JP2600213B2 - Resist pattern formation method - Google Patents
Resist pattern formation methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置等の製造に用いられるレジス
トパターン形成法の改良に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a method for forming a resist pattern used for manufacturing a semiconductor device or the like.
［発明の概要］ この発明は、Al又はAl合金層上に形成されたAl酸化膜
をTMAH（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキ
サイド）系現像液により除去した後その除去面に所望の
レジストパターンを形成することによりレジストパター
ンの密着性を改善したものである。[Summary of the Invention] The present invention removes an Al oxide film formed on an Al or Al alloy layer with a TMAH (tetra-methyl-ammonium-hydroxide) -based developer and then forms a desired resist pattern on the removed surface. By forming it, the adhesiveness of the resist pattern is improved.
［従来の技術］ 従来、Al又はAl合金層上にレジストパターンを形成す
る方法としては、第７図乃至第10図に示すようなものが
提案されている。[Prior Art] Conventionally, as a method of forming a resist pattern on an Al or Al alloy layer, the method shown in FIGS. 7 to 10 has been proposed.
第７図の工程では、シリコン等の半導体基板10の表面
にシリコンオキサイド等の絶縁膜12を介してAl又は合金
層14を形成した後、周知の方法によりホトレジストを塗
布、ベーク、露光、現像、ベークしてホトレジストパタ
ーン16を形成する。この場合、ホトレジストパターン16
が下地パターンと重ね合せがずれていたり、ホトレジス
ト線幅が太すぎ又は細すぎたりしたときは、ホトレジス
トパターン形成をやり直すべく第８図以下の工程に移
る。In the step of FIG. 7, after forming an Al or alloy layer 14 on the surface of a semiconductor substrate 10 such as silicon via an insulating film 12 such as silicon oxide, a photoresist is applied by a known method, baking, exposure, development, The photoresist pattern 16 is formed by baking. In this case, the photoresist pattern 16
If the pattern is misaligned with the underlying pattern or the photoresist line width is too thick or too thin, the process proceeds to the steps shown in FIG.
第８図の工程では、ホトレジストパターン16を除去す
べく酸素プラズマ18によりホトレジストを灰化し、この
後第９図の工程では灰化レジストを除去する。このよう
にすると、ホトレジスト灰化の過程において、第９図に
示すようにAl又はAl合金層14の表面にAl酸化膜20が形成
される。In the step of FIG. 8, the photoresist is ashed by oxygen plasma 18 to remove the photoresist pattern 16, and thereafter, in the step of FIG. 9, the ashed resist is removed. Thus, in the process of photoresist ashing, an Al oxide film 20 is formed on the surface of the Al or Al alloy layer 14 as shown in FIG.
この後、第10図の工程では、Al又はAl合金層14の上面
に新たなホトレジストパターン22を形成する。Thereafter, in the step of FIG. 10, a new photoresist pattern 22 is formed on the upper surface of the Al or Al alloy layer 14.
［発明が解決しようとする問題点］ 上記した従来法によると、第10図のホトレジストパタ
ーン形成工程において、Al酸化膜20の存在のため塗布し
たホトレジストのAl又はAl合金層14に対する密着性が良
好でなく、特に現像中に微細パターンほどはがれやすい
という問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] According to the conventional method described above, in the photoresist pattern forming step of FIG. 10, the adhesion of the photoresist applied to the Al or Al alloy layer 14 due to the presence of the Al oxide film 20 is good. However, in particular, there is a problem that the finer patterns are more easily peeled off during development.
このような問題点を解決するためいくつかの方法が考
えられた。第１の方法は、ホトレジスト塗布前に希フッ
酸によりAl酸化膜20を除去するものであり、第２の方法
は、酸化プラズマに代えてレジスト剥離液を用いてホト
レジストパターン16を除去するものであった。Several methods have been considered to solve such a problem. The first method is to remove the Al oxide film 20 with diluted hydrofluoric acid before applying the photoresist, and the second method is to remove the photoresist pattern 16 using a resist stripper instead of oxidizing plasma. there were.
しかしながら、第１の方法によると、希フッ酸により
Al又はAl合金層14の表面が荒れてしまい、露光機での重
ね合せ精度が低下する不都合があった。また、第２の方
法によると、Al酸化膜は形成されないが、自動化と廃液
処理が困難で、スループットが低く、特に耐熱性向上の
ために現像後に遠視外線照射を行なったホトレジストは
十分に剥離できない不都合があった。However, according to the first method, dilute hydrofluoric acid
The surface of the Al or Al alloy layer 14 becomes rough, and there is a disadvantage that the overlaying accuracy in an exposure machine is reduced. According to the second method, an Al oxide film is not formed, but automation and waste liquid treatment are difficult, throughput is low, and a photoresist which has been subjected to hyperopia after development to improve heat resistance cannot be sufficiently peeled off. There was an inconvenience.
［問題点を解決するための手段］ この発明の目的は、上記のような不都合のないレジス
トパターン形成法を提供することにある。[Means for Solving the Problems] An object of the present invention is to provide a method for forming a resist pattern free from the above-mentioned inconvenience.
この発明のレジストパターン形成法は、TMAH（テトラ
・メチル・アモニウム・ハイドロオキサイド）系現像液
によりAl酸化膜を除去した後その除去面に所望のレジス
トパターンを形成することを特徴とするものである。The resist pattern forming method of the present invention is characterized in that an Al oxide film is removed with a TMAH (tetra-methyl-amonium-hydroxide) -based developer and then a desired resist pattern is formed on the removed surface. .
［作 用］ この発明のレジストパターン形成法によると、TMAH系
現像液を用いてAl酸化膜を除去するようにしたので、レ
ジストパターンのAl又はAl合金層に対する密着性は大幅
に改善され、現像中に微細パターンがはがれるような事
態を回避することができる。また、希フッ酸を用いた場
合のようにAl又はAl合金層の表面が荒らされることもな
いので、露光機での重ね合せ精度が低下しない。さら
に、酸素プラズマによるレジスト除去が可能なので、高
スループットを維持できる利点もある。[Operation] According to the resist pattern forming method of the present invention, the Al oxide film is removed using a TMAH-based developer, so that the adhesion of the resist pattern to the Al or Al alloy layer is greatly improved, and A situation in which a fine pattern is peeled can be avoided. Further, since the surface of the Al or Al alloy layer is not roughened as in the case of using diluted hydrofluoric acid, the overlaying accuracy in the exposure machine does not decrease. Further, since the resist can be removed by oxygen plasma, there is an advantage that high throughput can be maintained.
［実施例］ 第１図乃至第６図は、この発明のレジストパターン形
成法の一実施例を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（６）を順次に説明する。[Embodiment] FIGS. 1 to 6 show one embodiment of a method for forming a resist pattern according to the present invention, and the steps (1) to (6) corresponding to the respective drawings will be sequentially described.
（１）先に第７図について述べたと同様にして半導体基
板10上に絶縁膜12、Al又はAl合金層14及びホトレジスト
パターン16を順次に形成する。(1) An insulating film 12, an Al or Al alloy layer 14, and a photoresist pattern 16 are sequentially formed on a semiconductor substrate 10 in the same manner as described above with reference to FIG.
（２）次に、酸素プラズマ18によりホトレジストパター
ン16を灰化する。(2) Next, the photoresist pattern 16 is ashed by oxygen plasma 18.
（３）そして、灰化したホトレジストを除去する。この
結果、Al又はAl合金層14の表面には、ホトレジスト灰化
の過程で生成したAl酸化膜20が残される。(3) Then, the ashed photoresist is removed. As a result, on the surface of the Al or Al alloy layer 14, the Al oxide film 20 generated in the process of photoresist ashing remains.
（４）基板上面にTMAH系現像液24を適当な方法で被着す
る。この結果、Al酸化膜20がきれいに除去され、Al又は
Al合金層14の表面が荒らされるようなことはない。(4) The TMAH-based developer 24 is applied to the upper surface of the substrate by an appropriate method. As a result, the Al oxide film 20 is removed cleanly, and Al or
The surface of the Al alloy layer 14 is not roughened.
（５）純水によりAl又はAl合金層14の表面をリンス（洗
浄）する。(5) Rinse (clean) the surface of the Al or Al alloy layer 14 with pure water.
（６）この後、ホットプレート型オーブン等によりベー
ク処理を行なってから、基板上面にホトレジストを塗布
する。そして、ベーク処理によりホトレジスト中の溶剤
を蒸発させた後、露光機を用いてホトマスクから所望の
パターンのホトレジストに転写し、しかる後現像を行な
う。この後、純粋によるリンス、ベース処理等を適宜実
施する。この結果、第６図に示すようにホトレジストパ
ターン22が得られる。(6) Thereafter, a baking process is performed by a hot plate type oven or the like, and then a photoresist is applied to the upper surface of the substrate. Then, after the solvent in the photoresist is evaporated by baking treatment, the photoresist is transferred from the photomask to a photoresist having a desired pattern by using an exposure machine, and then developed. Thereafter, rinsing with pure, base treatment and the like are appropriately performed. As a result, a photoresist pattern 22 is obtained as shown in FIG.
上記した一連の処理工程は、自動現像装置等を用いて
自動化することができる。The above series of processing steps can be automated using an automatic developing device or the like.
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、レジストパターン
のAl又はAl合金層に対する密着性が改善されるので、微
細なパターン形成が可能となる効果が得られるものであ
る。その上、露光機での重ね合せ精度が低下しないこ
と、自動現像装置の使用により高スループットを維持で
きることなどから製造歩留りや作業効率が向上する効果
も得られる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the adhesiveness of the resist pattern to the Al or Al alloy layer is improved, so that an effect that a fine pattern can be formed can be obtained. In addition, since the overlaying accuracy in the exposure machine does not decrease and the high throughput can be maintained by using the automatic developing device, the effect of improving the production yield and the working efficiency can be obtained.
第１図乃至第６図は、この発明のレジストパターン形成
法の一実施例を示す基板断面図、 第７図乃至第10図は、従来のレジストパターン形成法を
示す基板断面図である。 10……半導体基板、12……絶縁膜、14……Al又はAl合金
層、16,22……ホトレジストパターン、18……酸素プラ
ズマ、20……Al酸化膜、24……TMAH系現像液。1 to 6 are cross-sectional views of a substrate showing an embodiment of a method of forming a resist pattern according to the present invention, and FIGS. 7 to 10 are cross-sectional views of a substrate showing a conventional method of forming a resist pattern. 10: semiconductor substrate, 12: insulating film, 14: Al or Al alloy layer, 16, 22: photoresist pattern, 18: oxygen plasma, 20: Al oxide film, 24: TMAH-based developer.
Claims (1)
からなる導電層の表面に形成されたアルミニウム酸化膜
をテトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド
系現像液で除去する工程と、 （ｂ）前記導電層において前記アルミニウム酸化膜が除
去された表面に所望のレジストパターンを形成する工程
と を含むレジストパターン形成法。(A) removing an aluminum oxide film formed on the surface of a conductive layer made of aluminum or an aluminum alloy with a tetra-methyl-ammonium-hydroxide-based developer; and (b) removing the aluminum oxide film from the conductive layer. Forming a desired resist pattern on the surface from which the aluminum oxide film has been removed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272537A JP2600213B2 (en) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | Resist pattern formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272537A JP2600213B2 (en) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | Resist pattern formation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114849A JPH01114849A (en) | 1989-05-08 |
| JP2600213B2 true JP2600213B2 (en) | 1997-04-16 |
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|---|---|---|---|---|
| CN102496558B (en) * | 2011-11-24 | 2016-09-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | The surface treatment method of semiconductor crystal wafer, avoid the method that photoresist remains |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6390832A (en) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of pattern |
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1987
- 1987-10-28 JP JP62272537A patent/JP2600213B2/en not_active Expired - Fee Related
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