JPH06150285A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH06150285A JPH06150285A JP30071892A JP30071892A JPH06150285A JP H06150285 A JPH06150285 A JP H06150285A JP 30071892 A JP30071892 A JP 30071892A JP 30071892 A JP30071892 A JP 30071892A JP H06150285 A JPH06150285 A JP H06150285A
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- Japan
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- recording
- plane
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高いＣ／Ｎを有する薄膜磁気記録媒体を提供
する。 【構成】 ポリエチレンテレフタレート系あるいはポリ
エチレンナフタレート系基板１３上に、CoとCrまたはCo
とNiとCrを主成分として含む第１の層１４と、CoとOま
たはCoとNiとOを主成分として含む第２の層１５を形成
し、第１の層１４の膜厚、飽和磁化、面内方向保磁力、
面内方向角型比を、それぞれ20〜80nm、100〜400emu/c
c、200〜700Oe、0.6〜0.9の範囲に、第２の層１５の膜
厚、飽和磁化を、それぞれ80〜200nm、400〜550emu/cc
の範囲に、積層後の面内方向保磁力、面内方向角型比
が、それぞれ800〜1500Oe、0.65〜0.85の範囲に、かつ
第２の層の膜厚が第１の層の膜厚よりも大きくなるよう
構成する。
する。 【構成】 ポリエチレンテレフタレート系あるいはポリ
エチレンナフタレート系基板１３上に、CoとCrまたはCo
とNiとCrを主成分として含む第１の層１４と、CoとOま
たはCoとNiとOを主成分として含む第２の層１５を形成
し、第１の層１４の膜厚、飽和磁化、面内方向保磁力、
面内方向角型比を、それぞれ20〜80nm、100〜400emu/c
c、200〜700Oe、0.6〜0.9の範囲に、第２の層１５の膜
厚、飽和磁化を、それぞれ80〜200nm、400〜550emu/cc
の範囲に、積層後の面内方向保磁力、面内方向角型比
が、それぞれ800〜1500Oe、0.65〜0.85の範囲に、かつ
第２の層の膜厚が第１の層の膜厚よりも大きくなるよう
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気記録媒体に関す
る
る
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い情報記録担体の
大容量化・高密度化が進められている。磁気テープの分
野においても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が
盛んであり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案され
ている。超高密度磁気記録材料としてはＣｏーＣｒ等が
広く研究されており、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜（あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ薄膜）等を用いた研究開発が行われている。
またＣｏ−Ｃｒ薄膜の上に磁性を有するＣｏ−Ｏ（ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜）を積層したCo-O/Co-Cr磁気記
録媒体によって、記録密度特性と実用耐久性の両立を目
指した研究もされている。薄膜磁気記録媒体を製造する
方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特にその生産
性において他を凌いでおり、現実的量産方法として非常
に有力である。即ち（図７）のように長尺の高分子基板
が円筒状キャンの周面に沿って走行中に磁性層を電子ビ
ーム蒸着することによって磁気記録媒体の量産が出来
る。磁性体としては主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びこれらを
含む合金及び酸素雰囲気蒸着による酸化物が用いられ
る。
大容量化・高密度化が進められている。磁気テープの分
野においても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が
盛んであり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案され
ている。超高密度磁気記録材料としてはＣｏーＣｒ等が
広く研究されており、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜（あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ薄膜）等を用いた研究開発が行われている。
またＣｏ−Ｃｒ薄膜の上に磁性を有するＣｏ−Ｏ（ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜）を積層したCo-O/Co-Cr磁気記
録媒体によって、記録密度特性と実用耐久性の両立を目
指した研究もされている。薄膜磁気記録媒体を製造する
方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特にその生産
性において他を凌いでおり、現実的量産方法として非常
に有力である。即ち（図７）のように長尺の高分子基板
が円筒状キャンの周面に沿って走行中に磁性層を電子ビ
ーム蒸着することによって磁気記録媒体の量産が出来
る。磁性体としては主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びこれらを
含む合金及び酸素雰囲気蒸着による酸化物が用いられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】他の薄膜磁気記録媒体
と同様、Co-O/Co-Cr系薄膜磁気記録媒体においても媒体
パラメータの最適化が必要不可欠である。ところがこれ
までCo-O/Co-Cr膜の検討が主としてポリアミド基板ある
いはポリイミド基板等を用いた高基板温度に於てなされ
ていたために、ポリエチレンテレフタレート基板あるい
はポリエチレンナフタレート基板等を用いたときの媒体
の最適パラメータは明かではなかった。
と同様、Co-O/Co-Cr系薄膜磁気記録媒体においても媒体
パラメータの最適化が必要不可欠である。ところがこれ
までCo-O/Co-Cr膜の検討が主としてポリアミド基板ある
いはポリイミド基板等を用いた高基板温度に於てなされ
ていたために、ポリエチレンテレフタレート基板あるい
はポリエチレンナフタレート基板等を用いたときの媒体
の最適パラメータは明かではなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、ポリエチレンテレフタレート系基板上あるい
はポリエチレンナフタレート系基板上に直接あるいは下
地層を介して順にCoとCrまたはCoとNiとCrを主成分とし
て含む層、CoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む層
が形成された磁気記録媒体において、前記CoとCrまたは
CoとNiとCrを主成分として含む層の膜厚、飽和磁化、面
内方向保磁力、面内方向角型比が、それぞれ２０〜８０
ｎｍ、１００〜４００ｅｍｕ／ｃｃ、２００〜７００Ｏ
ｅ、０．６〜０．９の範囲にあることを特徴とするも
の、及びポリエチレンテレフタレート系基板上あるいは
ポリエチレンナフタレート系基板上に直接あるいは下地
層を介して順にCoとCrまたはCoとNiとCrを主成分として
含む層、CoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む層が
形成された磁気記録媒体において、前記CoとOまたはCo
とNiとOを主成分として含む層の膜厚、飽和磁化が、そ
れぞれ８０〜２００ｎｍ、４００〜５５０ｅｍｕ／ｃｃ
の範囲にあり、積層後の面内方向保磁力、面内方向角型
比が、それぞれ８００〜１５００Ｏｅ、０．６５〜０．
８５の範囲にあり、かつ前記CoとOまたはCoとNiとOを主
成分として含む層の膜厚が前記CoとCrまたはCoとNiとCr
を主成分として含む層の膜厚よりも大きいことを特徴と
するものである。
本発明は、ポリエチレンテレフタレート系基板上あるい
はポリエチレンナフタレート系基板上に直接あるいは下
地層を介して順にCoとCrまたはCoとNiとCrを主成分とし
て含む層、CoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む層
が形成された磁気記録媒体において、前記CoとCrまたは
CoとNiとCrを主成分として含む層の膜厚、飽和磁化、面
内方向保磁力、面内方向角型比が、それぞれ２０〜８０
ｎｍ、１００〜４００ｅｍｕ／ｃｃ、２００〜７００Ｏ
ｅ、０．６〜０．９の範囲にあることを特徴とするも
の、及びポリエチレンテレフタレート系基板上あるいは
ポリエチレンナフタレート系基板上に直接あるいは下地
層を介して順にCoとCrまたはCoとNiとCrを主成分として
含む層、CoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む層が
形成された磁気記録媒体において、前記CoとOまたはCo
とNiとOを主成分として含む層の膜厚、飽和磁化が、そ
れぞれ８０〜２００ｎｍ、４００〜５５０ｅｍｕ／ｃｃ
の範囲にあり、積層後の面内方向保磁力、面内方向角型
比が、それぞれ８００〜１５００Ｏｅ、０．６５〜０．
８５の範囲にあり、かつ前記CoとOまたはCoとNiとOを主
成分として含む層の膜厚が前記CoとCrまたはCoとNiとCr
を主成分として含む層の膜厚よりも大きいことを特徴と
するものである。
【０００５】
【作用】Co-Cr層、Co-O層の媒体パラメータの最適化に
よって優れた記録再生特性が得られる。
よって優れた記録再生特性が得られる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。媒
体は（図１０）に示すような装置で形成した。排気系１
によって真空排気された真空槽２の中で巻き出しロール
３から回転方向１２に沿って巻出された長尺の高分子基
板４は磁性層形成用キャン５の周面に沿って走行中に電
子ビーム６を照射されている電子ビーム蒸発源７より遮
蔽板９の開口部においてCo-Cr層の蒸着を受けた後に、
巻き取りロール１０に巻きとられる。Co-Cr層上へのCo-
O層の積層は、Co-Cr層形成後に蒸発源をCo-CrからCo-O
に交換して同様の工程を繰り返し行うことによって行わ
れる。尚、Co-O層形成時には酸素導入ノズル８より酸素
ガスが導入されており、反応蒸着によって酸化物磁性層
が形成される。
体は（図１０）に示すような装置で形成した。排気系１
によって真空排気された真空槽２の中で巻き出しロール
３から回転方向１２に沿って巻出された長尺の高分子基
板４は磁性層形成用キャン５の周面に沿って走行中に電
子ビーム６を照射されている電子ビーム蒸発源７より遮
蔽板９の開口部においてCo-Cr層の蒸着を受けた後に、
巻き取りロール１０に巻きとられる。Co-Cr層上へのCo-
O層の積層は、Co-Cr層形成後に蒸発源をCo-CrからCo-O
に交換して同様の工程を繰り返し行うことによって行わ
れる。尚、Co-O層形成時には酸素導入ノズル８より酸素
ガスが導入されており、反応蒸着によって酸化物磁性層
が形成される。
【０００７】（図２）はCo-Cr層の膜厚Ｄ１およびCo-Cr
層の飽和磁化Ｍｓ１を変えたときの、Ｄ１と記録再生特
性の関係を示す図である。Co-Cr層形成時の蒸気流の基
板への入射角は基板法線に対して６０度〜３０度の範囲
になるように遮蔽板によって制限した。Co-O層の膜厚を
１００ｎｍ、Co-O層の飽和磁化を５００ｅｍｕ／ｃｃで
一定として、Co-Cr層の膜厚Ｄ１と飽和磁化Ｍｓ１を変
えた。Ｄ１はフィルムの搬送速度によって変化させた。
また、Ｍｓ１はCo-Cr層中のＣｒ濃度を変えることによ
って変化させた。Ｄ１の評価は比較的低搬送速度で形成
した膜を用いてＳＥＭによって行い、フィルムの搬送速
度が早い場合にはＤ１が速度に反比例するものとして算
出した。また、Ｍｓ１の評価は振動試料磁力系で測定し
た飽和磁化量とＤ１から算出した。作製した媒体の記録
再生特性はドラムテスタを用いて、センダストＭＩＧヘ
ッドで記録波長０．５μｍにおいて評価した。（図２）
において、再生出力、ノイズならびにＣ／Ｎは相対値で
表示しており、Co-Cr層の膜厚が６０ｎｍ、飽和磁化が
２５０ｅｍｕ／ｃｃのときを０ｄＢとした。（図２）か
ら分かるようにCo-Cr層の膜厚Ｄ１が２０ｎｍ以下では
再生出力の低下が大きく、Ｃ／Ｎは低い。また、逆にＤ
１が８０ｎｍ以上になるとノイズが増加してＣ／Ｎが低
下する。一方、Co-Cr層の飽和磁化Ｍｓ１は１００ｅｍ
ｕ／ｃｃ以下でも記録波長０．５μｍでは再生出力、Ｃ
／Ｎ共に低下は顕著ではないが、長波長領域での出力低
下を考慮に入れるとＭｓ１は１００ｅｍｕ／ｃｃ以上が
好ましい。例えば記録波長３μｍにおける再生出力値で
比較するとCo-Cr層の飽和磁化Ｄ１が１００ｅｍｕ／ｃ
ｃの場合の方がＤ１が５０ｅｍｕ／ｃｃの場合に比べて
１ｄＢ程度高い。Ｃ／Ｎ値には大差はないが、システム
構成時のトラッキング特性などを考慮にいれた場合には
Co-Cr層の飽和磁化Ｄ１は１００ｅｍｕ／ｃｃ以上であ
ることが望ましい場合があるのである。逆にＤ１が４０
０ｅｍｕ／ｃｃを越えるとノイズが増加して、Ｃ／Ｎが
低下する。
層の飽和磁化Ｍｓ１を変えたときの、Ｄ１と記録再生特
性の関係を示す図である。Co-Cr層形成時の蒸気流の基
板への入射角は基板法線に対して６０度〜３０度の範囲
になるように遮蔽板によって制限した。Co-O層の膜厚を
１００ｎｍ、Co-O層の飽和磁化を５００ｅｍｕ／ｃｃで
一定として、Co-Cr層の膜厚Ｄ１と飽和磁化Ｍｓ１を変
えた。Ｄ１はフィルムの搬送速度によって変化させた。
また、Ｍｓ１はCo-Cr層中のＣｒ濃度を変えることによ
って変化させた。Ｄ１の評価は比較的低搬送速度で形成
した膜を用いてＳＥＭによって行い、フィルムの搬送速
度が早い場合にはＤ１が速度に反比例するものとして算
出した。また、Ｍｓ１の評価は振動試料磁力系で測定し
た飽和磁化量とＤ１から算出した。作製した媒体の記録
再生特性はドラムテスタを用いて、センダストＭＩＧヘ
ッドで記録波長０．５μｍにおいて評価した。（図２）
において、再生出力、ノイズならびにＣ／Ｎは相対値で
表示しており、Co-Cr層の膜厚が６０ｎｍ、飽和磁化が
２５０ｅｍｕ／ｃｃのときを０ｄＢとした。（図２）か
ら分かるようにCo-Cr層の膜厚Ｄ１が２０ｎｍ以下では
再生出力の低下が大きく、Ｃ／Ｎは低い。また、逆にＤ
１が８０ｎｍ以上になるとノイズが増加してＣ／Ｎが低
下する。一方、Co-Cr層の飽和磁化Ｍｓ１は１００ｅｍ
ｕ／ｃｃ以下でも記録波長０．５μｍでは再生出力、Ｃ
／Ｎ共に低下は顕著ではないが、長波長領域での出力低
下を考慮に入れるとＭｓ１は１００ｅｍｕ／ｃｃ以上が
好ましい。例えば記録波長３μｍにおける再生出力値で
比較するとCo-Cr層の飽和磁化Ｄ１が１００ｅｍｕ／ｃ
ｃの場合の方がＤ１が５０ｅｍｕ／ｃｃの場合に比べて
１ｄＢ程度高い。Ｃ／Ｎ値には大差はないが、システム
構成時のトラッキング特性などを考慮にいれた場合には
Co-Cr層の飽和磁化Ｄ１は１００ｅｍｕ／ｃｃ以上であ
ることが望ましい場合があるのである。逆にＤ１が４０
０ｅｍｕ／ｃｃを越えるとノイズが増加して、Ｃ／Ｎが
低下する。
【０００８】（図３）は、Co-Cr層の面内方向保磁力Ｈ
ｃ１を変えたときの、Ｈｃ１と記録再生特性の関係を示
す図である。記録再生特性はドラムテスタを用いて、セ
ンダストＭＩＧヘッドで記録波長０．５μｍにおいて評
価した。（図３）において、再生出力、ノイズ、ならび
にＣ／Ｎは相対値で表示しており、Co-Cr層の面内方向
保磁力Ｈｃ１が５００Ｏｅのときを０ｄＢとした。Co-C
r層のＨｃ１はCo-Cr層形成時の基板温度を変化させるこ
とによって変えた。また、Co-O層の膜厚及び飽和磁化
は、それぞれ１０００ｍおよび５００ｅｍｕ／ｃｃとし
た。（図３）から分かるように、Ｈｃ１が２００Ｏｅ未
満の場合にはノイズが増加して、Ｃ／Ｎが低下する。逆
にＨｃ１が７００Ｏｅを越えると、再生出力が減少し
て、Ｃ／Ｎが低下する。従って、Co-Cr層の面内方向保
磁力は２００〜７００Ｏｅの範囲にあることが望まし
い。Ｈｃ１が２００Ｏｅ未満の場合にノイズが増加する
のはCo-Cr層の磁壁移動に起因するノイズが増加するた
めと思われる。また、Ｈｃ１が７００Ｏｅを越えた場合
に再生出力が低下するのは記録効率が低下するためでは
ないかと思われる。
ｃ１を変えたときの、Ｈｃ１と記録再生特性の関係を示
す図である。記録再生特性はドラムテスタを用いて、セ
ンダストＭＩＧヘッドで記録波長０．５μｍにおいて評
価した。（図３）において、再生出力、ノイズ、ならび
にＣ／Ｎは相対値で表示しており、Co-Cr層の面内方向
保磁力Ｈｃ１が５００Ｏｅのときを０ｄＢとした。Co-C
r層のＨｃ１はCo-Cr層形成時の基板温度を変化させるこ
とによって変えた。また、Co-O層の膜厚及び飽和磁化
は、それぞれ１０００ｍおよび５００ｅｍｕ／ｃｃとし
た。（図３）から分かるように、Ｈｃ１が２００Ｏｅ未
満の場合にはノイズが増加して、Ｃ／Ｎが低下する。逆
にＨｃ１が７００Ｏｅを越えると、再生出力が減少し
て、Ｃ／Ｎが低下する。従って、Co-Cr層の面内方向保
磁力は２００〜７００Ｏｅの範囲にあることが望まし
い。Ｈｃ１が２００Ｏｅ未満の場合にノイズが増加する
のはCo-Cr層の磁壁移動に起因するノイズが増加するた
めと思われる。また、Ｈｃ１が７００Ｏｅを越えた場合
に再生出力が低下するのは記録効率が低下するためでは
ないかと思われる。
【０００９】（図４）は、Co-Cr層の面内方向飽和磁化
曲線の角型比Ｓ１を変えたときの、Ｓ１と記録再生特性
の関係を示す図である。記録再生特性はドラムテスタを
用いて、センダストＭＩＧヘッドで記録波長０．５μｍ
において評価した。（図４）において、再生出力、ノイ
ズならびにＣ／Ｎは相対値で表示しており、Co-Cr層の
面内方向角型比Ｓ１が０．７のときを０ｄＢとした。Ｓ
１はCo-Cr層形成時の蒸気入射角を変化させることによ
って変えた。また、Co-O層の膜厚Ｄ１及び飽和磁化Ｍｓ
１はそれぞれ１００ｎｍおよび５００ｅｍｕ／ｃｃとし
た。（図４）から分かるように、Ｓ１が０．６未満の場
合には再生出力の低下が顕著であり、Ｃ／Ｎが低下す
る。Ｓ１が小さい場合には、これに加えて記録再生時の
媒体・ヘッド間のスペ−シングに対して再生出力が敏感
になり、再生出力が不安定になり易い。これは、Ｓ１が
小さくなるにつれて、垂直成分が強くなり過ぎて、記録
効率が低下していることによるものと思われる。また、
逆にＳ１が０．９を越えた場合にも、再生出力の低下が
起きた。従って、Co-Cr層の面内方向角型比は０．６〜
０．９の範囲にあることが望ましい。
曲線の角型比Ｓ１を変えたときの、Ｓ１と記録再生特性
の関係を示す図である。記録再生特性はドラムテスタを
用いて、センダストＭＩＧヘッドで記録波長０．５μｍ
において評価した。（図４）において、再生出力、ノイ
ズならびにＣ／Ｎは相対値で表示しており、Co-Cr層の
面内方向角型比Ｓ１が０．７のときを０ｄＢとした。Ｓ
１はCo-Cr層形成時の蒸気入射角を変化させることによ
って変えた。また、Co-O層の膜厚Ｄ１及び飽和磁化Ｍｓ
１はそれぞれ１００ｎｍおよび５００ｅｍｕ／ｃｃとし
た。（図４）から分かるように、Ｓ１が０．６未満の場
合には再生出力の低下が顕著であり、Ｃ／Ｎが低下す
る。Ｓ１が小さい場合には、これに加えて記録再生時の
媒体・ヘッド間のスペ−シングに対して再生出力が敏感
になり、再生出力が不安定になり易い。これは、Ｓ１が
小さくなるにつれて、垂直成分が強くなり過ぎて、記録
効率が低下していることによるものと思われる。また、
逆にＳ１が０．９を越えた場合にも、再生出力の低下が
起きた。従って、Co-Cr層の面内方向角型比は０．６〜
０．９の範囲にあることが望ましい。
【００１０】（図５）は、これまで述べた適正条件の範
囲内でCo-Cr層の膜厚を変えて形成したときの、Co-O層
の膜厚と、Co-O/Co-Cr膜に積層した後の記録再生特性の
関係を示す図である。（図５）では、Co-Cr層の飽和磁
化Ｍｓ１、面内方向保磁力Ｈｃ１、面内方向角型比Ｓ
１、膜厚Ｄ１を３００ｅｍｕ／ｃｃ、５００Ｏｅ、０．
７、６０ｎｍ及び、２００ｅｍｕ／ｃｃ、３５０Ｏｅ、
０．８、４０ｎｍとした場合の２通りについてCo-O層の
膜厚Ｄ２と記録再生特性の関係を示している。（図５）
から分かるように、いずれの場合においても、Co-Cr層
の膜厚Ｄ１がCo-O層の膜厚Ｄ２よりも小さい場合に優れ
た記録再生特性が得られている。従って、Co-Cr層の膜
厚はCo-O層の膜厚よりも小さいことが必要である。
囲内でCo-Cr層の膜厚を変えて形成したときの、Co-O層
の膜厚と、Co-O/Co-Cr膜に積層した後の記録再生特性の
関係を示す図である。（図５）では、Co-Cr層の飽和磁
化Ｍｓ１、面内方向保磁力Ｈｃ１、面内方向角型比Ｓ
１、膜厚Ｄ１を３００ｅｍｕ／ｃｃ、５００Ｏｅ、０．
７、６０ｎｍ及び、２００ｅｍｕ／ｃｃ、３５０Ｏｅ、
０．８、４０ｎｍとした場合の２通りについてCo-O層の
膜厚Ｄ２と記録再生特性の関係を示している。（図５）
から分かるように、いずれの場合においても、Co-Cr層
の膜厚Ｄ１がCo-O層の膜厚Ｄ２よりも小さい場合に優れ
た記録再生特性が得られている。従って、Co-Cr層の膜
厚はCo-O層の膜厚よりも小さいことが必要である。
【００１１】以上にCo-O層の条件を一定にしたときの、
Co-Cr層の最適条件について述べた。について述べた。
次にCo-Cr層の条件を一定にしたときの、Co-O層の最適
条件について述べる。以下の検討においてはCo-Cr層の
飽和磁化Ｍｓ１、面内方向保磁力Ｈｃ１、面内方向角型
比Ｓ１、及び膜厚Ｄ１は３００ｅｍｕ／ｃｃ、５００Ｏ
ｅ、０．７、及び６０ｎｍで一定とした。
Co-Cr層の最適条件について述べた。について述べた。
次にCo-Cr層の条件を一定にしたときの、Co-O層の最適
条件について述べる。以下の検討においてはCo-Cr層の
飽和磁化Ｍｓ１、面内方向保磁力Ｈｃ１、面内方向角型
比Ｓ１、及び膜厚Ｄ１は３００ｅｍｕ／ｃｃ、５００Ｏ
ｅ、０．７、及び６０ｎｍで一定とした。
【００１２】（図６）はCo-O層の膜厚Ｄ２およびCo-O層
の飽和磁化Ｍｓ２を変えたときの、Ｄ２と記録再生特性
の関係を示す図である。Co-O層形成時の蒸気流の基板へ
の入射角は基板法線に対して７０度〜４０度の範囲にな
るように遮蔽板によって制限した。Co-Cr層の膜厚を６
０ｎｍ、Co-Cr層の飽和磁化を３００ｅｍｕ／ｃｃで一
定として、Co-O層の膜厚Ｄ２と飽和磁化Ｍｓ２を変え
た。Ｄ１はフィルムの搬送速度によって変化させた。ま
た、Ｍｓ２はCo-O層形成時の導入酸素量を変えることに
よって変化させた。Ｄ２の評価は比較的低搬送速度で形
成した膜を用いてＳＥＭによって行い、フィルムの搬送
速度が早い場合にはＤ２が速度に反比例するものとして
算出した。また、Ｍｓ２の評価は振動試料磁力系で測定
した飽和磁化量とＤ２から算出した。作製した媒体の記
録再生特性はドラムテスタを用いて、センダストＭＩＧ
ヘッドで記録波長０．５μｍにおいて評価した。（図
６）から分かるようにCo-O層の膜厚Ｄ２が８０ｎｍ以下
では再生出力の低下が大きく、Ｃ／Ｎは低い。また、逆
にＤ２が２００ｎｍ以上になるとノイズが増加してＣ／
Ｎが低下する。一方、Co-O層の飽和磁化Ｍｓ２が４００
ｅｍｕ／ｃｃ未満の場合には再生出力の低下によってＣ
／Ｎが低下する。逆にＭｓ２が５５０ｅｍｕ／ｃｃ以上
ではノイズが増加して、Ｃ／Ｎが低下する。
の飽和磁化Ｍｓ２を変えたときの、Ｄ２と記録再生特性
の関係を示す図である。Co-O層形成時の蒸気流の基板へ
の入射角は基板法線に対して７０度〜４０度の範囲にな
るように遮蔽板によって制限した。Co-Cr層の膜厚を６
０ｎｍ、Co-Cr層の飽和磁化を３００ｅｍｕ／ｃｃで一
定として、Co-O層の膜厚Ｄ２と飽和磁化Ｍｓ２を変え
た。Ｄ１はフィルムの搬送速度によって変化させた。ま
た、Ｍｓ２はCo-O層形成時の導入酸素量を変えることに
よって変化させた。Ｄ２の評価は比較的低搬送速度で形
成した膜を用いてＳＥＭによって行い、フィルムの搬送
速度が早い場合にはＤ２が速度に反比例するものとして
算出した。また、Ｍｓ２の評価は振動試料磁力系で測定
した飽和磁化量とＤ２から算出した。作製した媒体の記
録再生特性はドラムテスタを用いて、センダストＭＩＧ
ヘッドで記録波長０．５μｍにおいて評価した。（図
６）から分かるようにCo-O層の膜厚Ｄ２が８０ｎｍ以下
では再生出力の低下が大きく、Ｃ／Ｎは低い。また、逆
にＤ２が２００ｎｍ以上になるとノイズが増加してＣ／
Ｎが低下する。一方、Co-O層の飽和磁化Ｍｓ２が４００
ｅｍｕ／ｃｃ未満の場合には再生出力の低下によってＣ
／Ｎが低下する。逆にＭｓ２が５５０ｅｍｕ／ｃｃ以上
ではノイズが増加して、Ｃ／Ｎが低下する。
【００１３】（図７）は、Co-O/Co-Cr媒体の面内方向保
磁力Ｈｃ(1+2)を変えたときの、Ｈｃ(1+2)と記録再生特
性の関係を示す図である。記録再生特性はドラムテスタ
を用いて、センダストＭＩＧヘッドで記録波長０．５μ
ｍにおいて評価した。Co-O層の面内方向保磁力はCo-O層
形成時の蒸気入射角と酸素導入量を変化させることによ
って変えた。また、Co-Cr層の膜厚Ｄ１及び飽和磁化Ｍ
ｓ１は、それぞれ６０ｍおよび３００ｅｍｕ／ｃｃとし
た。（図７）ではCo-Cr層の面内方向保磁力Ｈｃ１が３
００Ｏｅの場合及び６００Ｏｅの場合の２通りについ
て、Co-O/Co-Cr媒体の面内方向保磁力Ｈｃ(1+2)と記録
再生特性の関係を示した。（図７）から分かるように、
Ｈｃ１が３００Ｏｅの場合及び６００Ｏｅの場合いずれ
においてもＨｃ(1+2)が８００Ｏｅ未満の場合にはノイ
ズが増加して、Ｃ／Ｎが低下する。逆にＨｃ(1+2)が１
５００Ｏｅを越えると、再生出力が減少して、Ｃ／Ｎが
低下する。従って、Ｈｃ(1+2)は８００〜１５００Ｏｅ
の範囲にあることが望ましい。Ｈｃ(1+2)が８００Ｏｅ
未満の場合にノイズが増加するのは、磁壁移動に起因す
るノイズが増加するためと思われる。また、Ｈｃ(1+2)
が１５００Ｏｅを越えた場合に再生出力が低下するのは
記録効率が低下するためではないかと思われる。
磁力Ｈｃ(1+2)を変えたときの、Ｈｃ(1+2)と記録再生特
性の関係を示す図である。記録再生特性はドラムテスタ
を用いて、センダストＭＩＧヘッドで記録波長０．５μ
ｍにおいて評価した。Co-O層の面内方向保磁力はCo-O層
形成時の蒸気入射角と酸素導入量を変化させることによ
って変えた。また、Co-Cr層の膜厚Ｄ１及び飽和磁化Ｍ
ｓ１は、それぞれ６０ｍおよび３００ｅｍｕ／ｃｃとし
た。（図７）ではCo-Cr層の面内方向保磁力Ｈｃ１が３
００Ｏｅの場合及び６００Ｏｅの場合の２通りについ
て、Co-O/Co-Cr媒体の面内方向保磁力Ｈｃ(1+2)と記録
再生特性の関係を示した。（図７）から分かるように、
Ｈｃ１が３００Ｏｅの場合及び６００Ｏｅの場合いずれ
においてもＨｃ(1+2)が８００Ｏｅ未満の場合にはノイ
ズが増加して、Ｃ／Ｎが低下する。逆にＨｃ(1+2)が１
５００Ｏｅを越えると、再生出力が減少して、Ｃ／Ｎが
低下する。従って、Ｈｃ(1+2)は８００〜１５００Ｏｅ
の範囲にあることが望ましい。Ｈｃ(1+2)が８００Ｏｅ
未満の場合にノイズが増加するのは、磁壁移動に起因す
るノイズが増加するためと思われる。また、Ｈｃ(1+2)
が１５００Ｏｅを越えた場合に再生出力が低下するのは
記録効率が低下するためではないかと思われる。
【００１４】（図８）は、Co-O/Co-Cr媒体の面内方向飽
和磁化曲線の角型比Ｓ(1+2)を変えたときの、Ｓ(1+2)と
記録再生特性の関係を示す図である。記録再生特性はド
ラムテスタを用いて、センダストＭＩＧヘッドで記録波
長０．５μｍにおいて評価した。Co-O層のＳはCo-O/Co-
Cr層形成時の蒸気入射角と酸素導入量を変化させること
によって変えた。また、Co-Cr層の膜厚及び飽和磁化は
それぞれ６０ｎｍおよび３００ｅｍｕ／ｃｃとした。
（図８）から分かるように、Co-O/Co-Cr媒体の面内方向
角型比Ｓ(1+2)が０．６５未満の場合には再生出力の低
下が顕著であり、Ｃ／Ｎが低下する。（図４）の説明で
述べたCo-Cr層の面内方向角型比Ｓ１の場合と同様にCo-
O/Co-Cr媒体の面内方向角型比Ｓ(1+2)が小さい場合に
も、記録再生時の媒体・ヘッド間のスペ−シングに対し
て再生出力が敏感になり、再生出力が不安定になり易
い。これは、Ｓ(1+2)が小さくなるにつれて、垂直成分
が強くなり過ぎて、記録効率が低下していることによる
ものと思われる。また、逆にＳ(1+2)が０．８５を越え
た場合にも、再生出力の低下が起きた。従って、Co-O/C
o-Cr媒体の面内方向角型比Ｓ(1+2)は０．６５〜０．８
５の範囲にあることが望ましい。
和磁化曲線の角型比Ｓ(1+2)を変えたときの、Ｓ(1+2)と
記録再生特性の関係を示す図である。記録再生特性はド
ラムテスタを用いて、センダストＭＩＧヘッドで記録波
長０．５μｍにおいて評価した。Co-O層のＳはCo-O/Co-
Cr層形成時の蒸気入射角と酸素導入量を変化させること
によって変えた。また、Co-Cr層の膜厚及び飽和磁化は
それぞれ６０ｎｍおよび３００ｅｍｕ／ｃｃとした。
（図８）から分かるように、Co-O/Co-Cr媒体の面内方向
角型比Ｓ(1+2)が０．６５未満の場合には再生出力の低
下が顕著であり、Ｃ／Ｎが低下する。（図４）の説明で
述べたCo-Cr層の面内方向角型比Ｓ１の場合と同様にCo-
O/Co-Cr媒体の面内方向角型比Ｓ(1+2)が小さい場合に
も、記録再生時の媒体・ヘッド間のスペ−シングに対し
て再生出力が敏感になり、再生出力が不安定になり易
い。これは、Ｓ(1+2)が小さくなるにつれて、垂直成分
が強くなり過ぎて、記録効率が低下していることによる
ものと思われる。また、逆にＳ(1+2)が０．８５を越え
た場合にも、再生出力の低下が起きた。従って、Co-O/C
o-Cr媒体の面内方向角型比Ｓ(1+2)は０．６５〜０．８
５の範囲にあることが望ましい。
【００１５】（図９）は、これまで述べた適正条件の範
囲内でCo-O層の膜厚Ｄ２を変えて形成したときの、Co-C
r層の膜厚Ｄ１と、Co-O/Co-Cr媒体の記録再生特性の関
係を示す図である。（図９）では、Co-O層の飽和磁化Ｍ
ｓ２、膜厚Ｄ２を４５０ｅｍｕ／ｃｃ、８０ｎｍ及び、
５００ｅｍｕ／ｃｃ、１００ｎｍとした場合の２通りに
ついてCo-Cr層の膜厚Ｄ１と記録再生特性の関係を示し
ている。（図９）から分かるように、いずれの場合にお
いても、Co-O層の膜厚Ｄ２がCo-Cr層の膜厚Ｄ１よりも
大きい場合に優れた記録再生特性が得られている。従っ
て、Co-O層の膜厚はCo-Cr層の膜厚よりも大きいことが
必要である。
囲内でCo-O層の膜厚Ｄ２を変えて形成したときの、Co-C
r層の膜厚Ｄ１と、Co-O/Co-Cr媒体の記録再生特性の関
係を示す図である。（図９）では、Co-O層の飽和磁化Ｍ
ｓ２、膜厚Ｄ２を４５０ｅｍｕ／ｃｃ、８０ｎｍ及び、
５００ｅｍｕ／ｃｃ、１００ｎｍとした場合の２通りに
ついてCo-Cr層の膜厚Ｄ１と記録再生特性の関係を示し
ている。（図９）から分かるように、いずれの場合にお
いても、Co-O層の膜厚Ｄ２がCo-Cr層の膜厚Ｄ１よりも
大きい場合に優れた記録再生特性が得られている。従っ
て、Co-O層の膜厚はCo-Cr層の膜厚よりも大きいことが
必要である。
【００１６】（図１）に本発明の高出力、低ノイズ媒体
の模式図の一例を示す。（図１）で保護層、潤滑層は必
要に応じて設けるとよい。
の模式図の一例を示す。（図１）で保護層、潤滑層は必
要に応じて設けるとよい。
【００１７】以上の実施例においては基板温度を６０゜
Ｃとした。基板温度がー２０゜Ｃ〜１２０゜Ｃの範囲で、
本実施例と同様の検討を行った結果、再生出力、ノイズ
及びＣ／Ｎの絶対値に若干の変化はあった。しかし、各
温度における相対評価では、いずれの場合にも、磁性層
の構成条件としては、本発明の請求項に記載の条件が優
れており、少なくともー２０゜Ｃから１２０゜Ｃの範囲で
は本発明が有効である。従って、ポリエチレンテレフタ
レート基板、あるいはポリエチレンナフタレート基板を
用いる場合には、本発明が有効である。また、実施例と
しては第１層としてCo-Crを用いた場合についてのみ述
べてきたが、Co-Ni-Crを用いた場合にも同様の結果が得
られた。同様に実施例では第２層としてCo-Oを用いた場
合についてのみ述べてきたが、Co-Ni-Oを用いた場合に
も同様の結果が得られた。尚、Co-Crに代表される第１
層、及びCo-Oに代表される第２層はその片方もしくは両
方が内部に多層構造を有していてもよい。また、実施例
の記録再生特性の測定結果はテープ状の薄膜磁気記録媒
体についてのみ述べたが、これに限らず、薄膜磁気記録
媒体全般に本発明が有効であることは言うまでもない。
Ｃとした。基板温度がー２０゜Ｃ〜１２０゜Ｃの範囲で、
本実施例と同様の検討を行った結果、再生出力、ノイズ
及びＣ／Ｎの絶対値に若干の変化はあった。しかし、各
温度における相対評価では、いずれの場合にも、磁性層
の構成条件としては、本発明の請求項に記載の条件が優
れており、少なくともー２０゜Ｃから１２０゜Ｃの範囲で
は本発明が有効である。従って、ポリエチレンテレフタ
レート基板、あるいはポリエチレンナフタレート基板を
用いる場合には、本発明が有効である。また、実施例と
しては第１層としてCo-Crを用いた場合についてのみ述
べてきたが、Co-Ni-Crを用いた場合にも同様の結果が得
られた。同様に実施例では第２層としてCo-Oを用いた場
合についてのみ述べてきたが、Co-Ni-Oを用いた場合に
も同様の結果が得られた。尚、Co-Crに代表される第１
層、及びCo-Oに代表される第２層はその片方もしくは両
方が内部に多層構造を有していてもよい。また、実施例
の記録再生特性の測定結果はテープ状の薄膜磁気記録媒
体についてのみ述べたが、これに限らず、薄膜磁気記録
媒体全般に本発明が有効であることは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上の様に本発明の磁気記録媒体によれ
ば、優れた記録再生特性を有するCo-O/Co-Cr系の磁気記
録媒体を提供することが出来る。
ば、優れた記録再生特性を有するCo-O/Co-Cr系の磁気記
録媒体を提供することが出来る。
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成の一例を示す図
【図２】Co-Cr層の膜厚および飽和磁化を変えたときのC
o-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
o-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図３】Co-Cr層の面内方向保磁力を変えたときのCo-O/
Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図４】Co-Cr層の面内方向角型比を変えたときのCo-O/
Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図５】２種のCo-Cr層について、Co-O層の膜厚を変え
たときのCo-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
たときのCo-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図６】Co-O層の膜厚及び飽和磁化を変えたときのCo-O
/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図７】Co-O/Co-Cr媒体の面内方向保磁力を変えたとき
の、Co-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
の、Co-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図８】Co-O/Co-Cr媒体の面内方向角型比を変えたとき
のCo-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
のCo-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図９】２種のCo-O層について、Co-Cr層の膜厚を変え
たときのCo-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
たときのCo-O/Co-Cr媒体の記録再生特性を示す図
【図１０】Co-O/Co-Cr媒体の製造装置の一例を示す図
１ 排気系 ２ 真空槽 ３ 巻き出しロール ４ 高分子基板 ５ 磁性層形成用キャン ６ 電子ビーム ７ 電子ビーム蒸発源 ８ 酸素導入ノズル ９ 遮蔽板 １０ 巻き取りロール １１ ガイドロール １２ 回転方向 １３ 基板 １４ Co-Cr層 １５ Co-O層 １６ 保護層 １７ 潤滑層
Claims (3)
- 【請求項１】ポリエチレンテレフタレート系基板上ある
いはポリエチレンナフタレート系基板上に直接あるいは
下地層を介して順にCoとCrまたはCoとNiとCrを主成分と
して含む層、CoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む
層が形成された磁気記録媒体において、前記CoとCrまた
はCoとNiとCrを主成分として含む層の膜厚、飽和磁化、
面内方向保磁力、面内方向角型比が、それぞれ２０〜８
０ｎｍ、１００〜４００ｅｍｕ／ｃｃ、２００〜７００
Ｏｅ、０．６〜０．９の範囲にあることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項２】CoとCrまたはCoとNiとCrを主成分として含
む層の膜厚がCoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む
層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項３】ポリエチレンテレフタレート系基板上ある
いはポリエチレンナフタレート系基板上に直接あるいは
下地層を介して順にCoとCrまたはCoとNiとCrを主成分と
して含む層、CoとOまたはCoとNiとOを主成分として含む
層が形成された磁気記録媒体において、前記CoとOまた
はCoとNiとOを主成分として含む層の膜厚、飽和磁化
が、それぞれ８０〜２００ｎｍ、４００〜５５０ｅｍｕ
／ｃｃの範囲にあり、積層後の面内方向保磁力、面内方
向角型比が、それぞれ８００〜１５００Ｏｅ、０．６５
〜０．８５の範囲にあり、かつ前記CoとOまたはCoとNi
とOを主成分として含む層の膜厚が前記CoとCrまたはCo
とNiとCrを主成分として含む層の膜厚よりも大きいこと
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30071892A JPH06150285A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30071892A JPH06150285A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150285A true JPH06150285A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17888270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30071892A Pending JPH06150285A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150285A (ja) |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30071892A patent/JPH06150285A/ja active Pending
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