JPH0252257A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
- Publication number
- JPH0252257A JPH0252257A JP63203458A JP20345888A JPH0252257A JP H0252257 A JPH0252257 A JP H0252257A JP 63203458 A JP63203458 A JP 63203458A JP 20345888 A JP20345888 A JP 20345888A JP H0252257 A JPH0252257 A JP H0252257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- chip
- inspected
- contact
- crystal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 39
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は、プローブ装置に関する。
(従来の技術)
一般に、プローブカードは、プローブ装置に設置され被
検査体例えば半導体ウェハ上に形成されたICチップの
電極パッドとテスタを電気的に配線する接続体として用
いられている。
検査体例えば半導体ウェハ上に形成されたICチップの
電極パッドとテスタを電気的に配線する接続体として用
いられている。
今般、半導体製造工程の技術革新により、ICチップの
高集積化が進み、一定面積に対してICチップを構成す
る回路数が増加している。又、1チツプあたりの電極パ
ッド数も回路数とともに増加している。即ち、回路を構
成するリード線や電極パッドが超微細化されている。又
、各リード線や各電極パッド間隔も狭くなっている。こ
のようなICチップを検査する際に、プローブカードも
対応要求されている。このような要求に対して、プロー
ブカードの接触子となるプローブ端子数を一定面積内に
増加する手段として、例えばプローブ端子を被検査体に
対してほぼ垂直に実装したものが、特公昭58−117
41号、特開昭60−189949号。
高集積化が進み、一定面積に対してICチップを構成す
る回路数が増加している。又、1チツプあたりの電極パ
ッド数も回路数とともに増加している。即ち、回路を構
成するリード線や電極パッドが超微細化されている。又
、各リード線や各電極パッド間隔も狭くなっている。こ
のようなICチップを検査する際に、プローブカードも
対応要求されている。このような要求に対して、プロー
ブカードの接触子となるプローブ端子数を一定面積内に
増加する手段として、例えばプローブ端子を被検査体に
対してほぼ垂直に実装したものが、特公昭58−117
41号、特開昭60−189949号。
特開昭61−154137号、特開昭61−20587
0号、実公昭59−12615号、実公昭62−361
39号、実公昭62−44365号公報等に提案されて
いる。又、絶縁基板に、フォトリソ技術により導電パタ
ーンおよびプローブ端子を形成しプローブ端子の増加に
対処したものは、例えば特公昭5841739号、特公
昭59−18864号。
0号、実公昭59−12615号、実公昭62−361
39号、実公昭62−44365号公報等に提案されて
いる。又、絶縁基板に、フォトリソ技術により導電パタ
ーンおよびプローブ端子を形成しプローブ端子の増加に
対処したものは、例えば特公昭5841739号、特公
昭59−18864号。
特公昭61.−14659号、特開昭58−16204
5号、特開昭58−197835号、特開昭59−99
34号、特開昭59−9935号、特開昭59−193
42号、特開昭59−1.41239号、特開昭59−
144142号、特開昭59−148345号、特開昭
60−198838号、特開昭61−2338号、特開
昭61−154044号公報等に開示されている。
5号、特開昭58−197835号、特開昭59−99
34号、特開昭59−9935号、特開昭59−193
42号、特開昭59−1.41239号、特開昭59−
144142号、特開昭59−148345号、特開昭
60−198838号、特開昭61−2338号、特開
昭61−154044号公報等に開示されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記記載の基板にプローブ端子を垂直固
定したものでは、電極パッドへの接触検査時にプローブ
端子先端を被検査体である電極パッド表面に衝撃的に接
触させ、さらにオーツベートライブを加えるためプロー
ブ端子に歪等のダメージを与え、プローブ端子が脆くな
り耐久性に欠けるという問題があった。
定したものでは、電極パッドへの接触検査時にプローブ
端子先端を被検査体である電極パッド表面に衝撃的に接
触させ、さらにオーツベートライブを加えるためプロー
ブ端子に歪等のダメージを与え、プローブ端子が脆くな
り耐久性に欠けるという問題があった。
又、フォトリソ技術により形成したプローブカードでは
、フォトリソ工程中絶縁体に導電パターンおよびプロー
ブ端子の形成で加熱を含む処理を実行する。この加熱時
に導電パターンおよびプローブ端子が膨張状態になる。
、フォトリソ工程中絶縁体に導電パターンおよびプロー
ブ端子の形成で加熱を含む処理を実行する。この加熱時
に導電パターンおよびプローブ端子が膨張状態になる。
又、これら工程後常温状態に戻った時、上記導電線およ
びプローブ端子は、収縮する。この履歴による、導電パ
ターンおよびプローブ端子が膨張状態から収縮する時に
、上記導電パターンおよびプローブ端子を形成する絶縁
体に応力が加わる。すると、この絶縁体に歪等例えば反
りが発生し、高精度の要求されるプローブカードの作成
は困難であった。
びプローブ端子は、収縮する。この履歴による、導電パ
ターンおよびプローブ端子が膨張状態から収縮する時に
、上記導電パターンおよびプローブ端子を形成する絶縁
体に応力が加わる。すると、この絶縁体に歪等例えば反
りが発生し、高精度の要求されるプローブカードの作成
は困難であった。
この発明は上記点に対処してなされたもので、超微細化
された被検査体の電極列に対応してプローブカードにプ
ローブ端子を精度良く配列出来き、このプローブカード
で検査を実行することにより、正確な検査が行なえる効
果を得るプローブ装置を提供しようとするものである。
された被検査体の電極列に対応してプローブカードにプ
ローブ端子を精度良く配列出来き、このプローブカード
で検査を実行することにより、正確な検査が行なえる効
果を得るプローブ装置を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、被検査体の電極列に対応した導電線が夫々
絶縁されて形成された絶縁体と、この絶縁体の裏面に上
記導電線の形成により絶縁体に及ぼす力と対応する力を
加えたプローブカードを具備し、上記被検査体の電極列
に上記導電線を電気的に接触させ検査を行なうことを特
徴とするプローブ装置を得るものである。
絶縁されて形成された絶縁体と、この絶縁体の裏面に上
記導電線の形成により絶縁体に及ぼす力と対応する力を
加えたプローブカードを具備し、上記被検査体の電極列
に上記導電線を電気的に接触させ検査を行なうことを特
徴とするプローブ装置を得るものである。
(作用効果)
被検査体の電極列に対応した導電線が夫々絶縁されて形
成された絶縁体と、この絶縁体の裏面に上記導電線の形
成により絶縁体に及ぼす力と対応する力を加えたプロー
ブカードを具備し、上記被検査体の電極列に上記導電線
を電気的に接触させ検査を行なうことにより、超微細化
された被検査体の電極列に対応してプローブカードにプ
ローブ端子を精度良く配列でき、このことにより、被検
査体の検査を正確に行なえる効果がある。
成された絶縁体と、この絶縁体の裏面に上記導電線の形
成により絶縁体に及ぼす力と対応する力を加えたプロー
ブカードを具備し、上記被検査体の電極列に上記導電線
を電気的に接触させ検査を行なうことにより、超微細化
された被検査体の電極列に対応してプローブカードにプ
ローブ端子を精度良く配列でき、このことにより、被検
査体の検査を正確に行なえる効果がある。
(実施例)
次に、本発明プローブ装置を半導体ウェハの検査を行な
うウエハプローバに適用した一実施例につき図面を参照
して説明する。
うウエハプローバに適用した一実施例につき図面を参照
して説明する。
被検査体例えば半導体ウェハ■に規則的に形成されたI
Cチップ■の多数の電極パッド(3)の配列パターンと
、電気特性の検査を行なうテスタ(図示せず)との電気
的接触を行なうプローブカード(へ)は、ウエハプロー
バに設けられている。
Cチップ■の多数の電極パッド(3)の配列パターンと
、電気特性の検査を行なうテスタ(図示せず)との電気
的接触を行なうプローブカード(へ)は、ウエハプロー
バに設けられている。
上記プローブカードに)は、第1図に示すように、主に
、弾性変形しない支持体0と、熱歪みに対し一 て補償する水晶板0と、この水晶板(0に形成された導
電パターン■から構成されている。
、弾性変形しない支持体0と、熱歪みに対し一 て補償する水晶板0と、この水晶板(0に形成された導
電パターン■から構成されている。
」二記水品板(6)は、弾性変形可能であり、水晶板0
上には、接触端子となるプローブ端子部(8)を兼ねる
導電パターン■が多数形成されている。この導電パター
ン■の配列は、第3図のように夫々が絶縁状態で、一端
側即ちプローブ端子部(8)側で。
上には、接触端子となるプローブ端子部(8)を兼ねる
導電パターン■が多数形成されている。この導電パター
ン■の配列は、第3図のように夫々が絶縁状態で、一端
側即ちプローブ端子部(8)側で。
ICチップ■の電極パッド(3)に対応している。上記
導電パターン■の構成は、まず、ぬれ材として水晶とな
じみ易い金属例えばクロム(Cr)層0が例えば500
人 スパッタされている。次に、このCrとなじみ易い
金属例えば金(Au)ff (10)が例えば500人
スパッタされていて、この両者で下地膜を形成している
。そして、この下地膜上に、電気的検査信号の伝導路と
なる導電層(11)が例えば5μm程度電解メツキによ
り形成されている。この導電層(11)の材質は、電気
良導体である例えば、金、銀。
導電パターン■の構成は、まず、ぬれ材として水晶とな
じみ易い金属例えばクロム(Cr)層0が例えば500
人 スパッタされている。次に、このCrとなじみ易い
金属例えば金(Au)ff (10)が例えば500人
スパッタされていて、この両者で下地膜を形成している
。そして、この下地膜上に、電気的検査信号の伝導路と
なる導電層(11)が例えば5μm程度電解メツキによ
り形成されている。この導電層(11)の材質は、電気
良導体である例えば、金、銀。
銅等が望ましい。ここでこのような構成の導電パターン
■を、水晶板0の一面のみに形成すると、導電パターン
の応力により水晶板(0に変形例えば反りが起こる。即
ち、導電パターンの形成時に、加熱を含む処理を実行す
るので、感電パターンが加熱状態から常温状態に復帰す
る時に、収縮し、水晶板(へ)の−面から応力が加わり
変形する。ここで、この変形を防止するために、変形防
止対策がなされている。例えば第2図に示すように、導
電パターン■を、水晶板0の両面に同じ配置で形成する
。すると、導電パターン■の形成による応力が、水晶板
0の両面の同位置に、同程度加わる。
■を、水晶板0の一面のみに形成すると、導電パターン
の応力により水晶板(0に変形例えば反りが起こる。即
ち、導電パターンの形成時に、加熱を含む処理を実行す
るので、感電パターンが加熱状態から常温状態に復帰す
る時に、収縮し、水晶板(へ)の−面から応力が加わり
変形する。ここで、この変形を防止するために、変形防
止対策がなされている。例えば第2図に示すように、導
電パターン■を、水晶板0の両面に同じ配置で形成する
。すると、導電パターン■の形成による応力が、水晶板
0の両面の同位置に、同程度加わる。
このことにより、水晶板0に加わる応力は、両面から互
いに干渉し合い、水晶板0に反り等の変形が起きない。
いに干渉し合い、水晶板0に反り等の変形が起きない。
又、水晶板(へ)に両面から応力が加わるので、水晶板
0の反撲力が強くなる。
0の反撲力が強くなる。
そして、上記のように。両面に導電パターン■を形成し
た水晶板■には、導電パターン■の一端側にプローブ端
子部(8)が設けられている。このプローブ端子部(8
)は、検査対象ICチップ■の電極パッド■パターンに
対応した位置において、第4図に示すように各導電パタ
ーン■毎に、水晶板0の先端が針状の鋭角状態となる如
く形成されている。例えば所定のエツチング技術により
形成されている。このようにして被検査体と接触をとる
接触部が構成されている。
た水晶板■には、導電パターン■の一端側にプローブ端
子部(8)が設けられている。このプローブ端子部(8
)は、検査対象ICチップ■の電極パッド■パターンに
対応した位置において、第4図に示すように各導電パタ
ーン■毎に、水晶板0の先端が針状の鋭角状態となる如
く形成されている。例えば所定のエツチング技術により
形成されている。このようにして被検査体と接触をとる
接触部が構成されている。
次に、この接触部を支持する支持部について説明する。
この支持部は、絶縁性で弾性変形しない材質例えばセラ
ミックス製の支持体(ハ)から構成されている。この支
持体0の所定の位置には、上記ICチップ■に形成され
た電極パッド■パターンの形状よりやや大きめの開口部
(12)が設けられている。
ミックス製の支持体(ハ)から構成されている。この支
持体0の所定の位置には、上記ICチップ■に形成され
た電極パッド■パターンの形状よりやや大きめの開口部
(12)が設けられている。
又、この開口部(12)から所定の間隔を設けて周設す
るように、絶縁性の突起(13)が、例えば樹脂系接着
剤により支持体(ハ)に取着されている。そして、導電
線(]4)がこの突起(13)の外周から被検査体を検
査するテスタ(図示せず)と接続するコネクタ位置まで
夫々絶縁状態で配線されている。このような支持体(ハ
)の開口部(12)に沿って、」1記接触部が1乃至複
数設置されている。この設置は、第5図に示すように水
晶板(6)と、支持体0とを、樹脂例えばアクリル系樹
脂接着材により接着したもの一 である。この時、水晶板(6)を全面接着するのではな
く、支持体■に設けられた突起(13)に、水晶板0の
予め定められた位置で当接し、開口部(12)位置にお
いて、プローブ端子部(8)が遊端となる如く接着しで
ある。即ち、各プローブ端子部(8)が、被検査体とな
るICチップ■の電極パッド■配列パターンと対応する
如く設置されている。ここで、上記接触部がICチップ
■の各辺に対応して、夫々別々に形成されていた場合、
支持体0の開口部(12)の各辺に、上記説明した接着
方法により、夫々対応した接触部を接着すれば良い。そ
して、この接着後、水晶板0に形成された導電パターン
■と、支持体0の導電線(14)とをワイヤーボンディ
ング法により、例えば金線(15)で電気的導通状態と
して接続する。このようにしてプローブカードΩ)が構
成されている。
るように、絶縁性の突起(13)が、例えば樹脂系接着
剤により支持体(ハ)に取着されている。そして、導電
線(]4)がこの突起(13)の外周から被検査体を検
査するテスタ(図示せず)と接続するコネクタ位置まで
夫々絶縁状態で配線されている。このような支持体(ハ
)の開口部(12)に沿って、」1記接触部が1乃至複
数設置されている。この設置は、第5図に示すように水
晶板(6)と、支持体0とを、樹脂例えばアクリル系樹
脂接着材により接着したもの一 である。この時、水晶板(6)を全面接着するのではな
く、支持体■に設けられた突起(13)に、水晶板0の
予め定められた位置で当接し、開口部(12)位置にお
いて、プローブ端子部(8)が遊端となる如く接着しで
ある。即ち、各プローブ端子部(8)が、被検査体とな
るICチップ■の電極パッド■配列パターンと対応する
如く設置されている。ここで、上記接触部がICチップ
■の各辺に対応して、夫々別々に形成されていた場合、
支持体0の開口部(12)の各辺に、上記説明した接着
方法により、夫々対応した接触部を接着すれば良い。そ
して、この接着後、水晶板0に形成された導電パターン
■と、支持体0の導電線(14)とをワイヤーボンディ
ング法により、例えば金線(15)で電気的導通状態と
して接続する。このようにしてプローブカードΩ)が構
成されている。
」二連したプローブカード(イ)の接触部は、例えば次
のようにして製造することができる。
のようにして製造することができる。
まず、例えば厚さ方向を結晶軸のZ方向とされ、鏡面仕
上げされた厚さ例えば100卯程度の水晶板(へ)を所
定の位置に設置する。
上げされた厚さ例えば100卯程度の水晶板(へ)を所
定の位置に設置する。
次に、水晶板■の両面同時に、下地膜として水晶となじ
み易い金属例えばクロムを厚さ例えば500人程鹿のス
パッタし、クロム層(9)を形成する。
み易い金属例えばクロムを厚さ例えば500人程鹿のス
パッタし、クロム層(9)を形成する。
さらに下地膜として、両面のクロム層(9)上へ同時に
、クロムとなしみ易い金属例えば金を厚さ例えば500
人程人程パッタし、金層(10)を形成する。
、クロムとなしみ易い金属例えば金を厚さ例えば500
人程人程パッタし、金層(10)を形成する。
そして、金層(10)上に金を電解メツキし所定の全膜
厚を得た後両面にレジストを塗布し、露光および現像に
より、不要な部分のレジスト、即ち、導電パターン■お
よびプローブ端子部(8)を形成する以外の位置のレジ
ストを除去する。
厚を得た後両面にレジストを塗布し、露光および現像に
より、不要な部分のレジスト、即ち、導電パターン■お
よびプローブ端子部(8)を形成する以外の位置のレジ
ストを除去する。
この後、露出した金層(10)およびこの金層(10)
位置に対応するクロム層(9)を、除去するため例えば
ウェットエツチングを行なう。このことにより、所望す
る導電パターンωおよびプローブ端子部(8)を形成す
るための下地膜が、夫々絶縁状態で水晶板(6)」二に
形成される。
位置に対応するクロム層(9)を、除去するため例えば
ウェットエツチングを行なう。このことにより、所望す
る導電パターンωおよびプローブ端子部(8)を形成す
るための下地膜が、夫々絶縁状態で水晶板(6)」二に
形成される。
そして、下地膜上にマスクとして形成されているレジス
トを除去した後、下地膜および水晶板(へ)の露出して
いる部分、即ち、−面にレジストを塗布する。その後露
光および現像により、プローブ端子部(8)のみの、下
地膜が形成されていない部分のレジストを除去する。
トを除去した後、下地膜および水晶板(へ)の露出して
いる部分、即ち、−面にレジストを塗布する。その後露
光および現像により、プローブ端子部(8)のみの、下
地膜が形成されていない部分のレジストを除去する。
この状態で、プローブ端子部(8)において露出してい
る水晶板0を、例えば弗化アンモニウム等の腐蝕液によ
りウェットエツチングを行なう。この時、下地膜および
プローブ端子部(8)以外の水晶板■は、レジストがマ
スクとなってエツチングは行なわれない。
る水晶板0を、例えば弗化アンモニウム等の腐蝕液によ
りウェットエツチングを行なう。この時、下地膜および
プローブ端子部(8)以外の水晶板■は、レジストがマ
スクとなってエツチングは行なわれない。
次に、不用となったレジストをすべて除去する。
この後、下地膜上に電解メツキにより電気良導体の金属
、例えば金又は銀又は銅を厚さ例えば5ρ程度形成する
。このことにより、下地膜上に導電パターン■およびプ
ローブ端子部(8)が形成される。
、例えば金又は銀又は銅を厚さ例えば5ρ程度形成する
。このことにより、下地膜上に導電パターン■およびプ
ローブ端子部(8)が形成される。
又、上記導電パターン■およびプローブ端子部(8)と
なる金属に、銀又は銅を使用する場合、銀又は銅層の酸
化を防止するために、酸化防止金属として例えば金層を
電解メツキにより厚さ例えば2μm程度形成しても良い
。
なる金属に、銀又は銅を使用する場合、銀又は銅層の酸
化を防止するために、酸化防止金属として例えば金層を
電解メツキにより厚さ例えば2μm程度形成しても良い
。
」1記のようにして形成された接触部を設置したプロー
ブカード(イ)を、ウェハ(1)の検査装置であるウエ
ハプローバに配置しウェハ(1)に形成されたICチッ
プ■の検査を行なう。次に、検査における動作作用を説
明する。
ブカード(イ)を、ウェハ(1)の検査装置であるウエ
ハプローバに配置しウェハ(1)に形成されたICチッ
プ■の検査を行なう。次に、検査における動作作用を説
明する。
まず、被検査体例えばウェハ(1)をプローブカード(
イ)設置対向位置に設定する。ここで、ウェハ(1)と
プローブカードG)とを相対的に近接する如く移動例え
ばウェハ(1)を上昇して、プローブカード0)のプロ
ーブ端子部(8)とウェハ(1)に形成されたICチッ
プ■の電極パッド(3)を当接させる。そして、さらに
ウェハ(1)を上昇し、即ち、オーバードライブを所定
量かける。このオーバードライブにより、プローブ端子
部(8)とICチップ■の電極パッド(3)とを正確に
接続する。この時、保護のため、プローブ端子部(8)
が設置されている水晶板(0の弾性力により、プローブ
端子部(8)がやや上方向に押し上げられる。ここで、
上記オーバードライブの移動量は、水晶板(へ)に、両
面から応力がかけられてぃるため、水晶板0自体の反撲
力が強く、少しの移動量のみで良い。又、このような接
続状態で、ICチップ■の入力電極にテスタから出力さ
れたテスト信号をプローブ端子部(8)より印加し、I
Cチップ■の出力電極に発生する電気的信号を他のプロ
ーブ端子部(8)からテスタに出力し、ICチップ(2
)の検査を行なう。この検査終了後、ウェハ■を所定量
だけ下降する。このことにより、プローブ端子部(8)
と電極パッド■は非接触状態となる。この時プローブ端
子部(8)は、水晶板0の反力により、所定の元の状態
に復帰する。
イ)設置対向位置に設定する。ここで、ウェハ(1)と
プローブカードG)とを相対的に近接する如く移動例え
ばウェハ(1)を上昇して、プローブカード0)のプロ
ーブ端子部(8)とウェハ(1)に形成されたICチッ
プ■の電極パッド(3)を当接させる。そして、さらに
ウェハ(1)を上昇し、即ち、オーバードライブを所定
量かける。このオーバードライブにより、プローブ端子
部(8)とICチップ■の電極パッド(3)とを正確に
接続する。この時、保護のため、プローブ端子部(8)
が設置されている水晶板(0の弾性力により、プローブ
端子部(8)がやや上方向に押し上げられる。ここで、
上記オーバードライブの移動量は、水晶板(へ)に、両
面から応力がかけられてぃるため、水晶板0自体の反撲
力が強く、少しの移動量のみで良い。又、このような接
続状態で、ICチップ■の入力電極にテスタから出力さ
れたテスト信号をプローブ端子部(8)より印加し、I
Cチップ■の出力電極に発生する電気的信号を他のプロ
ーブ端子部(8)からテスタに出力し、ICチップ(2
)の検査を行なう。この検査終了後、ウェハ■を所定量
だけ下降する。このことにより、プローブ端子部(8)
と電極パッド■は非接触状態となる。この時プローブ端
子部(8)は、水晶板0の反力により、所定の元の状態
に復帰する。
上述したようにこの実施例によれば、被検査体の電極列
に対応した導電線が夫々絶縁されて形成された絶縁体と
、この絶縁体の裏面に上記導電線の形成により絶縁体に
及ぼす力と対応する力を加えたプローブカードを具備し
、上記被検査体の電極列に上記感電線を電気的に接触さ
せ検査を行なうことにより、超微細化された被検査体の
電極列に対応してプローブカードにプローブ端子を精度
良く配列でき、又、被検査体の検査を正確に行なえる効
果がある。
に対応した導電線が夫々絶縁されて形成された絶縁体と
、この絶縁体の裏面に上記導電線の形成により絶縁体に
及ぼす力と対応する力を加えたプローブカードを具備し
、上記被検査体の電極列に上記感電線を電気的に接触さ
せ検査を行なうことにより、超微細化された被検査体の
電極列に対応してプローブカードにプローブ端子を精度
良く配列でき、又、被検査体の検査を正確に行なえる効
果がある。
さらに、水晶板の両面に導電パターンを形成したことに
より、導電パターンの形成により水晶板の両面に同じ応
力が加わる。すると水晶板の反撲力が強くなる。反撲力
が強くなると、検査時に、電気的接触をとるためのオー
バードライブ量が少なくてすむ。すると、オーバードラ
イブに費される時間が少なくてすみ、検査時間を短縮す
ることができる。
より、導電パターンの形成により水晶板の両面に同じ応
力が加わる。すると水晶板の反撲力が強くなる。反撲力
が強くなると、検査時に、電気的接触をとるためのオー
バードライブ量が少なくてすむ。すると、オーバードラ
イブに費される時間が少なくてすみ、検査時間を短縮す
ることができる。
この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、被
検査体は半導体ウェハでなくとも、液晶テレビなどの画
像表示装置等に用いられるLCD基板の検査に用いても
同様な効果が得られる。
検査体は半導体ウェハでなくとも、液晶テレビなどの画
像表示装置等に用いられるLCD基板の検査に用いても
同様な効果が得られる。
又、上記実施例では、導電パターンの形成により水晶板
に加わる応力で水晶板の反り等の変形が発生し、この変
形を防止するため、水晶板の両面に同じ導電パターンを
形成したものについて説明したが、これに限定するもの
ではなく、検査に用いられる導電パターンから水晶板に
加わるカと対応する如く、水晶板の裏面に力を加えられ
るものなら何れでも良い。さらに導電パターンを形成す
る絶縁体は、水晶板でなくとも、弾性変形可能なものな
ら何れでも良い。
に加わる応力で水晶板の反り等の変形が発生し、この変
形を防止するため、水晶板の両面に同じ導電パターンを
形成したものについて説明したが、これに限定するもの
ではなく、検査に用いられる導電パターンから水晶板に
加わるカと対応する如く、水晶板の裏面に力を加えられ
るものなら何れでも良い。さらに導電パターンを形成す
る絶縁体は、水晶板でなくとも、弾性変形可能なものな
ら何れでも良い。
第1図は本発明プローブ装置の一実施例を説明するため
のプローブ装置に設置されるプローブカードの構成図、
第2図は第1図プローブカードの接触部の断面図、第3
図は第1図プローブカードの接触部の平面図、第4図は
第3図接触部の先端説明図、第5図は第1図プローブカ
ードの平面図である。 4・・プローブカード 5・・・支持体6・・・水晶
板 7・・・導電パターン8・・プローブ端
子部
のプローブ装置に設置されるプローブカードの構成図、
第2図は第1図プローブカードの接触部の断面図、第3
図は第1図プローブカードの接触部の平面図、第4図は
第3図接触部の先端説明図、第5図は第1図プローブカ
ードの平面図である。 4・・プローブカード 5・・・支持体6・・・水晶
板 7・・・導電パターン8・・プローブ端
子部
Claims (1)
- 被検査体の電極列に対応した導電線が夫々絶縁されて形
成された絶縁体と、この絶縁体の裏面に上記導電線の形
成により絶縁体に及ぼす力と対応する力を加えたプロー
ブカードを具備し、上記被検査体の電極列に上記導電線
を電気的に接触させ検査を行なうことを特徴とするプロ
ーブ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63203458A JP2544186B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | プロ―ブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63203458A JP2544186B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | プロ―ブ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0252257A true JPH0252257A (ja) | 1990-02-21 |
JP2544186B2 JP2544186B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16474459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63203458A Expired - Lifetime JP2544186B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | プロ―ブ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2544186B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03115866U (ja) * | 1990-03-14 | 1991-12-02 | ||
US5424159A (en) * | 1992-08-13 | 1995-06-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290144A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Yokogawa Electric Corp | 半導体ウエ−ハ用プロ−ブ装置 |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP63203458A patent/JP2544186B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290144A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Yokogawa Electric Corp | 半導体ウエ−ハ用プロ−ブ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03115866U (ja) * | 1990-03-14 | 1991-12-02 | ||
US5424159A (en) * | 1992-08-13 | 1995-06-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2544186B2 (ja) | 1996-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005300545A5 (ja) | ||
KR100980369B1 (ko) | 프로브 카드의 프로브 니들 구조체와 그 제조 방법 | |
JP2006118945A (ja) | 薄膜プローブシートおよび半導体チップ検査装置 | |
JPH077052A (ja) | 電気特性測定用プローブ | |
JPH0252257A (ja) | プローブ装置 | |
JP2559242B2 (ja) | プローブカード | |
KR101399542B1 (ko) | 프로브 카드 | |
JP3204146B2 (ja) | コンタクトプローブおよびその製造方法、並びにコンタクトプローブを備えたプローブ装置 | |
JPH09199552A (ja) | 微細構造の接触部を有する回路素子のための測定用プローバ | |
JPH10185951A (ja) | コンタクトプローブおよびそれを備えたプローブ装置並びにコンタクトプローブの製造方法 | |
JP2558825B2 (ja) | プローブ装置 | |
JP2634060B2 (ja) | プローブ装置 | |
JPH02118458A (ja) | プローブ装置 | |
JPH09159694A (ja) | Lsiテストプローブ装置 | |
JP5126009B2 (ja) | 試験方法、試験装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPH08111438A (ja) | 集積回路素子用プローバ | |
JP2003329734A (ja) | 検査装置及び検査部材とその製造方法 | |
JPH0244747A (ja) | 検査装置 | |
JP3446636B2 (ja) | コンタクトプローブ及びプローブ装置 | |
JP4185225B2 (ja) | コンタクトプローブの検査装置 | |
JPH11121553A (ja) | ウェハ一括型測定検査のためプローブカードおよびそのプローブカードを用いた半導体装置の検査方法 | |
JPH0833415B2 (ja) | プローブカード | |
JPH09243663A (ja) | コンタクトプローブ | |
JPH085663A (ja) | 集積回路素子用プローバ | |
JPH0221270A (ja) | プローブ装置 |