JP2826400B2 - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置の検査方法

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JP2826400B2
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JP
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semiconductor
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aluminum
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光美 新井
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の検査方法
に関し、特に組立前におけるペレット状の半導体素子の
検査する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置の電気特性測定に関し
ては、組立前のペレット状の半導体素子の状態で測定が
行なわれていた。これらの半導体素子は、一枚の半導体
ウェーハは縦横並べて形成され、組立前に一つずつプロ
ービング装置で検査され、そして検査後、この半導体素
子は半導体ウェーハより分割分離され、ペレット状の個
片として形成されていた。
【０００３】このような半導体素子の特性検査には、プ
ロービング装置が使用され、半導体ウェーハ上の半導体
素子の電極パッドに単身と接触させ行われていた。ま
た、一つの半導体素子の電極パットと探針との接触回数
は数十回あり、一枚の半導体ウェーハにある半導体素子
の全てを検査するには、探針の接触回数が数万回に及ぶ
ことがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように同一の針
で何度もアルミ配線及びバッド等に接触あるいは探針を
立てていると、探針の針先にアルミ等の削りくずが付着
して針先が丸くなってしまい狙った場所に針を立て難く
なったりまたはその都度新しい針に交換しなければなら
ないという手間がかかっていた。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、測定用探針の針先を更新させる半導体装置の検査方
法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板上に複数個が縦横に並べて形成される半導体素子を
もつ半導体装置の前記半導体素子を検査する半導体装置
の検査方法において、前記半導体基板上に並んで形成さ
れているとともに一方向に対し斜めに伸びかつ窒化膜で
覆われる複数の短冊状の凸起物に測定用探針を接触させ
前記一方向に移動する工程を含む半導体装置の検査方法
である。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【０００８】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の半導体
装置の検査方法の一実施例を説明するための半導体基板
の一部分を示す平面図及び断面図である。である。本発
明は、半導体素子の回路素子が形成される機能面を保護
する絶縁膜が窒化膜である場合は、その窒化膜の硬度が
アルミニュウムのパッドや配線に比べはるかに大きいこ
とに着目して図１に示すように、絶縁膜３に凹凸パター
ン１を形成したことである。
【０００９】図２（ａ）及び（ｂ）は図１の半導体装置
の作用を説明するための半導体素子の一部分を示す斜視
図である。上述した凹凸パター１を例えば、短棚状に形
成し、その向きを、図２に示すように探針５の走行方向
に対して斜めに配置すれば、測定時に探針５の移動によ
り、針先に付着するアルミ削りくず４は、凹凸パターン
１ａと接触し、図２（ｂ）に示すように、それぞれの凹
凸パターン１にアルミ削りくず４ａ，４ｂ，４ｃ及び４
ｄとして分割され、探針５に付着されたアルミ削りくず
４は除去られる。
【００１０】このように表面に凹凸パターンを形成する
には、公知のリソグラフィ技術で容易に実現できるもの
である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子面上にアルミ等の金属よりも硬度の高い絶縁膜に凹凸
状のパターンを形成し、針先に付着してしまったアルミ
等の削りくずを凹凸状のパターン上に探針を走行させる
ことによってそぎ取ることができる。従って、本発明に
よれば、信頼性の高い検査ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の検査方法の一実施例を説
明するための半導体基板の一部分を示す平面図及び断面
図である。
【図２】図１の半導体装置の作用を説明するための半導
体素子の一部分を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 凹凸パターン ２ 半導体基板 ３ 絶縁膜 ４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ アルミ削りくず ５ 探針
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 31/26

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に複数個が縦横に並べて形
    成される半導体素子をもつ半導体装置の前記半導体素子
    を検査する半導体装置の検査方法において、前記半導体
    基板上に並んで形成されているとともに一方向に対し斜
    めに伸びかつ窒化膜で覆われる複数の短冊状の凸起物に
    測定用探針を接触させ前記一方向に移動する工程を含む
    ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
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JPS61256642A (ja) * 1985-05-09 1986-11-14 Nec Corp 半導体装置
JP2737952B2 (ja) * 1988-09-27 1998-04-08 ソニー株式会社 半導体装置

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