JP2871309B2 - 電源電圧検知回路 - Google Patents
電源電圧検知回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に適用さ
れる電源電圧検知回路に関する。
れる電源電圧検知回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、市場に出回っているＩＣ（集積回
路）は、推奨使用電源電圧を５Ｖとしたものが多い。し
かし、用途によっては電源電圧を５Ｖよりも低くして使
用することができるＩＣが要求される。例えば、電池を
電源とする装置にＩＣを搭載する場合、ＩＣの電源電圧
として３．３Ｖ程度が望まれる。しかし、ＩＣの各素子
が使用電源電圧を５Ｖと想定して最適設計されている場
合、電源電圧を５Ｖよりもある程度以上低くすると、各
素子の電気的特性が大きく変化し、そのＩＣの所期の機
能を発揮し得なくなることがある。例えば、ＭＯＳＦＥ
Ｔ（金属−酸化膜−半導体構造による電界効果トランジ
スタ）は、電源電圧が低くなると駆動能力が低下し、負
荷に十分な駆動電流を流すことができなくなる。このた
め、各素子の動作の著しい遅れが生じ、ＩＣの電気的性
能が著しく劣化する。また、特にアナログ回路の場合は
ＭＯＳＦＥＴに流れる電流が減少することにより全く所
期の機能を果さなくなることが多い。そこで、従来、Ｉ
Ｃのユーザが要求する使用電源電圧の範囲が広い場合に
は、各使用電源電圧に適したＩＣを各々別個に生産して
いた。
路）は、推奨使用電源電圧を５Ｖとしたものが多い。し
かし、用途によっては電源電圧を５Ｖよりも低くして使
用することができるＩＣが要求される。例えば、電池を
電源とする装置にＩＣを搭載する場合、ＩＣの電源電圧
として３．３Ｖ程度が望まれる。しかし、ＩＣの各素子
が使用電源電圧を５Ｖと想定して最適設計されている場
合、電源電圧を５Ｖよりもある程度以上低くすると、各
素子の電気的特性が大きく変化し、そのＩＣの所期の機
能を発揮し得なくなることがある。例えば、ＭＯＳＦＥ
Ｔ（金属−酸化膜−半導体構造による電界効果トランジ
スタ）は、電源電圧が低くなると駆動能力が低下し、負
荷に十分な駆動電流を流すことができなくなる。このた
め、各素子の動作の著しい遅れが生じ、ＩＣの電気的性
能が著しく劣化する。また、特にアナログ回路の場合は
ＭＯＳＦＥＴに流れる電流が減少することにより全く所
期の機能を果さなくなることが多い。そこで、従来、Ｉ
Ｃのユーザが要求する使用電源電圧の範囲が広い場合に
は、各使用電源電圧に適したＩＣを各々別個に生産して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は同
一機能であるにも拘らず、各ユーザの使用電源電圧の範
囲を考慮し、この範囲内の複数の使用電源電圧を想定し
た複数種類のＩＣを別個に生産していたため、製造コス
トが嵩むという問題があった。また、使用電源電圧によ
って例えばトランジスタサイズ等、所期の性能を発揮す
るための最適な回路構成が異なってくる場合が多い。こ
のような場合、製造条件の変更等によっては対処し得
ず、同一機能を有するＩＣであっても使用電源電圧によ
って回路構成を変える必要がある。従って、各使用電源
電圧に対応した各ＩＣを製造するために、各々異なった
マスクを用意しなければならず、製造コストがさらに嵩
むという問題があった。
一機能であるにも拘らず、各ユーザの使用電源電圧の範
囲を考慮し、この範囲内の複数の使用電源電圧を想定し
た複数種類のＩＣを別個に生産していたため、製造コス
トが嵩むという問題があった。また、使用電源電圧によ
って例えばトランジスタサイズ等、所期の性能を発揮す
るための最適な回路構成が異なってくる場合が多い。こ
のような場合、製造条件の変更等によっては対処し得
ず、同一機能を有するＩＣであっても使用電源電圧によ
って回路構成を変える必要がある。従って、各使用電源
電圧に対応した各ＩＣを製造するために、各々異なった
マスクを用意しなければならず、製造コストがさらに嵩
むという問題があった。
【０００４】 この発明は上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、半導体集積回路が電源電圧に依らず所期の
機能を果すように制御するための制御信号を出力する電
源電圧検知回路を提供することを目的とする。
ものであり、半導体集積回路が電源電圧に依らず所期の
機能を果すように制御するための制御信号を出力する電
源電圧検知回路を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、電源電圧を分
圧して出力する分圧回路と、各々基準電圧を出力し、互
いに同一の回路構成である第１，第２の基準電圧発生回
路であって、それぞれ、電源電圧が印加されたソースお
よびローレベル電圧が印加されたゲートを有するＰチャ
ネルＭＯＳＦＥＴと、前記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのド
レインに接続されたドレインを有するデプレッション型
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴと、ソースが接地されたＮチャ
ネルＭＯＳＦＥＴとからなり、デプレッション型Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴのゲートおよびソースと、前記Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴのゲートおよびドレインとを共通接続
し、該共通接続点を前記基準電圧として出力し、電源電
圧の変化に対してほぼ一定の電圧を供給する第１，第２
の基準電圧発生回路と、前記第２の基準電圧発生回路か
ら基準電圧が出力されることによって作動し、前記分圧
回路の出力電圧と前記第１の基準電圧発生回路から出力
される基準電圧とを比較して、該比較結果を制御信号と
して出力する比較回路とを備え、前記第２の基準電圧発
生回路が前記比較回路に供給する電圧を、前記ほぼ一定
の電圧値の範囲内で前記電源電圧の大きさに応じて変化
させるとともに、前記第１の基準電圧発生回路が前記比
較回路に供給する電圧の変化を前記第２の基準電圧発生
回路の出力の変化に合わせることを特徴とする。
圧して出力する分圧回路と、各々基準電圧を出力し、互
いに同一の回路構成である第１，第２の基準電圧発生回
路であって、それぞれ、電源電圧が印加されたソースお
よびローレベル電圧が印加されたゲートを有するＰチャ
ネルＭＯＳＦＥＴと、前記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのド
レインに接続されたドレインを有するデプレッション型
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴと、ソースが接地されたＮチャ
ネルＭＯＳＦＥＴとからなり、デプレッション型Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴのゲートおよびソースと、前記Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴのゲートおよびドレインとを共通接続
し、該共通接続点を前記基準電圧として出力し、電源電
圧の変化に対してほぼ一定の電圧を供給する第１，第２
の基準電圧発生回路と、前記第２の基準電圧発生回路か
ら基準電圧が出力されることによって作動し、前記分圧
回路の出力電圧と前記第１の基準電圧発生回路から出力
される基準電圧とを比較して、該比較結果を制御信号と
して出力する比較回路とを備え、前記第２の基準電圧発
生回路が前記比較回路に供給する電圧を、前記ほぼ一定
の電圧値の範囲内で前記電源電圧の大きさに応じて変化
させるとともに、前記第１の基準電圧発生回路が前記比
較回路に供給する電圧の変化を前記第２の基準電圧発生
回路の出力の変化に合わせることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明によれば、電源電圧を分圧した電圧と、
第１の基準電圧発生回路から出力される電源電圧の変化
によらずほぼ一定の基準電圧とが、第２の基準電圧発生
回路から出力される基準電圧によって作動する比較回路
において比較され、その比較結果が制御信号として出力
される。また、第１，第２の基準電圧発生回路の構成を
同一にしたことにより、各基準電圧発生回路から出力さ
れる各基準電圧の値が電源電圧の値に応じてほぼ一定の
範囲で変化し、これにより、比較回路における比較動作
に必要な電流分のみが比較回路に供給される。
第１の基準電圧発生回路から出力される電源電圧の変化
によらずほぼ一定の基準電圧とが、第２の基準電圧発生
回路から出力される基準電圧によって作動する比較回路
において比較され、その比較結果が制御信号として出力
される。また、第１，第２の基準電圧発生回路の構成を
同一にしたことにより、各基準電圧発生回路から出力さ
れる各基準電圧の値が電源電圧の値に応じてほぼ一定の
範囲で変化し、これにより、比較回路における比較動作
に必要な電流分のみが比較回路に供給される。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照し本発明の一実施例につい
て説明する。図１はこの発明の一実施例による電源電圧
検知回路の構成を示す回路図である。この電源電圧検知
回路は、ＩＣの電源電圧を検知するものであり、同ＩＣ
の機能を実現する回路と共に半導体チップ上に形成され
る。
て説明する。図１はこの発明の一実施例による電源電圧
検知回路の構成を示す回路図である。この電源電圧検知
回路は、ＩＣの電源電圧を検知するものであり、同ＩＣ
の機能を実現する回路と共に半導体チップ上に形成され
る。
【０００８】図１において、２は分圧回路であり、Ｐチ
ャネルＭＯＳＦＥＴ２１〜２３とＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２４および２５とがＩＣの電源および接地間に直列接
続されてなる。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２１〜２３とＮ
チャネルＭＯＳＦＥＴ２４および２５は各々ドレインお
よびゲートが共通接続されており、ＩＣに電源電圧が印
加されることにより、いずれのＭＯＳＦＥＴもオン状態
となる。このような構成により、ＰチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２３のドレインとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４のドレ
インとが接続されるノードＳ２から電源電圧ＶＤＤを所
定の分圧比で分圧した電圧が得られる。
ャネルＭＯＳＦＥＴ２１〜２３とＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２４および２５とがＩＣの電源および接地間に直列接
続されてなる。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２１〜２３とＮ
チャネルＭＯＳＦＥＴ２４および２５は各々ドレインお
よびゲートが共通接続されており、ＩＣに電源電圧が印
加されることにより、いずれのＭＯＳＦＥＴもオン状態
となる。このような構成により、ＰチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２３のドレインとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４のドレ
インとが接続されるノードＳ２から電源電圧ＶＤＤを所
定の分圧比で分圧した電圧が得られる。
【０００９】基準電圧発生回路３は、ＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ３１とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２および３３と
を電源および接地間に順次直列に接続してなるものであ
る。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１は、ソースが電源端子
に接続される。また、この電源電圧検知回路を動作させ
る場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１はゲートにローレ
ベルの電圧が印加され、オン状態とされる。Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ３２はゲートしきい値電圧が負であるデプ
レッション型ＦＥＴであり、ドレインがＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ３１のドレインと接続され、ゲートおよびソー
スがＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３のドレインに接続され
ている。このようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２は、ゲ
ートおよびソース間電圧が０Ｖに固定されており、この
ゲートおよびソース間電圧（０Ｖ）とゲートしきい値電
圧（＜０Ｖ）との差分が正味のゲートバイアスとなって
ソースおよびドレイン間に反転層を形成せしめる。従っ
て、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２は、電源電圧ＶＤＤが
変化することによってドレインおよびソース間の電圧が
変化したとしても、常にほぼ一定のドレイン電流が流れ
る。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３は、ソースが接地され
ると共にドレインおよびゲートがＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ３２のソースおよびゲートと共通接続されている。そ
して、電源側からＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２を介して
供給される電流がＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３にドレイ
ン電流として流れる。上述の通り、ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ３２のドレイン電流の大きさは電源電圧ＶＤＤに依
らずほぼ一定となるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３
のドレイン電圧、すなわち、図１におけるノードＳ３の
電圧も電源電圧ＶＤＤに依らずほぼ一定となる。
ＦＥＴ３１とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２および３３と
を電源および接地間に順次直列に接続してなるものであ
る。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１は、ソースが電源端子
に接続される。また、この電源電圧検知回路を動作させ
る場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１はゲートにローレ
ベルの電圧が印加され、オン状態とされる。Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ３２はゲートしきい値電圧が負であるデプ
レッション型ＦＥＴであり、ドレインがＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ３１のドレインと接続され、ゲートおよびソー
スがＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３のドレインに接続され
ている。このようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２は、ゲ
ートおよびソース間電圧が０Ｖに固定されており、この
ゲートおよびソース間電圧（０Ｖ）とゲートしきい値電
圧（＜０Ｖ）との差分が正味のゲートバイアスとなって
ソースおよびドレイン間に反転層を形成せしめる。従っ
て、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２は、電源電圧ＶＤＤが
変化することによってドレインおよびソース間の電圧が
変化したとしても、常にほぼ一定のドレイン電流が流れ
る。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３は、ソースが接地され
ると共にドレインおよびゲートがＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ３２のソースおよびゲートと共通接続されている。そ
して、電源側からＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２を介して
供給される電流がＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３にドレイ
ン電流として流れる。上述の通り、ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ３２のドレイン電流の大きさは電源電圧ＶＤＤに依
らずほぼ一定となるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３３
のドレイン電圧、すなわち、図１におけるノードＳ３の
電圧も電源電圧ＶＤＤに依らずほぼ一定となる。
【００１０】４は基準電圧発生回路３と全く同様な構成
を有する基準電圧発生回路であり、ＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ４１とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２および４３とか
らなり、電源電圧ＶＤＤに依らずほぼ一定の電圧をノー
ドＳ４から出力する。
を有する基準電圧発生回路であり、ＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ４１とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２および４３とか
らなり、電源電圧ＶＤＤに依らずほぼ一定の電圧をノー
ドＳ４から出力する。
【００１１】比較回路１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１
１〜１３とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４〜１６とからな
る。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１は、ソースが電源端子
に接続される。また、この電源電圧検知回路を動作させ
る場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１はゲートにローレ
ベルの電圧が印加され、オン状態とされる。Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１２および１３は、各々のソースがＰチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに共通接続されてお
り、各々のドレインがＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５およ
び１６の各ドレインに接続されている。また、これらの
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２および１３の各ゲートはＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴ１３のドレインとＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ１６のドレインとの接続点に共通接続されてい
る。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５および１６の各ゲート
は、分圧回路２のノードＳ２および基準電圧発生回路３
のノードＳ３に各々接続されている。また、Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１５および１６の各ソースはＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ１４のドレインに共通接続されている。この
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４は、ソースが接地されると
共にゲートが基準電圧発生回路４のノードＳ４に接続さ
れている。
１〜１３とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４〜１６とからな
る。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１は、ソースが電源端子
に接続される。また、この電源電圧検知回路を動作させ
る場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１はゲートにローレ
ベルの電圧が印加され、オン状態とされる。Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１２および１３は、各々のソースがＰチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに共通接続されてお
り、各々のドレインがＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５およ
び１６の各ドレインに接続されている。また、これらの
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２および１３の各ゲートはＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴ１３のドレインとＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ１６のドレインとの接続点に共通接続されてい
る。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５および１６の各ゲート
は、分圧回路２のノードＳ２および基準電圧発生回路３
のノードＳ３に各々接続されている。また、Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１５および１６の各ソースはＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ１４のドレインに共通接続されている。この
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４は、ソースが接地されると
共にゲートが基準電圧発生回路４のノードＳ４に接続さ
れている。
【００１２】図２に電源電圧ＶＤＤを０Ｖから徐々に高
くしていった場合の各ノードＳ１〜Ｓ４の電圧の変化の
シミュレーション結果を示す。以下、この図を参照し、
この電源電圧検知回路の動作を説明する。
くしていった場合の各ノードＳ１〜Ｓ４の電圧の変化の
シミュレーション結果を示す。以下、この図を参照し、
この電源電圧検知回路の動作を説明する。
【００１３】まず、分圧回路２のノードＳ２の出力電圧
は図２に示すように電源電圧ＶＤＤにほぼ比例する。こ
れに対し、基準電圧発生回路３のノードＳ３の出力電圧
は、電源電圧ＶＤＤに対し以下のように変化する。ま
ず、電源電圧ＶＤＤがＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１のゲ
ートしきい値電圧以下である場合は、ＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ３１がオフ状態であるためＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ３３にドレイン電流が流れず、ノードＳ３の出力電圧
は０Ｖとなる。電源電圧ＶＤＤが、ＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ３１のゲートしきい値電圧以上になると、Ｐチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ３１がオン状態となることによりＮチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ３３にドレイン電流が流れ、ノードＳ
３の出力電圧は急激に上昇する。しかし、以後は、上述
した通り、デプレッション型ＭＯＳＦＥＴ３２のドレイ
ン電流が電源電圧ＶＤＤによらずほぼ一定になるため、
ノードＳ３の出力電圧は、電源電圧ＶＤＤの上昇に対し
飽和傾向を呈する。基準電圧発生回路４のノードＳ４も
ノードＳ３と全く同じように変化する。
は図２に示すように電源電圧ＶＤＤにほぼ比例する。こ
れに対し、基準電圧発生回路３のノードＳ３の出力電圧
は、電源電圧ＶＤＤに対し以下のように変化する。ま
ず、電源電圧ＶＤＤがＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１のゲ
ートしきい値電圧以下である場合は、ＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ３１がオフ状態であるためＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ３３にドレイン電流が流れず、ノードＳ３の出力電圧
は０Ｖとなる。電源電圧ＶＤＤが、ＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ３１のゲートしきい値電圧以上になると、Ｐチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ３１がオン状態となることによりＮチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ３３にドレイン電流が流れ、ノードＳ
３の出力電圧は急激に上昇する。しかし、以後は、上述
した通り、デプレッション型ＭＯＳＦＥＴ３２のドレイ
ン電流が電源電圧ＶＤＤによらずほぼ一定になるため、
ノードＳ３の出力電圧は、電源電圧ＶＤＤの上昇に対し
飽和傾向を呈する。基準電圧発生回路４のノードＳ４も
ノードＳ３と全く同じように変化する。
【００１４】電源電圧ＶＤＤが所定値よりも低く分圧回
路２のノードＳ２の出力電圧が基準電圧発生回路３のノ
ードＳ３の出力電圧よりも低い場合には、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ１６のゲート電圧に比べてＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ１５のゲート電圧が不足する。このため、ノード
Ｓ１の出力電圧は、ハイレベル、すなわち、Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１１のドレインとＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
１２および１３の各ソースの共通接続点の電圧にほぼ一
致した電圧となる（領域Ａ）。
路２のノードＳ２の出力電圧が基準電圧発生回路３のノ
ードＳ３の出力電圧よりも低い場合には、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ１６のゲート電圧に比べてＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ１５のゲート電圧が不足する。このため、ノード
Ｓ１の出力電圧は、ハイレベル、すなわち、Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１１のドレインとＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
１２および１３の各ソースの共通接続点の電圧にほぼ一
致した電圧となる（領域Ａ）。
【００１５】一方、電源電圧ＶＤＤが所定電圧よりも高
く分圧回路２のノードＳ２の出力電圧が基準電圧発生回
路３のノードＳ３の出力電圧よりも高い場合には、Ｎチ
ャネルＭＯＳＦＥＴ１６のゲート電圧に比べてＮチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電圧が過剰となる。このた
め、ノードＳ１の出力電圧は、ローレベル、すなわち、
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン電圧にほぼ一致
する電圧となる（領域Ｂ）。図２にはＶＤＤ＝３．５Ｖ
付近においてノードＳ１の電圧がハイレベルからローレ
ベルへと変化する様子が示されている。
く分圧回路２のノードＳ２の出力電圧が基準電圧発生回
路３のノードＳ３の出力電圧よりも高い場合には、Ｎチ
ャネルＭＯＳＦＥＴ１６のゲート電圧に比べてＮチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電圧が過剰となる。このた
め、ノードＳ１の出力電圧は、ローレベル、すなわち、
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン電圧にほぼ一致
する電圧となる（領域Ｂ）。図２にはＶＤＤ＝３．５Ｖ
付近においてノードＳ１の電圧がハイレベルからローレ
ベルへと変化する様子が示されている。
【００１６】このように本実施例による電源電圧検知回
路によれば、ＩＣの電源電圧が所定値よりも低い場合に
はノードＳ１からハイレベルの信号が出力され、高い場
合にはローレベルの信号が出力される。従って、このノ
ードＳ１の出力信号を制御信号とし、この制御信号によ
り半導体チップ上に形成された回路の構成を切り換え、
使用電源電圧にとって最適な回路構成とすることができ
る。
路によれば、ＩＣの電源電圧が所定値よりも低い場合に
はノードＳ１からハイレベルの信号が出力され、高い場
合にはローレベルの信号が出力される。従って、このノ
ードＳ１の出力信号を制御信号とし、この制御信号によ
り半導体チップ上に形成された回路の構成を切り換え、
使用電源電圧にとって最適な回路構成とすることができ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、電源電圧に依らずほぼ一定の基準電圧を得ることが
できるため、半導体集積回路の電源電圧を検知すること
ができ、検知結果に基づき、半導体集積回路が電源電圧
に依らず所期の機能を発揮するように制御することがで
きる。従って、使用電源電圧範囲の広い半導体集積回路
を安価に製造することができるという効果が得られる。
また、第１，第２の基準電圧発生回路を同一の回路構成
にすることにより、設計を簡略化することができるとい
う効果を奏すると共に、第１，第２の基準電圧の値をほ
ぼ一定の範囲内で電源電圧の値に応じて変化させること
によって、比較回路での動作に必要な電流分のみ供給す
ることができる。
ば、電源電圧に依らずほぼ一定の基準電圧を得ることが
できるため、半導体集積回路の電源電圧を検知すること
ができ、検知結果に基づき、半導体集積回路が電源電圧
に依らず所期の機能を発揮するように制御することがで
きる。従って、使用電源電圧範囲の広い半導体集積回路
を安価に製造することができるという効果が得られる。
また、第１，第２の基準電圧発生回路を同一の回路構成
にすることにより、設計を簡略化することができるとい
う効果を奏すると共に、第１，第２の基準電圧の値をほ
ぼ一定の範囲内で電源電圧の値に応じて変化させること
によって、比較回路での動作に必要な電流分のみ供給す
ることができる。
【図１】 この発明の一実施例による電源電圧検知回路
の構成を示す回路図である。
の構成を示す回路図である。
【図２】 同実施例の動作のシミュレーション結果を示
す図である。
す図である。
１……比較回路、２……分圧回路、３および４…基準電
圧発生回路。
圧発生回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−205264（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−7372（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34471（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−10859（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−101058（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01R 19/00 - 19/32 G05F 1/10
Claims (1)
- 【請求項１】 電源電圧を分圧して出力する分圧回路
と、 各々基準電圧を出力し、互いに同一の回路構成である第
１，第２の基準電圧発生回路であって、それぞれ、電源
電圧が印加されたソースおよびローレベル電圧が印加さ
れたゲートを有するＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、前記Ｐ
チャネルＭＯＳＦＥＴのドレインに接続されたドレイン
を有するデプレッション型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴと、
ソースが接地されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴとからな
り、デプレッション型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート
およびソースと、前記ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート
およびドレインとを共通接続し、該共通接続点を前記基
準電圧として出力し、電源電圧の変化に対してほぼ一定
の電圧を供給する第１，第２の基準電圧発生回路と、 前記第２の基準電圧発生回路から基準電圧が出力される
ことによって作動し、前記分圧回路の出力電圧と前記第
１の基準電圧発生回路から出力される基準電圧とを比較
して、該比較結果を制御信号として出力する比較回路と
を備え、前記第２の基準電圧発生回路が前記比較回路に
供給する電圧を、前記ほぼ一定の電圧値の範囲内で前記
電源電圧の大きさに応じて変化させるとともに、前記第
１の基準電圧発生回路が前記比較回路に供給する電圧の
変化を前記第２の基準電圧発生回路の出力の変化に合わ
せることを特徴とする電源電圧検知回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192532A JP2871309B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 電源電圧検知回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192532A JP2871309B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 電源電圧検知回路 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15138597A Division JP3147042B2 (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体集積回路 |
| JP9151386A Division JPH10117138A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体集積回路 |
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|---|---|
| JPH0634676A JPH0634676A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2871309B2 true JP2871309B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=16292850
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4192532A Expired - Fee Related JP2871309B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 電源電圧検知回路 |
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-
1992
- 1992-07-20 JP JP4192532A patent/JP2871309B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0634676A (ja) | 1994-02-10 |
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