JP3044850B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体とその製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い情報記録担体の
大容量化，高密度化が進められている。磁気テープの分
野においても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が
盛んであり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案され
ている。超高密度磁気記録材料としてはＣｏ−Ｃｒ等が
広く研究されており、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜（あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ薄膜）等を用いた研究開発が行われている。
またＣｏ−Ｃｒ薄膜の上に磁性を有するＣｏ−Ｏ（ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜）を積層した記録媒体（以下２
層媒体と略す）によって、記録密度特性と実用耐久性の
両立を目指した研究もされている。
大容量化，高密度化が進められている。磁気テープの分
野においても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が
盛んであり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案され
ている。超高密度磁気記録材料としてはＣｏ−Ｃｒ等が
広く研究されており、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜（あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ薄膜）等を用いた研究開発が行われている。
またＣｏ−Ｃｒ薄膜の上に磁性を有するＣｏ−Ｏ（ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜）を積層した記録媒体（以下２
層媒体と略す）によって、記録密度特性と実用耐久性の
両立を目指した研究もされている。
【０００３】また、これらの薄膜磁気記録媒体を製造す
る方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特にその生
産性において他を凌いでおり、現実的量産方法として非
常に有力である。すなわち長尺の高分子基板が円筒状キ
ャンの周面に沿って走行中に磁性層を電子ビーム蒸着す
ることによって磁気テープの量産ができる。例えばＣｏ
−Ｃｒ磁性薄膜の形成においてはＣｏ−Ｃｒを蒸発材料
として用いればよく、また、Ｃｏ−Ｏ薄膜の形成におい
ては酸素雰囲気にてＣｏを蒸発させればよい。
る方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特にその生
産性において他を凌いでおり、現実的量産方法として非
常に有力である。すなわち長尺の高分子基板が円筒状キ
ャンの周面に沿って走行中に磁性層を電子ビーム蒸着す
ることによって磁気テープの量産ができる。例えばＣｏ
−Ｃｒ磁性薄膜の形成においてはＣｏ−Ｃｒを蒸発材料
として用いればよく、また、Ｃｏ−Ｏ薄膜の形成におい
ては酸素雰囲気にてＣｏを蒸発させればよい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の磁気記録媒体およびその製造方法では媒体の特性はも
ちろんのこと、材料コストの点で解決すべき大きな課題
があった。その材料コストに占める高分子基板の割合は
大きく、安価な基板材料が求められていた。真空蒸着法
で形成するＣｏ−Ｃｒ系の磁気記録媒体においてはこれ
までポリアミドやポリイミド基板が用いられていたが、
これらの超耐熱性高分子基板は一般的には高価な材料で
あり、比較的安価なポリエチレンナフタレート基板や、
さらに安価なポリエチレンテレフタレート基板を用いて
も十分な磁気特性が得られるような媒体設計を行うこと
が必要であった。
の磁気記録媒体およびその製造方法では媒体の特性はも
ちろんのこと、材料コストの点で解決すべき大きな課題
があった。その材料コストに占める高分子基板の割合は
大きく、安価な基板材料が求められていた。真空蒸着法
で形成するＣｏ−Ｃｒ系の磁気記録媒体においてはこれ
までポリアミドやポリイミド基板が用いられていたが、
これらの超耐熱性高分子基板は一般的には高価な材料で
あり、比較的安価なポリエチレンナフタレート基板や、
さらに安価なポリエチレンテレフタレート基板を用いて
も十分な磁気特性が得られるような媒体設計を行うこと
が必要であった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するものであり、
低い材料コストで記録再生特性に優れた磁気記録媒体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
低い材料コストで記録再生特性に優れた磁気記録媒体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ポリエチレンテレフタレートよりなる基板
上に直接または下地層を介して、基板側から順にＣｏと
ＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分として含む第１の
磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分とし
て含む第２の磁性層とを有し、第１の磁性層の磁気異方
性が膜面内方向から１５度以下５度以上にあることを特
徴とするものであり、またポリエチレンナフタレートよ
りなる基板上に直接または下地層を介して、基板側から
順にＣｏとＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分として
含む第１の磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを
主成分として含む第２の磁性層とを有し、第１の磁性層
の磁気異方性が膜面内方向から３０度以下１５度以上に
あることを特徴とするものである。
に本発明は、ポリエチレンテレフタレートよりなる基板
上に直接または下地層を介して、基板側から順にＣｏと
ＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分として含む第１の
磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分とし
て含む第２の磁性層とを有し、第１の磁性層の磁気異方
性が膜面内方向から１５度以下５度以上にあることを特
徴とするものであり、またポリエチレンナフタレートよ
りなる基板上に直接または下地層を介して、基板側から
順にＣｏとＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分として
含む第１の磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを
主成分として含む第２の磁性層とを有し、第１の磁性層
の磁気異方性が膜面内方向から３０度以下１５度以上に
あることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】したがって本発明によれば、Ｃｏ−Ｃｒまたは
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉからなる第１の磁性層の異方性を膜面
方向に傾斜させることにより、記録再生時の効率を上昇
させることができる。しかし第１の磁性層を形成する柱
状粒間の分離が不十分であると保磁力が低下し、再生ノ
イズは増加する。保磁力の値は蒸気入射角ならびに基板
温度によって左右され、同じ保磁力を得るためには基板
温度が高いほど、膜面法線方向に近い入射角成分を取り
込むことができ、媒体耐久性、及び生産性の観点から有
利である。また第１の磁性層の異方性を過度に膜面方向
に傾斜させると短波長領域での記録再生特性に悪影響を
与えるので適度な傾斜で形成させることが必要である。
使用する基板の耐熱温度に合わせて低ノイズのための保
磁力が確保できる範囲で第１の磁性層の異方性を最適傾
斜に近付けることにより、低コスト基板を用いた高密度
磁気記録媒体を得ることができる。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉからなる第１の磁性層の異方性を膜面
方向に傾斜させることにより、記録再生時の効率を上昇
させることができる。しかし第１の磁性層を形成する柱
状粒間の分離が不十分であると保磁力が低下し、再生ノ
イズは増加する。保磁力の値は蒸気入射角ならびに基板
温度によって左右され、同じ保磁力を得るためには基板
温度が高いほど、膜面法線方向に近い入射角成分を取り
込むことができ、媒体耐久性、及び生産性の観点から有
利である。また第１の磁性層の異方性を過度に膜面方向
に傾斜させると短波長領域での記録再生特性に悪影響を
与えるので適度な傾斜で形成させることが必要である。
使用する基板の耐熱温度に合わせて低ノイズのための保
磁力が確保できる範囲で第１の磁性層の異方性を最適傾
斜に近付けることにより、低コスト基板を用いた高密度
磁気記録媒体を得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を用い
て説明する。図１は本発明の一実施例における磁気記録
媒体の部分断面図であり、図に示すように高分子材料か
らなる基板１に電子ビーム蒸着法によって、第１の磁性
層２として飽和磁化５５０emu／ccのＣｏ−Ｃｒ層を形
成した。第１の磁性層２の膜厚は１２０nmである。つづ
いて電子ビーム蒸着法によって、第２の磁性層３として
膜厚６０nmのＣｏ−Ｏ層を形成した。第２の磁性層３の
飽和磁化もまた５５０emu／ccである。これをテープ状
に裁断してリングヘッドで記録再生特性を評価した。媒
体とヘッドとの相対速度は３．８ｍ／ｓとした。以上の
条件でキャリア（Ｃ）及びノイズ（Ｎ）レベルの測定を
行った。測定バンド幅は３０kHzとした。また保磁力を
振動試料磁力計によって測定し、磁気異方性の方向をト
ルク計を用いて測定した。
て説明する。図１は本発明の一実施例における磁気記録
媒体の部分断面図であり、図に示すように高分子材料か
らなる基板１に電子ビーム蒸着法によって、第１の磁性
層２として飽和磁化５５０emu／ccのＣｏ−Ｃｒ層を形
成した。第１の磁性層２の膜厚は１２０nmである。つづ
いて電子ビーム蒸着法によって、第２の磁性層３として
膜厚６０nmのＣｏ−Ｏ層を形成した。第２の磁性層３の
飽和磁化もまた５５０emu／ccである。これをテープ状
に裁断してリングヘッドで記録再生特性を評価した。媒
体とヘッドとの相対速度は３．８ｍ／ｓとした。以上の
条件でキャリア（Ｃ）及びノイズ（Ｎ）レベルの測定を
行った。測定バンド幅は３０kHzとした。また保磁力を
振動試料磁力計によって測定し、磁気異方性の方向をト
ルク計を用いて測定した。
【０００９】まず、基板１としてポリエチレンテレフタ
レートを用いた場合について述べる。初期入射角を９０
度〜４０度まで変化させ、終期入射角を２０度に固定し
て第１の磁性層２としてＣｏ−Ｃｒ層を形成した。この
場合第１の磁性層２の磁気異方性は図２に示すθにおい
て５〜１５度の範囲とした。キャン温度を−２０℃〜７
０℃まで変化させて作製し、膜の保磁力と磁気異方性の
方向を測定した。その結果を図３に示す。キャン温度が
６０℃では蒸着時に基板１の熱損傷が起き、膜表面が粗
面になって安定に製膜することができなかった。またキ
ャン温度が７０℃ではさらに基板１の熱損傷はひどく、
製膜は不可能であった。また、図３からわかるように初
期入射角が６０度以下では保磁力は２００Ｏｅ以下であ
るが、７０度以上では４００Ｏｅ以上の保磁力が得られ
る。また保磁力の小さい範囲では磁気異方性の方向はほ
ぼ膜面内方向であるのに対し、保磁力４００Ｏｅ以上で
の磁気異方性の方向は膜面内方向から５度〜１５度の範
囲にある。
レートを用いた場合について述べる。初期入射角を９０
度〜４０度まで変化させ、終期入射角を２０度に固定し
て第１の磁性層２としてＣｏ−Ｃｒ層を形成した。この
場合第１の磁性層２の磁気異方性は図２に示すθにおい
て５〜１５度の範囲とした。キャン温度を−２０℃〜７
０℃まで変化させて作製し、膜の保磁力と磁気異方性の
方向を測定した。その結果を図３に示す。キャン温度が
６０℃では蒸着時に基板１の熱損傷が起き、膜表面が粗
面になって安定に製膜することができなかった。またキ
ャン温度が７０℃ではさらに基板１の熱損傷はひどく、
製膜は不可能であった。また、図３からわかるように初
期入射角が６０度以下では保磁力は２００Ｏｅ以下であ
るが、７０度以上では４００Ｏｅ以上の保磁力が得られ
る。また保磁力の小さい範囲では磁気異方性の方向はほ
ぼ膜面内方向であるのに対し、保磁力４００Ｏｅ以上で
の磁気異方性の方向は膜面内方向から５度〜１５度の範
囲にある。
【００１０】次に、基板１としてポリエチレンナフタレ
ートを用いた場合について述べる。初期入射角を９０度
〜３０度まで変化させ、終期入射角を２０度に固定して
第１の磁性層２としてＣｏ−Ｃｒ層を形成した。この場
合第１の磁性層２の磁気異方性は図２に示すθにおいて
１５〜３０度の範囲とした。キャン温度を５０℃〜１３
０℃まで変化させて作製し、膜の保磁力と磁気異方性の
方向を測定した。その結果を図４に示す。キャン温度が
１２０℃では蒸着時に基板１の熱損傷が起き、膜表面が
粗面になって安定に製膜することができなかった。また
キャン温度が１３０℃ではさらに基板１の熱損傷はひど
く、製膜は不可能であった。また、図４からわかるよう
に初期入射角が４０度以下ではキャン温度を１１０℃ま
で上げても保磁力は３００Ｏｅ以下であるが、初期入射
角を５０度以上とすれば、キャン温度が１１０℃以下で
あっても４００Ｏｅ以上の保磁力が得られる。また保磁
力４００Ｏｅ以上での磁気異方性の方向は膜面内方向か
ら５度〜３０度の範囲にあり、特に初期入射角が７０度
〜５０度の範囲ではポリエチレンテレフタレート基板で
は得られなかった膜面内方向から１５度以上傾いた異方
性を得ることができる。
ートを用いた場合について述べる。初期入射角を９０度
〜３０度まで変化させ、終期入射角を２０度に固定して
第１の磁性層２としてＣｏ−Ｃｒ層を形成した。この場
合第１の磁性層２の磁気異方性は図２に示すθにおいて
１５〜３０度の範囲とした。キャン温度を５０℃〜１３
０℃まで変化させて作製し、膜の保磁力と磁気異方性の
方向を測定した。その結果を図４に示す。キャン温度が
１２０℃では蒸着時に基板１の熱損傷が起き、膜表面が
粗面になって安定に製膜することができなかった。また
キャン温度が１３０℃ではさらに基板１の熱損傷はひど
く、製膜は不可能であった。また、図４からわかるよう
に初期入射角が４０度以下ではキャン温度を１１０℃ま
で上げても保磁力は３００Ｏｅ以下であるが、初期入射
角を５０度以上とすれば、キャン温度が１１０℃以下で
あっても４００Ｏｅ以上の保磁力が得られる。また保磁
力４００Ｏｅ以上での磁気異方性の方向は膜面内方向か
ら５度〜３０度の範囲にあり、特に初期入射角が７０度
〜５０度の範囲ではポリエチレンテレフタレート基板で
は得られなかった膜面内方向から１５度以上傾いた異方
性を得ることができる。
【００１１】図５はポリエチレンテレフタレートよりな
る基板１およびポリエチレンナフタレートよりなる基板
１をそれぞれ用いた場合の、第１の磁性層２の磁気異方
性の方向と、磁気記録媒体の電磁変換特性の関係を示す
図である。記録波長は１．５μｍとした。なお、図５に
おいて、白丸および白三角はポリエチレンテレフタレー
トよりなる基板１を用いた場合、黒丸および黒三角はポ
リエチレンナフタレートよりなる基板１をそれぞれ用い
た場合の結果を示すものである。図からわかるように丸
で示したキャリア（Ｃ）レベルは異方性磁界が膜面内方
向から１５度〜３０度の間で再高値をとる。一方、三角
で示したノイズ（Ｎ）レベルは異方性磁界が膜面から５
度以上傾いた範囲ではほぼ一定で、保磁力に依存する。
異方性磁界がほぼ膜面内のときにノイズが高いのは柱状
粒界での磁気的分離度が小さく、磁壁モードの磁化過程
をとるためではないかと思われ、膜面内方向から１０度
前後異方性磁界が傾いた場合とは磁化過程にかなりの隔
たりがあることを示唆している。
る基板１およびポリエチレンナフタレートよりなる基板
１をそれぞれ用いた場合の、第１の磁性層２の磁気異方
性の方向と、磁気記録媒体の電磁変換特性の関係を示す
図である。記録波長は１．５μｍとした。なお、図５に
おいて、白丸および白三角はポリエチレンテレフタレー
トよりなる基板１を用いた場合、黒丸および黒三角はポ
リエチレンナフタレートよりなる基板１をそれぞれ用い
た場合の結果を示すものである。図からわかるように丸
で示したキャリア（Ｃ）レベルは異方性磁界が膜面内方
向から１５度〜３０度の間で再高値をとる。一方、三角
で示したノイズ（Ｎ）レベルは異方性磁界が膜面から５
度以上傾いた範囲ではほぼ一定で、保磁力に依存する。
異方性磁界がほぼ膜面内のときにノイズが高いのは柱状
粒界での磁気的分離度が小さく、磁壁モードの磁化過程
をとるためではないかと思われ、膜面内方向から１０度
前後異方性磁界が傾いた場合とは磁化過程にかなりの隔
たりがあることを示唆している。
【００１２】このように上記実施例によれば、ポリエチ
レンテレフタレートよりなる基板１上に直接あるいは下
地層を介して基板１側から順に形成したＣｏとＣｒを主
成分として含む第１の磁性層２と、ＣｏとＯを主成分と
して含む第２の磁性層３とを有する磁気記録媒体の製造
工程において、第１の磁性層２の磁気異方性を膜面内方
向から１５度以下かつ５度以上としているため、またポ
リエチレンナフタレートよりなる基板１上に直接あるい
は下地層を介して基板側から順に形成したＣｏとＣｒを
主成分として含む第１の磁性層２と、ＣｏとＯを主成分
として含む第２の磁性層３とを有する磁気記録媒体の製
造工程において、第１の磁性層２の磁気異方性を膜面内
方向から３０度以下かつ１５度以上としているために優
れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を、ポリアミ
ド，ポリイミド等の基板よりも安価に得ることができ
る。また図６は本発明の製造方法を実施するために用い
る装置の概要を示すものであり、図に示すように真空中
で送り軸４より長尺のポリエチレンテレフタレートより
なる基板１を円筒状のキャン５の周面に沿って走行させ
ながら真空蒸着法によって基板１上に直接あるいは下地
層を介して電子ビーム蒸発源６よりＣｏとＣｒを主成分
として含む第１の磁性層２およびＣｏとＯを主成分とし
て含む第２の磁性層３を図１に示すように順次形成し、
さらに上記製造方法において、第１の磁性層２を形成す
る際の初期入射蒸気流と基板１の法線のなす角を９０度
〜７０度の範囲内とし、かつ円筒状のキャン５の周面温
度を５０℃以下とすることにより、また同じく真空中で
送り軸４より長尺のポリエチレンナフタレートよりなる
基板１を円筒状のキャン５の周面に沿って走行させなが
ら真空蒸着法によって基板１上に直接あるいは下地層を
介して電子ビーム蒸発源６よりＣｏとＣｒを主成分とし
て含む第１の磁性層２およびＣｏとＯを主成分として含
む第２の磁性層３を同様に図１に示すように順次形成
し、そのとき第１の磁性層２を形成する際の初期入射蒸
気流と基板１の法線のなす角を７０度〜５０度の範囲内
とし、かつ円筒状のキャン５の周面温度を６０℃〜１１
０℃の範囲内とすることによって優れた記録再生特性を
有する磁気記録媒体を製造することができる。
レンテレフタレートよりなる基板１上に直接あるいは下
地層を介して基板１側から順に形成したＣｏとＣｒを主
成分として含む第１の磁性層２と、ＣｏとＯを主成分と
して含む第２の磁性層３とを有する磁気記録媒体の製造
工程において、第１の磁性層２の磁気異方性を膜面内方
向から１５度以下かつ５度以上としているため、またポ
リエチレンナフタレートよりなる基板１上に直接あるい
は下地層を介して基板側から順に形成したＣｏとＣｒを
主成分として含む第１の磁性層２と、ＣｏとＯを主成分
として含む第２の磁性層３とを有する磁気記録媒体の製
造工程において、第１の磁性層２の磁気異方性を膜面内
方向から３０度以下かつ１５度以上としているために優
れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を、ポリアミ
ド，ポリイミド等の基板よりも安価に得ることができ
る。また図６は本発明の製造方法を実施するために用い
る装置の概要を示すものであり、図に示すように真空中
で送り軸４より長尺のポリエチレンテレフタレートより
なる基板１を円筒状のキャン５の周面に沿って走行させ
ながら真空蒸着法によって基板１上に直接あるいは下地
層を介して電子ビーム蒸発源６よりＣｏとＣｒを主成分
として含む第１の磁性層２およびＣｏとＯを主成分とし
て含む第２の磁性層３を図１に示すように順次形成し、
さらに上記製造方法において、第１の磁性層２を形成す
る際の初期入射蒸気流と基板１の法線のなす角を９０度
〜７０度の範囲内とし、かつ円筒状のキャン５の周面温
度を５０℃以下とすることにより、また同じく真空中で
送り軸４より長尺のポリエチレンナフタレートよりなる
基板１を円筒状のキャン５の周面に沿って走行させなが
ら真空蒸着法によって基板１上に直接あるいは下地層を
介して電子ビーム蒸発源６よりＣｏとＣｒを主成分とし
て含む第１の磁性層２およびＣｏとＯを主成分として含
む第２の磁性層３を同様に図１に示すように順次形成
し、そのとき第１の磁性層２を形成する際の初期入射蒸
気流と基板１の法線のなす角を７０度〜５０度の範囲内
とし、かつ円筒状のキャン５の周面温度を６０℃〜１１
０℃の範囲内とすることによって優れた記録再生特性を
有する磁気記録媒体を製造することができる。
【００１３】なお、図６において７は基板１のガイドロ
ール、８は巻取り軸、９は電子ビーム蒸発源６から出る
蒸気流が不要な部分へ回り込むのを防止するためのマス
ク、１０は真空槽、１１は排気系である。
ール、８は巻取り軸、９は電子ビーム蒸発源６から出る
蒸気流が不要な部分へ回り込むのを防止するためのマス
ク、１０は真空槽、１１は排気系である。
【００１４】また実施例としては第１の磁性層２として
Ｃｏ−Ｃｒを用いた場合について述べてきたが、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒを用いた場合や、第２の磁性層３としてＣｏ
−Ｏの代わりにＣｏ−Ｎｉ−Ｏを用いた場合にも同様の
効果が得られた。
Ｃｏ−Ｃｒを用いた場合について述べてきたが、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒを用いた場合や、第２の磁性層３としてＣｏ
−Ｏの代わりにＣｏ−Ｎｉ−Ｏを用いた場合にも同様の
効果が得られた。
【００１５】さらに本発明における、第２の磁性層３と
して、同じ材料を多層化したものを用いることもでき
る。また、第１の磁性層はポリエチレンテレフタレート
やポリエチレンナフタレートからなる基板の上に直接形
成せずに、下地層を介して形成しても良い。即ち、基板
の上に例えばＣｏの非磁性酸化物層やＣｏ−Ｃｒの非磁
性層を予め真空蒸着法などによって形成しておき、これ
らの非磁性層の上に第１の磁性層を形成しても良い。こ
れらの非磁性層は磁性層形成時に基板から出るガスを抑
制するので、基板の含水状態のばらつきなどに左右され
ず、記録再生特性の製品ばらつきを小さくすることがで
きるなどの利点がある。非磁性下地層の厚みは例えば３
〜３０ｎｍである。
して、同じ材料を多層化したものを用いることもでき
る。また、第１の磁性層はポリエチレンテレフタレート
やポリエチレンナフタレートからなる基板の上に直接形
成せずに、下地層を介して形成しても良い。即ち、基板
の上に例えばＣｏの非磁性酸化物層やＣｏ−Ｃｒの非磁
性層を予め真空蒸着法などによって形成しておき、これ
らの非磁性層の上に第１の磁性層を形成しても良い。こ
れらの非磁性層は磁性層形成時に基板から出るガスを抑
制するので、基板の含水状態のばらつきなどに左右され
ず、記録再生特性の製品ばらつきを小さくすることがで
きるなどの利点がある。非磁性下地層の厚みは例えば３
〜３０ｎｍである。
【００１６】本発明では磁気テープ形状の磁気記録媒体
の実施例について述べたが、ディスク形状の磁気記録媒
体についても適用できるのはいうまでもない。
の実施例について述べたが、ディスク形状の磁気記録媒
体についても適用できるのはいうまでもない。
【００１７】
【発明の効果】上記実施例より明らかなように、本発明
の磁気記録媒体およびその製造方法はポリエチレンテレ
フタレートまたはポリエチレンナフタレートよりなる基
板上にＣｏとＣｒあるいはＣｏとＣｒとＮｉを主成分と
する第１の磁性層と、ＣｏとＯあるいはＣｏとＮｉとＯ
とを主成分とする第２の磁性層とを一定範囲の入射角で
形成していることにより、低い材料コストで記録再生特
性に優れた磁気記録媒体を製造することができるもので
ある。
の磁気記録媒体およびその製造方法はポリエチレンテレ
フタレートまたはポリエチレンナフタレートよりなる基
板上にＣｏとＣｒあるいはＣｏとＣｒとＮｉを主成分と
する第１の磁性層と、ＣｏとＯあるいはＣｏとＮｉとＯ
とを主成分とする第２の磁性層とを一定範囲の入射角で
形成していることにより、低い材料コストで記録再生特
性に優れた磁気記録媒体を製造することができるもので
ある。
【図１】本発明の一実施例における磁気記録媒体の部分
断面図
断面図
【図２】同磁気記録媒体において第１の磁性層の磁気異
方性の角度を説明する図
方性の角度を説明する図
【図３】同磁気記録媒体においてポリエチレンテレフタ
レートよりなる基板を用いた場合の初期入射角における
保磁力と磁気異方性の方向とに関する基板温度依存性を
示す特性図
レートよりなる基板を用いた場合の初期入射角における
保磁力と磁気異方性の方向とに関する基板温度依存性を
示す特性図
【図４】同じくポリエチレンナフタレートよりなる基板
を用いた場合の初期入射角における保磁力と磁気異方性
の方向とに関する基板温度依存性を示す特性図
を用いた場合の初期入射角における保磁力と磁気異方性
の方向とに関する基板温度依存性を示す特性図
【図５】本発明の一実施例においてポリエチレンテレフ
タレートよりなる基板またはポリエチレンナフタレート
よりなる基板を用いた場合の、第１の磁性層の磁気異方
性の方向と、磁気記録媒体の電磁変換特性の関係を示す
特性図
タレートよりなる基板またはポリエチレンナフタレート
よりなる基板を用いた場合の、第１の磁性層の磁気異方
性の方向と、磁気記録媒体の電磁変換特性の関係を示す
特性図
【図６】本発明の一実施例における磁気記録媒体の製造
方法を実施するために用いる装置の概要図
方法を実施するために用いる装置の概要図
１ 基板 ２ 第１の磁性層 ３ 第２の磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−139920（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86913（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86914（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−204513（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−236136（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−54719（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−183014（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76813（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−205716（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−9821（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/85
Claims (4)
- 【請求項１】ポリエチレンテレフタレートよりなる基板
上に直接または下地層を介して磁性層を有する磁気記録
媒体であって、前記磁性層が前記基板側から順にＣｏと
ＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分として含む第１の
磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分とし
て含む第２の磁性層とからなり、前記第１の磁性層の磁
気異方性が膜面内方向から１５度以下５度以上にあるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】ポリエチレンナフタレートよりなる基板上
に直接または下地層を介して磁性層を有する磁気記録媒
体であって、前記磁性層が前記基板側から順にＣｏとＣ
ｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分として含む第１の磁
性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として
含む第２の磁性層とからなり、前記第１の磁性層の磁気
異方性が膜面内方向から３０度以下１５度以上にあるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】真空中で長尺のポリエチレンテレフタレー
トよりなる基板を円筒状キャンの周面に沿って走行させ
ながら真空蒸着法によって前記基板上に直接または下地
層を介してＣｏとＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分
として含む第１の磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉ
とＯを主成分として含む第２の磁性層とを順次形成する
磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の磁性層を
形成する際の初期入射蒸気流と前記基板の法線のなす入
射角が９０度〜７０度の範囲内にあり、かつ前記円筒状
キャンの周面温度を５０℃以下とすることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】真空中で長尺のポリエチレンナフタレート
よりなる基板を円筒状キャンの周面に沿って走行させな
がら真空蒸着法によって前記基板上に直接または下地層
を介してＣｏとＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分と
して含む第１の磁性層と、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉと
Ｏを主成分として含む第２の磁性層とを順次形成する磁
気記録媒体の製造方法において、前記第１の磁性層を形
成する際の初期入射蒸気流と前記基板の法線のなす入射
角が７０度〜５０度の範囲内にあり、かつ前記円筒状キ
ャンの周面温度が６０℃〜１１０℃の範囲内にあること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200604A JP3044850B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200604A JP3044850B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546968A JPH0546968A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3044850B2 true JP3044850B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=16427131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200604A Expired - Fee Related JP3044850B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044850B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200604A patent/JP3044850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546968A (ja) | 1993-02-26 |
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|---|---|---|---|
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