JP2003121470A

JP2003121470A - プローブの製造方法及びプローブ

Info

Publication number: JP2003121470A
Application number: JP2001319814A
Authority: JP
Inventors: Masao Okubo; 昌男大久保; Hideo Sakane; 英生坂根; Tetsuji Ueno; 哲司上野; Chikaomi Mori; 親臣森; Shinichiro Furusaki; 新一郎古崎; Yasuo Miura; 康男三浦; Teppei Kimura; 哲平木村
Original assignee: Japan Electronic Materials Corp
Current assignee: Japan Electronic Materials Corp
Priority date: 2001-10-17
Filing date: 2001-10-17
Publication date: 2003-04-23

Abstract

(57)【要約】【目的】高集積化、微細化が進んだ半導体集積回路等
に対応できるプローブを製造する。【構成】プローブカードの中間基板300 の上に中間基
板300 の下側接点部310を露出させた第１開口232 を有
する第１レジスト層231 を形成し、第１開口232に接続
部130 となる導電性を有する第１メッキ構造体130Aを下
側接点部310 と接続して形成し、第１メッキ構造体130A
の一部を露出させ、かつ第１レジスト層231 の上に延在
する第２開口242 を有する第２レジスト層241 を第１レ
ジスト層231 の上に形成し、第２開口242 にアーム部12
0 となる導電性を有する第２メッキ構造体120Aを第１メ
ッキ構造体130Aと接続して形成し、第２メッキ構造体１
２０Ａの他方の端部を露出させた第３開口262 を有する
第３レジスト層261 を第２レジスト層241 、第２メッキ
構造体120Aの上に形成し、第３開口262 に接触部110と
なる導電性を有する第３メッキ構造体110Aを第２メッキ
構造体120Aと接続して形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、測定対象物である
半導体集積回路等の電気的諸特性を測定するプローブカ
ードに使用するプローブと、そのプローブの製造方法と
に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体集積回路の電気的諸特性
を測定するカンチレバータイプのプローブカードは、基
板に手作業や機械加工にて数多くのプローブを取り付け
ていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、測定対
象物としての半導体集積回路、ＬＣＤデバイス等は、急
速に高集積化及び微細化が進行しており、これらの電気
的諸特性の測定に使用するプローブカードは、従来の機
械加工及び手作業で製造されているカンチレバータイプ
では対応しきれなくなっている。すなわち、手作業で多
くのプローブを基板に配置すると、測定対象物の電極に
接触するプローブの先端の接触部の高さ、位置精度にば
らつきがあるため、非常に手間がかかっていた。また、
接触部の高さ、位置精度のばらつきは、測定対象物の電
極への接触の安定性を欠く要因となっていた。さらに、
手作業による組立には熟練を要するため、生産コスト、
生産時間の面からも望ましくない点がある。

【０００４】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
であって、高集積化、微細化が進行した半導体集積回路
等の測定対象物に対応することができるプローブの製造
方法及びプローブを提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブの
製造方法は、プローブカードを構成する中間基板の上に
中間基板の下側接点部を露出させた第１開口を有する第
１レジスト層を形成する工程と、前記第１開口に接続部
となる導電性を有する第１メッキ構造体を前記下側接点
部と接続して形成する工程と、少なくとも前記第１メッ
キ構造体の一部を露出させるとともに、第１レジスト層
の上に延在する第２開口を有する第２レジスト層を第１
レジスト層の上に形成する工程と、前記第２開口にアー
ム部となる導電性を有する第２メッキ構造体を前記第１
メッキ構造体と接続して形成する工程と、前記第２メッ
キ構造体の他方の端部を露出させた第３開口を有する第
３レジスト層を前記第２レジスト層及び第２メッキ構造
体の上に形成する工程と、前記第３開口に接触部となる
導電性を有する第３メッキ構造体を前記第２メッキ構造
体と接続して形成する工程とを有している。

【０００６】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
に係るプローブの製造方法のうち、第１メッキ構造体を
形成するまでの工程を示す概略的説明図、図２は本発明
の第１の実施の形態に係るプローブの製造方法のうち、
第２メッキ構造体を形成するまでの工程を示す概略的説
明図、図３は本発明の第１の実施の形態に係るプローブ
の製造方法のうち、第３メッキ構造体を形成するまでの
工程を示す概略的説明図、図４は本発明の第１の実施の
形態に係るプローブの製造方法によって製造されたプロ
ーブの概略的正面図、図５は本発明の第２の実施の形態
に係るプローブの製造方法のうち、第３メッキ構造体を
形成する構成を示す概略的説明図、図６は本発明の第２
の実施の形態に係るプローブの製造方法によって製造さ
れたプローブの概略的正面図、図７は本発明に係るプロ
ーブの製造方法によって製造されたプローブを用いたプ
ローブカードの概略的正面図である。なお、各図、特に
プローブの製造方法を示す各工程の図面では、各部の寸
法は実際のものとは異なるものである。

【０００７】まず、本発明の第１の実施の形態に係るプ
ローブの製造方法を説明する前に、このプローブの製造
方法で製造されるプローブ１００を図４を参照しつつ説
明する。

【０００８】このプローブ１００は、図４に示すよう
に、先端が上向きに突出している接触部１１０と、この
接触部１１０の下端から水平方向に延びたアーム部１２
０と、このアーム部１２０の終端から下方に延びた接続
部１３０とが一体に形成されたものである。接触部１１
０は、測定対象物である半導体集積回路７００等の電極
７１０に接触する部分であり、接続部１３０は、プロー
ブカードの一部を構成する中間基板３００の下側接点部
３１０に電気的及び機械的に接続される部分である。こ
の第１の実施の形態に係るプローブの製造方法では、プ
ローブ１００は、中間基板３００に繋がった状態で製造
される。なお、プローブ１００は、１つのプローブカー
ドに数百本から数千本も用いられるのが一般的である。
このプローブ１００は、製造中には、先端の接触部１１
０が上向きであるが、プローブカードに取り付ける場合
には、接触部１１０が下向きになるように引っ繰り返さ
れる。また、図１〜図６では、中間基板３００の下側接
点部３１０は上側に記載されているが、この中間基板３
００は、プローブカードに組み込まれる場合には、引っ
繰り返されて使用されるので、前記下側接点部３１０は
下側に位置することになる

【０００９】本発明の実施の形態に係るプローブの製造
方法は、プローブカードを構成する中間基板３００の上
に中間基板３００の下側接点部３１０を露出させた第１
開口２３２を有する第１レジスト層２３１を形成する工
程と、前記第１開口２３２に接続部１３０となる導電性
を有する第１メッキ構造体１３０Ａを前記下側接点部３
１０と接続して形成する工程と、少なくとも前記第１メ
ッキ構造体１３０Ａの一部を露出させるとともに、第１
レジスト層２３１の上に延在する第２開口２４２を有す
る第２レジスト層２４１を第１レジスト層２３１の上に
形成する工程と、前記第２開口２４２にアーム部１２０
となる導電性を有する第２メッキ構造体１２０Ａを前記
第１メッキ構造体１３０Ａと接続して形成する工程と、
前記第２メッキ構造体１２０Ａの他方の端部を露出させ
た第３開口２６２を有する第３レジスト層２６１を前記
第２レジスト層２４１及び第２メッキ構造体１２０Ａの
上に形成する工程と、前記第３開口２６２に接触部１１
０となる導電性を有する第３メッキ構造体１１０Ａを前
記第２メッキ構造体１２０Ａと接続して形成する工程と
を有している。

【００１０】まず、プローブカードの一部を構成する中
間基板３００は、図１（Ａ）及び図４に示すように、上
面には下側接点部３１０が半導体集積回路７００の電極
７１０の配置に対応して設置されている。また、中間基
板３００の下面には上側接点部３２０が後述するマザー
ボート５００の配線パターン５１０と対応して設置され
ている。そして、下側接点部３１０と上側接点部３２０
とは、中間配線部３３０によって電気的に接続されてい
る。

【００１１】かかる中間基板３００の上面にフォトレジ
スト２３０をスピンコート等の適宜な手法で塗布する
（図１（Ｂ）参照）。そして、このフォトレジスト２３
０に対しては、前記下側接点部３１０の配置パターンに
対応、すなわち前記下側接点部３１０の位置と同じ位置
に開口（図示省略）が設けられたマスク（図示省略）を
用いて露光が行われる。また、露光後のフォトレジスト
２３０に対して現像が行われ、図１（Ｃ）に示すよう
に、下側接点部３１０の上部のみからフォトレジスト２
３０が除かれた第１開口２３２を有する第１レジスト層
２３１が形成される。なお、この第１レジスト層２３１
に対しては、平面度を確保するために研磨が行われる。
また、この第１レジスト層２３０を形成するためのフォ
トレジスト２３０には感光性厚膜レジストが使用され
る。

【００１２】下側接点部３１０の上部のフォトレジスト
２３０が除かれた部分、すなわち第１開口２３２の深さ
の寸法は、５０〜２００μｍ程度とする。

【００１３】中間基板３００に対してメッキを行い、下
側接点部３１０及び第１開口２３２とに跨がった第１メ
ッキ構造体１３０Ａを形成する（図１（Ｄ）参照）。こ
の第１メッキ構造体１３０Ａがプローブ１００の接続部
１３０となるのである。また、第１メッキ構造体１３０
Ａを形成した後に、表面の平面度を確保するために研磨
が行われる。

【００１４】また、次に、第１メッキ構造体１３０Ａ及
び第１レジスト層２３１の上に第２レジスト層２４１と
なるフォトレジスト２４０をスピンコート等の適宜な手
法で塗布する（図２（Ａ）参照）。このフォトレジスト
２４０には、感光性厚膜レジストを使用する。

【００１５】このフォトレジスト２４０に対しては、プ
ローブ１００のアーム部１２０に対応した開口（図示省
略）を有するマスク（図示省略）を用いて露光が行われ
る。また、露光後のフォトレジスト２４０に対して現像
が行われ、少なくとも第１メッキ構造体１３０Ａが露出
した第２開口２４２を有する第２レジスト層２４１が形
成される（図２（Ｂ）参照）。なお、この第２レジスト
層２４１に対しては平面度を確保するために研磨が行わ
れる。

【００１６】この第２レジスト層２４１に形成される第
２開口２４２の深さは約十〜数百μｍ程度とし、長さは
数百μｍ〜１ｍｍ程度とする。

【００１７】前記第２レジスト層２４１の上面及び露出
した第１レジスト層２３１の上面には、図２（Ｃ）に示
すように、第２メッキ構造体１２０Ａを形成する際の電
極となるシード層２５０が形成される。

【００１８】中間基板３００に対してメッキを行い、第
２開口２４２に第２メッキ構造体１２０Ａを形成する
（図２（Ｄ）参照）。この第２メッキ構造体１２０Ａ
は、第２メッキ構造体１２０Ａは第１レジスト層２３１
の上に延在して形成され、またシード層２５０を介して
第１メッキ構造体１３０Ａと電気的、機械的に接続した
状態で形成される。このようにして第２メッキ構造体１
２０Ａがプローブ１００のアーム部１２０となるのであ
る。また、第２メッキ構造体１２０Ａを形成した後に、
表面の平面度を確保するために研磨が行われる。この研
磨によって、前記シード層２５０のうち、第２レジスト
層２４１の上面に形成された部分は除去される。

【００１９】さらに、第２レジスト層２４２及び第２メ
ッキ構造体１２０Ａの上に、第３レジスト層２６１とな
る感光性厚膜レジストであるフォトレジスト２６０をス
ピンコート法等の適宜な手法で塗布する（図３（Ａ）参
照）。このフォトレジスト２６０に対しては、プローブ
１００の接触部１１０に対応した開口（図示省略）を有
するマスク（図示省略）を用いて露光が行われる。この
マスクの開口は、第２メッキ構造体１２０Ａの一部、具
体的には、第１メッキ構造体１３０Ａが形成された側と
は反対の側と重なるように配置されている。また、露光
後のフォトレジスト２６０に対して現像が行われ、少な
くとも第２メッキ構造体１２０Ａが露出した第３開口２
６２を有する第３レジスト層２６１が形成される（図３
（Ｂ）参照）。なお、この第３レジスト層２６１に対し
ては平面度を確保するために研磨が行われる。

【００２０】次に、前記第３レジスト層２６１の上面及
び露出した第２メッキ構造体１２０Ａの上面には、図３
（Ｃ）に示すように、第３メッキ構造体１１０Ａを形成
する際の電極となるシード層２７０が形成される。

【００２１】また、中間基板３００に対してメッキを行
い、第３開口２６２に第３メッキ構造体１１０Ａを形成
する（図３（Ｄ）参照）。この第３メッキ構造体１１０
Ａは、第３開口２６２から第２メッキ構造体１２０Ａの
一部が露出しているため、第２メッキ構造体１２０Ａと
電気的及び機械的に接続した状態で形成される。また、
前記第３開口２６２は、第１メッキ構造体１３０Ａが形
成された側とは反対の側の端部に配置されているので、
第３メッキ構造体１１０Ａは、第１メッキ構造体１３０
Ａとは反対の側に形成されることになる。この第３メッ
キ構造体１１０Ａがプローブ１００の接触部１１０とな
るのである。また、第３メッキ構造体１１０Ａを形成し
た後に、表面の平面度を確保するために研磨が行われ
る。この研磨によって、前記シード層２７０のうち、第
３レジスト層２６１の上面に形成された部分は除去され
る。なお、この第３メッキ構造体１１０Ａは四角錐状に
尖った形状であってもよい。

【００２２】なお、この第３開口２６２の深さ、すなわ
ち接触部１１０となる第３メッキ構造体１１０Ａの高さ
寸法は５０〜３００μｍ程度とする。半導体集積回路７
００の電気的諸特性の測定時には、プローブ１００を半
導体集積回路７００の電極７１０に接触させる必要があ
る。前記電極７１０の表面には酸化膜が形成されている
ことが一般的であるため、プローブ１００を電極７１０
に対して単に接触させただけでは、電気的に導通したと
はいえない。前記酸化膜を剥ぎ取って内部の導通層に接
触することで初めて電気的な導通を確保することができ
るのである。このためには、プローブ１００を電極７１
０に対して一定値以上の圧力で圧接させることが必要に
なる。一般的には、プローブ１００が電極７１０に接触
してから数十μｍだけプローブカードと半導体集積回路
７００とを接触をより促進する方向に移動させる（以
下、「オーバードライブ」とする）ことが必要になる。
このオーバードライブは、２０μｍ程度以上必要であ
る。また、プローブカードを構成する多数本のプローブ
１００の先端の接触部１１０の高さ方法の位置には数十
μｍのばらつきがある。また、試験環境にも多少のばら
つきがある。従って、すべてのプローブ１００が安定し
て電極７１０に対して電気的に導通するには、数十μｍ
から２００μｍ程度のオーバードライブが必要となるの
である。このオーバードライブが行われると、プローブ
１００においては、アーム部１２０が変形することにな
る。しかし、オーバードライブを行うことによって、ア
ーム部１２０の一部が半導体集積回路７００に接触する
と、半導体集積回路７００を破損する原因となるので避
けなければならない。このため、接触部１１０の高さ寸
法を５０〜３００μｍ程度とすると、オーバードライブ
に起因するアーム部１２０の半導体集積回路７００への
接触が無くなるのである。

【００２３】前記第３レジスト層２６１を形成する際の
マスクの開口が、測定対象物である半導体集積回路７０
０の電極７１０の配置パターンに対応した位置に形成さ
れているため、形成された第３メッキ構造体１１０Ａの
配置パターンは、前記電極７１０の配置パターンに対応
した位置になる。

【００２４】このような工程を経ることによって、図４
に示すようなプローブ１００が製造、それも多数個のプ
ローブ１００が中間基板３００に繋がった状態で一度に
製造されるのである。

【００２５】次に、上述したプローブの製造方法によっ
て製造されたプローブを用いてプローブカードを製造す
る作業について図７を参照しつつ説明する。

【００２６】周知のフォトレジスト除去装置を用いて第
１〜第３レジスト層２３１、２４１、２６１を除去す
る。これによって、図４に示すように、接続部１３０が
中間基板３００に接続された状態で多数個のプローブ１
００が完成する。

【００２７】接続部１３０が中間基板３００に接続され
たプローブ１００が完成した状態では、接触部１１０は
上向きであるが、実際にプローブカードとして使用され
る場合には、引っ繰り返して接触部１１０が下向きにな
るようにする。かかる多数個のプローブ１００が接続さ
れた中間基板３００をマザーボード５００に取り付ける
とともに、適宜な導電手段５２０、例えばワイヤ等を用
いて中間基板３００の上側接点部３２０と、マザーボー
ド５００の配線パターン５１０の下面側露出部５１１と
を接続することで、プローブカードが完成する。

【００２８】なお、図７における５３０は、マザーボー
ド５００に中間基板３００を取り付けるための取付部材
である。また、６００はウエハ状態の半導体集積回路７
００を吸着保持するテーブルである。

【００２９】なお、上述した実施の形態では、プローブ
１００の接触部１１０を形成するための第３レジスト層
２６１は１層であるとしたが、以下に述べる第２の実施
の形態のように複数層とすることも可能である。すなわ
ち、図５に示すように、プローブ１００の接触部１１０
を形成する第３レジスト層２６１を第３−１レジスト層
２６１Ａと、第３−２レジスト層２６１Ｂとの２層に分
割することで、第３メッキ構造体が第３−１メッキ構造
体１１０Ａ１と、第３−２メッキ構造体１１０Ａ２とか
らなる接触部１１０が多段型のプローブとすることがで
きるのである。

【００３０】このための工程は以下のようになるすなわ
ち、図３（Ｄ）に示した第３レジスト層２６１を、図５
（Ａ）に示す第３−１レジスト層２６１Ａとし、この第
３−１レジスト層２６１Ａの上面に感光性厚膜レジスト
であるフォトレジスト２６０Ｂをスピンコート等の適宜
な手法で塗布する（図５（Ａ）参照）。そして、このフ
ォトレジスト２６０Ｂに対しては、露光及び現像を行う
ことによって、前記第３−１メッキ構造体１１０Ａ１よ
り小さな開口２６２Ｂが第３−１メッキ構造体１１０Ａ
１の上に開設された第３−２レジスト層２６１Ｂとする
（図５（Ｂ）参照）。なお、この状態では、第３−１メ
ッキ構造体１１０Ａ１は、第３開口２６２にすでに形成
されている。

【００３１】次に、第３−２レジスト層２６１Ｂの上面
と、前記開口２６２Ｂとにシード層２８０を形成する
（図５（Ｃ）参照）。そして、中間基板３００に対して
メッキを行い、第３−１メッキ構造体１１０Ａ１に電気
的、機械的に連結した第３−２メッキ構造体１１０Ａ２
を形成する（図５（Ｄ）参照）。なお、前記開口２６２
Ｂは、第３開口２６２より小さいため、第３−２メッキ
構造体１１０Ａ２は、第３−１メッキ構造体１１０Ａ１
より小さくなっている。

【００３２】なお、上述した第２の実施の形態において
は、接触部１１０を２段としたが、３段以上にすること
も可能である。

【００３３】

【発明の効果】本発明に係るプローブカードの製造方法
は、プローブカードを構成する中間基板の上に中間基板
の下側接点部を露出させた第１開口を有する第１レジス
ト層を形成する工程と、前記第１開口に接続部となる導
電性を有する第１メッキ構造体を前記下側接点部と接続
して形成する工程と、少なくとも前記第１メッキ構造体
の一部を露出させるとともに、第１レジスト層の上に延
在する第２開口を有する第２レジスト層を第１レジスト
層の上に形成する工程と、前記第２開口にアーム部とな
る導電性を有する第２メッキ構造体を前記第１メッキ構
造体と接続して形成する工程と、前記第２メッキ構造体
の他方の端部を露出させた第３開口を有する第３レジス
ト層を前記第２レジスト層及び第２メッキ構造体の上に
形成する工程と、前記第３開口に接触部となる導電性を
有する第３メッキ構造体を前記第２メッキ構造体と接続
して形成する工程とを有している。

【００３４】このように、フォトリソグラフィ技術を用
いてプローブを製造すると、初めから測定対象物である
半導体集積回路の電極の配置に対応した多数個のプロー
ブを同時に製造することができる。しかも、このプロー
ブは、多数個が同時かつ均一に、プローブカードの一部
を構成する中間基板に予め繋がった状態で製造されるた
め、従来のようにばらばらに製造されたプローブを手作
業等によって中間基板に取り付けるということが不要に
なる。このため、作業効率の向上、それに伴うコストの
低減という効果を得ることができる。また、プローブカ
ードを構成する中間基板に取り付ける作業が不要になる
ので、プローブの先端の接触部の高さ、位置精度を向上
させることができる。さらに、より高集積化及び微細化
した半導体集積回路等にも対応することができるいわば
次世代のプローブカードを提供することが可能となる。

【００３５】また、前記接触部が多段型であると、半導
体集積回路の電極に接触する部分を小さくすることがで
きるので、前記電極の表面に形成される絶縁層を破壊し
て良好な導通を確保することに役立つ。

【００３６】さらに、前記第３開口は、測定対象物であ
る半導体集積回路の電極の配置パターンに対応して形成
されているので、作業効率の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプローブの製
造方法のうち、第１メッキ構造体を形成するまでの工程
を示す概略的説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るプローブの製
造方法のうち、第２メッキ構造体を形成するまでの工程
を示す概略的説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係るプローブの製
造方法のうち、第３メッキ構造体を形成するまでの工程
を示す概略的説明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係るプローブの製
造方法によって製造されたプローブの概略的正面図であ
る。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係るプローブの製
造方法のうち、第３メッキ構造体を形成する構成を示す
概略的説明図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係るプローブの製
造方法によって製造されたプローブの概略的正面図であ
る。

【図７】本発明に係るプローブの製造方法によって製造
されたプローブを用いたプローブカードの概略的正面図
である。

【符号の説明】

１００プローブ１１０接触部１１０Ａ第３メッキ構造体１２０アーム部１２０Ａ第２メッキ構造体１３０接続部１３０Ａ第１メッキ構造体２３１第１レジスト層２３２第１開口２４１第２レジスト層２４２第２開口２６１第３レジスト層２６２第３開口３００中間基板３１０下側接点部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上野哲司兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内 (72)発明者森親臣兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内 (72)発明者古崎新一郎兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内 (72)発明者三浦康男兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内 (72)発明者木村哲平兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB01 AG03 AG12 AH04 2G011 AA10 AA16 AA18 AC14 AE03 AF07 4M106 AA01 BA01 CA70 DD03 DD10 DD30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プローブカードを構成する中間基板の上
に中間基板の下側接点部を露出させた第１開口を有する
第１レジスト層を形成する工程と、前記第１開口に接続
部となる導電性を有する第１メッキ構造体を前記下側接
点部と接続して形成する工程と、少なくとも前記第１メ
ッキ構造体の一部を露出させるとともに、第１レジスト
層の上に延在する第２開口を有する第２レジスト層を第
１レジスト層の上に形成する工程と、前記第２開口にア
ーム部となる導電性を有する第２メッキ構造体を前記第
１メッキ構造体と接続して形成する工程と、前記第２メ
ッキ構造体の他方の端部を露出させた第３開口を有する
第３レジスト層を前記第２レジスト層及び第２メッキ構
造体の上に形成する工程と、前記第３開口に接触部とな
る導電性を有する第３メッキ構造体を前記第２メッキ構
造体と接続して形成する工程とを具備したことを特徴と
するプローブの製造方法。
【請求項２】前記第３メッキ構造体は、多段型である
ことを特徴とする請求項１記載のプローブの製造方法。
【請求項３】前記第３開口は、測定対象物の電極の配
置パターンに対応して形成されていることを特徴とする
請求項１又は２記載のプローブの製造方法。
【請求項４】先端が突出した接触部と、この接触部か
ら水平方向に延びたアーム部と、このアーム部の終端か
ら前記接触部とは反対方向に延びた接続部とを具備して
おり、前記接続部は、プローブカードを構成する中間基
板の下側接点部に接続されていることを特徴とするプロ
ーブ。
【請求項５】前記接触部は、多段型であることを特徴
とする請求項１記載のプローブ。