JP3499266B2 - キャリアフレームと樹脂封止方法 - Google Patents
キャリアフレームと樹脂封止方法Info
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- JP3499266B2 JP3499266B2 JP28092793A JP28092793A JP3499266B2 JP 3499266 B2 JP3499266 B2 JP 3499266B2 JP 28092793 A JP28092793 A JP 28092793A JP 28092793 A JP28092793 A JP 28092793A JP 3499266 B2 JP3499266 B2 JP 3499266B2
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はキャリアフレームと樹脂
封止方法に関し、一層詳細には半導体装置の樹脂封止に
際して半導体装置を保持すると共に、金型内へ嵌着され
るキャリアフレームと、それを用いた半導体装置の樹脂
封止方法に関する。
封止方法に関し、一層詳細には半導体装置の樹脂封止に
際して半導体装置を保持すると共に、金型内へ嵌着され
るキャリアフレームと、それを用いた半導体装置の樹脂
封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基体（リードフレーム、プラスチック基
板、ガラスエポキシ基板、ＴＡＢテープ等）上に配設さ
れた半導体素子から成る半導体装置を樹脂封止する場
合、トランスファモールド装置を用いた樹脂封止方法が
多用されている。トランスファモールド装置の場合、半
導体装置を金型内にセットし、溶融樹脂をポットおよび
樹脂路を経由して、半導体素子が配置されている金型キ
ャビティ内へ充填することにより樹脂封止が行われてい
る。金型を型閉した場合、樹脂路はポットから基体上を
経てキャビティへ達するよう形成される。
板、ガラスエポキシ基板、ＴＡＢテープ等）上に配設さ
れた半導体素子から成る半導体装置を樹脂封止する場
合、トランスファモールド装置を用いた樹脂封止方法が
多用されている。トランスファモールド装置の場合、半
導体装置を金型内にセットし、溶融樹脂をポットおよび
樹脂路を経由して、半導体素子が配置されている金型キ
ャビティ内へ充填することにより樹脂封止が行われてい
る。金型を型閉した場合、樹脂路はポットから基体上を
経てキャビティへ達するよう形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体装置の樹脂封止方法には次のような課題が
ある。樹脂路が基体上に形成されるため、樹脂路内の樹
脂は固化する際に基体へ付着してしまう。樹脂封止後の
工程において樹脂路内で固化した樹脂はスクラップとし
て除去するが、基体上に付着したスクラップ樹脂は除去
しにくい。除去のために大きな力を作用させると、基体
等を損傷するおそれがある。そこで、基体上に樹脂が付
着しにくくするため、基体上の樹脂路に相当する部分に
メッキ処理を施し、固化したスクラップ樹脂を容易に剥
離させる技術が開発されたが、前処理および後処理を含
むメッキ処理工程が必要となり生産性低下および生産コ
ストの上昇の原因になるという課題がある。従って、本
発明は基体上への樹脂の付着を防止するためのキャリア
フレームと、それを用いた樹脂封止方法を提供すること
を目的とする。
従来の半導体装置の樹脂封止方法には次のような課題が
ある。樹脂路が基体上に形成されるため、樹脂路内の樹
脂は固化する際に基体へ付着してしまう。樹脂封止後の
工程において樹脂路内で固化した樹脂はスクラップとし
て除去するが、基体上に付着したスクラップ樹脂は除去
しにくい。除去のために大きな力を作用させると、基体
等を損傷するおそれがある。そこで、基体上に樹脂が付
着しにくくするため、基体上の樹脂路に相当する部分に
メッキ処理を施し、固化したスクラップ樹脂を容易に剥
離させる技術が開発されたが、前処理および後処理を含
むメッキ処理工程が必要となり生産性低下および生産コ
ストの上昇の原因になるという課題がある。従って、本
発明は基体上への樹脂の付着を防止するためのキャリア
フレームと、それを用いた樹脂封止方法を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、キャリアフ
レームは基体上に半導体素子が搭載された複数の半導体
装置を個々に分離して位置決めして保持するための第１
の位置決手段を備え、前記半導体装置の半導体素子を樹
脂封止するための金型の下型へ前記第１の位置決手段に
より半導体装置を位置決めして嵌着され、前記第１の位
置決手段により保持される前記半導体装置の各々の保持
位置に、半導体装置を樹脂封止した際に形成される樹脂
封止部が通過可能な透孔が形成され、前記半導体装置を
保持した状態で前記金型内へ嵌着された際に、金型に形
成された樹脂路と半導体装置の前記基体との間に在っ
て、樹脂と基体との接触を防止することを特徴とする。
また、樹脂封止方法は、上記キャリアフレームへ、基体
上に半導体素子が搭載された半導体装置を第１の位置決
手段により位置決めして保持させ、該半導体装置を保持
した前記キャリアフレームを、前記半導体装置の半導体
素子を樹脂封止するための金型の下型へ嵌着し、前記キ
ャリアフレームが金型ゲートと基体との間に介挿された
状態でポットからキャビティに溶融樹脂を充填すること
を特徴とする。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、キャリアフ
レームは基体上に半導体素子が搭載された複数の半導体
装置を個々に分離して位置決めして保持するための第１
の位置決手段を備え、前記半導体装置の半導体素子を樹
脂封止するための金型の下型へ前記第１の位置決手段に
より半導体装置を位置決めして嵌着され、前記第１の位
置決手段により保持される前記半導体装置の各々の保持
位置に、半導体装置を樹脂封止した際に形成される樹脂
封止部が通過可能な透孔が形成され、前記半導体装置を
保持した状態で前記金型内へ嵌着された際に、金型に形
成された樹脂路と半導体装置の前記基体との間に在っ
て、樹脂と基体との接触を防止することを特徴とする。
また、樹脂封止方法は、上記キャリアフレームへ、基体
上に半導体素子が搭載された半導体装置を第１の位置決
手段により位置決めして保持させ、該半導体装置を保持
した前記キャリアフレームを、前記半導体装置の半導体
素子を樹脂封止するための金型の下型へ嵌着し、前記キ
ャリアフレームが金型ゲートと基体との間に介挿された
状態でポットからキャビティに溶融樹脂を充填すること
を特徴とする。
【０００５】
【作用】半導体装置はキャリアフレームに設けた第１の
位置決手段により、キャリアフレームに位置決めして保
持される。キャリアフレームに半導体装置を保持して金
型内に嵌着した際には、金型に半導体装置を位置決めし
て嵌着することができ、キャリアフレームは金型に形成
された樹脂路と半導体装置の前記基体との間に在って、
樹脂と基体との接触を防止するので、樹脂充填を行って
も樹脂の基体上への付着を防止可能となる。
位置決手段により、キャリアフレームに位置決めして保
持される。キャリアフレームに半導体装置を保持して金
型内に嵌着した際には、金型に半導体装置を位置決めし
て嵌着することができ、キャリアフレームは金型に形成
された樹脂路と半導体装置の前記基体との間に在って、
樹脂と基体との接触を防止するので、樹脂充填を行って
も樹脂の基体上への付着を防止可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について添付図
面と共に詳述する。図１（平面図）および図２（断面
図）に樹脂封止される半導体装置（例えばボールグリッ
ドアレイ型半導体装置）１０ａ、１０ｂを保持したキャ
リアフレーム１２ａ、１２ｂを上型１４と下型１６から
成るトランスファモールド装置の金型内へ嵌着セットし
た状態を示す。なお、キャリアフレーム１２ａには複数
の半導体装置１０ａが、個々に分離した状態で保持さ
れ、キャリアフレーム１２ｂには１枚の帯状の基体１８
ｂ上に複数個の半導体素子２０ｂを並設して形成された
複数の半導体装置１０ｂが保持された例を示すが、実際
には通常１組の金型内にキャリアフレーム１２ａまたは
キャリアフレーム１２ｂのいずれか一方がセットされ
る。
面と共に詳述する。図１（平面図）および図２（断面
図）に樹脂封止される半導体装置（例えばボールグリッ
ドアレイ型半導体装置）１０ａ、１０ｂを保持したキャ
リアフレーム１２ａ、１２ｂを上型１４と下型１６から
成るトランスファモールド装置の金型内へ嵌着セットし
た状態を示す。なお、キャリアフレーム１２ａには複数
の半導体装置１０ａが、個々に分離した状態で保持さ
れ、キャリアフレーム１２ｂには１枚の帯状の基体１８
ｂ上に複数個の半導体素子２０ｂを並設して形成された
複数の半導体装置１０ｂが保持された例を示すが、実際
には通常１組の金型内にキャリアフレーム１２ａまたは
キャリアフレーム１２ｂのいずれか一方がセットされ
る。
【０００７】まず、キャリアフレーム１２ａ側について
説明する。キャリアフレーム１２ａは、金属等の耐熱性
を有すると共に半導体封止用の樹脂の付着性が低い材料
で長方形の板状に形成されている。キャリアフレーム１
２ａには長さ方向へ等間隔に透孔の一例である矩形孔２
２ａが透設され、各半導体装置１０ａの半導体素子２０
ａが各矩形孔２２ａに対応している。各半導体装置１０
ａの基体１８ａは、矩形孔２２ａより一回り大きい矩形
状に形成されており、半導体装置１０ａはキャリアフレ
ーム１２ａに保持され、落下が防止されている。なお、
矩形孔２２ａは、半導体装置１０ａに形成される樹脂封
止部が通過可能、かつ下型１６に形成されているダム３
２（図３参照）が通過可能ななサイズに形成されてい
る。各半導体装置１０ａの、キャリアフレーム１２ａ上
での位置は、キャリアフレーム１２ａ上に突設された第
１の位置決手段の一例である位置決ボス２４ａによって
所定位置に決められる。位置決ボス２４ａは、各基体１
８ａの４辺と当接可能な位置に突設されている。キャリ
アフレーム１２ａは、下型１６上にセットされるが、そ
の位置決めを行うために、第２の位置決手段の一例であ
る位置決孔２６ａが複数（図１では１個のみ図示）透設
されている。下型１６上に立設された複数（図１では１
個のみ図示）のガイドピン２８ａが各位置決孔２６ａへ
嵌入してキャリアフレーム１２ａの位置を決める。
説明する。キャリアフレーム１２ａは、金属等の耐熱性
を有すると共に半導体封止用の樹脂の付着性が低い材料
で長方形の板状に形成されている。キャリアフレーム１
２ａには長さ方向へ等間隔に透孔の一例である矩形孔２
２ａが透設され、各半導体装置１０ａの半導体素子２０
ａが各矩形孔２２ａに対応している。各半導体装置１０
ａの基体１８ａは、矩形孔２２ａより一回り大きい矩形
状に形成されており、半導体装置１０ａはキャリアフレ
ーム１２ａに保持され、落下が防止されている。なお、
矩形孔２２ａは、半導体装置１０ａに形成される樹脂封
止部が通過可能、かつ下型１６に形成されているダム３
２（図３参照）が通過可能ななサイズに形成されてい
る。各半導体装置１０ａの、キャリアフレーム１２ａ上
での位置は、キャリアフレーム１２ａ上に突設された第
１の位置決手段の一例である位置決ボス２４ａによって
所定位置に決められる。位置決ボス２４ａは、各基体１
８ａの４辺と当接可能な位置に突設されている。キャリ
アフレーム１２ａは、下型１６上にセットされるが、そ
の位置決めを行うために、第２の位置決手段の一例であ
る位置決孔２６ａが複数（図１では１個のみ図示）透設
されている。下型１６上に立設された複数（図１では１
個のみ図示）のガイドピン２８ａが各位置決孔２６ａへ
嵌入してキャリアフレーム１２ａの位置を決める。
【０００８】図３に半導体装置１０ａを保持したキャリ
アフレーム１２ａを下型１６へ嵌着した後、上型１４を
下動させて型閉した状態を示した部分断面図を示す。半
導体素子２０ａは下型１６パーティング面に凹設された
キャビティ３０内に在り、キャビティ３０の周囲はキャ
リアフレーム１２ａの厚さと等しい高さに形成されたダ
ム３２に囲繞されている。キャリアフレーム１２ａの厚
さが厚くなるとダム３２の高さも高くなるのでキャリア
フレーム１２ａは薄い方が好適である。なお、本実施例
ではキャビティ３０内で固化した樹脂の離型性を良くす
るためにキャビティ３０内底面と内側壁面との接続部分
を曲面状に形成している。
アフレーム１２ａを下型１６へ嵌着した後、上型１４を
下動させて型閉した状態を示した部分断面図を示す。半
導体素子２０ａは下型１６パーティング面に凹設された
キャビティ３０内に在り、キャビティ３０の周囲はキャ
リアフレーム１２ａの厚さと等しい高さに形成されたダ
ム３２に囲繞されている。キャリアフレーム１２ａの厚
さが厚くなるとダム３２の高さも高くなるのでキャリア
フレーム１２ａは薄い方が好適である。なお、本実施例
ではキャビティ３０内で固化した樹脂の離型性を良くす
るためにキャビティ３０内底面と内側壁面との接続部分
を曲面状に形成している。
【０００９】図４には型閉状態における樹脂路近傍の断
面図を示す。半導体装置１０ａを保持した状態でキャリ
アフレーム１２ａを下型１６へ嵌着した状態では、キャ
リアフレーム１２ａが下型１６に形成された樹脂路の一
部である金型ゲート３４と基体１８ａ下面との間に介挿
された状態となる。従って、金型ゲート３４を通ってキ
ャビティ３０内へ送られる樹脂は、基体１８ａ下面との
接触が防止される。すなわち、樹脂充填を行っても金型
ゲート３４内の樹脂の基体１８ａ上への付着を防止可能
となっている。
面図を示す。半導体装置１０ａを保持した状態でキャリ
アフレーム１２ａを下型１６へ嵌着した状態では、キャ
リアフレーム１２ａが下型１６に形成された樹脂路の一
部である金型ゲート３４と基体１８ａ下面との間に介挿
された状態となる。従って、金型ゲート３４を通ってキ
ャビティ３０内へ送られる樹脂は、基体１８ａ下面との
接触が防止される。すなわち、樹脂充填を行っても金型
ゲート３４内の樹脂の基体１８ａ上への付着を防止可能
となっている。
【００１０】次に、キャリアフレーム１２ｂ側について
説明する。キャリアフレーム１２ｂも、金属等の耐熱性
を有すると共に半導体封止用の樹脂の付着性が低い材料
で長方形の板状に形成されている。キャリアフレーム１
２ｂにも長さ方向へ等間隔に矩形孔２２ｂが透設され、
各半導体素子２０ｂが各矩形孔２２ｂに対応している。
基体１８ｂの幅は、矩形孔２２ｂの幅より一回り大きい
矩形状に形成されており、基体１８ｂが１枚の帯状に形
成されていることと相まって半導体装置１０ｂはキャリ
アフレーム１２ｂに保持され、落下が防止されている。
なお、矩形孔２２ｂは、半導体装置１０ｂに形成される
樹脂封止部が通過可能、かつ下型１６に形成されている
ダム３２が通過可能なサイズに形成されている。各半導
体装置１０ｂが形成された基体１８ｂの、キャリアフレ
ーム１２ｂ上での位置は、キャリアフレーム１２ｂ上に
突設された第１の位置決手段の一例である位置決ボス２
４ｂによって所定位置に決められる。位置決ボス２４ｂ
は、基体１８ｂに透設された透孔３６へ嵌入可能な位置
に突設されている。
説明する。キャリアフレーム１２ｂも、金属等の耐熱性
を有すると共に半導体封止用の樹脂の付着性が低い材料
で長方形の板状に形成されている。キャリアフレーム１
２ｂにも長さ方向へ等間隔に矩形孔２２ｂが透設され、
各半導体素子２０ｂが各矩形孔２２ｂに対応している。
基体１８ｂの幅は、矩形孔２２ｂの幅より一回り大きい
矩形状に形成されており、基体１８ｂが１枚の帯状に形
成されていることと相まって半導体装置１０ｂはキャリ
アフレーム１２ｂに保持され、落下が防止されている。
なお、矩形孔２２ｂは、半導体装置１０ｂに形成される
樹脂封止部が通過可能、かつ下型１６に形成されている
ダム３２が通過可能なサイズに形成されている。各半導
体装置１０ｂが形成された基体１８ｂの、キャリアフレ
ーム１２ｂ上での位置は、キャリアフレーム１２ｂ上に
突設された第１の位置決手段の一例である位置決ボス２
４ｂによって所定位置に決められる。位置決ボス２４ｂ
は、基体１８ｂに透設された透孔３６へ嵌入可能な位置
に突設されている。
【００１１】キャリアフレーム１２ｂも、下型１６上に
セットされるが、その位置決めを行うために、第２の位
置決手段の一例である位置決孔２６ｂが複数（図１では
１個のみ図示）透設されている。下型１６上に立設され
た複数（図１では１個のみ図示）のガイドピン２８ｂが
各位置決孔２６ｂへ嵌入してキャリアフレーム１２ｂの
位置を決める。なお、キャリアフレーム１２ｂについて
も半導体装置１０ｂを保持したキャリアフレーム１２ｂ
を下型１６へ嵌着した後、上型１４を下動させて型閉し
た状態は、図３および図４に示す状態と同一であるので
説明は省略する。
セットされるが、その位置決めを行うために、第２の位
置決手段の一例である位置決孔２６ｂが複数（図１では
１個のみ図示）透設されている。下型１６上に立設され
た複数（図１では１個のみ図示）のガイドピン２８ｂが
各位置決孔２６ｂへ嵌入してキャリアフレーム１２ｂの
位置を決める。なお、キャリアフレーム１２ｂについて
も半導体装置１０ｂを保持したキャリアフレーム１２ｂ
を下型１６へ嵌着した後、上型１４を下動させて型閉し
た状態は、図３および図４に示す状態と同一であるので
説明は省略する。
【００１２】続いて上記の構成を有するキャリアフレー
ム１２ａ、１２ｂを用いて半導体装置１０ａ、１０ｂを
樹脂封止する方法について説明する。まず、半導体装置
１０ａ、１０ｂを保持させたキャリアフレーム１２ａ、
１２ｂを下型１６の所定位置へ嵌着し、上型１４を下動
させて型閉する（図２参照）。次に、半導体素子２０
ａ、２０ｂの樹脂封止を行う。樹脂封止は、下型１６内
のポット３８から溶融樹脂をキャビティ３０内へ圧送す
ることにより行われる。圧送された溶融樹脂はポット３
８から上型１４のパーティング面に凹設されている金型
カル４０内に入り、各樹脂路４２に分かれ、樹脂路の一
部である金型ゲート３４を経て各キャビティ３０内へ充
填される。樹脂が金型ゲート３４からキャビティ３０内
へ充填される際に、上述のように、キャリアフレーム１
２ａ、１２ｂが金型ゲート３４と基体１８ａ、１８ｂ下
面との間に介挿された状態となるので、金型ゲート３４
内の溶融樹脂は、基体１８ａ、１８ｂ下面との接触が防
止され、基体１８ａ、１８ｂへの付着が防止される。
ム１２ａ、１２ｂを用いて半導体装置１０ａ、１０ｂを
樹脂封止する方法について説明する。まず、半導体装置
１０ａ、１０ｂを保持させたキャリアフレーム１２ａ、
１２ｂを下型１６の所定位置へ嵌着し、上型１４を下動
させて型閉する（図２参照）。次に、半導体素子２０
ａ、２０ｂの樹脂封止を行う。樹脂封止は、下型１６内
のポット３８から溶融樹脂をキャビティ３０内へ圧送す
ることにより行われる。圧送された溶融樹脂はポット３
８から上型１４のパーティング面に凹設されている金型
カル４０内に入り、各樹脂路４２に分かれ、樹脂路の一
部である金型ゲート３４を経て各キャビティ３０内へ充
填される。樹脂が金型ゲート３４からキャビティ３０内
へ充填される際に、上述のように、キャリアフレーム１
２ａ、１２ｂが金型ゲート３４と基体１８ａ、１８ｂ下
面との間に介挿された状態となるので、金型ゲート３４
内の溶融樹脂は、基体１８ａ、１８ｂ下面との接触が防
止され、基体１８ａ、１８ｂへの付着が防止される。
【００１３】充填された樹脂が固化したら、成形品を離
型させる。離型後の成形品はキャリアフレーム１２ａ、
１２ｂと共にスクラップ除去工程へ送られる。スクラッ
プ除去工程では、例えば成形品を保持した状態でキャリ
アフレーム１２ａ、１２ｂを回動させたり、押動するこ
とによりゲートブレイクを行う。スクラップ除去が終了
すると、半導体装置１０ａは完成する。一方、半導体装
置１０ｂは、基体１８ｂを切断することにより個々の半
導体装置１０ｂに分離され完成する。なお、スクラップ
除去により不要となったキャリアフレーム１２ａ、１２
ｂは付着している成形品ゲート等のスクラップを除去し
て再使用することができる。
型させる。離型後の成形品はキャリアフレーム１２ａ、
１２ｂと共にスクラップ除去工程へ送られる。スクラッ
プ除去工程では、例えば成形品を保持した状態でキャリ
アフレーム１２ａ、１２ｂを回動させたり、押動するこ
とによりゲートブレイクを行う。スクラップ除去が終了
すると、半導体装置１０ａは完成する。一方、半導体装
置１０ｂは、基体１８ｂを切断することにより個々の半
導体装置１０ｂに分離され完成する。なお、スクラップ
除去により不要となったキャリアフレーム１２ａ、１２
ｂは付着している成形品ゲート等のスクラップを除去し
て再使用することができる。
【００１４】図５に完成した半導体装置１０ａ（半導体
装置１０ｂについても同じ）において、成形品ゲート等
のスクラップを除去した状態において、樹脂路方向から
見た部分図を示す。樹脂封止部５０のコーナー部には除
去した成形品ゲートのゲート痕５２、キャリアフレーム
１２ａの痕跡５４が残っているが、特に問題はない。以
上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが、
本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、例えば
半導体装置は基体の一方側に樹脂封止部が成形されるの
ではなく、両側に形成されていてもよい等、発明の精神
を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろん
である。
装置１０ｂについても同じ）において、成形品ゲート等
のスクラップを除去した状態において、樹脂路方向から
見た部分図を示す。樹脂封止部５０のコーナー部には除
去した成形品ゲートのゲート痕５２、キャリアフレーム
１２ａの痕跡５４が残っているが、特に問題はない。以
上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが、
本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、例えば
半導体装置は基体の一方側に樹脂封止部が成形されるの
ではなく、両側に形成されていてもよい等、発明の精神
を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろん
である。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係るキャリアフレームを用いて
半導体装置を樹脂封止すると、キャリアフレームに設け
た第１の位置決手段により半導体装置を位置決めして保
持した状態でキャリアフレームが金型へ嵌着され、その
際に、キャリアフレームが金型に形成された樹脂路と基
体下面との間に介挿された状態になる。従って、樹脂路
を通ってキャビティ内へ送られる樹脂は、基体との接触
が防止される。すなわち、樹脂充填を行っても樹脂路内
の樹脂の基体上への付着を防止可能となるので、従来の
ように基体へ予め樹脂剥離用のメッキ処理を施す必要が
なくなり、半導体装置の生産性を格段に向上させると共
に、製造コストを大幅に減ずることが可能となる等の著
効を奏する。
半導体装置を樹脂封止すると、キャリアフレームに設け
た第１の位置決手段により半導体装置を位置決めして保
持した状態でキャリアフレームが金型へ嵌着され、その
際に、キャリアフレームが金型に形成された樹脂路と基
体下面との間に介挿された状態になる。従って、樹脂路
を通ってキャビティ内へ送られる樹脂は、基体との接触
が防止される。すなわち、樹脂充填を行っても樹脂路内
の樹脂の基体上への付着を防止可能となるので、従来の
ように基体へ予め樹脂剥離用のメッキ処理を施す必要が
なくなり、半導体装置の生産性を格段に向上させると共
に、製造コストを大幅に減ずることが可能となる等の著
効を奏する。
【図１】本発明に係る実施例のキャリアフレームを用い
て半導体装置を樹脂封止する状態を示した平面図。
て半導体装置を樹脂封止する状態を示した平面図。
【図２】キャリアフレーム等を金型内にセットした状態
を示した断面図。
を示した断面図。
【図３】半導体装置を保持したキャリアフレームを金型
へ嵌着した後、型閉した状態を示した部分断面図。
へ嵌着した後、型閉した状態を示した部分断面図。
【図４】型閉状態における樹脂路近傍の部分断面図。
【図５】完成した半導体装置の除去した樹脂路方向から
見た部分図。
見た部分図。
１０ａ、１０ｂ 半導体装置
１２ａ、１２ｂ キャリアフレーム
１４ 上型
１６ 下型
１８ａ、１８ｂ 基体
２０ａ、２０ｂ 半導体素子
２２ａ、２２ｂ 矩形孔
２４ａ、２４ｂ 位置決ボス
２６ａ、２６ｂ 位置決孔
３４ 金型ゲート
５０ 樹脂封止部
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
B29C 45/02
B29C 45/26
H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】 基体上に半導体素子が搭載された複数の
半導体装置を個々に分離して位置決めして保持するため
の第１の位置決手段を備え、前記半導体装置の半導体素
子を樹脂封止するための金型の下型へ前記第１の位置決
手段により半導体装置を位置決めして嵌着され、 前記第１の位置決手段により保持される前記半導体装置
の各々の保持位置に、半導体装置を樹脂封止した際に形
成される樹脂封止部が通過可能な透孔が形成され、 前記半導体装置を保持した状態で前記金型内へ嵌着され
た際に、金型に形成された樹脂路と半導体装置の前記基
体との間に在って、樹脂と基体との接触を防止すること
を特徴とするキャリアフレーム。 - 【請求項２】 前記透孔が、下型のパーティング面に凹
設されたキャビティの周囲にキャリアフレームの厚さと
等しい高さに形成されたダムを収納可能に形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載のキャリアフレーム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のキャリアフレー
ムへ、基体上に半導体素子が搭載された半導体装置を第
１の位置決手段により位置決めして保持させ、 該半導体装置を保持した前記キャリアフレームを、前記
半導体装置の半導体素子を樹脂封止するための金型の下
型へ嵌着し、 前記キャリアフレームが金型ゲートと基体との間に介挿
された状態でポットからキャビティに溶融樹脂を充填す
ることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28092793A JP3499266B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | キャリアフレームと樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28092793A JP3499266B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | キャリアフレームと樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135231A JPH07135231A (ja) | 1995-05-23 |
| JP3499266B2 true JP3499266B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=17631875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28092793A Expired - Fee Related JP3499266B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | キャリアフレームと樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3499266B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5236995B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2013-07-17 | Ｔｏｗａ株式会社 | 光学成形品の成形方法 |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP28092793A patent/JP3499266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07135231A (ja) | 1995-05-23 |
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