JPH09196967A - 半導体力学量センサ - Google Patents
半導体力学量センサInfo
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- JPH09196967A JPH09196967A JP8007636A JP763696A JPH09196967A JP H09196967 A JPH09196967 A JP H09196967A JP 8007636 A JP8007636 A JP 8007636A JP 763696 A JP763696 A JP 763696A JP H09196967 A JPH09196967 A JP H09196967A
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- piezoresistive
- resistance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体加速度センサ等の力学量センサにおい
て、オフセット電圧の調整をセンサチップ上で行う。 【解決手段】 おもり部３を支えるビーム４〜７に形成
したピエゾ抵抗８〜１５の抵抗値変化により加速度を検
出する半導体加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗８〜１
５と選択的に接続されて、出力信号のオフセット調整を
行う調整抵抗部１６、１７を、おもり部３に形成した。
て、オフセット電圧の調整をセンサチップ上で行う。 【解決手段】 おもり部３を支えるビーム４〜７に形成
したピエゾ抵抗８〜１５の抵抗値変化により加速度を検
出する半導体加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗８〜１
５と選択的に接続されて、出力信号のオフセット調整を
行う調整抵抗部１６、１７を、おもり部３に形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体加速度セン
サ又は半導体圧力センサ等の半導体力学量センサおよび
その製造方法に関する。
サ又は半導体圧力センサ等の半導体力学量センサおよび
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体加速度センサにおいては、
おもり部を支えるビーム（薄肉部）にピエゾ抵抗を形成
しておき、加速度によりビームが変位した時のピエゾ抵
抗の抵抗値変化をブリッジ回路を用いて検出し、このブ
リッジ回路の出力によりおもり部に加わる加速度を検出
するようにしている。
おもり部を支えるビーム（薄肉部）にピエゾ抵抗を形成
しておき、加速度によりビームが変位した時のピエゾ抵
抗の抵抗値変化をブリッジ回路を用いて検出し、このブ
リッジ回路の出力によりおもり部に加わる加速度を検出
するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような構成におい
ては、製造時の加工ばらつきにより、センサ特性の一つ
であるゼロ点のオフセット電圧がずれてしまうという問
題がある。本発明は上記問題に鑑みたもので、オフセッ
ト電圧の調整をセンサチップ上で行うことを目的とす
る。
ては、製造時の加工ばらつきにより、センサ特性の一つ
であるゼロ点のオフセット電圧がずれてしまうという問
題がある。本発明は上記問題に鑑みたもので、オフセッ
ト電圧の調整をセンサチップ上で行うことを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１乃至６に記載の発明においては、ピエゾ抵
抗部（８〜１５）と電気的に接続されて回路部（１０
０）より出力される信号のオフセット調整を行う調整抵
抗部（１６、１７）をセンサチップ（１）に形成したこ
とを特徴としている。
め、請求項１乃至６に記載の発明においては、ピエゾ抵
抗部（８〜１５）と電気的に接続されて回路部（１０
０）より出力される信号のオフセット調整を行う調整抵
抗部（１６、１７）をセンサチップ（１）に形成したこ
とを特徴としている。
【０００５】上記調整抵抗部としては、複数の調整抵抗
（１６ａ〜１６ｃ、１７ａ〜１７ｃ）で構成し、これら
複数の調整抵抗を選択的にピエゾ抵抗部に電気的に接続
してオフセット調整を行うようにすることができる。ま
た、請求項３に記載の発明のように、調整抵抗部をおも
り部に形成するようにすれば、センサチップ上のスペー
スを有効利用し、センサチップの小型化を図ることがで
きる。
（１６ａ〜１６ｃ、１７ａ〜１７ｃ）で構成し、これら
複数の調整抵抗を選択的にピエゾ抵抗部に電気的に接続
してオフセット調整を行うようにすることができる。ま
た、請求項３に記載の発明のように、調整抵抗部をおも
り部に形成するようにすれば、センサチップ上のスペー
スを有効利用し、センサチップの小型化を図ることがで
きる。
【０００６】また、回路部としては、ピエゾ抵抗部を構
成要素とするブリッジ回路とし、調整抵抗部を前記ブリ
ッジ回路に挿入接続して構成することができる。この場
合、請求項５に記載の発明のように、ビーム（４〜７）
の歪み方向に対して異なる方向に抵抗値が増減変化する
第１、第２のピエゾ抵抗をブリッジ回路の異なる辺に設
け、調整抵抗部を第１、第２のピエゾ抵抗が設けられた
それぞれの辺に挿入接続するようにすれば、それぞれの
辺での抵抗値変化が逆方向に作用するため、調整抵抗部
１６、１７によるオフセット調整を良好に行うことがで
きる。
成要素とするブリッジ回路とし、調整抵抗部を前記ブリ
ッジ回路に挿入接続して構成することができる。この場
合、請求項５に記載の発明のように、ビーム（４〜７）
の歪み方向に対して異なる方向に抵抗値が増減変化する
第１、第２のピエゾ抵抗をブリッジ回路の異なる辺に設
け、調整抵抗部を第１、第２のピエゾ抵抗が設けられた
それぞれの辺に挿入接続するようにすれば、それぞれの
辺での抵抗値変化が逆方向に作用するため、調整抵抗部
１６、１７によるオフセット調整を良好に行うことがで
きる。
【０００７】また、請求項６に記載の発明のように、回
路部の出力信号に対し抵抗トリミングにてオフセット調
整を行うオフセット調整回路（２００）を設けた場合に
は、センサチップ側でオフセット調整を行っているた
め、オフセット調整回路での抵抗トリミングは微調整で
すみ、その結果、オフセット調整回路のサイズを小さく
することができる。
路部の出力信号に対し抵抗トリミングにてオフセット調
整を行うオフセット調整回路（２００）を設けた場合に
は、センサチップ側でオフセット調整を行っているた
め、オフセット調整回路での抵抗トリミングは微調整で
すみ、その結果、オフセット調整回路のサイズを小さく
することができる。
【０００８】上記した半導体力学量センサの製造方法に
おいて、請求項７に記載の発明のように、ピエゾ抵抗部
と調整抵抗部とを拡散抵抗（２４、２５）として同時に
形成するようにすれば、調整抵抗部を形成するための製
造工程を簡略化することができる。さらに、請求項８に
記載の発明のように、回路部の配線と同時に、ピエゾ抵
抗部と調整抵抗部とを電気導体を用いて接続するように
すれば、抵抗調整部の製造工程を簡略化することができ
る。
おいて、請求項７に記載の発明のように、ピエゾ抵抗部
と調整抵抗部とを拡散抵抗（２４、２５）として同時に
形成するようにすれば、調整抵抗部を形成するための製
造工程を簡略化することができる。さらに、請求項８に
記載の発明のように、回路部の配線と同時に、ピエゾ抵
抗部と調整抵抗部とを電気導体を用いて接続するように
すれば、抵抗調整部の製造工程を簡略化することができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は、半導体加速度センサの斜視
図である。センサチップ１には、貫通溝２が形成され
て、その中におもり部３が形成されている。おもり部３
は４つのビーム４〜７により支えられており、加速度を
受けて変位する。この変位により４つのビーム４〜７も
変位する。
について説明する。図１は、半導体加速度センサの斜視
図である。センサチップ１には、貫通溝２が形成され
て、その中におもり部３が形成されている。おもり部３
は４つのビーム４〜７により支えられており、加速度を
受けて変位する。この変位により４つのビーム４〜７も
変位する。
【００１０】ビーム４には、ビーム４の変位により抵抗
値が変化するピエゾ抵抗８、９が形成されており、同様
に、ビーム５にはピエゾ抵抗１０、１１が形成され、ビ
ーム６にはピエゾ抵抗１２、１３が形成され、ビーム７
にはピエゾ抵抗１４、１５が形成されている。また、お
もり部３には、オフセット電圧調整用の調整抵抗部１
６、１７が形成されている。なお、調整抵抗部１６、１
７は、それぞれ複数の調整抵抗で構成されており、それ
らが選択的にピエゾ抵抗と電気接続されて、オフセット
電圧の調整が行われる。
値が変化するピエゾ抵抗８、９が形成されており、同様
に、ビーム５にはピエゾ抵抗１０、１１が形成され、ビ
ーム６にはピエゾ抵抗１２、１３が形成され、ビーム７
にはピエゾ抵抗１４、１５が形成されている。また、お
もり部３には、オフセット電圧調整用の調整抵抗部１
６、１７が形成されている。なお、調整抵抗部１６、１
７は、それぞれ複数の調整抵抗で構成されており、それ
らが選択的にピエゾ抵抗と電気接続されて、オフセット
電圧の調整が行われる。
【００１１】図２に、上記ピエゾ抵抗８〜１５、および
調整抵抗部１６、１７により、加速度に応じた信号を出
力する回路部１００の構成を示す。この回路部１００は
図に示すようにブリッジ回路を構成しており、出力端子
Ｖ+ 、Ｖ- から、加速度に応じた信号を出力する。上記
したピエゾ抵抗８〜１５において、ピエゾ抵抗８、１
０、１２、１４と、ピエゾ抵抗９、１１、１３、１５
は、ビーム３の歪み方向に対して異なる方向に抵抗値が
増減変化するように構成されており、それらのピエゾ抵
抗を図に示すように配置することにより、抵抗値が図に
示す方向に変化し、加速度の検出感度を良好にすること
ができる。この場合、抵抗値の変化方向が異なる辺、す
なわち図に示すピエゾ抵抗１０、１４が設けられている
辺と、ピエゾ抵抗９、１３が設けられている辺に、調整
抵抗部１６、１７をそれぞれ挿入接続させることによ
り、それぞれの辺での抵抗値変化が逆方向に作用するた
め、調整抵抗部１６、１７によるオフセット調整を良好
に行うことができる。
調整抵抗部１６、１７により、加速度に応じた信号を出
力する回路部１００の構成を示す。この回路部１００は
図に示すようにブリッジ回路を構成しており、出力端子
Ｖ+ 、Ｖ- から、加速度に応じた信号を出力する。上記
したピエゾ抵抗８〜１５において、ピエゾ抵抗８、１
０、１２、１４と、ピエゾ抵抗９、１１、１３、１５
は、ビーム３の歪み方向に対して異なる方向に抵抗値が
増減変化するように構成されており、それらのピエゾ抵
抗を図に示すように配置することにより、抵抗値が図に
示す方向に変化し、加速度の検出感度を良好にすること
ができる。この場合、抵抗値の変化方向が異なる辺、す
なわち図に示すピエゾ抵抗１０、１４が設けられている
辺と、ピエゾ抵抗９、１３が設けられている辺に、調整
抵抗部１６、１７をそれぞれ挿入接続させることによ
り、それぞれの辺での抵抗値変化が逆方向に作用するた
め、調整抵抗部１６、１７によるオフセット調整を良好
に行うことができる。
【００１２】上記した加速度センサの製造工程を図３に
示す工程図を用いて説明する。なお、この図３に示すも
のは、図１のＡ−Ａ断面を示している。 〔図３（ａ）に示す工程〕まず、面方位（１００）のｐ
型シリコン基板２１上にｎ型のエピタキシャル層２２を
もつウェハ２０を用意する。このウェハ２０を酸化して
酸化膜２３を形成した後、ホトパターニングし選択開口
する。この開口部にピエゾ抵抗８〜１５、調整抵抗部１
６、１７をｐ+ 拡散抵抗により形成する。図に示す拡散
抵抗２４はピエゾ抵抗９を示し、拡散抵抗２５は調整抵
抗部１６を構成する複数の抵抗のうちの１つを示してい
る。 〔図３（ｂ）に示す工程〕エピタキシャル層２２上に酸
化膜２６を形成し、選択開口後、Ａｌ配線２７を形成す
る。ここで、調整抵抗部１６、１７はそれぞれ複数の調
整抵抗にて形成されており、Ａｌ配線２７によりいずれ
の調整抵抗とコンタクトをとるかで、オフセット調整が
行われる。具体的には、抵抗調整を行うセンサチップを
複数個のロット単位で行い、各ロットでの最初のセンサ
チップの調整で行った評価あるいは前ロットでの評価の
データを用いて、当該センサチップの抵抗調整を行う。
示す工程図を用いて説明する。なお、この図３に示すも
のは、図１のＡ−Ａ断面を示している。 〔図３（ａ）に示す工程〕まず、面方位（１００）のｐ
型シリコン基板２１上にｎ型のエピタキシャル層２２を
もつウェハ２０を用意する。このウェハ２０を酸化して
酸化膜２３を形成した後、ホトパターニングし選択開口
する。この開口部にピエゾ抵抗８〜１５、調整抵抗部１
６、１７をｐ+ 拡散抵抗により形成する。図に示す拡散
抵抗２４はピエゾ抵抗９を示し、拡散抵抗２５は調整抵
抗部１６を構成する複数の抵抗のうちの１つを示してい
る。 〔図３（ｂ）に示す工程〕エピタキシャル層２２上に酸
化膜２６を形成し、選択開口後、Ａｌ配線２７を形成す
る。ここで、調整抵抗部１６、１７はそれぞれ複数の調
整抵抗にて形成されており、Ａｌ配線２７によりいずれ
の調整抵抗とコンタクトをとるかで、オフセット調整が
行われる。具体的には、抵抗調整を行うセンサチップを
複数個のロット単位で行い、各ロットでの最初のセンサ
チップの調整で行った評価あるいは前ロットでの評価の
データを用いて、当該センサチップの抵抗調整を行う。
【００１３】なお、Ａｌ配線２７は、各ピエゾ抵抗８〜
１５に対するコンタクトに対しても行われ、これにより
ブリッジ回路１００が構成される。この後、シリコン酸
化膜などからなるパッシベーション膜（図示せず）を形
成し、ワイヤボンディング用コンタクトホールを形成す
る。 〔図３（ｃ）に示す工程〕ウェハ２０裏面に酸化膜等を
ホトパターニングし、ＫＯＨ等のエッチング液により異
方性エッチングを行って、おもり部３を形成し、この
後、表面からドライエッチング等を用いて貫通溝２を形
成する。このようにして、図１に示すセンサチップ１が
構成される。
１５に対するコンタクトに対しても行われ、これにより
ブリッジ回路１００が構成される。この後、シリコン酸
化膜などからなるパッシベーション膜（図示せず）を形
成し、ワイヤボンディング用コンタクトホールを形成す
る。 〔図３（ｃ）に示す工程〕ウェハ２０裏面に酸化膜等を
ホトパターニングし、ＫＯＨ等のエッチング液により異
方性エッチングを行って、おもり部３を形成し、この
後、表面からドライエッチング等を用いて貫通溝２を形
成する。このようにして、図１に示すセンサチップ１が
構成される。
【００１４】上記した製造方法によれば、調整抵抗部１
６、１７はピエゾ抵抗８〜１５とともに拡散抵抗にて同
時に形成され、また、調整抵抗部１６、１７とピエゾ抵
抗とのＡｌ配線もブリッジ回路１００のＡｌ配線と同時
に形成されるから、調整抵抗部１６、１７の形成に対す
る特別の製造工程を用いる必要がなく、従来と同一工程
で製造を行うことができる。
６、１７はピエゾ抵抗８〜１５とともに拡散抵抗にて同
時に形成され、また、調整抵抗部１６、１７とピエゾ抵
抗とのＡｌ配線もブリッジ回路１００のＡｌ配線と同時
に形成されるから、調整抵抗部１６、１７の形成に対す
る特別の製造工程を用いる必要がなく、従来と同一工程
で製造を行うことができる。
【００１５】図４に、図１に示すものの具体的な平面構
成を示す。なお、この図において、Ａｌ配線部分に対し
ては、ハッチングを施して図示している。Ａｌ配線と各
ピエゾ抵抗８〜１５との間の接続、およびＡｌ配線下の
接続部分には、図中の点線で示すように、シリコン基板
２１に高濃度拡散層（拡散リード）が形成されて、電気
接続が行われるようになっている。
成を示す。なお、この図において、Ａｌ配線部分に対し
ては、ハッチングを施して図示している。Ａｌ配線と各
ピエゾ抵抗８〜１５との間の接続、およびＡｌ配線下の
接続部分には、図中の点線で示すように、シリコン基板
２１に高濃度拡散層（拡散リード）が形成されて、電気
接続が行われるようになっている。
【００１６】この図からも分かるように、ピエゾ抵抗
９、１３間に、拡散リード３０、３１を介して、調整抵
抗部１６の調整抵抗１６ａ〜１６ｃが選択的にＡｌ配線
にて接続され、同様に、ピエゾ抵抗１０、１４間に、拡
散リード３２、３３を介して、調整抵抗部１７の調整抵
抗１７ａ〜１７ｃが選択的にＡｌ配線にて接続されて、
オフセット電圧の調整が行われる。
９、１３間に、拡散リード３０、３１を介して、調整抵
抗部１６の調整抵抗１６ａ〜１６ｃが選択的にＡｌ配線
にて接続され、同様に、ピエゾ抵抗１０、１４間に、拡
散リード３２、３３を介して、調整抵抗部１７の調整抵
抗１７ａ〜１７ｃが選択的にＡｌ配線にて接続されて、
オフセット電圧の調整が行われる。
【００１７】なお、上記した実施形態においては、オフ
セット電圧をゼロにするように調整を図るものを示した
が、オフセット電圧値をゼロ以外の所望の値に設定する
こともできる。例えば、おもり部３の重さを考慮してオ
フセット電圧値をプラスのある値に設定するような場合
である。図５に、オフセット電圧値の調整を行わないも
の、オフセット電圧値の中心値としてゼロを狙ったも
の、＋３ｍＶを狙ったものの、それぞれの実験結果を示
す。なお、図中の黒丸は中心値を示し、それぞれ３σの
範囲を示している。
セット電圧をゼロにするように調整を図るものを示した
が、オフセット電圧値をゼロ以外の所望の値に設定する
こともできる。例えば、おもり部３の重さを考慮してオ
フセット電圧値をプラスのある値に設定するような場合
である。図５に、オフセット電圧値の調整を行わないも
の、オフセット電圧値の中心値としてゼロを狙ったも
の、＋３ｍＶを狙ったものの、それぞれの実験結果を示
す。なお、図中の黒丸は中心値を示し、それぞれ３σの
範囲を示している。
【００１８】なお、上記した実施形態に対し、調整抵抗
部１６、１７は、センサチップ上の他の場所にも形成す
ることもできるが、おもり部３には通常なにも形成され
ないため、そこに調整抵抗部１６、１７を形成すること
により、スペースを有効利用することができ、センサチ
ップの小型化を図ることができる。また、ピエゾ抵抗８
〜１５はビーム４〜７に形成されるため、おもり部３以
外の場所に調整抵抗部１６、１７を形成した場合には、
ピエゾ抵抗との接続レイアウトが複雑になるが、おもり
部３に調整抵抗部１６、１７を形成することにより、調
整抵抗部１６、１７のブリッジ回路１００への挿入接続
を容易にすることができる。
部１６、１７は、センサチップ上の他の場所にも形成す
ることもできるが、おもり部３には通常なにも形成され
ないため、そこに調整抵抗部１６、１７を形成すること
により、スペースを有効利用することができ、センサチ
ップの小型化を図ることができる。また、ピエゾ抵抗８
〜１５はビーム４〜７に形成されるため、おもり部３以
外の場所に調整抵抗部１６、１７を形成した場合には、
ピエゾ抵抗との接続レイアウトが複雑になるが、おもり
部３に調整抵抗部１６、１７を形成することにより、調
整抵抗部１６、１７のブリッジ回路１００への挿入接続
を容易にすることができる。
【００１９】さらに、ブリッジ回路１００の出力信号に
対し、さらにオフセット調整回路を設けて微調整を行う
こともできる。図６に、センサチップと回路チップの構
成を示す。ブリッジ回路１００の出力端子Ｖ+ 、Ｖ- か
らの出力信号は、それぞれオフセット調整回路２００を
介して増幅回路３００に入力される。増幅回路３００
は、入力された信号を増幅してＧセンサ信号を出力す
る。
対し、さらにオフセット調整回路を設けて微調整を行う
こともできる。図６に、センサチップと回路チップの構
成を示す。ブリッジ回路１００の出力端子Ｖ+ 、Ｖ- か
らの出力信号は、それぞれオフセット調整回路２００を
介して増幅回路３００に入力される。増幅回路３００
は、入力された信号を増幅してＧセンサ信号を出力す
る。
【００２０】ここで、オフセット調整回路２００は薄膜
抵抗２０１、２０２により構成されており、その薄膜抵
抗２０１、２０２をトリミングして抵抗値調整が行われ
る。この場合、上記したようにセンサチップ側でオフセ
ット調整を行っているため、このオフセット調整回路２
００での薄膜抵抗２０１、２０２の抵抗値調整は微調整
ですみ、その結果、薄膜抵抗２０１、２０２のサイズを
小さくすることができる。なお、図６における、センサ
チップ、回路チップは、それぞれ別のチップである必要
はなく、同一のチップとしてもよい。
抵抗２０１、２０２により構成されており、その薄膜抵
抗２０１、２０２をトリミングして抵抗値調整が行われ
る。この場合、上記したようにセンサチップ側でオフセ
ット調整を行っているため、このオフセット調整回路２
００での薄膜抵抗２０１、２０２の抵抗値調整は微調整
ですみ、その結果、薄膜抵抗２０１、２０２のサイズを
小さくすることができる。なお、図６における、センサ
チップ、回路チップは、それぞれ別のチップである必要
はなく、同一のチップとしてもよい。
【００２１】なお、本発明は、上記した半導体加速度セ
ンサに限らず、おもり部を有する半導体圧力センサにも
適用することができる。
ンサに限らず、おもり部を有する半導体圧力センサにも
適用することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す半導体加速度センサ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】図１中のピエゾ抵抗８〜１５、および調整抵抗
部１６、１７によるブリッジ回路の構成を示す図であ
る。
部１６、１７によるブリッジ回路の構成を示す図であ
る。
【図３】図１に示す加速度センサの製造工程を示す工程
図である。
図である。
【図４】図１に示すものの具体的な平面構成を示す図で
ある。
ある。
【図５】オフセット電圧値の種々の調整結果を示す図で
ある。
ある。
【図６】センサチップと回路チップの構成を示す図であ
る。
る。
１…センサチップ、２…貫通溝、３…おもり部、４〜７
…ビーム、８〜１１…ピエゾ抵抗、１６、１７…調整抵
抗部、１００…ブリッジ回路。
…ビーム、８〜１１…ピエゾ抵抗、１６、１７…調整抵
抗部、１００…ブリッジ回路。
Claims (8)
- 【請求項１】 応力を受けて変位するおもり部（３）
と、おもり部を支えるビーム（４〜７）と、このビーム
に形成されビームの変位により抵抗値が変化するピエゾ
抵抗部（８〜１５）と、このピエゾ抵抗部を回路要素と
して前記ピエゾ抵抗部の抵抗値変化に基づく信号を出力
する回路部（１００）とがセンサチップ（１）に形成さ
れてなる半導体力学量センサにおいて、 前記ピエゾ抵抗部と電気的に接続されて前記回路部より
出力される信号のオフセット調整を行う調整抵抗部（１
６、１７）が前記センサチップに形成されていることを
特徴とする半導体力学量センサ。 - 【請求項２】 前記調整抵抗部は複数の調整抵抗（１６
ａ〜１６ｃ、１７ａ〜１７ｃ）から構成されており、こ
れら複数の調整抵抗が選択的に前記ピエゾ抵抗部に電気
的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体力学量センサ。 - 【請求項３】 前記調整抵抗部は前記おもり部に形成さ
れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導
体力学量センサ。 - 【請求項４】 前記回路部は前記ピエゾ抵抗部を構成要
素とするブリッジ回路であって、前記調整抵抗部は前記
ブリッジ回路に挿入接続されていることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体力学量セン
サ。 - 【請求項５】 前記ピエゾ抵抗部は、前記ビームの歪み
方向に対して異なる方向に抵抗値が増減変化する第１、
第２のピエゾ抵抗を有し、これら第１、第２のピエゾ抵
抗は前記ブリッジ回路の異なる辺に設けられており、前
記調整抵抗部は前記第１、第２のピエゾ抵抗が設けられ
たそれぞれの辺に挿入接続されていることを特徴とする
請求項４に記載の半導体力学量センサ。 - 【請求項６】 前記回路部の出力信号に対し、抵抗トリ
ミングにてオフセット調整を行うオフセット調整回路
（２００）が設けられていることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれか１つに記載の半導体力学量センサ。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
半導体力学量センサの製造方法であって、 前記ピエゾ抵抗部と前記調整抵抗部を拡散抵抗（２４、
２５）により同時に形成することを特徴とする半導体力
学量センサの製造方法。 - 【請求項８】 電気導体（２７）により配線して前記回
路部を形成する工程を有し、この配線と同時に、前記ピ
エゾ抵抗部と前記調整抵抗部とを電気導体を用いて接続
することを特徴とする請求項７に記載の半導体力学量セ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8007636A JPH09196967A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 半導体力学量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8007636A JPH09196967A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 半導体力学量センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09196967A true JPH09196967A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11671324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8007636A Pending JPH09196967A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 半導体力学量センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09196967A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002150249A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 衝撃感知センサ付きデータキャリア装置、およびこれを用いた衝撃有無検知システム |
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| JP2011220686A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体加速度センサ |
| KR102505956B1 (ko) * | 2021-10-14 | 2023-03-03 | 국방과학연구소 | 가속도 센서 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8007636A patent/JPH09196967A/ja active Pending
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