WO2024057696A1

WO2024057696A1 - 高周波回路および通信装置

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Publication number: WO2024057696A1
Application number: PCT/JP2023/025707
Authority: WO
Inventors: 秀典帯屋; 智弘佐野; 弘嗣森
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-09-16
Filing date: 2023-07-12
Publication date: 2024-03-21

Abstract

高周波回路（１）は、第１バンドの信号および第１バンドと異なる第２バンドの信号を同時伝送可能であり、第１バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ（１１）と、フィルタ（１１）に接続された電力増幅器（２１）と、第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ（１４）と、フィルタ（１４）に接続された低雑音増幅器（３２）と、低雑音増幅器（３２）の出力端に接続され、第１バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する帯域除去フィルタ（１５）と、を備える。

Description

高周波回路および通信装置

　本発明は、高周波回路および通信装置に関する。

　近年の通信サービスでは、通信の大容量化および高速化を目的に、通信バンドの広帯域化および複数の通信バンドの同時使用が実行される。

　特許文献１には、バンドＡの受信信号とバンドＢの送信信号とを同時伝送可能であり、バンドＢを通過帯域とする帯域通過型フィルタと、バンドＢの信号を増幅可能な低雑音増幅器と、上記帯域通過型フィルタと上記低雑音増幅器の入力端との間に接続され、バンドＢと周波数が重複しない所定の周波数帯域を阻止帯域とする帯域除去フィルタと、を備えた高周波モジュールが開示されている。これによれば、帯域除去フィルタにより、低雑音増幅器へ入力されるバンドＢの受信信号の所定の周波数帯域のノイズ成分を除去できるので、バンドＢの受信感度の劣化を抑制できるとしている。

国際公開第２０２２／０２４６４２号

　しかしながら、特許文献１に開示された高周波モジュールでは、低雑音増幅器の入力側に配置された帯域除去フィルタにより所定の周波数帯域のノイズ成分は除去されるが、微弱なバンドＢの受信信号も帯域除去フィルタにて減衰されるため、バンドＢの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり受信感度が劣化してしまう場合がある。

　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送信信号と同時伝送される受信信号の感度劣化を抑制できる高周波回路および通信装置を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、第１バンドの信号および第１バンドと異なる第２バンドの信号を同時伝送可能な高周波回路であって、第１バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１フィルタに接続された第１電力増幅器と、第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第２フィルタと、第２フィルタに接続された第１低雑音増幅器と、第１低雑音増幅器の出力端に接続され、第１バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する第１帯域除去フィルタと、を備える。

　本発明によれば、送信信号と同時伝送される受信信号の感度劣化を抑制できる高周波回路および通信装置を提供することができる。

図１は、実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。図２は、実施の形態に係る各フィルタの通過特性の第１例を定性的に示す図である。図３は、実施の形態に係る各フィルタの通過特性の第２例を定性的に示す図である。図４は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。図５は、実施の形態の変形例２に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。図６は、実施の形態の変形例３に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。

　また、本開示において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

　また、本開示において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含むことを意味する。また、「ＡとＢとの間に接続される」、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢを結ぶ経路上でＡおよびＢと接続されることを意味する。

　また、本開示において、「経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　また、本開示において、第１バンド（バンドＡ）、第２バンド（バンドＢ）、第３バンド、および第４バンドのそれぞれは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。本実施の形態および変形例では、通信システムとしては、例えばＬＴＥ(Long Term Evolution)システム、５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）システム、およびＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。

　また、アップリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。

　（実施の形態）
　［１　高周波回路１および通信装置４の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置４の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に係る高周波回路１および通信装置４の回路構成図である。

　［１．１　通信装置４の回路構成］
　まず、通信装置４の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置４は、高周波回路１と、アンテナ２Ａおよび２Ｂと、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、を備える。

　高周波回路１は、アンテナ２Ａおよび２ＢとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の詳細な回路構成については後述する。

　アンテナ２Ａは、高周波回路１のアンテナ接続端子１０１に接続され、高周波回路１から出力された高周波信号を送信する。

　アンテナ２Ｂは、高周波回路１のアンテナ接続端子１０２に接続され、外部から高周波信号を受信して高周波回路１へ出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して入力された高周波受信信号（以下、受信信号と記す）を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ：図示せず）へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣから入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を、高周波回路１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチおよび増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣまたは高周波回路１に実装されてもよい。

　なお、本実施の形態に係る通信装置４において、アンテナ２Ａおよび２Ｂは、必須の構成要素ではない。

　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、電力増幅器２１および２２と、低雑音増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２、１３および１４と、帯域除去フィルタ１５と、スイッチ４１および４２と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１０および１２０と、高周波出力端子１３０および１４０と、を備える。

　アンテナ接続端子１０１は、高周波回路１が有する外部接続端子であり、アンテナ２Ａに接続される。アンテナ接続端子１０２は、高周波回路１が有する外部接続端子であり、アンテナ２Ｂに接続される。高周波入力端子１１０および１２０は、高周波回路１が有する外部接続端子であり、ＲＦＩＣ３から送信信号を受けるための端子である。高周波出力端子１３０および１４０は、高周波回路１が有する外部接続端子であり、ＲＦＩＣ３に受信信号を出力するための端子である。

　電力増幅器２１は、第１電力増幅器の一例であり、入力端が高周波入力端子１１０に接続され、出力端がフィルタ１１に接続されている。電力増幅器２２は、第２電力増幅器の一例であり、入力端が高周波入力端子１２０に接続され、出力端がフィルタ１２に接続されている。

　低雑音増幅器３１は、第２低雑音増幅器の一例であり、入力端がフィルタ１３に接続され、出力端が高周波出力端子１３０に接続されている。低雑音増幅器３２は、第１低雑音増幅器の一例であり、入力端がフィルタ１４に接続され、出力端が帯域除去フィルタ１５を介して高周波出力端子１４０に接続されている。

　フィルタ１１は、第１フィルタの一例であり、第１バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、スイッチ４１と電力増幅器２１との間に接続されている。

　フィルタ１２は、第３フィルタの一例であり、第３バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ４１と電力増幅器２２との間に接続されている。

　フィルタ１３は、第４フィルタの一例であり、第４バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する。フィルタ１３は、スイッチ４２と低雑音増幅器３１との間に接続されている。

　フィルタ１４は、第２フィルタの一例であり、第１バンドと異なる第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する。フィルタ１４は、スイッチ４２と低雑音増幅器３２との間に接続されている。

　帯域除去フィルタ１５は、第１帯域除去フィルタの一例であり、第１バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する。帯域除去フィルタ１５は、低雑音増幅器３２の出力端と高周波出力端子１４０との間に接続されている。

　スイッチ４１は、第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、第１共通端子と第１選択端子との接続および非接続を切り替え、第１共通端子と第２選択端子との接続および非接続を切り替える。第１共通端子はアンテナ接続端子１０１に接続され、第１選択端子はフィルタ１１に接続され、第２選択端子はフィルタ１２に接続されている。

　スイッチ４２は、第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、第２共通端子と第３選択端子との接続および非接続を切り替え、第２共通端子と第４選択端子との接続および非接続を切り替える。第２共通端子はアンテナ接続端子１０２に接続され、第３選択端子はフィルタ１３に接続され、第４選択端子はフィルタ１４に接続されている。

　上記構成により、高周波回路１は、高周波入力端子１１０、電力増幅器２１、フィルタ１１、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第１バンドの送信信号と、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１４、低雑音増幅器３２、帯域除去フィルタ１５および高周波出力端子１４０を経由した第２バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１は、高周波入力端子１２０、電力増幅器２２、フィルタ１２、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第３バンドの送信信号と、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１３、低雑音増幅器３１および高周波出力端子１３０を経由した第４バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１は、高周波入力端子１１０、電力増幅器２１、フィルタ１１、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第１バンドの送信信号と、高周波入力端子１２０、電力増幅器２２、フィルタ１２、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第３バンドの送信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１は、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１４、低雑音増幅器３２、帯域除去フィルタ１５および高周波出力端子１４０を経由した第２バンドの受信信号と、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１３、低雑音増幅器３１および高周波出力端子１３０を経由した第４バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　第１バンドの送信信号と第２バンドの受信信号とが同時伝送されている状態において、高周波入力端子１１０、電力増幅器２１、フィルタ１１、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第１バンドの送信信号が、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１４および低雑音増幅器３２の受信経路に漏洩することが想定される。この場合、上記受信経路を伝送する第２バンドの受信信号に第１バンドの送信信号の漏洩波が重畳されると、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、ＲＦＩＣ３内で信号歪が発生する。この結果、第２バンドの受信感度が劣化してしまう場合がある。第２バンドの受信感度劣化は、特に、第２バンドの受信経路からＲＦＩＣ３へ帯域幅の大きい送信信号の漏洩波が大きなレベルで入ると問題となる。

　これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１の上記構成によれば、低雑音増幅器３２の出力側に（ＲＦＩＣ３の直前で）、第１バンドの少なくとも一部を阻止帯域とする帯域除去フィルタ１５が配置されているので、第２バンドの受信経路を伝送する第１バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第２バンドの受信感度の劣化を抑制できる。また、帯域除去フィルタ１５は、第１バンドを阻止帯域とする帯域除去フィルタであるので、第２バンドを通過帯域とし第２バンド以外の帯域を減衰帯域とする帯域通過型フィルタと比較してフィルタ構造を小型化かつ簡素化できる。

　また、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３２の入力側に配置される場合には、第１バンドの送信信号の漏洩波を抑制できるが、低雑音増幅器３２で増幅される前の微弱な第２バンドの受信信号も帯域除去フィルタにて減衰されてしまう。このため、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、雑音指数が大きくなってしまう。これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１では、帯域除去フィルタ１５が低雑音増幅器３２の出力側に配置されているので、第２バンドの受信信号が低雑音増幅器３２で増幅された状態で第１バンドの送信信号の漏洩波が抑制される。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを効果的に抑制できる。よって、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３２の入力側に配置される構成と比較して、第２バンドの受信感度の劣化を効果的に抑制できる。

　なお、本実施の形態において、フィルタ１１および１２はアンテナ２Ａに接続され、フィルタ１３および１４はアンテナ２Ｂに接続されている。つまり、フィルタ１１とフィルタ１４とは、異なるアンテナに接続されている。

　これによれば、フィルタ１１を含む第１バンドの送信経路と、フィルタ１４を含む第２バンドの受信経路とのアイソレーションを大きく確保できる。よって、フィルタ１４を含む第２バンドの受信経路に第１バンドの送信信号が漏洩することを抑制できる。

　なお、本実施の形態に係る高周波回路１において、第１バンド、第２バンド、第３バンドおよび第４バンドは時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用のバンドであり、第１バンドおよび第４バンドは、同じバンドＡであり、第２バンドおよび第３バンドは、同じバンドＢである。

　バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ４０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４０（２３００－２４００ＭＨｚ）であり、バンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ４１または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）である。

　また、バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）は、例えば、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７（３３００－４２００ＭＨｚ）、ｎ７８（３３００－３８００ＭＨｚ）、およびｎ７９（４４００－５０００ＭＨｚ）のうちの１つであり、バンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）は、例えば、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの他の１つであってもよい。

　また、バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）は、例えば、５１５０－５９２５ＭＨｚで規定される第１周波数範囲（例えば５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４６）、５９２５－７１２５ＭＨｚで規定される第２周波数範囲（例えば５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ９６またはｎ１０６）、５９２５－６４２５ＭＨｚで規定される第３周波数範囲（例えば５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１０２）、および６４２５－７１２５ＭＨｚで規定される第４周波数範囲（例えば５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１０４）のうちの１つであり、バンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）は、例えば、第１周波数範囲、第２周波数範囲、第３周波数範囲および第４周波数範囲のうちの他の１つであってもよい。

　なお、バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）ならびにバンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）がＴＤＤ用のバンドである場合には、バンドＡの信号とバンドＢの信号とが非同期で伝送される。つまり、バンドＡの送信信号とバンドＢの送信信号との同時伝送、および、バンドＡの受信信号とバンドＢの受信信号との同時伝送、だけでなく、バンドＡの送信信号とバンドＢの受信信号との同時伝送、および、バンドＡの受信信号とバンドＢの送信信号との同時伝送も実行される。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、第１バンド、第２バンド、第３バンドおよび第４バンドは周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用のバンドであってもよい。この場合、第１バンドおよび第４バンドは、同じバンドＡであり、第２バンドおよび第３バンドは、同じバンドＢであってもよい。

　この場合、バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１（アップリンク動作バンド：１９２０－１９８０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：２１１０－２１７０ＭＨｚ）、ｎ２（アップリンク動作バンド：１８５０－１９１０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：１９３０－１９９０ＭＨｚ）、ｎ３（アップリンク動作バンド：１７１０－１７８５ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：１８０５－１８８０ＭＨｚ）、ｎ２５（アップリンク動作バンド：１８５０－１９１５ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：１９３０－１９９５ＭＨｚ）およびｎ７４（アップリンク動作バンド：１４２７－１４７０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：１４７５－１５１８ＭＨｚ）のうちの１つであり、バンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの他の１つであってもよい。

　また、バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８（アップリンク動作バンド：８８０－９１５ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：９２５－９６０ＭＨｚ）、ｎ１２（アップリンク動作バンド：６９９－７１６ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：７２９－７４６ＭＨｚ）、ｎ１３（アップリンク動作バンド：７７７－７８７ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：７４６－７５６ＭＨｚ）、ｎ２０（アップリンク動作バンド：８３２－８６２ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：７９１－８２１ＭＨｚ）、ｎ２６（アップリンク動作バンド：８１４－８４９ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：８５９－８９４ＭＨｚ）、ｎ７１（アップリンク動作バンド：６６３－６９８ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：６１７－６５２ＭＨｚ）およびｎ８５（アップリンク動作バンド：６９８－７１６ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：７２８－７４６ＭＨｚ）のうちの１つであり、バンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの他の１つであってもよい。

　また、バンドＡ（第１バンドおよび第４バンド）ならびにバンドＢ（第２バンドおよび第３バンド）の一方は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ２２（アップリンク動作バンド：３４１０－３４９０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：３５１０－３５９０ＭＨｚ）であってもよい。

　第１バンドと第２バンドとの組み合わせとしては、上記のとおり、ＴＤＤ方式およびＦＤＤ方式のいずれにも適用され、また、（１）第１バンドおよび第２バンドの一方がＬＴＥのためのバンドであり、第１バンドおよび第２バンドの他方が５Ｇ－ＮＲのためのバンドである場合（ＥＮＤＣ）、（２）第１バンドおよび第２バンドの双方がＬＴＥのためのバンドである場合、および（３）第１バンドおよび第２バンドの双方が５Ｇ－ＮＲである場合に適用される。

　なお、本実施の形態に係る高周波回路１において、第１バンドの送信信号がハイパワー（パワークラス２以上）クラスの送信信号に対応している場合、第２バンドの受信経路への第１バンドの漏洩波が大きくなるため、帯域除去フィルタ１５により漏洩波を抑制する意義は大きい。

　なお、パワークラスとは、最大出力パワーなどで定義されるＵＥの出力パワーの分類であり、パワークラスの値が小さいほど高いパワーの出力を許容することを示す。例えば、３ＧＰＰ（登録商標）では、パワークラス１で許容される最大出力パワーは３１ｄＢｍであり、パワークラス１．５で許容される最大出力パワーは２９ｄＢｍであり、パワークラス２で許容される最大出力パワーは２６ｄＢｍであり、パワークラス３で許容される最大出力パワーは２３ｄＢｍである。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、第２バンドが５Ｇ－ＮＲのためのバンドである場合、要求される受信信号のＳ／Ｎ比はＬＴＥと比較して大きいので、帯域除去フィルタ１５により漏洩波を抑制する意義は大きい。

　なお、第１バンドおよび第２バンドが３ＧＨｚ以上のバンドである場合には、帯域除去フィルタ１５は、インダクタおよびキャパシタを含むＬＣフィルタであることが望ましい。

　これによれば、簡素化されたフィルタ構造で低損失な帯域除去フィルタを実現できる。

　また、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタのそれぞれは、半導体基板に形成された集積型受動素子（ＩＰＤ：Integrated Passive Device）であってもよい。これによれば、帯域除去フィルタ１５を小型化できる。

　また、高周波回路１は、電力増幅器２１および２２、低雑音増幅器３１および３２、ならびにフィルタ１１～１４が配置された誘電体基板を備え、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタのそれぞれは、上記誘電体基板に形成されていてもよい。これによれば、高周波回路１を小型化できる。

　また、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタのそれぞれは、上記誘電体基板に配置された表面実装型素子であってもよい。これによれば、高Ｑ値を有するインダクタおよびキャパシタにより、帯域除去フィルタ１５の通過特性を向上できる。

　なお、本実施の形態に係る高周波回路１において、電力増幅器２１、低雑音増幅器３２、フィルタ１１、１４、および帯域除去フィルタ１５は、必須の構成要素であり、電力増幅器２２、低雑音増幅器３１、フィルタ１２、１３、スイッチ４１および４２は無くてもよい。

　［１．３　高周波回路１のフィルタ特性］
　次に、高周波回路１が有する各フィルタの通過特性について説明する。

　図２は、実施の形態に係る各フィルタの通過特性の第１例を定性的に示す図である。同図の（ａ）には、高周波回路１が帯域除去フィルタ１５を有さない場合のフィルタ１３および１４の定性的な通過特性が示されている。また、同図の（ｂ）には、帯域除去フィルタ１５を有する高周波回路１のフィルタ１３、１４および１５の定性的な通過特性が示されている。

　図２の（ａ）に示すように、帯域除去フィルタ１５が配置されていない場合、第２バンドの受信経路に必要な第１バンド（バンドＡ）の減衰量は、フィルタ１４の減衰量で規定される。

　これに対して、帯域除去フィルタ１５を有する高周波回路１では、第２バンドの受信経路にはフィルタ１４と帯域除去フィルタ１５とが低雑音増幅器３２を挟んで縦続接続されているため、第２バンドの受信経路に必要な第１バンド（バンドＡ）の減衰量は、フィルタ１４の減衰量と帯域除去フィルタ１５の減衰量とが加算されたものとなる。よって、図２の（ｂ）に示すように、フィルタ１４の第１バンドの減衰量は、帯域除去フィルタ１５の減衰量の分だけ緩和できる。このため、フィルタ１４では、第１バンドの減衰量の緩和に伴い、第２バンド（バンドＢ）の挿入損失を低減できる。よって、低雑音増幅器３２の入力側に配置されるフィルタ１４の挿入損失が低減されることにより、第２バンドの受信信号の雑音指数を低減できる。

　図３は、実施の形態に係る各フィルタの通過特性の第２例を定性的に示す図である。同図の（ａ）には、高周波回路１が帯域除去フィルタ１５を有さない場合のフィルタ１３および１４の定性的な通過特性が示されている。また、同図の（ｂ）には、帯域除去フィルタ１５を有する高周波回路１のフィルタ１３、１４および１５の定性的な通過特性が示されている。

　図３の（ａ）に示すように、帯域除去フィルタ１５が配置されていない場合、第２バンドの受信経路に配置されたフィルタ１４の通過帯域（バンドＢ）内には、所定のインバンドリップルが発生している。

　これに対して、帯域除去フィルタ１５を有する高周波回路１では、第２バンドの受信経路にはフィルタ１４と帯域除去フィルタ１５とが低雑音増幅器３２を挟んで縦続接続されているため、図３の（ｂ）に示すように、帯域除去フィルタ１５のバンドＢにおける挿入損失の周波数依存性を、フィルタ１４のバンドＢにおける挿入損失の周波数依存性と異ならせることで、第２バンドの受信経路のバンドＢ（第２バンド）のインバンドリップルを低減することが可能となる。より具体的には、帯域除去フィルタ１５のバンドＢにおける挿入損失の増減特性を、フィルタ１４のバンドＢにおける挿入損失の増減特性と逆向きにすることで、第２バンドの受信経路のバンドＢ（第２バンド）のインバンドリップルを低減することが可能となる。

　なお、フィルタ１４のバンドＢにおけるインバンドリップルを低減するには、フィルタ１４と縦続接続されるフィルタは、バンドＢの通過帯域を形成するための設計パラメータの制約が少ないという観点で、帯域通過型フィルタよりも帯域除去フィルタの方が適している。

　なお、本実施の形態における帯域除去フィルタとは、以下のように定義される。すなわち、帯域除去フィルタは、阻止帯域、阻止帯域より低周波側にある低周波側通過帯域、および阻止帯域より高周波側にある高周波側通過帯域を有し、阻止帯域の帯域幅が低周波側通過帯域の帯域幅よりも狭く、かつ、阻止帯域の帯域幅が高周波側通過帯域の帯域幅よりも狭い。なお、阻止帯域は、５ｄＢ以上の挿入損失を有する帯域であり、低周波側通過帯域および高周波側通過帯域のそれぞれは、５ｄＢ未満の挿入損失を有する帯域である。

　［１．４　変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成］
　次に、変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成について説明する。

　図４は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａおよび通信装置４Ａの回路構成図である。本変形例に係る通信装置４Ａは、高周波回路１Ａと、アンテナ２Ａおよび２Ｂと、ＲＦＩＣ３と、を備える。本変形例に係る通信装置４Ａは、実施の形態に係る通信装置４と比較して、高周波回路１Ａのみが異なる。以下、本変形例に係る通信装置４Ａについて、実施の形態に係る通信装置４と異なる構成である高周波回路１Ａを中心に説明する。

　図４に示すように、高周波回路１Ａは、電力増幅器２１および２２と、低雑音増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２、１３および１４と、帯域除去フィルタ１５および１６と、スイッチ４１および４２と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１０および１２０と、高周波出力端子１３０および１４０と、を備える。

　本変形例に係る高周波回路１Ａは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、帯域除去フィルタ１６が付加されている点のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　低雑音増幅器３１は、第２低雑音増幅器の一例であり、入力端がフィルタ１３に接続され、出力端が帯域除去フィルタ１６を介して高周波出力端子１３０に接続されている。低雑音増幅器３２は、第１低雑音増幅器の一例であり、入力端がフィルタ１４に接続され、出力端が帯域除去フィルタ１５を介して高周波出力端子１４０に接続されている。

　帯域除去フィルタ１６は、第２帯域除去フィルタの一例であり、第３バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する。帯域除去フィルタ１６は、低雑音増幅器３１の出力端と高周波出力端子１３０との間に接続されている。

　上記構成により、高周波回路１Ａは、高周波入力端子１１０、電力増幅器２１、フィルタ１１、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第１バンドの送信信号と、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１４、低雑音増幅器３２、帯域除去フィルタ１５および高周波出力端子１４０を経由した第２バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１Ａは、高周波入力端子１２０、電力増幅器２２、フィルタ１２、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第３バンドの送信信号と、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１３、低雑音増幅器３１および高周波出力端子１３０を経由した第４バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　第３バンドの送信信号と第４バンドの受信信号とが同時伝送されている状態において、高周波入力端子１２０、電力増幅器２２、フィルタ１２、スイッチ４１およびアンテナ接続端子１０１を経由した第３バンドの送信信号が、アンテナ接続端子１０２、スイッチ４２、フィルタ１３および低雑音増幅器３１の受信経路に漏洩することが想定される。この場合、上記受信経路を伝送する第４バンドの受信信号に第３バンドの送信信号の漏洩波が重畳されると、第４バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、ＲＦＩＣ３内で信号歪が発生する。この結果、第４バンドの受信感度が劣化してしまう場合がある。第４バンドの受信感度劣化は、特に、第４バンドの受信経路からＲＦＩＣ３へ帯域幅の大きい送信信号の漏洩波が大きなレベルで入ると問題となる。

　これに対して、本変形例に係る高周波回路１Ａの上記構成によれば、低雑音増幅器３１の出力側に（ＲＦＩＣ３の直前で）、第３バンドの少なくとも一部を阻止帯域とする帯域除去フィルタ１６が配置されているので、第４バンドの受信経路を伝送する第３バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第４バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第４バンドの受信感度の劣化を抑制できる。また、帯域除去フィルタ１６は、第３バンドを阻止帯域とする帯域除去フィルタであるので、第４バンドを通過帯域とし第４バンド以外の帯域を減衰帯域とする帯域通過型フィルタと比較してフィルタ構造を小型化かつ簡素化できる。

　また、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３１の入力側に配置される場合には、第３バンドの送信信号の漏洩波を抑制できるが、低雑音増幅器３１で増幅される前の微弱な第４バンドの受信信号も帯域除去フィルタにて減衰されてしまう。このため、第４バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、雑音指数が大きくなってしまう。これに対して、本変形例に係る高周波回路１Ａでは、帯域除去フィルタ１６が低雑音増幅器３１の出力側に配置されているので、第４バンドの受信信号が低雑音増幅器３１で増幅された状態で第３バンドの送信信号の漏洩波が抑制される。これにより、第４バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを効果的に抑制できる。よって、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３１の入力側に配置される構成と比較して、第４バンドの受信感度の劣化を効果的に抑制できる。

　つまり、本変形例に係る高周波回路１Ａでは、帯域除去フィルタ１５により、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、第２バンドの受信感度の劣化を抑制できるとともに、帯域除去フィルタ１６により、第４バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、第４バンドの受信感度の劣化を抑制できる。

　なお、本変形例に係る高周波回路１Ａにおいて、第１バンド、第２バンド、第３バンドおよび第４バンドはＴＤＤ用のバンドであり、第１バンドおよび第４バンドは、同じバンドＡであり、第２バンドおよび第３バンドは、同じバンドＢである。

　また、本変形例に係る高周波回路１Ａにおいて、第１バンド、第２バンド、第３バンドおよび第４バンドはＦＤＤ用のバンドであってもよい。この場合、第１バンドおよび第４バンドは、同じバンドＡであり、第２バンドおよび第３バンドは、同じバンドＢであってもよい。

　なお、第１バンドおよび第２バンドが３ＧＨｚ以上のバンドである場合には、帯域除去フィルタ１６は、インダクタおよびキャパシタを含むＬＣフィルタであることが望ましい。

　また、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタのそれぞれは、半導体基板に形成されたＩＰＤであってもよい。これによれば、帯域除去フィルタ１６を小型化できる。

　また、高周波回路１Ａは、電力増幅器２１および２２、低雑音増幅器３１および３２、ならびにフィルタ１１～１４が配置された誘電体基板を備え、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタのそれぞれは、上記誘電体基板に形成されていてもよい。これによれば、高周波回路１Ａを小型化できる。

　また、ＬＣフィルタを構成するインダクタおよびキャパシタのそれぞれは、上記誘電体基板に配置された表面実装型素子であってもよい。これによれば、高Ｑ値を有するインダクタおよびキャパシタにより、帯域除去フィルタ１６の通過特性を向上できる。

　［１．５　変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成］
　次に、変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成について説明する。

　図５は、実施の形態の変形例２に係る高周波回路１Ｂおよび通信装置４Ｂの回路構成図である。本変形例に係る通信装置４Ｂは、高周波回路１Ｂと、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３と、を備える。本変形例に係る通信装置４Ｂは、実施の形態に係る通信装置４と比較して、アンテナおよび高周波回路１Ｂの構成が異なる。以下、本変形例に係る通信装置４Ｂについて、実施の形態に係る通信装置４と異なる構成であるアンテナ２および高周波回路１Ｂを中心に説明する。

　図５に示すように、高周波回路１Ｂは、電力増幅器２１および２２と、低雑音増幅器３１および３２と、フィルタ１７および１８と、帯域除去フィルタ１５および１６と、スイッチ４３、４４および４５と、アンテナ接続端子１０３と、高周波入力端子１１０および１２０と、高周波出力端子１３０および１４０と、を備える。

　アンテナ接続端子１０３はアンテナ２に接続される。高周波入力端子１１０および１２０はＲＦＩＣ３から送信信号を受けるための端子である。高周波出力端子１３０および１４０はＲＦＩＣ３に受信信号を出力するための端子である。

　電力増幅器２１は、第１電力増幅器の一例であり、入力端が高周波入力端子１１０に接続され、出力端がスイッチ４４を介してフィルタ１７に接続されている。電力増幅器２２は、第３電力増幅器の一例であり、入力端が高周波入力端子１２０に接続され、出力端がスイッチ４５を介してフィルタ１８に接続されている。

　低雑音増幅器３１は、第３雑音増幅器の一例であり、入力端がスイッチ４４を介してフィルタ１７に接続され、出力端が帯域除去フィルタ１６を介して高周波出力端子１３０に接続されている。低雑音増幅器３２は、第１低雑音増幅器の一例であり、入力端がスイッチ４５を介してフィルタ１８に接続され、出力端が帯域除去フィルタ１５を介して高周波出力端子１４０に接続されている。

　フィルタ１７は、第１フィルタの一例であり、第１バンド（バンドＡ）の少なくとも一部を含む通過帯域を有する。フィルタ１７は、スイッチ４３とスイッチ４４との間に接続されている。

　フィルタ１８は、第２フィルタの一例であり、第２バンド（バンドＢ）の少なくとも一部を含む通過帯域を有する。フィルタ１８は、スイッチ４３とスイッチ４５との間に接続されている。

　帯域除去フィルタ１６は、第３帯域除去フィルタの一例であり、第２バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する。帯域除去フィルタ１６は、低雑音増幅器３１の出力端と高周波出力端子１３０との間に接続されている。

　スイッチ４３は、１つの共通端子および２つの選択端子を有し、共通端子と一方の選択端子との接続および非接続を切り替え、共通端子と他方の選択端子との接続および非接続を切り替える。共通端子はアンテナ接続端子１０３に接続され、一方の選択端子はフィルタ１７に接続され、他方の選択端子はフィルタ１８に接続されている。

　スイッチ４４は、第１スイッチの一例であり、フィルタ１７と電力増幅器２１および低雑音増幅器３１との間に接続されている。スイッチ４４は、１つの共通端子および２つの選択端子を有し、共通端子と一方の選択端子との接続および共通端子と他方の選択端子との接続を切り替える。共通端子はフィルタ１７に接続され、一方の選択端子は電力増幅器２１の出力端に接続され、他方の選択端子は低雑音増幅器３１の入力端に接続されている。

　スイッチ４５は、第２スイッチの一例であり、フィルタ１８と電力増幅器２２および低雑音増幅器３２との間に接続されている。スイッチ４５は、１つの共通端子および２つの選択端子を有し、共通端子と一方の選択端子との接続および共通端子と他方の選択端子との接続を切り替える。共通端子はフィルタ１８に接続され、一方の選択端子は電力増幅器２２の出力端に接続され、他方の選択端子は低雑音増幅器３２の入力端に接続されている。

　本変形例に係る高周波回路１Ｂにおいて、第１バンド（バンドＡ）および第２バンド（バンドＢ）はＴＤＤ用のバンドである。

　上記構成により、高周波回路１Ｂは、スイッチ４４の切り替えにより、第１バンドの送信信号と第１バンドの受信信号とを排他的に伝送し、また、スイッチ４５の切り替えにより、第２バンドの送信信号と第２バンドの受信信号とを排他的に伝送する。

　また、高周波回路１Ｂは、高周波入力端子１１０、電力増幅器２１、スイッチ４４、フィルタ１７、スイッチ４３およびアンテナ接続端子１０３を経由した第１バンドの送信信号と、アンテナ接続端子１０３、スイッチ４３、フィルタ１８、スイッチ４５、低雑音増幅器３２、帯域除去フィルタ１５および高周波出力端子１４０を経由した第２バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１Ｂは、高周波入力端子１２０、電力増幅器２２、スイッチ４５、フィルタ１８、スイッチ４３、およびアンテナ接続端子１０３を経由した第２バンドの送信信号と、アンテナ接続端子１０３、スイッチ４３、フィルタ１７、スイッチ４４、低雑音増幅器３１、帯域除去フィルタ１６および高周波出力端子１３０を経由した第１バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１Ｂは、高周波入力端子１１０、電力増幅器２１、スイッチ４４、フィルタ１７、スイッチ４３およびアンテナ接続端子１０３を経由した第１バンドの送信信号と、高周波入力端子１２０、電力増幅器２２、スイッチ４５、フィルタ１８、スイッチ４３およびアンテナ接続端子１０３を経由した第２バンドの送信信号とを同時伝送することが可能である。

　また、高周波回路１Ｂは、アンテナ接続端子１０３、スイッチ４３、フィルタ１７、スイッチ４４、低雑音増幅器３１、帯域除去フィルタ１６および高周波出力端子１３０を経由した第１バンドの受信信号と、アンテナ接続端子１０３、スイッチ４３、フィルタ１８、スイッチ４５、低雑音増幅器３２、帯域除去フィルタ１５および高周波出力端子１４０を経由した第２バンドの受信信号とを同時伝送することが可能である。

　本変形例に係る高周波回路１Ｂの上記構成によれば、低雑音増幅器３２の出力側に（ＲＦＩＣ３の直前で）、第１バンドの少なくとも一部を阻止帯域とする帯域除去フィルタ１５が配置されているので、第２バンドの受信経路を伝送する第１バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第２バンドの受信感度の劣化を抑制できる。また、帯域除去フィルタ１５は、第１バンドを阻止帯域とする帯域除去フィルタであるので、第２バンドを通過帯域とし第２バンド以外の帯域を減衰帯域とする帯域通過型フィルタと比較してフィルタ構造を小型化かつ簡素化できる。

　また、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３２の入力側に配置される場合には、第１バンドの送信信号の漏洩波を抑制できるが、低雑音増幅器３２で増幅される前の微弱な第２バンドの受信信号も帯域除去フィルタにて減衰されてしまう。このため、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、雑音指数が大きくなってしまう。これに対して、本変形例に係る高周波回路１Ｂでは、帯域除去フィルタ１５が低雑音増幅器３２の出力側に配置されているので、第２バンドの受信信号が低雑音増幅器３２で増幅された状態で第１バンドの送信信号の漏洩波が抑制される。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを効果的に抑制できる。よって、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３２の入力側に配置される構成と比較して、第２バンドの受信感度の劣化を効果的に抑制できる。

　また、低雑音増幅器３１の出力側に（ＲＦＩＣ３の直前で）、第２バンドの少なくとも一部を阻止帯域とする帯域除去フィルタ１６が配置されているので、第１バンドの受信経路を伝送する第２バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第１バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第１バンドの受信感度の劣化を抑制できる。また、帯域除去フィルタ１６は、第２バンドを阻止帯域とする帯域除去フィルタであるので、第１バンドを通過帯域とし第１バンド以外の帯域を減衰帯域とする帯域通過型フィルタと比較してフィルタ構造を小型化かつ簡素化できる。

　また、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３１の入力側に配置される場合には、第２バンドの送信信号の漏洩波を抑制できるが、低雑音増幅器３１で増幅される前の微弱な第１バンドの受信信号も帯域除去フィルタにて減衰されてしまう。このため、第１バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、雑音指数が大きくなってしまう。これに対して、本変形例に係る高周波回路１Ｂでは、帯域除去フィルタ１６が低雑音増幅器３１の出力側に配置されているので、第１バンドの受信信号が低雑音増幅器３１で増幅された状態で第２バンドの送信信号の漏洩波が抑制される。これにより、第１バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを効果的に抑制できる。よって、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３１の入力側に配置される構成と比較して、第１バンドの受信感度の劣化を効果的に抑制できる。

　なお、本変形例に係る高周波回路１Ｂにおいて、帯域除去フィルタ１５および１６のいずれか一方は無くてもよい。

　［１．６　変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成］
　次に、変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成について説明する。

　図６は、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃおよび通信装置４Ｃの回路構成図である。本変形例に係る通信装置４Ｃは、高周波回路１Ｃと、アンテナ２Ｃおよび２Ｄと、ＲＦＩＣ３と、を備える。本変形例に係る通信装置４Ｃは、変形例２に係る通信装置４Ｂと比較して、アンテナおよび高周波回路１Ｃの構成が異なる。以下、本変形例に係る通信装置４Ｃについて、変形例２に係る通信装置４Ｂと異なる構成であるアンテナ２Ｃ、２Ｄおよび高周波回路１Ｃを中心に説明する。

　アンテナ２Ｃは、高周波回路１Ｃのアンテナ接続端子１０４に接続され、高周波回路１Ｃから出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波回路１Ｃへ出力する。

　アンテナ２Ｄは、高周波回路１Ｃのアンテナ接続端子１０５に接続され、高周波回路１Ｃから出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波回路１Ｃへ出力する。

　図６に示すように、高周波回路１Ｃは、電力増幅器２１および２２と、低雑音増幅器３１および３２と、フィルタ１７および１８と、帯域除去フィルタ１５および１６と、スイッチ４４、４５および４６と、アンテナ接続端子１０４および１０５と、高周波入力端子１１０および１２０と、高周波出力端子１３０および１４０と、を備える。

　本変形例に係る高周波回路１Ｃは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと比較して、スイッチ４６、アンテナ接続端子１０４および１０５の構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｃについて、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　アンテナ接続端子１０４はアンテナ２Ｃに接続される。アンテナ接続端子１０５はアンテナ２Ｄに接続される。

　スイッチ４６は、第１共通端子、第２共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、（１）第１共通端子と第１選択端子との接続かつ第２共通端子と第２選択端子との接続、ならびに（２）第１共通端子と第２選択端子との接続かつ第２共通端子と第１選択端子との接続を排他的に切り替える。第１共通端子はアンテナ接続端子１０４に接続され、第２共通端子はアンテナ接続端子１０５に接続され、第１選択端子はフィルタ１７に接続され、第２選択端子はフィルタ１８に接続されている。

　スイッチ４６によれば、（１）第１バンドの信号がアンテナ２Ｃにより送受信され、かつ、第２バンドの信号がアンテナ２Ｄにより送受信されるモードと、（２）第１バンドの信号がアンテナ２Ｄにより送受信され、かつ、第２バンドの信号がアンテナ２Ｃにより送受信されるモードとを、切り替えることが可能となる。つまり、フィルタ１７とフィルタ１８とは、異なるアンテナに接続される。

　本変形例に係る高周波回路１Ｃの上記構成によれば、第１バンドおよび第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第１バンドおよび第２バンドの受信感度の劣化を抑制できる。

　［２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、第１バンドの信号および第１バンドと異なる第２バンドの信号を同時伝送可能であり、第１バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ１１と、フィルタ１１に接続された電力増幅器２１と、第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ１４と、フィルタ１４に接続された低雑音増幅器３２と、低雑音増幅器３２の出力端に接続され、第１バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する帯域除去フィルタ１５と、を備える。

　これによれば、低雑音増幅器３２の出力側に帯域除去フィルタ１５が配置されているので、第２バンドの受信経路を伝送する第１バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第２バンドの受信感度の劣化を抑制できる。また、帯域除去フィルタ１５は、第２バンドを通過帯域とし第２バンド以外の帯域を減衰帯域とする帯域通過型フィルタと比較してフィルタ構造を小型化かつ簡素化できる。また、帯域除去フィルタ１５が低雑音増幅器３２の出力側に配置されているので、第２バンドの受信信号が低雑音増幅器３２で増幅された状態で第１バンドの送信信号の漏洩波が抑制される。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを効果的に抑制できる。よって、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３２の入力側に配置される構成と比較して、第２バンドの受信感度の劣化を効果的に抑制できる。

　また例えば、変形例１に係る高周波回路１Ａは、さらに、第３バンド（または第１バンド）の少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ１２と、フィルタ１２に接続された電力増幅器２２と、第４バンド（または第２バンド）の少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ１３と、フィルタ１３に接続された低雑音増幅器３１と、低雑音増幅器３１の出力端に接続され、第３バンド（または第１バンド）を含む阻止帯域を有する帯域除去フィルタ１６と、を備えてもよい。

　これによれば、低雑音増幅器３１の出力側に帯域除去フィルタ１６が配置されているので、第４バンド（または第２バンド）の受信経路を伝送する第３バンド（または第１バンド）の送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第４バンド（または第２バンド）の受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第４バンド（または第２バンド）の受信感度の劣化を抑制できる。また、帯域除去フィルタ１６は、第４バンド（または第２バンド）を通過帯域とし第４バンド（または第２バンド）以外の帯域を減衰帯域とする帯域通過型フィルタと比較してフィルタ構造を小型化かつ簡素化できる。また、帯域除去フィルタ１６が低雑音増幅器３１の出力側に配置されているので、第４バンド（または第２バンド）の受信信号が低雑音増幅器３１で増幅された状態で第３バンド（または第１バンド）の送信信号の漏洩波が抑制される。これにより、第４バンド（または第２バンド）の受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを効果的に抑制できる。よって、帯域除去フィルタが低雑音増幅器３１の入力側に配置される構成と比較して、第４バンド（または第２バンド）の受信感度の劣化を効果的に抑制できる。

　また例えば、変形例２に係る高周波回路１Ｂおよび変形例３に係る高周波回路１Ｃにおいて、第１バンドおよび第２バンドはＴＤＤ用のバンドであり、高周波回路１Ｂおよび１Ｃは、電力増幅器２１および２２と、低雑音増幅器３１および３２と、フィルタ１７および１８と、フィルタ１７と電力増幅器２１および低雑音増幅器３１との間に接続され、フィルタ１７と電力増幅器２１との接続およびフィルタ１７と低雑音増幅器３１との接続を切り替えるスイッチ４４と、フィルタ１８と電力増幅器２２および低雑音増幅器３２との間に接続され、フィルタ１８と電力増幅器２２との接続およびフィルタ１８と低雑音増幅器３２との接続を切り替えるスイッチ４５と、を備えてもよい。

　これによれば、ＴＤＤ用の第１バンドおよび第２バンドの信号を同時伝送する場合において、低雑音増幅器３２の出力側に帯域除去フィルタ１５が配置されているので、第２バンドの受信経路を伝送する第１バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第２バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第２バンドの受信感度の劣化を抑制できる。

　また例えば、変形例２に係る高周波回路１Ｂおよび変形例３に係る高周波回路１Ｃは、さらに、低雑音増幅器３１の出力端に接続され、第２バンドを含む阻止帯域を有する帯域除去フィルタ１６を備えてもよい。

　これによれば、低雑音増幅器３１の出力側に帯域除去フィルタ１６が配置されているので、第１バンドの受信経路を伝送する第２バンドの送信信号の漏洩波を抑制できる。これにより、第１バンドの受信信号のＳ／Ｎ比が小さくなることを抑制でき、ＲＦＩＣ３内での信号歪を抑制できる。よって、第１バンドの受信感度の劣化を抑制できる。

　また例えば、高周波回路１、１Ａおよび１Ｃにおいて、第１フィルタと第２フィルタとは、異なるアンテナに接続されていてもよい。

　これによれば、第１フィルタを含む第１バンドの送信経路と、第２フィルタを含む第２バンドの受信経路とのアイソレーションを大きく確保できる。よって、第２フィルタを含む第２バンドの受信経路に第１バンドの送信信号が漏洩することを抑制できる。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃにおいて、第１バンドおよび第２バンドは、３ＧＨｚ以上のバンドであり、帯域除去フィルタ１５は、インダクタおよびキャパシタを含んでもよい。

　これによれば、簡素化されたフィルタ構造で低損失な帯域除去フィルタ１５を実現できる。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃにおいて、上記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、半導体基板に形成された集積型受動素子であってもよい。

　これによれば、帯域除去フィルタ１５を小型化できる。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃは、さらに、第１フィルタ、第２フィルタ、電力増幅器２１および低雑音増幅器３２が配置された誘電体基板を備え、上記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、上記誘電体基板に形成されていてもよい。

　これによれば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃを小型化できる。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃは、さらに、第１フィルタ、第２フィルタ、電力増幅器２１および低雑音増幅器３２が配置された誘電体基板を備え、上記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、上記誘電体基板に配置された表面実装型素子であってもよい。

　これによれば、高Ｑ値を有するインダクタおよびキャパシタにより、帯域除去フィルタ１５の通過特性を向上できる。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃにおいて、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ４０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４０であり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ４１または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４１であってもよい。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃにおいて、第１バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの１つであり、第２バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの他の１つであってもよい。

　また例えば、高周波回路１、１Ａ、１Ｂおよび１Ｃにおいて、第１バンドは、５１５０－５９２５ＭＨｚで規定される第１周波数範囲、５９２５－７１２５ＭＨｚで規定される第２周波数範囲、５９２５－６４２５ＭＨｚで規定される第３周波数範囲、および６４２５－７１２５ＭＨｚで規定される第４周波数範囲のうちの１つであり、第２バンドは、第１周波数範囲、第２周波数範囲、第３周波数範囲、および第４周波数範囲のうちの他の１つであってもよい。

　また例えば、高周波回路１および１Ａにおいて、第１バンドおよび第２バンドの一方は、ＬＴＥのためのバンドＢ２２であってもよい。

　また例えば、高周波回路１および１Ａにおいて、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの１つであり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの他の１つであってもよい。

　また例えば、高周波回路１および１Ａにおいて、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの１つであり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの他の１つであってもよい。

　また、本実施の形態に係る通信装置４は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２Ａおよび２Ｂとの間で高周波信号を伝送する高周波回路１と、を備える。

　これによれば、高周波回路１の効果を通信装置４で実現することができる。

　（その他の実施の形態）
　以上、実施の形態に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

　以下に、上記実施の形態および変形例に基づいて説明した高周波回路および通信装置の特徴を示す。

　＜１＞
　第１バンドの信号および前記第１バンドと異なる第２バンドの信号を同時伝送可能な高周波回路であって、
　前記第１バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１フィルタに接続された第１電力増幅器と、
　前記第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　前記第２フィルタに接続された第１低雑音増幅器と、
　前記第１低雑音増幅器の出力端に接続され、前記第１バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する第１帯域除去フィルタと、を備える、高周波回路。

　＜２＞
　さらに、
　第３バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　前記第３フィルタに接続された第２電力増幅器と、
　第４バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第４フィルタと、
　前記第４フィルタに接続された第２低雑音増幅器と、
　前記第２低雑音増幅器の出力端に接続され、前記第３バンドを含む阻止帯域を有する第２帯域除去フィルタと、を備える、＜１＞に記載の高周波回路。

　＜３＞
　前記第１バンドおよび前記第２バンドは、時分割複信用のバンドであり、
　前記高周波回路は、さらに、
　第３電力増幅器と、
　第３低雑音増幅器と、
　前記第１フィルタと前記第１電力増幅器および前記第３低雑音増幅器との間に接続され、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器との接続および前記第１フィルタと前記第３低雑音増幅器との接続を切り替える第１スイッチと、
　前記第２フィルタと前記第３電力増幅器および前記第１低雑音増幅器との間に接続され、前記第２フィルタと前記第３電力増幅器との接続および前記第２フィルタと前記第１低雑音増幅器との接続を切り替える第２スイッチと、を備える、＜１＞に記載の高周波回路。

　＜４＞
　さらに、
　前記第３低雑音増幅器の出力端に接続され、前記第２バンドを含む阻止帯域を有する第３帯域除去フィルタを備える、＜３＞に記載の高周波回路。

　＜５＞
　前記第１フィルタと前記第２フィルタとは、異なるアンテナに接続される、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の高周波回路。

　＜６＞
　前記第１バンドおよび前記第２バンドは、３ＧＨｚ以上のバンドであり、
　前記第１帯域除去フィルタは、インダクタおよびキャパシタを含む、＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の高周波回路。

　＜７＞
　前記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、半導体基板に形成された集積型受動素子である、＜６＞に記載の高周波回路。

　＜８＞
　さらに、
　前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第１電力増幅器、および前記第１低雑音増幅器が配置された誘電体基板を備え、
　前記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、前記誘電体基板に形成されている、＜６＞に記載の高周波回路。

　＜９＞
　さらに、
　前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第１電力増幅器、および前記第１低雑音増幅器が配置された誘電体基板を備え、
　前記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、前記誘電体基板に配置された表面実装型素子である、＜６＞に記載の高周波回路。

　＜１０＞
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ４０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４０であり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ４１または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４１である、＜１＞または＜３＞に記載の高周波回路。

　＜１１＞
　前記第１バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの他の１つである、＜１＞または＜３＞に記載の高周波回路。

　＜１２＞
　前記第１バンドは、５１５０－５９２５ＭＨｚで規定される第１周波数範囲、５９２５－７１２５ＭＨｚで規定される第２周波数範囲、５９２５－６４２５ＭＨｚで規定される第３周波数範囲、および６４２５－７１２５ＭＨｚで規定される第４周波数範囲のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、前記第１周波数範囲、前記第２周波数範囲、前記第３周波数範囲、および前記第４周波数範囲のうちの他の１つである、＜１＞または＜３＞に記載の高周波回路。

　＜１３＞
　前記第１バンドおよび前記第２バンドの一方は、ＬＴＥのためのバンドＢ２２である、＜１＞または＜２＞に記載の高周波回路。

　＜１４＞
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの他の１つである、＜１＞または＜２＞に記載の高周波回路。

　＜１５＞
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの他の１つである、＜１＞または＜２＞に記載の高周波回路。

　＜１６＞
　高周波信号を処理する信号処理回路と、
　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する、＜１＞～＜１５＞のいずれかに記載の高周波回路と、を備える、通信装置。

　本発明は、マルチバンド／マルチモード対応のフロントエンド回路などとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ　　高周波回路
　２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ　　通信装置
　１１、１２、１３、１４、１７、１８　　フィルタ
　１５、１６　　帯域除去フィルタ
　２１、２２　　電力増幅器
　３１、３２　　低雑音増幅器
　４１、４２、４３、４４、４５、４６　　スイッチ
　１０１、１０２、１０３、１０４、１０５　　アンテナ接続端子
　１１０、１２０　　高周波入力端子
　１３０、１４０　　高周波出力端子

Claims

　第１バンドの信号および前記第１バンドと異なる第２バンドの信号を同時伝送可能な高周波回路であって、
　前記第１バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１フィルタに接続された第１電力増幅器と、
　前記第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　前記第２フィルタに接続された第１低雑音増幅器と、
　前記第１低雑音増幅器の出力端に接続され、前記第１バンドの少なくとも一部を含む阻止帯域を有する第１帯域除去フィルタと、を備える、
　高周波回路。
　さらに、
　第３バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　前記第３フィルタに接続された第２電力増幅器と、
　第４バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第４フィルタと、
　前記第４フィルタに接続された第２低雑音増幅器と、
　前記第２低雑音増幅器の出力端に接続され、前記第３バンドを含む阻止帯域を有する第２帯域除去フィルタと、を備える、
　請求項１に記載の高周波回路。
　前記第１バンドおよび前記第２バンドは、時分割複信用のバンドであり、
　前記高周波回路は、さらに、
　第３電力増幅器と、
　第３低雑音増幅器と、
　前記第１フィルタと前記第１電力増幅器および前記第３低雑音増幅器との間に接続され、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器との接続および前記第１フィルタと前記第３低雑音増幅器との接続を切り替える第１スイッチと、
　前記第２フィルタと前記第３電力増幅器および前記第１低雑音増幅器との間に接続され、前記第２フィルタと前記第３電力増幅器との接続および前記第２フィルタと前記第１低雑音増幅器との接続を切り替える第２スイッチと、を備える、
　請求項１に記載の高周波回路。
　さらに、
　前記第３低雑音増幅器の出力端に接続され、前記第２バンドを含む阻止帯域を有する第３帯域除去フィルタを備える、
　請求項３に記載の高周波回路。
　前記第１フィルタと前記第２フィルタとは、異なるアンテナに接続される、
　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１バンドおよび前記第２バンドは、３ＧＨｚ以上のバンドであり、
　前記第１帯域除去フィルタは、インダクタおよびキャパシタを含む、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、半導体基板に形成された集積型受動素子である、
　請求項６に記載の高周波回路。
　さらに、
　前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第１電力増幅器、および前記第１低雑音増幅器が配置された誘電体基板を備え、
　前記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、前記誘電体基板に形成されている、
　請求項６に記載の高周波回路。
　さらに、
　前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第１電力増幅器、および前記第１低雑音増幅器が配置された誘電体基板を備え、
　前記インダクタおよびキャパシタのそれぞれは、前記誘電体基板に配置された表面実装型素子である、
　請求項６に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ４０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４０であり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ４１または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ４１である、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７、ｎ７８、およびｎ７９のうちの他の１つである、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、５１５０－５９２５ＭＨｚで規定される第１周波数範囲、５９２５－７１２５ＭＨｚで規定される第２周波数範囲、５９２５－６４２５ＭＨｚで規定される第３周波数範囲、および６４２５－７１２５ＭＨｚで規定される第４周波数範囲のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、前記第１周波数範囲、前記第２周波数範囲、前記第３周波数範囲、および前記第４周波数範囲のうちの他の１つである、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１バンドおよび前記第２バンドの一方は、ＬＴＥのためのバンドＢ２２である、
　請求項１または２に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ２５、Ｂ７４、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ２５およびｎ７４のうちの他の１つである、
　請求項１または２に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの１つであり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２０、Ｂ２６、Ｂ７１、Ｂ８５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８、ｎ１２、ｎ１３、ｎ２０、ｎ２６、ｎ７１およびｎ８５のうちの他の１つである、
　請求項１または２に記載の高周波回路。
　高周波信号を処理する信号処理回路と、
　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する、請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波回路と、を備える、
　通信装置。