JPH05237864A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具Info
- Publication number
- JPH05237864A JPH05237864A JP3117792A JP3117792A JPH05237864A JP H05237864 A JPH05237864 A JP H05237864A JP 3117792 A JP3117792 A JP 3117792A JP 3117792 A JP3117792 A JP 3117792A JP H05237864 A JPH05237864 A JP H05237864A
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- JP
- Japan
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- resin
- gate
- cavity
- runner
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- Withdrawn
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】リードフレーム８を装着したトランスファ成型
金型のメインライナー３及びサブライナー４を経由して
圧入された樹脂をゲート７からキャビティ１内に注入
し、キャビティ１内に樹脂が充填され且つ所定の射出圧
力に達した時点で速やかに突上げピン２を作動させ、ゲ
ート７を閉鎖することにより、キャビティ１内の封止樹
脂体９とサブライナー４内の樹脂とを分離する。 【効果】樹脂封止後のサブランナーの樹脂をパッケージ
から取除く工程で、サブランナー部の樹脂が残ったり、
封止樹脂体の一部が欠けたりすることを防止できる。
金型のメインライナー３及びサブライナー４を経由して
圧入された樹脂をゲート７からキャビティ１内に注入
し、キャビティ１内に樹脂が充填され且つ所定の射出圧
力に達した時点で速やかに突上げピン２を作動させ、ゲ
ート７を閉鎖することにより、キャビティ１内の封止樹
脂体９とサブライナー４内の樹脂とを分離する。 【効果】樹脂封止後のサブランナーの樹脂をパッケージ
から取除く工程で、サブランナー部の樹脂が残ったり、
封止樹脂体の一部が欠けたりすることを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
製造方法及びそれに用いる治具に関し、特にトランスフ
ァー樹脂封止方法に関する。
製造方法及びそれに用いる治具に関し、特にトランスフ
ァー樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チップ
（図示せず）を搭載したリードフレーム８をキャビティ
１を有する下金型５と上金型６との間に挟んで型締めし
た後図５（ａ）に示すように、メインランナー３からサ
ブランナー４を経由して圧入される樹脂１２をゲート７
からキャビティ１内に注入してキャビティ１内を充填
し、一定の射出圧力を加えた状態で一定時間保持して樹
脂を硬化させ、封止樹脂体９を形成する。
は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チップ
（図示せず）を搭載したリードフレーム８をキャビティ
１を有する下金型５と上金型６との間に挟んで型締めし
た後図５（ａ）に示すように、メインランナー３からサ
ブランナー４を経由して圧入される樹脂１２をゲート７
からキャビティ１内に注入してキャビティ１内を充填
し、一定の射出圧力を加えた状態で一定時間保持して樹
脂を硬化させ、封止樹脂体９を形成する。
【０００３】次に、図５（ｂ）に示すように、樹脂封止
された半製品の封止樹脂体９が充分に硬化した後、メイ
ンランナー３及びサブランナー４内で硬化した樹脂を付
けた状態で金型より取り出す。
された半製品の封止樹脂体９が充分に硬化した後、メイ
ンランナー３及びサブランナー４内で硬化した樹脂を付
けた状態で金型より取り出す。
【０００４】次に、図６に示すように、メインランナー
３の樹脂又はパッケージを反対方向に回転させ、ゲート
７の位置で封止樹脂体９とサブランナー４の樹脂を分離
してパッケージを構成していた。
３の樹脂又はパッケージを反対方向に回転させ、ゲート
７の位置で封止樹脂体９とサブランナー４の樹脂を分離
してパッケージを構成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、信頼性向上のためにリードフ
レームとの密着性の良い樹脂を使用しているため、図７
に示すように、封止樹脂体９からサブランナー４の樹脂
を分離させる際にサブランナー４の樹脂の一部がリード
フレーム８の上や封止樹脂体９の側面に残りサブランナ
ーの残渣１０を生じたり、また、キャビティ内への樹脂
注入時間が長くなると樹脂の硬化が進んで粘度が高くな
りボンディング線の変形が生じ易いため、ゲート７の深
さ方向の寸法を大きくして注入時間を短くすると、図８
に示すように、サブランナー４の樹脂を切離す際に封止
樹脂体９の側面が欠け、矢損部１１を生ずるという問題
点があった。
半導体装置の製造方法は、信頼性向上のためにリードフ
レームとの密着性の良い樹脂を使用しているため、図７
に示すように、封止樹脂体９からサブランナー４の樹脂
を分離させる際にサブランナー４の樹脂の一部がリード
フレーム８の上や封止樹脂体９の側面に残りサブランナ
ーの残渣１０を生じたり、また、キャビティ内への樹脂
注入時間が長くなると樹脂の硬化が進んで粘度が高くな
りボンディング線の変形が生じ易いため、ゲート７の深
さ方向の寸法を大きくして注入時間を短くすると、図８
に示すように、サブランナー４の樹脂を切離す際に封止
樹脂体９の側面が欠け、矢損部１１を生ずるという問題
点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、半導体チップを搭載したリードフ
レームを装着して樹脂封止するキャビティを有するトラ
ンスファ成形金型の樹脂注入用ゲートにゲート開閉用突
き上げピンを設け、前記キャビティ内に樹脂を注入して
射出圧力が所定値に達した後前記突き上げピンを作動さ
せて前記ゲートを閉鎖し前記キャビティ内の樹脂を硬化
させる工程とを含んで構成される。
体装置の製造方法は、半導体チップを搭載したリードフ
レームを装着して樹脂封止するキャビティを有するトラ
ンスファ成形金型の樹脂注入用ゲートにゲート開閉用突
き上げピンを設け、前記キャビティ内に樹脂を注入して
射出圧力が所定値に達した後前記突き上げピンを作動さ
せて前記ゲートを閉鎖し前記キャビティ内の樹脂を硬化
させる工程とを含んで構成される。
【０００７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
に用いる治具は、トランスファ成形金型の樹脂注入用ゲ
ートに設けて前記ゲートを開閉する突上げピンを有す
る。
に用いる治具は、トランスファ成形金型の樹脂注入用ゲ
ートに設けて前記ゲートを開閉する突上げピンを有す
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１（ａ），（ｂ）及び図２（ａ），
（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図である。
（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図である。
【００１０】まず、図１（ａ）に示すように、キャビテ
ィ１及びキャビティ１内に樹脂を注入するためのメイン
ライナー３，サブライナー４，ゲート７並びにゲート７
を開閉する突上げピン２を有する下金型５と上金型６と
の間にリードフレーム８を挟んで型締めする。
ィ１及びキャビティ１内に樹脂を注入するためのメイン
ライナー３，サブライナー４，ゲート７並びにゲート７
を開閉する突上げピン２を有する下金型５と上金型６と
の間にリードフレーム８を挟んで型締めする。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、ゲート７
を開いた状態で、メインライナー３，サブライナー４を
経由して圧入された樹脂をゲート７よりキャビティ１内
に注入し、キャビティ１内に樹脂を充填し、射出圧力が
所定値に達した時点で速やか（約３秒以内）に突上げピ
ン２を作動させ、ゲート７を閉鎖する。
を開いた状態で、メインライナー３，サブライナー４を
経由して圧入された樹脂をゲート７よりキャビティ１内
に注入し、キャビティ１内に樹脂を充填し、射出圧力が
所定値に達した時点で速やか（約３秒以内）に突上げピ
ン２を作動させ、ゲート７を閉鎖する。
【００１２】ここで、キャビティ１内に充填された封止
樹脂体９とサブランナー４内の樹脂が突上げピン２によ
り分離される。
樹脂体９とサブランナー４内の樹脂が突上げピン２によ
り分離される。
【００１３】次に、図２（ａ）に示すように、封止樹脂
体９が充分硬化した後、金型内から半製品を取出す。
体９が充分硬化した後、金型内から半製品を取出す。
【００１４】次に、図２（ｂ）に示すように、パッケー
ジ又はランナーを折り曲げ、サブランナー４及びメイン
ランナー３の樹脂をパッケージより剥すことにより、サ
ブランナーの残渣やパッケージの欠けの発生を防止でき
る。
ジ又はランナーを折り曲げ、サブランナー４及びメイン
ランナー３の樹脂をパッケージより剥すことにより、サ
ブランナーの残渣やパッケージの欠けの発生を防止でき
る。
【００１５】図３（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１６】図３（ａ）に示すように、第１の実施例に
対してゲート７の深さ方向の寸法のみをキャビティ１と
同じ深さまで広げ、且つ側面に傾斜を設けた突上げピン
２ａを有する下金型５ａと上金型６との間にリードフレ
ーム８を挟んで装着する。
対してゲート７の深さ方向の寸法のみをキャビティ１と
同じ深さまで広げ、且つ側面に傾斜を設けた突上げピン
２ａを有する下金型５ａと上金型６との間にリードフレ
ーム８を挟んで装着する。
【００１７】次に、図３（ｂ）に示すように、メインラ
ンナー３及びサブランナー４を経由して圧入される樹脂
をゲート７よりキャビティ１内に注入してキャビティ１
内を充填し、射出圧力が所定値に達した時点で速やかに
突上げピンを作動させゲート７を閉鎖し、キャビティ１
内の封止樹脂体９とサブランナー４内の樹脂とを分離す
る。
ンナー３及びサブランナー４を経由して圧入される樹脂
をゲート７よりキャビティ１内に注入してキャビティ１
内を充填し、射出圧力が所定値に達した時点で速やかに
突上げピンを作動させゲート７を閉鎖し、キャビティ１
内の封止樹脂体９とサブランナー４内の樹脂とを分離す
る。
【００１８】この第２の実施例では、ゲート７の深さ方
向の寸法を大きくすることにより、キャビティ１内に注
入される樹脂の粘度が低い状態で速やかに充填できるの
でボンディング線の変形を防ぐことができるという利点
がある。
向の寸法を大きくすることにより、キャビティ１内に注
入される樹脂の粘度が低い状態で速やかに充填できるの
でボンディング線の変形を防ぐことができるという利点
がある。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ゲートに
ゲート閉鎖用のつき上げピンを設けた封止用金型を用
い、キャビティ内に樹脂を注入して射出圧力が所定値に
達した時点で速やかに突上げピンを作動させゲートを閉
鎖することにより、パッケージ内の封止樹脂とサブラン
ナー内の樹脂とを金型内で分離できるので、サブランナ
ー及びメインランナーの樹脂をリードフレームから除去
する際に樹脂の一部がパッケージ側に残ったり、又パッ
ケージの一部が欠けたりすることを防止できるという効
果を有する。
ゲート閉鎖用のつき上げピンを設けた封止用金型を用
い、キャビティ内に樹脂を注入して射出圧力が所定値に
達した時点で速やかに突上げピンを作動させゲートを閉
鎖することにより、パッケージ内の封止樹脂とサブラン
ナー内の樹脂とを金型内で分離できるので、サブランナ
ー及びメインランナーの樹脂をリードフレームから除去
する際に樹脂の一部がパッケージ側に残ったり、又パッ
ケージの一部が欠けたりすることを防止できるという効
果を有する。
【００２０】また、ゲートの口径を大きくできるため、
キャビティ内へ注入する樹脂の粘度が高くならないうち
に短時間に注入でき、ボンディング線の変形を防止でき
るという効果を有する。
キャビティ内へ注入する樹脂の粘度が高くならないうち
に短時間に注入でき、ボンディング線の変形を防止でき
るという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明
するための平面図及び工程順に示した断面図。
するための平面図及び工程順に示した断面図。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明
するための工程順に示した断面図。
するための工程順に示した断面図。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明
するための工程順に示した断面図。
するための工程順に示した断面図。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の問題点を説明す
るための側面図。
るための側面図。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の問題点を説明す
るための側面図。
るための側面図。
１ キャビティ ２，２ａ 突上げピン ３ メインライナー ４ サブライナー ５，５ａ 下金型 ６ 上金型 ７ ゲート ８ リードフレーム ９ 封止樹脂体 １０ サブランナーの残渣 １１ 欠損部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載したリードフレーム
を装着して樹脂封止するキャビティを有するトランスフ
ァ成形金型の樹脂注入用ゲートにゲート開閉用突き上げ
ピンを設け、前記キャビティ内に樹脂を注入して射出圧
力が所定値に達した後前記突き上げピンを作動させて前
記ゲートを閉鎖し前記キャビティ内の樹脂を硬化させる
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 トランスファ成形金型の樹脂注入用ゲー
トに設けて前記ゲートを開閉する突上げピンを有するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法に用い
る治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117792A JPH05237864A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117792A JPH05237864A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05237864A true JPH05237864A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=12324168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3117792A Withdrawn JPH05237864A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05237864A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996020501A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-04 | National Semiconductor Corporation | An integrated circuit package encapsulated by fiber laden molding material and its method of manufacturing |
| KR100423140B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-03-18 | (주)에이치디세미테크 | 반도체패키지의 몰딩성형장치 |
| US6776599B2 (en) * | 2000-04-19 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for gate blocking X-outs during a molding process |
| US11114322B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-09-07 | Toshiba Memory Corporation | Mold and transfer molding apparatus |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3117792A patent/JPH05237864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996020501A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-04 | National Semiconductor Corporation | An integrated circuit package encapsulated by fiber laden molding material and its method of manufacturing |
| US6776599B2 (en) * | 2000-04-19 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for gate blocking X-outs during a molding process |
| KR100423140B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-03-18 | (주)에이치디세미테크 | 반도체패키지의 몰딩성형장치 |
| US11114322B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-09-07 | Toshiba Memory Corporation | Mold and transfer molding apparatus |
| US11605548B2 (en) | 2016-03-16 | 2023-03-14 | Kioxia Corporation | Transfer molding method with sensor and shut-off pin |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |