JP2019193115A - 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置 - Google Patents

高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019193115A
JP2019193115A JP2018084360A JP2018084360A JP2019193115A JP 2019193115 A JP2019193115 A JP 2019193115A JP 2018084360 A JP2018084360 A JP 2018084360A JP 2018084360 A JP2018084360 A JP 2018084360A JP 2019193115 A JP2019193115 A JP 2019193115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
band
frequency
circuit
filter
transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018084360A
Other languages
English (en)
Inventor
茂 土田
Shigeru Tsuchida
茂 土田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2018084360A priority Critical patent/JP2019193115A/ja
Priority to US16/392,864 priority patent/US10848110B2/en
Priority to CN201910340178.3A priority patent/CN110401421B/zh
Publication of JP2019193115A publication Critical patent/JP2019193115A/ja
Priority to US17/064,812 priority patent/US11437959B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/213Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153Electrical filters; Controlling thereof
    • H03H7/0161Bandpass filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463Duplexers
    • H03H7/465Duplexers having variable circuit topology, e.g. including switches
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/165A filter circuit coupled to the input of an amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】周波数帯域群の高周波側端部のバンドの高調波を減衰させ、隣接バンドの高周波信号を低損失伝搬する高周波増幅回路を提供する。【解決手段】高周波増幅回路1は、送信増幅回路11および12と、第1周波数帯域群のバンドDを通過帯域とする送信フィルタD−Txと、第2周波数帯域群のバンドEおよびGをそれぞれ通過帯域とする送信フィルタE−TxおよびG−Txと、送信増幅回路11と送信フィルタD−Txとを整合させる出力整合回路31と、送信増幅回路12と送信フィルタE−TxおよびG−Txとを整合させる出力整合回路32とを備え、バンドDは第1周波数帯域群の高周波側端部に位置し、バンドEは第2周波数帯域群の低周波側端部に位置し、出力整合回路31はバンドDを通過帯域としバンドDの高調波を減衰帯域とする低域通過回路を有し、出力整合回路32は通過帯域をバンドにより可変させるインピーダンス可変回路を有する。【選択図】図1

Description

本発明は、高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置に関する。
携帯電話等の移動体通信端末では、マルチバンド化に対応した電力増幅モジュールが用いられる。
特許文献1には、受信周波数帯域のノイズの発生を抑制するための電力増幅モジュールが開示されている。特許文献1に開示された電力増幅モジュールは、第1の入力端子(IN3)から入力された第1の高周波送信信号を増幅して第1の出力端子(SW3)へ出力する第1の増幅回路(PA1およびPA2)と、第2の入力端子(IN1)から入力された第2の高周波送信信号を増幅して第2の出力端子(SW4)へ出力する第2の増幅回路(PA3およびPA5)と、を備える。電力増幅モジュールは、さらに、第1の増幅回路および第1の出力端子の間に設けられた減衰回路(MN3)と、第2の増幅回路および第2の出力端子の間に設けられた減衰回路(MN7)と、を備える。
特開2017−103665号公報
特許文献1に開示された電力増幅モジュールでは、例えば、低周波側帯域群(例えば、ローバンド群)に属するバンドの高周波送信信号が第2の入力端子(IN1)から入力され、高周波側帯域群(例えば、ハイバンド群)に属するバンドの高周波送信信号が第1の入力端子(IN3)から入力される。ここで、第2の入力端子から入力された高周波送信信号のバンドに応じて第2の出力端子(SW4)が切り替えられ、また、第1の入力端子から入力された高周波送信信号のバンドに応じて第1の出力端子(SW3)が切り替えられる。これにより、第1の入力端子および第2の入力端子からそれぞれ入力された高周波送信信号は、後段に接続されたフィルタ回路に伝送される。このとき、後段のフィルタ回路だけで高周波送信信号の通過特性を良好とするには限界があるため、電力増幅モジュールが有する減衰回路(MN3およびMN7)の通過特性を最適化する必要がある。
例えば、低周波側帯域群の周波数範囲における高周波側端部に位置する第1バンドの高周波送信信号を第2の入力端子(IN1)から入力させて電力増幅モジュールを伝送させる場合、他バンドの高周波送信信号への干渉を抑制すべく、第1バンドの高調波を十分に減衰させる必要がある。この場合、後段のフィルタ回路だけでは上記高調波の減衰特性を十分満足できないため、電力増幅モジュールの減衰回路(MN3)が第1バンドを低損失で通過させ、かつ、第1バンドの高調波を十分に減衰させる必要が生じる。
ここで、第1バンドの高周波側に隣接する第2バンドの高周波送信信号も第2の入力端子(IN1)から入力させるとした場合、第2バンドが第1バンドと当該第1バンドの高調波との間に位置するため、第2バンドの高周波送信信号が当該高調波の減衰特性を重視した減衰回路(MN3)を通過すると、第2バンドの伝送損失が悪化してしまうという問題がある。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、複数のバンドが含まれる周波数帯域群の高周波側端部に位置するバンドの高調波を減衰させつつ、当該バンドの高周波側に隣接するバンドの高周波送信信号を低損失で送信することが可能な高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波増幅回路は、第1周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第1送信増幅回路と、前記第1周波数帯域群の高周波側に隣接する第2周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第2送信増幅回路と、前記第1周波数帯域群に属する第1バンドを通過帯域とする第1フィルタと、前記第2周波数帯域群に属する第2バンドを通過帯域とする第2フィルタと、前記第2周波数帯域群に属し、前記第2バンドよりも高周波側に位置する第3バンドを通過帯域とする第3フィルタと、前記第1送信増幅回路の出力端子と前記第1フィルタの入力端子との間に配置され、前記第1送信増幅回路と前記第1フィルタとをインピーダンス整合させる第1出力整合回路と、前記第2送信増幅回路の出力端子と前記第2フィルタの入力端子および前記第3フィルタの入力端子との間に配置され、前記第2送信増幅回路と前記第2フィルタおよび前記第3フィルタとをインピーダンス整合させる第2出力整合回路と、を備え、前記第1バンドは、前記第1周波数帯域群の周波数範囲における高周波側端部に位置し、前記第2バンドは、前記第2周波数帯域群の周波数範囲における低周波側端部に位置し、前記第1バンドの高周波送信信号の高調波の周波数は、前記第2バンドよりも高く、前記第1出力整合回路は、前記第1バンドを通過帯域とし、前記高調波の周波数を減衰帯域とする低域通過回路を有し、前記第2出力整合回路は、通過帯域におけるインピーダンスを前記第2バンドと前記第3バンドとで可変させるインピーダンス可変回路を有する。
また、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、第1周波数帯域群に属する複数の周波数帯域のうちの1以上の周波数帯域の高周波信号または前記第1周波数帯域群よりも高周波側に位置する第2周波数帯域群に属する複数の周波数帯域のうちの1以上の周波数帯域の高周波信号と、前記第2周波数帯域群よりも高周波側に位置する第3周波数帯域群に属する複数の周波数帯域のうちの1以上の周波数帯域の高周波信号と、を同時に送信することが可能な高周波フロントエンド回路であって、上記記載の高周波増幅回路と、前記第3周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第3送信増幅回路と、前記第3周波数帯域群に属する第4バンドを通過帯域とする第4フィルタと、共通入出力端子、第1入出力端子および第2入出力端子を有し、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、および前記第3フィルタから出力される高周波送信信号が前記第1入出力端子に入力され、前記第4フィルタから出力される高周波送信信号が前記第2入出力端子に入力されるマルチプレクサと、を備え、前記第1バンドの高周波送信信号の高調波の周波数は、前記第4バンドと重複し、前記マルチプレクサは、前記共通入出力端子および前記第1入出力端子に接続され、前記第1周波数帯域群および前記第2周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とする第1広帯域フィルタと、前記共通入出力端子および前記第2入出力端子に接続され、前記第3周波数帯域群の周波数範囲を通過帯域とする第2広帯域フィルタと、を有する。
また、本発明の一態様に係る通信装置は、高周波送信信号を処理するRF信号処理回路と、前記RF信号処理回路から出力された前記高周波送信信号をアンテナ素子へ伝送する上記記載の高周波フロントエンド回路と、を備える。
本発明によれば、複数のバンドが含まれる周波数帯域群の高周波側端部に位置するバンドの高調波を減衰させつつ、当該バンドの高周波側に隣接するバンドの高周波送信信号を低損失で送信することが可能な高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態に係る通信装置の回路構成図である。 実施例に係る通信装置の回路構成図である。 実施の形態および従来における2つの周波数帯域群と各バンドとの関係を示す図である。 比較例に係る高周波増幅回路の概略回路構成図である。 比較例に係る第1出力整合回路の回路構成図である。 比較例に係る第1出力整合回路の通過特性を表すグラフである。 実施例に係る高周波増幅回路の概略回路構成図である。 実施例に係る第2出力整合回路の回路構成図である。 実施例に係る第1出力整合回路の通過特性を表すグラフである。 実施例に係る第1出力整合回路および第2出力整合回路の通過特性を表すグラフである。 実施例に係る第2出力整合回路のインピーダンス特性を表すスミスチャートである。 比較例に係る第2送信増幅回路および第2出力整合回路を含む送信経路の利得および効率をバンドごとに表すグラフである。 実施例に係る第2送信増幅回路および第2出力整合回路を含む送信経路の利得および効率をバンドごとに表すグラフである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
(実施の形態)
[1.1 実施の形態に係る通信装置の構成]
図1は、実施の形態に係る通信装置6の回路構成図である。同図に示すように、通信装置6は、アンテナ素子2と、高周波フロントエンド回路3と、RF信号処理回路(RFIC)4と、ベースバンド信号処理回路(BBIC)5と、を備える。
高周波フロントエンド回路3は、高周波増幅回路1と、スイッチ回路60と、ダイプレクサ70と、送信増幅回路13と、受信増幅回路23と、出力整合回路33と、デュプレクサ53bと、を備える。
高周波増幅回路1は、送信増幅回路11および12と、デュプレクサ51d、52aおよび52cと、出力整合回路31および32と、受信増幅回路21および22と、スイッチ回路40と、を備える。
送信増幅回路11は、第1周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第1送信増幅回路である。送信増幅回路12は、第1周波数帯域群よりも高周波側に隣接する第2周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第2送信増幅回路である。
デュプレクサ51dは、送信フィルタD−Txおよび受信フィルタD−Rxで構成され、第1周波数帯域群に属するバンドD(第1バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタD−Txは、バンドD(第1バンド)の送信帯域を通過帯域と第1フィルタである。
デュプレクサ52aは、送信フィルタE−Txおよび受信フィルタE−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属するバンドE(第2バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタE−Txは、バンドE(第2バンド)の送信帯域を通過帯域と第2フィルタである。
デュプレクサ52cは、送信フィルタG−Txおよび受信フィルタG−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属し、バンドE(第2バンド)よりも高周波側に位置するバンドG(第3バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタG−Txは、バンドG(第3バンド)の送信帯域を通過帯域と第3フィルタである。
出力整合回路31は、送信増幅回路11の出力端子と送信フィルタD−Txの入力端子との間に配置され、送信増幅回路11と送信フィルタD−Txとをインピーダンス整合させる第1出力整合回路である。
出力整合回路32は、送信増幅回路12の出力端子と送信フィルタE−Txの入力端子および送信フィルタG−Txの入力端子との間に配置され、送信増幅回路12と送信フィルタE−Txおよび送信フィルタG−Txとをインピーダンス整合させる第2出力整合回路である。なお、出力整合回路32と送信フィルタE−Txおよび送信フィルタG−Txとは、スイッチ回路40を介して接続されている。
スイッチ回路40は、共通端子40a、選択端子40bおよび40cを有し、出力整合回路32と送信フィルタE−Txとの接続、および、出力整合回路32と送信フィルタG−Txとの接続を、排他的に切り替える。スイッチ回路40は、例えば、SPDT(Single Pole Double Throw)型のスイッチである。なお、スイッチ回路40は、バンドEの高周波送信信号を、送信フィルタE−Txを経由して伝搬させ、バンドGの高周波送信信号を、送信フィルタG−Txを経由して伝搬させる上で、必須の構成要素ではない。
受信増幅回路21は、受信フィルタD−Rxを通過した第1周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する。受信増幅回路22は、受信フィルタE−Rxまたは受信フィルタG−Rxを通過した第2周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する。
なお、高周波増幅回路1は、高周波送信信号および高周波受信信号のうちの高周波送信信号のみを伝搬させる送信系の高周波増幅回路であってもよい。この場合には、受信増幅回路21および22は不要である。また、この場合には、デュプレクサ51dは、送信フィルタD−Txおよび受信フィルタD−Rxのうちの送信フィルタD−Txのみで構成されていればよい。また、デュプレクサ52aは、送信フィルタE−Txおよび受信フィルタE−Rxのうちの送信フィルタE−Txのみで構成されていればよい。また、デュプレクサ52cは、送信フィルタG−Txおよび受信フィルタG−Rxのうちの送信フィルタG−Txのみで構成されていればよい。
ここで、本実施の形態に係る高周波増幅回路1では、バンドDは、第1周波数帯域群の周波数範囲における高周波側端部に位置し、バンドEは、第2周波数帯域群の周波数範囲における低周波側端部に位置し、バンドDの高周波送信信号の2倍高調波の周波数(2×F)は、バンドEよりも高い。
さらに、出力整合回路31は、バンドDを通過帯域とし、バンドDの高周波送信信号の2倍高調波の周波数(2×F)を減衰帯域とする低域通過回路を有している。また、出力整合回路32は、通過帯域をバンドEとバンドGとで可変させるインピーダンス可変回路を有している。
高周波増幅回路1の上記構成によれば、隣接する第1周波数帯域群および第2周波数帯域群に属する複数のバンドD、EおよびGの高周波送信信号を伝送する複数の信号経路のうちから、1以上の信号経路を選択して高周波送信信号を伝送することが可能である。高周波増幅回路1において、第1周波数帯域群の高周波送信信号を伝送する信号経路には、第1周波数帯域群において最適な増幅特性を有する送信増幅回路11が配置され、第2周波数帯域群の高周波送信信号を伝送する信号経路には、第2周波数帯域群において最適な増幅特性を有する送信増幅回路12が配置されている。
第1周波数帯域群の周波数範囲における高周波側端部に位置するバンドDを通過帯域とする送信フィルタD−Txは、他バンドの高周波信号への干渉を抑制すべく、バンドDの高調波を減衰させる特性を有する必要がある。この場合、送信フィルタD−Txだけでは、通過帯域の低損失かつ上記高調波の減衰量を十分確保できない場合があり、出力整合回路31がバンドDを低損失で通過させ、かつ、バンドDの高調波を十分に減衰させる必要が生じる。
ここで、バンドDの高周波側に隣接するバンドEが第1周波数帯域群に属し、バンドEの信号経路が送信増幅回路11に接続されていると仮定する。この場合、バンドEがバンドDとバンドDの2倍高調波(2×F)との間に位置するため、バンドEの高周波送信信号が、当該2倍高調波の減衰特性を重視した出力整合回路を通過すると、バンドEの挿入損失が悪化してしまう。
これに対して、本実施の形態に係る高周波増幅回路1の構成によれば、バンドEを第2周波数帯域群に属することとし、バンドEの信号経路が送信増幅回路12に接続されている。これにより、出力整合回路31は、バンドEの挿入損失を考慮する必要がないので、バンドDの高周波送信信号の低損失とバンドDの2倍高調波の高減衰とを両立できる。
一方、バンドEを第2周波数帯域群に属することとしたことにより、送信増幅回路12は、第2周波数帯域群の周波数範囲における低周波側端部に位置することとなるバンドEと、バンドEよりも高周波側に位置するバンドGとをカバーする広帯域な増幅特性が要求される。これに対して、送信増幅回路12に接続された出力整合回路32は、通過帯域におけるインピーダンス整合をバンドEとバンドGとで可変して最適化するインピーダンス可変回路を有するので、バンドEおよびバンドGの高周波送信信号を低損失で送信することが可能となる。また、バンドEおよびバンドGのそれぞれに対応する出力整合回路を、個別に設けることなく、バンドEおよびバンドGをカバーする広帯域な周波数特性を、インピーダンス可変回路を有する1つの出力整合回路32で実現できるので、高周波フロントエンド回路3を簡素化することが可能となる。
よって、隣接する周波数帯域群のうちの低周波側帯域群(第1周波数帯域群)の高周波側端部に位置するバンドDの2倍高調波を十分に減衰させつつ、隣接する周波数帯域群(第2周波数帯域群)との境界帯域に位置するバンドEを低損失で送信することが可能となる。
次に、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路3のうち、高周波増幅回路1以外の構成要素について説明する。
送信増幅回路13は、第2周波数帯域群よりも高周波側に位置する第3周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第3送信増幅回路である。
デュプレクサ53bは、送信フィルタL−Txおよび受信フィルタL−Rxで構成され、第3周波数帯域群に属するバンドL(第4バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタL−Txは、バンドL(第4バンド)の送信帯域を通過帯域とする第4フィルタである。
受信増幅回路23は、受信フィルタL−Rxを通過した第3周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する。
出力整合回路33は、送信増幅回路13の出力端子と送信フィルタL−Txの入力端子との間に配置され、送信増幅回路13と送信フィルタL−Txとをインピーダンス整合させる回路である。
なお、高周波フロントエンド回路3は、高周波送信信号および高周波受信信号のうちの高周波送信信号のみを伝搬させる送信系の高周波フロントエンド回路であってもよい。この場合には、受信増幅回路23は不要である。また、この場合には、デュプレクサ53bは、送信フィルタL−Txおよび受信フィルタL−Rxのうちの送信フィルタL−Txのみで構成されていればよい。
ダイプレクサ70は、共通入出力端子100、入出力端子171(第1入出力端子)および入出力端子172(第2入出力端子)、ならびに、広帯域フィルタ70Lおよび70Mを有するマルチプレクサである。なお、ダイプレクサ70は、本実施の形態のように複数の周波数帯域群の高周波信号を2分波および合波するほか、3以上を分波および合波するマルチプレクサであってもよい。
広帯域フィルタ70Lは、共通入出力端子100および入出力端子171に接続され、第1周波数帯域群および第2周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とする第1広帯域フィルタである。
広帯域フィルタ70Mは、共通入出力端子100および入出力端子172に接続され、第3周波数帯域群の周波数範囲を通過帯域とする第2広帯域フィルタである。
上記構成により、送信フィルタD−Tx、E−TxおよびG−Txから出力される高周波送信信号が入出力端子171に入力され、送信フィルタL−Txから出力される高周波送信信号が入出力端子172に入力される。
ここで、バンドDの高周波送信信号の2倍高調波の周波数(2×F)は、バンドLと重複する。
スイッチ回路60は、共通端子60a、選択端子60b、60cおよび60dを有し、入出力端子171と送信フィルタD−Txとの接続、および、入出力端子171と送信フィルタE−Txとの接続、および、入出力端子171と送信フィルタG−Txとの接続を切り替える。スイッチ回路60は、例えば、SP3T(Single Pole Tripple Throw)型のスイッチである。なお、スイッチ回路60は、バンドDの高周波送信信号を、送信フィルタD−Txを経由して伝搬させ、バンドEの高周波送信信号を、送信フィルタE−Txを経由して伝搬させ、バンドGの高周波送信信号を、送信フィルタG−Txを経由して伝搬させる上で、必須の構成要素ではない。
高周波フロントエンド回路3の上記構成によれば、第1周波数帯域群および第2周波数帯域群に属する複数のバンドD、E、およびGのうちの1以上のバンドの高周波信号と、第3周波数帯域群に属するバンドLの高周波信号と、を同時に送信(CA:キャリアアグリゲーション)することが可能となる。なお、高周波フロントエンド回路3の上記構成によれば、上記同時送信に加えて、同時受信することも可能である。
ここで、高周波フロントエンド回路3において、第1周波数帯域群に属するバンドDの2倍高調波(2×F)が、第3周波数帯域群に属するバンドLと重複している。このため、バンドDとバンドLとの同時送信を実行する場合に、上記2倍高調波によるバンドLの伝搬損失の悪化を回避するため、出力整合回路31は、バンドDを低損失で通過させ、かつ、バンドDの2倍高調波を十分に減衰させる必要がある。さらに、上記同時送信に加えて、バンドDとバンドLとの同時受信も同時に実行する場合には、バンドLの受信帯域がバンドDの2倍高調波と重複するため、バンドLの受信感度などを低下させぬようバンドDの2倍波高調波を十分に減衰させる必要がある。
上記構成によれば、バンドEを第2周波数帯域群に属することとし、バンドEの信号経路を送信増幅回路12に接続している。これにより、出力整合回路31は、バンドEの挿入損失を考慮する必要がないので、バンドDの高周波送信信号の低損失とバンドDの2倍高調波の高減衰とを両立できる。
一方、送信増幅回路12に接続された出力整合回路32は、通過帯域のインピーダンス整合をバンドEとバンドGとで可変させるインピーダンス可変回路を有するので、バンドEおよびバンドGの高周波送信信号を低損失で送信することが可能となる。
よって、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路3によれば、第1周波数帯域群の高周波側端部に位置するバンドDの高調波を十分に減衰させつつ、第1周波数帯域群および第2周波数帯域群と、第3周波数帯域群とのCAを低損失で実行することが可能となる。
次に、本実施の形態に係る通信装置6のうち、高周波フロントエンド回路3以外の構成要素について説明する。
RFIC4は、アンテナ素子2で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路である。具体的には、RFIC4は、アンテナ素子2から高周波フロントエンド回路3を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波受信信号をBBIC5へ出力する。また、RFIC4は、BBIC5から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波フロントエンド回路3へ出力する。
また、本実施の形態では、RFIC4は、使用されるバンド(周波数帯域)に基づいて、高周波フロントエンド回路3が有するスイッチ回路40および60の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、RFIC4は、制御信号(図示せず)によって、スイッチ回路40および60の接続を切り替える。なお、制御部は、RFIC4の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波フロントエンド回路3またはBBIC5に設けられていてもよい。
通信装置6の上記構成によれば、第1周波数帯域群の高周波側端部に位置するバンドDの高調波を十分に減衰させつつ、第1周波数帯域群および第2周波数帯域群と、第3周波数帯域群とのCAを低損失で実行することが可能となる。
[1.2 実施例および比較例に係る高周波フロントエンド回路の構成]
図2は、実施例に係る通信装置6Aの回路構成図である。同図に示された通信装置6Aは、図1に示された実施の形態に係る通信装置6の具体的回路であり、各周波数帯域群に属するバンド数が増加している。以下、実施例に係る通信装置6Aについて、実施の形態に係る通信装置6と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
図2に示すように、通信装置6Aは、アンテナ素子2と、高周波フロントエンド回路3Aと、RFIC4と、BBIC5と、を備える。
高周波フロントエンド回路3Aは、高周波増幅回路1Aと、スイッチ回路43、61および63と、ダイプレクサ70と、送信増幅回路13と、受信増幅回路23と、出力整合回路33と、デュプレクサ53aおよび53bと、を備える。
高周波増幅回路1Aは、送信増幅回路11および12と、デュプレクサ51a、51b、51c、51d、52a、52b、52c、52d、および52eと、出力整合回路31および32と、受信増幅回路21および22と、スイッチ回路41および42と、を備える。
デュプレクサ51aは、送信フィルタA−Txおよび受信フィルタA−Rxで構成され、第1周波数帯域群に属するバンドAを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタA−Txは、バンドAの送信帯域を通過帯域とする。バンドAは、例えば、LTE(Long Term Evolution)のBand71(送信帯域:663−698MHz、受信帯域:617−652MHz)である。
デュプレクサ51bは、送信フィルタB−Txおよび受信フィルタB−Rxで構成され、第1周波数帯域群に属するバンドBを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタB−Txは、バンドBの送信帯域を通過帯域とする。バンドBは、例えば、LTEのBand12(送信帯域:699−716MHz、受信帯域:729−746MHz)である。
デュプレクサ51cは、送信フィルタC−Txおよび受信フィルタC−Rxで構成され、第1周波数帯域群に属するバンドCを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタC−Txは、バンドCの送信帯域を通過帯域とする。バンドCは、例えば、LTEのBand28A(送信帯域:703−733MHz、受信帯域:758−788MHz)である。
デュプレクサ51dは、送信フィルタD−Txおよび受信フィルタD−Rxで構成され、第1周波数帯域群に属するバンドD(第1バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタD−Txは、バンドD(第1バンド)の送信帯域を通過帯域とする第1フィルタである。バンドDは、例えば、LTEのBand28B(送信帯域:718−748MHz、受信帯域:773−803MHz)である。
デュプレクサ52aは、送信フィルタE−Txおよび受信フィルタE−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属するバンドE(第2バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタE−Txは、バンドE(第2バンド)の送信帯域を通過帯域とする第2フィルタである。バンドEは、例えば、LTEのBand13(送信帯域:777−787MHz、受信帯域:746−756MHz)である。
デュプレクサ52bは、送信フィルタF−Txおよび受信フィルタF−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属するバンドFを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタF−Txは、バンドFの送信帯域を通過帯域とする。バンドFは、例えば、LTEのBand14(送信帯域:788−798MHz、受信帯域:758−768MHz)である。
デュプレクサ52cは、送信フィルタG−Txおよび受信フィルタG−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属し、バンドE(第2バンド)よりも高周波側に位置するバンドG(第3バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタG−Txは、バンドG(第3バンド)の送信帯域を通過帯域とする第3フィルタである。バンドGは、例えば、LTEのBand20(送信帯域:832−862MHz、受信帯域:791−821MHz)である。
デュプレクサ52dは、送信フィルタH−Txおよび受信フィルタH−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属するバンドHを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタH−Txは、バンドHの送信帯域を通過帯域とする。バンドHは、例えば、LTEのBand26(送信帯域:814−849MHz、受信帯域:859−894MHz)である。
デュプレクサ52eは、送信フィルタJ−Txおよび受信フィルタJ−Rxで構成され、第2周波数帯域群に属するバンドJを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタJ−Txは、バンドJの送信帯域を通過帯域とする。バンドJは、例えば、LTEのBand8(送信帯域:880−915MHz、受信帯域:925−960MHz)である。
出力整合回路31は、送信増幅回路11の出力端子と送信フィルタA−Tx、B−Tx、C−TxおよびD−Txの入力端子との間に配置され、送信増幅回路11と送信フィルタA−Tx〜D−Txとをインピーダンス整合させる第1出力整合回路である。なお、出力整合回路31と送信フィルタA−Tx、B−Tx、C−TxおよびD−Txとは、スイッチ回路41を介して接続されている。
出力整合回路32は、送信増幅回路12の出力端子と送信フィルタE−Tx、F−Tx、G−Tx、H−TxおよびJ−Txの入力端子との間に配置され、送信増幅回路12と送信フィルタE−Tx〜J−Txとをインピーダンス整合させる第2出力整合回路である。なお、出力整合回路32と送信フィルタE−Tx、F−Tx、G−Tx、H−TxおよびJ−Txとは、スイッチ回路42を介して接続されている。
スイッチ回路41は、出力整合回路31と送信フィルタA−Tx〜D−Txとの接続、を切り替える。スイッチ回路40は、例えば、SP4T(Single Pole 4 Throw)型のスイッチである。スイッチ回路42は、出力整合回路32と送信フィルタE−Tx〜J−Txとの接続、を切り替える。スイッチ回路42は、例えば、SP5T(Single Pole 5 Throw)型のスイッチである。
受信増幅回路21は、受信フィルタA−Rx〜D−Rxのいずれかを通過した第1周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する。受信増幅回路22は、受信フィルタE−Rx〜J−Rxのいずれかを通過した第2周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する。
次に、本実施例に係る高周波フロントエンド回路3Aのうち、高周波増幅回路1A以外の構成要素について説明する。
送信増幅回路13は、第2周波数帯域群よりも高周波側に位置する第3周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第3送信増幅回路である。
デュプレクサ53aは、送信フィルタK−Txおよび受信フィルタK−Rxで構成され、第3周波数帯域群に属するバンドKを通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタK−Txは、バンドKの送信帯域を通過帯域とする。バンドKは、例えば、LTEのBand11(送信帯域:1427.9−1447.9MHz、受信帯域:1475.9−1495.9MHz)である。
デュプレクサ53bは、送信フィルタL−Txおよび受信フィルタL−Rxで構成され、第3周波数帯域群に属するバンドL(第4バンド)を通過帯域とするデュプレクサである。送信フィルタL−Txは、バンドL(第4バンド)の送信帯域を通過帯域とする第4フィルタである。バンドLは、例えば、LTEのBand21(送信帯域:1447.9−1462.9MHz、受信帯域:1495.9−1510.9MHz)である。
受信増幅回路23は、受信フィルタK−RxまたはL−Rxを通過した第3周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する。
出力整合回路33は、送信増幅回路13の出力端子と送信フィルタK−Tx〜L−Txの入力端子との間に配置され、送信増幅回路13と送信フィルタK−Tx〜L−Txとをインピーダンス整合させる回路である。なお、出力整合回路33と送信フィルタK−Tx〜L−Txとは、スイッチ回路43を介して接続されている。
スイッチ回路43は、出力整合回路32と送信フィルタK−Tx〜L−Txとの接続、を切り替える。スイッチ回路43は、例えば、SPDT型のスイッチである。
ダイプレクサ70は、共通入出力端子100、入出力端子171(第1入出力端子)および入出力端子172(第2入出力端子)、ならびに、広帯域フィルタ70Lおよび70Mを有するマルチプレクサである。なお、ダイプレクサ70は、本実施の形態のように複数の周波数帯域群の高周波信号を2分波および合波するほか、3以上を分波および合波するマルチプレクサであってもよい。
広帯域フィルタ70Lは、共通入出力端子100および入出力端子171に接続され、第1周波数帯域群および第2周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とする第1広帯域フィルタである。
広帯域フィルタ70Mは、共通入出力端子100および入出力端子172に接続され、第3周波数帯域群の周波数範囲を通過帯域とする第2広帯域フィルタである。
スイッチ回路61は、入出力端子171と送信フィルタA−Tx〜J−Txとの接続を切り替える。スイッチ回路61は、例えば、SP9T(Single Pole 9 Throw)型のスイッチである。スイッチ回路63は、入出力端子172と送信フィルタK−Tx〜L−Txとの接続を切り替える。スイッチ回路63は、例えば、SPDT型のスイッチである。
上記構成により、送信フィルタA−Tx〜J−Txから出力される高周波送信信号が入出力端子171に入力され、送信フィルタK−Tx〜L−Txから出力される高周波送信信号が入出力端子172に入力される。
高周波フロントエンド回路3Aの上記構成によれば、第1周波数帯域群および第2周波数帯域群に属する複数のバンドA〜Jのうちの1以上のバンドの高周波信号と、第3周波数帯域群に属するバンドK〜Lの高周波信号とを同時に送信するCAを実行することが可能となる。
ここで、高周波フロントエンド回路3Aにおいて、第1周波数帯域群に属するバンドD(Band28B)の2倍高調波(1436−1496MHz)が、第3周波数帯域群に属するバンドL(Band21)の送信帯域(1447.9−1462.9MHz)と重複している。このため、バンドDとバンドLとの同時送信(CA)を実行する場合に、上記2倍高調波によるバンドLの挿入損失の悪化を回避するため、出力整合回路31は、バンドDを低損失で通過させ、かつ、バンドDの2倍高調波を十分に減衰させる必要がある。さらに、上記同時送信に加えて、バンドDとバンドLとの同時受信も同時に実行する場合には、バンドL(Band21)の受信帯域(1495.9−1510.9MHz)が、バンドD(Band28B)の2倍高調波(1436−1496MHz)と重複するため、バンドLの受信感度などを低下させぬよう、バンドDの2倍波高調波を十分に減衰させる必要がある。
図3は、実施の形態(実施例)および従来(比較例)における2つの周波数帯域群と各バンドとの関係を示す図である。同図に示すように、実施例に係る高周波増幅回路1Aに例示された、各バンドの送信帯域の周波数は、低い方から順に、Band71、Band12、Band28A、Band28B、Band13、Band14、Band26、Band20、およびBand8となっている。
従来(比較例)の周波数割り当てでは、Band71〜Band14までが、VLB群(Very Low Band:第1周波数帯域群)に属し、Band20〜Band8までが、LB群(Low Band:第2周波数帯域群)に属している。
これに対して、本実施の形態(実施例)における周波数割り当てでは、Band71〜Band28BまでがVLB群(第1周波数帯域群)に属し、Band13〜Band8までがLB群(第2周波数帯域群)に属している。
つまり、本実施例に係る高周波増幅回路1Aでは、Band28Bは、VLB群の周波数範囲における高周波側端部に位置し、Band13は、LB群の周波数範囲における低周波側端部に位置し、Band28Bの高周波送信信号の2倍高調波の周波数(2×F:1436−1496MHz)は、Band13(送信帯域:777−787MHz)よりも高い。
図4Aは、比較例に係る高周波増幅回路500の概略回路構成図である。同図に示すように、高周波増幅回路500は、送信増幅回路11および12と、送信フィルタB71Tx、B12Tx、B28ATx、B28BTx、B13Tx、B14Tx、B20Tx、B26Tx、およびB8Txと、出力整合回路531および532と、スイッチ回路541および542と、を備える。なお、比較例に係る高周波増幅回路500では、受信系回路は省略している。比較例に係る高周波増幅回路500は、実施例に係る高周波増幅回路1Aと比較して、送信フィルタB13Tx(Band13の送信フィルタ)およびB14Tx(Band14の送信フィルタ)が、VLB群(第1周波数帯域群)側に配置されている点が異なる。
図4Bは、比較例に係る出力整合回路531の回路構成図である。同図に示された出力整合回路531は、キャパシタC51、C52、C53、C54、およびC55と、インダクタL51、L52、L54、およびL55と、を有している。
インダクタL51とキャパシタC51とは、送信増幅回路11の出力端子となる出力整合回路531の入力端子511と、出力整合回路531の出力端子512とを結ぶ経路に直列接続されている。キャパシタC52は、入力端子511およびインダクタL51の接続点である第1接続ノードとグランドとの間に配置されている。キャパシタC53は、第1接続ノードおよびインダクタL51の接続点である第2接続ノードとグランドとの間に配置されている。キャパシタC54は、インダクタL51およびキャパシタC51の接続点である第3接続ノードとグランドとの間に配置されている。インダクタL52は、キャパシタC52およびグランドに接続されている。インダクタL54は、キャパシタC54およびグランドに接続されている。インダクタ55は、上記第1接続ノードおよび駆動電源(Vcc)に接続され、キャパシタC55は、駆動電源(Vcc)およびグランドに接続されている。
上記接続構成により、インダクタL51およびキャパシタC52は、VLB群(第1周波数帯域群)の周波数範囲を通過帯域とする低域通過型フィルタを構成している。キャパシタC52とインダクタL52との直列接続回路は、上記低域通過型フィルタにおけるバンド28Bの2倍高調波の減衰極を形成する。また、キャパシタC54とインダクタL54との直列接続回路は、上記低域通過型フィルタにおけるバンド28Bの3倍高調波の減衰極を形成する。キャパシタC53は、送信増幅回路11の電力整合および効率整合をとる機能を有している。キャパシタC51は、送信増幅回路11から出力された高周波送信信号の直流成分を除去する、いわゆるDCカット用のキャパシタである。インダクタL55およびキャパシタC55は、送信増幅回路11から出力された高周波送信信号と、駆動電源(Vcc)から供給される直流電圧とのアイソレーションを確保するための整合回路である。
図4Cは、比較例に係る出力整合回路531の通過特性を表すグラフである。同図に示すように、出力整合回路531は、Band71〜Band14までのVLB群(第1周波数帯域群)を通過帯域とし、CAの相手であるBand11およびBand21が属するLMB(Low Middle Band)群(第3周波数帯域群)を減衰帯域とする通過特性を有している。ここで、比較例に係る高周波増幅回路500では、出力整合回路531は、Band71〜Band14の高周波送信信号を通過させる必要があるため、Band13(送信帯域:777−787MHz)およびBand14(送信帯域:788−798MHz)を低損失で通過させる必要がある。このため、図4Cでは、Band28Bの挿入損失は0.841dB(反射損除去後0.725dB)であるとともに、Band13の挿入損失は0.826dB(反射損除去後0.765dB)であり、Band14の挿入損失は0.830dB(反射損除去後0.780dB)であり、Band28Bとともに、Band13および14においても低損失を確保している。
しかしながら、Band13および14における低損失を確保するため、Band28Bの2倍高調波(1436−1496MHz)において、減衰量(24.718dB)が不足している。
これに対して、本実施例に係る高周波増幅回路1Aでは、Band71〜Band28BまでをVLB群(第1周波数帯域群)に属するものとして、送信増幅回路11および出力整合回路31にて伝搬させ、Band13〜Band8までをLB群(第2周波数帯域群)に属するものとして送信増幅回路12および出力整合回路32にて伝搬させている。
図5Aは、実施例に係る高周波増幅回路1Aの概略回路構成図である。同図に示すように、高周波増幅回路1Aは、送信増幅回路11および12と、送信フィルタB71Tx、B12Tx、B28ATx、B28BTx、B13Tx、B14Tx、B20Tx、B26Tx、およびB8Txと、出力整合回路31および32と、スイッチ回路41および42と、を備える。なお、図5Aに示された高周波増幅回路1Aでは、受信系回路は省略している。実施例に係る高周波増幅回路1Aは、比較例に係る高周波増幅回路500と比較して、送信フィルタB13TxおよびB14Txが、LB群(第2周波数帯域群)側に配置されている点が異なる。
図5Bは、実施例に係る出力整合回路32の回路構成図である。同図に示された出力整合回路32は、キャパシタC21、C22、C23、C24、およびC25と、インダクタL21、L22、L24、およびL25と、DTC(Digital Tunable Capacitor)26と、を有している。
インダクタL21とキャパシタC21とは、送信増幅回路12の出力端子となる出力整合回路32の入力端子121と、出力整合回路32の出力端子122とを結ぶ経路に直列接続されている。キャパシタC22(第2キャパシタ)は、入力端子121およびインダクタL21の接続点である第1接続ノードとグランドとの間に配置されている。キャパシタC23は、第1接続ノードおよびインダクタL21の接続点である第2接続ノードとグランドとの間に配置されている。キャパシタC24は、インダクタL21およびキャパシタC21の接続点である第3接続ノードとグランドとの間に配置されている。インダクタL22(第2インダクタ)は、キャパシタC22およびグランドに接続されている。インダクタL24は、キャパシタC24およびグランドに接続されている。インダクタ25は、上記第1接続ノードおよび駆動電源(Vcc)に接続され、キャパシタC25は、駆動電源(Vcc)およびグランドに接続されている。
上記接続構成により、インダクタL21およびキャパシタC22は、LB群(第2周波数帯域群)の周波数範囲を通過帯域とする低域通過型フィルタを構成している。キャパシタC22とインダクタL22との直列接続回路は、上記低域通過型フィルタにおけるBand13〜Band8の2倍高調波の減衰極を形成する。また、キャパシタC24とインダクタL24との直列接続回路は、上記低域通過型フィルタにおけるBand13〜Band8の3倍高調波の減衰極を形成する。キャパシタC23は、送信増幅回路12の電力整合および効率整合をとる機能を有している。キャパシタC21は、送信増幅回路12から出力された高周波送信信号の直流成分を除去する、いわゆるDCカット用の第3キャパシタである。インダクタL25およびキャパシタC25は、送信増幅回路12から出力された高周波送信信号と、駆動電源(Vcc)から供給される直流電圧とのアイソレーションを確保するための整合回路である。
DTC26は、キャパシタC21と出力端子122とを結ぶ経路に接続されている。言い換えると、DTC26は、キャパシタC21と送信フィルタB13Tx〜B8Txの入力端子との間に配置されている。DTC26は、出力整合回路32を通過する高周波送信信号が、LB群のBand13〜Band8のうちのどのバンドの高周波送信信号かに応じて容量値をステップ状に可変するキャパシタである。従来ではVLB群に属していたBand13および14が、本実施例ではLB群に属することとなったため、送信増幅回路12および出力整合回路32は、Band13〜Band8までの広帯域の高周波送信信号を低損失で伝搬させる必要がある。そこで、出力整合回路32では、キャパシタC21〜C25、および、インダクタL21〜L25で構成された低域通過型フィルタの通過特性を維持したままで、Band13〜Band8の選択に応じてDTC26の容量値を可変することにより、選択されたバンドに応じたインピーダンス整合を最適化している。
なお、DTC26の容量値の切り替えは、前述した制御部が実行する。制御部は、高周波フロントエンド回路3Aのスイッチ回路41、42、43、61および63の接続も制御する。なお、制御部は、RFIC4に設けられてもよく、またRFIC4の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波フロントエンド回路3AまたはBBIC5に設けられていてもよい。
出力整合回路32の上記構成により、キャパシタC22により低域通過型フィルタとして機能させ、また、インダクタL22を調整することで、通過帯域に最近接の減衰極の周波数を調整することができ、当該減衰極をLB群の高調波の周波数に合わせることが可能となる。よって、LB群の高調波の減衰量を大きくできる。
また、キャパシタC22およびインダクタL22の直列接続回路は、DCカット用のキャパシタC21の前段に配置され、DTC26は、キャパシタC21の後段に配置される。これにより、DTC26の容量値が変化しても、上記直列接続回路により設定される高調波減衰極の周波数は変化しない。よって、出力整合回路32における通過帯域と高調波減衰極とを個別に設定できる。
図5Cは、実施例に係る出力整合回路31の通過特性を表すグラフである。また、図5Dは、実施例に係る出力整合回路31および32の通過特性を表すグラフである。なお、図5Dの(a)は、出力整合回路31の反射損除去後の通過特性を表し、図5Dの(b)は、出力整合回路32のDTC26の調整により、Band13および14におけるインピーダンス整合が最適化された後の通過特性を表している。
まず、図5Cにおいて、実施例に係る出力整合回路31の通過特性を説明する。なお、実施例に係る出力整合回路31の回路接続構成は、比較例に係る出力整合回路531の回路接続構成と同様であるが、出力整合回路31を構成するキャパシタの容量値およびインダクタのインダクタンス値は、出力整合回路531を構成するキャパシタの容量値およびインダクタのインダクタンス値と異なる。
図5Cに示すように、出力整合回路31は、Band71〜Band28BまでのVLB群(第1周波数帯域群)を通過帯域とし、CAの相手であるBand11およびBand21が属するLMB群(第3周波数帯域群)を減衰帯域とする通過特性を有している。ここで、実施例に係る高周波増幅回路1Aでは、出力整合回路31は、Band71〜Band28Bの高周波送信信号を通過させる必要があるため、Band71〜Band28Bまでの挿入損失を低損失で通過させる必要がある。
図5Cでは、Band28Bの挿入損失は0.868dB(図5Dの(a)において反射損除去後0.786dB)である。また、Band28Bの2倍高調波(1436−1496MHz)において、減衰量は31.513dBとなっており、比較例に係る出力整合回路531と比較して大きくなっており、Band28Bの低損失とBand28Bの2倍高調波の高減衰とを両立させている。なお、これを実現するため、出力整合回路31において、Band13および14の挿入損失は、それぞれ、0.880dB(図5Dの(a)において反射損除去後0.845dB)および0.893dB(図5Dの(a)において反射損除去後0.867dB)となっており、比較例に係る出力整合回路531と比較して悪化している。つまり、Band28BとBand28Bの2倍高調波との間に位置するBand13および14を、出力整合回路32側でカバーさせたことにより、出力整合回路31においてBand13および14における挿入損失は考慮しなくてよい。
上記通過特性を実現するための実施例に係る出力整合回路31は、送信増幅回路11の出力端子とグランドとの間に接続された、第1キャパシタおよび第1インダクタの直列接続回路を有している。これにより、第1キャパシタにより低域通過型フィルタとして機能し、また、第1インダクタのインダクタンス値を調整することで、通過帯域に最近接の減衰極の周波数を調整することができる。この減衰極をバンドD(例えばBand28B)の高調波の周波数に合わせている。よって、バンドD(例えばBand28B)の高調波の減衰量を大きくできる。
なお、出力整合回路31の第1キャパシタは、出力整合回路32のDTC26と異なり、容量値固定型の容量素子である。これにより、VLB帯域群のバンドD(Band28B)の周波数に合わせた減衰極の周波数を固定することが可能となる。
一方、図5Dの(b)に示すように、出力整合回路32において、DTC26の調整により、Band13および14におけるインピーダンス整合を最適化することで、Band13および14の挿入損失は、それぞれ、0.618dBおよび0.623dBとなっており、比較例に係る出力整合回路531におけるBand13および14の挿入損失と比較して、大幅に改善されている。つまり、出力整合回路32は、出力整合回路32を通過する高周波送信信号が、バンドE(例えばBand13)かバンドG(例えばBand20)かにより容量値を可変するDTC26を有する。これにより、バンドEおよびバンドGのそれぞれに対応する出力整合回路を個別に設けることなく、1つの出力整合回路32により、バンドEの高周波送信信号を低損失で通過させる最適な容量値と、バンドGの高周波送信信号を低損失で通過させる最適な容量値とを、個別に設定できる。また、バンドEおよびバンドGをカバーする広帯域な周波数特性を、DTC26という可変容量素子により実現できるので、出力整合回路32を小型化することが可能となる。よって、送信増幅回路12が増幅処理する広帯域の第2周波数帯域群(例えばLB群)の高周波送信信号を、低損失かつ小型化された回路で送信できる。
図6は、実施例に係る出力整合回路32のインピーダンス特性を表すスミスチャートである。図6の(a)には、DTC26の容量値を1.1pFとした場合の、出力端子122から出力整合回路32を見たインピーダンスが示されている。また、図6の(b)には、DTC26の容量値を1.8pFとした場合の、出力端子122から出力整合回路32を見たインピーダンスが示されている。図6の(c)には、DTC26の容量値を2.5pFとした場合の、出力端子122から出力整合回路32を見たインピーダンスが示されている。
図6の(a)では、DTC26の容量値を1.1pFとすることにより、LB群に属するBand8の送信帯域のインピーダンスが基準インピーダンスに最適化されており、また、LB群に属するBand13、14、20、26、8の2倍高調波における反射係数が大きくなっている。また、図6の(b)では、DTC26の容量値を1.8pFとすることにより、LB群に属するBand20および26の送信帯域のインピーダンスが基準インピーダンスに最適化されており、また、LB群に属するBand13、14、20、26、8の2倍高調波における反射係数が大きくなっている。また、図6の(c)では、DTC26の容量値を2.5pFとすることにより、LB群に属するBand13および14の送信帯域のインピーダンスが基準インピーダンスに最適化されており、また、LB群に属するBand13、14、20、26、8の2倍高調波における反射係数が大きくなっている。
図7Aは、比較例に係る送信増幅回路12および出力整合回路532を含む送信経路の利得(図7Aの(a))および効率(図7Aの(b))をバンドごとに表すグラフである。また、図7Bは、実施例に係る送信増幅回路12および出力整合回路32を含む送信経路の利得(図7Bの(a))および効率(図7Bの(b))をバンドごとに表すグラフである。
図7Aおよび図7Bを比較すると、利得および効率の双方とも、実施例に係る送信増幅回路12および出力整合回路32を含む送信経路の方が、比較例に係る送信増幅回路12および出力整合回路532を含む送信経路よりも、バンド変化(Band13、14、20、26、8)に対する変動が小さいことが解る。
上述したように、実施例に係る高周波フロントエンド回路3Aによれば、Band13または14をLB群に属することとしたので、出力整合回路31は、Band13または14の挿入損失を考慮する必要がないので、Band28Bの高周波送信信号の低損失とBand28Bの高調波の高減衰とを両立できる。
一方、Band13または14をLB群に属することとしたことにより、送信増幅回路12は、LB群の低周波側端部に位置するBand13または14と、高周波側に位置するBand20、26または8とを増幅処理する広帯域な増幅特性が要求される。これに対して、送信増幅回路12に接続された出力整合回路32は、通過帯域を、例えばBand13/14、Band20/26、およびBand8で可変させるインピーダンス可変回路を有するので、LB群における各バンドの高周波送信信号を低損失で送信することが可能となる。
よって、VLB群の高周波側端部に位置するBand28Bの高調波を十分に減衰させつつ、VLB群およびLB群と、LMB群とのCAを低損失で実行することが可能となる。
なお、本実施の形態および実施例に係る高周波増幅回路1および1Aを構成するデュプレクサの種類および数は、上記構成に限定されず、CAを実行するバンドの組み合わせに応じて任意に設定される。また、高周波増幅回路1および1Aを構成するデュプレクサは、送信フィルタのみで構成されていてもよい。
また、本実施例に係る高周波フロントエンド回路3Aは、VLB群およびLB群の高周波信号とLMB群の高周波信号とをCA動作させる回路構成を有しているが、他の周波数帯域群の組み合わせによりCA動作させる回路にも適用することが可能である。
(その他の実施の形態)
以上、本発明に係る高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置について、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
また、例えば、実施の形態および実施例に係る高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置において、各構成要素の間に、インダクタおよびキャパシタなどの整合素子、ならびにスイッチ回路が接続されていてもかまわない。なお、インダクタには、各構成要素間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
本発明は、CAモードを実行するマルチバンドシステムに適用できる高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
1、1A、500 高周波増幅回路
2 アンテナ素子
3、3A 高周波フロントエンド回路
4 RF信号処理回路(RFIC)
5 ベースバンド信号処理回路(BBIC)
6、6A 通信装置
11、12、13 送信増幅回路
21、22、23 受信増幅回路
26 DTC
31、32、33、531、532 出力整合回路
40、41、42、43、60、61、63、541、542 スイッチ回路
40a、60a 共通端子
40b、40c、60b、60c、60d 選択端子
51a、51b、51c、51d、52a、52b、52c、52d、52e、53a、53b デュプレクサ
70 ダイプレクサ
70L、70M 広帯域フィルタ
100 共通入出力端子
110、120、121、511 入力端子
171、172 入出力端子
122、512 出力端子
C21、C22、C23、C24、C25、C51、C52、C53、C54、C55 キャパシタ
L21、L22、L24、L25、L51、L52、L54、L55 インダクタ

Claims (8)

  1. 第1周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第1送信増幅回路と、
    前記第1周波数帯域群の高周波側に隣接する第2周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第2送信増幅回路と、
    前記第1周波数帯域群に属する第1バンドを通過帯域とする第1フィルタと、
    前記第2周波数帯域群に属する第2バンドを通過帯域とする第2フィルタと、
    前記第2周波数帯域群に属し、前記第2バンドよりも高周波側に位置する第3バンドを通過帯域とする第3フィルタと、
    前記第1送信増幅回路の出力端子と前記第1フィルタの入力端子との間に配置され、前記第1送信増幅回路と前記第1フィルタとをインピーダンス整合させる第1出力整合回路と、
    前記第2送信増幅回路の出力端子と前記第2フィルタの入力端子および前記第3フィルタの入力端子との間に配置され、前記第2送信増幅回路と前記第2フィルタおよび前記第3フィルタとをインピーダンス整合させる第2出力整合回路と、を備え、
    前記第1バンドは、前記第1周波数帯域群の周波数範囲における高周波側端部に位置し、
    前記第2バンドは、前記第2周波数帯域群の周波数範囲における低周波側端部に位置し、
    前記第1バンドの高周波送信信号の高調波の周波数は、前記第2バンドよりも高く、
    前記第1出力整合回路は、前記第1バンドを通過帯域とし、前記高調波の周波数を減衰帯域とする低域通過回路を有し、
    前記第2出力整合回路は、通過帯域におけるインピーダンスを前記第2バンドと前記第3バンドとで可変させるインピーダンス可変回路を有する、
    高周波増幅回路。
  2. 前記第1出力整合回路は、
    前記第1送信増幅回路の出力端子とグランドとの間に接続された、第1キャパシタおよび第1インダクタの直列接続回路を有し、
    前記第2出力整合回路は、当該第2出力整合回路を通過する高周波送信信号が前記第2バンドか前記第3バンドかにより容量値を可変するDTC(Digital Tunable Capacitor)を有する、
    請求項1に記載の高周波増幅回路。
  3. 前記第2出力整合回路は、さらに、
    前記第2送信増幅回路の出力端子とグランドとの間に接続された、第2キャパシタおよび第2インダクタの直列接続回路と、
    前記出力端子と、前記第2フィルタの入力端子および前記第3フィルタの入力端子との間に直列配置された、直流成分を遮断するための第3キャパシタと、を有し、
    前記DTCは、前記第3キャパシタと前記第2フィルタの入力端子および前記第3フィルタの入力端子とを結ぶ経路に接続されている、
    請求項2に記載の高周波増幅回路。
  4. 前記第1キャパシタは、容量値固定型の容量素子である、
    請求項2または3に記載の高周波増幅回路。
  5. 第1周波数帯域群に属する複数の周波数帯域のうちの1以上の周波数帯域の高周波信号または前記第1周波数帯域群よりも高周波側に位置する第2周波数帯域群に属する複数の周波数帯域のうちの1以上の周波数帯域の高周波信号と、前記第2周波数帯域群よりも高周波側に位置する第3周波数帯域群に属する複数の周波数帯域のうちの1以上の周波数帯域の高周波信号と、を同時に送信することが可能な高周波フロントエンド回路であって、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波増幅回路と、
    前記第3周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する第3送信増幅回路と、
    前記第3周波数帯域群に属する第4バンドを通過帯域とする第4フィルタと、
    共通入出力端子、第1入出力端子および第2入出力端子を有し、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、および前記第3フィルタから出力される高周波送信信号が前記第1入出力端子に入力され、前記第4フィルタから出力される高周波送信信号が前記第2入出力端子に入力されるマルチプレクサと、を備え、
    前記第1バンドの高周波送信信号の高調波の周波数は、前記第4バンドと重複し、
    前記マルチプレクサは、
    前記共通入出力端子および前記第1入出力端子に接続され、前記第1周波数帯域群および前記第2周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とする第1広帯域フィルタと、
    前記共通入出力端子および前記第2入出力端子に接続され、前記第3周波数帯域群の周波数範囲を通過帯域とする第2広帯域フィルタと、を有する、
    高周波フロントエンド回路。
  6. 前記高周波フロントエンド回路は、前記第1バンドの高周波送信信号と、前記第4バンドの高周波送信信号とを同時に送信する、
    請求項5に記載の高周波フロントエンド回路。
  7. 前記高周波フロントエンド回路は、前記第1バンド、前記第2バンド、および前記第3バンドのいずれかの高周波送信信号と、前記第4バンドの高周波送信信号とを同時に送信することが可能であり、
    前記第1バンドは、LTE(Long Term Evolution)のバンド28Bであり、
    前記第2バンドは、LTEのバンド13または14であり、
    前記第3バンドは、LTEのバンド20、26、および8のいずれかであり、
    前記第4バンドは、LTEのバンド11または21である、
    請求項5または6に記載の高周波フロントエンド回路。
  8. 高周波送信信号を処理するRF信号処理回路と、
    前記RF信号処理回路から出力された前記高周波送信信号をアンテナ素子へ伝送する請求項5〜7のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
    通信装置。
JP2018084360A 2018-04-25 2018-04-25 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置 Pending JP2019193115A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018084360A JP2019193115A (ja) 2018-04-25 2018-04-25 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置
US16/392,864 US10848110B2 (en) 2018-04-25 2019-04-24 High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device
CN201910340178.3A CN110401421B (zh) 2018-04-25 2019-04-25 高频放大电路、高频前端电路以及通信装置
US17/064,812 US11437959B2 (en) 2018-04-25 2020-10-07 High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018084360A JP2019193115A (ja) 2018-04-25 2018-04-25 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019193115A true JP2019193115A (ja) 2019-10-31

Family

ID=68291708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018084360A Pending JP2019193115A (ja) 2018-04-25 2018-04-25 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10848110B2 (ja)
JP (1) JP2019193115A (ja)
CN (1) CN110401421B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131874A (ko) * 2020-04-24 2021-11-03 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 회로 및 통신 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022076338A (ja) * 2020-11-09 2022-05-19 株式会社村田製作所 高周波信号送受信回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335980A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Nec Corp 低歪高効率整合回路
US7076216B2 (en) * 2002-09-17 2006-07-11 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency device, high-frequency module and communications device comprising them
WO2007083668A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路部品及びこれを用いた通信装置
JP2016042700A (ja) 2014-08-17 2016-03-31 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. モード又は周波数によって分離された入力に対応する電力増幅器インターフェース
JP6428184B2 (ja) * 2014-11-17 2018-11-28 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路、高周波モジュール
WO2017006867A1 (ja) * 2015-07-06 2017-01-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2017103655A (ja) 2015-12-02 2017-06-08 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP2017195536A (ja) 2016-04-21 2017-10-26 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
WO2017199690A1 (ja) * 2016-05-20 2017-11-23 株式会社村田製作所 インピーダンス整合回路、高周波フロントエンド回路および通信装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131874A (ko) * 2020-04-24 2021-11-03 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 회로 및 통신 장치
KR102430265B1 (ko) * 2020-04-24 2022-08-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 회로 및 통신 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN110401421B (zh) 2022-11-18
US20210021242A1 (en) 2021-01-21
US10848110B2 (en) 2020-11-24
US20190334486A1 (en) 2019-10-31
CN110401421A (zh) 2019-11-01
US11437959B2 (en) 2022-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10979021B2 (en) System and method for a radio frequency filter
JP6164390B2 (ja) 高周波モジュール
CN107689778B (zh) 高频模块以及通信装置
CN107408937B (zh) 高频率滤波器、前端电路以及通信设备
KR102193507B1 (ko) 탄성파 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
WO2017169645A1 (ja) 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP6965581B2 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
KR102274153B1 (ko) 스위치 모듈
CN112187230B (zh) 开关电路、高频模块以及通信装置
JP2012244615A (ja) 通信モジュール
CN111869112B (zh) 前端电路、前端模块、通信装置以及多工器
WO2016133028A1 (ja) 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路、通信機器、および、高周波フィルタの設計方法
KR102368022B1 (ko) 멀티플렉서 및 고주파 필터
US11799516B2 (en) Radio frequency circuit and communication device
WO2018211864A1 (ja) マルチプレクサ、高周波回路および通信装置
KR20190015128A (ko) 복합형 필터 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP2020167445A (ja) フロントエンド回路および通信装置
CN113396542B (zh) 高频模块以及通信装置
US11437959B2 (en) High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device
KR102323572B1 (ko) 수신밴드 가변 필터링 기능을 갖는 다중밴드 고주파 송신 장치
JP2018107788A (ja) スイッチ回路、高周波モジュール及び通信装置
JP2018196110A (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
CN113196675B (zh) 高频模块和通信装置
US20220345158A1 (en) Multiplexer and communication device
CN114258636B (zh) 高频电路和通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210422