WO2022259987A1

WO2022259987A1 - 高周波モジュールおよび通信装置

Info

Publication number: WO2022259987A1
Application number: PCT/JP2022/022693
Authority: WO
Inventors: 農史小野; 弘嗣森; 佳樹矢倉; 究坂野; 明野口
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-06-11
Filing date: 2022-06-03
Publication date: 2022-12-15
Also published as: US20240106465A1

Abstract

高周波モジュール（１）は、バンドＡの第１受信帯域、バンドＡの第１送信帯域、バンドＢの第２送信帯域、およびバンドＢの第２受信帯域の周波数順に並んでおり、モジュール基板（１０および５０）と、第１送信帯域を通過帯域とするフィルタ（２１）と、第１受信帯域を通過帯域とするフィルタ（２２）と、第２受信帯域を通過帯域とするフィルタ（２３）と、フィルタ（２１）に接続される電力増幅器（４１）と、第２送信帯域を通過帯域とするフィルタ（６１）と、第２受信帯域を通過帯域とするフィルタ（６２）と、第１受信帯域を通過帯域とするフィルタ（６３）と、フィルタ（６１）に接続される電力増幅器（８１）と、を備え、フィルタ（２１～２３）および電力増幅器（４１）はモジュール基板（１０）に配置され、フィルタ（６１～６３）および電力増幅器（８１）はモジュール基板（５０）に配置される。

Description

高周波モジュールおよび通信装置

　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

　マルチバンド化およびマルチモード化に対応したフロントエンド回路に対して、複数の高周波信号を低損失かつ高アイソレーションで送受信することが求められている。

　特許文献１には、通過帯域の異なる複数のフィルタがマルチプレクサ（スイッチ）を介してアンテナに接続された構成を有する受信モジュール（伝送回路）が開示されている。

米国特許出願公開第２０１６／０１２７０１５号明細書

　３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、例えば、５Ｇ（5th generation）－ＮＲ（New Radio）の第１バンドの高周波信号と、４Ｇ（4th generation）－ＬＴＥ（Long term Evolution）の第２バンドの高周波信号との同時伝送などが要求される。

　ここで、周波数ギャップが小さい第１バンドおよび第２バンドの高周波信号を同時伝送する場合、同時送信により発生する３次相互変調歪の周波数が第１バンドの受信帯域または第２バンドの受信帯域と重複し、第１バンドまたは第２バンドの受信感度が劣化することが想定される。

　そこで、本発明は、マルチバンドの同時伝送が可能であって、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１バンドの信号と第２バンドの信号とを同時送信可能な高周波モジュールであって、第１バンドは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成され、第２バンドは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成され、低周波側または高周波側から、第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの順に位置しており、高周波モジュールは、第１基板と、第１基板と異なる第２基板と、第１基板に配置され、第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１基板に配置され、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、第１基板に配置され、第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、第１基板に配置され、第１フィルタに接続される第１電力増幅器と、第２基板に配置され、第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタと、第２基板に配置され、第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第５フィルタと、第２基板に配置され、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第６フィルタと、第２基板に配置され、第４フィルタに接続される第２電力増幅器と、を備える。

　本発明によればマルチバンドの同時伝送が可能であって、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。実施の形態に係る高周波モジュールに適用されるバンドの組み合わせを例示した図である。実施の形態の変形例１に係る高周波モジュールの回路構成図である。実施の形態の変形例２に係る高周波モジュールの回路構成図である。実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールの回路構成図である。実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールの第１の回路状態を示す図である。実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールの第２の回路状態を示す図である。実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールの第３の回路状態を示す図である。実施の形態の変形例４に係る高周波モジュールの回路構成図である。実施の形態の変形例５に係る高周波モジュールの回路構成図である。実施の形態の変形例６に係る高周波モジュールの回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、または比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、および比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡素化される場合がある。

　本開示において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含むことを意味する。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、ＡおよびＢを結ぶ経路上でＡおよびＢと接続されることを意味する。

　また、本開示において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　（実施の形態）
　［１　高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。

　［１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２ａおよび２ｂと、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

　高周波モジュール１は、アンテナ２ａおよび２ｂとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の詳細な回路構成については後述する。

　アンテナ２ａは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。アンテナ２ｂは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１５０に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

　アンテナ２ａは、例えばプライマリアンテナであり、アンテナ性能などの点でアンテナ２ｂよりも優先使用されるアンテナであり、バンドＡ（第１バンド）およびバンドＢ（第２バンド）の信号を送信および受信できるアンテナ素子である。また、アンテナ２ｂは、例えばセカンダリアンテナであり、バンドＡおよびＢの信号を送信および受信できるアンテナ素子である。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチおよび増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４または高周波モジュール１に実装されてもよい。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、および／または、スピーカを介した通話のための音声信号が用いられる。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２ａ、２ｂおよびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

　［１．２　高周波モジュール１の回路構成］
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、モジュール基板１０および５０と、フィルタ２１、２２、２３、６１、６２および６３と、電力増幅器４１および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３０、３１、３２、３３、７０、７１、７２および７３と、アンテナ接続端子１００および１５０と、高周波入力端子１０１および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。

　アンテナ接続端子１００はアンテナ２ａに接続され、アンテナ接続端子１５０はアンテナ２ｂに接続される。高周波入力端子１０１および１５１は、高周波モジュール１の外部から高周波送信信号を受けるための端子である。高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３は、高周波モジュール１の外部に高周波受信信号を提供するための端子である。

　モジュール基板１０および５０は、それぞれ、高周波モジュール１を構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１０および５０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics:ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics:ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Redistribution Layer：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１０とモジュール基板５０とは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　フィルタ２１は、第１フィルタの一例であり、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用のバンドＡ（第１バンド）のうちの第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２２は、第２フィルタの一例であり、バンドＡのうちの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２２は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２１および２２は、第１共通端子を有するバンドＡのデュプレクサを構成している。

　フィルタ２３は、第３フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＢ（第２バンド）のうちの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２３は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ６１は、第４フィルタの一例であり、バンドＢのうちの第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６１は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６２は、第５フィルタの一例であり、バンドＢのうちの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６２は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６１および６２は、第２共通端子を有するバンドＢのデュプレクサを構成している。

　フィルタ６３は、第６フィルタの一例であり、バンドＡのうちの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６３は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　電力増幅器４１は、第１電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１０１から入力されたバンドＡの高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を増幅可能である。電力増幅器４１は、スイッチ３１を介してフィルタ２１に接続される。

　低雑音増幅器４２は、アンテナ接続端子１００から入力されたバンドＡの高周波受信信号（以下、受信信号と記す）を増幅する。低雑音増幅器４２は、高周波出力端子１０２とスイッチ３２との間に接続されている。

　低雑音増幅器４３は、アンテナ接続端子１００から入力されたバンドＢの受信信号を増幅する。低雑音増幅器４３は、高周波出力端子１０３とスイッチ３３との間に接続されている。

　電力増幅器８１は、第２電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１５１から入力されたバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器８１は、スイッチ７１を介してフィルタ６１に接続される。

　低雑音増幅器８２は、アンテナ接続端子１５０から入力されたバンドＢの受信信号を増幅する。低雑音増幅器８２は、高周波出力端子１５２とスイッチ７２との間に接続されている。

　低雑音増幅器８３は、アンテナ接続端子１５０から入力されたバンドＡの受信信号を増幅する。低雑音増幅器８３は、高周波出力端子１５３とスイッチ７３との間に接続されている。

　フィルタ２１、２２および２３、電力増幅器４１、低雑音増幅器４２および４３、ならびにアンテナ接続端子１００は、モジュール基板１０に配置されている。また、フィルタ６１、６２および６３、電力増幅器８１、低雑音増幅器８２および８３、ならびにアンテナ接続端子１５０は、モジュール基板１０と異なるモジュール基板５０に配置されている。

　なお、フィルタ２１～２３のそれぞれは、モジュール基板１０の主面上に配置された表面実装型の部品であってもよく、また、モジュール基板１０の表面または内部に形成されたキャパシタおよびインダクタで構成されたＬＣフィルタであってもよい。また、フィルタ６１～６３のそれぞれは、モジュール基板５０の主面上に配置された表面実装型の部品であってもよく、また、モジュール基板５０の表面または内部に形成されたキャパシタおよびインダクタで構成されたＬＣフィルタであってもよい。また、電力増幅器４１は、モジュール基板１０の主面上に配置された半導体ＩＣに含まれていてもよく、電力増幅器８１は、モジュール基板５０の主面上に配置された半導体ＩＣに含まれていてもよい。上記半導体ＩＣは、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。また、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。なお、半導体ＩＣの半導体材料は、上述した材料に限定されない。

　なお、バンドＡ（第１バンド）およびバンドＢ（第２バンド）のそれぞれは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。本実施の形態では、通信システムとしては、例えば４Ｇ（4th Generation）－ＬＴＥ(Long Term Evolution)システム、５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）システム、およびＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。

　また、アップリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。

　また、アンテナ接続端子１００、低雑音増幅器４２および４３は、モジュール基板１０に配置されていなくてもよい。また、アンテナ接続端子１５０、低雑音増幅器８２および８３は、モジュール基板５０に配置されていなくてもよい。

　図２は、実施の形態に係る高周波モジュール１に適用されるバンドの組み合わせを例示した図である。

　本実施の形態に係る高周波モジュール１では、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０（第１ダウンリンク動作バンド：７９１－８２１ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：８３２－８６２ＭＨｚ）であり、バンドＢは、例えば、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８（第２アップリンク動作バンド：８８０－９１５ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：９２５－９６０ＭＨｚ）である。また、バンドＡは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０（第１ダウンリンク動作バンド：７９１－８２１ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：８３２－８６２ＭＨｚ）であり、バンドＢは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８（第２アップリンク動作バンド：８８０－９１５ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：９２５－９６０ＭＨｚ）であってもよい。

　図２に示すように、バンドＡ（Ｂ２０またはｎ２０）およびバンドＢ（Ｂ８またはｎ８）は、低周波側から、第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの周波数順に並んでいる。

　なお、図２には図示していないが、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５（第１ダウンリンク動作バンド：８６９－８９４ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：８２４－８４９ＭＨｚ）であり、バンドＢは、例えば、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３（第２アップリンク動作バンド：７７７－７８７ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：７４６－７５６ＭＨｚ）であってもよい。また、バンドＡは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５（第１ダウンリンク動作バンド：８６９－８９４ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：８２４－８４９ＭＨｚ）であり、バンドＢは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３（第２アップリンク動作バンド：７７７－７８７ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：７４６－７５６ＭＨｚ）であってもよい。この場合には、バンドＡ（Ｂ５またはｎ５）およびバンドＢ（Ｂ１３またはｎ１３）は、高周波側から、第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの周波数順に並んでいる。

　また、バンドＡおよびバンドＢは、第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの周波数順に並んでいるバンドであって、それぞれローバンド群（７００ＭＨｚ～１ＧＨｚ）に属するバンドであってもよい。

　また、バンドＡは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成された時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用のバンドであり、バンドＢは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用のバンドであってもよい。この場合、第１ダウンリンク動作バンドと第１アップリンク動作バンドとは同一の周波数範囲となる。

　また、バンドＡは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用のバンドであり、バンドＢは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成されたＴＤＤ用のバンドであってもよい。この場合、第２ダウンリンク動作バンドと第２アップリンク動作バンドとは同一の周波数範囲となる。

　図１に戻り、高周波モジュール１の回路構成について説明する。

　スイッチ３０は、第１スイッチの一例であり、２つのＳＰＳＴ（Single Pole Single Throw）型のスイッチ素子（第１スイッチ素子および第２スイッチ素子）を有する。各スイッチ素子の一方の端子である共通端子３０ａは、アンテナ接続端子１００に接続されている。第１スイッチ素子の他方の端子である選択端子３０ｂは、第１共通端子に接続されている。第２スイッチ素子の他方の端子である選択端子３０ｃは、フィルタ２３に接続されている。この構成により、スイッチ３０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００と第１共通端子との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００とフィルタ２３との接続および非接続を切り替える。なお、スイッチ３０が有するスイッチ素子の数は、高周波モジュール１が有するフィルタの数に応じて、適宜設定される。

　スイッチ７０は、第２スイッチの一例であり、２つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子（第３スイッチ素子および第４スイッチ素子）を有する。各スイッチ素子の一方の端子である共通端子７０ａは、アンテナ接続端子１５０に接続されている。第３スイッチ素子の他方の端子である選択端子７０ｂは、第２共通端子に接続されている。第４スイッチ素子の他方の端子である選択端子７０ｃは、フィルタ６３に接続されている。この構成により、スイッチ７０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１５０と第２共通端子との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１５０とフィルタ６３との接続および非接続を切り替える。なお、スイッチ７０が有するスイッチ素子の数は、高周波モジュール１が有するフィルタの数に応じて、適宜設定される。

　スイッチ３１は、フィルタ２１と電力増幅器４１との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ３１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２１と電力増幅器４１との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ３２は、フィルタ２２と低雑音増幅器４２との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ３２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２２と低雑音増幅器４２との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ３３は、フィルタ２３と低雑音増幅器４３との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ３３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２３と低雑音増幅器４３との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ７１は、フィルタ６１と電力増幅器８１との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ７１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６１と電力増幅器８１との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ７２は、フィルタ６２と低雑音増幅器８２との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ７２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６２と低雑音増幅器８２との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ７３は、フィルタ６３と低雑音増幅器８３との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ７３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６３と低雑音増幅器８３との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ３０～３３は、モジュール基板１０に配置されており、スイッチ７０～７３は、モジュール基板５０に配置されている。なお、スイッチ３０～３３はモジュール基板１０に配置されていなくてもよく、また、スイッチ７０～７３はモジュール基板５０に配置されていなくてもよい。

　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、少なくともフィルタ２１～２３および６１～６３、ならびに電力増幅器４１および８１を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。

　上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、（１）モジュール基板１０でのバンドＡの信号のプライマリ送受信（フィルタ２１および２２経由）およびモジュール基板５０でのバンドＡの信号のダイバーシティ受信（フィルタ６３経由）、（２）モジュール基板５０でのバンドＢの信号のプライマリ送受信（フィルタ６１および６２経由）およびモジュール基板１０でのバンドＢの信号のダイバーシティ受信（フィルタ２３経由）、（３）モジュール基板１０でのバンドＡの信号のプライマリ送受信（フィルタ２１および２２経由）およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信（フィルタ２３経由）、ならびに、モジュール基板５０でのバンドＢの信号のプライマリ送受信（フィルタ６１および６２経由）およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信（フィルタ６３経由）、を少なくとも実行できる。

　上記（３）の場合、バンドＡの信号とバンドＢの信号とが同時送信され、例えば、バンドＡを４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０とし、バンドＢを５Ｇ－ＮＲのバンドｎ８としたＥＮＤＣ（Eutra NR Dual Connectivity）が可能となる。あるいは、バンドＡを５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２０とし、バンドＢを４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８としたＥＮＤＣが可能となる。

　ここで、バンドＡおよびバンドＢは、第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの周波数順に並んでいるため、バンドＡの大電力の送信信号を出力する送信帯域（中心周波数：ｆ１）とバンドＢの大電力の送信信号を出力する送信帯域（中心周波数：ｆ２）とが近接し、それらの近傍に受信帯域（ΔＲｘ１およびΔＲｘ２）が位置する。このため、バンドＡの送信信号とバンドＢの送信信号とを同時送信した場合に発生する３次相互変調歪（ＩＭＤ３）の周波数（２×ｆ１－ｆ２および２×ｆ２－ｆ１）が、受信帯域ΔＲｘ１およびΔＲｘ２の少なくとも一方に含まれることが想定される。

　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１の構成によれば、バンドＡの送信経路（電力増幅器４１＋フィルタ２１）と、バンドＢの送信経路（電力増幅器８１＋フィルタ６１）とが、別基板に配置されているので、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを同時送信した場合に発生するＩＭＤ３を低減できる。よって、ＩＭＤ３の不要波がバンドＡの受信経路（フィルタ２２＋低雑音増幅器４２、フィルタ６３＋低雑音増幅器８３）またはバンドＢの受信経路（フィルタ２３＋低雑音増幅器４３、フィルタ６２＋低雑音増幅器８２）に侵入することを抑制でき、バンドＡまたはバンドＢの受信感度の低下を抑制できる。

　また、上記（３）が実行される場合、モジュール基板１０では、フィルタ２１～２３をアンテナ接続端子１００に同時接続する必要があるが、バンドＡのデュプレクサ（フィルタ２１および２２）に対してフィルタ２３の通過帯域（第２ダウンリンク動作バンド）は、バンドＡの送信帯域（第１アップリンク動作バンド）および受信帯域（第１ダウンリンク動作バンド）の間ではなく、バンドＡより高周波側または低周波側となる。このため、バンドＡに対してバンドＢの第２ダウンリンク動作バンドのインピーダンスをオープンに調整し易い。よって、フィルタ２１～２３を同時接続した場合の各フィルタの特性劣化を抑制できる。また、モジュール基板５０では、フィルタ６１～６３をアンテナ接続端子１５０に同時接続する必要があるが、バンドＢのデュプレクサ（フィルタ６１および６２）に対してフィルタ６３の通過帯域（第１ダウンリンク動作バンド）は、バンドＢの送信帯域（第２アップリンク動作バンド）および受信帯域（第２ダウンリンク動作バンド）の間ではなく、バンドＢより低周波側または高周波側となる。このため、バンドＢに対して第１ダウンリンク動作バンドのインピーダンスをオープンに調整し易い。よって、フィルタ６１～６３を同時接続した場合の各フィルタの特性劣化を抑制できる。

　［１．３　変形例１に係る高周波モジュール６の回路構成］
　次に、変形例１に係る高周波モジュール６の回路構成について、図３を参照しながら説明する。

　図３は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュール６の回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール６は、モジュール基板１１および５１と、フィルタ２１、２３、２４、２６、６１、６２および６３と、電力増幅器４１、４４および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３１、３２、３３、３５、７１、７２および７３と、アンテナ接続端子１００および１５０と、高周波入力端子１０１、１０４および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール６は、実施の形態に係る高周波モジュール１と比較して、スイッチ３０および７０が配置されていない点、フィルタ２２に代わってフィルタ２４が配置された点、および、フィルタ２６、スイッチ３５および電力増幅器４４が付加された点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール６について、実施の形態に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　モジュール基板１１および５１は、それぞれ、高周波モジュール６を構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１１および５１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１１とモジュール基板５１とは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　フィルタ２１は、第１フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡの第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、アンテナ接続端子１００に接続されている。フィルタ２４は、第２フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドおよびバンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２４は、アンテナ接続端子１００に接続されている。フィルタ２３は、第３フィルタの一例であり、バンドＢの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２３は、アンテナ接続端子１００に接続されている。フィルタ２６は、バンドＣの第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２６は、アンテナ接続端子１００に接続されている。つまり、フィルタ２１の出力端子、フィルタ２４の入力端子、フィルタ２３の入力端子、およびフィルタ２６の出力端子は、直接接続されている。フィルタ２１、２３、２４および２６は、クワッドプレクサを構成している。

　フィルタ６１は、第４フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＢの第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６１は、アンテナ接続端子１５０に接続されている。フィルタ６２は、第５フィルタの一例であり、バンドＢの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６２は、アンテナ接続端子１５０に接続されている。フィルタ６３は、第６フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６３は、アンテナ接続端子１５０に接続されている。つまり、フィルタ６１の出力端子、フィルタ６２の入力端子、およびフィルタ６３の入力端子は、直接接続されている。フィルタ６１～６３は、トリプレクサを構成している。

　フィルタ２１、２３、２４および２６、電力増幅器４１および４４、低雑音増幅器４２および４３、ならびにアンテナ接続端子１００は、モジュール基板１１に配置されている。また、フィルタ６１、６２および６３、電力増幅器８１、低雑音増幅器８２および８３、ならびにアンテナ接続端子１５０は、モジュール基板１１と異なるモジュール基板５１に配置されている。

　上記構成によれば、モジュール基板１１において、フィルタ２１、２３、２４および２６とアンテナ２ａとの接続および非接続を切り替えるスイッチ、ならびに、モジュール基板５１において、フィルタ６１～６３とアンテナ２ｂとの接続および非接続を切り替えるスイッチが不要となるので、高周波モジュール６を小型化できる。

　なお、本変形例に係る高周波モジュール６では、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、バンドＢは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であり、バンドＣは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８（第３アップリンク動作バンド：７０３－７４８ＭＨｚ、第３ダウンリンク動作バンド：７５８－８０３ＭＨｚ）である。

　なお、本変形例に係る高周波モジュール６において、フィルタ２４の代わりにバンドＡの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２２が配置され、さらに、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタがアンテナ接続端子１００に接続されて配置されていてもよい。この場合、フィルタ２１、２２、２３、２６、およびバンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタがペンタプレクサを構成していてもよい。

　また、本変形例に係る高周波モジュール６において、バンドＣの信号を伝送しない構成であってもよい。つまり、高周波モジュール６が、フィルタ２６、スイッチ３５および電力増幅器４４を備えず、フィルタ２４に代わってフィルタ２２が配置され、フィルタ２１、２２および２３がトリプレクサを構成していてもよい。

　この場合、高周波モジュール６は、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを送信可能であり、バンドＡは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成され、バンドＢは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成され、第１ダウンリンク動作バンドは、第１アップリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドのいずれよりも低周波側または高周波側に位置しており、かつ、第２ダウンリンク動作バンドは、第１アップリンク動作バンドと第２アップリンク動作バンドのいずれよりも低周波側または高周波側に位置していてもよい。

　また、この場合、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３（第１ダウンリンク動作バンド：７４６－７５６ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：７７７－７８７ＭＨｚ）であり、バンドＢは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１４または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１４（第２ダウンリンク動作バンド：７５８－７６８ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：７８８－７９８ＭＨｚ）である。

　［１．４　変形例２に係る高周波モジュール７の回路構成］
　次に、変形例２に係る高周波モジュール７の回路構成について、図４を参照しながら説明する。

　図４は、実施の形態の変形例２に係る高周波モジュール７の回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール７は、モジュール基板１２および５２と、フィルタ２１、２３、２４、２６、６１、６２および６４と、電力増幅器４１、４４および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３０、３１、３２、３３、３５、７０、７１、７２および７３と、アンテナ接続端子１００および１５０と、高周波入力端子１０１、１０４および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール７は、実施の形態に係る高周波モジュール１と比較して、フィルタ２４および６４の構成、ならびに、フィルタ２６、スイッチ３５および電力増幅器４４が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール７について、実施の形態に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　モジュール基板１２および５２は、それぞれ、高周波モジュール７を構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１２および５２としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１２とモジュール基板５２とは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　フィルタ２１は、第１フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡの第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２４は、第２フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドおよびバンドＣ（第３バンド）の第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２４は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２６は、バンドＣの第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２６は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２１および２４は、第１共通端子を有するバンドＡのデュプレクサを構成している。さらに、フィルタ２１、２４および２６は、バンドＡおよびバンドＣのトリプレクサを構成している。

　フィルタ２３は、第３フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＢの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２３は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ６１は、第４フィルタの一例であり、バンドＢの第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６１は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６２は、第５フィルタの一例であり、バンドＢの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６２は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６４は、第６フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドおよびバンドＣ（第３バンド）の第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６４は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　電力増幅器４４は、高周波入力端子１０４から入力されたバンドＣの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４４は、スイッチ３５を介してフィルタ２６に接続される。

　低雑音増幅器４２は、アンテナ接続端子１００から入力されたバンドＡおよびバンドＣの受信信号を増幅する。低雑音増幅器４２は、高周波出力端子１０２とスイッチ３２との間に接続されている。低雑音増幅器８３は、アンテナ接続端子１５０から入力されたバンドＡおよびバンドＣの受信信号を増幅する。低雑音増幅器８３は、高周波出力端子１５３とスイッチ７３との間に接続されている。

　フィルタ２１、２３および２４、電力増幅器４１および４４、低雑音増幅器４２および４３、ならびにアンテナ接続端子１００は、モジュール基板１２に配置されている。また、フィルタ６１、６２および６４、電力増幅器８１、低雑音増幅器８２および８３、ならびにアンテナ接続端子１５０は、モジュール基板１２と異なるモジュール基板５２に配置されている。

　本変形例に係る高周波モジュール７では、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、バンドＢは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であり、バンドＣは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８（第３アップリンク動作バンド：７０３－７４８ＭＨｚ、第３ダウンリンク動作バンド：７５８－８０３ＭＨｚ）である。

　図２に示すように、バンドＡ（Ｂ２０またはｎ２０）の第１ダウンリンク動作バンド（７９１－８２１ＭＨｚ）は、バンドＣ（Ｂ２８またはｎ２８）の第３ダウンリンク動作バンド（７５８－８０３ＭＨｚ）と少なくとも一部重複している。

　上記構成によれば、フィルタ２４および６４が、それぞれ、第１ダウンリンク動作バンド用および第３ダウンリンク動作バンド用を兼用するので、バンドＡ、バンドＢ、およびバンドＣのマルチバンド伝送が可能な小型の高周波モジュール７を実現できる。

　なお、本変形例に係る高周波モジュール７において、フィルタ２４の代わりにバンドＡの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２２が配置され、さらに、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタがスイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されて配置されていてもよい。この場合、フィルタ２１、２２、２６、およびバンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタがクワッドプレクサを構成していてもよい。

　［１．５　変形例３に係る高周波モジュール８の回路構成］
　次に、変形例３に係る高周波モジュール８の回路構成について、図５を参照しながら説明する。

　図５は、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュール８の回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール８は、モジュール基板１３および５３と、フィルタ２１、２２、２３、２４、２５、６１、６２、６４および６５と、電力増幅器４１および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３０、３１、３２、３３、３４、７０、７１、７２、７３、７４および９０と、ダイプレクサ９１および９２と、アンテナ接続端子１００および１５０と、高周波入力端子１０１および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール８は、実施の形態に係る高周波モジュール１と比較して、スイッチ３４、７４、９０、ダイプレクサ９１および９２、ならびにフィルタ２４、２５、６４および６５が付加されたことが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール８について、実施の形態に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　アンテナ接続端子１００はダイプレクサ９１およびスイッチ９０を介してアンテナ２ａまたは２ｂの一方に接続され、アンテナ接続端子１５０はダイプレクサ９２およびスイッチ９０を介してアンテナ２ａおよび２ｂの他方に接続される。

　ダイプレクサ９１は、ローパスフィルタおよびハイパスフィルタで構成されており、当該ローパスフィルタは、アンテナ接続端子１００とスイッチ９０との間に接続されている。ダイプレクサ９２は、ローパスフィルタおよびハイパスフィルタで構成されており、当該ローパスフィルタは、アンテナ接続端子１５０とスイッチ９０との間に接続されている。なお、ダイプレクサ９１および９２が有するローパスフィルタは、例えば、ともにローバンド群（７００ＭＨｚ～１ＧＨｚ）を通過帯域として含み、ローバンド群よりも高周波側の帯域を減衰帯域とする。また、ダイプレクサ９１および９２が有するハイパスフィルタは、例えば、ともにローバンド群（７００ＭＨｚ～１ＧＨｚ）を減衰帯域として含み、ローバンド群よりも高周波側の帯域を通過帯域とする。

　スイッチ９０は、端子９０ａ、９０ｂ、９０ｃおよび９０ｄを有する。端子９０ａはアンテナ２ａと接続されており、端子９０ｂはアンテナ２ｂと接続されている。また、端子９０ｃは、ダイプレクサ９１を介してアンテナ接続端子１００に接続されており、端子９０ｄは、ダイプレクサ９２を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。スイッチ９０において、端子９０ａと端子９０ｃとの導通、および、端子９０ａと端子９０ｄとの導通が排他的に選択され、端子９０ｂと端子９０ｃとの導通、および、端子９０ｂと端子９０ｄとの導通が排他的に選択される。スイッチ９０は、例えば、端子９０ａ～９０ｄを有するＤＰＤＴ（Double Pole Double Throw）型のスイッチ回路である。なお、スイッチ９０は、ＤＰ３ＴおよびＤＰ４Ｔなどのスイッチ回路であってもよく、この場合には、使用されるバンド数に応じて必要な端子を使用すればよい。

　スイッチ９０の配置によれば、伝送するバンドの組み合わせにより、アンテナ接続端子１００および１５０と、アンテナ２ａおよび２ｂとの接続を切り替えることが可能となる。

　なお、高周波モジュール８は、ダイプレクサ９１および９２ならびにスイッチ９０を有していなくてもよい。この場合には、アンテナ接続端子１００はアンテナ２ａに接続され、アンテナ接続端子１５０はアンテナ２ｂに接続される。

　本変形例において、図２に示すように、バンドＡ（Ｂ２０またはｎ２０）の第１ダウンリンク動作バンド（７９１－８２１ＭＨｚ）は、バンドＣ（Ｂ２８またはｎ２８）の第３ダウンリンク動作バンド（７５８－８０３ＭＨｚ）と少なくとも一部重複している。

　モジュール基板１３および５３は、それぞれ、高周波モジュール８を構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１３および５３としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１３とモジュール基板５３とは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　フィルタ２１は、第１フィルタの一例であり、バンドＡの第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２２は、第２フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２２は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２３は、第３フィルタの一例であり、バンドＢの第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２３は、スイッチ３４および３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２４は、第８フィルタの一例であり、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンドおよびバンドＡの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２４は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。なお、フィルタ２４の通過帯域は、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含み、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドの一部を含まなくてもよい。

　フィルタ２５は、第７フィルタの一例であり、バンドＣの第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２５は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。

　フィルタ２４および２５は、第３共通端子を有するバンドＣのデュプレクサを構成している。

　フィルタ６４は、第６フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドおよびバンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６４は、スイッチ７４および７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６５は、第９フィルタの一例であり、バンドＡの第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６５は、スイッチ７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　電力増幅器４１は、第１電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１０１から入力されたバンドＡおよびバンドＣの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４１は、スイッチ３１を介してフィルタ２１および２５に接続される。

　低雑音増幅器４２は、アンテナ接続端子１００から入力されたバンドＡおよびバンドＣの受信信号を増幅する。低雑音増幅器４２は、高周波出力端子１０２とスイッチ３２との間に接続され、スイッチ３２を介してフィルタ２２および２４に接続される。

　電力増幅器８１は、第２電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１５１から入力されたバンドＢおよびバンドＡの送信信号を増幅可能である。電力増幅器８１は、スイッチ７１を介してフィルタ６１および６５に接続される。

　低雑音増幅器８３は、アンテナ接続端子１５０から入力されたバンドＡおよびバンドＣの受信信号を増幅する。低雑音増幅器８３は、高周波出力端子１５３とスイッチ７３との間に接続され、スイッチ７３を介してフィルタ６４に接続される。

　フィルタ２１、２２、２３、２４および２５、電力増幅器４１、低雑音増幅器４２および４３、ならびにアンテナ接続端子１００は、モジュール基板１３に配置されている。また、フィルタ６１、６２、６４および６５、電力増幅器８１、低雑音増幅器８２および８３、ならびにアンテナ接続端子１５０は、モジュール基板１３と異なるモジュール基板５３に配置されている。

　スイッチ３０は、第１スイッチの一例であり、２つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子（第１スイッチ素子および第２スイッチ素子）を有する。各スイッチ素子の一方の端子である共通端子３０ａは、アンテナ接続端子１００に接続されている。第１スイッチ素子の他方の端子である選択端子３０ｂは、第３共通端子に接続されている。第２スイッチ素子の他方の端子である選択端子３０ｃは、第１共通端子に接続されている。この構成により、スイッチ３０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００と第３共通端子との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００と第１共通端子との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ７０は、第２スイッチの一例であり、２つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子（第３スイッチ素子および第４スイッチ素子）を有する。各スイッチ素子の一方の端子である共通端子７０ａは、アンテナ接続端子１５０に接続されている。第３スイッチ素子の他方の端子である選択端子７０ｂは、第２共通端子に接続されている。第４スイッチ素子の他方の端子である選択端子７０ｃは、フィルタ６５に接続されている。この構成により、スイッチ７０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１５０と第２共通端子との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１５０とフィルタ６５との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ３１は、フィルタ２１および２５と電力増幅器４１との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２１と電力増幅器４１との接続およびフィルタ２５と電力増幅器４１との接続を切り替える。

　スイッチ３２は、フィルタ２２および２４と低雑音増幅器４２との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２２と低雑音増幅器４２との接続およびフィルタ２４と低雑音増幅器４２との接続を切り替える。

　スイッチ７１は、フィルタ６１および６５と電力増幅器８１との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ７１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６１と電力増幅器８１との接続およびフィルタ６５と電力増幅器８１との接続を切り替える。

　スイッチ７３は、フィルタ６４と低雑音増幅器８３との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ７３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６４と低雑音増幅器８３との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ３４は、第３スイッチの一例であり、フィルタ２３の入力端子とスイッチ３０との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３４の共通端子はフィルタ２３に接続され、スイッチ３４の一方の選択端子は第３共通端子および選択端子３０ｂに接続され、スイッチ３４の他方の選択端子は第１共通端子および選択端子３０ｃに接続されている。スイッチ３４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２３とフィルタ２４、２５およびスイッチ３０との接続、および、フィルタ２３とフィルタ２１、２２およびスイッチ３０との接続を切り替える。

　スイッチ７４は、第４スイッチの一例であり、フィルタ６４の入力端子とスイッチ７０との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ７４の共通端子はフィルタ６４に接続され、スイッチ７４の一方の選択端子は第２共通端子および選択端子７０ｂに接続され、スイッチ７４の他方の選択端子はフィルタ６５および選択端子７０ｃに接続されている。スイッチ７４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６４とフィルタ６１、６２およびスイッチ７０との接続、および、フィルタ６４とフィルタ６５およびスイッチ７０との接続を切り替える。

　スイッチ３０～３４は、モジュール基板１３に配置されており、スイッチ７０～７４は、モジュール基板５３に配置されている。なお、スイッチ３０～３４は、モジュール基板１３に配置されていなくてもよく、また、スイッチ７０～７４は、モジュール基板５３に配置されていなくてもよい。

　なお、図５に表された回路素子のいくつかは、高周波モジュール８に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール８は、少なくともフィルタ２１～２５、６１、６２、６４および６５、ならびに電力増幅器４１および８１を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。

　上記回路構成によれば、高周波モジュール８は、（１）モジュール基板１３でのバンドＡの信号のプライマリ送受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３でのバンドＢの信号のプライマリ送受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信、（２）モジュール基板１３でのバンドＣの信号のプライマリ送受信、バンドＡの信号のプライマリ受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３でのバンドＢの信号のプライマリ送受信、バンドＡの信号のダイバーシティ受信およびバンドＣの信号のダイバーシティ受信、および（３）モジュール基板１３でのバンドＣの信号のプライマリ送受信、バンドＢの信号のプライマリ受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３でのバンドＡの信号のプライマリ送受信、バンドＢの信号のダイバーシティ受信およびバンドＣの信号のダイバーシティ受信、を少なくとも実行できる。以下では、上記（１）～（３）における高周波モジュール８の信号の流れについて説明する。

　図６Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュール８の第１の回路状態を示す図である。第１の回路状態とは、上記（１）に相当し、バンドＡとして、例えば５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２０を適用し、バンドＢとして、例えば４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８を適用している。

　図６Ａに示すように、各スイッチの切り替えにより、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２０の送信信号（ｎ２０－Ｔｘ）は、高周波入力端子１０１、電力増幅器４１、スイッチ３１、フィルタ２１、スイッチ３０、ダイプレクサ９１、およびスイッチ９０を経由してアンテナ２ａに出力される。また、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２０のプライマリ受信信号（ｎ２０－ＰＲｘ）は、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、フィルタ２２、スイッチ３２、低雑音増幅器４２および高周波出力端子１０２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８のダイバーシティ受信信号（Ｂ８－ＤＲｘ）は、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、スイッチ３４、フィルタ２３、スイッチ３３、低雑音増幅器４３および高周波出力端子１０３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。

　また、図６Ａに示すように、各スイッチの切り替えにより、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８の送信信号（Ｂ８－Ｔｘ）は、高周波入力端子１５１、電力増幅器８１、スイッチ７１、フィルタ６１、スイッチ７０、ダイプレクサ９２、およびスイッチ９０を経由してアンテナ２ｂに出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８のプライマリ受信信号（Ｂ８－ＰＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、フィルタ６２、スイッチ７２、低雑音増幅器８２および高周波出力端子１５２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２０のダイバーシティ受信信号（ｎ２０－ＤＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、スイッチ７４、フィルタ６４、スイッチ７３、低雑音増幅器８３および高周波出力端子１５３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。

　図６Ｂは、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュール８の第２の回路状態を示す図である。第２の回路状態とは、上記（２）に相当し、バンドＣとして、例えば５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８を適用し、バンドＡとして、例えば４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０を適用し、バンドＢとして、例えば４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８を適用している。

　図６Ｂに示すように、各スイッチの切り替えにより、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８の送信信号（ｎ２８－Ｔｘ）は、高周波入力端子１０１、電力増幅器４１、スイッチ３１、フィルタ２５、スイッチ３０、ダイプレクサ９１、およびスイッチ９０を経由してアンテナ２ａに出力される。また、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８のプライマリ受信信号（ｎ２８－ＰＲｘ）は、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、フィルタ２４、スイッチ３２、低雑音増幅器４２および高周波出力端子１０２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０のプライマリ受信信号（Ｂ２０－ＰＲｘ）は、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、フィルタ２４、スイッチ３２、低雑音増幅器４２および高周波出力端子１０２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８のダイバーシティ受信信号（Ｂ８－ＤＲｘ）は、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、スイッチ３４、フィルタ２３、スイッチ３３、低雑音増幅器４３および高周波出力端子１０３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。

　また、図６Ｂに示すように、各スイッチの切り替えにより、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８の送信信号（Ｂ８－Ｔｘ）は、高周波入力端子１５１、電力増幅器８１、スイッチ７１、フィルタ６１、スイッチ７０、ダイプレクサ９２、およびスイッチ９０を経由してアンテナ２ｂに出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８のプライマリ受信信号（Ｂ８－ＰＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、フィルタ６２、スイッチ７２、低雑音増幅器８２および高周波出力端子１５２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０のダイバーシティ受信信号（Ｂ２０－ＤＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、スイッチ７４、フィルタ６４、スイッチ７３、低雑音増幅器８３および高周波出力端子１５３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８のダイバーシティ受信信号（ｎ２８－ＤＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、スイッチ７４、フィルタ６４、スイッチ７３、低雑音増幅器８３および高周波出力端子１５３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。

　図６Ｃは、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールの第３の回路状態を示す図である。第３の回路状態とは、上記（３）に相当し、バンドＣとして、例えば５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８を適用し、バンドＢとして、例えば４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８を適用し、バンドＡとして、例えば４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０を適用している。

　図６Ｃに示すように、各スイッチの切り替えにより、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８の送信信号（ｎ２８－Ｔｘ）は、高周波入力端子１０１、電力増幅器４１、スイッチ３１、フィルタ２５、スイッチ３０、ダイプレクサ９１、およびスイッチ９０を経由してアンテナ２ａに出力される。また、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８のプライマリ受信信号（ｎ２８－ＰＲｘ）、および、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０のダイバーシティ受信信号（Ｂ２０－ＤＲｘ）は、ともに、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、フィルタ２４、スイッチ３２、低雑音増幅器４２および高周波出力端子１０２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８のプライマリ受信信号（Ｂ８－ＰＲｘ）は、アンテナ２ａ、スイッチ９０、ダイプレクサ９１、スイッチ３０、スイッチ３４、フィルタ２３、スイッチ３３、低雑音増幅器４３および高周波出力端子１０３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。

　また、図６Ｃに示すように、各スイッチの切り替えにより、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０の送信信号（Ｂ２０－Ｔｘ）は、高周波入力端子１５１、電力増幅器８１、スイッチ７１、フィルタ６５、スイッチ７０、ダイプレクサ９２、およびスイッチ９０を経由してアンテナ２ｂに出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ２０のプライマリ受信信号（Ｂ２０－ＰＲｘ）、および、５Ｇ－ＮＲのバンドｎ２８のダイバーシティ受信信号（ｎ２８－ＤＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、スイッチ７４、フィルタ６４、スイッチ７３、低雑音増幅器８３および高周波出力端子１５３を経由してＲＦＩＣ３に出力される。また、４Ｇ－ＬＴＥのバンドＢ８のダイバーシティ受信信号（ｎ８－ＤＲｘ）は、アンテナ２ｂ、スイッチ９０、ダイプレクサ９２、スイッチ７０、フィルタ６２、スイッチ７２、低雑音増幅器８２および高周波出力端子１５２を経由してＲＦＩＣ３に出力される。

　高周波モジュール８の上記構成によれば、バンドＡ、バンドＢおよびバンドＣのうちの２つのバンドの送信信号は、別基板で伝送されるので、当該２つの送信信号を同時伝送した場合に発生するＩＭＤ３を低減できる。よって、ＩＭＤ３の不要波がバンドＡ、バンドＢまたはバンドＣの受信経路に侵入することを抑制でき、バンドＡ、バンドＢまたはバンドＣの受信感度の低下を抑制できる。

　［１．６　変形例４に係る高周波モジュール８Ａの回路構成］
　次に、変形例４に係る高周波モジュール８Ａの回路構成について、図６Ｄを参照しながら説明する。

　図６Ｄは、実施の形態の変形例４に係る高周波モジュール８Ａの回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール８Ａは、モジュール基板１３Ａおよび５３Ａと、フィルタ２１、２２、２３、２４、２５、２７、６１、６２、６４、６５、６６および６７と、電力増幅器４１および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３０、３１、３２Ａ、３３、３４、７０、７１、７２、７３Ａ、７４Ａおよび９０と、ダイプレクサ９１および９２と、アンテナ接続端子１００および１５０と、高周波入力端子１０１および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール８Ａは、変形例３に係る高周波モジュール８と比較して、フィルタ２７、６６および６７が付加されたことが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール８Ａについて、変形例３に係る高周波モジュール８と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　モジュール基板１３Ａおよび５３Ａは、それぞれ、高周波モジュール８Ａを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１３Ａおよび５３Ａとしては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１３Ａとモジュール基板５３Ａとは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　フィルタ２７は、バンドＤを含む通過帯域を有する。フィルタ２７は、スイッチ３０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。バンドＤは、例えばＳＤＬ（Supplimentary DownLink）のバンドである。

　フィルタ６６は、バンドＤを含む通過帯域を有する。フィルタ６６は、スイッチ７４Ａおよび７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６７は、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６７は、スイッチ７４Ａおよび７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　フィルタ６４は、第６フィルタの一例であり、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンドおよびバンドＣの第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ６４は、スイッチ７４Ａおよび７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　低雑音増幅器４２は、アンテナ接続端子１００から入力されたバンドＡ、バンドＣおよびバンドＤの受信信号を増幅する。低雑音増幅器４２は、高周波出力端子１０２とスイッチ３２Ａとの間に接続され、スイッチ３２Ａを介してフィルタ２２、２４および２７に接続される。

　低雑音増幅器８３は、アンテナ接続端子１５０から入力されたバンドＡ、バンドＣおよびバンドＤの受信信号を増幅する。低雑音増幅器８３は、高周波出力端子１５３とスイッチ７３Ａとの間に接続され、スイッチ７３Ａを介してフィルタ６４、６６および６７に接続される。

　フィルタ２１、２２、２３、２４、２５および２７、電力増幅器４１、低雑音増幅器４２および４３、ならびにアンテナ接続端子１００は、モジュール基板１３Ａに配置されている。また、フィルタ６１、６２、６４、６５、６６および６７、電力増幅器８１、低雑音増幅器８２および８３、ならびにアンテナ接続端子１５０は、モジュール基板１３Ａと異なるモジュール基板５３Ａに配置されている。

　スイッチ３２Ａは、フィルタ２２、２４および２７と低雑音増幅器４２との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３２Ａは、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２２と低雑音増幅器４２との接続、フィルタ２４と低雑音増幅器４２との接続、およびフィルタ２７と低雑音増幅器４２との接続を切り替える。

　スイッチ７３Ａは、フィルタ６４、６６および６７と低雑音増幅器８３との間に接続されており、少なくとも３つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ７３Ａは、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６４と低雑音増幅器８３との接続、フィルタ６６と低雑音増幅器８３との接続、およびフィルタ６７と低雑音増幅器８３との接続を切り替える。

　スイッチ７４Ａは、第４スイッチの一例であり、フィルタ６４の入力端子とスイッチ７０との間に接続されており、２つの共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ７４Ａの第１共通端子はフィルタ６４に接続され、スイッチ７４Ａの第２共通端子はフィルタ６６および６７に接続され、スイッチ７４Ａの一方の選択端子は第２共通端子および選択端子７０ｂに接続され、スイッチ７４Ａの他方の選択端子はフィルタ６５および選択端子７０ｃに接続されている。スイッチ７４Ａは、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６４とフィルタ６１、６２およびスイッチ７０との接続、および、フィルタ６４とフィルタ６５およびスイッチ７０との接続を切り替える。また、スイッチ７４Ａは、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６６および６７とフィルタ６１、６２およびスイッチ７０との接続、および、フィルタ６６および６７とフィルタ６５およびスイッチ７０との接続を切り替える。

　スイッチ３０、３１、３２Ａ、３３および３４は、モジュール基板１３Ａに配置されており、スイッチ７０、７１、７２、７３Ａおよび７４Ａは、モジュール基板５３Ａに配置されている。なお、スイッチ３０、３１、３２Ａ、３３および３４は、モジュール基板１３Ａに配置されていなくてもよく、また、スイッチ７０、７１、７２、７３Ａおよび７４Ａは、モジュール基板５３Ａに配置されていなくてもよい。

　本変形例に係る高周波モジュール８Ａでは、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、バンドＢは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であり、バンドＣは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８であり、バンドＤは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７（７３８－７５８ＭＨｚ）である。

　上記回路構成によれば、高周波モジュール８Ａは、（１）モジュール基板１３ＡでのバンドＡの信号のプライマリ送受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３ＡでのバンドＢの信号のプライマリ送受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信、（２）モジュール基板１３ＡでのバンドＣの信号のプライマリ送受信、バンドＡの信号のプライマリ受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３ＡでのバンドＢの信号のプライマリ送受信、バンドＡの信号のダイバーシティ受信およびバンドＣの信号のダイバーシティ受信、および（３）モジュール基板１３ＡでのバンドＣの信号のプライマリ送受信、バンドＢの信号のプライマリ受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３ＡでのバンドＡの信号のプライマリ送受信、バンドＢの信号のダイバーシティ受信およびバンドＣの信号のダイバーシティ受信、を少なくとも実行でき、上記（１）～（３）のそれぞれに、バンドＤの信号の受信を付加することが可能となる。

　［１．７　変形例５に係る高周波モジュール８Ｂの回路構成］
　次に、変形例５に係る高周波モジュール８Ｂの回路構成について、図６Ｅを参照しながら説明する。

　図６Ｅは、実施の形態の変形例５に係る高周波モジュール８Ｂの回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール８Ｂは、モジュール基板１３Ｂおよび５３Ｂと、フィルタ２１、２２、２３、２４、２５、２７、６１、６２、６５および６８と、電力増幅器４１および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３０、３１、３２Ａ、３３、３４、７０、７１、７２、７３、７４および９０と、ダイプレクサ９１および９２と、アンテナ接続端子１００および１５０と、高周波入力端子１０１および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール８Ｂは、変形例４に係る高周波モジュール８Ａと比較して、３つのフィルタ６４、６６および６７が１つのフィルタ６８となっていることが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール８Ｂについて、変形例４に係る高周波モジュール８Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　モジュール基板１３Ｂおよび５３Ｂは、それぞれ、高周波モジュール８Ｂを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１３Ｂおよび５３Ｂとしては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１３Ｂとモジュール基板５３Ｂとは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　フィルタ６８は、バンドＡの第１ダウンリンク動作バンド、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンド、およびバンドＤを含む通過帯域を有する。フィルタ６８は、スイッチ７４および７０を介してアンテナ接続端子１５０に接続されている。

　低雑音増幅器８３は、アンテナ接続端子１５０から入力されたバンドＡ、バンドＣおよびバンドＤの受信信号を増幅する。低雑音増幅器８３は、高周波出力端子１５３とスイッチ７３との間に接続され、スイッチ７３を介してフィルタ６８に接続される。

　フィルタ２１、２２、２３、２４、２５および２７、電力増幅器４１、低雑音増幅器４２および４３、ならびにアンテナ接続端子１００は、モジュール基板１３Ｂに配置されている。また、フィルタ６１、６２、６５および６８、電力増幅器８１、低雑音増幅器８２および８３、ならびにアンテナ接続端子１５０は、モジュール基板１３Ｂと異なるモジュール基板５３Ｂに配置されている。

　スイッチ７３は、フィルタ６８と低雑音増幅器８３との間に接続されており、少なくとも１つのＳＰＳＴ型のスイッチ素子を有する。スイッチ７３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６８と低雑音増幅器８３との接続および非接続を切り替える。

　スイッチ７４は、第４スイッチの一例であり、フィルタ６８の入力端子とスイッチ７０との間に接続されており、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ７４の共通端子はフィルタ６８に接続され、スイッチ７４の一方の選択端子は第２共通端子および選択端子７０ｂに接続され、スイッチ７４の他方の選択端子はフィルタ６５および選択端子７０ｃに接続されている。スイッチ７４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ６８とフィルタ６１、６２およびスイッチ７０との接続、および、フィルタ６８とフィルタ６５およびスイッチ７０との接続を切り替える。

　スイッチ３０、３１、３２Ａ、３３および３４は、モジュール基板１３Ｂに配置されており、スイッチ７０、７１、７２、７３および７４は、モジュール基板５３Ｂに配置されている。なお、スイッチ３０、３１、３２Ａ、３３および３４は、モジュール基板１３Ｂに配置されていなくてもよく、また、スイッチ７０～７４は、モジュール基板５３Ｂに配置されていなくてもよい。

　本変形例に係る高周波モジュール８Ｂでは、バンドＡは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、バンドＢは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であり、バンドＣは、例えば、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８であり、バンドＤは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７である。

　上記回路構成によれば、高周波モジュール８Ｂは、（１）モジュール基板１３ＢでのバンドＡの信号のプライマリ送受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３ＢでのバンドＢの信号のプライマリ送受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信、（２）モジュール基板１３ＢでのバンドＣの信号のプライマリ送受信、バンドＡの信号のプライマリ受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３ＢでのバンドＢの信号のプライマリ送受信、バンドＡの信号のダイバーシティ受信およびバンドＣの信号のダイバーシティ受信、および（３）モジュール基板１３ＢでのバンドＣの信号のプライマリ送受信、バンドＢの信号のプライマリ受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信、ならびに、モジュール基板５３ＢでのバンドＡの信号のプライマリ送受信、バンドＢの信号のダイバーシティ受信およびバンドＣの信号のダイバーシティ受信、を少なくとも実行でき、上記（１）～（３）のそれぞれに、バンドＤの信号の受信を付加することが可能となる。

　［１．８　変形例６に係る高周波モジュール９の回路構成］
　次に、変形例６に係る高周波モジュール９の回路構成について、図７を参照しながら説明する。

　図７は、実施の形態の変形例６に係る高周波モジュール９の回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール９は、モジュール基板１４および５０と、フィルタ２１、２２、２３、６１、６２および６３と、電力増幅器４１および８１と、低雑音増幅器４２、４３、８２および８３と、スイッチ３０、３１、３２、３３、７０、７１、７２、７３および９０と、アンテナ接続端子１１０および１２０と、スイッチ接続端子１６０と、高周波入力端子１０１および１５１と、高周波出力端子１０２、１０３、１５２および１５３と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール９は、実施の形態に係る高周波モジュール１と比較して、スイッチ９０が付加されている点、ならびに、各接続端子の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール９について、実施の形態に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　モジュール基板１４および５０は、それぞれ、高周波モジュール９を構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板１４および５０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板１４とモジュール基板５０とは、連続した１枚の基板で構成されておらず、分離された別体である。

　アンテナ接続端子１１０は、第３アンテナ端子の一例であり、モジュール基板１４に配置され、アンテナ２ａと接続されている。アンテナ接続端子１２０は、第４アンテナ端子の一例であり、モジュール基板１４に配置され、アンテナ２ｂと接続されている。

　スイッチ接続端子１６０は、モジュール基板１４と異なるモジュール基板５０に配置されている。スイッチ接続端子１６０は、スイッチ７０を介してフィルタ６１の出力端子、フィルタ６２の入力端子、およびフィルタ６３の入力端子に接続され、また、スイッチ接続端子１６０は、スイッチ９０の端子９０ｄに接続されている。

　スイッチ９０は、第５スイッチの一例であり、モジュール基板１４に配置され、端子９０ａ（第１端子）、９０ｂ（第２端子）、９０ｃ（第３端子）および９０ｄ（第４端子）を有する。端子９０ａはアンテナ接続端子１１０を介してアンテナ２ａと接続されており、端子９０ｂはアンテナ接続端子１２０を介してアンテナ２ｂと接続されている。また、端子９０ｃは、スイッチ３０を介してフィルタ２１の出力端子、フィルタ２２の入力端子、およびフィルタ２３の入力端子に接続されており、端子９０ｄは、スイッチ接続端子１６０に接続されている。スイッチ９０において、端子９０ａと端子９０ｃとの導通、および、端子９０ａと端子９０ｄとの導通が排他的に選択され、端子９０ｂと端子９０ｃとの導通、および、端子９０ｂと端子９０ｄとの導通が排他的に選択される。スイッチ９０は、例えば、端子９０ａ～９０ｄを有するＤＰＤＴ型のスイッチ回路である。スイッチ９０の配置によれば、伝送するバンドの組み合わせにより、スイッチ３０および７０と、アンテナ２ａおよび２ｂとの接続を切り替えることが可能となる。

　上記構成によれば、バンドＡの送信経路と、バンドＢの送信経路とが、別基板に配置されているので、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを同時送信した場合に発生するＩＭＤ３を低減できる。よって、ＩＭＤ３の不要波がバンドＡの受信経路またはバンドＢの受信経路に侵入することを抑制でき、バンドＡまたはバンドＢの受信感度の低下を抑制できる。また、アンテナ接続端子１１０および１２０がモジュール基板５０には配置されておらず、モジュール基板１４に配置されているので、アンテナ２ａおよび２ｂと高周波モジュール９との接続構成を簡素化できる。

　なお、高周波モジュール９は、スイッチ９０を備えなくてもよい。この場合には、アンテナ接続端子１１０は共通端子３０ａに接続され、アンテナ接続端子１２０はスイッチ接続端子１６０を介して共通端子７０ａに接続される。

　［２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを同時送信可能であり、バンドＡは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成され、バンドＢは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成され、低周波側または高周波側から、第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの順に位置しており、高周波モジュール１は、モジュール基板１０および５０と、モジュール基板１０に配置され、第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、モジュール基板１０に配置され、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２２と、モジュール基板１０に配置され、第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２３と、モジュール基板１０に配置され、フィルタ２１に接続される電力増幅器４１と、モジュール基板１０と異なるモジュール基板５０に配置され、第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６１と、モジュール基板５０に配置され、第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６２と、モジュール基板５０に配置され、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６３と、モジュール基板５０に配置され、フィルタ６１に接続される電力増幅器８１と、を備える。

　これによれば、バンドＡの送信経路（電力増幅器４１＋フィルタ２１）と、バンドＢの送信経路（電力増幅器８１＋フィルタ６１）とが、別基板に配置されているので、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを同時送信した場合に発生するＩＭＤ３を低減できる。よって、ＩＭＤ３の不要波がバンドＡの受信経路（フィルタ２２＋低雑音増幅器４２、フィルタ６３＋低雑音増幅器８３）またはバンドＢの受信経路（フィルタ２３＋低雑音増幅器４３、フィルタ６２＋低雑音増幅器８２）に侵入することを抑制でき、バンドＡまたはバンドＢの受信感度の低下を抑制できる。

　また、バンドＡの信号のプライマリ送受信およびバンドＢの信号のダイバーシティ受信、ならびに、バンドＢの信号のプライマリ送受信およびバンドＡの信号のダイバーシティ受信が実行される場合、モジュール基板１０では、フィルタ２１～２３を同時接続する必要があるが、バンドＡのデュプレクサ（フィルタ２１および２２）に対してフィルタ２３の通過帯域（第２ダウンリンク動作バンド）は、バンドＡより高周波側または低周波側となる。このため、バンドＡから見たバンドＢの第２ダウンリンク動作バンドのインピーダンスをオープンに調整し易い。よって、フィルタ２１～２３を同時接続した場合の各フィルタの特性劣化を抑制できる。また、モジュール基板５０では、フィルタ６１～６３を同時接続する必要があるが、バンドＢのデュプレクサ（フィルタ６１および６２）に対してフィルタ６３の通過帯域（第１ダウンリンク動作バンド）は、バンドＢより低周波側または高周波側となる。このため、バンドＢからみた第１ダウンリンク動作バンドのインピーダンスをオープンに調整し易い。よって、フィルタ６１～６３を同時接続した場合の各フィルタの特性劣化を抑制できる。

　また例えば、高周波モジュール１において、フィルタ２１とフィルタ２２とは、第１共通端子を有するバンドＡのデュプレクサを構成し、フィルタ６１とフィルタ６２とは、第２共通端子を有するバンドＢのデュプレクサを構成し、高周波モジュール１は、さらに、モジュール基板１０に配置されたアンテナ接続端子１００と、モジュール基板１０に配置され、アンテナ接続端子１００と第１共通端子との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００とフィルタ２３との接続および非接続を切り替えるスイッチ３０と、モジュール基板５０に配置されたアンテナ接続端子１５０と、モジュール基板５０に配置され、アンテナ接続端子１５０と第２共通端子との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１５０とフィルタ６３との接続および非接続を切り替えるスイッチ７０と、を備えてもよい。

　これによれば、（１）モジュール基板１０でのバンドＡの信号のプライマリ送受信およびモジュール基板５０でのバンドＡの信号のダイバーシティ受信をバンドＢの送受信経路に対して高アイソレーションで実行できる。また、（２）モジュール基板５０でのバンドＢの信号のプライマリ送受信およびモジュール基板１０でのバンドＢの信号のダイバーシティ受信をバンドＡの送受信経路に対して高アイソレーションで実行できる。

　また例えば、変形例１に係る高周波モジュール６において、フィルタ２１の出力端子、フィルタ２２の入力端子、およびフィルタ２３の入力端子は直接接続されており、フィルタ６１の出力端子、フィルタ６２の入力端子、およびフィルタ６３の入力端子は直接接続されていてもよい。

　これによれば、モジュール基板１１において、フィルタ２１～２３とアンテナ２ａとの接続および非接続を切り替えるスイッチ、ならびに、モジュール基板５１において、フィルタ６１～６３とアンテナ２ｂとの接続および非接続を切り替えるスイッチが不要となるので、高周波モジュール６を小型化できる。

　また例えば、変形例２に係る高周波モジュール７において、第１ダウンリンク動作バンドは、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンドと少なくとも一部重複し、フィルタ２４の通過帯域は、第１ダウンリンク動作バンドおよび第３ダウンリンク動作バンドを含み、フィルタ６４の通過帯域は、第１ダウンリンク動作バンドおよび第３ダウンリンク動作バンドを含んでもよい。

　これによれば、フィルタ２４および６４が、それぞれ、第１ダウンリンク動作バンド用および第３ダウンリンク動作バンド用を兼用するので、バンドＡ、バンドＢ、およびバンドＣのマルチバンド伝送が可能な小型の高周波モジュール７を実現できる。

　また例えば、変形例３に係る高周波モジュール８において、第１ダウンリンク動作バンドは、バンドＣの第３ダウンリンク動作バンドと少なくとも一部重複し、フィルタ６４の通過帯域は、第１ダウンリンク動作バンドおよび第３ダウンリンク動作バンドを含み、高周波モジュール８は、さらに、モジュール基板１３に配置され、バンドＣの第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２５と、モジュール基板１３に配置され、第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２４と、モジュール基板５３に配置され、第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６５と、フィルタ２３の入力端子に接続され、フィルタ２３の入力端子とフィルタ２２の入力端子との接続、および、フィルタ２３の入力端子とフィルタ２４の入力端子との接続を切り替えるスイッチ３４と、フィルタ６４の入力端子に接続され、フィルタ６４の入力端子とフィルタ６２の入力端子との接続、および、フィルタ６４の入力端子とフィルタ６５の出力端子との接続を切り替えるスイッチ７４と、を備えてもよい。

　これによれば、バンドＡ、バンドＢおよびバンドＣのうちの２つのバンドの送信信号は、別基板で伝送されるので、当該２つの送信信号を同時伝送した場合に発生するＩＭＤ３を低減できる。よって、ＩＭＤ３の不要波がバンドＡ、バンドＢまたはバンドＣの受信経路に侵入することを抑制でき、バンドＡ、バンドＢまたはバンドＣの受信感度の低下を抑制できる。

　また例えば、変形例６に係る高周波モジュール９は、さらに、モジュール基板１４に配置されたアンテナ接続端子１１０および１２０と、モジュール基板５０に配置され、フィルタ６１の出力端子、フィルタ６２の入力端子およびフィルタ６３の入力端子に接続されたスイッチ接続端子１６０と、端子９０ａ、９０ｂ、９０ｃおよび９０ｄを有するスイッチ９０と、を備え、端子９０ａはアンテナ接続端子１１０に接続されており、端子９０ｂはアンテナ接続端子１２０に接続されており、端子９０ｃはフィルタ２１の出力端子、フィルタ２２の入力端子およびフィルタ２３の入力端子に接続され、端子９０ｄはスイッチ接続端子１６０に接続されていてもよい。

　これによれば、バンドＡの送信経路と、バンドＢの送信経路とが、別基板に配置されているので、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを同時送信した場合に発生するＩＭＤ３を低減できる。よって、ＩＭＤ３の不要波がバンドＡの受信経路またはバンドＢの受信経路に侵入することを抑制でき、バンドＡまたはバンドＢの受信感度の低下を抑制できる。また、アンテナ接続端子１１０および１２０がモジュール基板５０には配置されておらず、モジュール基板１４に配置されているので、アンテナ２ａおよび２ｂと高周波モジュール９との接続構成を簡素化できる。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡおよびバンドＢは、ローバンド群（７００ＭＨｚ～１ＧＨｚ）に属していてもよい。

　また例えば、高周波モジュール７および８において、バンドＣは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８であってもよい。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡは４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドであり、バンドＢは５Ｇ－ＮＲのためのバンドであってもよい。

　これによれば、ＥＮＤＣが可能となる。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０であり、バンドＢは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であってもよい。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５であり、バンドＢは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であってもよい。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡは５Ｇ－ＮＲのためのバンドであり、バンドＢは４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドであってもよい。

　これによれば、ＥＮＤＣが可能となる。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、バンドＢは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８であってもよい。

　また例えば、高周波モジュール１および６～９において、バンドＡは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５であり、バンドＢは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３であってもよい。

　また例えば、変形例１に係る高周波モジュール６は、バンドＡの信号とバンドＢの信号とを送信可能であり、バンドＡは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成され、バンドＢは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成され、第１ダウンリンク動作バンドは第１アップリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドのいずれよりも低周波側または高周波側に位置しており、かつ、第２ダウンリンク動作バンドは、第１アップリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドのいずれよりも低周波側または高周波側に位置しており、高周波モジュール６は、モジュール基板１１および５１と、モジュール基板１１に配置され、第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、モジュール基板１１に配置され、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２２と、モジュール基板１１に配置され、第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２３と、モジュール基板１１に配置され、フィルタ２１に接続される電力増幅器４１と、モジュール基板１１と異なるモジュール基板５１に配置され、第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６１と、モジュール基板５１に配置され、第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６２と、モジュール基板５１に配置され、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ６３と、モジュール基板５１に配置され、フィルタ６１に接続される電力増幅器８１と、を備える。

　また例えば、高周波モジュール６において、バンドＡは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であり、バンドＢは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１４または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１４であってもよい。

　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２ａおよび２ｂとの間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

　これによれば、高周波モジュール１の効果を通信装置５で実現することができる。

　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されてもよい。

　また、上記実施の形態において、５Ｇ－ＮＲまたは４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドが用いられていたが、５Ｇ－ＮＲまたは４Ｇ－ＬＴＥに加えてまたは代わりに、他の無線アクセス技術のための通信バンドが用いられてもよい。例えば、無線ローカルエリアネットワークのための通信バンドが用いられてもよい。また例えば、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。この場合、高周波モジュール１と、アンテナ２ａおよび２ｂと、ＲＦＩＣ３とは、ミリ波アンテナモジュールを構成し、フィルタとして、例えば分布定数型フィルタが用いられてもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、６、７、８、８Ａ、８Ｂ、９　　高周波モジュール
　２ａ、２ｂ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１０、１１、１２、１３、１３Ａ、１３Ｂ、１４、５０、５１、５２、５３、５３Ａ、５３Ｂ　　モジュール基板
　２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８　　フィルタ
　３０、３１、３２、３２Ａ、３３、３４、３５、７０、７１、７２、７３、７３Ａ、７４、７４Ａ、９０　　スイッチ
　３０ａ、７０ａ　　共通端子
　３０ｂ、３０ｃ、７０ｂ、７０ｃ　　選択端子
　４１、４４、８１　　電力増幅器
　４２、４３、８２、８３　　低雑音増幅器
　９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ　　端子
　９１、９２　　ダイプレクサ
　１００、１１０、１２０、１５０　　アンテナ接続端子
　１０１、１０４、１５１　　高周波入力端子
　１０２、１０３、１５２、１５３　　高周波出力端子
　１６０　　スイッチ接続端子

Claims

　第１バンドの信号と第２バンドの信号とを同時送信可能な高周波モジュールであって、
　前記第１バンドは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成され、前記第２バンドは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成され、低周波側または高周波側から、前記第１ダウンリンク動作バンド、前記第１アップリンク動作バンド、前記第２アップリンク動作バンド、および前記第２ダウンリンク動作バンドの順に位置しており、
　前記高周波モジュールは、
　第１基板と、
　前記第１基板と異なる第２基板と、
　前記第１基板に配置され、前記第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第１フィルタに接続される第１電力増幅器と、
　前記第２基板に配置され、前記第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第５フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第６フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第４フィルタに接続される第２電力増幅器と、を備える、
　高周波モジュール。
　前記第１フィルタと前記第２フィルタとは、第１共通端子を有する前記第１バンドのデュプレクサを構成し、
　前記第４フィルタと前記第５フィルタとは、第２共通端子を有する前記第２バンドのデュプレクサを構成し、
　前記高周波モジュールは、さらに、
　前記第１基板に配置された第１アンテナ接続端子と、
　前記第１基板に配置され、前記第１アンテナ接続端子と前記第１共通端子との接続および非接続を切り替え、前記第１アンテナ接続端子と前記第３フィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチと、
　前記第２基板に配置された第２アンテナ接続端子と、
　前記第２基板に配置され、前記第２アンテナ接続端子と前記第２共通端子との接続および非接続を切り替え、前記第２アンテナ接続端子と前記第６フィルタとの接続および非接続を切り替える第２スイッチと、を備える、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１フィルタの出力端子、前記第２フィルタの入力端子、および前記第３フィルタの入力端子は、直接接続されており、
　前記第４フィルタの出力端子、前記第５フィルタの入力端子、および前記第６フィルタの入力端子は、直接接続されている、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１ダウンリンク動作バンドは、第３バンドの第３ダウンリンク動作バンドと少なくとも一部重複し、
　前記第２フィルタの通過帯域は、前記第１ダウンリンク動作バンドおよび前記第３ダウンリンク動作バンドを含み、
　前記第６フィルタの通過帯域は、前記第１ダウンリンク動作バンドおよび前記第３ダウンリンク動作バンドを含む、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１ダウンリンク動作バンドは、第３バンドの第３ダウンリンク動作バンドと少なくとも一部重複し、
　前記第６フィルタの通過帯域は、前記第１ダウンリンク動作バンドおよび前記第３ダウンリンク動作バンドを含み、
　前記高周波モジュールは、さらに、
　前記第１基板に配置され、前記第３バンドの第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第７フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第８フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第９フィルタと、
　前記第３フィルタの入力端子に接続され、前記第３フィルタの入力端子と前記第２フィルタの入力端子との接続、および、前記第３フィルタの入力端子と前記第８フィルタの入力端子との接続を切り替える第３スイッチと、
　前記第６フィルタの入力端子に接続され、前記第６フィルタの入力端子と前記第５フィルタの入力端子との接続、および、前記第６フィルタの入力端子と前記第９フィルタの出力端子との接続を切り替える第４スイッチと、を備える、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記第１基板に配置された第３アンテナ接続端子および第４アンテナ接続端子と、
　前記第２基板に配置され、前記第４フィルタの出力端子、前記第５フィルタの入力端子および前記第６フィルタの入力端子に接続されたスイッチ接続端子と、
　第１端子、第２端子、第３端子、および第４端子を有する第５スイッチと、を備え、
　前記第１端子は、前記第３アンテナ接続端子に接続されており、
　前記第２端子は、前記第４アンテナ接続端子に接続されており、
　前記第３端子は、前記第１フィルタの出力端子、前記第２フィルタの入力端子および前記第３フィルタの入力端子に接続され、
　前記第４端子は、前記スイッチ接続端子に接続されている、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドおよび前記第２バンドは、ローバンド群（７００ＭＨｚ～１ＧＨｚ）に属する、
　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８である、
　請求項４に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドであり、
　前記第２バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドである、
　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０であり、
　前記第２バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８である、
　請求項９に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５であり、
　前記第２バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３である、
　請求項９に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドであり、
　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドである、
　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、
　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８である、
　請求項１２に記載の高周波モジュール。
　前記第１バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５であり、
　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３である、
　請求項１２に記載の高周波モジュール。
　第１バンドの信号と第２バンドの信号とを送信可能な高周波モジュールであって、
　前記第１バンドは、第１アップリンク動作バンドおよび第１ダウンリンク動作バンドで構成され、前記第２バンドは、第２アップリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドで構成され、前記第１ダウンリンク動作バンドは、前記第１アップリンク動作バンドおよび前記第２アップリンク動作バンドのいずれよりも低周波側または高周波側に位置しており、かつ、前記第２ダウンリンク動作バンドは、前記第１アップリンク動作バンドおよび前記第２アップリンク動作バンドのいずれよりも低周波側または高周波側に位置しており、
　前記高周波モジュールは、
　第１基板と、
　前記第１基板と異なる第２基板と、
　前記第１基板に配置され、前記第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　前記第１基板に配置され、前記第１フィルタに接続される第１電力増幅器と、
　前記第２基板に配置され、前記第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第２ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第５フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第６フィルタと、
　前記第２基板に配置され、前記第４フィルタに接続される第２電力増幅器と、を備える、
　高周波モジュール。
　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であり、
　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１４または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１４である、
　請求項１５に記載の高周波モジュール。
　高周波信号を処理する信号処理回路と、
　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、備える、
　通信装置。