JP2021175084A - 高周波回路および通信装置 - Google Patents

高周波回路および通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021175084A
JP2021175084A JP2020077682A JP2020077682A JP2021175084A JP 2021175084 A JP2021175084 A JP 2021175084A JP 2020077682 A JP2020077682 A JP 2020077682A JP 2020077682 A JP2020077682 A JP 2020077682A JP 2021175084 A JP2021175084 A JP 2021175084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
band
transmission
filter
frequency circuit
communication band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020077682A
Other languages
English (en)
Inventor
礼滋 中嶋
Reiji Nakajima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2020077682A priority Critical patent/JP2021175084A/ja
Priority to KR1020210036354A priority patent/KR102430265B1/ko
Priority to US17/224,162 priority patent/US20210336640A1/en
Priority to CN202120757565.XU priority patent/CN215186734U/zh
Publication of JP2021175084A publication Critical patent/JP2021175084A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/267—A capacitor based passive circuit, e.g. filter, being used in an amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

【課題】複数の送信信号を同時送信している際に、送信信号の品質劣化が抑制された高周波回路を提供する。【解決手段】高周波回路１０は、第１通信バンドの送信信号を、第２通信バンドの送信信号と同時に送信することが可能であり、送信入力端子１１０と、第１通信バンドの送信信号を増幅可能な電力増幅器１１Ｔと、送信入力端子１１０と電力増幅器１１Ｔの入力端子との間に接続され、第１通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３３と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、高周波回路および通信装置に関する。
異なる周波数の高周波信号を同時に送信することが可能な高周波回路が求められている。
特許文献１（の図２Ｂ）には、第１送信回路と第２送信回路とを有する電子システム（高周波フロントエンドモジュール）の回路構成が開示されている。具体的には、第１送信回路は、一の周波数領域（第１の周波数帯域群）の高周波信号を増幅する第１電力増幅器と、第１アンテナスイッチと、第１電力増幅器と第１アンテナスイッチとを結ぶ第１信号経路に配置された第１帯域選択スイッチと、第１帯域選択スイッチに接続された複数の第１フィルタ（デュプレクサ）とを有している。第２送信回路は、他の周波数領域（第２の周波数帯域群）の高周波信号を増幅する第２電力増幅器と、第２アンテナスイッチと、第２電力増幅器と第２アンテナスイッチとを結ぶ第２信号経路に配置された第２帯域選択スイッチと、第２帯域選択スイッチに接続された複数の第２フィルタ（デュプレクサ）と、を有している。これによれば、第１送信回路から出力された第１送信信号と、第２送信回路から出力された第２送信信号とを同時送信することが可能である。
特開２０１７−１７６９１号公報
しかしながら、第１電力増幅器から出力される第１送信信号と第２電力増幅器から出力される第２送信信号とを同時送信する場合、第２電力増幅器に入力される前の第２送信信号が第１電力増幅器の入力端子に回り込む場合がある。この場合、第１電力増幅器において、第１送信信号および第２送信信号による相互変調歪が発生してしまい、第１電力増幅器から出力される高周波信号の品質が劣化するという問題がある。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、複数の送信信号を同時送信している際に、送信信号の品質劣化が抑制された高周波回路および通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、第１通信バンドの送信信号を、第２通信バンドの送信信号と同時に送信することが可能な高周波回路であって、第１送信入力端子と、前記第１通信バンドの送信信号を増幅可能な第１電力増幅器と、前記第１送信入力端子と前記第１電力増幅器の入力端子との間に接続され、前記第１通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、前記第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする第１フィルタと、を備える。
本発明によれば、複数の送信信号を同時送信している際に、送信信号の品質劣化が抑制された高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。 実施の形態に係る通信装置における信号の流れを示す図である。 実施の形態の変形例１に係る高周波回路の回路構成図である。 実施の形態の変形例２に係る高周波回路の回路構成図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例及び変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。
また、以下において、「送信経路」、「受信経路」、「バイパス経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
（実施の形態）
［１．高周波回路および通信装置の構成］
図１は、実施の形態に係る高周波回路１０および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波回路１０および２０と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、スイッチ４と、を備える。
ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路であり、高周波回路１０および２０の受信経路を介して入力された受信信号をダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ：図示せず）へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣから入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を高周波回路１０および２０の送信経路に出力する。
特に、ＲＦＩＣ３は、異なる通信バンドの送信信号を同時に高周波回路１０および２０へ出力することが可能である。
本実施の形態では、ＲＦＩＣ３は、第１通信バンドの送信信号および第３通信バンドの送信信号を送信することが可能な端子３１０と、第１通信バンドの受信信号および第３通信バンドの受信信号を受信することが可能な端子３２０と、第２通信バンドの送信信号を送信することが可能な端子３３０と、第２通信バンドの受信信号を受信することが可能な端子３４０と、を有している。
なお、第１通信バンド、第２通信バンド、および第３通信バンドのそれぞれは、例えば、第４世代移動通信システム（４Ｇ）に使用される通信バンド、および、第５世代移動通信システム（５Ｇ）に使用される通信バンドのいずれであってもよい。
また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、スイッチ４、高周波回路１０が有するスイッチ５１および５２の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）によって、上記各スイッチの接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波回路１０、２０、またはＢＢＩＣに設けられていてもよい。
スイッチ４は、共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、共通端子がアンテナ２に接続され、第１選択端子が高周波回路１０の入出力端子１００に接続され、第２選択端子が高周波回路２０の入出力端子２００に接続されている。この構成により、スイッチ４は、アンテナ２と高周波回路１０との接続および非接続を切り換え、かつ、アンテナ２と高周波回路２０との接続および非接続を切り替える。つまり、スイッチ４の切り替え動作によれば、（１）アンテナ２と高周波回路１０との接続かつアンテナ２と高周波回路２０との接続、（２）アンテナ２と高周波回路１０との接続かつアンテナ２と高周波回路２０との非接続、（３）アンテナ２と高周波回路１０との非接続かつアンテナ２と高周波回路２０との接続、のいずれかを実行できる。なお、スイッチ４は、なくてもよく、アンテナ２と高周波回路１０および２０とが直接接続されていてもよい。
アンテナ２は、スイッチ４の共通端子に接続され、第１通信バンドの送信信号および第２通信バンドの送信信号を放射し、また、受信する。
なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２、スイッチ４およびＢＢＩＣは、必須の構成要素ではない。
次に、高周波回路１０および２０の構成について説明する。
図１に示すように、高周波回路１０は、入出力端子１００と、送信入力端子１１０と、受信出力端子１２０と、電力増幅器１１Ｔと、低雑音増幅器１１Ｒと、フィルタ３３と、デュプレクサ３１および３２と、スイッチ５１および５２と、を備える。
送信入力端子１１０は、第１送信入力端子の一例であり、ＲＦＩＣ３の端子３１０に接続されている。受信出力端子は、ＲＦＩＣ３の端子３２０に接続されている。入出力端子１００は、デュプレクサ３１の共通端子およびデュプレクサ３２の共通端子に接続されている。
電力増幅器１１Ｔは、第１電力増幅器の一例であり、第１通信バンドおよび第３通信バンドの送信信号を増幅することが可能である。
フィルタ３３は、第１フィルタの一例であり、一端が送信入力端子１１０に接続され、他端が電力増幅器１１Ｔの入力端子に接続されている。フィルタ３３は、第１通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする通過特性を有している。なお、フィルタ３３は、上記の通過特性を満たすフィルタであればよく、帯域通過型フィルタ、低域通過型フィルタ、高域通過型フィルタ、および、帯域除去フィルタのいずれであってもよい。また、フィルタ３３は、１以上のインダクタおよび１以上のキャパシタを含むＬＣフィルタであってもよい。これによれば、例えば、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタの少なくとも一方を、電力増幅器１１Ｔを構成するインダクタまたはキャパシタと兼用することも可能となる。
低雑音増幅器１１Ｒは、第１低雑音増幅器の一例であり、第１通信バンドの受信信号および第３通信バンドの受信信号を増幅することが可能である。低雑音増幅器１１Ｒの出力端子は、受信出力端子１２０に接続されている。
なお、電力増幅器１１Ｔおよび低雑音増幅器１１Ｒは、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）またはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
デュプレクサ３１は、送信フィルタ３１Ｔと、受信フィルタ３１Ｒとを備えるマルチプレクサである。送信フィルタ３１Ｔは、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とし、受信フィルタ３１Ｒは、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域としている。
デュプレクサ３２は、送信フィルタ３２Ｔと、受信フィルタ３２Ｒとを備えるマルチプレクサである。送信フィルタ３２Ｔは、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とし、受信フィルタ３２Ｒは、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域としている。
なお、デュプレクサ３１および３２のそれぞれは、デュプレクサを構成していなくてもよく、時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送する１つのフィルタであってもよい。この場合には、上記１つのフィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。
スイッチ５１は、共通端子５１ａ、選択端子５１ｂおよび５１ｃを有する。共通端子５１ａは電力増幅器１１Ｔの出力端子に接続され、選択端子５１ｂは送信フィルタ３１Ｔの入力端子に接続され、選択端子５１ｃは送信フィルタ３２Ｔの入力端子に接続されている。上記接続構成により、スイッチ５１は、電力増幅器１１Ｔと送信フィルタ３１Ｔとの接続、および、電力増幅器１１Ｔと送信フィルタ３２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５２は、共通端子５２ａ、選択端子５２ｂおよび５２ｃを有する。共通端子５２ａは低雑音増幅器１１Ｒの入力端子に接続され、選択端子５２ｂは受信フィルタ３１Ｒの出力端子に接続され、選択端子５２ｃは受信フィルタ３２Ｒの出力端子に接続されている。上記接続構成により、スイッチ５２は、低雑音増幅器１１Ｒと受信フィルタ３１Ｒとの接続、および、低雑音増幅器１１Ｒと受信フィルタ３２Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
なお、低雑音増幅器１１Ｒとスイッチ５１および５２の少なくとも１つとは、１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
上記構成によれば、高周波回路１０は、第１通信バンドの高周波信号の送受信、および、第３通信バンドの高周波信号の送受信を選択的に実行することが可能となる。
なお、高周波回路１０は、少なくとも第１通信バンドの高周波信号の送信を実行できればよく、この場合には、高周波回路１０は、電力増幅器１１Ｔおよび送信フィルタ３１Ｔを有していればよく、その他の回路素子は必須の構成要素ではない。
また、図１に示すように、高周波回路２０は、入出力端子２００と、送信入力端子２１０と、受信出力端子２２０と、電力増幅器２１Ｔと、低雑音増幅器２１Ｒと、デュプレクサ４１と、を備える。
送信入力端子２１０は、第２送信入力端子の一例であり、ＲＦＩＣ３の端子３３０に接続されている。受信出力端子は、ＲＦＩＣ３の端子３４０に接続されている。入出力端子２００は、デュプレクサ４１の共通端子に接続されている。
電力増幅器２１Ｔは、第２電力増幅器の一例であり、第２通信バンドの送信信号を増幅することが可能である。電力増幅器２１Ｔの入力端子は、送信入力端子２１０に接続されている。
低雑音増幅器２１Ｒは、第２通信バンドの受信信号を増幅することが可能である。低雑音増幅器２１Ｒの出力端子は、受信出力端子２２０に接続されている。
なお、電力増幅器２１Ｔおよび低雑音増幅器２１Ｒは、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳまたはＧａＡｓを材料とした、ＦＥＴまたはＨＢＴなどで構成されている。
デュプレクサ４１は、送信フィルタ４１Ｔと、受信フィルタ４１Ｒとを備えるマルチプレクサである。送信フィルタ４１Ｔは、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とし、受信フィルタ４１Ｒは、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域としている。送信フィルタ４１Ｔの入力端子は、電力増幅器２１Ｔの出力端子に接続されており、受信フィルタ４１Ｒの出力端子は低雑音増幅器２１Ｒの入力端子に接続されている。
上記構成によれば、高周波回路２０は、第２通信バンドの高周波信号の送受信を実行することが可能となる。
通信装置５の上記構成によれば、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との同時送信を実行することが可能であり、また、第３通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との同時送信を実行することが可能である。
図２は、実施の形態に係る通信装置５における信号の流れを示す図である。同図には、第１通信バンドの送信信号および受信信号、ならびに、第２通信バンドの送信信号および受信信号の同時伝送が実行されている状態が示されている。
高周波回路１０において、第１通信バンドの送信信号は、ＲＦＩＣ３の端子３１０から出力され、送信入力端子１１０、フィルタ３３、電力増幅器１１Ｔ、スイッチ５１、送信フィルタ３１Ｔ、入出力端子１００、およびスイッチ４の順に伝送され、アンテナ２から送信される。これと同時に、第１通信バンドの受信信号は、アンテナ２で受信され、スイッチ４、入出力端子１００、受信フィルタ３１Ｒ、スイッチ５２、低雑音増幅器１１Ｒ、および受信出力端子１２０の順に伝送され、ＲＦＩＣ３の端子３２０で受信される。
一方、高周波回路２０において、高周波回路１０における第１通信バンドの送受信と同時に、第２通信バンドの送信信号は、ＲＦＩＣ３の端子３３０から出力され、送信入力端子２１０、電力増幅器２１Ｔ、送信フィルタ４１Ｔ、入出力端子２００、およびスイッチ４の順に伝送され、アンテナ２から送信される。これと同時に、第２通信バンドの受信信号は、アンテナ２で受信され、スイッチ４、入出力端子２００、受信フィルタ４１Ｒ、低雑音増幅器２１Ｒ、および受信出力端子２２０の順に伝送され、ＲＦＩＣ３の端子３４０で受信される。
ここで、上記のとおり、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とが同時に送信されている場合、端子３３０から出力された第２通信バンドの送信信号が、ＲＦＩＣ３の端子３１０を経由して送信入力端子１１０から高周波回路１０へ流入する場合がある。この場合、電力増幅器１１Ｔにて第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との相互変調歪が発生することが想定される。この相互変調歪の不要波が第１通信バンドの送信信号に重畳されると、高周波回路１０から出力される送信信号が所定の規格（スプリアスエミッション規格など）を満足できなくなるという問題が発生する。
これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１０によれば、電力増幅器１１Ｔの前段に、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３３が配置されているので、第２通信バンドの送信信号が電力増幅器１１Ｔに流入することを抑制できる。これにより、電力増幅器１１Ｔにて第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との相互変調歪が発生することを抑制できる。よって、高周波回路１０から送信される送信信号の信号品質の劣化が抑制される。
なお、フィルタ３３は、通過帯域が可変するフィルタであってもよい。これによれば、例えば、送信入力端子１１０から流入する第２通信バンドの送信信号の周波数に応じてフィルタ３３の通過帯域を変化させることができる。よって、高周波回路１０から送信される送信信号の信号品質の劣化を高精度に抑制できる。
また、電力増幅器１１Ｔにて発生する第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との相互変調歪の不要波が、スイッチ５１、送信フィルタ３１Ｔ、受信フィルタ３１Ｒ、スイッチ５２、および低雑音増幅器１１Ｒを経由して受信経路に流入することが懸念される。
これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１０によれば、電力増幅器１１Ｔの前段に、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３３が配置されているので、上記相互変調歪が受信経路に流入することを抑制できる。よって、高周波回路１０の受信感度の劣化が抑制される。
なお、本実施の形態に係る高周波回路１０は、高周波回路２０を含んでもよい。この場合、例えば、高周波回路１０を構成する回路素子と、高周波回路２０を構成する回路素子とが、同一の実装基板に配置されていてもよい。または、高周波回路１０を構成する回路素子と、高周波回路２０を構成する回路素子とが、同一のパッケージに内蔵されていてもよい。また、この場合、低雑音増幅器１１Ｒおよび２１Ｒ、ならびにスイッチ５１および５２が、１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。さらには、電力増幅器１１Ｔおよび２１Ｔが、１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。
この場合には、高周波回路の小型化が促進されるが、第２通信バンドの送信信号が送信入力端子１１０を経由して電力増幅器１１Ｔに流入し易くなることが懸念されるが、電力増幅器１１Ｔの前段に、フィルタ３３が配置されているので、高周波回路１０を小型化しつつ第１通信バンドの送信信号の品質劣化を抑制できる。
また、本実施の形態に係る高周波回路１０および２０において、高周波回路１０を構成する回路素子と、高周波回路２０を構成する回路素子とが、異なる実装基板に配置されていてもよい。
本実施の形態に係る高周波回路１０および２０において、例えば、第１通信バンドとして４Ｇ−ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ５（送信帯域：８２４−８４９ＭＨｚ、受信帯域：８６９−８９４ＭＨｚ）が適用される。また、第２通信バンドとして４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ６６（送信帯域：１７１０−１７８０ＭＨｚ、受信帯域：２１１０−２２００ＭＨｚ）が適用される。このとき、第１通信バンドの送信信号（ｆＴ１：８３５ＭＨｚ）および第２通信バンドの送信信号（ｆＴ２：１７１５ＭＨｚ）による２次相互変調歪（ＩＭＤ２：ｆＴ２−ｆＴ１）の周波数は８８０ＭＨｚであり、Ｂａｎｄ５の受信帯域に含まれる。
これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１０によれば、電力増幅器１１Ｔの前段に、４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ６６の送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３３が配置されているので、相互変調歪ＩＭＤ２が４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ５の受信経路に流入することを抑制できる。よって、高周波回路１０の受信感度の劣化が抑制される。
なお、２つの送信信号（Ｔ１およびＴ２）による相互変調歪の周波数としては、典型的には、３ｆＴ１−２ｆＴ２、２ｆＴ２−２ｆＴ１、２ｆＴ１−ｆＴ２、２ｆＴ２−ｆＴ１、ｆＴ１−ｆＴ２、およびｆＴ２−ｆＴ１が挙げられるが、これに限られず、ｍｆＴ１±ｎｆＴ２、および、ｍｆＴ２±ｎｆＴ１に（ｍ、ｎは自然数）で規定されるものが含まれる。
また、本実施の形態では、高周波回路１０を伝送する高周波信号は４Ｇで使用され、高周波回路２０を伝送する高周波信号は５Ｇで使用され、高周波回路１０を伝送する高周波信号と高周波回路２０を伝送する高周波信号とは、デュアルコネクティビティ（ＤＣ）により同時送信されてもよい。
近年、例えば、４Ｇから５Ｇへ移行する準備段階として、４Ｇ−ＬＴＥの通信網を利用して５Ｇの通信を行うＮＳＡという技術が生まれている。ＮＳＡのなかには、通信データ量を増やすために、同一通信バンド内において異なる通信システム（４Ｇ‐ＬＴＥと５Ｇ‐ＮＲ（Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ））で使用される２つ高周波信号を同時に送受信するＤＣ技術が生まれつつある。
これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１０および２０によれば、４Ｇと５ＧとのＤＣ技術により同時送信される場合であっても、同時送信される２つの通信バンドの組み合わせを制限せずに、送信信号の品質低下を抑制でき、また、受信感度の低下を抑制できる。
［２．変形例１に係る高周波回路の構成］
図３は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１０Ａの回路構成図である。同図に示すように、本変形例に係る高周波回路１０Ａは、入出力端子１００と、送信入力端子１１０と、受信出力端子１２０と、電力増幅器１１Ｔと、低雑音増幅器１１Ｒと、フィルタ３３と、デュプレクサ３１および３２と、スイッチ５１、５２および５３と、を備える。本変形例に係る高周波回路１０Ａは、実施の形態に係る高周波回路１０と比較して、スイッチ５３が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１０Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１０と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
スイッチ５３は、第１スイッチの一例であり、フィルタ３３の入力端子および出力端子に接続され、フィルタ３３をバイパスする、および、バイパスしない、を切り替える。より具体的には、スイッチ５３は、導通状態となることによりフィルタ３３の入力端子と出力端子とを結ぶバイパス経路を導通させる。一方、スイッチ５３は、非導通状態となることにより上記バイパス経路を非導通とする。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｓｉｎｇｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。
上記構成によれば、送信入力端子１１０から流入する第２通信バンドの送信信号の周波数に応じてフィルタ３３を通過させるかバイパスさせるかを選択できる。
仮に、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、これら２つの送信信号による相互変調歪の不要波が、高周波回路１０Ａから出力される第１通信バンドの送信信号の信号品質を劣化させる可能性がある、または、高周波回路１０Ａの受信感度を劣化させる可能性があるとする。一方、第３通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、これら２つの送信信号による相互変調歪の不要波が、高周波回路１０Ａから出力される第３通信バンドの送信信号の信号品質を劣化させない、および、高周波回路１０Ａの受信感度を劣化させないとする。この仮定において、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、スイッチ５３を非導通状態として、送信入力端子１１０から電力増幅器１１Ｔへ向かう送信信号に対してフィルタ３３を通過させる。一方、第３通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、スイッチ５３を導通状態として、送信入力端子１１０から電力増幅器１１Ｔへ向かう送信信号に対してフィルタ３３をバイパスさせる。
これによれば、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、高周波回路１０Ａから送信される送信信号の信号品質の劣化を抑制でき、第３通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、第３通信バンドの送信信号がフィルタ３３を通過しないので、当該送信信号の伝送損失を低減できる。
［３．変形例２に係る高周波回路の構成］
図４は、実施の形態の変形例２に係る高周波回路１０Ｂの回路構成図である。同図に示すように、本変形例に係る高周波回路１０Ｂは、入出力端子１００と、送信入力端子１１０と、受信出力端子１２０と、電力増幅器１１Ｔと、低雑音増幅器１１Ｒと、フィルタ３４および３５と、バイパス経路３６と、デュプレクサ３１および３２と、スイッチ５１、５２、５４および５５と、を備える。本変形例に係る高周波回路１０Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１０と比較して、フィルタ３３の代わりに、フィルタ３４および３５、バイパス経路３６、ならびにスイッチ５５が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１０Ｂについて、実施の形態に係る高周波回路１０と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
フィルタ３４は、第１フィルタの一例であり、一端がスイッチ５４に接続され、他端がスイッチ５５に接続されている。フィルタ３４は、第１通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする通過特性を有している。
フィルタ３５は、第２フィルタの一例であり、一端がスイッチ５４に接続され、他端がスイッチ５５に接続されている。フィルタ３５は、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする通過特性を有している。なお、本変形例では、フィルタ３５は、第３通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする通過特性を有している。
スイッチ５５は、第２スイッチの一例であり、送信入力端子１１０とフィルタ３４および３５との間に配置され、共通端子、第１選択端子、第２選択端子および第３選択端子を有する。共通端子は送信入力端子１１０に接続され、第１選択端子はバイパス経路３６の一端に接続され、第２選択端子はフィルタ３４の一端に接続され、第３選択端子はフィルタ３５の一端に接続されている。スイッチ５５は、例えば、ＳＰ３Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ ３ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５５は、送信入力端子１１０とバイパス経路３６との接続、送信入力端子１１０とフィルタ３４との接続、および、送信入力端子１１０とフィルタ３５との接続、を切り替える。
スイッチ５４は、電力増幅器１１Ｔとフィルタ３４および３５との間に配置され、共通端子、第１選択端子、第２選択端子および第３選択端子を有する。共通端子は電力増幅器１１Ｔの入力端子に接続され、第１選択端子はバイパス経路３６の他端に接続され、第２選択端子はフィルタ３４の他端に接続され、第３選択端子はフィルタ３５の他端に接続されている。スイッチ５５は、例えば、ＳＰ３Ｔ型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５４は、電力増幅器１１Ｔとバイパス経路３６との接続、電力増幅器１１Ｔとフィルタ３４との接続、および、電力増幅器１１Ｔとフィルタ３５との接続、を切り替える。なお、スイッチ５４はなくてもよい。
上記構成によれば、送信入力端子１１０から流入する第２通信バンドの送信信号の周波数および信号強度に応じて、また、第１通信バンドおよび第３通信バンドのいずれを送信するかに応じて、フィルタ３４、３５、およびバイパス経路３６のいずれかを選択できる。
例えば、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、送信入力端子１１０から電力増幅器１１Ｔへ向かう送信信号に対してフィルタ３４を通過させる。また、第３通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを同時伝送する場合には、送信入力端子１１０から電力増幅器１１Ｔへ向かう送信信号に対してフィルタ３５を通過させる。また、電力増幅器１１Ｔにおいて相互変調歪の発生を抑制しなくてもよい場合には、送信入力端子１１０から電力増幅器１１Ｔへ向かう送信信号に対してバイパス経路３６を通過させる。
これによれば、フィルタ３４または３５を通過させることで高周波回路１０Ｂから送信される送信信号の信号品質の劣化を抑制でき、また、バイパス経路３６を通過させることで高周波回路１０Ｂから送信される送信信号の伝送損失を低減できる。
［４．効果など］
以上、本実施の形態に係る高周波回路１０は、第１通信バンドの送信信号を、第２通信バンドの送信信号と同時に送信することが可能であり、送信入力端子１１０と、第１通信バンドの送信信号を増幅可能な電力増幅器１１Ｔと、送信入力端子１１０と電力増幅器１１Ｔの入力端子との間に接続され、第１通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３３と、を備える。
これによれば、電力増幅器１１Ｔの前段に、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３３が配置されているので、第２通信バンドの送信信号が電力増幅器１１Ｔに流入することを抑制できる。これにより、電力増幅器１１Ｔにて第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との相互変調歪が発生することを抑制できる。よって、高周波回路１０から送信される送信信号の信号品質の劣化が抑制される。
また、高周波回路１０は、さらに、第１通信バンドの受信信号を増幅可能な低雑音増幅器１１Ｒを備えてもよい。
これによれば、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号との相互変調歪が受信経路に流入することを抑制できる。よって、高周波回路１０の受信感度の劣化が抑制される。
また、高周波回路１０は、さらに、送信入力端子２１０と、送信入力端子２１０に接続され、第２通信バンドの送信信号を増幅可能な電力増幅器２１Ｔと、を備えてもよい。
これによれば、第２通信バンドの送信信号が送信入力端子２１０から送信入力端子１１０を経由して電力増幅器１１Ｔに流入することが懸念されるが、フィルタ３３の配置により、第２通信バンドの送信信号が電力増幅器１１Ｔに流入することを抑制できる。
また、高周波回路１０Ａは、さらに、フィルタ３３の入力端子および出力端子に接続され、フィルタ３３をバイパスする、および、バイパスしない、を切り替えるスイッチ５３を備えてもよい。
これによれば、送信入力端子１１０から流入する第２通信バンドの送信信号の周波数に応じてフィルタ３３を通過させるかバイパスさせるかを選択できるので、上記相互変調歪の発生がない場合には、高周波回路１０Ａから出力される送信信号の伝送損失を低減できる。
また、高周波回路１０において、フィルタ３３は、通過帯域が可変するフィルタであってもよい。
これによれば、送信入力端子１１０から流入する第２通信バンドの送信信号の周波数に応じてフィルタ３３の通過帯域が可変するので、高周波回路１０から送信される送信信号の信号品質の劣化を高精度に抑制できる。
また、高周波回路１０Ｂは、送信入力端子１１０と電力増幅器１１Ｔの入力端子との間に接続され、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とし、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３４と、送信入力端子１１０と電力増幅器１１Ｔの入力端子との間に接続され、第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とするフィルタ３５と、送信入力端子１１０とフィルタ３４および３５との間に配置され、送信入力端子１１０とフィルタ３４との接続、および、送信入力端子１１０とフィルタ３５との接続を切り替えるスイッチ５５と、を備えてもよい。
これによれば、送信入力端子１１０から流入する第２通信バンドの送信信号の周波数および信号強度などに応じてフィルタ３４および３５のいずれかを選択できるので、高周波回路１０Ｂから送信される送信信号の信号品質の劣化を高精度に抑制できる。
また、高周波回路１０において、フィルタ３３は、１以上のインダクタおよび１以上のキャパシタを含むＬＣフィルタであってもよい。
これによれば、例えば、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタの少なくとも一方を、電力増幅器１１Ｔを構成するインダクタまたはキャパシタと兼用することも可能となる。
また、通信装置５は、高周波回路１０と、第１通信バンドの送信信号と第２通信バンドの送信信号とを、高周波回路１０および２０へ同時に送信することが可能なＲＦＩＣ３と、を備える。
これにより、通信装置５から送信される送信信号の信号品質の劣化が抑制される。
（その他の実施の形態）
以上、実施の形態に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明の高周波回路および通信装置は、上記実施の形態およびその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
また、上記実施の形態およびその変形例では、２つの異なる通信バンドの送信信号を同時伝送する場合を例示したが、本発明に係る高周波回路および通信装置の構成は、３つ以上の異なる通信バンドの送信信号を同時伝送する場合にも適用できる。つまり、３つ以上の異なる通信バンドの送信信号を同時伝送する構成であって、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波回路または通信装置の構成を含む高周波回路または通信装置も、本発明に含まれる。
なお、第１通信バンド／第２通信バンドの組み合わせは、４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ５／４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ６６に限定されない。第１通信バンド／第２通信バンドの同時送信により、２次相互変調歪または３次相互変調歪が、第１通信バンドまたは第２通信バンドに発生する組み合わせは、以下の表１に示した第１通信バンド／第２通信バンドの組み合わせにも適用できる。なお、表１において、ＩＭＤが重なるバンドが第２通信バンドとなっている場合には、高周波回路１０が第２通信バンドの送信信号を送信し、高周波回路２０が第１通信バンドの送信信号を送信する場合に適用されるものとする。
Figure 2021175084
また、上記実施の形態において、通信システムとは、標準化団体等（例えば３ＧＰＰ、ＩＥＥＥ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ））によって定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Ｒａｄｉｏ Ａｃｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５Ｇ−ＮＲシステム、４Ｇ−ＬＴＥシステムおよびＷＬＡＮ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。
また、通信バンドとは、通信システムのために標準化団体等によって予め定義された周波数バンドを意味する。通信バンドとしては、例えば５ＧＮＲ周波数バンドおよび４ＧＬＴＥ周波数バンド等を用いることができるが、これらに限定されない。
また、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置において、回路素子の間に、インダクタおよびキャパシタなどの整合素子、ならびにスイッチ回路が接続されていてもよい。なお、インダクタには、回路素子間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
また、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波回路および通信装置において、「ＡとＢとが接続された」とは、ＡとＢとが他の回路素子を介さず直接接続された態様だけでなく、ＡとＢとが、インダクタおよびキャパシタなどで構成された受動回路、または、スイッチ回路などを介して間接的に接続された態様を含むものとする。
また、ＬＣフィルタとは、当該ＬＣフィルタの通過帯域が１以上のインダクタおよび１以上のキャパシタにより形成されているフィルタであると定義される。よって、ＬＣフィルタは、通過帯域外に存在する減衰極を形成するための弾性波共振子を含んでもよい。
また、本発明に係る制御部は、集積回路であるＩＣ、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）として実現されてもよい。また、集積回路化の手法は、専用回路または汎用プロセッサで実現してもよい。ＬＳＩ製造後に、プログラムすることが可能なＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）や、ＬＳＩ内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用しても良い。さらには、半導体技術の進歩または派生する別技術によりＬＳＩに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、当然、その技術を用いて機能ブロックの集積化を行ってもよい。
本発明は、キャリアアグリゲーション方式またはデュアルコネクティビティ方式を採用するマルチバンド／マルチモード対応のフロントエンドモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４、５１、５２、５３、５４、５５ スイッチ
５ 通信装置
１０、１０Ａ、１０Ｂ、２０ 高周波回路
１１Ｒ、２１Ｒ 低雑音増幅器
１１Ｔ、２１Ｔ 電力増幅器
３１、３２、４１ デュプレクサ
３１Ｒ、３２Ｒ、４１Ｒ 受信フィルタ
３１Ｔ、３２Ｔ、４１Ｔ 送信フィルタ
３３、３４、３５ フィルタ
３６ バイパス経路
５１ａ、５２ａ 共通端子
５１ｂ、５１ｃ、５２ｂ、５２ｃ 選択端子
１００、２００ 入出力端子
１１０、２１０ 送信入力端子
１２０、２２０ 受信出力端子
３１０、３２０、３３０、３４０ 端子

Claims (8)

  1. 第１通信バンドの送信信号を、第２通信バンドの送信信号と同時に送信することが可能な高周波回路であって、
    第１送信入力端子と、
    前記第１通信バンドの送信信号を増幅可能な第１電力増幅器と、
    前記第１送信入力端子と前記第１電力増幅器の入力端子との間に接続され、前記第１通信バンドの送信帯域を含む帯域を通過帯域とし、前記第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする第１フィルタと、を備える、
    高周波回路。
  2. さらに、
    前記第１通信バンドの受信信号を増幅可能な第１低雑音増幅器を備える、
    請求項１に記載の高周波回路。
  3. さらに、
    第２送信入力端子と、
    前記第２送信入力端子に接続され、前記第２通信バンドの送信信号を増幅可能な第２電力増幅器と、を備える、
    請求項１または２に記載の高周波回路。
  4. さらに、
    前記第１フィルタの入力端子および出力端子に接続され、前記第１フィルタをバイパスする、および、バイパスしない、を切り替える第１スイッチを備える、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  5. 前記第１フィルタは、通過帯域が可変するフィルタである、
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波回路。
  6. さらに、
    前記第１送信入力端子と前記第１電力増幅器の入力端子との間に接続され、前記第２通信バンドの送信帯域を含む帯域を減衰帯域とする第２フィルタと、
    前記第１送信入力端子と前記第１フィルタおよび前記第２フィルタとの間に配置され、前記第１送信入力端子と前記第１フィルタとの接続、および、前記第１送信入力端子と前記第２フィルタとの接続を切り替える第２スイッチと、を備える、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波回路。
  7. 前記第１フィルタは、１以上のインダクタおよび１以上のキャパシタを含むＬＣフィルタである、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波回路。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波回路と、
    前記第１通信バンドの送信信号と前記第２通信バンドの送信信号とを、前記高周波回路へ同時に送信することが可能なＲＦ信号処理回路と、を備える、
    通信装置。
JP2020077682A 2020-04-24 2020-04-24 高周波回路および通信装置 Pending JP2021175084A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020077682A JP2021175084A (ja) 2020-04-24 2020-04-24 高周波回路および通信装置
KR1020210036354A KR102430265B1 (ko) 2020-04-24 2021-03-22 고주파 회로 및 통신 장치
US17/224,162 US20210336640A1 (en) 2020-04-24 2021-04-07 Radio frequency circuit and communication device
CN202120757565.XU CN215186734U (zh) 2020-04-24 2021-04-14 高频电路以及通信装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020077682A JP2021175084A (ja) 2020-04-24 2020-04-24 高周波回路および通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021175084A true JP2021175084A (ja) 2021-11-01

Family

ID=78222941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020077682A Pending JP2021175084A (ja) 2020-04-24 2020-04-24 高周波回路および通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210336640A1 (ja)
JP (1) JP2021175084A (ja)
KR (1) KR102430265B1 (ja)
CN (1) CN215186734U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024057696A1 (ja) * 2022-09-16 2024-03-21 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022073733A (ja) * 2020-11-02 2022-05-17 株式会社村田製作所 高周波信号送受信回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2317760B (en) * 1996-09-27 2000-09-13 Nec Technologies Mobile telephone apparatus
FI20002881A (fi) * 2000-12-29 2002-06-30 Nokia Corp Järjestely ja menetelmä radiolähettimen häviöiden vähentämiseksi
ATE347221T1 (de) * 2003-05-23 2006-12-15 Sony Ericsson Mobile Comm Ab Automatische leistungregelungschaltung für eine qam-sendeeinrichtung in einem drahtlosen kommunikationsgerät
JP5360163B2 (ja) * 2011-08-22 2013-12-04 株式会社村田製作所 高周波フロントエンドモジュール
US10044381B2 (en) * 2012-02-23 2018-08-07 Qualcomm Incorporated Wireless device with filters to support co-existence in adjacent frequency bands
KR101988406B1 (ko) 2015-06-26 2019-06-12 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 집성된 반송파의 개별 반송파의 전력 검출
JP2019154025A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路及びそれを備える通信装置
JP2019193115A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 株式会社村田製作所 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024057696A1 (ja) * 2022-09-16 2024-03-21 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210336640A1 (en) 2021-10-28
KR20210131874A (ko) 2021-11-03
KR102430265B1 (ko) 2022-08-08
CN215186734U (zh) 2021-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1695447B1 (en) Front-end arrangements for multiband multimode communication engines
CN212935883U (zh) 高频电路以及通信装置
JP2021016049A (ja) 高周波回路および通信装置
US11239873B2 (en) Front-end circuit and communication device
JP2021048503A (ja) 高周波回路および通信装置
CN115362634B (zh) 高频电路、分集模块以及通信装置
US11201632B2 (en) High-frequency front-end module and communication device
KR102430265B1 (ko) 고주파 회로 및 통신 장치
CN113169749B (zh) 前端模块以及通信装置
JP2021163975A (ja) 高周波回路、アンテナモジュールおよび通信装置
US11496162B2 (en) Radio-frequency circuit and communication device
US11177780B2 (en) Front-end circuit and communication device
WO2022024680A1 (ja) 高周波回路および通信装置
US20210314010A1 (en) Radio-frequency module and communication device
US20240097719A1 (en) Radio-frequency circuit and communication device
WO2020226119A1 (ja) 高周波回路および通信装置
US20230079361A1 (en) High-frequency circuit and communication device
WO2022259987A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
WO2022202048A1 (ja) 高周波回路
WO2023037978A1 (ja) 高周波回路および通信装置
WO2024079964A1 (ja) 高周波回路
WO2023189276A1 (ja) 高周波回路および通信装置
US20230171079A1 (en) Radio frequency module and communication device
CN117097267A (zh) 放大电路以及通信装置