JP2784111B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2784111B2 JP2784111B2 JP3310664A JP31066491A JP2784111B2 JP 2784111 B2 JP2784111 B2 JP 2784111B2 JP 3310664 A JP3310664 A JP 3310664A JP 31066491 A JP31066491 A JP 31066491A JP 2784111 B2 JP2784111 B2 JP 2784111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- layer
- field
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ、電子ス
チルカメラなどに用いられる２次元固体撮像素子や、フ
ァクシミリ、電子黒板などに用いられる１次元固体撮像
素子の製造方法に関するものである。
チルカメラなどに用いられる２次元固体撮像素子や、フ
ァクシミリ、電子黒板などに用いられる１次元固体撮像
素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、２次元固体撮像素子は、図４に
示すように、垂直ＣＣＤ部４０と水平ＣＣＤ部４１とが
配置され、水平ＣＣＤ部の最終段には、出力ゲート４２
とリセットゲート４３とに挟まれたフローティング拡散
層４４が介在している。このフローティング拡散層は出
力トランジスタのゲートに接続されている。また、４５
はリセット・ドレインである。
示すように、垂直ＣＣＤ部４０と水平ＣＣＤ部４１とが
配置され、水平ＣＣＤ部の最終段には、出力ゲート４２
とリセットゲート４３とに挟まれたフローティング拡散
層４４が介在している。このフローティング拡散層は出
力トランジスタのゲートに接続されている。また、４５
はリセット・ドレインである。
【０００３】図３は、図４におけるＡ−Ａ′部の製造工
程断面図である。
程断面図である。
【０００４】（ａ） Ｎ型Ｓｉ基板３０に形成されたＰ
ウェル３１の表面を酸化し、ＳｉＯ2膜３２を形成し、
その後ＳｉＮ膜３３を堆積し、パターニング後、フィー
ルドイオン注入する。
ウェル３１の表面を酸化し、ＳｉＯ2膜３２を形成し、
その後ＳｉＮ膜３３を堆積し、パターニング後、フィー
ルドイオン注入する。
【０００５】（ｂ） ロコス酸化を行い、フィールドＳ
ｉＯ2膜３４を形成する。３５はフィールドイオン注入
Ｐ+層（チャネルストップ領域）である。その後、Ｓｉ
Ｎ膜３３、ＳｉＯ2膜３２を除去する。
ｉＯ2膜３４を形成する。３５はフィールドイオン注入
Ｐ+層（チャネルストップ領域）である。その後、Ｓｉ
Ｎ膜３３、ＳｉＯ2膜３２を除去する。
【０００６】（ｃ） Ｎ+イオン注入等によりフローテ
ィングＮ+拡散層３６を形成する。
ィングＮ+拡散層３６を形成する。
【０００７】（ｄ） 酸化、コンタクト開口後、メタル
配線３７を形成する。
配線３７を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方法で作成された固体撮像素子には以下に示す
ような問題点があった。
来の製造方法で作成された固体撮像素子には以下に示す
ような問題点があった。
【０００９】（１） フィールドＳｉＯ2膜下のフィー
ルドイオン注入Ｐ+層３５とフローティングＮ+拡散層３
６とが接するため、接合容量が大きくなる。
ルドイオン注入Ｐ+層３５とフローティングＮ+拡散層３
６とが接するため、接合容量が大きくなる。
【００１０】（２） コンタクト回りのマージンを取る
必要上、フローティングＮ+拡散層３６の面積を小さく
できないため、Ｎ+拡散層３６とＰウェル３１の底面容
量が大きくなる。
必要上、フローティングＮ+拡散層３６の面積を小さく
できないため、Ｎ+拡散層３６とＰウェル３１の底面容
量が大きくなる。
【００１１】（３） フィールドイオン注入Ｐ+層３５
とフローティングＮ+拡散層３６が接するため、耐圧が
低い。出力トランジスタ等の耐圧も低下する。
とフローティングＮ+拡散層３６が接するため、耐圧が
低い。出力トランジスタ等の耐圧も低下する。
【００１２】本発明は、特別の工程を設けることなく、
検出容量を小さくし、且つ耐圧を向上させる方法を提供
するものである。
検出容量を小さくし、且つ耐圧を向上させる方法を提供
するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１導電型領域の表面に
形成された第２導電型層から成るフローティング拡散層
を含む電荷検出部を有する固体撮像素子の製造方法であ
って、フィールド酸化膜をマスクとして第２導電型不純
物イオン注入を行うことにより上記フローティング拡散
層を形成する工程を有する固体撮像素子の製造方法にお
いて、上記フィールド酸化膜の形成後、上記フローティ
ング拡散層の形成前に、上記フィールド酸化膜下にフィ
ールドイオン注入層が形成される条件で、第１導電型不
純物イオン注入を行うことにより、上記フィールド酸化
膜下及び上記フローティング拡散層形成領域の下方の深
部にわたって連続的に形成されるフィールドイオン注入
層を形成する工程を設ける。
形成された第２導電型層から成るフローティング拡散層
を含む電荷検出部を有する固体撮像素子の製造方法であ
って、フィールド酸化膜をマスクとして第２導電型不純
物イオン注入を行うことにより上記フローティング拡散
層を形成する工程を有する固体撮像素子の製造方法にお
いて、上記フィールド酸化膜の形成後、上記フローティ
ング拡散層の形成前に、上記フィールド酸化膜下にフィ
ールドイオン注入層が形成される条件で、第１導電型不
純物イオン注入を行うことにより、上記フィールド酸化
膜下及び上記フローティング拡散層形成領域の下方の深
部にわたって連続的に形成されるフィールドイオン注入
層を形成する工程を設ける。
【００１４】
【作用】フィールド酸化膜端部におけるＰ+／Ｎ+接触を
避けることができる。
避けることができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１６】図１は、図３に対応する製造工程断面図で
ある。
ある。
【００１７】（ａ） Ｎ型Ｓｉ基板１０に形成されたＰ
ウェル１１の表面を酸化し、ＳｉＯ2膜１２を形成、そ
の後、ＳｉＮ膜１３を堆積し、パターニングを行う。
ウェル１１の表面を酸化し、ＳｉＯ2膜１２を形成、そ
の後、ＳｉＮ膜１３を堆積し、パターニングを行う。
【００１８】（ｂ） ロコス酸化を行い、フィールドＳ
ｉＯ2膜１４を形成後、該フィールドＳｉＯ2膜上から該
ＳｉＯ2膜を通し、該ＳｉＯ2膜下にＰ+注入されるよう
にフィールドイオン注入を行い、フィールドイオン注入
Ｐ+層１５を形成する。フィールドＳｉＯ2膜の無い、フ
ローティングＮ+拡散層となる部分は、深いＰ+層が形成
される。
ｉＯ2膜１４を形成後、該フィールドＳｉＯ2膜上から該
ＳｉＯ2膜を通し、該ＳｉＯ2膜下にＰ+注入されるよう
にフィールドイオン注入を行い、フィールドイオン注入
Ｐ+層１５を形成する。フィールドＳｉＯ2膜の無い、フ
ローティングＮ+拡散層となる部分は、深いＰ+層が形成
される。
【００１９】（ｃ） Ｎ+イオン注入等により、フロー
ティングＮ+拡散層１６を形成する。
ティングＮ+拡散層１６を形成する。
【００２０】（ｄ） 酸化、コンタクト開口後、メタル
配線１７を形成する。
配線１７を形成する。
【００２１】図より明らかな如く、フィールドＳｉＯ2
膜下Ｐ+層とフローティングＮ+拡散層とが接しなくなる
ので、接合容量を小さくできる。また、耐圧が高くな
る。
膜下Ｐ+層とフローティングＮ+拡散層とが接しなくなる
ので、接合容量を小さくできる。また、耐圧が高くな
る。
【００２２】図２は、本発明の他の実施例に係る固体撮
像素子の断面図である。
像素子の断面図である。
【００２３】フローティングＮ+拡散層２６の幅が小さ
くなった場合、コンタクトサイズとＮ+拡散層サイズの
マージンが無くなり、従来の工程では、メタルの配線が
フィールドＳｉＯ2膜端部でＰ+層あるいはＰウェルと直
接接続し、ショートしてしまう。しかし、本発明では、
コンタクトを取るべきＮ+拡散層２６の周囲はＰ+層が無
く、低濃度のＰウェルであるので、薄いＮ-を追加注入
することでショートを防ぐことができるので、Ｎ+拡散
層幅を小さくすることができる。そのため、接合容量を
小さくできる。セルフコンタクト可である。なお、図２
において、２０はＮ型Ｓｉ基板、２１はＰウェル、２４
はフィールドＳｉＯ2膜、２５はフィールドイオン注入
Ｐ+層、２７はメタル配線、２８はＮ-層である。
くなった場合、コンタクトサイズとＮ+拡散層サイズの
マージンが無くなり、従来の工程では、メタルの配線が
フィールドＳｉＯ2膜端部でＰ+層あるいはＰウェルと直
接接続し、ショートしてしまう。しかし、本発明では、
コンタクトを取るべきＮ+拡散層２６の周囲はＰ+層が無
く、低濃度のＰウェルであるので、薄いＮ-を追加注入
することでショートを防ぐことができるので、Ｎ+拡散
層幅を小さくすることができる。そのため、接合容量を
小さくできる。セルフコンタクト可である。なお、図２
において、２０はＮ型Ｓｉ基板、２１はＰウェル、２４
はフィールドＳｉＯ2膜、２５はフィールドイオン注入
Ｐ+層、２７はメタル配線、２８はＮ-層である。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、フローティング拡散層の検出容量を小さくでき、
検出感度の向上とノイズの低減を図ることができる。ま
た、耐圧を高くすることができ、信頼性の向上とノイズ
の低減を図ることができるものである。
れば、フローティング拡散層の検出容量を小さくでき、
検出感度の向上とノイズの低減を図ることができる。ま
た、耐圧を高くすることができ、信頼性の向上とノイズ
の低減を図ることができるものである。
【図１】本発明の一実施例の製造工程断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る固体撮像素子の断面
図である。
図である。
【図３】従来の製造方法の製造工程断面図である。
【図４】固体撮像素子の構成図である。
１０，２０ Ｎ型Ｓｉ基板 １１，２１ Ｐウェル １２ ＳｉＯ2膜 １３ ＳｉＮ膜 １４，２４ フィールドＳｉＯ2膜 １５，２５ フィールドイオン注入Ｐ+層 １６，２６ フローティングＮ+拡散層 １７，２７ メタル配線 ２８ Ｎ-層
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型領域の表面に形成された第２
導電型層から成るフローティング拡散層を含む電荷検出
部を有する固体撮像素子の製造方法であって、フィール
ド酸化膜をマスクとして第２導電型不純物イオン注入を
行うことにより上記フローティング拡散層を形成する工
程を有する固体撮像素子の製造方法において、 上記フィールド酸化膜の形成後、上記フローティング拡
散層の形成前に、上記フィールド酸化膜下にフィールド
イオン注入層が形成される条件で、第１導電型不純物イ
オン注入を行うことにより、上記フィールド酸化膜下及
び上記フローティング拡散層形成領域の下方の深部にわ
たって連続的に形成されるフィールドイオン注入層を形
成する工程を設けたことを特徴とする、固体撮像素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310664A JP2784111B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310664A JP2784111B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152555A JPH05152555A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2784111B2 true JP2784111B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=18007974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3310664A Expired - Fee Related JP2784111B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2784111B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037655A (ko) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| CN111307913A (zh) * | 2020-03-29 | 2020-06-19 | 复旦大学 | 一种无参比电极半导体离子传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169365A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Fujitsu Ltd | Charge detector |
| JP3101519U (ja) * | 2003-07-23 | 2004-06-17 | 有限会社ソレイラスカンパニー | リバーシブル・パンツ（表裏着用可能な下衣） |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP3310664A patent/JP2784111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152555A (ja) | 1993-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8143626B2 (en) | CMOS image sensor having double gate insulator therein | |
| US20030160295A1 (en) | Semiconductor device, image pickup device using the same, and photoelectric conversion device | |
| EP0492144A2 (en) | Charge-coupled device and solid-state imaging device | |
| JP2507557B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2832136B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US5246875A (en) | Method of making charge coupled device image sensor | |
| JP2784111B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| US6583061B2 (en) | Method for creating an anti-blooming structure in a charge coupled device | |
| JP2964571B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6590195B2 (en) | Solid-state image sensor with reduced smear and noise | |
| JP2996567B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3218665B2 (ja) | 電荷転送装置の製造方法 | |
| JP3648518B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2003318383A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2959504B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3384509B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5812477A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2991488B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| JP3176300B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH06224403A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2904068B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08153866A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2001210815A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH05283669A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2768452B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080522 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090522 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |