JP3139860B2 - 樹脂モールド装置 - Google Patents
樹脂モールド装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢテープ等の樹脂モ
ールドに用いる樹脂モールド装置に関する。
ールドに用いる樹脂モールド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームあるいはＴＡＢテープ等
を用いた樹脂モールドタイプの半導体装置の製造にあた
っては、リードフレームあるいはＴＡＢテープに半導体
チップを搭載した後、これらをモールド金型にセットし
てキャビティに樹脂充填して樹脂封止する。これらＴＡ
Ｂテープあるいはリードフレームを樹脂モールドする場
合、従来はキャビティの側面にゲートを設けて厚み方向
の側方からキャビティ内に樹脂を注入するサイドゲート
方式によって樹脂モールドしている。このサイドゲート
方式は金型構造が簡単になることや作業効率が良いこと
から樹脂モールドタイプの半導体装置の製造において常
法として行われている方法である。
を用いた樹脂モールドタイプの半導体装置の製造にあた
っては、リードフレームあるいはＴＡＢテープに半導体
チップを搭載した後、これらをモールド金型にセットし
てキャビティに樹脂充填して樹脂封止する。これらＴＡ
Ｂテープあるいはリードフレームを樹脂モールドする場
合、従来はキャビティの側面にゲートを設けて厚み方向
の側方からキャビティ内に樹脂を注入するサイドゲート
方式によって樹脂モールドしている。このサイドゲート
方式は金型構造が簡単になることや作業効率が良いこと
から樹脂モールドタイプの半導体装置の製造において常
法として行われている方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体装置では樹脂モールド部分の厚さがきわめて薄く
なり、また樹脂モールド部分の面積が大きくなってきた
ことから従来のサイドゲート方式ではキャビティ内に確
実に樹脂が充填されず、樹脂の未充填やボイドが生じて
パッケージ部分の成形性に問題が生じてきた。とくに、
ＴＡＢテープをモールド金型で直接樹脂モールドするよ
うな場合、サイドゲート方式では樹脂注入時の樹脂圧に
よって半導体チップが傾いてしまったり、正規位置から
位置ずれしてモールドされるといった問題が生じる。
半導体装置では樹脂モールド部分の厚さがきわめて薄く
なり、また樹脂モールド部分の面積が大きくなってきた
ことから従来のサイドゲート方式ではキャビティ内に確
実に樹脂が充填されず、樹脂の未充填やボイドが生じて
パッケージ部分の成形性に問題が生じてきた。とくに、
ＴＡＢテープをモールド金型で直接樹脂モールドするよ
うな場合、サイドゲート方式では樹脂注入時の樹脂圧に
よって半導体チップが傾いてしまったり、正規位置から
位置ずれしてモールドされるといった問題が生じる。
【０００４】また、サイドゲート方式ではキャビティの
側面から樹脂注入するため樹脂の注入距離が長くなるこ
とによって樹脂の充填性が低下することと、パッケージ
内で半導体チップが占有する容積比率が大きくなり、リ
ードが多ピンになってリードが高密度に形成されるよう
になってきたことからゲートの反対側のキャビティ内へ
の樹脂の充填性が低下するという問題点がある。このた
め、従来の樹脂モールド装置でも上型と下型のキャビテ
ィの各々に別々にゲートを設けることによって樹脂の未
充填が生じたりしないようにしたものもある。
側面から樹脂注入するため樹脂の注入距離が長くなるこ
とによって樹脂の充填性が低下することと、パッケージ
内で半導体チップが占有する容積比率が大きくなり、リ
ードが多ピンになってリードが高密度に形成されるよう
になってきたことからゲートの反対側のキャビティ内へ
の樹脂の充填性が低下するという問題点がある。このた
め、従来の樹脂モールド装置でも上型と下型のキャビテ
ィの各々に別々にゲートを設けることによって樹脂の未
充填が生じたりしないようにしたものもある。
【０００５】しかしながら、被成形品の上下面に各々ゲ
ートを設けることはゲートブレイクがしにくくなるとい
う問題があり、またサイドゲート方式であることによる
樹脂の充填性の低さという問題点があってＴＡＢテープ
の樹脂モールドなどには好適に適用することができな
い。また、サイドゲート方式の場合には樹脂モールド後
にゲートが被成形品に付着して残留するから、ＴＡＢテ
ープなどを樹脂モールドした場合はベースフィルムから
ゲートを剥離する際に製品に損傷を与えるという問題点
もあった。そこで、本発明はこれら問題点を解消すべく
なされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ
テープ等のように的確に樹脂モールドすることが困難な
製品であっても好適に樹脂モールドすることのできる樹
脂モールド装置を提供しようとするものである。
ートを設けることはゲートブレイクがしにくくなるとい
う問題があり、またサイドゲート方式であることによる
樹脂の充填性の低さという問題点があってＴＡＢテープ
の樹脂モールドなどには好適に適用することができな
い。また、サイドゲート方式の場合には樹脂モールド後
にゲートが被成形品に付着して残留するから、ＴＡＢテ
ープなどを樹脂モールドした場合はベースフィルムから
ゲートを剥離する際に製品に損傷を与えるという問題点
もあった。そこで、本発明はこれら問題点を解消すべく
なされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ
テープ等のように的確に樹脂モールドすることが困難な
製品であっても好適に樹脂モールドすることのできる樹
脂モールド装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、ＴＡＢテープを
モールド金型でクランプして樹脂モールドする樹脂モー
ルド装置において、前記モールド金型に設けた上キャビ
ティの内底面に、キャビティ内にセットした半導体チッ
プを搭載した前記ＴＡＢテープで上キャビティと下キャ
ビティとの間の樹脂流通を図るべく設けた透孔位置に合
わせてゲート端を開口させ、該ゲート端と樹脂が投入さ
れるポットとの間を連絡するバーチカルゲートを前記Ｔ
ＡＢテープに搭載する半導体チップのチップ面に垂直に
設け、前記ポット内で溶融した樹脂を前記バーチカルゲ
ートを介してキャビティ内へ圧送するプランジャーを設
けたことを特徴とする。また、前記バーチカルゲートの
ゲート端の開口位置を前記ＴＡＢテープに搭載された半
導体チップのコーナー部近傍位置に設定したことを特徴
とする。
するため次の構成を備える。すなわち、ＴＡＢテープを
モールド金型でクランプして樹脂モールドする樹脂モー
ルド装置において、前記モールド金型に設けた上キャビ
ティの内底面に、キャビティ内にセットした半導体チッ
プを搭載した前記ＴＡＢテープで上キャビティと下キャ
ビティとの間の樹脂流通を図るべく設けた透孔位置に合
わせてゲート端を開口させ、該ゲート端と樹脂が投入さ
れるポットとの間を連絡するバーチカルゲートを前記Ｔ
ＡＢテープに搭載する半導体チップのチップ面に垂直に
設け、前記ポット内で溶融した樹脂を前記バーチカルゲ
ートを介してキャビティ内へ圧送するプランジャーを設
けたことを特徴とする。また、前記バーチカルゲートの
ゲート端の開口位置を前記ＴＡＢテープに搭載された半
導体チップのコーナー部近傍位置に設定したことを特徴
とする。
【０００７】
【作用】ポット内で溶融された樹脂はプランジャーによ
って押圧されバーチカルゲートを介してキャビティ内に
圧送される。バーチカルゲートはゲート端が上キャビテ
ィの内底面に開口しているから樹脂はキャビティの厚み
方向に注入される。バーチカルゲートはＴＡＢテープで
上キャビティと下キャビティ間の樹脂の流通を図るべく
設けた透孔位置に合わせて配置されているから、上キャ
ビティから下キャビティへ効率的に樹脂が充填され確実
な樹脂充填がなされる。
って押圧されバーチカルゲートを介してキャビティ内に
圧送される。バーチカルゲートはゲート端が上キャビテ
ィの内底面に開口しているから樹脂はキャビティの厚み
方向に注入される。バーチカルゲートはＴＡＢテープで
上キャビティと下キャビティ間の樹脂の流通を図るべく
設けた透孔位置に合わせて配置されているから、上キャ
ビティから下キャビティへ効率的に樹脂が充填され確実
な樹脂充填がなされる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。本発明に係る樹脂モールド装置
はモールド金型に設けたキャビティの側面にゲートを設
けず、キャビティの内底面にゲートを開口させてキャビ
ティの厚み方向に樹脂充填することを特徴とする。図１
は本発明に係る樹脂モールド装置の一実施例の構成を示
す。図で１０は被成形品たるＴＡＢテープ、１２はＴＡ
Ｂテープ１０の周縁部を上下面で挟んで支持するキャリ
アである。実施例の樹脂モールド装置はＴＡＢテープ１
０をキャリア１２で支持したまま樹脂モールドする。
づいて詳細に説明する。本発明に係る樹脂モールド装置
はモールド金型に設けたキャビティの側面にゲートを設
けず、キャビティの内底面にゲートを開口させてキャビ
ティの厚み方向に樹脂充填することを特徴とする。図１
は本発明に係る樹脂モールド装置の一実施例の構成を示
す。図で１０は被成形品たるＴＡＢテープ、１２はＴＡ
Ｂテープ１０の周縁部を上下面で挟んで支持するキャリ
アである。実施例の樹脂モールド装置はＴＡＢテープ１
０をキャリア１２で支持したまま樹脂モールドする。
【０００９】１４ａおよび１４ｂはＴＡＢテープ１０を
クランプする上キャビティブロック及び下キャビティブ
ロックで、それぞれＴＡＢテープ１０を挟んで対向位置
に上キャビティ１６ａ、下キャビティ１６ｂを有する。
１８ａ、１８ｂは上キャビティブロック１４ａと下キャ
ビティブロック１４ｂをそれぞれ支持する上チェイスブ
ロックおよび下チェイスブロックである。下チェイスブ
ロック１８ｂの外縁部上にはキャリア１２を熱遮断して
セットするための断熱材２０を設ける。
クランプする上キャビティブロック及び下キャビティブ
ロックで、それぞれＴＡＢテープ１０を挟んで対向位置
に上キャビティ１６ａ、下キャビティ１６ｂを有する。
１８ａ、１８ｂは上キャビティブロック１４ａと下キャ
ビティブロック１４ｂをそれぞれ支持する上チェイスブ
ロックおよび下チェイスブロックである。下チェイスブ
ロック１８ｂの外縁部上にはキャリア１２を熱遮断して
セットするための断熱材２０を設ける。
【００１０】２２は上チェイスブロック１８ａを支持す
るポットチェイス、２４はポットチェイス２２を支持す
る上ベース、２６は下チェイスブロック１８ｂを支持す
る下ベースである。ポットチェイス２２には樹脂タブレ
ットを投入するポット３０をチェイスの厚み方向に貫通
させて設け、ポット３０の下部から上チェイスブロック
１８ａおよび上キャビティブロック１４ａを貫通して上
キャビティ１６ａの内底面までバーチカルゲート３２を
貫設する。バーチカルゲート３２は図のように型開閉方
向と平行に設け、かつ上キャビティ１６ａ側が先細にな
るテーパ状に形成する。ポット３０の上方には溶融樹脂
をキャビティ内へ圧送するプランジャー３４を配置す
る。プランジャー３４はポット３０に対して出入自在に
設け、樹脂を押圧する押圧端面には図のようにあり溝３
４ａを設ける。
るポットチェイス、２４はポットチェイス２２を支持す
る上ベース、２６は下チェイスブロック１８ｂを支持す
る下ベースである。ポットチェイス２２には樹脂タブレ
ットを投入するポット３０をチェイスの厚み方向に貫通
させて設け、ポット３０の下部から上チェイスブロック
１８ａおよび上キャビティブロック１４ａを貫通して上
キャビティ１６ａの内底面までバーチカルゲート３２を
貫設する。バーチカルゲート３２は図のように型開閉方
向と平行に設け、かつ上キャビティ１６ａ側が先細にな
るテーパ状に形成する。ポット３０の上方には溶融樹脂
をキャビティ内へ圧送するプランジャー３４を配置す
る。プランジャー３４はポット３０に対して出入自在に
設け、樹脂を押圧する押圧端面には図のようにあり溝３
４ａを設ける。
【００１１】バーチカルゲート３２は上記のようにポッ
ト３０と上キャビティ１６ａとの間を連絡するものであ
るが、本実施例では複数個のバーチカルゲート３２でポ
ット３０と上キャビティ１６ａとを連絡する。図３にバ
ーチカルゲート３２の配置位置を示すため本樹脂モール
ド装置で好適に樹脂モールドできるＴＡＢテープの実施
例の平面図を示す。図で４０が半導体チップ、４２が樹
脂モールド部、４４がアウターリードである。上記バー
チカルゲート３２で上キャビティ１６ａに連絡するゲー
ト端の位置は同図で半導体チップ１０の４つのコーナー
近傍位置、すなわち半導体チップ１０のコーナー部の先
端近傍でＴＡＢテープ１０のベースフィルムに設けた透
孔５０の位置に設定する。バーチカルゲート３２は各々
のコーナー部に１つずつ設けるから、ポット３０と上キ
ャビティ１６ａとは４本のバーチカルゲート３２で連絡
される。
ト３０と上キャビティ１６ａとの間を連絡するものであ
るが、本実施例では複数個のバーチカルゲート３２でポ
ット３０と上キャビティ１６ａとを連絡する。図３にバ
ーチカルゲート３２の配置位置を示すため本樹脂モール
ド装置で好適に樹脂モールドできるＴＡＢテープの実施
例の平面図を示す。図で４０が半導体チップ、４２が樹
脂モールド部、４４がアウターリードである。上記バー
チカルゲート３２で上キャビティ１６ａに連絡するゲー
ト端の位置は同図で半導体チップ１０の４つのコーナー
近傍位置、すなわち半導体チップ１０のコーナー部の先
端近傍でＴＡＢテープ１０のベースフィルムに設けた透
孔５０の位置に設定する。バーチカルゲート３２は各々
のコーナー部に１つずつ設けるから、ポット３０と上キ
ャビティ１６ａとは４本のバーチカルゲート３２で連絡
される。
【００１２】上記のように半導体チップ４０のコーナー
部近傍に設けた透孔５０に合わせてバーチカルゲート３
２を配置しているのは、透孔５０部分から樹脂を注入す
ることによって上キャビティ１６ａから下キャビティ１
６ｂへの樹脂の進入性を高めて樹脂充填が確実にできる
ようにするためである。通常のＴＡＢテープでは半導体
チップを搭載する場合は半導体チップの４辺に各々イン
ナーリードを接続するが、半導体チップのコーナー部付
近はリードが接続されない空きスペースとなっている。
したがって、この空きスペース部分に樹脂充填用の透孔
５０を設けることは容易に可能である。また、半導体チ
ップ４０はそのコーナー部を面取りすることによって、
さらに空きスペースを広げることができ樹脂の充填性を
向上させることができる。
部近傍に設けた透孔５０に合わせてバーチカルゲート３
２を配置しているのは、透孔５０部分から樹脂を注入す
ることによって上キャビティ１６ａから下キャビティ１
６ｂへの樹脂の進入性を高めて樹脂充填が確実にできる
ようにするためである。通常のＴＡＢテープでは半導体
チップを搭載する場合は半導体チップの４辺に各々イン
ナーリードを接続するが、半導体チップのコーナー部付
近はリードが接続されない空きスペースとなっている。
したがって、この空きスペース部分に樹脂充填用の透孔
５０を設けることは容易に可能である。また、半導体チ
ップ４０はそのコーナー部を面取りすることによって、
さらに空きスペースを広げることができ樹脂の充填性を
向上させることができる。
【００１３】次に、上記樹脂モールド装置によってＴＡ
Ｂテープを樹脂モールドする加工方法を説明する。ま
ず、下キャビティブロック１４ｂ上にＴＡＢテープ１０
をキャリア１２と共に位置決めしてセットし、上キャビ
ティブロック１４ａとの間でクランプする。一方、ポッ
ト３０に樹脂タブレットを投入し樹脂タブレットを加熱
して溶融させる。樹脂タブレットは熱硬化性樹脂であ
る。なお、ポット３０に樹脂タブレットを投入する際に
はプランジャー３４をポット３０の上方に引き出してお
き、樹脂タブレットを投入した後、プランジャー３４を
ポット３０内に進入させる。
Ｂテープを樹脂モールドする加工方法を説明する。ま
ず、下キャビティブロック１４ｂ上にＴＡＢテープ１０
をキャリア１２と共に位置決めしてセットし、上キャビ
ティブロック１４ａとの間でクランプする。一方、ポッ
ト３０に樹脂タブレットを投入し樹脂タブレットを加熱
して溶融させる。樹脂タブレットは熱硬化性樹脂であ
る。なお、ポット３０に樹脂タブレットを投入する際に
はプランジャー３４をポット３０の上方に引き出してお
き、樹脂タブレットを投入した後、プランジャー３４を
ポット３０内に進入させる。
【００１４】樹脂タブレットが溶融するとともにプラン
ジャー３４を押し下げ、バーチカルゲート３２を介して
キャビティ内に樹脂を注入する。図１はこうしてプラン
ジャー３４を押し下げ、上キャビティ１６ａ、下キャビ
ティ１６ｂ内に樹脂を充填した状態を示す。バーチカル
ゲート３２は前述したようにＴＡＢテープ１０に設けた
透孔５０位置に対応して４つのゲートが設けられている
から、各々のゲート端から上キャビティ１６ａ、下キャ
ビティ１６ｂ内に樹脂が注入される。樹脂はキャビティ
の厚み方向に注入され、上キャビティ１６ａから下キャ
ビティ１６ｂへ樹脂が充填されて充填が完了する。
ジャー３４を押し下げ、バーチカルゲート３２を介して
キャビティ内に樹脂を注入する。図１はこうしてプラン
ジャー３４を押し下げ、上キャビティ１６ａ、下キャビ
ティ１６ｂ内に樹脂を充填した状態を示す。バーチカル
ゲート３２は前述したようにＴＡＢテープ１０に設けた
透孔５０位置に対応して４つのゲートが設けられている
から、各々のゲート端から上キャビティ１６ａ、下キャ
ビティ１６ｂ内に樹脂が注入される。樹脂はキャビティ
の厚み方向に注入され、上キャビティ１６ａから下キャ
ビティ１６ｂへ樹脂が充填されて充填が完了する。
【００１５】樹脂を充填した後、上キャビティブロック
１４ａおよび下キャビティブロック１４ｂでＴＡＢテー
プ１０を一定時間クランプして樹脂を硬化させた後、プ
ランジャー３４を引き上げてゲートカットするとともに
バーチカルゲート３２内で硬化したスプール３６を金型
外へ排出する操作を行う。バーチカルゲート３２は前述
したように先細のテーパ状に形成しているからスプール
３６を上方に引き上げることによってパッケージと接続
する位置で分離してゲートカットされる。ポット３０内
で硬化した樹脂はプランジャー３４を引き上げる際にあ
り溝３４ａで係止され、プランジャー３４を引き上げる
ことによってスプール３６がバーチカルゲート３２から
剥離されて引き出される。図２はプランジャー３４を引
き上げてスプール３６をポット３０の外まで引き出した
状態である。
１４ａおよび下キャビティブロック１４ｂでＴＡＢテー
プ１０を一定時間クランプして樹脂を硬化させた後、プ
ランジャー３４を引き上げてゲートカットするとともに
バーチカルゲート３２内で硬化したスプール３６を金型
外へ排出する操作を行う。バーチカルゲート３２は前述
したように先細のテーパ状に形成しているからスプール
３６を上方に引き上げることによってパッケージと接続
する位置で分離してゲートカットされる。ポット３０内
で硬化した樹脂はプランジャー３４を引き上げる際にあ
り溝３４ａで係止され、プランジャー３４を引き上げる
ことによってスプール３６がバーチカルゲート３２から
剥離されて引き出される。図２はプランジャー３４を引
き上げてスプール３６をポット３０の外まで引き出した
状態である。
【００１６】図２に示すようにスプール３６をポット３
０の上方位置まで引き出し、あり溝３４ａと平行に側方
からピンで突くことによってプランジャー３４から取り
除く。一方、樹脂モールド品は下ベース２６を下げるこ
とによって下型側に付着されて型開きされる。ＴＡＢテ
ープ１０はキャリア１２に支持されて樹脂モールドされ
ているから、ハンド等によって下キャビティブロック１
４ｂから樹脂モールド製品を取り出す。樹脂モールド品
を取り出した後、次に樹脂モールドするＴＡＢテープを
下キャビティブロック１４ｂ上にセットし、次回の樹脂
モールド操作を開始する。こうして、連続的に樹脂モー
ルドすることができる。
０の上方位置まで引き出し、あり溝３４ａと平行に側方
からピンで突くことによってプランジャー３４から取り
除く。一方、樹脂モールド品は下ベース２６を下げるこ
とによって下型側に付着されて型開きされる。ＴＡＢテ
ープ１０はキャリア１２に支持されて樹脂モールドされ
ているから、ハンド等によって下キャビティブロック１
４ｂから樹脂モールド製品を取り出す。樹脂モールド品
を取り出した後、次に樹脂モールドするＴＡＢテープを
下キャビティブロック１４ｂ上にセットし、次回の樹脂
モールド操作を開始する。こうして、連続的に樹脂モー
ルドすることができる。
【００１７】本実施例の樹脂モールド装置は、被成形品
をクランプする一方の金型にバーチカルゲートを設ける
ことと、キャビティ内でのバーチカルゲートのゲート開
口位置を上下キャビティ間で樹脂流通な良好な半導体チ
ップのコーナー部付近に設定することによって効果的な
樹脂充填を図るものである。このように樹脂の充填性を
より効果的に図ることができる位置にバーチカルゲート
を設けることによって、多ピンのＴＡＢテープのように
被成形品によって上下のキャビティが隔絶され、樹脂充
填が困難な製品でも確実な樹脂モールドが可能になる。
また、上記実施例のように複数個のバーチカルゲートで
樹脂充填することにより、樹脂充填時の樹脂流動距離を
短くすることができて樹脂の充填性を高めることができ
る。また、複数個のバーチカルゲートを用いることによ
り各々のバーチカルゲートを小さくすることができるか
ら、これによって樹脂モールド後のゲートブレイクが容
易になるという利点がある。
をクランプする一方の金型にバーチカルゲートを設ける
ことと、キャビティ内でのバーチカルゲートのゲート開
口位置を上下キャビティ間で樹脂流通な良好な半導体チ
ップのコーナー部付近に設定することによって効果的な
樹脂充填を図るものである。このように樹脂の充填性を
より効果的に図ることができる位置にバーチカルゲート
を設けることによって、多ピンのＴＡＢテープのように
被成形品によって上下のキャビティが隔絶され、樹脂充
填が困難な製品でも確実な樹脂モールドが可能になる。
また、上記実施例のように複数個のバーチカルゲートで
樹脂充填することにより、樹脂充填時の樹脂流動距離を
短くすることができて樹脂の充填性を高めることができ
る。また、複数個のバーチカルゲートを用いることによ
り各々のバーチカルゲートを小さくすることができるか
ら、これによって樹脂モールド後のゲートブレイクが容
易になるという利点がある。
【００１８】また、キャビティの内底面にバーチカルゲ
ートを開口させ、被成形品の半導体チップ搭載面に対し
て垂直に樹脂注入することによって、樹脂注入時の樹脂
圧が被成形品に対して垂直方向に作用し、樹脂圧で半導
体チップが傾いたり位置ずれしたりすることを防止する
ことができる。とくに、バーチカルゲートを半導体チッ
プのコーナー部等のように半導体チップに直接樹脂圧が
かからない部位に設けることによって半導体チップに悪
影響を与えずに樹脂モールドすることができる。また、
バーチカルゲートを上下の金型の一方に設けることによ
って、金型の構造が簡易になり、ポットあるいはプラン
ジャー等の設置等が容易になるという利点がある。
ートを開口させ、被成形品の半導体チップ搭載面に対し
て垂直に樹脂注入することによって、樹脂注入時の樹脂
圧が被成形品に対して垂直方向に作用し、樹脂圧で半導
体チップが傾いたり位置ずれしたりすることを防止する
ことができる。とくに、バーチカルゲートを半導体チッ
プのコーナー部等のように半導体チップに直接樹脂圧が
かからない部位に設けることによって半導体チップに悪
影響を与えずに樹脂モールドすることができる。また、
バーチカルゲートを上下の金型の一方に設けることによ
って、金型の構造が簡易になり、ポットあるいはプラン
ジャー等の設置等が容易になるという利点がある。
【００１９】なお、上記実施例においては被成形品とし
て樹脂モールドが困難なＴＡＢテープについて説明した
が、通常のリードフレームの場合にも同様に適用するこ
とが可能である。また、上記実施例では図３に示すよう
に半導体チップ４０のコーナー部近傍のＴＡＢテープに
透孔５０を設けて樹脂の充填性を向上させるようにした
が、本発明に係る樹脂モールド装置は被成形品について
キャビティ内での樹脂の流れ性の良好な位置にバーチカ
ルゲートを配置することを特徴とするものであり、ＴＡ
Ｂテープのデザインで樹脂の流動性が良好な部位がある
場合には別に透孔等を設けなくても可能である。また、
透孔は円形孔に限らずスリット状の孔であってもかまわ
ない。半導体チップのコーナー部を面取りすることによ
って上下キャビティ間の樹脂流通を良好にできるような
場合は面取りだけでも有効である。
て樹脂モールドが困難なＴＡＢテープについて説明した
が、通常のリードフレームの場合にも同様に適用するこ
とが可能である。また、上記実施例では図３に示すよう
に半導体チップ４０のコーナー部近傍のＴＡＢテープに
透孔５０を設けて樹脂の充填性を向上させるようにした
が、本発明に係る樹脂モールド装置は被成形品について
キャビティ内での樹脂の流れ性の良好な位置にバーチカ
ルゲートを配置することを特徴とするものであり、ＴＡ
Ｂテープのデザインで樹脂の流動性が良好な部位がある
場合には別に透孔等を設けなくても可能である。また、
透孔は円形孔に限らずスリット状の孔であってもかまわ
ない。半導体チップのコーナー部を面取りすることによ
って上下キャビティ間の樹脂流通を良好にできるような
場合は面取りだけでも有効である。
【００２０】また、上記実施例では半導体チップはキャ
ビティ内に埋没させるようにして樹脂モールドしている
が、半導体チップをその裏面がパッケージの外面に露出
するようにして樹脂モールドする場合には、半導体チッ
プをバーチカルゲートを設置した側とは反対側のキャビ
ティ内底面に当接するように配置して樹脂モールドす
る。バーチカルゲートから樹脂注入する際の樹脂圧は半
導体チップを厚み方向に押圧するように作用するから、
樹脂モールド時に半導体チップの裏面に樹脂が回り込む
ことを効果的に防止することができ、樹脂ばりが発生す
ることを防止して確実に良品を製造することが可能であ
る。
ビティ内に埋没させるようにして樹脂モールドしている
が、半導体チップをその裏面がパッケージの外面に露出
するようにして樹脂モールドする場合には、半導体チッ
プをバーチカルゲートを設置した側とは反対側のキャビ
ティ内底面に当接するように配置して樹脂モールドす
る。バーチカルゲートから樹脂注入する際の樹脂圧は半
導体チップを厚み方向に押圧するように作用するから、
樹脂モールド時に半導体チップの裏面に樹脂が回り込む
ことを効果的に防止することができ、樹脂ばりが発生す
ることを防止して確実に良品を製造することが可能であ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る樹脂モールド装置によれ
ば、上述したように、上キャビティと下キャビティがＴ
ＡＢテープによって隔絶され、キャビティ内での樹脂の
流れ性が低く、薄型のパッケージで樹脂の充填が困難な
製品であっても樹脂の充填性を向上させることができ確
実に樹脂モールドすることが可能である。また、バーチ
カルゲートを複数個設けて樹脂充填する場合には樹脂流
動の距離を短くすることができて樹脂の充填性を向上さ
せることができる。また、半導体チップの直上から樹脂
注入しないことによって半導体チップに過度の樹脂圧を
かけないようにすることができる。また、樹脂モールド
後にゲートが被成形品に付着して残留せず、ゲートブレ
イクの際の損傷を防止することができる等の著効を奏す
る。
ば、上述したように、上キャビティと下キャビティがＴ
ＡＢテープによって隔絶され、キャビティ内での樹脂の
流れ性が低く、薄型のパッケージで樹脂の充填が困難な
製品であっても樹脂の充填性を向上させることができ確
実に樹脂モールドすることが可能である。また、バーチ
カルゲートを複数個設けて樹脂充填する場合には樹脂流
動の距離を短くすることができて樹脂の充填性を向上さ
せることができる。また、半導体チップの直上から樹脂
注入しないことによって半導体チップに過度の樹脂圧を
かけないようにすることができる。また、樹脂モールド
後にゲートが被成形品に付着して残留せず、ゲートブレ
イクの際の損傷を防止することができる等の著効を奏す
る。
【図１】樹脂モールド装置でバーチカルゲートからキャ
ビティに樹脂充填した状態の説明図である。
ビティに樹脂充填した状態の説明図である。
【図２】キャビティに樹脂充填した後、ゲートカットし
てスプールを引き出した状態の説明図である。
てスプールを引き出した状態の説明図である。
【図３】実施例の樹脂モールド装置で樹脂成形した樹脂
モールド製品の平面図である。
モールド製品の平面図である。
１０ ＴＡＢテープ １２ キャリア １４ａ 上キャビティブロック １４ｂ 下キャビティブロック １６ａ、１６ｂ キャビティ １８ａ 上チェイスブロック １８ｂ 下チェイスブロック ２２ ポットチェイス ２４ 上ベース ２６ 下ベース ３０ ポット ３２ バーチカルゲート ３４ プランジャー ３４ａ あり溝 ３６ スプール ４０ 半導体チップ ４２ 樹脂モールド部 ５０ 透孔
Claims (2)
- 【請求項１】 ＴＡＢテープをモールド金型でクランプ
して樹脂モールドする樹脂モールド装置において、 前記モールド金型に設けた上キャビティの内底面に、キ
ャビティ内にセットした半導体チップを搭載した前記Ｔ
ＡＢテープで上キャビティと下キャビティとの間の樹脂
流通を図るべく設けた透孔位置に合わせてゲート端を開
口させ、 該ゲート端と樹脂が投入されるポットとの間を連絡する
バーチカルゲートを前記ＴＡＢテープに搭載する半導体
チップのチップ面に垂直に設け、 前記ポット内で溶融した樹脂を前記バーチカルゲートを
介してキャビティ内へ圧送するプランジャーを設けたこ
とを特徴とする樹脂モールド装置。 - 【請求項２】 バーチカルゲートのゲート端の開口位置
を前記ＴＡＢテープに搭載された半導体チップのコーナ
ー部近傍位置に設定したことを特徴とする請求項１記載
の樹脂モールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34990992A JP3139860B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 樹脂モールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34990992A JP3139860B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 樹脂モールド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177192A JPH06177192A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3139860B2 true JP3139860B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=18406929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34990992A Expired - Fee Related JP3139860B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 樹脂モールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3139860B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38363E1 (en) | 1991-11-29 | 2003-12-23 | Sony Corporation | Method of forming trench isolation having polishing step and method of manufacturing semiconductor device |
| CN106113814A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-16 | 青岛大学 | 一种环氧树脂基防弹复合材料及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI478251B (zh) * | 2012-04-06 | 2015-03-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 用於封裝半導體元件之鑄模裝置 |
| US20220059369A1 (en) * | 2020-08-24 | 2022-02-24 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of manufacturing semiconductor devices, and corresponding tool |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP34990992A patent/JP3139860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38363E1 (en) | 1991-11-29 | 2003-12-23 | Sony Corporation | Method of forming trench isolation having polishing step and method of manufacturing semiconductor device |
| CN106113814A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-16 | 青岛大学 | 一种环氧树脂基防弹复合材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177192A (ja) | 1994-06-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |