JP2600213B2 - レジストパターン形成法 - Google Patents
レジストパターン形成法Info
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- JP2600213B2 JP2600213B2 JP62272537A JP27253787A JP2600213B2 JP 2600213 B2 JP2600213 B2 JP 2600213B2 JP 62272537 A JP62272537 A JP 62272537A JP 27253787 A JP27253787 A JP 27253787A JP 2600213 B2 JP2600213 B2 JP 2600213B2
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- pattern
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置等の製造に用いられるレジス
トパターン形成法の改良に関するものである。
トパターン形成法の改良に関するものである。
［発明の概要］ この発明は、Al又はAl合金層上に形成されたAl酸化膜
をTMAH（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキ
サイド）系現像液により除去した後その除去面に所望の
レジストパターンを形成することによりレジストパター
ンの密着性を改善したものである。
をTMAH（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキ
サイド）系現像液により除去した後その除去面に所望の
レジストパターンを形成することによりレジストパター
ンの密着性を改善したものである。
［従来の技術］ 従来、Al又はAl合金層上にレジストパターンを形成す
る方法としては、第７図乃至第10図に示すようなものが
提案されている。
る方法としては、第７図乃至第10図に示すようなものが
提案されている。
第７図の工程では、シリコン等の半導体基板10の表面
にシリコンオキサイド等の絶縁膜12を介してAl又は合金
層14を形成した後、周知の方法によりホトレジストを塗
布、ベーク、露光、現像、ベークしてホトレジストパタ
ーン16を形成する。この場合、ホトレジストパターン16
が下地パターンと重ね合せがずれていたり、ホトレジス
ト線幅が太すぎ又は細すぎたりしたときは、ホトレジス
トパターン形成をやり直すべく第８図以下の工程に移
る。
にシリコンオキサイド等の絶縁膜12を介してAl又は合金
層14を形成した後、周知の方法によりホトレジストを塗
布、ベーク、露光、現像、ベークしてホトレジストパタ
ーン16を形成する。この場合、ホトレジストパターン16
が下地パターンと重ね合せがずれていたり、ホトレジス
ト線幅が太すぎ又は細すぎたりしたときは、ホトレジス
トパターン形成をやり直すべく第８図以下の工程に移
る。
第８図の工程では、ホトレジストパターン16を除去す
べく酸素プラズマ18によりホトレジストを灰化し、この
後第９図の工程では灰化レジストを除去する。このよう
にすると、ホトレジスト灰化の過程において、第９図に
示すようにAl又はAl合金層14の表面にAl酸化膜20が形成
される。
べく酸素プラズマ18によりホトレジストを灰化し、この
後第９図の工程では灰化レジストを除去する。このよう
にすると、ホトレジスト灰化の過程において、第９図に
示すようにAl又はAl合金層14の表面にAl酸化膜20が形成
される。
この後、第10図の工程では、Al又はAl合金層14の上面
に新たなホトレジストパターン22を形成する。
に新たなホトレジストパターン22を形成する。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記した従来法によると、第10図のホトレジストパタ
ーン形成工程において、Al酸化膜20の存在のため塗布し
たホトレジストのAl又はAl合金層14に対する密着性が良
好でなく、特に現像中に微細パターンほどはがれやすい
という問題点があった。
ーン形成工程において、Al酸化膜20の存在のため塗布し
たホトレジストのAl又はAl合金層14に対する密着性が良
好でなく、特に現像中に微細パターンほどはがれやすい
という問題点があった。
このような問題点を解決するためいくつかの方法が考
えられた。第１の方法は、ホトレジスト塗布前に希フッ
酸によりAl酸化膜20を除去するものであり、第２の方法
は、酸化プラズマに代えてレジスト剥離液を用いてホト
レジストパターン16を除去するものであった。
えられた。第１の方法は、ホトレジスト塗布前に希フッ
酸によりAl酸化膜20を除去するものであり、第２の方法
は、酸化プラズマに代えてレジスト剥離液を用いてホト
レジストパターン16を除去するものであった。
しかしながら、第１の方法によると、希フッ酸により
Al又はAl合金層14の表面が荒れてしまい、露光機での重
ね合せ精度が低下する不都合があった。また、第２の方
法によると、Al酸化膜は形成されないが、自動化と廃液
処理が困難で、スループットが低く、特に耐熱性向上の
ために現像後に遠視外線照射を行なったホトレジストは
十分に剥離できない不都合があった。
Al又はAl合金層14の表面が荒れてしまい、露光機での重
ね合せ精度が低下する不都合があった。また、第２の方
法によると、Al酸化膜は形成されないが、自動化と廃液
処理が困難で、スループットが低く、特に耐熱性向上の
ために現像後に遠視外線照射を行なったホトレジストは
十分に剥離できない不都合があった。
［問題点を解決するための手段］ この発明の目的は、上記のような不都合のないレジス
トパターン形成法を提供することにある。
トパターン形成法を提供することにある。
この発明のレジストパターン形成法は、TMAH（テトラ
・メチル・アモニウム・ハイドロオキサイド）系現像液
によりAl酸化膜を除去した後その除去面に所望のレジス
トパターンを形成することを特徴とするものである。
・メチル・アモニウム・ハイドロオキサイド）系現像液
によりAl酸化膜を除去した後その除去面に所望のレジス
トパターンを形成することを特徴とするものである。
［作 用］ この発明のレジストパターン形成法によると、TMAH系
現像液を用いてAl酸化膜を除去するようにしたので、レ
ジストパターンのAl又はAl合金層に対する密着性は大幅
に改善され、現像中に微細パターンがはがれるような事
態を回避することができる。また、希フッ酸を用いた場
合のようにAl又はAl合金層の表面が荒らされることもな
いので、露光機での重ね合せ精度が低下しない。さら
に、酸素プラズマによるレジスト除去が可能なので、高
スループットを維持できる利点もある。
現像液を用いてAl酸化膜を除去するようにしたので、レ
ジストパターンのAl又はAl合金層に対する密着性は大幅
に改善され、現像中に微細パターンがはがれるような事
態を回避することができる。また、希フッ酸を用いた場
合のようにAl又はAl合金層の表面が荒らされることもな
いので、露光機での重ね合せ精度が低下しない。さら
に、酸素プラズマによるレジスト除去が可能なので、高
スループットを維持できる利点もある。
［実施例］ 第１図乃至第６図は、この発明のレジストパターン形
成法の一実施例を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（６）を順次に説明する。
成法の一実施例を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（６）を順次に説明する。
（１）先に第７図について述べたと同様にして半導体基
板10上に絶縁膜12、Al又はAl合金層14及びホトレジスト
パターン16を順次に形成する。
板10上に絶縁膜12、Al又はAl合金層14及びホトレジスト
パターン16を順次に形成する。
（２）次に、酸素プラズマ18によりホトレジストパター
ン16を灰化する。
ン16を灰化する。
（３）そして、灰化したホトレジストを除去する。この
結果、Al又はAl合金層14の表面には、ホトレジスト灰化
の過程で生成したAl酸化膜20が残される。
結果、Al又はAl合金層14の表面には、ホトレジスト灰化
の過程で生成したAl酸化膜20が残される。
（４）基板上面にTMAH系現像液24を適当な方法で被着す
る。この結果、Al酸化膜20がきれいに除去され、Al又は
Al合金層14の表面が荒らされるようなことはない。
る。この結果、Al酸化膜20がきれいに除去され、Al又は
Al合金層14の表面が荒らされるようなことはない。
（５）純水によりAl又はAl合金層14の表面をリンス（洗
浄）する。
浄）する。
（６）この後、ホットプレート型オーブン等によりベー
ク処理を行なってから、基板上面にホトレジストを塗布
する。そして、ベーク処理によりホトレジスト中の溶剤
を蒸発させた後、露光機を用いてホトマスクから所望の
パターンのホトレジストに転写し、しかる後現像を行な
う。この後、純粋によるリンス、ベース処理等を適宜実
施する。この結果、第６図に示すようにホトレジストパ
ターン22が得られる。
ク処理を行なってから、基板上面にホトレジストを塗布
する。そして、ベーク処理によりホトレジスト中の溶剤
を蒸発させた後、露光機を用いてホトマスクから所望の
パターンのホトレジストに転写し、しかる後現像を行な
う。この後、純粋によるリンス、ベース処理等を適宜実
施する。この結果、第６図に示すようにホトレジストパ
ターン22が得られる。
上記した一連の処理工程は、自動現像装置等を用いて
自動化することができる。
自動化することができる。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、レジストパターン
のAl又はAl合金層に対する密着性が改善されるので、微
細なパターン形成が可能となる効果が得られるものであ
る。その上、露光機での重ね合せ精度が低下しないこ
と、自動現像装置の使用により高スループットを維持で
きることなどから製造歩留りや作業効率が向上する効果
も得られる。
のAl又はAl合金層に対する密着性が改善されるので、微
細なパターン形成が可能となる効果が得られるものであ
る。その上、露光機での重ね合せ精度が低下しないこ
と、自動現像装置の使用により高スループットを維持で
きることなどから製造歩留りや作業効率が向上する効果
も得られる。
第１図乃至第６図は、この発明のレジストパターン形成
法の一実施例を示す基板断面図、 第７図乃至第10図は、従来のレジストパターン形成法を
示す基板断面図である。 10……半導体基板、12……絶縁膜、14……Al又はAl合金
層、16,22……ホトレジストパターン、18……酸素プラ
ズマ、20……Al酸化膜、24……TMAH系現像液。
法の一実施例を示す基板断面図、 第７図乃至第10図は、従来のレジストパターン形成法を
示す基板断面図である。 10……半導体基板、12……絶縁膜、14……Al又はAl合金
層、16,22……ホトレジストパターン、18……酸素プラ
ズマ、20……Al酸化膜、24……TMAH系現像液。
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）アルミニウム又はアルミニウム合金
からなる導電層の表面に形成されたアルミニウム酸化膜
をテトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド
系現像液で除去する工程と、 （ｂ）前記導電層において前記アルミニウム酸化膜が除
去された表面に所望のレジストパターンを形成する工程
と を含むレジストパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272537A JP2600213B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | レジストパターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272537A JP2600213B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | レジストパターン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114849A JPH01114849A (ja) | 1989-05-08 |
| JP2600213B2 true JP2600213B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17515275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272537A Expired - Fee Related JP2600213B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | レジストパターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600213B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496558B (zh) * | 2011-11-24 | 2016-09-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体晶圆的表面处理方法、避免光刻胶残留的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390832A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62272537A patent/JP2600213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01114849A (ja) | 1989-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |