JPH05175396A - リードフレーム及びモールド方法 - Google Patents
リードフレーム及びモールド方法Info
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- JPH05175396A JPH05175396A JP3344295A JP34429591A JPH05175396A JP H05175396 A JPH05175396 A JP H05175396A JP 3344295 A JP3344295 A JP 3344295A JP 34429591 A JP34429591 A JP 34429591A JP H05175396 A JPH05175396 A JP H05175396A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- die
- molding
- semiconductor chip
- resin
- Prior art date
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂をモールド成形してなる樹脂パッケージ
内に半導体チップを封止して半導体装置を構成するため
に使用するリードフレームに関し、特に多数個取りの樹
脂パッケージを高品質で成形することを可能にするリー
ドフレームの提供を目的とする。 【構成】 半導体チップを搭載するダイステージ11とこ
の半導体チップと電気的に接続するインナーリード12を
含んで一個の半導体装置を構成する基本リードフレーム
14が連結してなる複数のリードフレーム本体15を、並置
状態で帯状の連結板16により連結した如く構成したリー
ドフレームにおいて、連結板16に開孔16aとこの開孔に
連通してダイステージの近傍に至るスリット溝16b を点
在させてリードフレームを構成する。
内に半導体チップを封止して半導体装置を構成するため
に使用するリードフレームに関し、特に多数個取りの樹
脂パッケージを高品質で成形することを可能にするリー
ドフレームの提供を目的とする。 【構成】 半導体チップを搭載するダイステージ11とこ
の半導体チップと電気的に接続するインナーリード12を
含んで一個の半導体装置を構成する基本リードフレーム
14が連結してなる複数のリードフレーム本体15を、並置
状態で帯状の連結板16により連結した如く構成したリー
ドフレームにおいて、連結板16に開孔16aとこの開孔に
連通してダイステージの近傍に至るスリット溝16b を点
在させてリードフレームを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂をモールド成形し
てなる樹脂パッケージ内に半導体チップを封止して半導
体装置を構成するために使用するリードフレーム及びこ
のリードフレームのダイステージに搭載した半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージを成形するためのモールド
方法、特に多数個取りの樹脂パッケージを高品質で成形
することを可能にするリードフレーム及びモールド方法
に関する。
てなる樹脂パッケージ内に半導体チップを封止して半導
体装置を構成するために使用するリードフレーム及びこ
のリードフレームのダイステージに搭載した半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージを成形するためのモールド
方法、特に多数個取りの樹脂パッケージを高品質で成形
することを可能にするリードフレーム及びモールド方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来のリードフレームと、このリ
ードフレームのダイステージに搭載した半導体チップを
封止する樹脂パッケージを成形するための従来のモール
ド方法について図面を参照して説明する。
ードフレームのダイステージに搭載した半導体チップを
封止する樹脂パッケージを成形するための従来のモール
ド方法について図面を参照して説明する。
【０００３】図３は、従来のリードフレームを説明する
ための図であって、同図(a) はリードフレームの平面
図、同図(b) は樹脂パッケージ型の半導体装置の平面
図、図４は、従来のモールド方法を説明するための図で
あって、同図(a) は、リードフレームと第１のモールド
金型の裏面との関係を示す要部平面図、同図(b) はトラ
ンスファーモールド装置の要部側断面図である。
ための図であって、同図(a) はリードフレームの平面
図、同図(b) は樹脂パッケージ型の半導体装置の平面
図、図４は、従来のモールド方法を説明するための図で
あって、同図(a) は、リードフレームと第１のモールド
金型の裏面との関係を示す要部平面図、同図(b) はトラ
ンスファーモールド装置の要部側断面図である。
【０００４】樹脂をモールド成形、たとえば、トランス
ファーモールド成形してなる樹脂パッケージ内にダイス
テージに搭載した半導体チップを封止して半導体装置を
構成するために使用する従来のリードフレーム10は、図
３の(a) 図に示すように半導体チップ51を搭載するダイ
ステージ11とこの半導体チップ51と金属細線（図示せ
ず）を介して電気的に接続するインナーリード12及びア
ウリーリード13とを含んで一個の半導体装置50を構成す
る基本リードフレーム14が連結してなる複数のリードフ
レーム本体15を、並置状態で帯状の連結板16により連結
した如く構成されていた。
ファーモールド成形してなる樹脂パッケージ内にダイス
テージに搭載した半導体チップを封止して半導体装置を
構成するために使用する従来のリードフレーム10は、図
３の(a) 図に示すように半導体チップ51を搭載するダイ
ステージ11とこの半導体チップ51と金属細線（図示せ
ず）を介して電気的に接続するインナーリード12及びア
ウリーリード13とを含んで一個の半導体装置50を構成す
る基本リードフレーム14が連結してなる複数のリードフ
レーム本体15を、並置状態で帯状の連結板16により連結
した如く構成されていた。
【０００５】このようなリードフレーム10のダイステー
ジ11に搭載した半導体チップ51を、このダイステージ11
とともに封止する樹脂パッケージを成形する従来のモー
ルド方法、たとえば、トランスファー式のモールド方法
について図３及び図４を参照して説明する。
ジ11に搭載した半導体チップ51を、このダイステージ11
とともに封止する樹脂パッケージを成形する従来のモー
ルド方法、たとえば、トランスファー式のモールド方法
について図３及び図４を参照して説明する。
【０００６】まず、所定温度に加熱されている第１のモ
ールド金型31の表面にリードフレーム10を載置した後
に、この第１のモールド金型31に一定温度に加熱されて
いる第２のモールド金型32の表面を押し付ける。
ールド金型31の表面にリードフレーム10を載置した後
に、この第１のモールド金型31に一定温度に加熱されて
いる第２のモールド金型32の表面を押し付ける。
【０００７】この後、第２のモールド金型32に設けたポ
ット32a に半溶融状態で投入されたタブレット、たとえ
ば、粉末エポキシ系樹脂を固めてなるタブレット53をピ
ストン型をしたプランジャー33により押圧し、この第２
のモールド金型32に設けられてポット32a に連通した注
入孔32b の樹脂吐出口32b1から半溶融状態のエポキシ系
樹脂53を矢印Ａ方向に吐出する。
ット32a に半溶融状態で投入されたタブレット、たとえ
ば、粉末エポキシ系樹脂を固めてなるタブレット53をピ
ストン型をしたプランジャー33により押圧し、この第２
のモールド金型32に設けられてポット32a に連通した注
入孔32b の樹脂吐出口32b1から半溶融状態のエポキシ系
樹脂53を矢印Ａ方向に吐出する。
【０００８】この樹脂吐出口32b1から吐出した半溶融状
態のエポキシ系樹脂53は、ランナー34を通過した後にス
リット状のゲート35からキャビティ36内に注入される。
そして、このキャビティ36に注入されたエポキシ系樹脂
53をそのまま硬化すると半導体装置50の樹脂パッケージ
52が形成されることとなる。
態のエポキシ系樹脂53は、ランナー34を通過した後にス
リット状のゲート35からキャビティ36内に注入される。
そして、このキャビティ36に注入されたエポキシ系樹脂
53をそのまま硬化すると半導体装置50の樹脂パッケージ
52が形成されることとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のモール
ド方法は、図４の(a) 図及び(B) 図に示すように、注入
孔32b の樹脂吐出口32b1から近いキャビティ36(36a) ま
でのエポキシ系樹脂53の移動距離と、樹脂吐出口32b1か
ら遠いキャビティ36(36b) までのエポキシ系樹脂53の移
動距離とは大きな違いがあった。
ド方法は、図４の(a) 図及び(B) 図に示すように、注入
孔32b の樹脂吐出口32b1から近いキャビティ36(36a) ま
でのエポキシ系樹脂53の移動距離と、樹脂吐出口32b1か
ら遠いキャビティ36(36b) までのエポキシ系樹脂53の移
動距離とは大きな違いがあった。
【００１０】したがって、樹脂吐出口32b1から近いキャ
ビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52を成形するた
めに、樹脂吐出口32b1からのエポキシ系樹脂53の吐出速
度を遅くすると、この樹脂吐出口32b1から遠いキャビテ
ィ36(36b) で成形される樹脂パッケージ53にはボイド
（図示せず）が発生し、また、樹脂吐出口32b1から近い
キャビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52を成形す
るために、樹脂吐出口32b1からのエポキシ系樹脂53の吐
出速度を速くすると、この樹脂吐出口32b1から近いキャ
ビティ36(36a) で成形される樹脂パッケージ52内でダイ
ステージ11やインナーリード12等が変形するという問題
があった。
ビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52を成形するた
めに、樹脂吐出口32b1からのエポキシ系樹脂53の吐出速
度を遅くすると、この樹脂吐出口32b1から遠いキャビテ
ィ36(36b) で成形される樹脂パッケージ53にはボイド
（図示せず）が発生し、また、樹脂吐出口32b1から近い
キャビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52を成形す
るために、樹脂吐出口32b1からのエポキシ系樹脂53の吐
出速度を速くすると、この樹脂吐出口32b1から近いキャ
ビティ36(36a) で成形される樹脂パッケージ52内でダイ
ステージ11やインナーリード12等が変形するという問題
があった。
【００１１】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は多数個取りの樹脂
パッケージを高品質で成形することを可能にするリード
フレーム及びモールド方法を提供することにある。
になされたものであって、その目的は多数個取りの樹脂
パッケージを高品質で成形することを可能にするリード
フレーム及びモールド方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１及び図２に示すよう
に、前記目的は、半導体チップ51を搭載するダイステー
ジ11とこの半導体チップ51と電気的に接続するインナー
リード12を含んで一個の半導体装置50を構成する基本リ
ードフレーム14が連結してなる複数のリードフレーム本
体15を、並置状態で連結する帯状の連結板16に開孔16a
とこの開孔16aに連通してダイステージ11の近傍に至る
スリット溝16b を点在されて形成した請求項１に係るリ
ードフレームを使用して構成する請求項２に係るモール
ド方法、すなわち、ダイステージ11に半導体チップ51を
搭載した請求項１記載のリードフレームを載置した第１
のモールド金型31に第２のモールド金型32を押圧し、こ
の第２のモールド金型32のポット32a に投入された樹脂
53をこのポット32a に連通した注入孔32b から吐出して
ダイステージ11と半導体チップ51とを内在させたキャビ
ティ36にランナー34とゲート35とをこの順に通過させて
注入するモールドル方法を、第１のモールド金型31に載
置した前記リードフレームに第２のモールド金型32を押
圧した際に、このリードフレームの連結板16に設けた開
孔16a に第１のモールド金型31の注入孔32b を連通させ
るとともに、ランナー34を連結板16に設けたスリット溝
16b に対応させて連通させるようにした請求項２に係る
モールド方法により達成される。
に、前記目的は、半導体チップ51を搭載するダイステー
ジ11とこの半導体チップ51と電気的に接続するインナー
リード12を含んで一個の半導体装置50を構成する基本リ
ードフレーム14が連結してなる複数のリードフレーム本
体15を、並置状態で連結する帯状の連結板16に開孔16a
とこの開孔16aに連通してダイステージ11の近傍に至る
スリット溝16b を点在されて形成した請求項１に係るリ
ードフレームを使用して構成する請求項２に係るモール
ド方法、すなわち、ダイステージ11に半導体チップ51を
搭載した請求項１記載のリードフレームを載置した第１
のモールド金型31に第２のモールド金型32を押圧し、こ
の第２のモールド金型32のポット32a に投入された樹脂
53をこのポット32a に連通した注入孔32b から吐出して
ダイステージ11と半導体チップ51とを内在させたキャビ
ティ36にランナー34とゲート35とをこの順に通過させて
注入するモールドル方法を、第１のモールド金型31に載
置した前記リードフレームに第２のモールド金型32を押
圧した際に、このリードフレームの連結板16に設けた開
孔16a に第１のモールド金型31の注入孔32b を連通させ
るとともに、ランナー34を連結板16に設けたスリット溝
16b に対応させて連通させるようにした請求項２に係る
モールド方法により達成される。
【００１３】
【作用】本発明の請求項１に係るリードフレームは、そ
の連結板16に、開孔16a とこの開孔16a に連通してダイ
ステージ11の近傍に至るスリット溝16b を点在して構成
されている。
の連結板16に、開孔16a とこの開孔16a に連通してダイ
ステージ11の近傍に至るスリット溝16b を点在して構成
されている。
【００１４】したがって、本発明の請求項２に係るモー
ルド方法のように、第１のモールド金型31に載置した請
求項１に係るリードフレームに第２のモールド金型32を
押圧した際に、このリードフレームの連結板16に設けた
開孔16a に第１のモールド金型31の注入孔32b を連通さ
せるとともに、ランナー34を連結板16に設けたスリット
溝16b に対応させて連通させれば、第２のモールド金型
32の注入孔32b からダイステージ11に至る距離が短くな
るとともに、連結板16に設けたスリット溝16bもランナ
ー34の一部として機能することにより半溶融状態の樹脂
53の流れが良くなる。
ルド方法のように、第１のモールド金型31に載置した請
求項１に係るリードフレームに第２のモールド金型32を
押圧した際に、このリードフレームの連結板16に設けた
開孔16a に第１のモールド金型31の注入孔32b を連通さ
せるとともに、ランナー34を連結板16に設けたスリット
溝16b に対応させて連通させれば、第２のモールド金型
32の注入孔32b からダイステージ11に至る距離が短くな
るとともに、連結板16に設けたスリット溝16bもランナ
ー34の一部として機能することにより半溶融状態の樹脂
53の流れが良くなる。
【００１５】斯くして、第２のモールド金型32の注入孔
32b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッ
ケージ52を成形するために、注入孔32b からの樹脂53の
吐出速度を遅くしても、この注入孔32b から遠いキャビ
ティ36(36b) で成形される樹脂パッケージ52にはボイド
（図示せず）が発生することもないし、また、注入孔32
b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッケ
ージ52を成形するために、注入孔32b からの樹脂53の吐
出速度を速しても、この注入孔32b から最も近いキャビ
ティ36(36a) で成形される樹脂パッケージ52内でダイス
テージ11やインナーリード12等が変形することもない。
32b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッ
ケージ52を成形するために、注入孔32b からの樹脂53の
吐出速度を遅くしても、この注入孔32b から遠いキャビ
ティ36(36b) で成形される樹脂パッケージ52にはボイド
（図示せず）が発生することもないし、また、注入孔32
b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッケ
ージ52を成形するために、注入孔32b からの樹脂53の吐
出速度を速しても、この注入孔32b から最も近いキャビ
ティ36(36a) で成形される樹脂パッケージ52内でダイス
テージ11やインナーリード12等が変形することもない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の請求項１に係るリードフレー
ムと、本発明の請求項２に係るモールド方法について図
面を参照して説明する。図１は、本発明の請求項１に係
るリードフレームを説明するための平面図、図２は、本
発明の請求項２に係るモールド方法を説明するための要
部平面図である。
ムと、本発明の請求項２に係るモールド方法について図
面を参照して説明する。図１は、本発明の請求項１に係
るリードフレームを説明するための平面図、図２は、本
発明の請求項２に係るモールド方法を説明するための要
部平面図である。
【００１７】図１に示す本発明の請求項１に係るリード
フレーム20は、図３により説明した従来のリードフレー
ム10の連結板16に開孔16a とこの開孔16a に連通してダ
イステージ11の近傍に至るスリット溝16b 、すなわち、
連結板16の長手方向に沿うスリット溝16b を設けて構成
したものである。
フレーム20は、図３により説明した従来のリードフレー
ム10の連結板16に開孔16a とこの開孔16a に連通してダ
イステージ11の近傍に至るスリット溝16b 、すなわち、
連結板16の長手方向に沿うスリット溝16b を設けて構成
したものである。
【００１８】一方、本発明の請求項２に係るモールド方
法は、図４に示すようにダイステージ11に半導体チップ
51を搭載した上記請求項１記載のリードフレーム20を載
置した第１のモールド金型31に第２のモールド金型32を
押圧し、この第２のモールド金型32のポット32a に投入
された樹脂53をこのポット32a に連通した注入孔32bか
ら吐出してダイステージ11と半導体チップ51とを内在さ
せたキャビティ36にランナー34とゲート35とをこの順に
通過させて注入するモールドル方法であって、第１のモ
ールド金型31に載置したリードフレーム20に第２のモー
ルド金型32を押圧した際に、図２に示すようにこのリー
ドフレーム20の連結板16に設けた開孔16a に第１のモー
ルド金型31の注入孔32b を連通させるとともに、ランナ
ー34を連結板16に設けたスリット溝16b に対応させて連
通させるように構成したものである。
法は、図４に示すようにダイステージ11に半導体チップ
51を搭載した上記請求項１記載のリードフレーム20を載
置した第１のモールド金型31に第２のモールド金型32を
押圧し、この第２のモールド金型32のポット32a に投入
された樹脂53をこのポット32a に連通した注入孔32bか
ら吐出してダイステージ11と半導体チップ51とを内在さ
せたキャビティ36にランナー34とゲート35とをこの順に
通過させて注入するモールドル方法であって、第１のモ
ールド金型31に載置したリードフレーム20に第２のモー
ルド金型32を押圧した際に、図２に示すようにこのリー
ドフレーム20の連結板16に設けた開孔16a に第１のモー
ルド金型31の注入孔32b を連通させるとともに、ランナ
ー34を連結板16に設けたスリット溝16b に対応させて連
通させるように構成したものである。
【００１９】したがって、このように構成したモールド
方法においては、第２のモールド金型32の注入孔32b の
樹脂吐出口32b1からダイステージ11に至る距離が短くな
るとともに、連結板16に設けたスリット溝16b もランナ
ー34の一部として機能することにより半溶融状態の樹脂
53の流れが良くなる。
方法においては、第２のモールド金型32の注入孔32b の
樹脂吐出口32b1からダイステージ11に至る距離が短くな
るとともに、連結板16に設けたスリット溝16b もランナ
ー34の一部として機能することにより半溶融状態の樹脂
53の流れが良くなる。
【００２０】この結果、第２のモールド金型32の注入孔
32b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッ
ケージ52、すなわち、ダイステージ11やインナーリード
等を変形させることのない樹脂パッケージ52を成形する
ために注入孔32b からの樹脂53の吐出速度を遅くして
も、この注入孔32b から遠いキャビティ36(36b) で成形
される樹脂パッケージ52にはボイド（図示せず）が発生
することもないし、また、注入孔32b から最も近いキャ
ビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52、すなわち、
内部にボイド等のない樹脂パッケージ52を成形するため
に注入孔32b からの樹脂53の吐出速度を速しても、この
注入孔32b から最も近いキャビティ36(36a) で成形され
る樹脂パッケージ52内でダイステージ11やインナーリー
ド12等が変形することもない。
32b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッ
ケージ52、すなわち、ダイステージ11やインナーリード
等を変形させることのない樹脂パッケージ52を成形する
ために注入孔32b からの樹脂53の吐出速度を遅くして
も、この注入孔32b から遠いキャビティ36(36b) で成形
される樹脂パッケージ52にはボイド（図示せず）が発生
することもないし、また、注入孔32b から最も近いキャ
ビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52、すなわち、
内部にボイド等のない樹脂パッケージ52を成形するため
に注入孔32b からの樹脂53の吐出速度を速しても、この
注入孔32b から最も近いキャビティ36(36a) で成形され
る樹脂パッケージ52内でダイステージ11やインナーリー
ド12等が変形することもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、多数個取
りの樹脂パッケージを高品質で成形できるリードフレー
ム及びモールド方法の提供を可能にする。
りの樹脂パッケージを高品質で成形できるリードフレー
ム及びモールド方法の提供を可能にする。
【００２２】したがって、本発明のリードフレームとモ
ールド方法により樹脂パッケージを成形された半導体装
置の信頼度は向上することとなる。
ールド方法により樹脂パッケージを成形された半導体装
置の信頼度は向上することとなる。
【図１】は、本発明の請求項１に係るリードフレームを
説明するための図、
説明するための図、
【図２】は、本発明の一実施例のモールド方法を説明す
るための図、
るための図、
【図３】は、従来のリードフレームを説明するための
図、
図、
【図４】は、従来のモールド方法を説明するための図で
ある。
ある。
10,20 は、リードフレーム、11は、ダイステージ、12
は、インナーリード、13は、アウターリード、14は、基
本リードフレーム、15は、リードフレーム本体、16は、
連結板、16a は、開孔、16b は、スリット溝、31は、第
１のモールド金型、32は、第２のモールド金型、32a
は、ポット、32b は、注入孔、32b1は、樹脂吐出口、33
は、プランジャー、34は、ランナー、35は、ゲート、36
は、キャビティ、50は、半導体装置、51は、半導体チッ
プ、52は、樹脂パッケージ、53は、樹脂よりなるタブレ
ット (樹脂、エポキシ系樹脂) をそれぞれ示す。
は、インナーリード、13は、アウターリード、14は、基
本リードフレーム、15は、リードフレーム本体、16は、
連結板、16a は、開孔、16b は、スリット溝、31は、第
１のモールド金型、32は、第２のモールド金型、32a
は、ポット、32b は、注入孔、32b1は、樹脂吐出口、33
は、プランジャー、34は、ランナー、35は、ゲート、36
は、キャビティ、50は、半導体装置、51は、半導体チッ
プ、52は、樹脂パッケージ、53は、樹脂よりなるタブレ
ット (樹脂、エポキシ系樹脂) をそれぞれ示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップ(51)を搭載するダイステー
ジ(11)とこの半導体チップ(51)と電気的に接続するイン
ナーリード(12)を含んで一個の半導体装置(50)を構成す
る基本リードフレーム(14)が連結してなる複数のリード
フレーム本体(15)を、並置状態で帯状の連結板(16)によ
り連結した如く構成したリードフレームにおいて、 連結板(16)に開孔(16a) とこの開孔(16a) に連通してダ
イステージ(11)の近傍に至るスリット溝(16b) が点在さ
れて形成されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 ダイステージ(11)に半導体チップ(51)を
搭載した請求項１記載のリードフレームを載置した第１
のモールド金型(31)に第２のモールド金型(32)を押圧
し、この第２のモールド金型(32)のポット(32a) に投入
された樹脂(53)をこのポット(32a) に連通した注入孔(3
2b) から吐出してダイステージ(11)と半導体チップ(51)
とを内在させたキャビティ(36)にランナー(34)とゲート
(35)とをこの順に通過させて注入するモールドル方法に
おいて、 第１のモールド金型(31)に載置した前記リードフレーム
に第２のモールド金型(32)を押圧した際に、このリード
フレームの連結板(16)に設けた開孔(16a) に第１のモー
ルド金型(31)の注入孔(32b) を連通させるとともに、ラ
ンナー(34)を連結板(16)に設けたスリット溝(16b) に対
応させて連通させることを特徴とするモールド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344295A JPH05175396A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | リードフレーム及びモールド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344295A JPH05175396A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | リードフレーム及びモールド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175396A true JPH05175396A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18368137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344295A Pending JPH05175396A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | リードフレーム及びモールド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175396A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344295A patent/JPH05175396A/ja active Pending
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