JP3019550B2 - 半導体センサの自己診断回路 - Google Patents
半導体センサの自己診断回路Info
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、応力や加速度検知な
どに用いられるピエゾ抵抗式半導体センサの自己診断回
路に関する。
どに用いられるピエゾ抵抗式半導体センサの自己診断回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の自己診断回路として、例えば
「ＴＯＹＯＴＡ ＡＩＲ ＢＡＧ ＳＥＮＳＯＲ」
（Ｍ．Ｍｕｔｏｈ ｅｔ ａｌ、ＩＳＡＴＡ ９１１２
７０号 第９５頁、１９９１年）に開示されたような半
導体加速度センサに適用された自己診断回路がある。こ
の半導体加速度センサは図４に示すように、肉薄の片持
ち梁６が半導体基体の固定部７から延びており、その先
端側には質量部８が接続されていて、基体主面に垂直な
方向の加速度が加わると片持ち梁６の表面に歪みが生じ
応力が発生するようになっている。
「ＴＯＹＯＴＡ ＡＩＲ ＢＡＧ ＳＥＮＳＯＲ」
（Ｍ．Ｍｕｔｏｈ ｅｔ ａｌ、ＩＳＡＴＡ ９１１２
７０号 第９５頁、１９９１年）に開示されたような半
導体加速度センサに適用された自己診断回路がある。こ
の半導体加速度センサは図４に示すように、肉薄の片持
ち梁６が半導体基体の固定部７から延びており、その先
端側には質量部８が接続されていて、基体主面に垂直な
方向の加速度が加わると片持ち梁６の表面に歪みが生じ
応力が発生するようになっている。
【０００３】片持ち梁６上にピエゾ抵抗ブリッジ回路１
が形成されている。すなわちピエゾ抵抗は例えば（１０
０）シリコン基板の＜１１０＞方向に形成された梁６上
に、梁と平行に２本、垂直に２本形成されていて、応力
に対して２つの出力端子の電圧変化が逆の極性になるよ
うになっている。
が形成されている。すなわちピエゾ抵抗は例えば（１０
０）シリコン基板の＜１１０＞方向に形成された梁６上
に、梁と平行に２本、垂直に２本形成されていて、応力
に対して２つの出力端子の電圧変化が逆の極性になるよ
うになっている。
【０００４】このピエゾ抵抗ブリッジ回路１を用いた検
知および自己診断の回路は、図５のようになっており、
２はピエゾ抵抗ブリッジ回路１を駆動するための電流源
回路、３はピエゾ抵抗ブリッジ回路１の出力を増幅する
ための増幅器、４はピエゾ抵抗ブリッジ回路の出力にオ
フセットを与えるための微少電流源、５は微少電流源４
をピエゾ抵抗ブリッジ回路１の片側の出力に接続するた
めのスイッチである。増幅器３や電流源回路２、微少電
流源４など周辺回路は、図４の半導体基体の固定部７に
設けられた領域９に形成される。
知および自己診断の回路は、図５のようになっており、
２はピエゾ抵抗ブリッジ回路１を駆動するための電流源
回路、３はピエゾ抵抗ブリッジ回路１の出力を増幅する
ための増幅器、４はピエゾ抵抗ブリッジ回路の出力にオ
フセットを与えるための微少電流源、５は微少電流源４
をピエゾ抵抗ブリッジ回路１の片側の出力に接続するた
めのスイッチである。増幅器３や電流源回路２、微少電
流源４など周辺回路は、図４の半導体基体の固定部７に
設けられた領域９に形成される。
【０００５】半導体加速度センサ外部の制御システムか
ら診断信号が入力されると、スイッチ５がオンされ、微
少電流源４がピエゾ抵抗ブリッジ回路１に接続される。
これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路１が擬似的に出力を
生じる形になるので、自己診断が可能となる。
ら診断信号が入力されると、スイッチ５がオンされ、微
少電流源４がピエゾ抵抗ブリッジ回路１に接続される。
これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路１が擬似的に出力を
生じる形になるので、自己診断が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の自己診断回路にあっては、ピエゾ抵抗ブリッ
ジ回路の片側の出力端子に、スイッチを介して微少電流
源を接続する構成となっており、この微少電流源の値
は、例えばピエゾ抵抗５ＫΩ、ブリッジ印加電圧３Ｖ、
フル・レンジのピエゾ抵抗の変化率を０．１％、診断出
力をフル・レンジの１０％とすると、３０ｎＡとなり、
極めて小さな値にする必要がある。
うな従来の自己診断回路にあっては、ピエゾ抵抗ブリッ
ジ回路の片側の出力端子に、スイッチを介して微少電流
源を接続する構成となっており、この微少電流源の値
は、例えばピエゾ抵抗５ＫΩ、ブリッジ印加電圧３Ｖ、
フル・レンジのピエゾ抵抗の変化率を０．１％、診断出
力をフル・レンジの１０％とすると、３０ｎＡとなり、
極めて小さな値にする必要がある。
【０００７】このような微少な電流源を実現するために
は、大きな値の抵抗と、電流を絞っていくための多段の
カレント・ミラーが必要となる。このため、微少電流源
を実現するための回路構成が複雑となり、かつ大きな面
積を占有することになるという問題があった。
は、大きな値の抵抗と、電流を絞っていくための多段の
カレント・ミラーが必要となる。このため、微少電流源
を実現するための回路構成が複雑となり、かつ大きな面
積を占有することになるという問題があった。
【０００８】したがってこの発明は、このような従来の
問題点に着目し、複雑な回路を用いず、簡単に得られる
値の素子で構成され、占有面積の小さな、集積化が容易
な半導体センサの自己診断回路を提供することを目的と
する。
問題点に着目し、複雑な回路を用いず、簡単に得られる
値の素子で構成され、占有面積の小さな、集積化が容易
な半導体センサの自己診断回路を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため請求項１の発明
は、半導体基体に形成された梁上にピエゾ抵抗を有し、
前記梁に生じる歪みを前記ピエゾ抵抗を含むブリッジ回
路の出力により検出するようにした半導体センサの自己
診断回路であって、前記ブリッジ回路の出力端子毎に設
けられた診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回
路の出力端子と接地との間を前記診断抵抗を介してそれ
ぞれ接続するスイッチ手段を備え、前記診断抵抗はその
抵抗値を互いに僅かに異ならせてある半導体センサの自
己診断回路とした。
は、半導体基体に形成された梁上にピエゾ抵抗を有し、
前記梁に生じる歪みを前記ピエゾ抵抗を含むブリッジ回
路の出力により検出するようにした半導体センサの自己
診断回路であって、前記ブリッジ回路の出力端子毎に設
けられた診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回
路の出力端子と接地との間を前記診断抵抗を介してそれ
ぞれ接続するスイッチ手段を備え、前記診断抵抗はその
抵抗値を互いに僅かに異ならせてある半導体センサの自
己診断回路とした。
【００１０】また請求項２の発明は、さらにブリッジ回
路が電圧源型の駆動回路で駆動されるもので、スイッチ
手段により、診断抵抗が、電圧値がブリッジ駆動電圧の
１／２に近接して設定された診断用電圧源に接続される
ものとした。
路が電圧源型の駆動回路で駆動されるもので、スイッチ
手段により、診断抵抗が、電圧値がブリッジ駆動電圧の
１／２に近接して設定された診断用電圧源に接続される
ものとした。
【００１１】
【作用】請求項１の発明では、通常はスイッチ手段はオ
フしていて、ピエゾ抵抗ブリッジ回路は、梁に生じる歪
み応力に対応したオフセットを生じ、半導体センサの出
力となる。診断信号がスイッチ手段に入ると、ブリッジ
回路の両出力端子が各診断抵抗を介して接地される。こ
れによりピエゾ抵抗ブリッジ回路が擬似的に出力を生じ
る形になって自己診断が可能となる。診断抵抗に通常の
小さな値の抵抗を用いるだけで、ダイナミックレンジに
対してバランスのとれた適切な診断出力が得られる。
フしていて、ピエゾ抵抗ブリッジ回路は、梁に生じる歪
み応力に対応したオフセットを生じ、半導体センサの出
力となる。診断信号がスイッチ手段に入ると、ブリッジ
回路の両出力端子が各診断抵抗を介して接地される。こ
れによりピエゾ抵抗ブリッジ回路が擬似的に出力を生じ
る形になって自己診断が可能となる。診断抵抗に通常の
小さな値の抵抗を用いるだけで、ダイナミックレンジに
対してバランスのとれた適切な診断出力が得られる。
【００１２】請求項２の発明では、自己診断の仕組みは
同じであるが、診断抵抗が診断用電圧源に接続されるた
め、出力端子に与える電圧変動が相対的に小さくなる
分、診断抵抗の抵抗値差を大きくでき、抵抗値設定時の
許容範囲が大となる。
同じであるが、診断抵抗が診断用電圧源に接続されるた
め、出力端子に与える電圧変動が相対的に小さくなる
分、診断抵抗の抵抗値差を大きくでき、抵抗値設定時の
許容範囲が大となる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す。ピエゾ抵抗ブ
リッジ回路１にはその駆動回路としての電圧源１１が接
続され、ピエゾ抵抗ブリッジ回路１の出力端子Ｐ１、Ｐ
２は増幅器３に接続されている。出力端子Ｐ１、Ｐ２に
はそれぞれ診断抵抗１２と１４の一端が接続されてお
り、各抵抗１２、１４の他端は、それぞれエミッタ接地
されたＮＰＮトランジスタ１３、１５のコレクタに接続
されている。スイッチ手段としてのこれらＮＰＮトラン
ジスタ１３、１５の各ベースには、診断信号が加えら
れ、これによってオン／オフ動作するようになってい
る。ここで、診断抵抗１２と１４は、その抵抗値を互い
に僅かに異ならせてある。
リッジ回路１にはその駆動回路としての電圧源１１が接
続され、ピエゾ抵抗ブリッジ回路１の出力端子Ｐ１、Ｐ
２は増幅器３に接続されている。出力端子Ｐ１、Ｐ２に
はそれぞれ診断抵抗１２と１４の一端が接続されてお
り、各抵抗１２、１４の他端は、それぞれエミッタ接地
されたＮＰＮトランジスタ１３、１５のコレクタに接続
されている。スイッチ手段としてのこれらＮＰＮトラン
ジスタ１３、１５の各ベースには、診断信号が加えら
れ、これによってオン／オフ動作するようになってい
る。ここで、診断抵抗１２と１４は、その抵抗値を互い
に僅かに異ならせてある。
【００１４】図１の回路を加速度センサに適用して、半
導体基体上に形成された例を図２に示す。半導体基体は
固定部７と質量部８とこれら両者を接続する薄肉の梁６
に別れており、ピエゾ抵抗ブリッジ回路１は図４と同様
に梁６の面上に形成され、そのブリッジ抵抗の２本は梁
６の長さ方向と平行に、他の２本はこれに垂直に配置さ
れている。固定部７には、その長さが互いに僅かに異な
る拡散抵抗が形成されて診断抵抗１２、１４とされる。
同じく固定部７にトランジスタ１３、１５が形成されて
いる。なお、ブリッジ抵抗のすべてが梁６の面上に形成
される必要はなく、一部を固定部７に設けるなど各種変
形例が考えられる。
導体基体上に形成された例を図２に示す。半導体基体は
固定部７と質量部８とこれら両者を接続する薄肉の梁６
に別れており、ピエゾ抵抗ブリッジ回路１は図４と同様
に梁６の面上に形成され、そのブリッジ抵抗の２本は梁
６の長さ方向と平行に、他の２本はこれに垂直に配置さ
れている。固定部７には、その長さが互いに僅かに異な
る拡散抵抗が形成されて診断抵抗１２、１４とされる。
同じく固定部７にトランジスタ１３、１５が形成されて
いる。なお、ブリッジ抵抗のすべてが梁６の面上に形成
される必要はなく、一部を固定部７に設けるなど各種変
形例が考えられる。
【００１５】ブリッジ抵抗相互間、ピエゾ抵抗ブリッジ
回路１の出力端子ｐ１、ｐ２と診断抵抗１２、１４との
間、診断抵抗１２、１４とトランジスタ１３、１５のコ
レクタ２０、２２との間が接続され、またトランジスタ
１３、１５のエミッタ２４、２６がグラウンドに、ベー
ス２８、３０はそれぞれ診断信号入力線につながれてい
る。これらの各要素間の接続は金属配線でなされてい
る。なおこの配線は金属配線の他、部分的には拡散層に
よることもできる。なお、１８はジャンパ用抵抗であ
る。
回路１の出力端子ｐ１、ｐ２と診断抵抗１２、１４との
間、診断抵抗１２、１４とトランジスタ１３、１５のコ
レクタ２０、２２との間が接続され、またトランジスタ
１３、１５のエミッタ２４、２６がグラウンドに、ベー
ス２８、３０はそれぞれ診断信号入力線につながれてい
る。これらの各要素間の接続は金属配線でなされてい
る。なおこの配線は金属配線の他、部分的には拡散層に
よることもできる。なお、１８はジャンパ用抵抗であ
る。
【００１６】この構成における作用を説明すると、通常
はＮＰＮトランジスタ１３、１５はオフしていて、ピエ
ゾ抵抗ブリッジ回路１は、加速度を受けたときに、ブリ
ッジ回路が形成されている梁６に生じる歪み応力に対応
したオフセットを生じ、このオフセットが増幅器３で増
幅されて、加速度信号等の出力を出すようになってい
る。
はＮＰＮトランジスタ１３、１５はオフしていて、ピエ
ゾ抵抗ブリッジ回路１は、加速度を受けたときに、ブリ
ッジ回路が形成されている梁６に生じる歪み応力に対応
したオフセットを生じ、このオフセットが増幅器３で増
幅されて、加速度信号等の出力を出すようになってい
る。
【００１７】図示しない外部の制御システムから診断信
号が入ると、ＮＰＮトランジスタ１３と１５が同時にオ
ンとなり、診断抵抗１２と１４が接地される。これによ
りピエゾ抵抗ブリッジ回路１が擬似的に出力を生じる形
になるので自己診断が可能となる。なお、上記構成の中
でブリッジ駆動回路は電圧源型のほか、電流源型のもの
でもよい。
号が入ると、ＮＰＮトランジスタ１３と１５が同時にオ
ンとなり、診断抵抗１２と１４が接地される。これによ
りピエゾ抵抗ブリッジ回路１が擬似的に出力を生じる形
になるので自己診断が可能となる。なお、上記構成の中
でブリッジ駆動回路は電圧源型のほか、電流源型のもの
でもよい。
【００１８】この例によれば、ブリッジ印加電圧が３
Ｖ、ピエゾ抵抗の抵抗値が５ＫΩであるとき、診断抵抗
１２と１４の抵抗値をそれぞれ５０ＫΩと５０Ｋ＋２１
０Ωに設定すれば、診断出力としてダイナミックレンジ
の１０％の出力を生じさせることができる。このよう
に、通常の拡散抵抗で診断に十分でかつダイナミックレ
ンジに対してバランスのとれた適切な出力を得ることが
できるので、センサチップへの集積化も容易に行なうこ
とができ、コンパクトなセンサおよび自己診断回路が実
現される。
Ｖ、ピエゾ抵抗の抵抗値が５ＫΩであるとき、診断抵抗
１２と１４の抵抗値をそれぞれ５０ＫΩと５０Ｋ＋２１
０Ωに設定すれば、診断出力としてダイナミックレンジ
の１０％の出力を生じさせることができる。このよう
に、通常の拡散抵抗で診断に十分でかつダイナミックレ
ンジに対してバランスのとれた適切な出力を得ることが
できるので、センサチップへの集積化も容易に行なうこ
とができ、コンパクトなセンサおよび自己診断回路が実
現される。
【００１９】図３は他の実施例を示す。この実施例は、
図１に示したトランジスタのエミッタ接地に代え、エミ
ッタを所定の電圧源に接続したものである。すなわち、
ピエゾ抵抗ブリッジ回路１は電圧源１１により駆動さ
れ、トランジスタ１３、１５のエミッタは、電圧値をブ
リッジ駆動電圧の１／２の近くに設定された診断用電圧
源１６に接続されている。
図１に示したトランジスタのエミッタ接地に代え、エミ
ッタを所定の電圧源に接続したものである。すなわち、
ピエゾ抵抗ブリッジ回路１は電圧源１１により駆動さ
れ、トランジスタ１３、１５のエミッタは、電圧値をブ
リッジ駆動電圧の１／２の近くに設定された診断用電圧
源１６に接続されている。
【００２０】これによれば診断用電圧源１６の電圧値を
ピエゾ抵抗ブリッジ回路の出力端子の電位に近接させた
ことにより、診断抵抗１２、１４の抵抗値差を大きくと
ることができる。具体的にはブリッジ駆動電圧が３Ｖ、
ピエゾ抵抗値を５ＫΩとするとき、ダイナミックレンジ
の１０％の診断出力を得るためには、診断用電圧源１６
の電圧を１．４５Ｖとすると診断抵抗１２、１４の抵抗
値は５０ＫΩと５６．３ＫΩに設定すればよいことにな
る。診断用電圧源１６の所定電圧値は、ブリッジ駆動電
圧を抵抗分圧することにより、精度よく駆動電圧の定数
（＜１）倍に設定することが容易である。
ピエゾ抵抗ブリッジ回路の出力端子の電位に近接させた
ことにより、診断抵抗１２、１４の抵抗値差を大きくと
ることができる。具体的にはブリッジ駆動電圧が３Ｖ、
ピエゾ抵抗値を５ＫΩとするとき、ダイナミックレンジ
の１０％の診断出力を得るためには、診断用電圧源１６
の電圧を１．４５Ｖとすると診断抵抗１２、１４の抵抗
値は５０ＫΩと５６．３ＫΩに設定すればよいことにな
る。診断用電圧源１６の所定電圧値は、ブリッジ駆動電
圧を抵抗分圧することにより、精度よく駆動電圧の定数
（＜１）倍に設定することが容易である。
【００２１】なお、上記いずれの実施例においても、ス
イッチ手段としては図示のバイポーラトランジスタに限
定することなく、例えばＭＯＳトランジスタを、そのソ
ースを接地、あるいは診断用電圧源に接続して用いるこ
ともできる。また、スイッチ手段の接続位置も診断抵抗
１２、１４と接地あるいは診断用電圧源との間ではな
く、ブリッジ回路１の出力端子Ｐ１、Ｐ２と診断抵抗１
２、１４との間に設けるようにしてもよい。
イッチ手段としては図示のバイポーラトランジスタに限
定することなく、例えばＭＯＳトランジスタを、そのソ
ースを接地、あるいは診断用電圧源に接続して用いるこ
ともできる。また、スイッチ手段の接続位置も診断抵抗
１２、１４と接地あるいは診断用電圧源との間ではな
く、ブリッジ回路１の出力端子Ｐ１、Ｐ２と診断抵抗１
２、１４との間に設けるようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上のとおりこの発明によれば、スイッ
チ手段で有効となる診断抵抗を、半導体センサのブリッ
ジ回路の出力端子毎に接続し、診断抵抗はその抵抗値を
互いに僅かに異ならせたものとしたから、診断抵抗に通
常の比較的小さな値の抵抗を用いて十分なバランスのと
れた診断出力を得ることができる。このため微少電流源
方式のような複雑な回路は不要となり、また、自己診断
回路の集積化が容易になり、占有面積の小型なものが実
現できる。
チ手段で有効となる診断抵抗を、半導体センサのブリッ
ジ回路の出力端子毎に接続し、診断抵抗はその抵抗値を
互いに僅かに異ならせたものとしたから、診断抵抗に通
常の比較的小さな値の抵抗を用いて十分なバランスのと
れた診断出力を得ることができる。このため微少電流源
方式のような複雑な回路は不要となり、また、自己診断
回路の集積化が容易になり、占有面積の小型なものが実
現できる。
【００２３】そして第１の実施例では、出力端子に接続
される診断抵抗の他端を接地するようにしたから、極め
て簡単な構成となり、小型化に加え、低コストでできる
利点がある。
される診断抵抗の他端を接地するようにしたから、極め
て簡単な構成となり、小型化に加え、低コストでできる
利点がある。
【００２４】また第２の実施例では、診断抵抗の他端
を、電圧値がブリッジ駆動電圧の１／２の近くに設定さ
れた診断用電圧源に接続するようにしたから、診断抵抗
の抵抗値差を大きくとることができ、抵抗値設定の際の
許容範囲が広いという利点を有する。
を、電圧値がブリッジ駆動電圧の１／２の近くに設定さ
れた診断用電圧源に接続するようにしたから、診断抵抗
の抵抗値差を大きくとることができ、抵抗値設定の際の
許容範囲が広いという利点を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す回路図である。
【図２】図１の回路を半導体基体に形成したレイアウト
を示す図である。
を示す図である。
【図３】発明の第２の実施例を示す回路図である。
【図４】半導体加速度センサの構造図である。
【図５】従来例を示す回路図である。
１ ピエゾ抵抗ブリッジ回路 ２ 電流源回路 ３ 増幅器 ４ 微少電流源 ５ スイッチ ６ 梁 ７ 固定部 ８ 質量部 １１ 電圧源 １２、１４ 診断抵抗 １３，１５ トランジスタ １６ 診断用電圧源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 29/84 Ｈ０１Ｌ 29/84 Ａ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 21/00 G01P 15/12 G01L 1/18 - 1/26 G01R 31/02 G01R 17/12 H01L 29/84
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基体に形成された梁上にピエゾ抵
抗を有し、前記梁に生じる歪みを前記ピエゾ抵抗を含む
ブリッジ回路の出力により検出するようにした半導体セ
ンサの自己診断回路であって、前記ブリッジ回路の出力
端子毎に設けられた診断抵抗と、診断信号を受けて前記
ブリッジ回路の出力端子と接地との間を前記診断抵抗を
介してそれぞれ接続するスイッチ手段を備え、前記診断
抵抗はその抵抗値を互いに僅かに異ならせてあることを
特徴とする半導体センサの自己診断回路。 - 【請求項２】 半導体基体に形成された梁上にピエゾ抵
抗を有し、電圧源型駆動回路により駆動される前記ピエ
ゾ抵抗を含むブリッジ回路の出力により前記梁に生じる
歪みを検出するようにした半導体センサの自己診断回路
であって、前記ブリッジ回路の出力端子毎に設けられた
診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回路の出力
端子と診断用電圧源との間を前記診断抵抗を介してそれ
ぞれ接続するスイッチ手段を備え、前記診断抵抗はその
抵抗値を互いに僅かに異ならせてあるとともに、前記診
断用電圧源の電圧値はブリッジ駆動電圧の１／２に近接
して設定されていることを特徴とする半導体センサの自
己診断回路。 - 【請求項３】 前記スイッチ手段がトランジスタスイッ
チであって、該トランジスタスイッチおよび前記診断抵
抗が、前記半導体基体に形成されていることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体センサの自己診断回
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293685A JP3019550B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体センサの自己診断回路 |
| US08/369,284 US5499526A (en) | 1991-10-14 | 1995-01-06 | Semiconductor sensor self-checking circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293685A JP3019550B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体センサの自己診断回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107268A JPH05107268A (ja) | 1993-04-27 |
| JP3019550B2 true JP3019550B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=17797910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP3293685A Expired - Fee Related JP3019550B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体センサの自己診断回路 |
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