | Ｉｃチップのボンディング方法およびボンディングヘッド |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124980A JPH06124980A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3275396B2 true JP3275396B2 (ja) | 2002-04-15 |
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ID=17870320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29926692A Expired - Fee Related JP3275396B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | Ｉｃチップのボンディング方法およびボンディングヘッド |
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|---|---|
| JP (1) | JP3275396B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4275806B2 (ja) | 1999-06-01 | 2009-06-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体素子の実装方法 |
| JP4598914B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2010-12-15 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法および装置 |
| JP2002064268A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Toray Eng Co Ltd | 実装方法および装置 |
| JP4785486B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2011-10-05 | セイコーインスツル株式会社 | 電子装置の製造方法及び製造装置 |
| JP4901933B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
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1992
- 1992-10-12 JP JP29926692A patent/JP3275396B2/ja not_active Expired - Fee Related
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