JP2022502829A - 粒状材料を製造するための方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、電子デバイスの機能層の製造に使用できる少なくとも１種の機能材料（ＦＭ）を含有する粒状材料を製造するための方法を記載する。本発明はまた、本方法に従って得ることができる粒状材料、および電子デバイスの製造のための前記粒状材料の使用に関する。

Description

本発明は、電子デバイスの機能層の製造に使用できる少なくとも１種の機能材料（ＦＭ）を含む粒状材料を製造するための方法を記載する。本発明はさらに、本方法により得ることができる粒状材料、および電子デバイスの製造のためのその使用に関する。

有機、有機金属および／または高分子半導体を含有する電子デバイスが、益々重要になりつつあり、費用的な理由、およびその性能のため、多くの市販製品に使用されている。ここでの例としては、写真式複写機、有機もしくは高分子発光ダイオード（ＯＬＥＤもしくはＰＬＥＤ）、ならびに読み出しおよび表示デバイスにおける有機ベースの電荷輸送材料（たとえばトリアリールアミンベースの正孔輸送体）、または写真式複写機における有機光受容体が挙げられる。有機ソーラーセル（Ｏ−ＳＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機光増幅器、および有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）は、開発の進んだ段階にあり、大きな将来的意義を持ち得る。

これらのデバイスは多くの場合、昇華性有機機能材料を用いて製造される。しかし、今日まで使用されてきた粉末および圧粉体には多くの欠点がある。したがって、粉末は粉砕および移送の過程で粉塵を形成し、静電気を帯び、その結果、望ましくない残留物が常に容器に残る。さらに、粉末はかさ密度が低い。圧粉体の製造は非常に複雑であり、そのため費用がかかる。典型的には、圧粉体は粉砕粉末から製造され、そのため上記の欠点が同様に根本的に存在し、複数のプロセス工程を必要とする。さらに、圧粉体は、個別に移送され、脆弱となり得る。さらに、粉塵の問題は完全に解決されたわけではない。粉塵の含有量は、必要な労働安全対策の度合いを増加させる。

溶融物からの蒸発が行われる蒸発プラントの場合、まず溶融物を得る必要があるため、吸収量に関する問題も存在する。プラントによっては粉末または圧粉体が使用され、そのため先に概説した問題が同様に存在する。

電子デバイス製造用の公知の粉末および圧粉体は、使用可能な特性のプロファイルを有する。しかし、これらの材料およびデバイスの特性を改善する必要性が常に存在する。

これらの特性としてはとりわけ、電子デバイス製造用の材料の加工性、輸送性および保存性が挙げられる。より詳細には、材料は、非常に低い粉塵含有量を有し、安価に製造できるものとすべきである。さらに、材料の加工においては、労働安全対策に対する特に高度な要求が必要とされないものとすべきである。

さらに、電子デバイスの寿命および他の特性は同時に、上記の点における材料の改善によって悪影響を受けてはならない。その中には、電子デバイスが定義した問題を解決する際のエネルギー効率が含まれる。有機発光ダイオードの場合、特定の光束を達成するのに最低量の電力を加えればいいように、特に光収率が十分に高くなければならない。加えて、所定の輝度を達成するには最低限の電圧も必要である。

対処するさらなる課題は、優れた性能を有する電子デバイスを非常に安価に、かつ一定品質で提供するという課題であると考えることができる。

さらに、電子デバイスを多くの目的に使用または適用することが可能でなければならない。より詳細には、電子デバイスの性能は、広い温度範囲にわたって維持されなければならない。

本発明が対処するさらなる課題は、有機電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスへの使用に好適であり、こうしたデバイスに使用した場合、良好なデバイス特性につながる材料を提供するという課題、および対応する電子デバイスを提供するという課題である。

驚くべきことに、以下に詳細に記載する特定の方法が、これらの目的を達成し、先行技術の欠点を解消することが発見されている。材料を溶融物から適用可能な形態に変換すると、微粉画分の形成を回避することができる。これはとりわけ、電子デバイス製造用の材料の加工性、輸送性および保存性に関してとりわけ改善を達成することができる。この文脈において、粒状材料を使用すると、とりわけ寿命、効率および作動電圧に関し、有機電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイスの特性が非常に良好なものとなる。したがって、本発明は、対応する粒状材料を使用することによって得られる電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイス、ならびに対応する好ましい態様を提供する。

したがって、本発明は、電子デバイスの機能層の製造に使用できる少なくとも１種の機能材料（ＦＭ）を含む粒状材料を製造するための方法であって、
Ａ）電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料の溶融物を用意する工程；
Ｂ）Ａ）において得られた溶融物を下降管に移送する工程；
Ｃ）工程Ｂ）において下降管に移送された溶融物を冷却して粒状材料を得る工程
を含む方法を提供する。

粒状材料の製造に使用される、電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）は、好ましくは蛍光発光体、リン光発光体、遅延蛍光を伴う発光体（ＴＡＤＦ（熱活性化型遅延蛍光）発光体）、ホスト材料、遅延蛍光を伴うホスト材料（ＴＡＤＦホスト材料）、電子輸送材料、励起子阻止材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、ｎ−ドーパント、ｐ−ドーパント、ワイドバンドギャップ材料（即ち、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位の間に大きなバンドギャップを有する材料であり、ギャップは好ましくは２．８ｅＶ以上、非常に好ましくは３．０ｅＶ以上、とりわけ好ましくは３．３ｅＶ以上、さらにより好ましくは３．５ｅＶ以上である）、電子阻止材料、正孔阻止材料および／または液晶特性を有する材料からなる群から選択されてもよい。これらの機能材料（ＦＭ）は、個別に使用しても、混合物として使用してもよく、粒状材料の中に存在してもよい。電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）は、好ましくは有機材料であるか、有機化合物を含む。有機化合物は、炭素原子と好ましくは水素原子とを含有する。

ＴＡＤＦ発光体およびＴＡＤＦホストは、当技術分野で周知であり、たとえば、Ｙｅ Ｔａｏら、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０１４、２６、７９３１−７９５８、Ｍ．Ｙ．Ｗｏｎｇら、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０１７、２９、１６０５４４４、ＷＯ２０１１／０７０９６３、ＷＯ２０１２／１３３１８８、ＷＯ２０１５／０２２９７４およびＷＯ２０１５／０９８９７５に開示されている。典型的には、ＴＡＤＦ発光体およびホストは、Ｓ_１一重項およびＴ_１三重項エネルギー状態の間に非常に小さなギャップを有する。好ましくは、これらの材料の場合のΔＥ_ＳＴは０．５ｅＶ以下、非常に好ましくは０．３ｅＶ以下、とりわけ好ましくは０．２ｅＶ以上であり、ここで、ΔＥ_ＳＴは、Ｓ_１エネルギー準位とＴ_１エネルギー準位の間のギャップである。

機能材料（ＦＭ）は、たとえば粉末形態で供給されてもよい。未粉砕の昇華させた材料または固化させた溶融物を使用することが好ましい。しかし、より好ましくは、本発明の方法はとりわけ、これらの機能材料の製造における一工程として遂行することができる。したがって、機能材料（ＦＭ）を製造するための方法によって溶融物を供給することが好ましい。

好ましくは、電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）が、５０℃を超える温度で分解することなく溶融可能であるようにしてもよい。

さらに、電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）が、処理温度で溶融状態で、１０時間の保存期間にわたり０．１重量％以下の分解を呈するようにしてもよい。ここでの処理温度は、５０℃〜５００℃の範囲であってもよい。電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）は、融点プラス５０℃未満の温度で溶融状態で、好ましくは１０時間の保存期間にわたり０．１重量％以下の分解を呈する。

工程Ａ）において供給される機能材料（ＦＭ）は、高圧下で下降管に移送される。高圧とは、下降管内の圧力が溶融物を供給するための適用容器内よりも低いことを意味する。好ましくは、適用容器内の圧力は、下降管内よりも少なくとも１０ｍｂａｒ、好ましくは少なくとも２０ｍｂａｒ、とりわけ好ましくは少なくとも５０ｍｂａｒ高い。特定の態様において、適用容器内の圧力は、下降管内よりも１０００ｍｂａｒ以下、好ましくは５００ｍｂａｒ以下、とりわけ好ましくは３００ｍｂａｒ以下、高い。

さらなる態様において、工程Ｂ）において溶融物を下降管に移送する圧力が、下降管内の圧力よりも高いようにしてもよく、ここで、適用容器内の圧力は、好ましくは少なくとも１５０ｍｂａｒ、好ましくは４００〜７００ｍｂａｒの範囲である。

より好ましくは、下降管内の圧力は、少なくとも７５ｍｂａｒ、好ましくは少なくとも１００ｍｂａｒ（絶対）である。好ましい態様において、好ましくは下降管内に１００〜７５０ｍｂａｒの範囲、好ましくは２５０〜５００ｍｂａｒの範囲の絶対圧力が存在する。

工程Ｂ）において下降管に移送された溶融物は、工程Ｃ）において不活性ガスで冷却されることが好ましい。ここでの不活性ガスは、好ましくは０℃以下の温度を有し、好ましくは−２５０〜−２０℃の範囲、とりわけ好ましくは−２００〜−７０℃の範囲である。

不活性ガスは、処理条件下で機能材料（ＦＭ）と何ら反応しないガスである。不活性ガスは、好ましくは窒素または希ガス、とりわけヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、またはこれらのガスを含む、とりわけ好ましくはこれらのガスからなる混合物である。

さらに、工程Ｂ）において下降管に移送された溶融物が、工程Ｃ）において少なくとも５０ｃｍ、好ましくは少なくとも８０ｃｍの下降高さにわたり冷却されるようにしてもよい。８０〜１５００ｃｍ、とりわけ好ましくは１００〜８００ｃｍの範囲の下降高さにわたる冷却が特に好ましい。

好ましくは、工程Ｂ）において、溶融物がノズルを通して下降管に移送されるようにしてもよい。ここでは、溶融物は、１つ以上のノズルを介して下降管に導入されてもよく、ここで、ノズル間の距離は、好ましくは、異なるノズルを介して下降管に導入される溶融物が融合する可能性がないように選ばれる。ノズルは、好ましくは０．９ｍｍ以下、より好ましくは０．７ｍｍ以下、とりわけ好ましくは０．６ｍｍ以下の直径を有する。ノズルの直径は、好ましくは０．１〜０．５ｍｍの範囲、より好ましくは０．２〜０．３ｍｍの範囲である。

特定の構成において、工程Ｂ）において、溶融物は、好ましくは毎分０．１ｍＬ〜毎分２５０ｍＬの範囲、より好ましくは毎分１ｍＬ〜毎分１５０ｍＬの範囲の体積流量で下降管に移送される。

さらに、工程Ｃ）において得られる粒状材料が、好ましくは数値平均として光学的方法により測定される０．１〜５ｍｍの範囲の直径を有するようにしてもよい。さらなる態様において、工程Ｃ）において得られる粒状材料は、好ましくは篩法により測定される０．１〜５ｍｍの範囲の直径を有し、ここで、粒状粒子の少なくとも９０％、より好ましくは粒状粒子の少なくとも９９％が０．１〜５ｍｍの範囲の直径を呈し、パーセンテージは粒子数に基づく。

好ましくは、粒状材料が球形であるようにしてもよい。本発明の文脈において、「球形」という用語は、粒子が好ましくは球の形状を有することを意味し、当業者には明らかなことであるが、処理パラメータのために、異なる形状の粒子が存在することも、粒子の形状が理想的な球の形状から逸脱することもあり得る。

したがって、「球形」という用語は、粒子の最小幅に対する最大幅の比が４以下、好ましくは２以下であることを意味し、ここで、これらの幅はそれぞれ、粒子の重心を通って測定される。好ましくは、粒子数を基準として、少なくとも７０％、より好ましくは少なくとも９０％が球形である。

非球形粒状材料の場合、先に言及した直径は、粒状粒子の最小幅に基づくものである。

さらに、工程Ｃ）において得られる粒状材料が、０．１重量％未満の微粉画分を有するようにしてもよい。微粉画分は、好ましくは０．１ｍｍ未満の直径を有する粒子により形成される。

さらに、工程Ｃ）において得られる粒状材料が、少なくとも０．６ｇ／ｃｍ^３のかさ密度を有するようにしてもよい。好ましくは、粒状材料のかさ密度対粒状材料の製造に使用される材料の密度の比は、少なくとも１：２、好ましくは少なくとも２：３、より好ましくは少なくとも３：４、とりわけ好ましくは少なくとも５：６である。

さらなる構成において、電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）は、好ましくはフェニル、フルオレン、インデノフルオレン、スピロビフルオレン、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、スピロカルバゾール、ピリミジン、トリアジン、ラクタム、トリアリールアミン、ジベンゾフラン、ジベンゾチエン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、５−アリールフェナントリジン−６−オン、９，１０−デヒドロフェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フルオラデンからなる群から選択される。

本粒状材料の製造に使用される機能材料（ＦＭ）は多くの場合、上記および下記の機能を提供する有機化合物である。したがって「機能性化合物」および「機能材料」という用語は多くの場合、同義語であると理解すべきである。

有機機能材料（ＦＭ）は多くの場合、以下に詳述する界面軌道の特性によって記述される。分子軌道、とりわけ最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）、それらのエネルギー準位、および材料の最低三重項状態Ｔ１のエネルギーと最低励起一重項状態Ｓ_１のエネルギーが、量子化学計算によって決定される。金属を含まない有機物質の計算には、まず、「基底状態／半経験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／電荷０／スピン一重項」法により構造最適化が行われる。続いて、最適化された構造に基づきエネルギー計算が行われる。「６−３１Ｇ（ｄ）」基底集合（電荷０、スピン一重項）を伴う「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法がここでは用いられる。金属含有化合物の場合、構造は「基底状態／ハートリーフォック／デフォルトスピン／ＬａｎＬ２ＭＢ／電荷０／スピン一重項」法により最適化される。エネルギー計算は、有機物質の場合の上記の方法と同様に行われるが、金属原子の場合は「ＬａｎＬ２ＤＺ」基底集合が用いられ、配位子の場合は「６−３１Ｇ（ｄ）」基底集合が用いられるという違いがある。エネルギー計算から、ＨＯＭＯエネルギー準位ＨＥｈまたはＬＵＭＯエネルギー準位ＬＥｈがハートリー単位で得られる。これを使用して、サイクリックボルタンメトリ測定により較正された電子ボルト単位のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位が、下記のように決定される：
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）−０．９８９９）／１．１２０６ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）−２．００４１）／１．３８５
本願の文脈において、これらの値を材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位とみなすこととする。

最低三重項状態Ｔ_１は、最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーと定義され、これは、記載の量子化学計算から明らかである。

最低励起一重項状態Ｓ_１は、最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーと定義され、これは、記載の量子化学計算から明らかである。

ここで記載される方法は、使用されるソフトウェアパッケージから独立しており、常に同じ結果を与える。この目的のために頻繁に使用されるプログラムの例は、「Ｇａｕｓｓｉａｎ０９Ｗ」（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．）とＱ−Ｃｈｅｍ４．１（Ｑ−Ｃｈｅｍ，Ｉｎｃ．）である。

ここでは正孔注入材料とも呼ばれる正孔注入特性を有する化合物は、正孔、即ち正電荷のアノードから有機層への移動を容易にする、または可能にする。一般に、正孔注入材料は、アノード準位の領域内またはそれを超える、即ち、一般に少なくとも−５．３ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する。

ここでは正孔輸送材料とも呼ばれる正孔輸送特性を有する化合物は、一般にアノードまたは隣接層、たとえば正孔注入層から注入される正孔、即ち正電荷の輸送が可能である。正孔輸送材料は一般に、好ましくは少なくとも−５．４ｅＶの高ＨＯＭＯ準位を有する。電子デバイスの構成に応じ、正孔輸送材料を正孔注入材料として使用することも可能である。

正孔注入および／または正孔輸送特性を有する好ましい化合物としてはたとえば、トリアリールアミン、ベンジジン、テトラアリール−パラ−フェニレンジアミン、トリアリールホスフィン、フェノチアジン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、チアントレン、ジベンゾ−パラ−ジオキシン、フェノキサチイン、カルバゾール、アズレン、チオフェン、ピロールおよびフラン誘導体、ならびに高位ＨＯＭＯ（ＨＯＭＯ＝最高被占分子軌道）を有するさらなるＯ、ＳまたはＮ含有ヘテロ環が挙げられる。

特に言及すべきなのは、正孔注入および／または正孔輸送特性を有する下記の化合物である：フェニレンジアミン誘導体（ＵＳ３６１５４０４）、アリールアミン誘導体（ＵＳ３５６７４５０）、アミノ置換カルコン誘導体（ＵＳ３５２６５０１）、スチリルアントラセン誘導体（ＪＰ−Ａ−５６−４６２３４）、多環芳香族化合物（ＥＰ１００９０４１）、ポリアリールアルカン誘導体（ＵＳ３６１５４０２）、フルオレノン誘導体（ＪＰ−Ａ−５４−１１０８３７）、ヒドラゾン誘導体（ＵＳ３７１７４６２）、アシルヒドラゾン、スチルベン誘導体（ＪＰ−Ａ−６１−２１０３６３）、シラザン誘導体（ＵＳ４９５０９５０）、ポリシラン（ＪＰ−Ａ−２−２０４９９６）、アニリンコポリマー（ＪＰ−Ａ−２−２８２２６３）、チオフェンオリゴマー（ＪＰ平成１（１９８９）２１１３９９）、ポリチオフェン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリピロール、ポリアニリンおよび他の導電性巨大分子、ポルフィリン化合物（ＪＰ−Ａ−６３−２９５６９６５、ＵＳ４７２０４３２）、芳香族ジメチリデン型化合物、カルバゾール化合物、たとえばＣＤＢＰ、ＣＢＰ、ｍＣＰ、芳香族第３級アミンおよびスチリルアミン化合物（ＵＳ４１２７４１２）、たとえばベンジジン型のトリフェニルアミン、スチリルアミン型のトリフェニルアミンおよびジアミン型のトリフェニルアミン。アリールアミンデンドリマー（ＪＰ平成８（１９９６）１９３１９１）、単量体トリアリールアミン（ＵＳ３１８０７３０）、１つ以上のビニルラジカルおよび／または活性水素を有する少なくとも１つの官能基を有するトリアリールアミン（ＵＳ３５６７４５０およびＵＳ３６５８５２０）、またはテトラアリールジアミン（２個の第３級アミン単位がアリール基を介して結合している）を使用することも可能である。さらにこれ以上のトリアリールアミノ基が分子中に存在していることも可能である。同様に好適なのは、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ブタジエン誘導体およびキノリン誘導体、たとえばジピラジノ［２，３−ｆ：２’，３’−ｈ］キノキサリンヘキサカルボニトリルである。

少なくとも２つの第３級アミン単位を有する芳香族第３級アミン（ＵＳ２００８／０１０２３１１Ａ１、ＵＳ４７２０４３２およびＵＳ５０６１５６９）、たとえばＮＰＤ（α−ＮＰＤ＝４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）（ＵＳ５０６１５６９）、ＴＰＤ２３２（＝Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル）またはＭＴＤＡＴＡ（ＭＴＤＡＴＡまたはｍ−ＭＴＤＡＴＡ＝４，４’，４’’−トリス［３−（メチルフェニル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン）（ＪＰ−Ａ−４−３０８６８８）、ＴＢＤＢ（＝Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）ジアミノビフェニレン）、ＴＡＰＣ（＝１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン）、ＴＡＰＰＰ（＝１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−３−フェニルプロパン）、ＢＤＴＡＰＶＢ（＝１，４−ビス［２−［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］ビニル］ベンゼン）、ＴＴＢ（＝Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル）、ＴＰＤ（＝４，４’−ビス［Ｎ−３−メチルフェニル］−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’’’−ジアミノ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クアテルフェニルが好ましく、カルバゾール単位を有する第３級アミン、たとえばＴＣＴＡ（＝４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゼンアミン）も同様である。同様に好ましいのは、ＵＳ２００７／００９２７５５Ａ１によるヘキサアザトリフェニレン化合物、およびフタロシアニン誘導体（たとえばＨ_２Ｐｃ、ＣｕＰｃ（＝銅フタロシアニン）、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ_２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ）である。

下記の式（ＴＡ−１）〜（ＴＡ−６）のトリアリールアミン化合物が特に好ましく、これらは文献ＥＰ１１６２１９３Ｂ１、ＥＰ６５０９５５Ｂ１、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ１９９７、９１（１−３）、２０９、ＤＥ１９６４６１１９Ａ１、ＷＯ２００６／１２２６３０Ａ１、ＥＰ１８６００９７Ａ１、ＥＰ１８３４９４５Ａ１、ＪＰ０８０５３３９７Ａ、ＵＳ６２５１５３１Ｂ１、ＵＳ２００５／０２２１１２４、ＪＰ０８２９２５８６Ａ、ＵＳ７３９９５３７Ｂ２、ＵＳ２００６／００６１２６５Ａ１、ＥＰ１６６１８８８およびＷＯ２００９／０４１６３５に開示されている。式（ＴＡ−１）〜（ＴＡ−６）の前記化合物は、置換されていてもよい：

正孔注入材料として使用できるさらなる化合物がＥＰ０８９１１２１Ａ１およびＥＰ１０２９９０９Ａ１に記載されており、注入層は一般論としてＵＳ２００４／０１７４１１６Ａ１に記載されている。

好ましくは、これらのアリールアミンおよびヘテロ環は、一般に正孔注入および／または正孔輸送材料として使用されるものであり、−５．８ｅＶを超える（対真空準位）、より好ましくは−５．５ｅＶを超えるＨＯＭＯをもたらす。

電子注入および／または電子輸送特性を有する化合物は、たとえば、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、アントラセン、ベンゾアントラセン、ピレン、ペリレン、ベンゾイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびフェナジン誘導体、ならびにトリアリールボランおよび低位ＬＵＭＯ（ＬＵＭＯ＝最低空分子軌道）を有するさらなるＯ、ＳまたはＮ含有ヘテロ環である。

電子輸送および電子注入層に特に好適な化合物は、８−ヒドロキシキノリンの金属キレート（たとえばＬｉＱ、ＡｌＱ_３、ＧａＱ_３、ＭｇＱ_２、ＺｎＱ_２、ＩｎＱ_３、ＺｒＱ_４）、ＢＡｌＱ、Ｇａオキシノイド錯体、４−アザフェナントレン−５−オールＢｅ錯体（ＵＳ５５２９８５３Ａ、式ＥＴ−１参照）、ブタジエン誘導体（ＵＳ４３５６４２９）、ヘテロ環式光学的光沢剤（ＵＳ４５３９５０７）、ベンゾイミダゾール誘導体（ＵＳ２００７／０２７３２７２Ａ１）、たとえばＴＰＢＩ（ＵＳ５７６６７７９、式ＥＴ−２参照）、１，３，５−トリアジン、たとえばスピロビフルオレン−トリアジン誘導体（たとえばＤＥ１０２００８０６４２００による）、ピレン、アントラセン、テトラセン、フルオレン、スピロフルオレン、デンドリマー、テトラセン（たとえばルブレン誘導体）、１，１０−フェナントロリン誘導体（ＪＰ２００３−１１５３８７、ＪＰ２００４−３１１１８４、ＪＰ−２００１−２６７０８０、ＷＯ２００２／０４３４４９）、シラシクロペンタジエン誘導体（ＥＰ１４８０２８０、ＥＰ１４７８０３２、ＥＰ１４６９５３３）、ボラン誘導体、たとえばＳｉを含むトリアリールボラン誘導体（ＵＳ２００７／００８７２１９Ａ１、式ＥＴ−３参照）、ピリジン誘導体（ＪＰ２００４−２００１６２）、フェナントロリン、特に１，１０−フェナントロリン誘導体、たとえば、ビフェニルもしくは他の芳香族基を介して結合した複数のフェナントロリン（ＵＳ−２００７−０２５２５１７Ａ１）またはアントラセンにより結合したフェナントロリン（ＵＳ２００７−０１２２６５６Ａ１、式ＥＴ−４およびＥＴ−５参照）を含む、ＢＣＰおよびＢｐｈｅｎである。

同様に好適なのは、ヘテロ環式有機化合物、たとえばチオピランジオキシド、オキサゾール、トリアゾール、イミダゾールまたはオキサジアゾールである。Ｎを含む５員環、たとえばオキサゾール、好ましくは１，３，４−オキサジアゾール、たとえばとりわけＵＳ２００７／０２７３２７２Ａ１に詳述されている式ＥＴ−６、ＥＴ−７、ＥＴ−８およびＥＴ−９の化合物；チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾールの使用例は、とりわけ、ＵＳ２００８／０１０２３１１Ａ１、およびＹ．Ａ．Ｌｅｖｉｎ、Ｍ．Ｓ．Ｓｋｏｒｏｂｏｇａｔｏｖａ、Ｋｈｉｍｉｙａ Ｇｅｔｅｒｏｔｓｉｋｌｉｃｈｅｓｋｉｋｈ Ｓｏｅｄｉｎｅｎｉｉ１９６７（２）、３３９−３４１を参照されたく、好ましくは式ＥＴ−１０の化合物、シラシクロペンタジエン誘導体である。好ましい化合物は、下記の式（ＥＴ−６）〜（ＥＴ−１０）である：

有機化合物、たとえばフルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン、ジフェノキノン、アントロンおよびアントラキノンジエチレンジアミンの誘導体を使用することも可能である。

２，９，１０−置換アントラセン（１−もしくは２−ナフチルおよび４−もしくは３−ビフェニルによる）または２つのアントラセン単位を含有する分子（ＵＳ２００８／０１９３７９６Ａ１、式ＥＴ−１１参照）が好ましい。同様に非常に有利なのは、９，１０−置換アントラセン単位とベンゾイミダゾール誘導体の化合物（ＵＳ２００６１４７７４７ＡおよびＥＰ１５５１２０６Ａ１、式ＥＴ−１２およびＥＴ−１３参照）である。

好ましくは、電子注入および／または電子輸送特性を生じることができる化合物は、−２．５ｅＶ未満（対真空準位）、より好ましくは−２．７ｅＶ未満のＬＵＭＯをもたらす。

本粒状材料の製造に使用される機能材料は、発光体を含んでもよく、ここで、本発明に従い使用できる化合物は、発光体として構成されてもよい。「発光体」という用語は、任意の種類のエネルギーの移動により生じ得る励起後に、光の放出を伴う基底状態への放射遷移を許容する材料を指す。一般に、蛍光（時間遅延蛍光も含む）発光体とリン光発光体という２種の公知のクラスの発光体が存在する「蛍光発光体」という用語は、励起一重項状態から基底状態への放射遷移が生じる材料または化合物を指す。「リン光発光体」という用語は、好ましくは遷移金属を含む発光材料または化合物を指す。

発光体は、ドーパントが系中で先に詳述した特性を生じさせる場合、ドーパントとも呼ばれることが多い。マトリックス材料とドーパントを含む系中のドーパントは、混合物中の割合が低い方の成分を意味するものと理解される。これに対応して、マトリックス材料とドーパントを含む系中のマトリックス材料は、混合物中の割合が高い方の成分を意味するものと理解される。したがって、「リン光発光体」という用語は、たとえばリン光ドーパントを意味するものとも理解される。

光を発することができる化合物としては、蛍光発光体およびリン光発光体が挙げられる。これらは、スチルベン、スチルベンアミン、スチリルアミン、クマリン、ルブレン、ローダミン、チアゾール、チアジアゾール、シアニン、チオフェン、パラフェニレン、ペリレン、フタロシアニン、ポルフィリン、ケトン、キノリン、イミン、アントラセンおよび／またはピレン構造を有する化合物を含む。室温でも高効率で三重項状態から光を発する、即ち、電場蛍光（electrofluorescence）ではなく、多くの場合エネルギー効率の上昇をもたらす電場リン光（electrophosphorescence）を呈することができる化合物が特に好ましい。この目的に好適なのは、まず第一に、原子番号が３６より大きな重原子を含有する化合物である。好ましい化合物は、上記条件を満たすｄまたはｆ遷移金属を含有するものである。ここで、８〜１０族元素（Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ）を含有する対応する化合物が特に好ましい。ここでの有用な機能性化合物としては、たとえばＷＯ０２／０６８４３５Ａ１、ＷＯ０２／０８１４８８Ａ１、ＥＰ１２３９５２６Ａ２およびＷＯ０４／０２６８８６Ａ２に記載されているような各種錯体などが挙げられる。

蛍光発光体として機能できる好ましい化合物を、例により以下に詳述する。好ましい蛍光発光体は、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル、およびアリールアミンのクラスから選択される。

モノスチリルアミンは、１つの置換または無置換スチリル基と少なくとも１つの好ましくは芳香族アミンを含有する化合物を意味するものと理解される。ジスチリルアミンは、２つの置換または無置換スチリル基と少なくとも１つの好ましくは芳香族アミンを含有する化合物を意味するものと理解される。トリスチリルアミンは、３つの置換または無置換スチリル基と少なくとも１つの好ましくは芳香族アミンを含有する化合物を意味するものと理解される。テトラスチリルアミンは、４つの置換または無置換スチリル基と少なくとも１つの好ましくは芳香族アミンを含有する化合物を意味するものと理解される。スチリル基は、より好ましくはさらなる置換を有していてもよいスチルベンである。対応するホスフィンとエーテルは、アミンと同様に定義される。本発明の文脈におけるアリールアミンまたは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３つの置換または無置換の芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を意味するものと理解される。好ましくは、これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系のうちの少なくとも１つは、好ましくは少なくとも１４個の芳香族環原子を有する縮合環系である。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミン、または芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、ジアリールアミノ基がアントラセン基に、好ましくは９位において直接結合している化合物を意味するものと理解される。芳香族アントラセンジアミンは、２つのジアリールアミノ基がアントラセン基に、好ましくは２，６または９，１０位において直接結合している化合物を意味するものと理解される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミン、およびクリセンジアミンは、これらと同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、ピレンに好ましくは１位または１，６位において結合している。

さらなる好ましい蛍光発光体は、とりわけ文献ＷＯ０６／１２２６３０に詳述されているインデノフルオレンアミンまたはジアミン；とりわけ文献ＷＯ２００８／００６４４９に詳述されているベンゾインデノフルオレンアミンまたはジアミン；およびとりわけ文献ＷＯ２００７／１４０８４７に詳述されているジベンゾインデノフルオレンアミンまたはジアミンから選択される。

スチリルアミンのクラスからの蛍光発光体として使用できる化合物の例は、ＷＯ０６／０００３８８、ＷＯ０６／０５８７３７、ＷＯ０６／０００３８９、ＷＯ０７／０６５５４９およびＷＯ０７／１１５６１０に記載の置換もしくは無置換トリスチルベンアミンまたはドーパントである。ジスチリルベンゼンおよびジスチリルビフェニル誘導体が、ＵＳ５１２１０２９に記載されている。さらなるスチリルアミンが、ＵＳ２００７／０１２２６５６Ａ１に見出される。

特に好ましいスチリルアミン化合物は、ＵＳ７２５０５３２Ｂ２に記載の式ＥＭ−１の化合物、およびＤＥ１０２００５０５８５５７Ａ１に詳述されている式ＥＭ−２の化合物である：

特に好ましいトリアリールアミン化合物、または基もしくは構造要素は、文献ＣＮ１５８３６９１Ａ、ＪＰ０８／０５３３９７ＡおよびＵＳ６２５１５３１Ｂ１、ＥＰ１９５７６０６Ａ１、ＵＳ２００８／０１１３１０１Ａ１、ＵＳ２００６／２１０８３０Ａ、ＷＯ０８／００６４４９およびＤＥ１０２００８０３５４１３に詳述されている式ＥＭ−３〜ＥＭ−１５の化合物とそれらの誘導体である：

蛍光発光体として使用できるさらなる好ましい化合物は、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン（ＤＥ１０２００９００５７４６）、フルオレン、フルオランテン、ペリフランテン、インデノペリレン、フェナントレン、ペリレン（ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）、ピレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、ルブレン、クマリン（ＵＳ４７６９２９２、ＵＳ６０２００７８、ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）、ピラン、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ピラジン、ケイ皮酸エステル、ジケトピロロピロール、アクリドン、およびキナクリドン（ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）の誘導体から選択される。

アントラセン化合物の中で、９，１０位において置換されたアントラセン、たとえば９，１０−ジフェニルアントラセンおよび９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセンが特に好ましい。１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼンも、好ましいドーパントである。

同様に好ましいのは、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、たとえばＤＭＱＡ（＝Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン）、ジシアノメチレンピラン、たとえばＤＣＭ（＝４−（ジシアノエチレン）−６−（４−ジメチルアミノスチリル−２−メチル）−４Ｈ−ピラン）、チオピラン、ポリメチン、ピリリウムおよびチアピリリウム塩、ペリフランテンならびにインデノペリレンの誘導体である。

青色蛍光発光体は、好ましくは多環芳香族化合物、たとえば９，１０−ジ（２−ナフチルアントラセン）と他のアントラセン誘導体、テトラセン、キサンテン、ペリレンの誘導体、たとえば２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、フェニレン、たとえば４，４’−（ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル、フルオレン、フルオランテン、アリールピレン（ＵＳ２００６／０２２２８８６Ａ１）、アリーレンビニレン（ＵＳ５１２１０２９、ＵＳ５１３０６０３）、ビス（アジニル）イミンホウ素化合物（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１）、ビス（アジニル）メテン化合物、およびカルボスチリル化合物である。

さらなる好ましい青色蛍光発光体は、Ｃ．Ｈ．Ｃｈｅｎら、「Ｒｅｃｅｎｔ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌｓ」Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５、（１９９７）、１−４８および「Ｒｅｃｅｎｔ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｆ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ｄｅｖｉｃｅｓ」Ｍａｔ．Ｓｃｉ．ａｎｄ Ｅｎｇ．Ｒ、３９（２００２）、１４３−２２２に記載されている。

さらなる好ましい青色蛍光発光体は、ＤＥ１０２００８０３５４１３に開示された炭化水素である。さらに、ＷＯ２０１４／１１１２６９に詳述されている化合物、とりわけビス（インデノフルオレン）基本骨格を有する化合物が特に好ましい。先に引用した文献ＤＥ１０２００８０３５４１３およびＷＯ２０１４／１１１２６９Ａ２は、開示を目的として参照することにより本願に組み込まれる。

リン光発光体として機能できる好ましい化合物を、例により以下に詳述する。

リン光発光体の例は、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／０２７１４、ＷＯ０２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４およびＷＯ０５／０３３２４４に見出すことができる。一般に、先行技術によるリン光ＯＬＥＤに使用され、有機エレクトロルミネッセンスの分野の当業者に公知のリン光錯体は全て好適であり、当業者は、独創的な技術を用いることなく、さらなるリン光錯体を使用することができる。

リン光金属錯体は、好ましくはＩｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＯｓまたはＲｅを含有する。

好ましい配位子は、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、１−フェニルイソキノリン誘導体、３−フェニルイソキノリン誘導体、または２−フェニルキノリン誘導体である。これらの化合物は全て、たとえば青色の場合、フッ素、シアノおよび／またはトリフルオロメチル置換基により置換されていてもよい。補助配位子は、好ましくはアセチルアセトナートまたはピコリン酸である。

発光体としてとりわけ好適なのは、式ＥＭ−１６のＰｔまたはＰｄと四座配位子の錯体である。

式ＥＭ−１６の化合物は、ＵＳ２００７／００８７２１９Ａ１により詳細に記載されており、上記式中の置換基と添え字の説明の開示を目的としてこの文献を参照する。加えて好適なのは、拡張環系を有するＰｔ−ポルフィリン錯体（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）およびＩｒ錯体、たとえば２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−Ｐｔ（ＩＩ）、テトラフェニル−Ｐｔ（ＩＩ）−テトラベンゾポルフィリン（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、ｃｉｓ−ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）Ｐｔ（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（２−（２^’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’）Ｐｔ（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（２−（２^’−チエニル）キノリナト−Ｎ，Ｃ^５’）Ｐｔ（ＩＩ）、（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）Ｐｔ（ＩＩ）（アセチルアセトナート）、またはトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）Ｉｒ（ＩＩＩ）（＝Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、緑色）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２）Ｉｒ（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）（＝Ｉｒ（ｐｐｙ）_２アセチルアセトナート、緑色、ＵＳ２００１／００５３４６２Ａ１、Ｂａｌｄｏ、Ｔｈｏｍｐｓｏｎら．Ｎａｔｕｒｅ４０３、（２０００）、７５０−７５３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（２^’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）、ビス（２−（４^’，６^’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（ピコリナート）（ＦＩｒｐｉｃ、青色）、ビス（２−（４^’，６^’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）Ｉｒ（ＩＩＩ）（テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート）、トリス（２−（ビフェニル−３−イル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、（ｐｐｚ）_２Ｉｒ（５ｐｈｄｐｙｍ）（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、（４５ｏｏｐｐｚ）_２Ｉｒ（５ｐｈｄｐｙｍ）（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、２−フェニルピリジン−Ｉｒ錯体の誘導体、たとえばＰＱＩｒ（＝イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−フェニルキノリル−Ｎ，Ｃ^２’）アセチルアセトナート）、トリス（２−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ）Ｉｒ（ＩＩＩ）（赤色）、ビス（２−（２^’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３）Ｉｒ（アセチルアセトナート）（［Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）］、赤色、Ａｄａｃｈｉら．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８（２００１）、１６２２−１６２４）である。同様に特に好適なのは、ＷＯ２０１６／１２４３０４に詳述されている錯体である。先に引用した文献、とりわけＷＯ２０１６／１２４３０４Ａ１は、開示を目的として参照することにより本願に組み込まれる。

同様に好適なのは、三価のランタノイド、たとえばＴｂ^３＋およびＥｕ^３＋の錯体（Ｊ．Ｋｉｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５（１９９４）、２１２４、Ｋｉｄｏら、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．６５７、１９９０、ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）、またはＰｔ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）とマレオニトリルジチオラートのリン光錯体（Ｊｏｈｎｓｏｎら、ＪＡＣＳ１０５、１９８３、１７９５）、Ｒｅ（Ｉ）−トリカルボニルジイミン錯体（とりわけＷｒｉｇｈｔｏｎ、ＪＡＣＳ９６、１９７４、９９８）、シアノ配位子とビピリジルまたはフェナントロリン配位子を有するＯｓ（ＩＩ）錯体（Ｍａら、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ９４、１９９８、２４５）である。

三座配位子を有するさらなるリン光発光体が、ＵＳ６８２４８９５およびＵＳ１０／７２９２３８に記載されている。赤色発光リン光錯体は、ＵＳ６８３５４６９およびＵＳ６８３０８２８に見出すことができる。

リン光ドーパントとして使用するのに特に好ましい化合物としては、ＵＳ２００１／００５３４６２Ａ１およびＩｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００１、４０（７）、１７０４−１７１１、ＪＡＣＳ２００１、１２３（１８）、４３０４−４３１２に記載の式ＥＭ−１７の化合物とそれらの誘導体が挙げられる。

誘導体は、ＵＳ７３７８１６２Ｂ２、ＵＳ６８３５４６９Ｂ２およびＪＰ２００３／２５３１４５Ａに記載されている。

加えて、ＵＳ７２３８４３７Ｂ２、ＵＳ２００９／００８６０７Ａ１およびＥＰ１３４８７１１に記載の式ＥＭ−１８〜ＥＭ−２１の化合物とそれらの誘導体を、発光体として使用することが可能である。

量子ドットを同様に発光体として使用することができ、これらの材料は、ＷＯ２０１１／０７６３１４Ａ１に詳細に記載されている。

とりわけ発光化合物と共にホスト材料として使用できる化合物としては、様々なクラスの材料が挙げられる。

ホスト材料は一般に、使用される発光体材料よりも大きいバンドギャップをＨＯＭＯとＬＵＭＯの間に有する。加えて、好ましいホスト材料は、正孔または電子輸送材料の何れかの特性を呈する。さらに、ホスト材料は、電子または正孔輸送特性の何れかを有してもよい。

ホスト材料は、場合により、とりわけホスト材料がＯＬＥＤにおいてリン光発光体と組み合わせて使用される場合、マトリックス材料とも呼ばれる。

とりわけ蛍光ドーパントと共に使用される好ましいホスト材料またはコホスト材料は、オリゴアリーレン（たとえばＥＰ６７６４６１による２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレン、またはジナフチルアントラセン）、とりわけ縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、たとえばアントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン（ＤＥ１０２００９００５７４６、ＷＯ０９／０６９５６６）、フェナントレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレン、スピロフルオレン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、デカシクレン、ルブレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえばＥＰ６７６４６１によるＤＰＶＢｉ＝４，４’−ビス（２，２−ジフェニルエテニル）−１，１’−ビフェニルまたはスピロ−ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（たとえばＷＯ０４／０８１０１７による）、とりわけ８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、たとえばＡｌＱ_３（＝アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（８−ヒドロキシキノリン））またはビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノリノラト）アルミニウムと、イミダゾールキレートを含むもの（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１）、およびキノリン−金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、正孔伝導化合物（たとえばＷＯ２００４／０５８９１１による）、電子伝導化合物、とりわけケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、カルバゾール、スピロカルバゾール、インデノカルバゾールなど（たとえばＷＯ２００５／０８４０８１およびＷＯ２００５／０８４０８２による）、アトロプ異性体（たとえばＷＯ０６／０４８２６８による）、ボロン酸誘導体（たとえばＷＯ２００６／１１７０５２による）、またはベンゾアントラセン（たとえばＷＯ２００８／１４５２３９による）のクラスから選択される。

ホスト材料またはコホスト材料として機能できる特に好ましい化合物は、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／もしくはピレンを含有するオリゴアリーレン、またはこれらの化合物のアトロプ異性体のクラスから選択される。本発明の文脈におけるオリゴアリーレンは、少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基が互いに結合している化合物を意味するものと理解すべきである。

好ましいホスト材料は、とりわけ式（Ｈ−１００）の化合物から選択される。

（式中、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、５〜３０個の芳香族環原子を有し、任意に置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは、１〜５の範囲の整数を表し；同時に、Ａｒ^５、Ａｒ^６およびＡｒ^７の中のπ電子の合計は、ｐ＝１ならば少なくとも３０、ｐ＝２ならば少なくとも３６、ｐ＝３ならば少なくとも４２である）。

より好ましくは、式（Ｈ−１００）の化合物において、Ａｒ^６基はアントラセンであり、Ａｒ^５およびＡｒ^７基は、９および１０位において結合しており、ここで、これらの基は、任意に置換されていてもよい。最も好ましくは、Ａｒ^５および／またはＡｒ^７基のうちの少なくとも一方が、１−もしくは２−ナフチル、２−、３−もしくは９−フェナントレニルまたは２−、３−、４−、５−、６−もしくは７−ベンゾアントラセニルから選択される縮合アリール基である。アントラセン系化合物は、ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１およびＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１に記載されており、たとえば２−（４−メチルフェニル）−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９−（２−ナフチル）−１０−（１，１’−ビフェニル）アントラセンおよび９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、ならびに１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼンである。２つのアントラセン単位を有する化合物（ＵＳ２００８／０１９３７９６Ａ１）、たとえば１０，１０’−ビス［１，１’，４’、１’’］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビスアントラセニルも好ましい。

さらなる好ましい化合物は、アリールアミン、スチリルアミン、フルオレセイン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、シクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾオキサゾリン、オキサゾール、ピリジン、ピラジン、イミン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾールの誘導体（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１）、たとえば２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］、アルダジン、スチルベン、スチリルアリーレン誘導体、たとえば９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、およびジスチリルアリーレン誘導体（ＵＳ５１２１０２９）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ジケトピロロピロール、ポリメチン、ケイ皮酸エステル、ならびに蛍光染料である。

アリールアミンおよびスチリルアミンの誘導体、たとえばＴＮＢ（＝４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ビフェニル）が特に好ましい。金属オキシノイド錯体、たとえばＬｉＱまたはＡｌＱ_３をコホストとして使用することができる。

オリゴアリーレンをマトリックスとして含む好ましい化合物が、ＵＳ２００３／００２７０１６Ａ１、ＵＳ７３２６３７１Ｂ２、ＵＳ２００６／０４３８５８Ａ、ＷＯ２００７／１１４３５８、ＷＯ０８／１４５２３９、ＪＰ３１４８１７６Ｂ２、ＥＰ１００９０４４、ＵＳ２００４／０１８３８３、ＷＯ２００５／０６１６５６Ａ１、ＥＰ０６８１０１９Ｂ１、ＷＯ２００４／０１３０７３Ａ１、ＵＳ５０７７１４２、ＷＯ２００７／０６５６７８およびＤＥ１０２００９００５７４６に詳述されており、特に好ましい化合物を、式Ｈ−１０２〜Ｈ−１０８により記載する。

加えて、ホストまたはマトリックスとして使用できる化合物としては、リン光発光体と共に使用される材料が挙げられる。これらの化合物は、ポリマー中の構造要素として使用することもでき、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、カルバゾール誘導体（たとえばＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７またはＷＯ０８／０８６８５１による）、アザカルバゾール（たとえばＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４またはＪＰ２００５／３４７１６０による）、ケトン（たとえばＷＯ０４／０９３２０７またはＤＥ１０２００８０３３９４３による）、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（たとえばＷＯ０５／００３２５３による）、オリゴフェニレン、芳香族アミン（たとえばＵＳ２００５／００６９７２９による）、双極性マトリックス材料（たとえばＷＯ０７／１３７７２５による）、シラン（たとえばＷＯ０５／１１１１７２による）、９，９−ジアリールフルオレン誘導体（たとえばＤＥ１０２００８０１７５９１による）、アザボロールまたはボロン酸エステル（たとえばＷＯ０６／１１７０５２による）、トリアジン誘導体（たとえばＤＥ１０２００８０３６９８２による）、インドロカルバゾール誘導体（たとえばＷＯ０７／０６３７５４またはＷＯ０８／０５６７４６による）、インデノカルバゾール誘導体（たとえばＤＥ１０２００９０２３１５５およびＤＥ１０２００９０３１０２１による）、ジアザホスホール誘導体（たとえばＤＥ１０２００９０２２８５８による）、トリアゾール誘導体、オキサゾールおよびオキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、フェニレンジアミン誘導体、第３級芳香族アミン、スチリルアミン、アミノ置換カルコン誘導体、インドール、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、カルボジイミド誘導体、８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体、たとえばＡｌＱ_３であって、トリアリールアミノフェノール配位子をさらに含有してもよい８−ヒドロキシキノリン錯体（ＵＳ２００７／０１３４５１４Ａ１）、金属錯体ポリシラン化合物、ならびにチオフェン、ベンゾチオフェンおよびジベンゾチオフェン誘導体が挙げられる。

好ましいカルバゾール誘導体の例は、ｍＣＰ（＝１，３−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾールベンゼン（＝９，９’−（１，３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール））（式Ｈ−９）、ＣＤＢＰ（＝９，９’−（２，２’−ジメチル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ベンゼン（＝１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル、およびＣＭＴＴＰ（式Ｈ１０）である。特に好ましい化合物は、ＵＳ２００７／０１２８４６７Ａ１およびＵＳ２００５／０２４９９７６Ａ１に詳述されている（式Ｈ−１１１〜Ｈ−１１３）。

好ましいＳｉ−テトラアリールが、たとえば文献ＵＳ２００４／０２０９１１５、ＵＳ２００４／０２０９１１６、ＵＳ２００７／００８７２１９Ａ１、およびＨ．Ｇｉｌｍａｎ、Ｅ．Ａ．Ｚｕｅｃｈ、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ＆ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ（Ｌｏｎｄｏｎ、ＵｎｉｔｅｄＫｉｎｇｄｏｍ）、１９６０、１２０に詳述されている。特に好ましいＳｉ−テトラアリールを、式Ｈ−１１４〜Ｈ−１２０により記載する。

リン光ドーパント用のマトリックスの製造に特に好ましい化合物が、とりわけＤＥ１０２００９０２２８５８、ＤＥ１０２００９０２３１５５、ＥＰ６５２２７３Ｂ１、ＷＯ２００７／０６３７５４およびＷＯ２００８／０５６７４６に詳述されており、特に好ましい化合物を式Ｈ−１２１〜Ｈ−１２４により記載する。

ホスト材料として機能できる、本発明に従い使用可能な機能性化合物に関し、少なくとも１個の窒素原子を含有する物質が特に好ましい。これらは、好ましくは芳香族アミン、トリアジン誘導体およびカルバゾール誘導体を含む。たとえば、カルバゾール誘導体は特に、驚くべき高効率を示す。トリアジン誘導体は、言及した化合物を含む電子デバイスの予期しないほどの長寿命をもたらす。

複数の異なるマトリックス材料、とりわけ少なくとも１種の電子伝導マトリックス材料と少なくとも１種の正孔伝導マトリックス材料を混合物として使用することも好ましい場合がある。たとえばＷＯ２０１０／１０８５７９に記載されているような、電荷輸送マトリックス材料と、電荷輸送には関与するとしても顕著な程度には関与しない電気的に不活性なマトリックス材料との混合物の使用も同様に好ましい。

加えて、一重項状態から三重項状態への移行を改善し、発光体特性を有する機能性化合物の支持に使用され、これらの化合物のリン光特性を改善する化合物を使用することが可能である。この目的に有用な単位はとりわけ、たとえばＷＯ０４／０７０７７２Ａ２およびＷＯ０４／１１３４６８Ａ１に記載されているような、カルバゾールおよび架橋カルバゾール二量体単位である。加えてこの目的に有用なのは、たとえばＷＯ０５／０４０３０２Ａ１に記載されているような、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、シラン誘導体および類似の化合物である。

ｎ−ドーパントは、ここでは還元剤、即ち、電子供与体を意味するものと理解される。ｎ−ドーパントの好ましい例は、ＷＯ２００５／０８６２５１Ａ２によるＷ（ｈｐｐ）４とさらなる電子リッチ金属錯体、Ｐ＝Ｎ化合物（たとえばＷＯ２０１２／１７５５３５Ａ１、ＷＯ２０１２／１７５２１９Ａ１）、ナフチレンカルボジイミド（たとえばＷＯ２０１２／１６８３５８Ａ１）、フルオレン（たとえばＷＯ２０１２／０３１７３５Ａ１）、ラジカルおよびジラジカル（たとえばＥＰ１８３７９２６Ａ１、ＷＯ２００７／１０７３０６Ａ１）、ピリジン（たとえばＥＰ２４５２９４６Ａ１、ＥＰ２４６３９２７Ａ１）、Ｎ−ヘテロ環式化合物（たとえばＷＯ２００９／０００２３７Ａ１）、ならびにアクリジンおよびフェナジン（たとえばＵＳ２００７／１４５３５５Ａ１）である。

加えて、本発明の粒状材料の製造に使用できる化合物は、ワイドバンドギャップ材料として構成されてもよい。ワイドバンドギャップ材料は、ＵＳ７，２９４，８４９の開示の意味での材料を意味するものと理解される。これらの系は、エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて並外れて有利な性能データを呈する。

ワイドバンドギャップ材料として使用される化合物は、２．５ｅＶ以上、好ましくは３．０ｅＶ以上、非常に好ましくは３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有してもよい。バンドギャップを計算する一方法は、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位によるものである。

加えて、本発明の粒状材料の製造に使用できる化合物は、正孔阻止材料（ＨＢＭ）として構成されてもよい。正孔阻止材料は、とりわけこの材料が発光層または正孔伝導層に隣接する層の形態で配置される場合、多層複合体において正孔（正電荷）の伝導を防止または最小化する材料を指す。一般に、正孔阻止材料は、隣接層の中の正孔輸送材料よりも低いＨＯＭＯ準位を有する。正孔阻止層は多くの場合、ＯＬＥＤにおいて発光層と電子輸送層の間に配置される。

原則として、任意公知の正孔阻止材料を使用することが可能である。本願の他の場所に詳述されるさらなる正孔阻止材料に加え、適切な正孔阻止材料は、金属錯体（ＵＳ２００３／００６８５２８）、たとえばビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌＱ）である。Ｆａｃ−トリス（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｚ）_３）が、これらの目的のために同様に使用される（ＵＳ２００３／０１７５５５３Ａ１）。フェナントロリン誘導体、たとえばＢＣＰ、またはフタルイミド、たとえばＴＭＰＰ、などを同様に使用してもよい。

加えて、適切な正孔阻止材料が、ＷＯ００／７０６５５Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２およびＷＯ０１／９３６４２Ａ１に記載されている。

加えて、本発明に従い使用可能な化合物は、電子阻止材料（ＥＢＭ）として構成されてもよい。電子阻止材料は、とりわけこの材料が発光層または電子伝導層に隣接する層の形態で配置される場合、多層複合体において電子の伝導を防止または最小化する材料を指す材料を指す。一般に、電子阻止材料は、隣接層中の電子輸送材料よりも高いＬＵＭＯ準位を有する。

原則として、任意公知の電子阻止材料を使用することが可能である。本願の他の場所に詳述されるさらなる電子阻止材料に加え、適切な電子阻止材料は、遷移金属錯体、たとえばＩｒ（ｐｐｚ）_３（ＵＳ２００３／０１７５５５３）である。

好ましくは、電子阻止材料は、アミン、トリアリールアミンおよびそれらの誘導体から選択されてもよい。

液晶特性を有する材料は、それ自体専門家分野において広く公知である。これらの材料は、適用温度では液体である一方で、他方では方向依存的な物理的特性を示す。

加えて、電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）は、それらが低分子量の化合物である場合、好ましくは３０００ｇ／ｍｏｌ以下、より好ましくは２０００ｇ／ｍｏｌ以下、とりわけ好ましくは１５００ｇ／ｍｏｌ以下、最も好ましくは１０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。

加えて、特に興味深いのは、高いガラス転移温度を特徴とする、電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）である。これに関連して、ＤＩＮ５１００５：２００５−０８に従い判定される７０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２５℃以上、とりわけ好ましくは１５０℃以上のガラス転移温度を有する、電子デバイスの機能層の製造に使用できる化合物が好ましい。

請求項１に指定する条件が満たされる場合に限り、上記の好ましい態様は、必要に応じて互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい態様において、上記の好ましい態様は、同時に成立する。

電子デバイスの機能層の製造に使用できる、本発明に従い使用できる化合物は、原理上は様々な方法により調製可能であり、それらは、上記に引用した出版物に記載されている。

電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料（ＦＭ）の説明のために上記に引用した出版物は、開示を目的として参照することにより本願に組み込まれる。

本発明に従って得ることができる粒状材料は、公知の組成物とは異なり、したがって新規である。

したがって、本発明は、本発明の方法により得ることができる粒状材料をさらに提供する。

本発明の粒状材料は、電子デバイスの特定の機能層の製造に必要な有機機能材料全てを含有してもよい。たとえば、特に正孔輸送、正孔注入、電子輸送または電子注入層が機能性化合物から形成される場合、粒状材料は、特にその化合物を有機機能材料として含む。発光層が、たとえば、マトリックスまたはホスト材料と組み合わせて発光体を含む場合、調合物は特に、本願の別の箇所でより詳細に説明したように、有機機能材料として発光体とマトリックスまたはホスト材料の混合物を含む。好ましい態様において、粒状材料は、２種以上のマトリックス材料（ホスト材料）、非常に好ましくは厳密に２種のマトリックス材料（またはホスト材料）を含む。こうした複数のマトリックスまたはホスト材料の混合物も、予混合系として当業者には公知である。

機能材料は一般に、アノードとカソードの間に導入される有機または無機材料である。有機機能材料は、好ましくは蛍光発光体、リン光発光体、ＴＡＤＦ（熱活性化型遅延蛍光）を呈する発光体、ホスト材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子阻止材料、正孔阻止材料、ワイドバンドギャップ材料、ｐ−ドーパント、ｎ−ドーパントおよび／または液晶特性を有する材料、好ましくは蛍光発光体、リン光発光体、ＴＡＤＦ（熱活性化型遅延蛍光）を呈する発光体、ホスト材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子阻止材料、正孔阻止材料、ワイドバンドギャップ材料、ｐ−ドーパントおよび／またはｎ−ドーパントからなる群から選択される。

本発明は、電子デバイスの製造のための本発明による粒状材料の使用をさらに提供する。

電子デバイスは、アノード、カソードおよび介在する少なくとも１つの機能層を含む任意のデバイスを意味するものと理解され、前記機能層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。

有機電子デバイスは、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）、ポリマーエレクトロルミネッセントデバイス（ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機ソーラーセル（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容器、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、有機電気センサ、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）または液晶ディスプレイである。

活性成分は一般に、アノードとカソードの間に挿入される有機または無機材料であり、これらの活性成分は、電子デバイスの特性、たとえばその性能および／またはその寿命を決定、維持および／または向上するものであり、たとえば電荷注入、電荷輸送または電荷阻止材料であるが、とりわけ発光材料およびマトリックス材料である。したがって、電子デバイスの機能層の製造に使用できる有機機能材料は、好ましくは電子デバイスの活性成分を含む。

本発明の好ましい態様は、有機エレクトロルミネッセントデバイスである。有機エレクトロルミネッセントデバイスは、カソード、アノードおよび少なくとも１つの発光層を含む。

マトリックスと共に２種以上の三重項発光体の混合物を使用することがさらに好ましい。この場合、短波長発光スペクトルを有する三重項発光体は、より長波長の発光スペクトルを有する三重項発光体のためのコマトリックスとして機能する。

この場合、発光層中のマトリックス材料の割合は、蛍光発光層の場合好ましくは体積で５０％乃至９９．９％、より好ましくは体積で８０％乃至９９．５％、とりわけ好ましくは体積で９２％乃至９９．５％であり、リン光発光層の場合体積で８５％乃至９７％である。

これに対応し、ドーパントの割合は、蛍光発光層の場合好ましくは体積で０．１％乃至５０％、より好ましくは体積で０．５％乃至２０％、とりわけ好ましくは体積で０．５％乃至８％であり、リン光発光層の場合体積で３％乃至１５％である。

有機エレクトロルミネッセントデバイスの発光層は、複数のマトリックス材料を含有する系（混合マトリックス系）および／または複数のドーパントを含んでもよい。この場合も、ドーパントは一般に、系中での割合が低い方の材料であり、マトリックス材料は、系中での割合が高い方の材料である。ただし、個々の場合、系中での単一のマトリックス材料の割合は、単一のドーパントの割合より低くてもよい。

混合マトリックス系は、好ましくは２または３種の異なるマトリックス材料、より好ましくは２種の異なるマトリックス材料を含む。この場合、好ましくは、２種の材料の一方は、正孔輸送特性を有する材料であり、他方の材料は、電子輸送特性を有する材料である。ただし、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分が主として、あるいは完全に併せ持っていてもよく、この場合、さらなる混合マトリックス成分（複数可）は、他の機能を果たす。２種の異なるマトリックス材料は、１：５０〜１：１、好ましくは１：２０〜１：１、より好ましくは１：１０〜１：１、最も好ましくは１：４〜１：１の比で存在してもよい。リン光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいては混合マトリックス系を使用することが好ましい。混合マトリックス系のさらなる詳細は、たとえばＷＯ２０１０／１０８５７９に見出すことができる。

これらの層の他に、有機エレクトロルミネッセントデバイスは、さらなる別の層、たとえば各場合において、１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、励起子阻止層、電子阻止層、電荷生成層（ＩＤＭＣ２００３、Ｔａｉｗａｎ；Ｓｅｓｓｉｏｎ２１ ＯＬＥＤ（５）、Ｔ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ、Ｔ．Ｎａｋａｄａ、Ｊ．Ｅｎｄｏ、Ｋ．Ｍｏｒｉ、Ｎ．Ｋａｗａｍｕｒａ、Ａ．Ｙｏｋｏｉ、Ｊ．Ｋｉｄｏ、Ｍｕｌｔｉｐｈｏｔｏｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ＥＬ Ｄｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合を含んでもよい。同時に、１つ以上の正孔輸送層をたとえば金属酸化物、たとえばＭｏＯ_３またはＷＯ_３で、または（過）フッ素化電子不足芳香族系をｐドープすること、および／または１つ以上の電子輸送層をｎドープすることが可能である。たとえば励起子阻止機能を有する、および／またはエレクトロルミネッセンスデバイスにおける電荷バランスを制御する中間層を２つの発光層の間に導入することも同様に可能である。ただし、指摘すべきことであるが、これらの層のそれぞれは、必ずしも存在する必要があるとは限らない。これらの層は同様に、先に定義したような本発明の調合物を使用して得てもよい。

好ましくは、本発明の電子デバイスの１つ以上の層を気相から、好ましくは再昇華により製造するようにしてもよい。したがって、本粒状材料は、好ましくは対応するコーティング装置に粒状材料を充填できるように構成されてもよい。

とりわけ、粒状材料が蒸発装置に移送されるようにしてもよい。

また、本発明の電子デバイスの１つ以上の層を溶液から、たとえばスピンコーティングにより、または任意の印刷法、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷もしくはオフセット印刷であるが、より好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱イメージング、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷により生成するようにしてもよい。

それ自体公知の方法で、用途に応じ、デバイスは対応して構造化され、接点が接続され、こうしたデバイスの寿命は水および／または空気の存在下では大幅に短くなるため、最終的に密閉される。

本発明の粒状材料およびそれから得ることができる電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイスは、先行技術に対する下記の驚くべき利点のうち１つ以上のために注目に値する：
１．本発明の粒状材料は、高度に環境に優しく、特に労働安全性が高いという点で注目に値する。

２．本発明の粒状材料は、安価に製造することができる。

３．本発明の粒状材料は、非常に微細に構造化された電子デバイスの製造に使用できる組成物の安全で信頼のおける輸送を可能とする。

４．本発明の粒状材料は、従来の装置で処理することができ、この点でも費用的利点を達成できる。

５．本発明の粒状材料を用いて得ることができる電子デバイスは、従来の固体材料を用いて得られる電子デバイスと比較して、非常に高い安定性、非常に長い寿命、および優れた品質を呈し、材料の長期保存または輸送後であってもこの特性を達成できる。

これら上記の利点は、さらなる電子的特性の低下を伴わない。

指摘すべきことであるが、本発明に記載の態様の変形は、本発明の範囲内に含まれる。本発明において開示される特徴は何れも、明確に排除されない限り、同じ目的、または同等もしくは類似の目的を果たす代替的特徴により置きかえてもよい。したがって、本発明において開示されるそれぞれの特徴は何れも、特に断らない限り、包括的シリーズの一例、または同等もしくは類似の特徴とみなすべきである。

本発明の特徴は全て、特定の特徴および／または工程が相互に排他的でない限り、任意の方法で互いに組み合わせてもよい。これはとりわけ、本発明の好ましい特徴について言える。同様に、必須ではない組合せの特徴は、個別に（かつ組み合わせることなく）使用してもよい。

さらに指摘すべきことであるが、多くの特徴、とりわけ本発明の好ましい態様の特徴は、それ自体進歩性があり、本発明の態様の一部分に過ぎないとみなすべきではない。これらの特徴について、本発明で請求されているそれぞれの発明に加えて、あるいはその代替として、独立した保護を求めることができる。

本発明により開示される技術的教示を抽出し、他の例と組み合わせてもよい。

当業者は、与えられた詳細を使用して、独創的な技術を用いることなく、本発明のさらなる電子デバイスを製造することができ、したがって、請求された範囲全体を通じて本発明を実施することができる。

プラントでの本発明の方法の実施を以下に概略図により示す。

図１は、本発明の方法の実施のためのプラント（１）の概略図を示す。プラント（１）において、機能材料の溶融物が適用容器とも呼ばれる溶融物を供給するためのユニット（１０）により供給される。このユニットは、好ましくは機能材料を製造するためのプラントとして設計されている。溶融物はユニット（１０）からノズル（１４）を介して下降管（１６）に導かれる。下降管（１６）において、溶融物は冷却されて粒状材料を形成し、粒状材料は、下降管から取り出すことができる。さらなる構成要素がプラントの構成において存在することが任意に可能である。たとえば、導管（１２）をユニット（１０）とノズル（１４）の間に設けてもよい。加えて、下降管（１６）から粒状材料を取り出すための導管（１８）を設けてもよい。プラントは、好ましくは導管（１８）を組み込むことなく下降管に直接接続されてもよい収集容器（１９）をさらに含んでもよい。 図２は、本発明の方法により製造された機能材料Ｍ−１を示す。粒状粒子の平均直径は、０．９４ｍｍである。

当業者には明らかなことであるが、上記の態様の多くの実施には、プラントの説明においてここでは明示的に指定されていないさらなる設備が必要である。それにはとりわけ、ポンプおよび冷却ユニット、ならびに上記の不活性ガス用の入口または出口が含まれる。さらに、強調すべきことであるが、下降管は、凝集物または構造的特徴を含むように構成し、形成される凝集物を特に容易に適宜取り出せるようにできる。

［実施例］
適用容器（１０）において、２９０℃および５００ｍｂａｒでＭ−１を溶融させた。溶融物はノズル（１４）を介して下降管（１６）に流入する。ノズル（１４）は、０．３ｍｍの直径を有する。長さ２．５ｍの下降管（１６）は、３３５ｍｂａｒの圧力のヘリウムで満たされている。下降管（１６）は、１．０ｍの長さにわたり液体窒素で冷却される冷却ジャケットを備えている。粒状材料は、収集容器（１９）に収集される。

連続方式においては、規模の制約は存在しない。バッチ式操作においては、処理できる量は、適用容器（１０）および収集容器（１９）の体積により規定される。

図１は、粒状材料を製造するためのプラントの構成を示す。図２は、本発明の方法により製造された機能材料Ｍ−１を含む粒状材料を示す。粒状粒子の平均直径は０．９４ｍｍである。明確に明らかなことであるが、粒状材料は、低レベルの微粉および低レベルの粉塵を含有する。

Claims (15)

1. 電子デバイスの機能層の製造に使用できる少なくとも１種の機能材料（ＦＭ）を含む粒状材料を製造するための方法であって、
   Ａ）電子デバイスの機能層の製造に使用できる機能材料の溶融物を、適用容器中に用意する工程；
   Ｂ）Ａ）において得られた前記溶融物を下降管に移送する工程；
   Ｃ）工程Ｂ）において前記下降管に移送された前記溶融物を冷却して粒状材料を得る工程
   を含む、方法。
2. 電子デバイスの機能層の製造に使用できる前記機能材料（ＦＭ）が、蛍光発光体、リン光発光体、ＴＡＤＦ（熱活性化型遅延蛍光）を呈する発光体、ホスト材料、電子輸送材料、励起子阻止材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、ｎ−ドーパント、ｐ−ドーパント、ワイドバンドギャップ材料、電子阻止材料、正孔阻止材料および／または液晶特性を有する材料からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 電子デバイスの機能層の製造に使用できる前記機能材料（ＦＭ）が、５０℃を超える温度で分解することなく溶融可能であることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
4. 電子デバイスの機能層の製造に使用できる前記機能材料（ＦＭ）が、処理温度で溶融状態で、１０時間の保存期間にわたり０．１重量％以下の分解を呈することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
5. 前記工程Ｂ）において前記溶融物を下降管に移送する圧力が、前記下降管内の圧力よりも高く、前記適用容器内の圧力が少なくとも１５０ｍｂａｒ、好ましくは４００〜７００ｍｂａｒの範囲であり、前記下降管内の圧力が少なくとも７５ｍｂａｒ、好ましくは２５０〜５００ｍｂａｒであることを特徴とする、先行する請求項の何れか１項に記載の方法。
6. 工程Ｂ）において前記下降管に移送された前記溶融物が、工程Ｃ）において不活性ガスで冷却されることを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
7. 前記不活性ガスが、０℃以下、好ましくは−２００〜−７０℃の範囲の温度を有することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. 工程Ｂ）において前記下降管に移送された前記溶融物が、工程Ｃ）において少なくとも５０ｃｍの下降高さにわたり、好ましくは１００〜８００ｃｍの範囲の下降高さにわたり冷却されることを特徴とする、請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
9. 前記下降管内に１００〜７５０ｍｂａｒの範囲、好ましくは２５０〜５００ｍｂａｒの範囲の絶対圧力が存在することを特徴とする、請求項１〜８の何れか１項に記載の方法。
10. 工程Ｂ）において前記溶融物がノズルを通して前記下降管に移送されることを特徴とする、請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
11. 前記ノズルが、０．７ｍｍ以下の直径、好ましくは０．１〜０．５ｍｍの範囲の直径、より好ましくは０．２〜０．３ｍｍの範囲の直径を有することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
12. 電子デバイスの機能層の製造に使用できる前記機能材料（ＦＭ）が、フェニル、フルオレン、インデノフルオレン、スピロビフルオレン、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、スピロカルバゾール、ピリミジン、トリアジン、ラクタム、トリアリールアミン、ジベンゾフラン、ジベンゾチエン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、５−アリールフェナントリジン−６−オン、９，１０−デヒドロフェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フルオラデンからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
13. 請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法により得ることができる粒状材料。
14. 電子デバイスの製造のための請求項１３に記載の粒状材料の使用。
15. 前記粒状材料が蒸発デバイスに移送されることを特徴とする、請求項１４に記載の使用。

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