WO2023037978A1 - 高周波回路および通信装置 - Google Patents

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WO2023037978A1
WO2023037978A1 PCT/JP2022/033120 JP2022033120W WO2023037978A1 WO 2023037978 A1 WO2023037978 A1 WO 2023037978A1 JP 2022033120 W JP2022033120 W JP 2022033120W WO 2023037978 A1 WO2023037978 A1 WO 2023037978A1
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WO
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band
terminal
filter
lte
frequency circuit
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Application number
PCT/JP2022/033120
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English (en)
French (fr)
Inventor
農史 小野
弘嗣 森
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits

Definitions

  • the present invention relates to high frequency circuits and communication devices.
  • Patent Document 1 discloses a high-frequency circuit capable of simultaneously executing (ENDC) transmission of a 4G-LTE transmission signal in a first transmission circuit and transmission of a 5G-NR transmission signal in a second transmission circuit. is disclosed.
  • the present invention provides a compact high-frequency circuit and communication device capable of ENDC.
  • a high-frequency circuit is a high-frequency circuit capable of simultaneously transmitting an LTE signal and an NR signal, comprising first, second and third filters, and a first power amplifier and a second power amplifier; a first filter, a second filter and a third filter; and a first switch connected between the first power amplifier and the second power amplifier;
  • the first switch When one of the NR signals is amplified by the first power amplifier, the other of the LTE signal and the NR signal is amplified by the second power amplifier, and the first switch enables connection between the first filter and the first power amplifier.
  • to connect the third filter and the second power amplifier and to selectively connect the second filter to one of the first power amplifier and the second power amplifier.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the frequency relationship of bands applied to the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a first band application example of the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing a second band application example of the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 2 of the embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 3 of the embodiment.
  • FIG. 8A is a circuit state diagram when the high-frequency circuit according to Modification 3 of the embodiment executes the first ENDC.
  • FIG. 8B is a circuit state diagram when the high-frequency circuit according to Modification 3 of the embodiment executes the second ENDC.
  • FIG. 8C is a circuit state diagram when the high-frequency circuit according to Modification 3 of the embodiment executes the third ENDC.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a mounting configuration example of the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • connection includes not only direct connection with connection terminals and/or wiring conductors, but also electrical connection via other circuit elements.
  • Connected between A and B means connected to both A and B between A and B, in addition to being serially connected in the path connecting A and B, It includes parallel connection (shunt connection) between the path and the ground.
  • the component is placed on the board includes the component being placed on the main surface of the board and the component being placed inside the board.
  • the component is arranged on the main surface of the board means that the component is arranged in contact with the main surface of the board, and that the component is arranged above the main surface without contacting the main surface. (eg, a component is laminated onto another component placed in contact with a major surface).
  • the component is arranged on the main surface of the substrate may include that the component is arranged in a concave portion formed in the main surface.
  • Components are located within a substrate means that, in addition to encapsulating components within a module substrate, all of the components are located between major surfaces of the substrate, but some of the components are located between major surfaces of the substrate. Including not covered by the substrate and only part of the component being placed in the substrate.
  • signal path refers to a transmission line composed of a wire through which a high-frequency signal propagates, an electrode directly connected to the wire, and a terminal directly connected to the wire or the electrode.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency circuit 1 and a communication device 4 according to this embodiment.
  • the communication device 4 corresponds to a so-called user terminal (UE: User Equipment), and is typically a mobile phone, a smart phone, a tablet computer, or the like.
  • UE User Equipment
  • Such a communication device 4 includes a high frequency circuit 1, antennas 2a and 2b, and an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) 3.
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the high frequency circuit 1 transmits high frequency signals between the antennas 2a and 2b and the RFIC 3.
  • the internal configuration of the high frequency circuit 1 will be described later.
  • Antenna 2 a is connected to antenna connection terminal 101 of high frequency circuit 1
  • antenna 2 b is connected to antenna connection terminal 102 of high frequency circuit 1 .
  • Antennas 2a and 2b receive high-frequency signals from high-frequency circuit 1 and output them to the outside.
  • the RFIC 3 is an example of a signal processing circuit that processes high frequency signals. Specifically, the RFIC 3 performs signal processing such as up-conversion on a transmission signal input from a BBIC (Baseband Integrated Circuit: not shown), and sends the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the high-frequency circuit 1. Output to the transmission path.
  • the RFIC 3 has two terminals for outputting an LTE transmission signal (hereinafter referred to as LTE signal) and an NR transmission signal (hereinafter referred to as NR signal). One terminal of the two terminals is connected to the high frequency input terminal 111 of the high frequency circuit 1 and the other terminal of the two terminals is connected to the high frequency input terminal 112 of the high frequency circuit 1 . It is possible to output one of the LTE signal and the NR signal from the one terminal and simultaneously output the other of the LTE signal and the NR signal from the other terminal.
  • LTE signal LTE transmission signal
  • NR signal NR transmission signal
  • the RFIC 3 also has a control unit that controls the switch circuit, amplifier circuit, and the like of the high-frequency circuit 1 .
  • a part or all of the functions of the RFIC 3 as a control unit may be configured outside the RFIC 3 , for example, in the BBIC or the high frequency circuit 1 .
  • antennas 2a and 2b are not essential components in the communication device 4 according to the present embodiment. Also, the number of antennas may be one.
  • the high frequency circuit 1 includes filters 11, 12, 21, 22, 31 and 32, power amplifiers 41 and 42, switches 50 and 51, antenna connection terminals 101 and 102, and high frequency input terminals. 111 and 112.
  • the antenna connection terminal 101 is connected to the antenna 2a.
  • the antenna connection terminal 102 is connected to the antenna 2b.
  • a high frequency input terminal 111 is a terminal for receiving an LTE signal and an NR signal from the outside of the high frequency circuit 1 (RFIC 3).
  • a high frequency input terminal 112 is a terminal for receiving an LTE signal and an NR signal from the outside of the high frequency circuit 1 (RFIC 3).
  • Filter 11 is an example of a first filter and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 11 is connected between switch 51 and switch 50 .
  • Filter 12 is an example of a fourth filter and has a passband that includes the downlink operating band of band A for FDD. Filter 12 is connected to switch 50 . Filter 12 constitutes a duplexer for band A together with filter 11 .
  • Filter 21 is an example of a second filter and has a passband that includes the uplink operating band of band B for FDD. Filter 21 is connected between switch 51 and switch 50 .
  • Filter 22 has a passband that includes the Band B downlink operating band for FDD. Filter 22 is connected to switch 50 . Filter 22 constitutes a duplexer for band B together with filter 21 .
  • Filter 31 is an example of a third filter and has a passband that includes the uplink operating band of band C for FDD. Filter 31 is connected between switch 51 and switch 50 .
  • Filter 32 has a passband that includes the downlink operating band of Band C for FDD. Filter 32 is connected to switch 50 . Filter 32 constitutes a duplexer for band C together with filter 31 .
  • the power amplifier 41 is an example of a first power amplifier, and can amplify transmission signals of band A and band B input from the high frequency input terminal 111 .
  • Power amplifier 41 is connected between high frequency input terminal 111 and switch 51 .
  • the power amplifier 42 is an example of a second power amplifier, and can amplify transmission signals of band B and band C input from the high frequency input terminal 112 .
  • Power amplifier 42 is connected between high frequency input terminal 112 and switch 51 .
  • Band A, band B and band C are defined in advance by standardization organizations (e.g. 3GPP (registered trademark) and IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers), etc.) using radio access technology (RAT: Radio Access Technology) It is the frequency band for the communication system to be built.
  • RAT Radio Access Technology
  • a communication system for example, a 5G-NR system, an LTE system, a WLAN (Wireless Local Area Network) system, etc. can be used, but it is not limited to these.
  • Band A, Band B and Band C consist of a downlink operating band and an uplink operating band, respectively.
  • the uplink operating band means the frequency range designated for the uplink among the above bands.
  • the downlink operating band means the frequency range designated for the downlink among the above bands.
  • the switch 51 is an example of a first switch and is connected between the filters 11, 21 and 31 and the power amplifiers 41 and 42.
  • the switch 51 includes a common terminal 51a (first common terminal), a common terminal 51b (second common terminal), a selection terminal 51c (first selection terminal), a selection terminal 51d (second selection terminal) and a selection terminal. It has a terminal 51e (third selection terminal).
  • the switch 51 selectively switches the connection between the common terminal 51a and the selection terminal 51c and the connection between the common terminal 51a and the selection terminal 51d, and the connection between the common terminal 51b and the selection terminal 51d and the connection between the common terminal 51b. It selectively switches the connection with the selection terminal 51e. Further, the common terminal 51a and the selection terminal 51e are not connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51c are not connected.
  • the common terminal 51a is connected to the output terminal of the power amplifier 41, and the common terminal 51b is connected to the output terminal of the power amplifier .
  • the selection terminal 51 c is connected to the input terminal of the filter 11
  • the selection terminal 51 d is connected to the input terminal of the filter 21
  • the selection terminal 51 e is connected to the input terminal of the filter 31 .
  • the switch 50 is an example of an antenna switch, and is connected between the antenna connection terminals 101 and 102 and the filters 11, 12, 21, 22, 31 and 32. Specifically, switch 50 has common terminals 50a and 50b and select terminals 50c, 50d and 50e. The switch 50 switches connection between the common terminal 50a and the selection terminals 50c, 50d and 50e, and switches connection between the common terminal 50b and the selection terminals 50c, 50d and 50e. The switch 50 can connect the common terminal 50a and two or more of the selection terminals 50c, 50d and 50e at the same time. It is possible to connect two or more terminals of the terminals at the same time.
  • the common terminal 50a is connected to the antenna connection terminal 101, and the common terminal 50b is connected to the antenna connection terminal 102.
  • Selection terminal 50c is connected to the output terminal of filter 11 and the input terminal of filter 12
  • selection terminal 50d is connected to the output terminal of filter 21 and the input terminal of filter 22
  • selection terminal 50e is connected to the output terminal of filter 31 and the input terminal of filter 32. is connected to the input end of
  • the switch 50 connects the antenna connection terminal 101 to the filters 11 and 12, connects the antenna connection terminal 101 to the filters 21 and 22, and connects the antenna connection terminal 101 to the filters 21 and 22, based on a control signal from the RFIC 3, for example. and filters 31 and 32, the connection between antenna connection terminal 102 and filters 11 and 12, the connection between antenna connection terminal 102 and filters 21 and 22, and the connection between antenna connection terminal 102 and filters 31 and 32. switch.
  • the high-frequency circuit 1 can simultaneously transmit the LTE signal and the NR signal.
  • the LTE signal of band A and the NR signal of band B can be simultaneously transmitted by filters 11 and 21, respectively, and the LTE signal of band A and the NR signal of band C can be simultaneously transmitted by filters 11 and 31, respectively.
  • the LTE signal of B and the NR signal of band C can be transmitted simultaneously by filters 21 and 31, respectively.
  • the NR signal of band A and the LTE signal of band B can be simultaneously transmitted by filters 11 and 21, respectively
  • the NR signal of band A and the LTE signal of band C can be simultaneously transmitted by filters 11 and 31, respectively
  • the NR signal of band B can be transmitted simultaneously.
  • Signals and LTE signals in band C can be transmitted simultaneously in filters 21 and 31, respectively.
  • a first example of a conventional high frequency circuit has a first transmission circuit for transmitting an NR signal and a second transmission circuit for transmitting an LTE signal. and second transmission circuit, filters 11, 21 and 31 had to be placed, respectively.
  • a second example of a conventional high-frequency circuit has a first transmission circuit and a second transmission circuit capable of transmitting both an NR signal and an LTE signal in order to perform ENDC. had to be arranged with at least filters 11 and 21, and at least filters 21 and 31 had to be arranged in the second transmission circuit.
  • the high-frequency circuit 1 includes a switch 51 to perform ENDC, and is configured with one transmission circuit having filters 11, 21 and 31.
  • ENDC can be realized by two bands out of band A, band B, and band C with a small number of filters, so a compact high-frequency circuit capable of ENDC 1 can be provided.
  • high-frequency circuit 1 may include at least power amplifiers 41 and 42, filters 11, 21 and 31, and switch 51, and may not include other circuit elements.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a high frequency circuit 1A according to Modification 1 of the embodiment.
  • a high-frequency circuit 1A according to this modification differs from the high-frequency circuit 1 according to the embodiment only in the configuration of a switch 51.
  • a switch 51 according to this modified example is composed of three switches 52 , 53 and 54 .
  • the switches 52, 53, and 54 are each composed of an SPDT (Single Pole Double Throw) type switch circuit.
  • the switch 52 has a common terminal 52a and selection terminals 52b and 52c, and selectively switches between the connection between the common terminal 52a and the selection terminal 52b and the connection between the common terminal 52a and the selection terminal 52c.
  • the switch 53 has a common terminal 53a and selection terminals 53b and 53c, and selectively switches between the connection between the common terminal 53a and the selection terminal 53b and the connection between the common terminal 53a and the selection terminal 53c.
  • the switch 54 has a common terminal 54a and selection terminals 54b and 54c, and selectively switches between the connection between the common terminal 54a and the selection terminal 54b and the connection between the common terminal 54a and the selection terminal 54c.
  • the common terminal 52a is connected to the input terminal of the filter 21, the selection terminal 52b is connected to the selection terminal 53c, the selection terminal 52c is connected to the selection terminal 54b, the common terminal 53a is connected to the output terminal of the power amplifier 41, and selection is performed.
  • the terminal 53 b is connected to the input terminal of the filter 11
  • the common terminal 54 a is connected to the output terminal of the power amplifier 42
  • the selection terminal 54 c is connected to the input terminal of the filter 31 .
  • filter 11 and power amplifier 41 can be connected, filter 31 and power amplifier 42 can be connected, and filter 21 and one of power amplifiers 41 and 42 can be selected. can be directly connected. Also, the filter 31 and the power amplifier 41 cannot be connected, and the filter 11 and the power amplifier 42 cannot be connected.
  • the switches 52, 53 and 54 may be formed in a semiconductor IC (Integrated Circuit).
  • the semiconductor IC is composed of, for example, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Specifically, it is formed by an SOI (Silicon On Insulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be made of at least one of GaAs, SiGe and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal with high quality amplification performance and noise performance.
  • FIG. 3 is a diagram showing the frequency relationship of bands applied to the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • band B8 for 4G-LTE as the first band or band n8 for 5G-NR: uplink operating band 880-915 MHz, downlink operating band 925-960 MHz
  • band B20 for 4G-LTE or band n20 for 5G-NR: uplink operating band 832-862 MHz, downlink operating band 791-821 MHz
  • band B28 for 4G-LTE (or band n28 for 5G-NR: uplink operating band 703-748 MHz, downlink operating band 753-803 MHz) is applied as a third band.
  • FIG. 4 is a diagram showing a first band application example of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • band A band B8 for 4G-LTE (or band n8 for 5G-NR) (first band: first uplink operating band, first downlink operating band) is applied, and as band B, band B28 for 4G-LTE (or band n28 for 5G-NR) (third band: third uplink operating band, third downlink operating band) and as band C, band B20 for 4G-LTE (or band n20 for 5G-NR) (second band: second uplink operating band, second downlink operating band) is applied.
  • band A band B8 for 4G-LTE (or band n8 for 5G-NR)
  • band B28 for 4G-LTE or band n28 for 5G-NR
  • band C band B20 for 4G-LTE (or band n20 for 5G-NR) (second band: second uplink operating band, second downlink operating band) is applied.
  • a third uplink operating band of band B28 As shown in FIG. 3, from the low frequency side, a third uplink operating band of band B28, a third downlink operating band of band B28, a second downlink operating band of band B20, and a second uplink operating band of band B20.
  • Filter 11 has a passband that includes the first uplink operating band of band B8, filter 21 has a passband that includes the third uplink operating band of band B28, and filter 31 has a passband that includes the third uplink operating band of band B20. It has a passband that includes two uplink operating bands.
  • band B20 (band B) and band B8 (band A) are the frequencies of the second downlink operating band, the second uplink operating band, the first uplink operating band, and the first downlink operating band. Because of the order, the frequency of the unnecessary signal of third-order intermodulation distortion generated by the transmission signal of band B20 and the transmission signal of band B8 is the reception band of band B20 or band B8 (first downlink operating band or second downlink operating band).
  • the switch 51 the common terminal 51a and the selection terminal 51e cannot be connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51c cannot be connected.
  • the filter 11 as the transmission filter for the band B8 and the filter 31 as the transmission filter for the band B20, high isolation between the filter 11 and the power amplifier 41 and between the filter 31 and the power amplifier 42 is ensured. , the third-order intermodulation distortion can be suppressed.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51c are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51e are connected. be done. Also, the common terminal 50a and the selection terminal 50c are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50e are connected.
  • the LTE signal of band B8 is output to the antenna 2a via the high frequency input terminal 111, the power amplifier 41, the common terminal 51a, the selection terminal 51c, the filter 11, the switch 50, and the antenna connection terminal 101.
  • the NR signal of band n20 is output to antenna 2b via high frequency input terminal 112, power amplifier 42, common terminal 51b, selection terminal 51e, filter 31, switch 50, and antenna connection terminal . At this time, high isolation can be ensured between the signal path connecting the common terminal 51a and the selection terminal 51c and the signal path connecting the common terminal 51b and the selection terminal 51e.
  • the filter 22 is adapted to the second downlink operating band of band B20 and the third downlink operating band of band B28. may have a passband that includes a third downlink operating band of .
  • filter 32 may have a passband that includes a second downlink operating band of band B20 and a third downlink operating band of band B28.
  • FIG. 5 is a diagram showing a second band application example of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • band A band B8 for 4G-LTE (or band n8 for 5G-NR) (first band: first uplink operating band, first downlink operating band) is applied
  • band B band B20 for 4G-LTE (or band n20 for 5G-NR) (second band: second uplink operating band, second downlink operating band)
  • band C band B28 for 4G-LTE (or band n28 for 5G-NR) (third band: third uplink operating band, third downlink operating band) is applied.
  • band B28, band B20, and band B8 from the low frequency side are positioned in the order of band B28, band B20, and band B8 from the low frequency side.
  • the filter 11 has a passband corresponding to band B8, more specifically a passband including the first uplink operating band of band B8.
  • Filter 21 has a passband corresponding to band B20, and more specifically a passband including the second uplink operating band of band B20.
  • Filter 31 has a passband corresponding to band B28, and more specifically a passband including the third uplink operating band of band B28.
  • band B20 is a frequency band between band B28 and band B8, power amplifier 41 only needs to have the amplification bands of band B8 and band B20, and power amplifier 42 and an amplification band of band B28. That is, it is possible to narrow the amplification band of each of power amplifiers 41 and 42 . Therefore, the performance of power amplifiers 41 and 42 can be improved, and the signal quality of transmission signals transmitted through high-frequency circuit 1 can be improved.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51c are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51d are connected. be done.
  • the common terminal 50a and the selection terminal 50c are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50d are connected.
  • the LTE signal of band B8 is output to the antenna 2a via the high frequency input terminal 111, the power amplifier 41, the common terminal 51a, the selection terminal 51c, the filter 11, the switch 50, and the antenna connection terminal 101.
  • the NR signal of band n20 is output to antenna 2b via high frequency input terminal 112, power amplifier 42, common terminal 51b, selection terminal 51d, filter 21, switch 50, and antenna connection terminal .
  • the high-frequency circuit 1 shown in FIG. 5 is for band B5 for 4G-LTE (or band n5 for 5G-NR: uplink operating band 824-849 MHz, downlink operating band 869-894 MHz).
  • a filter with a passband containing the link operating band hereinafter referred to as B5 filter
  • band B18 for 4G-LTE or band n18 for 5G-NR: uplink operating band 815-830 MHz, downlink operating
  • a filter having a passband that includes the uplink operating band of band 860-875 MHz (hereafter B18 filter) may also be provided.
  • the B5 and B18 filters are arranged to be connected to the output terminal of power amplifier 41 via switch 51 .
  • ENDC between LTE band B28 and NR band n5 and ENDC between LTE band B18 and NR band n28 are also possible.
  • band B5 for 4G-LTE (or band n5 for 5G-NR) is applied as the first band
  • Band B13 for 4G-LTE as the second band (or band n13 for 5G-NR: uplink operating band 777-787MHz, downlink operating band 746-756MHz) is applied
  • 4G-LTE as the third band (or band n71 for 5G-NR: uplink operating band 663-698 MHz, downlink operating band 617-652 MHz) may be applied.
  • band B71 for 4G-LTE (or band n71 for 5G-NR) is applied as the first band
  • Band B12 for 4G-LTE as the second band (or band n12 for 5G-NR: uplink operating band 699-716 MHz, downlink operating band 729-746 MHz) is applied
  • 4G-LTE as the third band (or band n5 for 5G-NR) may be applied.
  • band B2 for 4G-LTE as the first band
  • band B25 for 4G-LTE band n2 for 5G-NR
  • band n25 first uplink operating band 1850-1915 MHz, first downlink operating band 1930-1995 MHz
  • band B66 for 4G-LTE or band n66 for 5G-NR (second uplink operating band 1710-17800MHz, second downlink operating band 2110-2200MHz) is applied
  • 4G as the third band - band B1 for LTE or band n1 for 5G-NR (3rd uplink operating band 1920-1980 MHz, 3rd downlink operating band 2110-2170 MHz) may be applied.
  • the second uplink operating band of band B66 (n66), the first uplink operating band of band B2 (n2) or band B25 (n25), the band B2 (n2) or band B25 (n25). ) and the second downlink operating band of band B66 (n66).
  • Filter 11 has a passband that includes the first uplink operating band of band B2 (n2) or band B25 (n25) and filter 21 has a passband that includes the third uplink operating band of band B1 (n1). and filter 31 has a passband that includes the second uplink operating band of band B66.
  • band B2 (B25) and band B66 are in the frequency order of the second uplink band of operation, the first uplink band of operation, the first downlink band of operation, and the second downlink band of operation.
  • the frequency of the unnecessary signal of third-order intermodulation distortion generated by the transmission signal of B2 (B25) and the transmission signal of band B66 is the transmission band (second uplink operation band), the reception band of band B66 (second downlink operation band), or the reception band of band B2 (B25) (first downlink operating band).
  • the third-order intermodulation distortion (1710 MHz) generated by the transmission signal (1850 MHz) of band B2 (B25) and the transmission signal (1780 MHz) of band B66 is the second uplink operation of band B66 (n66). included in the band.
  • the third-order intermodulation distortion (1990 MHz) generated by the transmission signal (1850 MHz) of band B2 (B25) and the transmission signal (1710 MHz) of band B66 is the first up of band B2 (n2) or band B25 (n25). Included in the link operating band.
  • Third-order intermodulation distortion (2110 MHz) generated by the transmission signal (1910 MHz) of band B2 (B25) and the transmission signal (1710 MHz) of band B66 is included in the second uplink operating band of band B66 (n66). .
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51e cannot be connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51c cannot be connected. Therefore, by setting the filter 11 as a transmission filter for band B2 (B25) and the filter 31 as a transmission filter for band B66, high isolation between filter 11 and power amplifier 41 and filter 31 and power amplifier 42 is ensured. Therefore, the third-order intermodulation distortion can be suppressed.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51c are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51e are connected. Also, the common terminal 50a and the selection terminal 50c are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50e are connected.
  • the LTE signal of band B2 (B25) is output to the antenna 2a via the high frequency input terminal 111, the power amplifier 41, the common terminal 51a, the selection terminal 51c, the filter 11, the switch 50, and the antenna connection terminal 101.
  • the NR signal of band n66 is output to antenna 2b via high frequency input terminal 112, power amplifier 42, common terminal 51b, selection terminal 51e, filter 31, switch 50, and antenna connection terminal . At this time, high isolation can be ensured between the signal path connecting the common terminal 51a and the selection terminal 51c and the signal path connecting the common terminal 51b and the selection terminal 51e.
  • FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1B according to Modification 2 of the embodiment.
  • high frequency circuit 1B includes filters 11, 12, 21, 22 and 31, power amplifiers 41 and 42, switches 51 and 55, antenna connection terminals 101 and 102, high frequency input terminal 111 and 112 and.
  • a high-frequency circuit 1B according to this modification differs from the high-frequency circuit 1 according to the embodiment in that there is no filter 32 and the configuration of the switch 55 is different.
  • the description of the same points as those of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment will be omitted, and the different configurations will be mainly described.
  • the filter 22 is an example of a fifth filter and has a passband that includes the second downlink operating band of band B20 and the third downlink operating band of band B28, and thus was arranged in the high-frequency circuit 1. It can be substituted for the filter 32 .
  • the switch 55 is an example of an antenna switch, and is connected between the antenna connection terminals 101 and 102 and the filters 11, 12, 21, 22 and 31. Specifically, switch 55 has common terminals 55a and 55b and select terminals 55c and 55d. The switch 55 switches connection/disconnection between the common terminal 55a and the selection terminal 55c, and switches connection/disconnection between the common terminal 55b and the selection terminal 55d.
  • the common terminal 55a is connected to the antenna connection terminal 101, and the common terminal 55b is connected to the antenna connection terminal 102.
  • the selection terminal 55c is connected to the output terminal of the filter 11 and the input terminal of the filter 12, and the selection terminal 55d is connected to the output terminal of the filter 21, the input terminal of the filter 22 and the output terminal of the filter 31.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1C according to Modification 3 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1C includes filters 11, 12, 21, 22, 31 and 32, power amplifiers 41 and 42, switches 50, 51 and 56, antenna connection terminals 101 and 102, and a high frequency and input terminals 111 and 112 .
  • a high-frequency circuit 1C according to this modification differs from the high-frequency circuit 1 according to the embodiment in that a switch 56 is added.
  • the description of the same points as those of the high-frequency circuit 1 shown in FIG. 4 will be omitted, and the different configurations will be mainly described.
  • the switch 56 is an example of a second switch and has a terminal 56a (first terminal), a terminal 56b (second terminal), a terminal 56c (third terminal) and a terminal 56d (fourth terminal).
  • the switch 56 has (1) a first connection state in which the terminals 56a and 56c are connected and the terminals 56b and 56d are connected, and (2) the terminals 56a and 56d are connected and the terminal It is possible to switch between a second connection state in which the terminal 56b and the terminal 56c are connected.
  • the terminal 56 a is connected to the input terminal of the power amplifier 41 and the terminal 56 b is connected to the input terminal of the power amplifier 42 .
  • An NR signal is input to the terminal 56c via the high frequency input terminal 111, and an LTE signal is input to the terminal 56d via the high frequency input terminal 112.
  • the simplified switch 56 enables the power amplifier 42 to amplify the other of the LTE signal and the NR signal while the power amplifier 41 is amplifying one of the LTE signal and the NR signal. Become.
  • FIG. 8A is a circuit state diagram when the high-frequency circuit 1C according to Modification 3 of the embodiment executes the first ENDC.
  • terminals 56a and 56d are connected, and terminals 56b and 56c are connected.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51c are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51d are connected.
  • the common terminal 50a and the selection terminal 50c are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50d are connected.
  • the LTE signal of band B8 is output to the antenna 2a via the high frequency input terminal 112, the switch 56, the power amplifier 41, the switch 51, the filter 11, the switch 50, and the antenna connection terminal 101.
  • the NR signal of band n28 is output to antenna 2b via high frequency input terminal 111, switch 56, power amplifier 42, switch 51, filter 21, switch 50, and antenna connection terminal 102.
  • FIG. 8B is a circuit state diagram when the high-frequency circuit 1C according to Modification 3 of the embodiment executes the second ENDC.
  • the terminals 56a and 56c are connected, and the terminals 56b and 56d are connected.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51c are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51d are connected.
  • the common terminal 50a and the selection terminal 50c are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50d are connected.
  • the LTE signal of band B28 is output to the antenna 2b via the high frequency input terminal 112, the switch 56, the power amplifier 42, the switch 51, the filter 21, the switch 50, and the antenna connection terminal 102.
  • the NR signal of band n8 is output to the antenna 2a via the high frequency input terminal 111, the switch 56, the power amplifier 41, the switch 51, the filter 11, the switch 50 and the antenna connection terminal 101.
  • FIG. 8C is a circuit state diagram when the high-frequency circuit 1C according to Modification 3 of the embodiment executes the third ENDC.
  • terminals 56a and 56c are connected, and terminals 56b and 56d are connected.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51d are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51e are connected.
  • the common terminal 50a and the selection terminal 50d are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50e are connected.
  • the LTE signal of band B20 is output to the antenna 2b via the high frequency input terminal 112, the switch 56, the power amplifier 42, the switch 51, the filter 31, the switch 50, and the antenna connection terminal 102.
  • the NR signal of band n28 is output to antenna 2a via high frequency input terminal 111, switch 56, power amplifier 41, switch 51, filter 21, switch 50, and antenna connection terminal 101.
  • ENDC of 2 uplinks and 3 downlinks it is possible to perform ENDC of 2 uplinks and 3 downlinks.
  • ENDC of two uplinks of LTE band B20 and NR band n28 and three downlinks of LTE band B8, LTE band B20, and NR band n28 can be executed.
  • the terminals 56a and 56c are connected, and the terminals 56b and 56d are connected.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51d are connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51e are connected.
  • the common terminal 50a and the selection terminal 50d are connected, the common terminal 50a and the selection terminal 50c are connected, and the common terminal 50b and the selection terminal 50e are connected.
  • the LTE transmission signal of band B20 is output to the antenna 2b via the high frequency input terminal 112, the switch 56, the power amplifier 42, the switch 51, the filter 31, the switch 50, and the antenna connection terminal 102.
  • the NR transmission signal of band n28 is output to the antenna 2a via the high frequency input terminal 111, the switch 56, the power amplifier 41, the switch 51, the filter 21, the switch 50 and the antenna connection terminal 101.
  • the LTE reception signal of band B8 is output to the reception circuit (not shown) of band B8 via antenna 2a, antenna connection terminal 101, switch 50 and filter 12.
  • the LTE reception signal of band B20 is output to the reception circuit (not shown) of band B20 via antenna 2b, antenna connection terminal 102, switch 50 and filter 32.
  • the NR received signal of band n28 is output to the receiving circuit (not shown) of band n28 via antenna 2a, antenna connection terminal 101, switch 50 and filter 22.
  • FIG. 9 is a diagram showing a mounting configuration example of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • the drawing schematically shows a mounting configuration of the high-frequency circuit 1 arranged on the module substrate 90 .
  • FIG. 9 shows a layout diagram of circuit components when the main surface of the module substrate 90 is viewed from above.
  • each circuit component is marked to indicate its function so that the arrangement relationship of each circuit component can be easily understood, but the actual circuit component is not marked.
  • the wiring that connects the circuit components shown in FIG. 1 is formed inside and on the main surface of the module substrate 90 .
  • the wiring may be a bonding wire having both ends bonded to the main surface and any of the circuit components constituting the high-frequency circuit 1, and the terminal, electrode or wiring formed on the surface of the circuit component. may be
  • the module substrate 90 is capable of mounting electronic components on its main surface and inside, for example, low temperature co-fired ceramics having a laminated structure of multiple dielectric layers. (LTCC) substrates, High Temperature Co-fired Ceramics (HTCC) substrates, component-embedded substrates, substrates having a redistribution layer (RDL), or printed substrates.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics having a laminated structure of multiple dielectric layers.
  • HTCC High Temperature Co-fired Ceramics
  • RDL redistribution layer
  • filters 11 , 12 , 21 , 22 , 31 and 32 , power amplifiers 41 and 42 and switches 50 and 51 are arranged on module substrate 90 .
  • ENDC in two bands out of band A, band B, and band C can be realized with a small high-frequency circuit 1.
  • the filter 21 and the filter 31 may be formed on the same chip.
  • the fact that the filters 21 and 31 are formed on the same chip includes the fact that the filters 21 and 31 are arranged in the same package.
  • the filter 21 and the filter 31 are elastic wave filters and may be formed on the same piezoelectric substrate.
  • the transmission signal of band B20 and the transmission of band B28 are Unwanted waves of third order intermodulation distortion caused by signals are less likely to occur in the third downlink operating band and the second downlink operating band. Therefore, by forming the filter 21 and the filter 31 into one chip, the high-frequency circuit 1 can be miniaturized without worrying about deterioration of reception sensitivity due to unnecessary waves of third-order intermodulation distortion.
  • the high-frequency circuit 1 is a high-frequency circuit capable of simultaneously transmitting an LTE signal and an NR signal, and includes filters 11, 21 and 31, power amplifiers 41 and 42, filter 11 , 21 and 31, and a switch 51 connected between the power amplifiers 41 and 42 such that when one of the LTE signal and the NR signal is being amplified by the power amplifier 41, the other of the LTE signal and the NR signal is is amplified by power amplifier 42, switch 51 enables connection between filter 11 and power amplifier 41, enables connection between filter 31 and power amplifier 42, and selectively connects filter 21 and one of power amplifiers 41 and 42. to be able to connect to
  • the high-frequency circuit 1 is one transmission circuit including the filters 11, 21 and 31, and ENDC can be performed with a smaller number of filters than the conventional high-frequency circuit. Therefore, a compact high-frequency circuit 1 capable of ENDC can be provided.
  • the switch 51 has common terminals 51a and 51b and selection terminals 51c, 51d and 51e.
  • the connection is selectively switched, the connection between the common terminal 51b and the selection terminal 51d and the connection between the common terminal 51b and the selection terminal 51e are selectively switched, the common terminal 51a is connected to the output terminal of the power amplifier 41, and the common terminal 51b is connected to the output terminal of the power amplifier 42, the selection terminal 51c is connected to the input terminal of the filter 11, the selection terminal 51d is connected to the input terminal of the filter 21, and the selection terminal 51e is connected to the input terminal of the filter 31.
  • ENDC is possible with a simplified switch circuit.
  • the common terminal 51a and the selection terminal 51e may not be connected, and the common terminal 51b and the selection terminal 51c may not be connected.
  • a first band for FDD configured with a first downlink operating band and a first uplink operating band
  • an FDD configured with a second downlink operating band and a second uplink operating band in the second and third bands for, from the lower frequency side or higher frequency side, the third band, the second downlink operating band, the second uplink operating band, the first uplink operating band, and the first downlink
  • filter 11 having a passband including the first uplink operating band
  • filter 21 having a passband corresponding to the third band
  • filter 31 having a second uplink operating band. It may have a passband containing the band.
  • first band and the second band are in the frequency order of first downlink operating band, first uplink operating band, second uplink operating band, second downlink operating band, third order intermodulation
  • the frequencies of the distortion may overlap the first downlink operating band and the second downlink operating band.
  • switch 51 switches filter 11 and power amplifier 41 to filter 31 and Since degradation of isolation with the power amplifier 42 is suppressed, degradation of reception sensitivity due to third-order intermodulation distortion can be suppressed.
  • the third band, the second band, and the first band are positioned in this order from the low-frequency side or the high-frequency side, and the filter 11 has a passband corresponding to the first band
  • Filter 21 may have a passband corresponding to the second band
  • filter 31 may have a passband corresponding to the third band.
  • the second band is a frequency band between the first band and the third band
  • the power amplifier 41 is the amplification band of the first band and the second band
  • the power amplifier 42 is the second band and the third band. It is only necessary to have an amplification band of the band. That is, by narrowing the amplification bands of power amplifiers 41 and 42, the performance of the power amplifiers can be improved. Therefore, the signal quality of the transmission signal transmitted through the high frequency circuit 1 can be improved.
  • the first band is band B8 for 4G-LTE or band n8 for 5G-NR
  • the second band is band B20 for 4G-LTE, or , band n20 for 5G-NR
  • the third band may be band B28 for 4G-LTE or band n28 for 5G-NR.
  • the third band is composed of a third downlink operating band and a third uplink operating band
  • the second downlink operating band and the third downlink operating band have frequencies of Partially overlapping
  • the high frequency circuit 1B further includes a filter 12 having a passband containing the first downlink operating band and a filter 22 having a passband containing the second downlink operating band and the third downlink operating band. , may be provided.
  • the first band is band B5 for 4G-LTE or band n5 for 5G-NR
  • the second band is band B13 for 4G-LTE, or , band n13 for 5G-NR
  • the third band may be band B71 for 4G-LTE or band n71 for 5G-NR.
  • the first band is band B71 for 4G-LTE or band n71 for 5G-NR
  • the second band is band B12 for 4G-LTE, or , band n12 for 5G-NR
  • the third band may be band B5 for 4G-LTE or band n5 for 5G-NR.
  • the filter 21 and the filter 31 may be formed on the same chip.
  • the filters 21 and 31 are acoustic wave filters, and the filters 21 and 31 may be formed on the same piezoelectric substrate.
  • a first band for frequency division duplexing composed of a first downlink operating band and a first uplink operating band, a second downlink operating band and a second uplink operating band
  • filter 11 has a passband including the first uplink operating band
  • filter 21 has a passband corresponding to the third band
  • filter 31 It may have a passband that includes a second uplink operating band.
  • the first band and the second band are in the frequency order of the second uplink operating band, the first uplink operating band, the first downlink operating band, the second downlink operating band, the third order intermodulation
  • the frequencies of distortion may overlap in the second downlink operating band, the second uplink operating band, or the first downlink operating band.
  • switch 51 switches filter 11 and power amplifier 41 to filter 31 and Since deterioration of isolation with the power amplifier 42 is suppressed, third-order intermodulation distortion can be suppressed.
  • the first band is band B2 for 4G-LTE, band B25, band n2 for 5G-NR, or band n25
  • the second band is for 4G-LTE. or band n66 for 5G-NR
  • the third band may be band B1 for 4G-LTE or band n1 for 5G-NR.
  • the high-frequency circuit 1C further has terminals 56a, 56b, 56c, and 56d, a first connection state in which the terminals 56a and 56c are connected and the terminals 56b and 56d are connected;
  • the switch 56 is provided with a switch 56 capable of switching between a second connection state in which the terminal 56a and the terminal 56d are connected and the terminal 56b and the terminal 56c are connected.
  • the terminal 56a is connected to the input terminal of the power amplifier 41.
  • 56b may be connected to the input terminal of the power amplifier 42, the NR signal may be input to the terminal 56c, and the LTE signal may be input to the terminal 56d.
  • the simplified switch circuit when one of the LTE signal and the NR signal is being amplified by the power amplifier 41, the other of the LTE signal and the NR signal can be amplified by the power amplifier 42. .
  • the high-frequency circuit 1 may further include a module substrate 90 , and the filters 11 , 21 and 31 , the power amplifiers 41 and 42 , and the switch 51 may be arranged on the module substrate 90 .
  • the communication device 4 includes an RFIC 3 that processes high frequency signals, and a high frequency circuit 1 that transmits high frequency signals between the RFIC 3 and the antennas 2a and 2b.
  • the communication device 4 can achieve the same effects as those of the high-frequency circuit 1 described above.
  • bands for 5G-NR or LTE were used, but in addition to or instead of 5G-NR or LTE, communication bands for other radio access technologies are used. good too.
  • communication bands for wireless local area networks may be used.
  • a millimeter wave band of 7 gigahertz or more may be used.
  • the high-frequency circuit 1, the antennas 2a and 2b, and the RFIC 3 constitute a millimeter wave antenna module, and a distributed constant filter, for example, may be used as the filter.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a high-frequency circuit arranged in the front end section.
  • RFIC radio frequency identification circuit
  • RFIC radio frequency identification circuit
  • communication devices 11, 12, 21, 22, 31, 32 filters 41, 42 power amplifiers 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 switches 50a, 50b, 51a, 51b, 52a, 53a, 54a, 55a, 55b common terminal 50c, 50d, 50e, 51c, 51d, 51e, 52b, 52c, 53b, 53c, 54b, 54c, 55c, 55d selection terminal 56a, 56b, 56c, 56d terminal 90 module substrate 101, 102 antenna connection terminal 111 , 112 high frequency input terminal

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Abstract

高周波回路（１）は、ＬＴＥ信号とＮＲ信号とを同時伝送可能な高周波回路であって、フィルタ（１１、２１および３１）と、電力増幅器（４１および４２）と、フィルタ（１１、２１および３１）と電力増幅器（４１および４２）との間に接続されたスイッチ（５１）と、を備え、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方が電力増幅器（４１）で増幅されているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方が電力増幅器（４２）で増幅され、スイッチ（５１）は、フィルタ（１１）と電力増幅器（４１）とを接続可能にし、フィルタ（３１）と電力増幅器（４２）とを接続可能にし、フィルタ（２１）と電力増幅器（４１および４２）の一方とを選択的に接続可能にする。

Description

高周波回路および通信装置
　本発明は、高周波回路及び通信装置に関する。
　３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、例えば、５Ｇ（5th generation）－ＮＲ（New Radio）の第１バンドの高周波信号と、４Ｇ（4th generation）－ＬＴＥ（Long term Evolution）の第２バンドの高周波信号との同時伝送（ＥＮＤＣ：Eutra NR Dual Connectivity）が要求される。特許文献１には、第１伝送回路での４Ｇ－ＬＴＥの送信信号の伝送と、第２伝送回路での５Ｇ－ＮＲの送信信号の伝送とを同時に実行（ＥＮＤＣ）することが可能な高周波回路の構成が開示されている。
米国特許出願公開第２０２１／００１３９０９号明細書
　しかしながら、特許文献１に開示された高周波回路では、ＥＮＤＣを実行するバンドコンビネーションの増加に対応して、第１伝送回路および第２伝送回路の双方にフィルタを付加する必要があり、回路が大型化する。
　そこで、本発明は、ＥＮＤＣ可能な小型の高周波回路および通信装置を提供する。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、ＬＴＥ信号とＮＲ信号とを同時伝送可能な高周波回路であって、第１フィルタ、第２フィルタおよび第３フィルタと、第１電力増幅器および第２電力増幅器と、第１フィルタ、第２フィルタおよび第３フィルタと、第１電力増幅器および第２電力増幅器との間に接続された第１スイッチと、を備え、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方が第１電力増幅器で増幅されているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方が第２電力増幅器で増幅され、第１スイッチは、第１フィルタと第１電力増幅器とを接続可能にし、第３フィルタと第２電力増幅器とを接続可能にし、第２フィルタと第１電力増幅器および第２電力増幅器の一方とを選択的に接続可能にする。
　本発明によれば、ＥＮＤＣ可能な小型の高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。 図２は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路の回路構成図である。 図３は、実施の形態に係る高周波回路に適用されるバンドの周波数関係を示す図である。 図４は、実施の形態に係る高周波回路の第１のバンド適用例を示す図である。 図５は、実施の形態に係る高周波回路の第２のバンド適用例を示す図である。 図６は、実施の形態の変形例２に係る高周波回路の回路構成図である。 図７は、実施の形態の変形例３に係る高周波回路の回路構成図である。 図８Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路が第１のＥＮＤＣを実行する場合の回路状態図である。 図８Ｂは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路が第２のＥＮＤＣを実行する場合の回路状態図である。 図８Ｃは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路が第３のＥＮＤＣを実行する場合の回路状態図である。 図９は、実施の形態に係る高周波回路の実装構成例を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味し、ＡおよびＢを結ぶ経路に直列接続されることに加えて、当該経路とグランドとの間に並列接続（シャント接続）されることを含む。
　また、本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、および、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、および、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。
　また、本開示において、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１　高周波回路１および通信装置４の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１およびそれを備える通信装置４の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置４の回路構成図である。
　［１．１　通信装置４の回路構成］
　通信装置４は、いわゆるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に相当し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ等である。このような通信装置４は、高周波回路１と、アンテナ２ａおよび２ｂと、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、を備える。
　高周波回路１は、アンテナ２ａおよび２ｂとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の内部構成については後述する。
　アンテナ２ａは高周波回路１のアンテナ接続端子１０１に接続され、アンテナ２ｂは高周波回路１のアンテナ接続端子１０２に接続される。アンテナ２ａおよび２ｂは、高周波回路１から高周波信号を受信して外部に出力する。
　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit：図示せず）から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１の送信経路に出力する。ＲＦＩＣ３は、ＬＴＥの送信信号（以下、ＬＴＥ信号と記す）およびＮＲの送信信号（以下、ＮＲ信号と記す）を出力する２つの端子を有している。２つの端子のうちの一方の端子は、高周波回路１の高周波入力端子１１１に接続され、２つの端子のうちの他方の端子は、高周波回路１の高周波入力端子１１２に接続されている。上記一方の端子からＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方を出力すると同時に、上記他方の端子からＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方を出力することが可能である。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ回路および増幅回路等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に構成されてもよく、例えば、ＢＢＩＣまたは高周波回路１に構成されてもよい。
　なお、本実施の形態に係る通信装置４において、アンテナ２ａおよび２ｂは必須の構成要素ではない。また、アンテナは１つであってもよい。
　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、フィルタ１１、１２、２１、２２、３１および３２と、電力増幅器４１および４２と、スイッチ５０および５１と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。
　アンテナ接続端子１０１はアンテナ２ａに接続される。アンテナ接続端子１０２はアンテナ２ｂに接続される。高周波入力端子１１１は、高周波回路１の外部（ＲＦＩＣ３）からＬＴＥ信号およびＮＲ信号を受けるための端子である。高周波入力端子１１２は、高周波回路１の外部（ＲＦＩＣ３）からＬＴＥ信号およびＮＲ信号を受けるための端子である。
　フィルタ１１は、第１フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、スイッチ５１とスイッチ５０との間に接続されている。
　フィルタ１２は、第４フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ５０に接続されている。フィルタ１２は、フィルタ１１とともに、バンドＡ用のデュプレクサを構成している。
　フィルタ２１は、第２フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ５１とスイッチ５０との間に接続されている。
　フィルタ２２は、ＦＤＤ用のバンドＢのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２２は、スイッチ５０に接続されている。フィルタ２２は、フィルタ２１とともに、バンドＢ用のデュプレクサを構成している。
　フィルタ３１は、第３フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＣのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１は、スイッチ５１とスイッチ５０との間に接続されている。
　フィルタ３２は、ＦＤＤ用のバンドＣのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３２は、スイッチ５０に接続されている。フィルタ３２は、フィルタ３１とともに、バンドＣ用のデュプレクサを構成している。
　電力増幅器４１は、第１電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１１１から入力されたバンドＡおよびバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４１は、高周波入力端子１１１とスイッチ５１との間に接続されている。
　電力増幅器４２は、第２電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１１２から入力されたバンドＢおよびバンドＣの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４２は、高周波入力端子１１２とスイッチ５１との間に接続されている。
　バンドＡ、バンドＢおよびバンドＣは、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのための周波数バンドである。通信システムとしては、例えば５Ｇ－ＮＲシステム、ＬＴＥシステム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＡ、バンドＢおよびバンドＣは、それぞれ、ダウンリンク動作バンドおよびアップリンク動作バンドで構成されている。
　なお、アップリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。
　スイッチ５１は、第１スイッチの一例であり、フィルタ１１、２１および３１と、電力増幅器４１および４２との間に接続されている。具体的には、スイッチ５１は、共通端子５１ａ（第１共通端子）、共通端子５１ｂ（第２共通端子）、選択端子５１ｃ（第１選択端子）、選択端子５１ｄ（第２選択端子）および選択端子５１ｅ（第３選択端子）を有する。スイッチ５１は、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとの接続、および、共通端子５１ａと選択端子５１ｄとの接続を選択的に切り替え、共通端子５１ｂと選択端子５１ｄとの接続、および、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとの接続を選択的に切り替える。また、共通端子５１ａと選択端子５１ｅとは接続されず、共通端子５１ｂと選択端子５１ｃとは接続されない。
　共通端子５１ａは電力増幅器４１の出力端子に接続され、共通端子５１ｂは電力増幅器４２の出力端子に接続されている。また、選択端子５１ｃはフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５１ｄはフィルタ２１の入力端に接続され、選択端子５１ｅはフィルタ３１の入力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１１と電力増幅器４１とを接続可能にし、フィルタ３１と電力増幅器４２とを接続可能にし、フィルタ２１と電力増幅器４１および４２の一方とを選択的に接続可能にする。
　スイッチ５０は、アンテナスイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１および１０２と、フィルタ１１、１２、２１、２２、３１および３２との間に接続されている。具体的には、スイッチ５０は、共通端子５０ａおよび５０ｂ、ならびに選択端子５０ｃ、５０ｄおよび５０ｅを有する。スイッチ５０は、共通端子５０ａと選択端子５０ｃ、５０ｄおよび５０ｅとの接続を切り替え、共通端子５０ｂと選択端子５０ｃ、５０ｄおよび５０ｅとの接続を切り替える。なお、スイッチ５０は、共通端子５０ａと、選択端子５０ｃ、５０ｄおよび５０ｅのうちの２以上の端子とを同時に接続状態とすることか可能であり、共通端子５０ｂと、選択端子５０ｃ、５０ｄおよび５０ｅのうちの２以上の端子とを同時に接続状態とすることか可能である。
　共通端子５０ａはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５０ｂはアンテナ接続端子１０２に接続されている。選択端子５０ｃはフィルタ１１の出力端およびフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５０ｄはフィルタ２１の出力端およびフィルタ２２の入力端に接続され、選択端子５０ｅはフィルタ３１の出力端およびフィルタ３２の入力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１０１とフィルタ１１および１２との接続、アンテナ接続端子１０１とフィルタ２１および２２との接続、ならびにアンテナ接続端子１０１とフィルタ３１および３２との接続を切り替え、アンテナ接続端子１０２とフィルタ１１および１２との接続、アンテナ接続端子１０２とフィルタ２１および２２との接続、ならびにアンテナ接続端子１０２とフィルタ３１および３２との接続を切り替える。
　上記回路構成において、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方が電力増幅器４１で増幅されているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方が電力増幅器４２で増幅される。つまり、高周波回路１は、ＬＴＥ信号とＮＲ信号とを同時伝送することが可能である。
　具体的には、バンドＡのＬＴＥ信号およびバンドＢのＮＲ信号をそれぞれフィルタ１１および２１で同時伝送でき、バンドＡのＬＴＥ信号およびバンドＣのＮＲ信号をそれぞれフィルタ１１および３１で同時伝送でき、バンドＢのＬＴＥ信号およびバンドＣのＮＲ信号をそれぞれフィルタ２１および３１で同時伝送できる。また、バンドＡのＮＲ信号およびバンドＢのＬＴＥ信号をそれぞれフィルタ１１および２１で同時伝送でき、バンドＡのＮＲ信号およびバンドＣのＬＴＥ信号をそれぞれフィルタ１１および３１で同時伝送でき、バンドＢのＮＲ信号およびバンドＣのＬＴＥ信号をそれぞれフィルタ２１および３１で同時伝送できる。
　従来の高周波回路の第１例は、ＮＲ信号を伝送するための第１伝送回路と、ＬＴＥ信号を伝送するための第２伝送回路とを有し、ＥＮＤＣを実行するために、第１伝送回路および第２伝送回路のそれぞれに、フィルタ１１、２１および３１が配置される必要があった。また、従来の高周波回路の第２例は、ＥＮＤＣを実行するためにＮＲ信号およびＬＴＥ信号の双方を伝送することが可能な第１伝送回路および第２伝送回路を有し、第１伝送回路には少なくともフィルタ１１および２１が配置され、第２伝送回路には少なくともフィルタ２１および３１が配置される必要があった。
　これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１は、ＥＮＤＣを実行するために、スイッチ５１を有することで、フィルタ１１、２１および３１を有する１つの伝送回路で構成されているので、従来の高周波回路の第１例および第２例と比較して、バンドＡ、バンドＢおよびバンドＣのうちの２バンドによるＥＮＤＣを、少ないフィルタの員数にて実現できるので、ＥＮＤＣ可能な小型の高周波回路１を提供できる。
　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波回路１に含まれなくてもよい。例えば、高周波回路１は、少なくとも電力増幅器４１および４２、フィルタ１１、２１および３１、およびスイッチ５１を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。
　［１．３　変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成］
　図２は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成図である。本変形例に係る高周波回路１Ａは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、スイッチ５１の構成のみが異なる。よって、本変形例に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、スイッチ５１の構成のみを説明する。
　本変形例に係るスイッチ５１は、３つのスイッチ５２、５３および５４で構成されている。スイッチ５２、５３、５４は、それぞれ、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成されている。
　スイッチ５２は、共通端子５２ａ、選択端子５２ｂおよび５２ｃを有し、共通端子５２ａと選択端子５２ｂとの接続、および、共通端子５２ａと選択端子５２ｃとの接続、を選択的に切り替える。スイッチ５３は、共通端子５３ａ、選択端子５３ｂおよび５３ｃを有し、共通端子５３ａと選択端子５３ｂとの接続、および、共通端子５３ａと選択端子５３ｃとの接続、を選択的に切り替える。スイッチ５４は、共通端子５４ａ、選択端子５４ｂおよび５４ｃを有し、共通端子５４ａと選択端子５４ｂとの接続、および、共通端子５４ａと選択端子５４ｃとの接続、を選択的に切り替える。
　共通端子５２ａはフィルタ２１の入力端に接続され、選択端子５２ｂは選択端子５３ｃに接続され、選択端子５２ｃは選択端子５４ｂに接続され、共通端子５３ａは電力増幅器４１の出力端子に接続され、選択端子５３ｂはフィルタ１１の入力端に接続され、共通端子５４ａは電力増幅器４２の出力端子に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ３１の入力端に接続されている。
　スイッチ５２、５３および５４の上記構成によれば、フィルタ１１と電力増幅器４１とが接続可能となり、フィルタ３１と電力増幅器４２とが接続可能となり、フィルタ２１と電力増幅器４１および４２の一方とが選択的に接続可能となる。また、フィルタ３１と電力増幅器４１とは接続不可能となり、フィルタ１１と電力増幅器４２とは接続不可能となる。
　なお、スイッチ５２、５３および５４は、半導体ＩＣ（Integrated Circuit）に形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　［１．４　バンド適用例］
　図３は、実施の形態に係る高周波回路１に適用されるバンドの周波数関係を示す図である。高周波回路１に適用されるバンドの組み合わせとしては、例えば、第１バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８：アップリンク動作バンド８８０－９１５ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド９２５－９６０ＭＨｚ）が適用され、第２バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０：アップリンク動作バンド８３２－８６２ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド７９１－８２１ＭＨｚ）が適用され、第３バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８：アップリンク動作バンド７０３－７４８ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド７５３－８０３ＭＨｚ）が適用される。
　図４は、実施の形態に係る高周波回路１の第１のバンド適用例を示す図である。同図に示された高周波回路１では、バンドＡとして、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８）（第１バンド：第１アップリンク動作バンド、第１ダウンリンク動作バンド）が適用され、バンドＢとして、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８）（第３バンド：第３アップリンク動作バンド、第３ダウンリンク動作バンド）が適用され、バンドＣとして、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０）（第２バンド：第２アップリンク動作バンド、第２ダウンリンク動作バンド）が適用される。
　図３に示すように、低周波側から、バンドＢ２８の第３アップリンク動作バンド、バンドＢ２８の第３ダウンリンク動作バンド、バンドＢ２０の第２ダウンリンク動作バンド、バンドＢ２０の第２アップリンク動作バンド、バンドＢ８の第１アップリンク動作バンド、およびバンドＢ８の第１ダウンリンク動作バンド、の順に位置している。
　フィルタ１１は、バンドＢ８の第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、フィルタ２１は、バンドＢ２８の第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、フィルタ３１は、バンドＢ２０の第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。
　これによれば、バンドＢ２０（バンドＢ）およびバンドＢ８（バンドＡ）が、第２ダウンリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、および第１ダウンリンク動作バンドの周波数順のため、バンドＢ２０の送信信号とバンドＢ８の送信信号とで発生する３次相互変調歪の不要信号の周波数がバンドＢ２０またはバンドＢ８の受信帯域（第１ダウンリンク動作バンドまたは第２ダウンリンク動作バンド）に含まれる場合が想定される。これに対して、スイッチ５１において、共通端子５１ａと選択端子５１ｅとは接続不可能であり、共通端子５１ｂと選択端子５１ｃとは接続不可能な構成となっている。このため、フィルタ１１をバンドＢ８の送信フィルタとし、フィルタ３１をバンドＢ２０の送信フィルタとすることで、フィルタ１１および電力増幅器４１と、フィルタ３１および電力増幅器４２との高アイソレーションが確保されるため、上記３次相互変調歪を抑制できる。
　例えば、図４に示すように、ＬＴＥのバンドＢ８とＮＲのバンドｎ２０とのＥＮＤＣを実行する場合には、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｅとが接続される。これにより、バンドＢ８のＬＴＥ信号は、高周波入力端子１１１、電力増幅器４１、共通端子５１ａ、選択端子５１ｃ、フィルタ１１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。また、バンドｎ２０のＮＲ信号は、高周波入力端子１１２、電力増幅器４２、共通端子５１ｂ、選択端子５１ｅ、フィルタ３１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。このとき、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとを結ぶ信号経路と、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとを結ぶ信号経路との高アイソレーションを確保できる。
　なお、バンドＢ２０の第２ダウンリンク動作バンドとバンドＢ２８の第３ダウンリンク動作バンドとは、周波数が一部重複しているため、フィルタ２２は、バンドＢ２０の第２ダウンリンク動作バンドおよびバンドＢ２８の第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有していてもよい。同様に、フィルタ３２は、バンドＢ２０の第２ダウンリンク動作バンドおよびバンドＢ２８の第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有していてもよい。
　図５は、実施の形態に係る高周波回路１の第２のバンド適用例を示す図である。同図に示された高周波回路１では、バンドＡとして、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８）（第１バンド：第１アップリンク動作バンド、第１ダウンリンク動作バンド）が適用され、バンドＢとして、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０）（第２バンド：第２アップリンク動作バンド、第２ダウンリンク動作バンド）が適用され、バンドＣとして、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８）（第３バンド：第３アップリンク動作バンド、第３ダウンリンク動作バンド）が適用される。
　図３に示すように、低周波側から、バンドＢ２８、バンドＢ２０、バンドＢ８の順に位置している。
　フィルタ１１は、バンドＢ８に対応した通過帯域を有し、より具体的にはバンドＢ８の第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、バンドＢ２０に対応した通過帯域を有し、より具体的にはバンドＢ２０の第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１は、バンドＢ２８に対応した通過帯域を有し、より具体的にはバンドＢ２８の第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。
　これによれば、バンドＢ２０は、バンドＢ２８とバンドＢ８との間の周波数帯域であるため、電力増幅器４１はバンドＢ８およびバンドＢ２０の増幅帯域を有していればよく、電力増幅器４２はバンドＢ２０およびバンドＢ２８の増幅帯域を有していればよい。つまり、電力増幅器４１および４２のそれぞれの増幅帯域を狭めることが可能となる。よって、電力増幅器４１および４２の性能を改善でき、高周波回路１を伝送する送信信号の信号品質を向上させることが可能となる。
　例えば、図５に示すように、ＬＴＥのバンドＢ８とＮＲのバンドｎ２０とのＥＮＤＣを実行する場合には、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｄとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｄとが接続される。これにより、バンドＢ８のＬＴＥ信号は、高周波入力端子１１１、電力増幅器４１、共通端子５１ａ、選択端子５１ｃ、フィルタ１１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。また、バンドｎ２０のＮＲ信号は、高周波入力端子１１２、電力増幅器４２、共通端子５１ｂ、選択端子５１ｄ、フィルタ２１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。
　なお、図５に示された高周波回路１は、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５：アップリンク動作バンド８２４－８４９ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド８６９－８９４ＭＨｚ）のアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（以下Ｂ５フィルタと記す）、および、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１８（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１８：アップリンク動作バンド８１５－８３０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド８６０－８７５ＭＨｚ）のアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（以下、Ｂ１８フィルタと記す）を備えてもよい。この場合、Ｂ５フィルタおよびＢ１８フィルタは、スイッチ５１を介して電力増幅器４１の出力端子に接続されるように配置される。
　これによれば、例えば、ＬＴＥのバンドＢ２８とＮＲのバンドｎ５とのＥＮＤＣ、および、ＬＴＥのバンドＢ１８とＮＲのバンドｎ２８とのＥＮＤＣも可能となる。
　なお、本実施の形態に係る高周波回路１に適用されるバンドの組み合わせとしては、例えば、第１バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５）が適用され、第２バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３：アップリンク動作バンド７７７－７８７ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド７４６－７５６ＭＨｚ）が適用され、第３バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ７１（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１：アップリンク動作バンド６６３－６９８ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド６１７－６５２ＭＨｚ）が適用されてもよい。
　また、本実施の形態に係る高周波回路１に適用されるバンドの組み合わせとしては、例えば、第１バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ７１（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１）が適用され、第２バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１２（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１２：アップリンク動作バンド６９９－７１６ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド７２９－７４６ＭＨｚ）が適用され、第３バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５（または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５）が適用されてもよい。
　また、本実施の形態に係る高周波回路１に適用されるバンドの組み合わせとしては、例えば、第１バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２、バンドＢ２５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２（第１アップリンク動作バンド１８５０－１９１０ＭＨｚ、第１ダウンリンク動作バンド１９３０－１９９０ＭＨｚ）、またはバンドｎ２５（第１アップリンク動作バンド１８５０－１９１５ＭＨｚ、第１ダウンリンク動作バンド１９３０－１９９５ＭＨｚ）が適用され、第２バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ６６、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６６（第２アップリンク動作バンド１７１０－１７８００ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド２１１０－２２００ＭＨｚ）が適用され、第３バンドとして４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１（第３アップリンク動作バンド１９２０－１９８０ＭＨｚ、第３ダウンリンク動作バンド２１１０－２１７０ＭＨｚ）が適用されてもよい。
　この場合、低周波側から、バンドＢ６６（ｎ６６）の第２アップリンク動作バンド、バンドＢ２（ｎ２）またはバンドＢ２５（ｎ２５）の第１アップリンク動作バンド、バンドＢ２（ｎ２）またはバンドＢ２５（ｎ２５）の第１ダウンリンク動作バンド、およびバンドＢ６６（ｎ６６）の第２ダウンリンク動作バンド、の順に位置している。
　フィルタ１１は、バンドＢ２（ｎ２）またはバンドＢ２５（ｎ２５）の第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、フィルタ２１は、バンドＢ１（ｎ１）の第３アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、フィルタ３１は、バンドＢ６６の第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。
　これによれば、バンドＢ２（Ｂ２５）およびバンドＢ６６が、第２アップリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第１ダウンリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンドの周波数順のため、バンドＢ２（Ｂ２５）の送信信号とバンドＢ６６の送信信号とで発生する３次相互変調歪の不要信号の周波数が送信帯域（第２アップリンク動作バンド）、バンドＢ６６の受信帯域（第２ダウンリンク動作バンド）、またはバンドＢ２（Ｂ２５）の受信帯域（第１ダウンリンク動作バンド）に含まれる場合が想定される。より具体的には、バンドＢ２（Ｂ２５）の送信信号（１８５０ＭＨｚ）とバンドＢ６６の送信信号（１７８０ＭＨｚ）とで発生する３次相互変調歪（１７１０ＭＨｚ）はバンドＢ６６（ｎ６６）の第２アップリンク動作バンドに含まれる。また、バンドＢ２（Ｂ２５）の送信信号（１８５０ＭＨｚ）とバンドＢ６６の送信信号（１７１０ＭＨｚ）とで発生する３次相互変調歪（１９９０ＭＨｚ）はバンドＢ２（ｎ２）またはバンドＢ２５（ｎ２５）の第１アップリンク動作バンドに含まれる。また、バンドＢ２（Ｂ２５）の送信信号（１９１０ＭＨｚ）とバンドＢ６６の送信信号（１７１０ＭＨｚ）とで発生する３次相互変調歪（２１１０ＭＨｚ）はバンドＢ６６（ｎ６６）の第２アップリンク動作バンドに含まれる。
　これに対して、スイッチ５１において、共通端子５１ａと選択端子５１ｅとは接続不可能であり、共通端子５１ｂと選択端子５１ｃとは接続不可能な構成となっている。このため、フィルタ１１をバンドＢ２（Ｂ２５）の送信フィルタとし、フィルタ３１をバンドＢ６６の送信フィルタとすることで、フィルタ１１および電力増幅器４１と、フィルタ３１および電力増幅器４２との高アイソレーションが確保されるため、上記３次相互変調歪を抑制できる。
　例えば、ＬＴＥのバンドＢ２（Ｂ２５）とＮＲのバンドｎ６６とのＥＮＤＣを実行する場合には、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｅとが接続される。これにより、バンドＢ２（Ｂ２５）のＬＴＥ信号は、高周波入力端子１１１、電力増幅器４１、共通端子５１ａ、選択端子５１ｃ、フィルタ１１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。また、バンドｎ６６のＮＲ信号は、高周波入力端子１１２、電力増幅器４２、共通端子５１ｂ、選択端子５１ｅ、フィルタ３１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。このとき、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとを結ぶ信号経路と、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとを結ぶ信号経路との高アイソレーションを確保できる。
　［１．５　変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成］
　図６は、実施の形態の変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｂは、フィルタ１１、１２、２１、２２および３１と、電力増幅器４１および４２と、スイッチ５１および５５と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、フィルタ３２がないこと、および、スイッチ５５の構成が異なる。以下では、本変形例に係る高周波回路１Ｂについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　フィルタ２２は、第５フィルタの一例であり、バンドＢ２０の第２ダウンリンク動作バンドおよびバンドＢ２８の第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有しているため、高周波回路１に配置されていたフィルタ３２に代用できる。
　スイッチ５５は、アンテナスイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１および１０２と、フィルタ１１、１２、２１、２２および３１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５５は、共通端子５５ａおよび５５ｂ、ならびに選択端子５５ｃおよび５５ｄを有する。スイッチ５５は、共通端子５５ａと選択端子５５ｃとの接続および非接続を切り替え、共通端子５５ｂと選択端子５５ｄとの接続および非接続を切り替える。
　共通端子５５ａはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５５ｂはアンテナ接続端子１０２に接続されている。選択端子５５ｃはフィルタ１１の出力端およびフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５５ｄはフィルタ２１の出力端、フィルタ２２の入力端、およびフィルタ３１の出力端に接続されている。
　これによれば、フィルタの員数がさらに削減された、ＥＮＤＣ可能な小型の高周波回路１Ｂを提供できる。
　［１．６　変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成］
　図７は、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｃは、フィルタ１１、１２、２１、２２、３１および３２と、電力増幅器４１および４２と、スイッチ５０、５１および５６と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｃは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、スイッチ５６が付加された点が異なる。以下では、本変形例に係る高周波回路１Ｃについて、図４に示された高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　スイッチ５６は、第２スイッチの一例であり、端子５６ａ（第１端子）、端子５６ｂ（第２端子）、端子５６ｃ（第３端子）および端子５６ｄ（第４端子）を有する。スイッチ５６は、（１）端子５６ａと端子５６ｃとを接続し、かつ、端子５６ｂと端子５６ｄとを接続する第１接続状態と、（２）端子５６ａと端子５６ｄとを接続し、かつ、端子５６ｂと端子５６ｃとを接続する第２接続状態と、を切り替えることが可能である。
　端子５６ａは電力増幅器４１の入力端子に接続され、端子５６ｂは電力増幅器４２の入力端子に接続されている。端子５６ｃには、高周波入力端子１１１を経由してＮＲ信号が入力され、端子５６ｄには、高周波入力端子１１２を経由してＬＴＥ信号が入力される。
　上記構成によれば、簡素化されたスイッチ５６により、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方を電力増幅器４１で増幅しているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方を電力増幅器４２で増幅することが可能となる。
　図８Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃが第１のＥＮＤＣを実行する場合の回路状態図である。同図に示すように、ＬＴＥのバンドＢ８とＮＲのバンドｎ２８とのＥＮＤＣを実行する場合には、端子５６ａと端子５６ｄとが接続され、端子５６ｂと端子５６ｃとが接続される。また、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｄとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｄとが接続される。これにより、バンドＢ８のＬＴＥ信号は、高周波入力端子１１２、スイッチ５６、電力増幅器４１、スイッチ５１、フィルタ１１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。また、バンドｎ２８のＮＲ信号は、高周波入力端子１１１、スイッチ５６、電力増幅器４２、スイッチ５１、フィルタ２１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。
　図８Ｂは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃが第２のＥＮＤＣを実行する場合の回路状態図である。同図に示すように、ＬＴＥのバンドＢ２８とＮＲのバンドｎ８とのＥＮＤＣを実行する場合には、端子５６ａと端子５６ｃとが接続され、端子５６ｂと端子５６ｄとが接続される。また、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｄとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｄとが接続される。これにより、バンドＢ２８のＬＴＥ信号は、高周波入力端子１１２、スイッチ５６、電力増幅器４２、スイッチ５１、フィルタ２１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。また、バンドｎ８のＮＲ信号は、高周波入力端子１１１、スイッチ５６、電力増幅器４１、スイッチ５１、フィルタ１１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。
　図８Ｃは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃが第３のＥＮＤＣを実行する場合の回路状態図である。同図に示すように、ＬＴＥのバンドＢ２０とＮＲのバンドｎ２８とのＥＮＤＣを実行する場合には、端子５６ａと端子５６ｃとが接続され、端子５６ｂと端子５６ｄとが接続される。また、共通端子５１ａと選択端子５１ｄとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｄとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｅとが接続される。これにより、バンドＢ２０のＬＴＥ信号は、高周波入力端子１１２、スイッチ５６、電力増幅器４２、スイッチ５１、フィルタ３１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。また、バンドｎ２８のＮＲ信号は、高周波入力端子１１１、スイッチ５６、電力増幅器４１、スイッチ５１、フィルタ２１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。
　なお、上記のほか、（１）ＬＴＥのバンドＢ２８とＮＲのバンドｎ２０とのＥＮＤＣ、（２）ＬＴＥのバンドＢ８とＮＲのバンドｎ２０とのＥＮＤＣ、および（３）ＬＴＥのバンドＢ２０とＮＲのバンドｎ８とのＥＮＤＣも、スイッチ５０、５１および５６の接続を適宜制御することにより可能である。
　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、２アップリンクかつ３ダウンリンクのＥＮＤＣを実行することが可能である。例えば、本変形例に係る高周波回路１Ｃにおいて、ＬＴＥのバンドＢ２０とＮＲのバンドｎ２８との２アップリンク、かつ、ＬＴＥのバンドＢ８とＬＴＥのバンドＢ２０とＮＲのバンドｎ２８との３ダウンリンクのＥＮＤＣを実行できる。この場合には、端子５６ａと端子５６ｃとが接続され、端子５６ｂと端子５６ｄとが接続される。また、共通端子５１ａと選択端子５１ｄとが接続され、共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとが接続される。また、共通端子５０ａと選択端子５０ｄとが接続され、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続され、共通端子５０ｂと選択端子５０ｅとが接続される。これにより、バンドＢ２０のＬＴＥ送信信号は、高周波入力端子１１２、スイッチ５６、電力増幅器４２、スイッチ５１、フィルタ３１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０２を経由してアンテナ２ｂへ出力される。また、バンドｎ２８のＮＲ送信信号は、高周波入力端子１１１、スイッチ５６、電力増幅器４１、スイッチ５１、フィルタ２１、スイッチ５０、アンテナ接続端子１０１を経由してアンテナ２ａへ出力される。また、バンドＢ８のＬＴＥ受信信号は、アンテナ２ａ、アンテナ接続端子１０１、スイッチ５０およびフィルタ１２を経由してバンドＢ８の受信回路（図示せず）へ出力される。また、バンドＢ２０のＬＴＥ受信信号は、アンテナ２ｂ、アンテナ接続端子１０２、スイッチ５０およびフィルタ３２を経由してバンドＢ２０の受信回路（図示せず）へ出力される。また、バンドｎ２８のＮＲ受信信号は、アンテナ２ａ、アンテナ接続端子１０１、スイッチ５０およびフィルタ２２を経由してバンドｎ２８の受信回路（図示せず）へ出力される。
　［１．７　高周波回路１の実装構成］
　図９は、実施の形態に係る高周波回路１の実装構成例を示す図である。同図には、モジュール基板９０上に配置された高周波回路１の実装構成が模式的に示されている。なお、図９には、モジュール基板９０の主面を平面視した場合の回路部品の配置図が示されている。また、図９では、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の回路部品には、当該マークは付されていない。また、図９には図示していないが、図１に示された、各回路部品を接続する配線は、モジュール基板９０の内部および主面に形成されている。また、上記配線は、両端が主面および高周波回路１を構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、当該回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　図９において、モジュール基板９０は、例えば、主面および内部に電子部品を実装することが可能であり、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等である。
　図９に示すように、フィルタ１１、１２、２１、２２、３１および３２、電力増幅器４１および４２、ならびにスイッチ５０および５１は、モジュール基板９０に配置されている。
　これによれば、バンドＡ、バンドＢおよびバンドＣのうちの２バンドによるＥＮＤＣを、小型の高周波回路１で実現できる。
　また、フィルタ２１とフィルタ３１とは、同一のチップに形成されていてもよい。なお、フィルタ２１とフィルタ３１とが同一のチップに形成されているとは、フィルタ２１とフィルタ３１とが、同一のパッケージ内に配置されていることを含む。
　また、フィルタ２１とフィルタ３１とは、弾性波フィルタであり、同一の圧電基板に形成されていてもよい。
　例えば、バンドＢ２０の第２アップリンク動作バンドとバンドＢ２８の第３アップリンク動作バンドとの間にはバンドＢ２０の第２ダウンリンク動作バンドが存在するため、バンドＢ２０の送信信号とバンドＢ２８の送信信号とにより発生する３次相互変調歪の不要波は、第３ダウンリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドに発生する可能性は低い。よって、フィルタ２１とフィルタ３１とを１チップ化することで、３次相互変調歪の不要波による受信感度の劣化を懸念することなく高周波回路１を小型化できる。
　［２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、ＬＴＥ信号とＮＲ信号とを同時伝送可能な高周波回路であって、フィルタ１１、２１および３１と、電力増幅器４１および４２と、フィルタ１１、２１および３１と、電力増幅器４１および４２との間に接続されたスイッチ５１と、を備え、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方が電力増幅器４１で増幅されているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方が電力増幅器４２で増幅され、スイッチ５１は、フィルタ１１と電力増幅器４１とを接続可能にし、フィルタ３１と電力増幅器４２とを接続可能にし、フィルタ２１と電力増幅器４１および４２の一方とを選択的に接続可能にする。
　これによれば、高周波回路１はフィルタ１１、２１および３１を含む１つの伝送回路により、従来の高周波回路と比較して少ないフィルタの員数にてＥＮＤＣが可能となる。よって、ＥＮＤＣ可能な小型の高周波回路１を提供できる。
　また例えば、高周波回路１において、スイッチ５１は、共通端子５１ａおよび５１ｂ、ならびに選択端子５１ｃ、５１ｄおよび５１ｅを有し、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとの接続および共通端子５１ａと選択端子５１ｄとの接続を選択的に切り替え、共通端子５１ｂと選択端子５１ｄとの接続および共通端子５１ｂと選択端子５１ｅとの接続を選択的に切り替え、共通端子５１ａは電力増幅器４１の出力端子に接続され、共通端子５１ｂは電力増幅器４２の出力端子に接続され、選択端子５１ｃはフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５１ｄはフィルタ２１の入力端に接続され、選択端子５１ｅはフィルタ３１の入力端に接続されていてもよい。
　これによれば、簡素化されたスイッチ回路により、ＥＮＤＣが可能となる。
　また例えば、高周波回路１において、共通端子５１ａと選択端子５１ｅとは接続されず、共通端子５１ｂと選択端子５１ｃとは接続されなくてもよい。
　また例えば、高周波回路１において、第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用の第１バンド、第２ダウンリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用の第２バンド、および第３バンドにおいて、低周波側または高周波側から、第３バンド、第２ダウンリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、および第１ダウンリンク動作バンド、の順に位置しており、フィルタ１１は第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、フィルタ２１は第３バンドに対応した通過帯域を有し、フィルタ３１は第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有してもよい。
　これによれば、第１バンドおよび第２バンドが第１ダウンリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、第２ダウンリンク動作バンドの周波数順のため、３次相互変調歪の周波数が第１ダウンリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドに重複する場合がある。これに対して、フィルタ１１の通過帯域を第１アップリンク動作バンド、フィルタ３１の通過帯域を第２アップリンク動作バンドとすることで、スイッチ５１により、フィルタ１１および電力増幅器４１と、フィルタ３１および電力増幅器４２とのアイソレーションの劣化が抑制されるため、３次相互変調歪による受信感度の劣化を抑制できる。
　また例えば、高周波回路１において、低周波側または高周波側から、第３バンド、第２バンド、および第１バンドの順に位置しており、フィルタ１１は第１バンドに対応した通過帯域を有し、フィルタ２１は第２バンドに対応した通過帯域を有し、フィルタ３１は第３バンドに対応した通過帯域を有してもよい。
　これによれば、第２バンドは第１バンドと第３バンドとの間の周波数帯域であり、電力増幅器４１は第１バンドおよび第２バンドの増幅帯域、電力増幅器４２は第２バンドおよび第３バンドの増幅帯域と有すればよい。つまり、電力増幅器４１および４２の増幅帯域を狭めることで電力増幅器の性能を改善できる。よって、高周波回路１を伝送する送信信号の信号品質を向上できる。
　また例えば、高周波回路１において、第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であり、第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８であってもよい。
　また例えば、高周波回路１Ｂにおいて、第３バンドは、第３ダウンリンク動作バンドおよび第３アップリンク動作バンドで構成されており、第２ダウンリンク動作バンドと第３ダウンリンク動作バンドとは、周波数が一部重複し、高周波回路１Ｂは、さらに、第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１２と、第２ダウンリンク動作バンドおよび第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２２と、を備えてもよい。
　これによれば、受信フィルタの員数が削減された、ＥＮＤＣ可能な小型の高周波回路１Ｂを提供できる。
　また例えば、高周波回路１において、第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５であり、第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であり、第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ７１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１であってもよい。
　また例えば、高周波回路１において、第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ７１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１であり、第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１２、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１２であり、第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５であってもよい。
　また例えば、高周波回路１において、フィルタ２１とフィルタ３１とは、同一のチップに形成されていてもよい。
　第２アップリンク動作バンドと第３バンドとの間には第２ダウンリンク動作バンドが存在するため、３次相互変調歪の不要信号が第３バンドのダウンリンク動作バンドおよび第２ダウンリンク動作バンドに発生する可能性が低い。よって、フィルタ２１とフィルタ３１とを１チップ化することで、３次相互変調歪による受信感度の劣化を懸念することなく小型化できる。
　また例えば、高周波回路１において、フィルタ２１および３１は弾性波フィルタであり、フィルタ２１とフィルタ３１とは、同一の圧電基板に形成されていてもよい。
　これによれば、３次相互変調歪による受信感度の劣化を懸念することなく小型化できる。
　また例えば、高周波回路１において、第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドで構成された周波数分割複信（ＦＤＤ）用の第１バンド、第２ダウンリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用の第２バンド、および第３バンドにおいて、低周波側または高周波側から、第２アップリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第１ダウンリンク動作バンド、および第２ダウンリンク動作バンド、の順に位置しており、フィルタ１１は、第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、フィルタ２１は、第３バンドに対応した通過帯域を有し、フィルタ３１は、第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有してもよい。
　これによれば、第１バンドおよび第２バンドが第２アップリンク動作バンド、第１アップリンク動作バンド、第１ダウンリンク動作バンド、第２ダウンリンク動作バンドの周波数順のため、３次相互変調歪の周波数が第２ダウンリンク動作バンド、第２アップリンク動作バンド、または第１ダウンリンク動作バンドに重複する場合がある。これに対して、フィルタ１１の通過帯域を第１アップリンク動作バンド、フィルタ３１の通過帯域を第２アップリンク動作バンドとすることで、スイッチ５１により、フィルタ１１および電力増幅器４１と、フィルタ３１および電力増幅器４２とのアイソレーションの劣化が抑制されるため、３次相互変調歪を抑制できる。
　また例えば、高周波回路１において、第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２、バンドＢ２５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２、またはバンドｎ２５であり、第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ６６、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６６であり、第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１であってもよい。
　また例えば、高周波回路１Ｃは、さらに、端子５６ａ、５６ｂ、５６ｃおよび５６ｄを有し、端子５６ａと端子５６ｃとを接続し、かつ、端子５６ｂと端子５６ｄとを接続する第１接続状態と、端子５６ａと端子５６ｄとを接続し、かつ、端子５６ｂと端子５６ｃとを接続する第２接続状態とを切り替えることが可能なスイッチ５６を備え、端子５６ａは電力増幅器４１の入力端子に接続され、端子５６ｂは電力増幅器４２の入力端子に接続され、端子５６ｃにはＮＲ信号が入力され、端子５６ｄにはＬＴＥ信号が入力されてもよい。
　これによれば、簡素化されたスイッチ回路により、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方を電力増幅器４１で増幅しているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方を電力増幅器４２で増幅することが可能となる。
　また例えば、高周波回路１は、さらに、モジュール基板９０を備え、フィルタ１１、２１および３１、電力増幅器４１および４２、ならびにスイッチ５１は、モジュール基板９０に配置されていてもよい。
　これによれば、ＥＮＤＣが可能な小型の高周波回路１で実現できる。
　また、本実施の形態に係る通信装置４は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２ａおよび２ｂとの間で高周波信号を伝送する高周波回路１と、を備える。
　これによれば、通信装置４は、高周波回路１の上記効果と同様の効果を奏することができる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されてもよい。
　また、上記実施の形態において、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥのためのバンドが用いられていたが、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥに加えてまたは代わりに、他の無線アクセス技術のための通信バンドが用いられてもよい。例えば、無線ローカルエリアネットワークのための通信バンドが用いられてもよい。また例えば、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。この場合、高周波回路１と、アンテナ２ａおよび２ｂと、ＲＦＩＣ３とは、ミリ波アンテナモジュールを構成し、フィルタとして、例えば分布定数型フィルタが用いられてもよい。
　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ　　高周波回路
　２ａ、２ｂ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　通信装置
　１１、１２、２１、２２、３１、３２　　フィルタ
　４１、４２　　電力増幅器
　５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６　　スイッチ
　５０ａ、５０ｂ、５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５３ａ、５４ａ、５５ａ、５５ｂ　　共通端子
　５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５２ｂ、５２ｃ、５３ｂ、５３ｃ、５４ｂ、５４ｃ、５５ｃ、５５ｄ　　選択端子
　５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄ　　端子
　９０　　モジュール基板
　１０１、１０２　　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　　高周波入力端子

Claims (16)

  1. 　ＬＴＥ（Long Term Evolution）信号とＮＲ（New Radio）信号とを同時伝送可能な高周波回路であって、
    　第１フィルタ、第２フィルタおよび第３フィルタと、
    　第１電力増幅器および第２電力増幅器と、
    　前記第１フィルタ、前記第２フィルタおよび前記第３フィルタと、前記第１電力増幅器および前記第２電力増幅器との間に接続された第１スイッチと、を備え、
    　ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の一方が前記第１電力増幅器で増幅されているとき、ＬＴＥ信号およびＮＲ信号の他方が前記第２電力増幅器で増幅され、
    　前記第１スイッチは、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器とを接続可能にし、前記第３フィルタと前記第２電力増幅器とを接続可能にし、前記第２フィルタと前記第１電力増幅器および前記第２電力増幅器の一方とを選択的に接続可能にする、
    　高周波回路。
  2. 　前記第１スイッチは、第１共通端子、第２共通端子、第１選択端子、第２選択端子および第３選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続および前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を選択的に切り替え、前記第２共通端子と前記第２選択端子との接続および前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続を選択的に切り替え、
    　前記第１共通端子は前記第１電力増幅器の出力端子に接続され、
    　前記第２共通端子は前記第２電力増幅器の出力端子に接続され、
    　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、
    　前記第２選択端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
    　前記第３選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続されている、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  3. 　前記第１共通端子と前記第３選択端子とは接続されず、前記第２共通端子と前記第１選択端子とは接続されない、
    　請求項２に記載の高周波回路。
  4. 　第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドで構成された周波数分割複信（ＦＤＤ）用の第１バンド、第２ダウンリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用の第２バンド、および第３バンドにおいて、
    　低周波側または高周波側から、前記第３バンド、前記第２ダウンリンク動作バンド、前記第２アップリンク動作バンド、前記第１アップリンク動作バンド、および前記第１ダウンリンク動作バンド、の順に位置しており、
    　前記第１フィルタは、前記第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、
    　前記第２フィルタは、前記第３バンドに対応した通過帯域を有し、
    　前記第３フィルタは、前記第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  5. 　低周波側または高周波側から、第３バンド、第２バンド、および第１バンドの順に位置しており、
    　前記第１フィルタは、前記第１バンドに対応した通過帯域を有し、
    　前記第２フィルタは、前記第２バンドに対応した通過帯域を有し、
    　前記第３フィルタは、前記第３バンドに対応した通過帯域を有する、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  6. 　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ８、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８であり、
    　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２０、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、
    　前記第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２８、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８である、
    　請求項４または５に記載の高周波回路。
  7. 　前記第３バンドは、第３ダウンリンク動作バンドおよび第３アップリンク動作バンドで構成されており、
    　前記第２ダウンリンク動作バンドと前記第３ダウンリンク動作バンドとは、周波数が一部重複し、
    　前記高周波回路は、さらに、
    　前記第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタと、
    　前記第２ダウンリンク動作バンドおよび前記第３ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第５フィルタと、を備える、
    　請求項６に記載の高周波回路。
  8. 　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５であり、
    　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１３、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であり、
    　前記第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ７１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１である、
    　請求項４または５に記載の高周波回路。
  9. 　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ７１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１であり、
    　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１２、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１２であり、
    　前記第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ５、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５である、
    　請求項４または５に記載の高周波回路。
  10. 　前記第２フィルタと前記第３フィルタとは、同一のチップに形成されている、
    　請求項４に記載の高周波回路。
  11. 　前記第２フィルタおよび前記第３フィルタは、弾性波フィルタであり、
    　前記第２フィルタと前記第３フィルタとは、同一の圧電基板に形成されている、
    　請求項１０に記載の高周波回路。
  12. 　第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドで構成された周波数分割複信（ＦＤＤ）用の第１バンド、第２ダウンリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドで構成されたＦＤＤ用の第２バンド、および第３バンドにおいて、
    　低周波側または高周波側から、前記第２アップリンク動作バンド、前記第１アップリンク動作バンド、前記第１ダウンリンク動作バンド、および前記第２ダウンリンク動作バンド、の順に位置しており、
    　前記第１フィルタは、前記第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、
    　前記第２フィルタは、前記第３バンドに対応した通過帯域を有し、
    　前記第３フィルタは、前記第２アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  13. 　前記第１バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ２５、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２５であり、
    　前記第２バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ６６、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６６であり、
    　前記第３バンドは、４Ｇ－ＬＴＥのためのバンドＢ１、または、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１である、
    　請求項１２に記載の高周波回路。
  14. 　さらに、
    　第１端子、第２端子、第３端子および第４端子を有し、前記第１端子と前記第３端子とを接続し、かつ、前記第２端子と前記第４端子とを接続する第１接続状態と、前記第１端子と前記第４端子とを接続し、かつ、前記第２端子と前記第３端子とを接続する第２接続状態とを切り替えることが可能な第２スイッチを備え、
    　前記第１端子は前記第１電力増幅器の入力端子に接続され、
    　前記第２端子は前記第２電力増幅器の入力端子に接続され、
    　前記第３端子にはＮＲ信号が入力され、
    　前記第４端子にはＬＴＥ信号が入力される、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  15. 　さらに、
    　モジュール基板を備え、
    　前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ、前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、および前記第１スイッチは、前記モジュール基板に配置されている、
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波回路。
  16. 　高周波信号を処理する信号処理回路と、
    　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波回路と、備える、
    　通信装置。
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