JPH11328645A

JPH11328645A - 磁気記録媒体の再生方法

Info

Publication number: JPH11328645A
Application number: JP12788498A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Onodera; 誠一小野寺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-05-11
Filing date: 1998-05-11
Publication date: 1999-11-30

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】双方向に走行する磁気記録媒体に記録された
磁気信号を確実に再生する。【解決手段】複数の磁性層を有してテープ状に形成さ
れてなり、長手方向の双方向に走行する磁気記録媒体１
に対して、磁気抵抗効果素子８を有する磁気抵抗効果型
磁気ヘッド５を用いて再生を行う。上記磁気記録媒体１
は、基板上に形成された第１の磁性層と、この第１の磁
性層上に形成された第２の磁性層とを有し、上記第１の
磁性層の磁化容易軸が上記磁気記録媒体の主面に対して
長手方向の一方向とほぼ一致する方向に傾斜していると
ともに、上記第２の磁性層の磁化容易軸が上記磁気記録
媒体の主面に対して長手方向の他方向とほぼ一致する方
向に傾斜していることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる金属磁性
薄膜型の磁気記録媒体の再生方法に関するものであり、
特に、長手方向の双方向に走行する磁気記録媒体の再生
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分
散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製さ
れる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されて
いる。

【０００３】これに対して、高密度記録への要求の高ま
りとともに、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ等の金属磁
性材料をメッキや真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等）によって非
磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
できるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこ
と、磁性層中に非磁性である結合剤を混入する必要がな
いため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得る
ことができる等、数々の利点を有している。

【０００５】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着型の磁
気記録媒体が提案され、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴ
Ｒ用の磁気テープとして実用化されている。

【０００６】そして、従来、上述したような磁気記録媒
体の記録再生システムでは、いわゆるインダクティブヘ
ッドが用いられていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したよ
うなテープ状の磁気記録媒体では、更なる高密度記録
化、大容量化が図られると、従来の記録再生システムで
は十分に対応することができなかった。すなわち、特
に、磁性層が蒸着により形成されたテープ状の磁気記録
媒体を長手方向の双方向に走行させて記録再生する、い
わゆるリニア記録方式を採用する場合、従来の記録再生
システムでは一方向に走行させたときの再生出力が大き
くなってしまうといった問題がある。

【０００８】また、上述のような利点を有する金属磁性
薄膜型の磁気記録媒体（いわゆる蒸着テープ）を上述し
たような記録再生システムで用いた場合、インダクティ
ブヘッドの感度が低いため、高密度記録化及び大容量化
に対応して再生することができなかった。

【０００９】そこで本発明は、このような実情に鑑みて
提案されたものであり、双方向に走行する磁気記録媒体
に記録された磁気信号を確実に再生することができる磁
気記録媒体の再生方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために本発明者は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて
磁気記録媒体を双方向に再生する場合、磁気記録媒体か
ら生ずる磁界の大きさ及び磁界の方向を最適化すること
が必要であることを見いだした。そして、複数の磁性層
を有する磁気記録媒体に対して、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを用いて再生を行うことにより上述した目的を達成
することができることを見いだした。

【００１１】すなわち、本発明に係る磁気記録媒体の再
生方法は、複数の磁性層を有してテープ状に形成されて
なり、長手方向の双方向に走行する磁気記録媒体に対し
て、磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを用いて再生を行うものである。

【００１２】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体の製造方法では、複数の磁性層を有する磁気記
録媒体を用いることによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドにおける磁気抵抗効果を略々線形に発現させる。そし
て、この手法では、磁気記録媒体が双方向のうちいずれ
の方向に走行した場合でも、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が同様に再生を行う。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
の再生方法の実施の形態を、図面を参照にして詳細に説
明する。

【００１４】本実施の形態に示す磁気記録媒体の再生方
法は、所定の方向の磁化方向として情報信号が書き込ま
れた磁気記録媒体を、ＭＲ素子を有するＭＲヘッドによ
り再生するものである。

【００１５】この磁気記録媒体１は、図１に示すよう
に、非磁性支持体２の一方主面２ａ上に順次形成された
第１の磁性層３と第２の磁性層４とを有し、テープ状に
形成される。なお、本実施の形態に示す磁気記録媒体の
再生方法において、磁気記録媒体は、上述したような構
成に限定されず、非磁性支持体２の他方主面にバックコ
ート層が形成されていてもよく、また、第２の磁性層４
上に保護層や潤滑層が形成されていてもよく、さらに、
非磁性支持体２と第１の磁性層３との間に非磁性層が形
成されていてもよい。例えば、保護層としては、カーボ
ンや、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_x、ＳｉＣ、ＳｉＮ_x−
ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ等の材料が挙げら
れる。そして、保護層は、これらの単層膜であってもよ
いし、多層膜あるいは複合膜であってもよい。

【００１６】この磁気記録媒体１において、第１の磁性
層３及び第２の磁性層４は、それぞれ従来公知の金属磁
性薄膜で構成される。例示するならば、第１の磁性層３
及び第２の磁性層４としては、Ｃｏを主体とする金属磁
性薄膜を挙げることができる。Ｃｏを主体とする金属磁
性薄膜としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ及びこ
れらの酸化物を挙げることができる。

【００１７】また、これら第１の磁性層３及び第２の磁
性層４は、真空蒸着法等の薄膜形成手法を用いて、非磁
性支持体２上或いは第１の磁性層３上に金属磁性微粒子
を堆積させることにより形成される。そして、この第１
の磁性層３及び第２の磁性層４は、金属磁性微粒子の堆
積方向を制御することにより、所定の方向に磁化容易軸
を有することになる。

【００１８】具体的に、この磁気記録媒体は、第１の磁
性層３の磁化容易軸が磁気記録媒体１の主面に対して長
手方向の一方向に所定の角度傾斜（図１中矢印Ｈ₁で示
す方向）しているとともに、第２の磁性層４の磁化容易
軸が磁気記録媒体１の主面に対して長手方向の他方向に
所定の角度傾斜（図１中矢印Ｈ₂で示す方向）するよう
に形成される。このため、第１の磁性層３及び第２の磁
性層４に情報が記録されると、この磁気記録媒体１から
は、当該磁気記録媒体１の主面に対して略垂直な方向に
磁束が発生する。

【００１９】ここで、磁化容易軸とは、試料振動型磁気
測定器（Vibrating Sample Magnetometer）を用いて、
試料の保磁力の角度依存性を測定し、保磁力が最小値に
なる角度（磁化困難軸）に直交する角度のこととする。
したがって、この磁化容易軸は、試料の反磁界を含んだ
値となる。

【００２０】なお、上述した磁気記録媒体１は、第１の
磁性層３及び第２の磁性層４を有するような構成に限定
されず、更に多くの磁性層を有するような構成であって
もよい。この場合、各磁性層の磁化容易軸方向や、各磁
性層の膜厚及び残留磁化量を制御することにより、磁気
記録媒体から生ずる磁束を所望の量とすることができ
る。

【００２１】ところで、上述したような磁気記録媒体１
は、図２に示すように、ＭＲヘッド５により再生され
る。この図２に示すように、磁気記録媒体１は、一対の
テープリール６ａ，６ｂに巻回されるとともにこれら一
対のテープリール６ａ，６ｂ間に掛け渡される。このと
き、磁気記録媒体１は、複数のガイドローラ７により掛
けられ、ＭＲヘッド５に所定のテンションで当接する。

【００２２】このＭＲヘッド５は、基本的には、図３に
示すように、略矩形の板状に形成されたＭＲ素子８と、
このＭＲ素子８の長手方向の両端部に電気的に接続され
た一対の電極９，１０とを備えている。なお、このＭＲ
ヘッド５は、図示しないが、磁気記録媒体１から発生す
る再生対象以外の磁界をＭＲ素子８に印加させないため
のシールド層や、ＭＲ素子８に所望のバイアス磁界を印
加するバイアス磁性層等を有するような構成であっても
よい。

【００２３】このＭＲヘッド５は、磁気記録媒体１に記
録された信号磁界を再生する。このとき、ＭＲヘッド５
は、ＭＲ素子８の長手方向の一辺を磁気記録媒体１と対
向させるように配される。そして、ＭＲ素子８には、一
対の電極９，１０から所定の方向に電流が供給される。
このセンス電流とは、磁気記録媒体から発生する磁界を
検出するための電流であって一定の電圧値を有する。つ
まり、このＭＲヘッドにおいて、センス電流は、磁気記
録媒体１の主面と平行に供給される。

【００２４】このＭＲヘッド５では、磁気記録媒体１か
ら生ずる磁界がＭＲ素子８に印加されると、ＭＲ素子８
の磁化方向が変化する。言い換えると、ＭＲ素子８に磁
界が印加されると、センス電流が所定の方向に供給され
ているため、このセンス電流とＭＲ素子の磁化方向との
相対角度が変化する。ＭＲ素子では、磁化方向が変化す
ると、センス電流に対する抵抗値が変化することとな
る。

【００２５】このため、ＭＲヘッド５では、一対の電極
９，１０から供給されるセンス電流に対する抵抗値変化
を検出することによって、磁気記録媒体１から生ずる磁
界を感知することができる。具体的には、センス電流が
一定の電流値とされているため、このセンス電流の電圧
変化を測定することにより、ＭＲ素子８の抵抗変化を検
出することができる。

【００２６】そして、この手法では、ＭＲヘッド５が、
図２及び図３における矢印Ａ及び矢印Ｂで示す方向、す
なわち、長手方向の双方向に走行する磁気記録媒体１を
再生する。このとき、磁気記録媒体１は、上述したよう
に、第１の磁性層３及び第２の磁性層４からなり、主面
に対して略垂直な方向に磁束を発生している。このた
め、このＭＲヘッド５では、磁気記録媒体１が矢印Ａ方
向に走行した場合と矢印Ｂ方向に走行した場合とにおい
て、それぞれ同一の再生出力を得ることができる。

【００２７】これに対して、例えば、単層の磁性層を有
する磁気記録媒体を再生する場合、上述したような双方
向に走行した場合において、それぞれ同一の再生出力を
得ることが困難となる。これは、単層の磁性層の磁化容
易軸が所定の方向に傾斜しているため、磁気記録媒体か
ら生じる磁束が磁化容易軸の傾斜方向と同方向に傾斜し
てしまい、その結果、磁気記録媒体が傾斜方向と同方向
に走行する場合と逆方向に走行する場合とで再生出力・
再生波形が異なるためである。

【００２８】上述したように、本手法では、ＭＲヘッド
５と複数の磁性層を有するテープ状の磁気記録媒体１を
組み合わせることにより、これまでにない高密度記録シ
ステムを構築することができる。そして、この高密度記
録システムでは、テープ状に形成された磁気記録媒体１
が双方向に走行した場合においても、同様に再生するこ
とができる。

【００２９】このとき、ＭＲ素子８は、印加される磁界
の大きさに応じた抵抗変化をすることが望ましい。言い
換えると、ＭＲ素子８の抵抗値は、印加される磁界の変
化量に対して線形的に変化することが望ましい。

【００３０】しかしながら、このＭＲヘッド５は、非常
に感度に優れているため、小さな磁界に対しては上述し
たような線形的な抵抗変化を示すが、大きな磁界に対し
てはＭＲ素子８が磁気的に飽和してしまい、その結果、
ＭＲ素子８の抵抗変化が線形的ではなくなってしまう。

【００３１】このため、上述した磁気記録媒体１は、第
１の磁性層３及び第２の磁性層４の合計の厚さ、第１の
磁性層３及び第２の磁性層４の合計の残留磁化量をこれ
までよりも小さくし、ＭＲヘッド５の特性に合わせて最
適化することが好ましい。

【００３２】ここで、第１の磁性層３及び第２の磁性層
４の厚さは、真空蒸着法により金属磁性微粒子を堆積さ
せる際、非磁性支持体２のラインスピードを変化させる
ことにより制御することが可能であり、残留磁化量は蒸
着中の酸素導入量を変化させることにより制御すること
が可能である。これら二つのパラメータを制御すること
により、ＭＲ素子８を磁気的に飽和させず、歪みの無い
状態で、最大の出力が得られるようにする。

【００３３】具体的に、第１の磁性層３／第２の磁性層
４の値が１．０〜４．０の範囲内であることが好まし
い。第１の磁性層３／第２の磁性層４の値が１．０〜
４．０の範囲内にある場合には、Ａ方向再生出力（Ａ）
及びＢ方向再生出力（Ｂ）を同等のレベル、例えば｜Ａ
−Ｂ｜の値が２ｄＢ以内のレベルにすることができると
ともに、エラーレートを揃えることができる。

【００３４】また、具体的には、第１の磁性層３及び第
２の磁性層４の残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍｒ・ｔの
値が１〜６ｍｅｍｕ／ｃｍ²となるようにすることが好
ましい。

【００３５】上記積Ｍｒ・ｔの値が１ｍｅｍｕ／ｃｍ²
未満であると、十分な再生出力が得られない。逆に、６
ｍｅｍｕ／ｃｍ²を越えると、ＭＲ素子８が磁気的に飽
和してしまい、ＭＲヘッド５の再生出力に歪みが生ず
る。

【００３６】上記範囲であれば膜厚ｔや残留磁化量Ｍｒ
は任意に設定することが可能であるが、膜厚ｔや残留磁
化量Ｍｒがあまり小さすぎると、上記積Ｍｒ・ｔの値を
１ｍｅｍｕ／ｃｍ²以上確保することが難しい。逆に、
膜厚ｔや残留磁化量Ｍｒがあまり大きすぎると、歪みが
問題となる。

【００３７】したがって、第１の磁性層３及び第２の磁
性層４の合計の膜厚ｔは、３０〜１２０ｎｍとすること
が好ましい。また、上述したような理由から、第１の磁
性層３及び第２の磁性層４の合計の残留磁化量Ｍｒは、
２００〜４００ｅｍｕ／ｃｃとすることが好ましい。

【００３８】また、磁気記録媒体１の面内方向での保磁
力は、低ノイズ、高分解能を実現するためには、１００
０Ｏｅ以上に保つ必要がある。ただし、保磁力が２５０
０Ｏｅを越えると、十分な記録ができなくなり、再生出
力が低下する。したがって、上記保磁力は、１０００〜
２５００Ｏｅとすることが好ましい。

【００３９】さらに、高分解能、低ノイズを両立するた
めには、磁気記録媒体１の面内方向での角形比は、０．
６〜０．９の範囲にあることが望ましい。

【００４０】ところで、本実施の形態において、ＭＲヘ
ッドとしては、図３に示したような基本的な構成を有す
るものを例示したが、このような構成のＭＲヘッドを用
いた場合に限定されるものではない。

【００４１】すなわち、ＭＲヘッドとしては、センス電
流の供給方向が磁気記録媒体の主面に対して垂直方向で
あるような構成であっても良い。また、ＭＲヘッドとし
ては、ヨーク部材を有し、このヨーク部材にＭＲ素子が
配設されるような、いわゆるヨーク型ＭＲヘッドであっ
ても良い。

【００４２】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実験例につ
いて詳細に説明する。

【００４３】先ず、厚さ１０μｍ、幅１５０ｍｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用意し、この表面に
アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを１
０００万個／ｍｍ²なる密度となるように塗布して下塗
層を形成した。

【００４４】続いて、この上にＣｏ−Ｏ系の金属磁性薄
膜を成膜した。成膜条件を以下に示す。

【００４５】成膜条件インゴット：Ｃｏ入射角度：４５°〜９０° テープライン速度：０．１７ｍ／秒酸素導入量：３．３×１０^-6ｍ³／秒蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ用いた連続巻き取り式蒸着機は、図４に示すように、真
空室１０１内に配置された冷却キャン１０２に沿って非
磁性支持体１０３を走行させながら、金属磁性薄膜を蒸
着形成するものであり、冷却キャン１０２に対向する位
置に蒸発源１０４が設置されている。非磁性支持体１０
３は、供給ロール１０５から繰り出され、冷却キャン１
０２上で金属磁性薄膜が第１の磁性層として形成された
後、巻き取りロール１０６に巻き取られる。

【００４６】蒸発源１０４は、電子ビーム発生源１０７
からの電子ビームＢ照射により加熱され、加熱金属材料
からなる蒸気流を発生する。蒸気流は、シャッタ１０８
により非磁性支持体１０３に対する入射角度が規制され
るとともに、このシャッタ１０８近傍に配される酸素導
入管１０９により微量の酸素が混入される。

【００４７】これにより得られた磁気記録媒体におい
て、反磁界を考慮しない磁化容易軸は、第１の磁性層で
ある金属磁性薄膜の主面に対して約２５度傾斜してい
た。

【００４８】その後、上述のようにして形成された第１
の磁性層上に、図４に示した連続巻き取り式蒸着機を再
び用いて第２の磁性層を形成した。このとき、第１の磁
性層が形成された非磁性支持体１０１を供給ロール１０
５から繰り出させ、冷却キャン１０２上で金属磁性薄膜
が第２の磁性層として形成された。このとき、酸素導入
間１０９及びシャッタ１０８の位置を調節することによ
って、第２の磁性層である金属磁性薄膜の磁化容易軸方
向を制御した。具体的には、第２の磁性層は、反磁界を
考慮しない磁化容易軸が金属磁性薄膜の主面に対して約
−２５度傾斜していた。

【００４９】その後、上述のようにして形成された磁性
層上にスパッタあるいはＣＶＤ法によりカーボン膜を厚
さ約１０ｎｍ形成した。

【００５０】そして、非磁性支持体における磁性層が形
成された面とは反対側の面に、カーボンとウレタン樹脂
からなるバックコート層を０．６μｍなる厚さに形成す
るとともに、カーボン膜表面にパーフルオロポリエーテ
ルよりなる潤滑剤を塗布し、その後、８ｍｍ幅に裁断し
てサンプルテープを完成した。

【００５１】そして、上述したように作製されたサンプ
ルテープに対して、電磁変換特性の測定を行った。具体
的には、固定ヘッド上をサンプルテープが摺動しながら
走行するものを用い、各サンプルテープに記録波長０．
５μｍにて情報信号を記録した後、シールド型ＭＲヘッ
ドにより再生出力、ノイズレベル、エラーレートの測定
を行った。

【００５２】再生に用いたＭＲヘッドのＭＲ素子は、Ｆ
ｅＮｉ−ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果素子）であり、飽
和磁化は８００ｅｍｕ／ｃｃ、膜厚は４０ｎｍ、シール
ド材はＮｉＺｎ、シールド間距離は０．１７μｍであ
る。また、トラック幅は１８μｍ、アジマス角は２５°
である。

【００５３】実験例１この実験例１では、第１の磁性層及び第２の磁性層の合
計の残留磁化Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍｒ・ｔの値を変化させ
たときの再生出力（記録波長０．５μｍ）、ノイズレベ
ル（キャリア信号から１ＭＨｚ下がった周波数での値）
を測定した。この結果を表１に示す。

【００５４】なお、比較例１はＭｒ・ｔが０．５ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、実施例１はＭｒ・ｔが１．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、実施例２はＭｒ・ｔが２．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、実施例３はＭｒ・ｔが３．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、実施例４はＭｒ・ｔが４．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、実施例５はＭｒ・ｔが５．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、実施例６はＭｒ・ｔが６．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合、比較例２はＭｒ・ｔが７．０ｍｅｍ
ｕ／ｃｍ²の場合である。また、再生出力、ノイズレベ
ルは、実施例１の値を基準としている。エラーレート
は、シンボルエラーレート（Symbol Error Rate）を示
す。

【００５５】

【表１】

【００５６】この表１からも明らかなように、Ｍｒ・ｔ
の値が１ｍｅｍｕ／ｃｍ²未満（比較例１）であると、
十分な再生出力が得られず、また、６ｍｅｍｕ／ｃｍ²
を越える（比較例２）と、ＭＲ素子が飽和して再生波形
が歪み、エラーレートが劣化する。そのため、Ｍｒ・ｔ
の値としては、１〜６ｍｅｍｕ／ｃｍ²が望ましいと言
える。

【００５７】この実験例１はＭｒ・ｔの規定に関するも
のであるが、同じＭｒ・ｔでも数字的には無数の組合せ
が存在する。そこで、より具体的に、第１の磁性層及び
第２の磁性層の合計の膜厚及び残留磁化量について検討
を加えた。

【００５８】実験例２この実験例２では、特に、第１の磁性層及び第２の磁性
層の合計の膜厚ｔを変化させたときの再生出力、ノイズ
レベル、エラーレートを測定した。その結果を表２に示
す。ここで、再生出力、ノイズレベルは、実施例７を基
準とした値である。また、このとき、第１の磁性層及び
第２の磁性層の合計の残留磁化は３６０ｅｍｕ／ｃｃに
統一している。

【００５９】

【表２】

【００６０】比較例４のように、膜厚ｔが１５０ｎｍ以
上の場合には、ＭＲ素子が飽和してしまい、波形に歪み
を生じてしまう。また、比較例３のように、膜厚ｔが２
０ｎｍの場合には、十分な再生出力が得られず、また保
磁力も劣化するため、分解能が低下する傾向にある。こ
れらの結果から、第１の磁性層及び第２の磁性層の合計
の膜厚ｔは、３０〜１２０ｎｍが最適である。

【００６１】実験例３この実験例３では、特に、第１の磁性層及び第２の磁性
層の合計の合計の残留磁化を変化させたときの再生出
力、ノイズレベル、エラーレートを測定した。その結果
を表３に示す。ここで、再生出力、ノイズレベルは、実
施例１３を基準とした値である。また、このとき、第１
の磁性層及び第２の磁性層の合計の膜厚ｔは、１２０ｎ
ｍに統一している。

【００６２】

【表３】

【００６３】比較例５のように残留磁化量Ｍｒが小さい
と、実施例に比較して十分な再生出力が得られず、ま
た、比較例６のように残留磁化量Ｍｒが大きすぎると、
結果として保磁力が低下してノイズが高くなり、分解能
が低下する。この結果から、第１の磁性層及び第２の磁
性層の合計の残留磁化量Ｍｒは、２００〜４００ｍｅｍ
ｕ／ｃｃが最適である。

【００６４】実験例４この実験例４では、第１の磁性層及び第２の磁性層の膜
厚比（第１の磁性層／第２の磁性層）を変化させたとき
の双方向の再生出力を測定した。その結果を表４に示
す。ここで、双方向の再生出力としては、図２及び図３
中矢印Ａで示す方向の再生出力（表４において「Ａ方向
再生出力」と表記する。）と図２及び図３中矢印Ｂで示
す方向の再生出力（表４において「Ｂ方向再生出力」と
表記する。）とを測定した。また、これら、Ａ方向再生
出力及びＢ方向再生出力の差の絶対値（表４において
「｜Ａ−Ｂ｜」と表記する。）を算出した。ここで、Ａ
方向再生出力及びＢ方向再生出力は、実施例２１におけ
るＡ方向再生出力を基準とした値である。このとき、第
１の磁性層及び第２の磁性層の合計の膜厚は１２０ｎ
ｍ、第１の磁性層及び第２の磁性層の合計の残留磁化は
３６０ｍｅｍｕ／ｃｃに統一している。

【００６５】

【表４】

【００６６】この表４から明らかなように、第１の磁性
層／第２の磁性層の値が１．０〜４．０の範囲内にある
場合には、｜Ａ−Ｂ｜の値が２ｄＢ以内となり、且つ、
エラーレートも双方向においてほぼ同一の値となる。言
い換えると、Ａ方向再生出力及びＢ方向再生出力を同等
のレベルにし、エラーレートを揃えるには、第１の磁性
層／第２の磁性層の値を２．０に近づけることがより好
ましい。

【００６７】実験例５この実験例５では、サンプルテープの面内方向における
保磁力を変化させたときの再生出力、ノイズレベル、エ
ラーレートを測定した。その結果を表５に示す。ここ
で、再生出力、ノイズレベルは、実施例２４を基準とし
た値である。また、このとき、第１の磁性層及び第２の
磁性層の合計の膜厚ｔは、１２０ｎｍに統一している。

【００６８】

【表５】

【００６９】比較例９では、保磁力が小さく、ノイズレ
ベルが高い。比較例１０では、保磁力が大きくなりすぎ
て記録が困難になり、再生出力の低下が認められる。し
たがって、保磁力は、１０００Ｏｅから２５００Ｏｅの
範囲が望ましい。

【００７０】なお、表５には、保磁力を変化させたとき
の面内方向で測定した角形比を示すが、再生出力とノイ
ズレベルの観点から、０．６〜０．９の範囲が望まし
い。

【００７１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、複数の磁性層を有する磁気記録媒体を磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの特性に合わせて最適化してい
るので、磁気抵抗効果素子の飽和を防ぎ、高出力、低ノ
イズを実現可能である。

【００７２】特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを、テー
プ状磁気記録媒体の双方向記録システムに用いること
で、これまでにない高密度記録システムを構築すること
が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気記録媒体の再生方法に適用さ
れる磁気記録媒体の要部断面図である。

【図２】本発明に係る磁気記録媒体の再生方法における
ＭＲヘッドと磁気記録媒体との関係を示す概略構成図で
ある。

【図３】本発明に係る磁気記録媒体の再生方法における
ＭＲヘッドの基本的な構成を示す概略構成図である。

【図４】連続巻き取り式蒸着機の構成を示す概略構成図
である。

【符号の説明】

１磁気記録媒体、２非磁性支持体、３第１の磁性
層、４第２の磁性層、５ＭＲヘッド、６テープリ
ール、７ガイドローラ、８ＭＲ素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の磁性層を有してテープ状に形成さ
れてなり、長手方向の双方向に走行する磁気記録媒体に
対して、磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
用いて再生を行うことを特徴とする磁気記録媒体の再生
方法。
【請求項２】上記磁気記録媒体は、基板上に形成され
た第１の磁性層と、この第１の磁性層上に形成された第
２の磁性層とを有し、上記第１の磁性層の磁化容易軸が上記磁気記録媒体の主
面に対して長手方向の一方向とほぼ一致する方向に傾斜
しているとともに、上記第２の磁性層の磁化容易軸が上
記磁気記録媒体の主面に対して長手方向の他方向とほぼ
一致する方向に傾斜しているを特徴とする請求項１記載
の磁気記録媒体の再生方法。
【請求項３】上記第１の磁性層の膜厚をｔ₁とし、上
記第２の磁性層の膜厚をｔ₂ととしたときに、ｔ₁／ｔ₂
が１．０〜４．０であることを特徴とする請求項２記載
の磁気記録媒体の再生方法。
【請求項４】上記磁性層の残留磁化量Ｍｒ及び磁性層
の膜厚ｔとの積が１〜６ｍｅｍｕ／ｃｍ²であることを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の再生方法。
【請求項５】上記磁性層の膜厚ｔが３０〜１２０ｎｍ
であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の
再生方法。
【請求項６】上記磁性層の残留磁化量Ｍｒが２００〜
４００ｍｅｍｕ／ｃｃであることを特徴とする請求項１
記載の磁気記録媒体の再生方法。
【請求項７】面内方向での保磁力が１０００〜２５０
０Ｏｅであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体の再生方法。
【請求項８】面内方向での角形比が０．６〜０．９で
あることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の再
生方法。