JPS58100439A - プロ−バ - Google Patents

プロ−バ

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Publication number
JPS58100439A
JPS58100439A JP19854981A JP19854981A JPS58100439A JP S58100439 A JPS58100439 A JP S58100439A JP 19854981 A JP19854981 A JP 19854981A JP 19854981 A JP19854981 A JP 19854981A JP S58100439 A JPS58100439 A JP S58100439A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
terminal
tip
inspection
chemical etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19854981A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Ito
一夫 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19854981A priority Critical patent/JPS58100439A/ja
Publication of JPS58100439A publication Critical patent/JPS58100439A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は精度の良いプルービングを行うことのできるプ
ローパに関する。
一般に、たとえば集積回路（ＩＣ）や大規模集積（９）
路（ＬＳＩ）等の半導体装置の製造過程においては、電
気的特性の検査のためにブロー７を用いて半導体ウェー
ハ上の電極パッドに対してプロービングが行われている
。
その場合、従来はグロー２として、ガラスエポキシ基板
の先端にタングステンの針を多数配置したものを使用し
、その針の先端を電極パッドに接触させて検査を行って
いる。
ところが、このような従来のプ四−バの場合、針の位置
精度が非常に悪いため、検査時間が長くかかり、検査精
度も低下してしまうという問題がある。
特に、集、積度の増大に伴って、ＬＳＩ等の微細化や多
ピン化が進むにつれて、プ四−パの針と電極バッ、ドと
の正確な接触を得ることは極めて困難になってしまう。
本発明の目的は、前記従来技術の間層点を解決し、高精
度のブロービングを行うことのできるプローバを提供す
ることにある。
この目的を達成するため、本発明によるブロー７は、所
定のパターンに切られたプローブ端子の裏面に形成°し
た導電めっき層によりプロービングを行うものであり、
導電めっき層の先端部は検査用端子部分として形成され
、プローブ端子のパターンは好ましくは化学的エツチン
グにより形成される。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがって説明す
る。
第１図は本発明によるプローバの一実施例の全体を示す
概略的斜視図であり、第２図はそのプローブ端子部の部
分断面図である。
本実施例において、プローブカード１の検査用のプロー
ブ端子２はカラスエポキシ材料よりなり、検査される回
路のパターン（図示せず）に合せて所定のパターンに形
成されている。その場合のパターン形成は本実施例では
化学的なエツチングにより行われる。その結果１本実施
例のプローブ端子２は位置精度が非常に良好であり、微
細な回路構成の電極パッドに対しても正確にブロービン
グできる。
各プローブ端子２は化学的エツチングにより所定のパタ
ーンに切られた後、第２図に示すように、先端側を下方
に曲げられ、曲がり部分どうしは四角形のリング状平面
形状を持つ固定リング３により互いに一走されている。
前記プローブ端子２の裏面側には銅めっき層４が導電層
として形成されている。この銅めっき層４の先端部は、
被検査物たとえば支持ペース５の上の牛導体ペレット６
の電極パッドと接触する検査用端子部分７として突起状
に形成されている。
この検査用端子部分７はプローブ端子２の先端に鋼をめ
っきで成長させることにより作り出される。
前記プローブ端子２は第１図に示すように先端側がプロ
ーブカード１の孔８の中に延び、反対―は各プローブ端
子２毎に多数設けられたプリント配線９を経て図示しな
いコネクタに接続される。
本実施例においては、プローブ端子２がガラスエポキシ
材料に化学的エツチングを施すことにより形成されてい
るので、プローブ端子２の位置精度はエツチングの精度
で決まり、極めて良好な位置精度が得られる。しかも、
検査用端子部分７が鋼をめっきで成長させることにより
形成されており、プローブ端子２およびその裏面側に形
成しり銅めっき層４と一体である。
したがって、本実施例は非常に精度の良いブロービング
を行うことができる。
なお、本郷明は前記実施例のみに限定されるものではな
く、他のプローブ材料やめっ鑓材料等を用いてもよく、
また他の変形も可能である。
以上説明したように、本発明によれば、極めて高い精度
で正確なブロービングを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１５図は本発明によるプローバの一実施例の概略的斜
視図、第２図はプローブ端子部の部分断面図である。 １・・・プローブカード、２・・・プローブ端子、３・
・・固定リング、４・・・銅めっき層、５・・・支持ベ
ース、６・・・牛導体ペレット、７・・・検査用端子部
分、８・・・孔、９・・・プリント配線。 第　　１　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、被検査物のパターンに合せて形成さ糺たプローブ端
    子と、各プローブ端子の裏面に形成され、先端部に検査
    用端子部分を成長させた導電めっき層とを備えたプロー
    パ。 ２、前記プローブ端子のパターンが化学的エツチングに
    より形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載のプローバ。 ３、前記導電めっき層は銅めっき層からなることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のプロー
    バ。
JP19854981A 1981-12-11 1981-12-11 プロ−バ Pending JPS58100439A (ja)

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JPS58100439A true JPS58100439A (ja) 1983-06-15

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01284776A (ja) * 1988-05-11 1989-11-16 Matsushita Electron Corp フラットパッケージタイプの半導体装置の測定装置
JPH02663U (ja) * 1988-06-13 1990-01-05

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01284776A (ja) * 1988-05-11 1989-11-16 Matsushita Electron Corp フラットパッケージタイプの半導体装置の測定装置
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