JPH05283669A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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- JPH05283669A JPH05283669A JP4078062A JP7806292A JPH05283669A JP H05283669 A JPH05283669 A JP H05283669A JP 4078062 A JP4078062 A JP 4078062A JP 7806292 A JP7806292 A JP 7806292A JP H05283669 A JPH05283669 A JP H05283669A
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- Japan
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- transfer gate
- forming
- photodiode
- gate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトダイオードの形成時においてイオンが
フィールドシフトゲートを突き抜けることを防止でき、
ブルーミング発生を抑制することのできる固体撮像装置
の製造方法を提供すること。 【構成】 ｎ型シリコン基板１０上のｐ型ウェル１１に
ＣＣＤチャネル１２を形成したのち、ＣＣＤチャネル１
２及び信号読出し部上に第１の転送ゲート１５を形成
し、次いでＣＣＤチャネル１２及び信号読出し部の転送
ゲート１５上に第２の転送ゲート１７を形成し、次いで
第１のレジストパターン１８を形成した後、このパター
ン１８をマスクに転送ゲート１７，１６を選択エッチン
グし、次いでパターン１８を除去した後、フォトダイオ
ード部形成のための第２のレジストパターン２１を形成
し、次いで信号読出し部上の転送ゲート１５，１７とパ
ターン２１をマスクにイオン注入によりフォトダイオー
ド部２２を形成することを特徴とする。
フィールドシフトゲートを突き抜けることを防止でき、
ブルーミング発生を抑制することのできる固体撮像装置
の製造方法を提供すること。 【構成】 ｎ型シリコン基板１０上のｐ型ウェル１１に
ＣＣＤチャネル１２を形成したのち、ＣＣＤチャネル１
２及び信号読出し部上に第１の転送ゲート１５を形成
し、次いでＣＣＤチャネル１２及び信号読出し部の転送
ゲート１５上に第２の転送ゲート１７を形成し、次いで
第１のレジストパターン１８を形成した後、このパター
ン１８をマスクに転送ゲート１７，１６を選択エッチン
グし、次いでパターン１８を除去した後、フォトダイオ
ード部形成のための第２のレジストパターン２１を形成
し、次いで信号読出し部上の転送ゲート１５，１７とパ
ターン２１をマスクにイオン注入によりフォトダイオー
ド部２２を形成することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に係わ
り、特にＣＣＤ（電荷転送素子）を用いた固体撮像装置
及びその製造方法に関する。
り、特にＣＣＤ（電荷転送素子）を用いた固体撮像装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＣＤを用いた固体撮像装置にお
いては、性能向上とコスト低減のため微細化が進んでい
る。特に、性能向上ということで述べるならば、フォト
ダイオードの表面空乏化によるシリコン・酸化膜界面で
の暗電流ノイズを低減するために、ｐｎ接合からなるフ
ォトダイオードのｎ層の上に、イオン注入によりｐ型の
不純物層を形成している。そして、このｐｎｐ構造によ
り、大幅な暗電流ノイズの低減が可能となっている。
いては、性能向上とコスト低減のため微細化が進んでい
る。特に、性能向上ということで述べるならば、フォト
ダイオードの表面空乏化によるシリコン・酸化膜界面で
の暗電流ノイズを低減するために、ｐｎ接合からなるフ
ォトダイオードのｎ層の上に、イオン注入によりｐ型の
不純物層を形成している。そして、このｐｎｐ構造によ
り、大幅な暗電流ノイズの低減が可能となっている。
【０００３】図６はこの種の固体撮像装置の形成技術を
示しており、特に工程途中のフォトダイオード部の断面
図である。この装置では、まずｎ型基板４０の表面層に
ｐウェル４１，ＣＣＤチャネル４２及びチャネルストッ
プ４３を形成する。次いで、ゲート酸化膜４４上に第１
ポリシリコンからなる転送ゲート４５を形成した後、熱
酸化を行って熱酸化膜４６を形成し、さらに第２ポリシ
リコンからなる転送ゲート４７を形成した後、再び熱酸
化を行い熱酸化膜４８を形成する。
示しており、特に工程途中のフォトダイオード部の断面
図である。この装置では、まずｎ型基板４０の表面層に
ｐウェル４１，ＣＣＤチャネル４２及びチャネルストッ
プ４３を形成する。次いで、ゲート酸化膜４４上に第１
ポリシリコンからなる転送ゲート４５を形成した後、熱
酸化を行って熱酸化膜４６を形成し、さらに第２ポリシ
リコンからなる転送ゲート４７を形成した後、再び熱酸
化を行い熱酸化膜４８を形成する。
【０００４】次いで、レジストパターン５３を形成し、
フォトダイオード５２を形成するため、燐イオンをイオ
ン注入装置で中加速に加速して注入する。その後、レジ
ストパターン５３を除去した後、表面空乏化防止のｐ+
層５４を、ボロンイオンをイオン注入装置で、低加速に
加速して注入する。
フォトダイオード５２を形成するため、燐イオンをイオ
ン注入装置で中加速に加速して注入する。その後、レジ
ストパターン５３を除去した後、表面空乏化防止のｐ+
層５４を、ボロンイオンをイオン注入装置で、低加速に
加速して注入する。
【０００５】この従来技術の問題点として、次のことが
あげられる。即ち、中加速の燐注入の際、第１の転送ゲ
ート４５に対して、セルフアラインになるようにイオン
注入するのであるが、第１の転送ゲート４５のイオン注
入に対するストッピング能力が弱いため、燐イオンの突
き抜けが起こる。このため、第１の転送ゲート４５の下
部５５の電気的ポテンシャルが深くなり、信号電荷読出
し部としてのＭＯＳトランジスタ（フィールドシフトゲ
ート）の特性が劣化し、ブルーミング劣化等が発生す
る。
あげられる。即ち、中加速の燐注入の際、第１の転送ゲ
ート４５に対して、セルフアラインになるようにイオン
注入するのであるが、第１の転送ゲート４５のイオン注
入に対するストッピング能力が弱いため、燐イオンの突
き抜けが起こる。このため、第１の転送ゲート４５の下
部５５の電気的ポテンシャルが深くなり、信号電荷読出
し部としてのＭＯＳトランジスタ（フィールドシフトゲ
ート）の特性が劣化し、ブルーミング劣化等が発生す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、ＣＣ
Ｄを用いた固体撮像装置においては、フィールドシフト
ゲート（フォトダイオードからＣＣＤチャネルに信号電
荷を読出すゲート）に対して、フォトダイオードのｎ型
不純物層形成のためのイオン注入をセルフアラインで行
う際、イオンがフィールドシフトゲートを突き抜け、ブ
ルーミング等の特性劣化を招くという問題があった。
Ｄを用いた固体撮像装置においては、フィールドシフト
ゲート（フォトダイオードからＣＣＤチャネルに信号電
荷を読出すゲート）に対して、フォトダイオードのｎ型
不純物層形成のためのイオン注入をセルフアラインで行
う際、イオンがフィールドシフトゲートを突き抜け、ブ
ルーミング等の特性劣化を招くという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、フォトダイオードの形
成時において注入イオンがフィールドシフトゲートを突
き抜けることを防止でき、ブルーミング発生を抑制する
ことのできる固体撮像装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
ので、その目的とするところは、フォトダイオードの形
成時において注入イオンがフィールドシフトゲートを突
き抜けることを防止でき、ブルーミング発生を抑制する
ことのできる固体撮像装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、フィー
ルドシフトゲートに対するイオンの突き抜けを防止する
ために、第２の転送ゲートのパターンを改良したことに
ある。
ルドシフトゲートに対するイオンの突き抜けを防止する
ために、第２の転送ゲートのパターンを改良したことに
ある。
【０００９】即ち本発明は、半導体基板の表面のＣＣＤ
チャネル上にゲート絶縁膜を介して第１の転送ゲートを
形成すると共に、ＣＣＤチャネル上に一部が第１の転送
ゲートと重なるようにゲート絶縁膜を介して第２の転送
ゲートを形成してなる信号電荷転送部と、この信号電荷
転送部に隣接して形成されたフォトダイオード部とを具
備し、第１の転送ゲートの一部をフォトダイオード部ま
で延在させて信号電荷読出し部として用いた固体撮像装
置において、第２の転送ゲートを、信号電荷読出し部に
おいて第１の転送ゲートを覆うように形成したものであ
る。
チャネル上にゲート絶縁膜を介して第１の転送ゲートを
形成すると共に、ＣＣＤチャネル上に一部が第１の転送
ゲートと重なるようにゲート絶縁膜を介して第２の転送
ゲートを形成してなる信号電荷転送部と、この信号電荷
転送部に隣接して形成されたフォトダイオード部とを具
備し、第１の転送ゲートの一部をフォトダイオード部ま
で延在させて信号電荷読出し部として用いた固体撮像装
置において、第２の転送ゲートを、信号電荷読出し部に
おいて第１の転送ゲートを覆うように形成したものであ
る。
【００１０】また本発明は、上記構成の固体撮像装置の
製造方法において、半導体基板の表面にＣＣＤチャネル
を形成したのち、ＣＣＤチャネル及び信号電荷読出し部
上にゲート絶縁膜を介して第１の転送ゲートを形成し、
次いでＣＣＤチャネル及び信号電荷読出し部の第１の転
送ゲート上にゲート絶縁膜を介して第２の転送ゲートを
形成し、次いでフォトダイオード部形成のための第１の
レジストパターンを形成し、次いで第１のレジストパタ
ーンをマスクに第２及び第１の転送ゲートを選択エッチ
ングし、次いで第１のレジストパターンを除去した後、
フォトダイオード部形成のための第２のレジストパター
ンを形成し、次いで信号電荷読出し部上の第１及び第２
の転送ゲートと第２のレジストパターンをマスクにイオ
ン注入によりフォトダイオード部を形成するようにした
方法である。
製造方法において、半導体基板の表面にＣＣＤチャネル
を形成したのち、ＣＣＤチャネル及び信号電荷読出し部
上にゲート絶縁膜を介して第１の転送ゲートを形成し、
次いでＣＣＤチャネル及び信号電荷読出し部の第１の転
送ゲート上にゲート絶縁膜を介して第２の転送ゲートを
形成し、次いでフォトダイオード部形成のための第１の
レジストパターンを形成し、次いで第１のレジストパタ
ーンをマスクに第２及び第１の転送ゲートを選択エッチ
ングし、次いで第１のレジストパターンを除去した後、
フォトダイオード部形成のための第２のレジストパター
ンを形成し、次いで信号電荷読出し部上の第１及び第２
の転送ゲートと第２のレジストパターンをマスクにイオ
ン注入によりフォトダイオード部を形成するようにした
方法である。
【００１１】
【作用】本発明によれば、フィールドシフトゲート上に
第２の転送ゲートが存在するため、フォトダイオード形
成のためのフィールドシフトゲートに対するセルフアラ
インイオン注入の加速度を上げても、フィールドシフト
ゲートを突き抜けるイオン種の量を少なくすることがで
きる。従って、フィールドシフトゲート下の電気的ポテ
ンシャルが深くなる等の不都合はなく、ブルーミング等
の特性劣化を防止することが可能となる。
第２の転送ゲートが存在するため、フォトダイオード形
成のためのフィールドシフトゲートに対するセルフアラ
インイオン注入の加速度を上げても、フィールドシフト
ゲートを突き抜けるイオン種の量を少なくすることがで
きる。従って、フィールドシフトゲート下の電気的ポテ
ンシャルが深くなる等の不都合はなく、ブルーミング等
の特性劣化を防止することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００１３】図１及び図２は、本発明の第１の実施例に
係わる固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
係わる固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型のシ
リコン基板１０に対して周知の方法にて、ｐウェル１１
及びｎ- 型のＣＣＤ埋込みチャネル１２，及びｐ+ 型の
チャネルストッパ１３を形成する。この状態における平
面図を、図３（ａ）に示す。図１（ａ）は、図３（ａ）
の矢視Ａ−Ａ′断面に相当している。次いで、基板表面
を酸化して膜厚１０〜４０ｎｍの酸化膜１４ａを形成
し、続いてＬＰ−ＣＶＤ法により膜厚１０〜１００ｎｍ
のシリコンナイトライド膜１４ｂを形成し、再び酸化し
て膜厚３〜７ｎｍの酸化膜１４ｃを形成し、所謂ＯＮＯ
構造のゲート絶縁膜１４を形成する。
リコン基板１０に対して周知の方法にて、ｐウェル１１
及びｎ- 型のＣＣＤ埋込みチャネル１２，及びｐ+ 型の
チャネルストッパ１３を形成する。この状態における平
面図を、図３（ａ）に示す。図１（ａ）は、図３（ａ）
の矢視Ａ−Ａ′断面に相当している。次いで、基板表面
を酸化して膜厚１０〜４０ｎｍの酸化膜１４ａを形成
し、続いてＬＰ−ＣＶＤ法により膜厚１０〜１００ｎｍ
のシリコンナイトライド膜１４ｂを形成し、再び酸化し
て膜厚３〜７ｎｍの酸化膜１４ｃを形成し、所謂ＯＮＯ
構造のゲート絶縁膜１４を形成する。
【００１５】次いで、図１（ｂ）に示すように、ゲート
絶縁膜１４上に厚さ１００〜８００ｎｍの第１ポリシリ
コン膜を堆積し、これをパターニングして第１の転送ゲ
ート１５を形成する。この状態における平面図を図３
（ｂ）に示す。続いて、熱酸化により絶縁膜１６を形成
した後、厚さ１００〜８００ｎｍの第２ポリシリコン膜
を堆積し、これをパターニングして第２の転送ゲート１
７を形成する。ここで、フィールドシフトゲート領域で
は、第２ポリシリコン膜を第１ポリシリコン膜上に残し
ておく。図１はフィールドシフトゲートを含む断面図で
あるから、第１ポリシリコン膜はパターニングされない
ように見えている。
絶縁膜１４上に厚さ１００〜８００ｎｍの第１ポリシリ
コン膜を堆積し、これをパターニングして第１の転送ゲ
ート１５を形成する。この状態における平面図を図３
（ｂ）に示す。続いて、熱酸化により絶縁膜１６を形成
した後、厚さ１００〜８００ｎｍの第２ポリシリコン膜
を堆積し、これをパターニングして第２の転送ゲート１
７を形成する。ここで、フィールドシフトゲート領域で
は、第２ポリシリコン膜を第１ポリシリコン膜上に残し
ておく。図１はフィールドシフトゲートを含む断面図で
あるから、第１ポリシリコン膜はパターニングされない
ように見えている。
【００１６】次いで、図１（ｃ）に示すように、フォト
ダイオード部の形成のための第１のレジストパターン１
８を周知のリソグラフィにて形成した後、まず第２の転
送ゲート１７を選択エッチングし、絶縁膜１６を例えば
弗化アンモニウム液でエッチングし、その後に第１の転
送ゲート１５を選択エッチングする。なお、ゲート絶縁
膜１４がＯＮＯ構造になっている一つの理由は、上記弗
化アンモニウム液によるエッチングの際、フォトダイオ
ード部のシリコン基板が、ゲート絶縁膜１４のエッチン
グ消失により露出しないように、シリコンナイトライド
膜１４ｂでカバーする必要があるためである。
ダイオード部の形成のための第１のレジストパターン１
８を周知のリソグラフィにて形成した後、まず第２の転
送ゲート１７を選択エッチングし、絶縁膜１６を例えば
弗化アンモニウム液でエッチングし、その後に第１の転
送ゲート１５を選択エッチングする。なお、ゲート絶縁
膜１４がＯＮＯ構造になっている一つの理由は、上記弗
化アンモニウム液によるエッチングの際、フォトダイオ
ード部のシリコン基板が、ゲート絶縁膜１４のエッチン
グ消失により露出しないように、シリコンナイトライド
膜１４ｂでカバーする必要があるためである。
【００１７】ここで、図１（ｃ）に示す状態における平
面図を図４に示す。信号電荷読出し部において、図４
（ａ）に示すように、第２の転送ゲート１７の一部１７
ａを第１の転送ゲート１５の上に残している。また、図
４（ｂ）に示すように、第２の転送ゲート１７を、信号
読出し部のみならずＣＣＤチャネル１２において第１の
転送ゲート１５上に残すようにしてもよい。また、図５
に示すように、信号電荷読出し部をＣＣＤチャネル間に
設け、第１の転送ゲート１５上に第２の転送ゲート１７
を残すようにしてもよい。
面図を図４に示す。信号電荷読出し部において、図４
（ａ）に示すように、第２の転送ゲート１７の一部１７
ａを第１の転送ゲート１５の上に残している。また、図
４（ｂ）に示すように、第２の転送ゲート１７を、信号
読出し部のみならずＣＣＤチャネル１２において第１の
転送ゲート１５上に残すようにしてもよい。また、図５
に示すように、信号電荷読出し部をＣＣＤチャネル間に
設け、第１の転送ゲート１５上に第２の転送ゲート１７
を残すようにしてもよい。
【００１８】次いで、図２（ａ）に示すように、レジス
トパターン１８を除去した後、転送ゲート１５，１７の
表面を酸化して絶縁膜１９を形成する。次いで、図２
（ｂ）に示すように、フォトダイオードの形成のため、
第２のレジストパターン２１を形成し、例えばイオン種
として、燐イオンを例えば３００〜７００ｋｅＶの加速
度で注入する。この際、レジストパターン２１は信号電
荷読出し側において転送ゲート１５，１７上が露出する
ように形成する。このため、燐イオンはフォトダイオー
ド２２の左側の第１の転送ゲート１５に対してセルフア
ラインで注入される。しかしながら本実施例では、第１
の転送ゲート１５上に第２の転送ゲート１７が存在する
ので、燐イオンの突き抜けが低減できる。
トパターン１８を除去した後、転送ゲート１５，１７の
表面を酸化して絶縁膜１９を形成する。次いで、図２
（ｂ）に示すように、フォトダイオードの形成のため、
第２のレジストパターン２１を形成し、例えばイオン種
として、燐イオンを例えば３００〜７００ｋｅＶの加速
度で注入する。この際、レジストパターン２１は信号電
荷読出し側において転送ゲート１５，１７上が露出する
ように形成する。このため、燐イオンはフォトダイオー
ド２２の左側の第１の転送ゲート１５に対してセルフア
ラインで注入される。しかしながら本実施例では、第１
の転送ゲート１５上に第２の転送ゲート１７が存在する
ので、燐イオンの突き抜けが低減できる。
【００１９】次いで、図２（ｃ）に示すように、レジス
トパターン２１を除去した後、第３のレジストパターン
２３を形成し、フォトダイオード２２の表面の空乏化に
よる暗電流低減のため、例えばボロンイオンを４０〜５
０ｋｅＶの低加速度で注入して、ｐ+ 型の不純物層２４
を形成する。
トパターン２１を除去した後、第３のレジストパターン
２３を形成し、フォトダイオード２２の表面の空乏化に
よる暗電流低減のため、例えばボロンイオンを４０〜５
０ｋｅＶの低加速度で注入して、ｐ+ 型の不純物層２４
を形成する。
【００２０】かくして製造された固体撮像装置において
は、フォトダイオード形成の際に燐のイオン注入を行う
が、このとき信号読出し部において、第１の転送ゲート
１５上に第２の転送ゲート１７が存在しているので、燐
イオンがこれらのゲートを突き抜けて基板表面に達する
ことは極めて少ない。従って、ブルーミングの発生を未
然に防止することができる。また、従来方法に比して、
第２の転送ゲート１７のパターンを変えるのみでよいの
で、製造工程の複雑化を招くこともない。
は、フォトダイオード形成の際に燐のイオン注入を行う
が、このとき信号読出し部において、第１の転送ゲート
１５上に第２の転送ゲート１７が存在しているので、燐
イオンがこれらのゲートを突き抜けて基板表面に達する
ことは極めて少ない。従って、ブルーミングの発生を未
然に防止することができる。また、従来方法に比して、
第２の転送ゲート１７のパターンを変えるのみでよいの
で、製造工程の複雑化を招くこともない。
【００２１】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、第１及び第２の転送ゲ
ートの材料としてポリシリコン膜を用いたが、導電材料
であれば用いることができる。また、信号電荷読出し部
において第１の転送ゲート上に残す第２の転送ゲートの
パターンは図４及び図５に限定されるものではなく、第
２のレジストパターンを形成した際に、フォトダイオー
ド側に露出する第１の転送ゲート上を覆う形状であれば
よい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。
れるものではない。実施例では、第１及び第２の転送ゲ
ートの材料としてポリシリコン膜を用いたが、導電材料
であれば用いることができる。また、信号電荷読出し部
において第１の転送ゲート上に残す第２の転送ゲートの
パターンは図４及び図５に限定されるものではなく、第
２のレジストパターンを形成した際に、フォトダイオー
ド側に露出する第１の転送ゲート上を覆う形状であれば
よい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、フ
ォトダイオードの形成のために、第１の転送ゲートに対
してセルフアラインでイオン注入を行うイオン種が、第
１の転送ゲートを突き抜けることがなくなり、ブルーミ
ングの劣化等を防止することが可能となる。
ォトダイオードの形成のために、第１の転送ゲートに対
してセルフアラインでイオン注入を行うイオン種が、第
１の転送ゲートを突き抜けることがなくなり、ブルーミ
ングの劣化等を防止することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係わる固体撮像装置の製造
工程の前半を示す断面図、
工程の前半を示す断面図、
【図２】本発明の一実施例に係わる固体撮像装置の製造
工程の後半を示す断面図、
工程の後半を示す断面図、
【図３】図１（ａ）（ｂ）に示す状態を示す平面図、
【図４】図１（ｃ）に示す工程におけるゲートパターン
を示す平面図、
を示す平面図、
【図５】図１（ｃ）に示す工程におけるゲートパターン
を示す平面図、
を示す平面図、
【図６】従来の固体撮像装置の製造工程の主要部を示す
断面図。
断面図。
１０…ｎ型シリコン基板、 １１…ｐウェル、 １２…ｎ- 型ＣＣＤ埋込みチャネル、 １３…ｐ+ 型チャネルストッパ、 １４…ゲート絶縁膜、 １５…第１の転送ゲート、 １７…第２の転送ゲート、 １６，１９…絶縁膜、 １８，２１，２３…レジストパターン、 ２２…ｎ+ 型不純物層（フォトダイオード部）、 ２４…ｐ+ 型不純物層。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板の表面のＣＣＤチャネル上にゲ
ート絶縁膜を介して第１の転送ゲートを形成すると共
に、ＣＣＤチャネル上に一部が第１の転送ゲートと重な
るようにゲート絶縁膜を介して第２の転送ゲートを形成
してなる信号電荷転送部と、この信号電荷転送部に隣接
して形成されたフォトダイオード部とを具備し、第１の
転送ゲートの一部をフォトダイオード部まで延在させて
信号電荷読出し部として用いた固体撮像装置において、 第２の転送ゲートは、前記信号電荷読出し部において第
１の転送ゲートを覆うよう形成されていることを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項２】半導体基板の表面にマトリックス配置され
たフォトダイオード部，フォトダイオード部からの信号
電荷を読出す信号電荷読出し部，及び読出された信号電
荷を転送する信号電荷転送部を備えた固体撮像装置の製
造方法において、 半導体基板の表面にＣＣＤチャネルを形成する工程と、
前記ＣＣＤチャネル及び信号電荷読出し部上にゲート絶
縁膜を介して第１の転送ゲートを形成する工程と、前記
ＣＣＤチャネル及び信号電荷読出し部の第１の転送ゲー
ト上にゲート絶縁膜を介して第２の転送ゲートを形成す
る工程と、次いでフォトダイオード部形成のための第１
のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジスト
パターンをマスクに第２及び第１の転送ゲートを選択エ
ッチングする工程と、第１のレジストパターンを除去し
た後、フォトダイオード部形成のための第２のレジスト
パターンを形成する工程と、前記信号読出し部上の第１
及び第２の転送ゲートと第２のレジストパターンをマス
クにイオン注入によりフォトダイオード部を形成する工
程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4078062A JPH05283669A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4078062A JPH05283669A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283669A true JPH05283669A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13651368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4078062A Pending JPH05283669A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010001327A (ko) * | 1999-06-03 | 2001-01-05 | 김영환 | 전하 결합 소자 |
| JP2006086527A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサおよびその形成方法 |
| KR101484345B1 (ko) * | 2007-09-25 | 2015-01-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
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1992
- 1992-03-31 JP JP4078062A patent/JPH05283669A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010001327A (ko) * | 1999-06-03 | 2001-01-05 | 김영환 | 전하 결합 소자 |
| JP2006086527A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサおよびその形成方法 |
| KR101484345B1 (ko) * | 2007-09-25 | 2015-01-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
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