WO2024079964A1 - 高周波回路 - Google Patents

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WO2024079964A1
WO2024079964A1 PCT/JP2023/027630 JP2023027630W WO2024079964A1 WO 2024079964 A1 WO2024079964 A1 WO 2024079964A1 JP 2023027630 W JP2023027630 W JP 2023027630W WO 2024079964 A1 WO2024079964 A1 WO 2024079964A1
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WO
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band
terminal
filter
switch
downlink
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/027630
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English (en)
French (fr)
Inventor
弘嗣 森
壮央 竹内
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits

Definitions

  • the present invention relates to high-frequency circuits.
  • Mobile communication devices such as mobile phones are increasingly compatible with technology for simultaneously transmitting, receiving or transmitting/receiving high-frequency signals of multiple communication systems and/or multiple bands (hereinafter referred to as simultaneous communication).
  • simultaneous communication For example, 3GPP (registered trademark) (3rd Generation Partnership Project) specifies Carrier Aggregation and Dual Connectivity.
  • Patent Document 1 discloses a high-frequency circuit for carrier aggregation.
  • the present invention provides a high-frequency circuit that can contribute to the miniaturization of communication devices capable of simultaneous communication in multiple band combinations.
  • a high-frequency circuit includes a first filter having a passband including a downlink band of a first band and a downlink band of a second band, a second filter having a passband including a downlink band of the first band and a downlink band of a third band, and a first switch including a first terminal connected to an antenna connection terminal, a second terminal connected to the first filter, and a third terminal connected to the second filter, wherein the downlink band of the first band, the downlink band of the second band, and the downlink band of the third band at least partially overlap each other, and the combination of the first band and the second band, and the combination of the first band and the third band are included in a predefined band combination capable of simultaneous communication.
  • a high-frequency circuit includes a first filter having a passband including a downlink band of n256 for 5G NR and a downlink band of n1 for Band1 for LTE or 5G NR, a second filter having a passband including a downlink band of n256 and a downlink band of n66 for Band66 for LTE or 5G NR, a third filter having a passband including a downlink band of n3 for Band3 for LTE or 5G NR, and a downlink band of n2 for Band2 for LTE or 5G NR and an uplink band of n256.
  • a fourth filter having a passband including an uplink band of n256 and an uplink band of Band1 or n1; a sixth filter including an uplink band of Band3 or n3; a seventh filter including an uplink band of Band66 or n66; an eighth filter including an uplink band of Band2 or n2; and a first switch including a first terminal connected to the antenna connection terminal, a second terminal connected to the first filter, the third filter, the fifth filter, and the sixth filter, and a third terminal connected to the second filter, the fourth filter, the seventh filter, and the eighth filter.
  • the high-frequency circuit according to one aspect of the present invention can contribute to the miniaturization of communication devices capable of simultaneous communication in multiple band combinations.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing frequency bands used in the embodiment.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing a connection state for simultaneous communication in bands B and D according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a connection state for simultaneous communication in bands A and B according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a connection state for simultaneous communication in bands C and E in the embodiment.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a connection state for simultaneous communication in bands A and C in the embodiment.
  • each figure is a schematic diagram in which emphasis, omissions, or adjustments to the ratio have been made as appropriate to illustrate the present invention, and is not necessarily an exact illustration, and may differ from the actual shape, positional relationship, and ratio.
  • the same reference numerals are used for substantially the same configuration, and duplicate explanations may be omitted or simplified.
  • connection includes not only direct connection by connection terminals and/or wiring conductors, but also electrical connection via other circuit elements.
  • Connected between A and B means connected to both A and B between A and B, and connected in series to a path connecting A and B.
  • Terminal means a point where a conductor in an element terminates. Note that if the impedance of the conductor between elements is sufficiently low, a terminal can be interpreted as not only a single point, but also any point on the conductor between elements or the entire conductor.
  • "at least partially overlapping" multiple bands means that each of the multiple bands has an overlapping portion with at least one of the remaining bands.
  • the overlapping portion may be only the band ends.
  • "at least partially overlapping" includes not only the highest frequency in the lower band (i.e., the high-frequency end of the lower band) being higher than the lowest frequency in the higher band (i.e., the low-frequency end of the higher band), but also the high-frequency end of the lower band coinciding with the low-frequency end of the higher band.
  • downlink band refers to the downlink operating band, which means the portion of the communication band designated for downlink.
  • downlink band refers to the band used to transmit high-frequency signals from a base station (BS) to a user terminal (UE).
  • uplink band refers to the uplink operating band, which means the part of the communication band designated for the uplink.
  • uplink band refers to the band used to transmit radio frequency signals from the UE to the BS in FDD.
  • the "passband of a filter” is the portion of the frequency spectrum transmitted by the filter, and is defined as the frequency band in which the output power is not attenuated by more than 3 dB below the maximum output power.
  • the high and low ends of the passband of a bandpass filter are identified as the higher and lower frequencies of the two points at which the output power is attenuated by 3 dB below the maximum output power.
  • a communication device 5 functions as a UE in a cellular network, and is typically a mobile phone, a smartphone, a tablet computer, a wearable device, or the like.
  • the communication device 5 may be an Internet of Things (IoT) sensor device, a medical/healthcare device, a car, an unmanned aerial vehicle (UAV) (so-called drone), or an automated guided vehicle (AGV).
  • IoT Internet of Things
  • UAV unmanned aerial vehicle
  • AGV automated guided vehicle
  • the communication device 5 may also function as a BS in the cellular network.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the communication device 5 according to this embodiment.
  • FIG. 1 is an exemplary circuit configuration, and the communication device 5 and the radio frequency circuit 1 can be implemented using any of a wide variety of circuit implementations and circuit technologies. Therefore, the description of the communication device 5 and the radio frequency circuit 1 provided below should not be interpreted as being limiting.
  • the communication device 5 includes a high-frequency circuit 1, an antenna 2, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) 3, and a BBIC (Baseband Integrated Circuit) 4.
  • the high-frequency circuit 1 transmits high-frequency signals between the antenna 2 and the RFIC 3.
  • the circuit configuration of the high-frequency circuit 1 will be described later.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency circuit 1.
  • the antenna 2 receives a high frequency signal from the high frequency circuit 1 and outputs it to the outside of the communication device 5.
  • the antenna 2 also receives a high frequency signal from the outside of the communication device 5 and outputs it to the high frequency circuit 1.
  • the antenna 2 does not have to be included in the communication device 5.
  • the communication device 5 may also include one or more antennas in addition to the antenna 2.
  • the RFIC3 is an example of a signal processing circuit that processes high-frequency signals. Specifically, the RFIC3 processes the transmission signal input from the BBIC4 by up-conversion or the like, and outputs the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the high-frequency circuit 1. Furthermore, the RFIC3 processes the high-frequency reception signal input via the reception path of the high-frequency circuit 1 by down-conversion or the like, and outputs the reception signal generated by the signal processing to the BBIC4.
  • the RFIC3 may also include a control unit for controlling the switches and power amplifiers of the high-frequency circuit 1. Note that part or all of the control unit may be provided outside the RFIC3, and may be included in the BBIC4 or the high-frequency circuit 1, for example.
  • the BBIC4 is a baseband signal processing circuit that processes signals using an intermediate frequency band that is lower in frequency than the high frequency signal transmitted by the high frequency circuit 1.
  • the signals processed by the BBIC4 include, for example, image signals for image display and/or audio signals for calls via a speaker.
  • the BBIC4 does not have to be included in the communication device 5.
  • the high-frequency circuit 1 includes power amplifiers 11 and 12, low-noise amplifiers 21-24, filters 31-38, switches 51-53, an antenna connection terminal 100, high-frequency input terminals 111 and 112, and high-frequency output terminals 121-124.
  • the antenna connection terminal 100 is an external connection terminal of the high frequency circuit 1. Specifically, the antenna connection terminal 100 is connected to the antenna 2 outside the high frequency circuit 1, and is connected to the switch 51 inside the high frequency circuit 1. This allows the high frequency circuit 1 to supply a transmission signal to the antenna 2 and receive a reception signal from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100.
  • Each of the radio frequency input terminals 111 and 112 is an external connection terminal of the radio frequency circuit 1. Specifically, the radio frequency input terminal 111 is connected to the RFIC 3 outside the radio frequency circuit 1, and is connected to the power amplifier 11 inside the radio frequency circuit 1. The radio frequency input terminal 112 is connected to the RFIC 3 outside the radio frequency circuit 1, and is connected to the power amplifier 12 inside the radio frequency circuit 1. The radio frequency input terminals 111 and 112 can receive transmission signals of bands A to G from the RFIC 3.
  • Power amplifier 11 is an example of a first power amplifier.
  • the input end of power amplifier 11 is connected to radio frequency input terminal 111.
  • the output end of power amplifier 11 is connected to filters 34 to 38 via switch 52.
  • Power amplifier 11 can amplify a radio frequency signal received via radio frequency input terminal 111 using power supplied from a power source (not shown).
  • Power amplifier 12 is an example of a second power amplifier.
  • the input end of power amplifier 12 is connected to radio frequency input terminal 112.
  • the output end of power amplifier 12 is connected to filters 34 to 38 via switch 52.
  • Power amplifier 12 can amplify the radio frequency signal received via radio frequency input terminal 112 using power supplied from a power source (not shown).
  • the power amplifiers 11 and 12 may be configured with heterojunction bipolar transistors (HBTs) and may be manufactured using semiconductor materials. Examples of the semiconductor material that may be used include silicon germanium (SiGe) or gallium arsenide (GaAs).
  • the amplifying transistors of the power amplifiers 11 and 12 are not limited to HBTs.
  • the power amplifiers 11 and/or 12 may be configured with high electron mobility transistors (HEMTs) or metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs).
  • HEMTs high electron mobility transistors
  • MEFETs metal-semiconductor field effect transistors
  • GaN gallium nitride
  • SiC silicon carbide
  • the power amplifier 11 and 12 may not be included in the radio frequency circuit 1.
  • the power amplifier 11 may be connected between the RFIC 3 and the radio frequency input terminal 111
  • the power amplifier 12 may be connected between the RFIC 3 and the radio frequency input terminal 112.
  • some or all of the power amplifiers 11 and/or 12 may be included in the RFIC 3.
  • the low noise amplifier 21 is an example of a first low noise amplifier.
  • the input end of the low noise amplifier 21 is connected to the filter 31.
  • the output end of the low noise amplifier 21 is connected to the high frequency output terminal 121.
  • the low noise amplifier 21 can amplify the received signals of bands A and B that have passed through the filter 31 using power supplied from a power source (not shown).
  • the low noise amplifier 22 is an example of a second low noise amplifier.
  • the input end of the low noise amplifier 22 is connected to the filter 32.
  • the output end of the low noise amplifier 22 is connected to the high frequency output terminal 122.
  • the low noise amplifier 22 can amplify the received signals of bands A and C that have passed through the filter 32 using power supplied from a power source (not shown).
  • Low noise amplifier 23 is an example of a third low noise amplifier.
  • the input end of low noise amplifier 23 is connected to filter 33.
  • the output end of low noise amplifier 23 is connected to high frequency output terminal 123.
  • Low noise amplifier 23 can amplify the received signal of band D that has passed through filter 33 using power supplied from a power source (not shown).
  • the low-noise amplifier 24 is an example of a fourth low-noise amplifier.
  • the input end of the low-noise amplifier 24 is connected to the filter 34 via the switch 53.
  • the output end of the low-noise amplifier 24 is connected to the high-frequency output terminal 124.
  • the low-noise amplifier 24 can amplify the received signals of bands E to G that have passed through the filter 34 using power supplied from a power source (not shown).
  • the low-noise amplifiers 21 to 24 can be configured with field effect transistors (FETs) and can be manufactured using semiconductor materials. Examples of the semiconductor material that can be used include single crystal silicon, gallium nitride (GaN), or silicon carbide (SiC). Note that the amplifying transistors of the low-noise amplifiers 21 to 24 are not limited to FETs. For example, some or all of the low-noise amplifiers 21 to 24 may be configured with bipolar transistors.
  • FETs field effect transistors
  • the low noise amplifier 21 to 24 may not be included in the high frequency circuit 1.
  • the low noise amplifier 21 may be connected between the high frequency output terminal 121 and the RFIC 3
  • the low noise amplifier 22 may be connected between the high frequency output terminal 122 and the RFIC 3
  • the low noise amplifier 23 may be connected between the high frequency output terminal 123 and the RFIC 3
  • the low noise amplifier 24 may be connected between the high frequency output terminal 124 and the RFIC 3.
  • some or all of the low noise amplifiers 21 to 24 may be included in the RFIC 3.
  • Filter 31 is an example of a first filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the downlink bands A and B. Filter 31 is connected between switch 51 and radio frequency output terminal 121. Specifically, one end of filter 31 is connected to terminal 512 of switch 51, and the other end of filter 31 is connected to the input terminal of low noise amplifier 21.
  • Filter 32 (A-Rx/C-Rx) is an example of a second filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the downlink bands A and C. Filter 32 is connected between switch 51 and radio frequency output terminal 122. Specifically, one end of filter 32 is connected to terminal 513 of switch 51, and the other end of filter 32 is connected to the input terminal of low noise amplifier 22.
  • Filter 33 is an example of a third filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the downlink band of band D.
  • Filter 33 is connected between switch 51 and radio frequency output terminal 123. Specifically, one end of filter 33 is connected to terminal 512 of switch 51, and the other end of filter 33 is connected to the input terminal of low noise amplifier 23. Note that filter 33 does not have to be included in radio frequency circuit 1.
  • Filter 34 is an example of a fourth filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the downlink bands of bands E, F, and G, and the uplink band of band A.
  • Filter 34 is connected between switch 51 and radio frequency output terminal 124 and radio frequency input terminals 111 and/or 112. Specifically, one end of filter 34 is connected to terminal 513 of switch 51, and the other end of filter 34 is connected to terminal 531 of switch 53. Filter 34 does not have to be included in radio frequency circuit 1. Furthermore, the passband of filter 34 does not have to include the downlink bands of bands F and G.
  • Filter 35 is an example of a fifth filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the uplink bands A and B.
  • Filter 35 is connected between switch 51 and radio frequency input terminals 111 and/or 112. Specifically, one end of filter 35 is connected to terminal 512 of switch 51, and the other end of filter 35 is connected to terminal 524 of switch 52. Filter 35 does not have to be included in radio frequency circuit 1. Filter 35 may also be connected to an additional terminal (not shown) of switch 51.
  • Filter 36 is an example of a sixth filter, and is a band-pass filter having a passband including the uplink band of band D.
  • Filter 36 is connected between switch 51 and radio frequency input terminal 111 and/or 112. Specifically, one end of filter 36 is connected to terminal 512 of switch 51, and the other end of filter 36 is connected to terminal 525 of switch 52. Filter 36 does not have to be included in radio frequency circuit 1.
  • the passband of filter 36 may include the uplink band of band C.
  • filter 36 may be connected to an additional terminal (not shown) of switch 51.
  • Filter 37 is an example of a seventh filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the uplink bands of bands C and G.
  • Filter 37 is connected between switch 51 and radio frequency input terminals 111 and/or 112. Specifically, one end of filter 37 is connected to terminal 513 of switch 51, and the other end of filter 37 is connected to terminal 526 of switch 52. Filter 37 does not have to be included in radio frequency circuit 1. Furthermore, the passband of filter 37 does not have to include the uplink band of band G.
  • Filter 38 is an example of an eighth filter, and is a band-pass filter having a passband that includes the uplink bands of bands E and F.
  • Filter 38 is connected between switch 51 and radio frequency input terminals 111 and/or 112. Specifically, one end of filter 38 is connected to terminal 513 of switch 51, and the other end of filter 38 is connected to terminal 527 of switch 52. Filter 38 does not have to be included in radio frequency circuit 1. Furthermore, the passband of filter 38 does not have to include the uplink band of band F.
  • Such filters 31 to 38 may be surface acoustic wave (SAW) filters, bulk acoustic wave (BAW) filters, LC resonant filters, dielectric resonant filters, or any combination of these, but are not limited to these.
  • SAW surface acoustic wave
  • BAW bulk acoustic wave
  • LC resonant filters LC resonant filters
  • dielectric resonant filters or any combination of these, but are not limited to these.
  • Switch 51 is an example of a first switch, and is connected between antenna connection terminal 100 and filters 31 to 38.
  • switch 51 includes terminals 511 to 513.
  • Terminal 511 is an example of a first terminal, and is connected to antenna connection terminal 100.
  • Terminal 512 is an example of a second terminal, and is connected to filters 31, 33, 35, and 36.
  • Terminal 513 is an example of a third terminal, and is connected to filters 32, 34, 37, and 38.
  • the switch 51 can exclusively connect the terminal 511 to the terminals 512 and 513, for example, based on a control signal from the RFIC 3. In other words, the switch 51 prohibits the terminal 511 from being simultaneously connected to the terminals 512 and 513.
  • the switch 51 is configured, for example, with an SPDT (Single-Pole Double-Throw) type switch circuit.
  • Switch 52 is an example of a second switch and is connected between filters 34-38 and power amplifiers 11 and 12. Specifically, switch 52 includes terminals 521-527.
  • Terminal 521 is an example of a fourth terminal and is connected to the output terminal of power amplifier 11.
  • Terminal 522 is an example of a fifth terminal and is connected to the output terminal of power amplifier 12.
  • Terminal 523 is an example of a sixth terminal and is connected to terminal 532 of switch 53.
  • Terminal 524 is an example of a seventh terminal and is connected to filter 35.
  • Terminal 525 is an example of an eighth terminal and is connected to filter 36.
  • Terminal 526 is an example of a ninth terminal and is connected to filter 37.
  • Terminal 527 is an example of a tenth terminal and is connected to filter 38.
  • the switch 52 can connect the terminals 521 and 522 to any two of the terminals 523 to 527, for example, based on a control signal from the RFIC 3.
  • the switch 52 can also selectively connect only one of the terminals 521 and 522 to the terminals 523 to 527.
  • the switch 53 is an example of a third switch, and is connected between the filter 34 and the low-noise amplifier 24, as well as the power amplifiers 11 and/or 12.
  • the switch 53 includes terminals 531 to 533.
  • the terminal 531 is an example of an eleventh terminal, and is connected to the filter 34.
  • the terminal 532 is an example of a twelfth terminal, and is connected to the terminal 523 of the switch 52.
  • the terminal 533 is an example of a thirteenth terminal, and is connected to the input end of the low-noise amplifier 24.
  • the switch 53 can exclusively connect the terminal 531 to the terminals 532 and 533, for example, based on a control signal from the RFIC 3. In other words, the switch 53 prohibits the terminal 531 from being simultaneously connected to the terminals 532 and 533.
  • the switch 53 is, for example, configured with an SPDT type switch circuit.
  • Fig. 2 is a diagram showing the frequency bands used in this embodiment.
  • the band names are shown, and the horizontal axis represents frequency (MHz).
  • Each of bands A to G is a frequency band for a communication system built using a radio access technology (RAT), and is predefined by a standardization organization (e.g., 3GPP (registered trademark) (3rd Generation Partnership Project) and IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)).
  • RAT radio access technology
  • Examples of communication systems include 5GNR (5th Generation New Radio) systems, LTE (Long Term Evolution) systems, and WLAN (Wireless Local Area Network) systems.
  • Band A is an example of a first band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band A at least partially overlaps with the downlink bands of Bands B and C.
  • the uplink band of Band A at least partially overlaps with the uplink band of Band B, and at least partially overlaps with the downlink bands of Bands E to G.
  • Band A can be, for example, n256 (UL: 1980-2010 MHz, DL: 2170-2200 MHz) for 5G NR, but is not limited to this.
  • Band B is an example of a second band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band B at least partially overlaps with the downlink bands of Bands A and C.
  • the uplink band of Band B at least partially overlaps with the uplink band of Band A, and at least partially overlaps with the downlink bands of Bands E and F.
  • Band B can be, for example, Band 1 for LTE or n1 for 5G NR (UL: 1920-1980 MHz, DL: 2110-2170 MHz), but is not limited to these.
  • Band C is an example of a third band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band C at least partially overlaps with the downlink bands of Bands A and B.
  • the uplink band of Band C at least partially overlaps with the uplink band of Band D.
  • Band C can be, for example, Band 66 for LTE or n66 for 5G NR (UL: 1710-1780 MHz, DL: 2110-2170 MHz), but is not limited to these.
  • Band D is an example of the fourth band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band D at least partially overlaps with the uplink bands of Bands E and F.
  • the uplink band of Band D at least partially overlaps with the uplink band of Band C.
  • Band D can be, for example, Band 3 for LTE or n3 for 5G NR (UL: 1710-1785 MHz, DL: 1805-1880 MHz), but is not limited to these.
  • Band E is an example of the fifth band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band E at least partially overlaps with the downlink band of Band F, and at least partially overlaps with the uplink bands of Bands A and B.
  • the uplink band of Band E at least partially overlaps with the uplink band of Band F, and at least partially overlaps with the downlink band of Band D.
  • Band E can be, for example, Band 2 for LTE or n2 for 5G NR (UL: 1850-1910 MHz, DL: 1930-1990 MHz), but is not limited to these.
  • Band F is an example of the sixth band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band F overlaps at least partially with the downlink band of Band E, and at least partially with the uplink bands of Bands A and B.
  • the uplink band of Band F overlaps at least partially with the uplink band of Band E, and at least partially with the downlink band of Band D.
  • Band F can be, for example, Band 25 for LTE or n25 for 5G NR (UL: 1850-1915 MHz, DL: 1930-1995 MHz), but is not limited to these.
  • Band G is an example of the seventh band, and is an FDD band including an uplink band and a downlink band.
  • the downlink band of Band G at least partially overlaps with the downlink band of Band F, and at least partially overlaps with the uplink band of Band A.
  • the uplink band of Band G at least partially overlaps with the uplink bands of Bands C and D.
  • Band G can be, but is not limited to, Band 70 for LTE or n70 for 5G NR (UL: 1695-1710 MHz, DL: 1995-2020 MHz).
  • band combinations in Table 1 below have been predefined by standardization organizations as band combinations that allow simultaneous communication.
  • the combinations of bands A and E, bands A and F, and bands A and G are not defined as band combinations that allow simultaneous communication.
  • the signal of band A is prohibited from being transmitted or received simultaneously with the signals of bands E, F, and G.
  • Fig. 3 is a circuit configuration diagram showing a connection state for simultaneous communication of bands B and D in this embodiment.
  • dashed arrows indicate the flow of high-frequency signals.
  • switch 51 connects terminal 511 to terminal 512 and does not connect to terminal 513. Furthermore, switch 52 connects terminal 521 to terminal 525 and connects terminal 522 to terminal 524. As a result, filters 31, 33, 35, and 36 are connected to antenna connection terminal 100, and filters 35 and 36 are connected to power amplifiers 12 and 11, respectively.
  • the received signal of band B is transmitted from the antenna 2 to the RFIC 3 via the antenna connection terminal 100, the switch 51, the filter 31, the low noise amplifier 21, and the high frequency output terminal 121.
  • the received signal of band D is transmitted from the antenna 2 to the RFIC 3 via the antenna connection terminal 100, the switch 51, the filter 33, the low noise amplifier 23, and the high frequency output terminal 123.
  • the transmitted signal of band B is transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the high frequency input terminal 112, the power amplifier 12, the switch 52, the filter 35, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • the transmitted signal of band D is transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the high frequency input terminal 111, the power amplifier 11, the switch 52, the filter 36, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • filter 34 whose passband includes the downlink bands of bands E and F that at least partially overlap with the uplink band of band B, is connected to terminal 513 of switch 51 and is therefore not connected to antenna connection terminal 100. Therefore, it is possible to prevent the transmission signal of band B from passing through filter 34.
  • Fig. 4 is a circuit configuration diagram showing a connection state for simultaneous communication of bands A and B in this embodiment.
  • dashed arrows indicate the flow of high-frequency signals.
  • switch 51 connects terminal 511 to terminal 512 and does not connect to terminal 513. Furthermore, switch 52 connects terminal 522 to terminal 524. As a result, filters 31 and 35 are connected to antenna connection terminal 100, and filter 35 is connected to power amplifier 12.
  • the received signals of bands A and B are transmitted from the antenna 2 to the RFIC 3 via the antenna connection terminal 100, the switch 51, the filter 31, the low noise amplifier 21, and the high frequency output terminal 121.
  • the transmitted signals of bands A and B are transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the high frequency input terminal 112, the power amplifier 12, the switch 52, the filter 35, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • the filter 34 is not connected to the antenna connection terminal 100. Therefore, the transmission signal of band B can be prevented from passing through the filter 34.
  • Fig. 5 is a circuit configuration diagram showing a connection state for simultaneous communication of bands C and E in this embodiment.
  • dashed arrows indicate the flow of high-frequency signals.
  • switch 51 connects terminal 511 to terminal 513 and does not connect to terminal 512.
  • Switch 52 connects terminal 521 to terminal 526 and connects terminal 522 to terminal 527.
  • Switch 53 connects terminal 531 to terminal 533.
  • the received signal of band C is transmitted from the antenna 2 to the RFIC 3 via the antenna connection terminal 100, the switch 51, the filter 32, the low noise amplifier 22, and the high frequency output terminal 122.
  • the received signal of band E is transmitted from the antenna 2 to the RFIC 3 via the antenna connection terminal 100, the switch 51, the filter 34, the switch 53, the low noise amplifier 24, and the high frequency output terminal 124.
  • the transmitted signal of band C is transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the high frequency input terminal 111, the power amplifier 11, the switch 52, the filter 37, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • the transmitted signal of band E is transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the high frequency input terminal 112, the power amplifier 12, the switch 52, the filter 38, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • filter 35 whose passband includes the uplink band of band B, which at least partially overlaps with the downlink band of band E, is connected to terminal 512 of switch 51 and is therefore not connected to antenna connection terminal 100. Therefore, it is possible to prevent the received signal of band E from passing through filter 35.
  • Fig. 6 is a circuit configuration diagram showing a connection state for simultaneous communication of bands A and C in this embodiment.
  • dashed arrows indicate the flow of high-frequency signals.
  • switch 51 connects terminal 511 to terminal 513 and does not connect to terminal 512.
  • Switch 52 connects terminal 521 to terminal 526 and connects terminal 522 to terminal 523.
  • Switch 53 connects terminal 531 to terminal 532.
  • filters 32, 34, and 37 are connected to antenna connection terminal 100, and filters 34 and 37 are connected to power amplifiers 12 and 11, respectively.
  • the received signals of bands A and C are transmitted from the antenna 2 to the RFIC 3 via the antenna connection terminal 100, the switch 51, the filter 32, the low noise amplifier 22, and the radio frequency output terminal 122.
  • the transmitted signal of band A is transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the radio frequency input terminal 112, the power amplifier 12, the switches 52 and 53, the filter 34, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • the transmitted signal of band C is transmitted from the RFIC 3 to the antenna 2 via the radio frequency input terminal 111, the power amplifier 11, the switch 52, the filter 37, the switch 51, and the antenna connection terminal 100.
  • the high-frequency circuit 1 comprises filter 31 having a passband including the downlink band of band A and the downlink band of band B, filter 32 having a passband including the downlink band of band A and the downlink band of band C, and switch 51 including terminal 511 connected to antenna connection terminal 100, terminal 512 connected to filter 31, and terminal 513 connected to filter 32, and the downlink band of band A, the downlink band of band B, and the downlink band of band C at least partially overlap each other, and the combination of bands A and B, and the combination of bands A and C are included in the predefined band combinations capable of simultaneous communication.
  • the filter 31 can handle simultaneous communication (downlink) in a combination of bands A and B, and the filter 32 can handle simultaneous communication (downlink) in a combination of bands A and C. Therefore, the number of filters can be reduced compared to when three filters are included individually for bands A to C, which contributes to the miniaturization of the communication device 5. Furthermore, in each band combination, the switch 51 only needs to connect the terminal 511 to one of the terminals 512 and 513, so that losses due to impedance mismatch and the like can be reduced compared to when multiple terminals are connected to the terminal 511. In addition, the filter 31 for receiving bands A and B and the filter 32 for receiving bands A and C are connected to different terminals 512 and 513 of the switch 51, respectively.
  • the path of the downlink signal for the band combination including band B and the path of the downlink signal for the band combination including band C can be separated by the switch 51, making it possible to handle simultaneous communication in a wider variety of band combinations than when a single filter is used for the downlink of bands A to C.
  • the high frequency circuit 1 may further include a filter 33 connected to terminal 512 of switch 51 and having a pass band including the downlink band of band D, and a filter 34 connected to terminal 513 of switch 51 and having a pass band including the downlink band of band E, and the combination of bands B and D, and the combination of bands C and E may be included in the predefined band combinations capable of simultaneous communication.
  • the high-frequency circuit 1 may further include a filter 35 connected to the terminal 512 of the switch 51 and having a passband that includes the uplink band of band B, and the uplink band of band B may at least partially overlap with the downlink band of band E.
  • filter 35 having a passband including the uplink band of band B and filter 34 having a passband including the downlink band of band E that at least partially overlaps with the uplink band of band B are connected to different terminals 512 and 513 of switch 51, respectively. Therefore, filter 34 can be avoided from being connected to the path of the uplink signal of band B, and filter 35 can be avoided from being connected to the path of the downlink signal of band E.
  • the switch 51 may be configured to exclusively connect the terminals 512 and 513 to the terminal 511.
  • terminal 511 of switch 51 when terminal 511 of switch 51 is connected to terminal 512, it is not connected to terminal 513, so that the isolation of filters 34 and 35 can be ensured and simultaneous transmission and reception can be supported in a combination of bands B and D.
  • the switch 51 may connect the terminal 511 to the terminal 512, and may not connect the terminal 511 to the terminal 513.
  • filters 32 and 34 can be disconnected from the communication path, improving the communication quality in simultaneous communication on bands A and B, and simultaneous communication on bands B and D.
  • the switch 51 may connect the terminal 511 to the terminal 513, and may not connect the terminal 511 to the terminal 512.
  • filters 31, 33, and 35 can be disconnected from the communication path, improving the communication quality in simultaneous communication on bands A and C, and simultaneous communication on bands C and E.
  • the uplink band of band A may overlap at least partially with each of the uplink band of band B and the downlink band of band E
  • the passband of each of filters 34 and 35 may further include the uplink band of band A
  • the radio frequency circuit 1 may further include a filter 36 connected to terminal 512 of switch 51 and having a passband including the uplink band of band D
  • a filter 37 connected to terminal 513 of switch 51 and having a passband including the uplink band of band C
  • a filter 38 connected to terminal 513 of switch 51 and having a passband including the uplink band of band E.
  • a combination of filters for bands A and D which are capable of simultaneous communication in combination with band B, and a filter for band B (filters 31, 33, 35, and 36) is connected to one terminal 512 of switch 51.
  • a combination of filters for bands A and E which are capable of simultaneous communication in combination with band C, and a filter for band C (filters 32, 34, 37, and 38) is connected to one terminal 513 of switch 51. Therefore, it is possible to switch the communication path between a band combination including band B and a band combination including band C, and it is possible to improve the communication quality in simultaneous communication.
  • the high-frequency circuit 1 may further include a power amplifier 11, a power amplifier 12, a low-noise amplifier 21 connected to the filter 31, a low-noise amplifier 22 connected to the filter 32, a low-noise amplifier 23 connected to the filter 33, a low-noise amplifier 24, a switch 52 including a terminal 521 connected to the power amplifier 11, a terminal 522 and a terminal 523 connected to the power amplifier 12, a terminal 524 connected to the filter 35, a terminal 525 connected to the filter 36, a terminal 526 connected to the filter 37, and a terminal 527 connected to the filter 38, and a switch 53 including a terminal 531 connected to the filter 34, a terminal 532 connected to the terminal 523 of the switch 52, and a terminal 533 connected to the low-noise amplifier 24.
  • the switch 51 may connect the terminal 511 to the terminal 512, and may not connect the terminal 511 to the terminal 513, and the switch 52 may connect the terminal 521 to the terminal 525, and may connect the terminal 522 to the terminal 524.
  • filters 32, 34, 37, and 38 can be disconnected from the communication path, improving the communication quality in simultaneous communication on bands B and D.
  • the switch 51 may connect the terminal 511 to the terminal 512, and may not connect the terminal 511 to the terminal 513, and the switch 52 may connect the terminal 522 to the terminal 524.
  • filters 32, 34, 37, and 38 can be disconnected from the communication path, improving the communication quality in simultaneous communication on bands A and B.
  • the switch 51 may connect the terminal 511 to the terminal 513, and may not connect the terminal 511 to the terminal 512
  • the switch 52 may connect the terminal 521 to the terminal 526, and may connect the terminal 522 to the terminal 527
  • the switch 53 may connect the terminal 531 to the terminal 533.
  • filters 31, 33, 35, and 36 can be disconnected from the communication path, improving the communication quality in simultaneous communication on bands C and E.
  • the switch 51 may connect the terminal 511 to the terminal 513 and may not connect the terminal 511 to the terminal 512
  • the switch 52 may connect the terminal 521 to the terminal 526 and may connect the terminal 522 to the terminal 523
  • the switch 53 may connect the terminal 531 to the terminal 532.
  • filters 31, 33, 35, and 36 can be disconnected from the communication path, improving the communication quality in simultaneous communication on bands A and C.
  • the downlink band of band E may overlap with the downlink band of band F and the downlink band of band G
  • the uplink band of band C may overlap at least partially with the uplink band of band G
  • the uplink band of band E may overlap at least partially with the uplink band of band F
  • the passband of filter 34 may further include the downlink band of band F and the downlink band of band G
  • the passband of filter 37 may further include the uplink band of band G
  • the passband of filter 38 may further include the uplink band of band F.
  • band A may be n256 for 5G NR
  • band B may be Band1 for LTE or n1 for 5G NR
  • band C may be Band66 for LTE or n66 for 5G NR
  • band D may be Band3 for LTE or n3 for 5G NR
  • band E may be Band2 for LTE or n2 for 5G NR
  • band F may be Band25 for LTE or n25 for 5G NR
  • band G may be Band70 for LTE or n70 for 5G NR.
  • the high-frequency circuit 1 includes a filter 31 having a passband including a downlink band of n256 for 5G NR and a downlink band of n1 for Band1 for LTE or 5G NR, a filter 32 having a passband including a downlink band of n256 and a downlink band of n66 for Band66 for LTE or 5G NR, a filter 33 having a passband including a downlink band of n3 for Band3 or 5G NR for LTE, and a filter 34 having a passband including a downlink band of n2 for Band2 or 5G NR for LTE and an uplink band of n256.
  • the switch 51 includes a filter 34 having a passband including the link band, a filter 35 including an uplink band of n256 and an uplink band of Band1 or n1, a filter 36 including an uplink band of Band3 or n3, a filter 37 including an uplink band of Band66 or n66, a filter 38 connected to a terminal 513 of the switch 51 and including an uplink band of Band2 or n2, a terminal 511 connected to the antenna connection terminal 100, a terminal 512 connected to filters 31, 33, 35, and 36, and a terminal 513 connected to filters 32, 34, 37, and 38.
  • the filter 31 can handle simultaneous communication (downlink) with a combination of n256 and Band1 or n1
  • the filter 32 can handle simultaneous communication (downlink) with a combination of n256 and Band66 or n66. Therefore, the number of filters can be reduced compared to the case where three filters are included individually for n256, Band1 or n1, and Band66 or n66, which can contribute to the miniaturization of the communication device 5.
  • the switch 51 only needs to connect the terminal 511 to one of the terminals 512 and 513, so that the loss due to impedance mismatch can be reduced compared to the case where multiple terminals are connected to the terminal 511.
  • the filter 35 for the uplink of Band1 or n1 and the filter 34 for the downlink of Band2 or n2 are connected to different terminals 512 and 513 of the switch 51, respectively.
  • the filter 34 can be avoided from being connected to the path of the uplink signal of Band1 or n1, and in a band combination including Band2 or n2, the filter 35 can be avoided from being connected to the path of the downlink signal of Band2 or n2.
  • This makes it possible to support simultaneous communication in a combination of n256 and Band1 or n1, a combination of n256 and Band66 or n66, a combination of Band1 or n1 and Band3 or n3, and a combination of Band66 or n66 and Band2 or n2, and it becomes possible to support simultaneous communication in a wider variety of band combinations.
  • the high-frequency circuit 1 may further include a power amplifier 11, a power amplifier 12, a low-noise amplifier 21 connected to the filter 31, a low-noise amplifier 22 connected to the filter 32, a low-noise amplifier 23 connected to the filter 33, a low-noise amplifier 24, a switch 52 including a terminal 521 connected to the power amplifier 11, a terminal 522 and a terminal 523 connected to the power amplifier 12, a terminal 524 connected to the filter 35, a terminal 525 connected to the filter 36, a terminal 526 connected to the filter 37, and a terminal 527 connected to the filter 38, and a switch 53 including a terminal 531 connected to the filter 34, a terminal 532 connected to the terminal 523 of the switch 52, and a terminal 533 connected to the low-noise amplifier 24.
  • the passband of filter 34 may further include a downlink band of Band 25 for LTE or n25 for 5GNR, and a downlink band of Band 70 for LTE or n70 for 5GNR, the passband of filter 37 may further include an uplink band of Band 70 or n70, and the passband of filter 38 may further include an uplink band of Band 25 or n25.
  • the high-frequency circuit according to the present invention has been described above based on the embodiments, the high-frequency circuit according to the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments.
  • the present invention also includes modifications obtained by applying various modifications to the above-mentioned embodiments that would come to mind by a person skilled in the art without departing from the spirit of the present invention, and various devices incorporating the above-mentioned high-frequency circuit.
  • an impedance matching circuit may be inserted between the power amplifier 11 and at least one of the filters 34 to 38.
  • an impedance matching circuit may be inserted between at least one of the filters 31 to 38 and the antenna connection terminal 100.
  • the impedance matching circuit may be composed of, for example, an inductor and/or a capacitor, but is not particularly limited to this.
  • the high-frequency circuit 1 includes a transmission path, but is not limited to this. In other words, the high-frequency circuit 1 includes at least a reception path, and does not need to include a transmission path. Conversely, when the communication device 5 including the high-frequency circuit 1 is used as a BS, the power amplifier may be replaced with a low-noise amplifier, and the low-noise amplifier may be replaced with a power amplifier. In this case, the high-frequency circuit 1 does not need to include a reception path.
  • n256, Band1 or n1, and Band66 or n66 are used as Bands A to C, but Bands A to C are not limited to these.
  • Band1 or n1 may be used as Band A
  • Band66 or n66 may be used, or Band4 for LTE (UL: 2110-2155 MHz, DL: 1710-1785 MHz) may be used.
  • Band1 or n1 may be used as Band B
  • Band66 or n66 may be used, or Band4 may be used.
  • Band66 or n66 n256 may be used as Band C
  • Band1 or n1 may be used, or Band4 may be used.
  • the combination of bands A to C may be any combination of three of n256, Band1 or n1, Band66 or n66, and Band4. Even in such a case, the same effects as those of the above embodiment can be achieved.
  • Band 41 for LTE or n41 for 5G NR may be used as Band A.
  • a combination of Bands B and C may be a combination of n254 for 5G NR and Band 53 for LTE or n53 for 5G NR.
  • bands A to C are not limited to FDD bands in which different frequency bands are used as the transmission band and the reception band, but may be time division duplex (TDD) bands in which the same frequency band is used.
  • TDD time division duplex
  • n77 or n78 for 5G NR may be used as band A.
  • a combination of bands B and C may be a combination of band 42 for LTE and band 48 for LTE or n48 for 5G NR.
  • a first filter having a passband including a first downlink band and a second downlink band
  • a second filter having a passband including a downlink band of the first band and a downlink band of a third band
  • a first switch including a first terminal connected to an antenna connection terminal, a second terminal connected to the first filter, and a third terminal connected to the second filter;
  • the downlink band of the first band, the downlink band of the second band, and the downlink band of the third band at least partially overlap each other,
  • the combination of the first band and the second band, and the combination of the first band and the third band are included in a predefined band combination capable of simultaneous communication. High frequency circuits.
  • the high frequency circuit further comprises: a third filter connected to the second terminal of the first switch and having a passband including a fourth downlink band; a fourth filter connected to the third terminal of the first switch and having a passband including a fifth downlink band; The combination of the second band and the fourth band, and the combination of the third band and the fifth band are included in a predefined band combination capable of simultaneous communication.
  • the high-frequency circuit further includes a fifth filter connected to the second terminal of the first switch and having a passband including an uplink band of the second band; The uplink bandwidth of the second band at least partially overlaps with the downlink bandwidth of the fifth band.
  • the first switch is configured to exclusively connect the second terminal and the third terminal to the first terminal;
  • ⁇ 5> In the simultaneous communication in the first band and the second band and in the simultaneous communication in the second band and the fourth band, the first switch connects the first terminal to the second terminal and does not connect the first terminal to the third terminal.
  • ⁇ 6> In the simultaneous communication in the first band and the third band and in the simultaneous communication in the third band and the fifth band, the first switch connects the first terminal to the third terminal and does not connect the first terminal to the second terminal.
  • the uplink band of the first band at least partially overlaps with each of the uplink band of the second band and the downlink band of the fifth band; a passband of each of the fourth filter and the fifth filter further includes an uplink band of the first band;
  • the high frequency circuit further comprises: a sixth filter connected to the second terminal of the first switch and having a passband including an uplink band of the fourth band; a seventh filter connected to the third terminal of the first switch and having a passband including an uplink band of the third band; an eighth filter connected to the third terminal of the first switch and having a passband including an uplink band of the fifth band; ⁇ 6>
  • the high-frequency circuit according to any one of ⁇ 3> to ⁇ 6>.
  • the high frequency circuit further comprises: A first power amplifier; A second power amplifier; a first low noise amplifier coupled to the first filter; a second low noise amplifier coupled to the second filter; a third low noise amplifier connected to the third filter; A fourth low noise amplifier; a second switch including a fourth terminal connected to the first power amplifier, a fifth terminal connected to the second power amplifier, a sixth terminal, a seventh terminal connected to the fifth filter, an eighth terminal connected to the sixth filter, a ninth terminal connected to the seventh filter, and a tenth terminal connected to the eighth filter; a third switch including an eleventh terminal connected to the fourth filter, a twelfth terminal connected to the sixth terminal of the second switch, and a thirteenth terminal connected to the fourth low noise amplifier;
  • the high-frequency circuit according to ⁇ 7>.
  • the first switch connects the first terminal to the second terminal and does not connect the first terminal to the third terminal; the second switch connects the fourth terminal to the eighth terminal and connects the fifth terminal to the seventh terminal; The high-frequency circuit according to ⁇ 8>.
  • the first switch connects the first terminal to the second terminal and does not connect the first terminal to the third terminal; The second switch connects the fifth terminal to the seventh terminal.
  • the first switch connects the first terminal to the third terminal and does not connect the first terminal to the second terminal; the second switch connects the fourth terminal to the ninth terminal and connects the fifth terminal to the tenth terminal; the third switch connects the eleventh terminal to the thirteenth terminal; ⁇ 8> ⁇ 10> The high-frequency circuit according to any one of ⁇ 8> to ⁇ 10>.
  • the first switch connects the first terminal to the third terminal and does not connect the first terminal to the second terminal; the second switch connects the fourth terminal to the ninth terminal and connects the fifth terminal to the sixth terminal; the third switch connects the eleventh terminal to the twelfth terminal; ⁇ 8> to ⁇ 11>.
  • the high-frequency circuit according to any one of ⁇ 8> to ⁇ 11>.
  • the downlink band of the fifth band overlaps with the downlink band of the sixth band and the downlink band of the seventh band,
  • the uplink bandwidth of the third band at least partially overlaps with the uplink bandwidth of the seventh band
  • the fifth band has an uplink bandwidth at least partially overlapping with the sixth band
  • the passband of the fourth filter further includes a downlink band of the sixth band and a downlink band of the seventh band
  • the passband of the seventh filter further includes an uplink band of the seventh band
  • the passband of the eighth filter further includes the uplink band of the sixth band.
  • the first band is n256 for 5G NR;
  • the second band is Band1 for LTE or n1 for 5G NR;
  • the third band is Band 66 for LTE or n66 for 5G NR;
  • the fourth band is Band 3 for LTE or n3 for 5G NR;
  • the fifth band is Band 2 for LTE or n2 for 5GNR;
  • the sixth band is Band 25 for LTE or n25 for 5G NR;
  • the seventh band is Band 70 for LTE or n70 for 5G NR;
  • a first switch including a first terminal connected to an antenna connection terminal, a second terminal connected to the first filter, the third filter, the fifth filter, and
  • the high frequency circuit further comprises: A first power amplifier; A second power amplifier; a first low noise amplifier coupled to the first filter; a second low noise amplifier coupled to the second filter; a third low noise amplifier connected to the third filter; A fourth low noise amplifier; a second switch including a fourth terminal connected to the first power amplifier, a fifth terminal connected to the second power amplifier, a sixth terminal, a seventh terminal connected to the fifth filter, an eighth terminal connected to the sixth filter, a ninth terminal connected to the seventh filter, and a tenth terminal connected to the eighth filter; a third switch including an eleventh terminal connected to the fourth filter, a twelfth terminal connected to the sixth terminal of the second switch, and a thirteenth terminal connected to the fourth low noise amplifier;
  • the high-frequency circuit according to ⁇ 15>.
  • the passband of the fourth filter further includes a downlink band of Band 25 for LTE or n25 for 5G NR, and a downlink band of Band 70 for LTE or n70 for 5G NR;
  • the passband of the seventh filter further includes the uplink band of Band70 or the n70;
  • the passband of the eighth filter further includes the uplink band of Band25 or the n25;
  • a first filter having a passband including a first downlink band and a second downlink band; a second filter having a passband including a downlink band of the first band and a downlink band of a third band; a first switch including a first terminal connected to an antenna connection terminal, a second terminal connected to the first filter, and a third terminal connected to the second filter;
  • the combination of the first band and the second band and the combination of the first band and the third band are included in a predefined band combination capable of simultaneous communication,
  • the combination of the first band, the second band and the third band is any three combinations of n256 for 5G NR, Band1 for LTE or n1 for 5G NR, Band66 for LTE or n66 for 5G NR, and Band4 for LTE. High frequency circuits.
  • the present invention can be widely used as a high-frequency circuit placed in the front end of communication devices such as mobile phones.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
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  • Circuits Of Receivers In General (AREA)

Abstract

高周波回路（１）は、バンド（Ａ）のダウンリンク帯域及びバンド（Ｂ）のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ（３１）と、バンド（Ａ）のダウンリンク帯域及びバンド（Ｃ）のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ（３２）と、アンテナ接続端子に接続される端子（５１１）、フィルタ（３１）に接続される端子（５１２）、及び、フィルタ（３２）に接続される端子（５１３）を含むスイッチ（５１）と、を備え、バンド（Ａ）のダウンリンク帯域、バンド（Ｂ）のダウンリンク帯域、及び、バンド（Ｃ）のダウンリンク帯域は、互いに少なくとも一部が重なり合い、バンド（Ａ及びＢ）の組み合わせ、並びに、バンド（Ａ及びＣ）の組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる。

Description

高周波回路
　本発明は、高周波回路に関する。
　携帯電話などの移動体通信機器では、複数の通信システム及び／又は複数のバンドの高周波信号を同時に送信、受信又は送受信（以下、同時通信という）する技術への対応が進んでいる。例えば、３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）及びデュアルコネクティビティ（Dual Connectivity）などが規定されている。特許文献１には、キャリアアグリゲーションのための高周波回路が開示されている。
米国特許出願公開第２０１５／０１３３０６７号明細書
　しかしながら、上記従来の技術では、複数のバンドコンビネーションで同時通信を実現するために高周波回路が複雑化して通信装置が大型化する可能性がある。
　そこで、本発明は、複数のバンドコンビネーションで同時通信可能な通信装置の小型化に貢献することができる高周波回路を提供する。
　本発明の一態様に係る高周波回路は、第１バンドのダウンリンク帯域及び第２バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１バンドのダウンリンク帯域及び第３バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、アンテナ接続端子に接続される第１端子、第１フィルタに接続される第２端子、及び、第２フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備え、第１バンドのダウンリンク帯域、第２バンドのダウンリンク帯域、及び、第３バンドのダウンリンク帯域は、互いに少なくとも一部が重なり合い、第１バンド及び第２バンドの組み合わせ、並びに、第１バンド及び第３バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる。
　本発明の一態様に係る高周波回路は、５ＧＮＲのためのｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、ｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第３フィルタと、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２のダウンリンク帯域、及び、ｎ２５６のアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第４フィルタと、ｎ２５６のアップリンク帯域、及び、Ｂａｎｄ１又はｎ１のアップリンク帯域を含む第５フィルタと、Ｂａｎｄ３又はｎ３のアップリンク帯域を含む第６フィルタと、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６のアップリンク帯域を含む第７フィルタと、Ｂａｎｄ２又はｎ２のアップリンク帯域を含む第８フィルタと、アンテナ接続端子に接続される第１端子、第１フィルタ、第３フィルタ、第５フィルタ及び第６フィルタに接続される第２端子、並びに、第２フィルタ、第４フィルタ、第７フィルタ及び第８フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備える。
　本発明の一態様に係る高周波回路によれば、複数のバンドコンビネーションで同時通信可能な通信装置の小型化に貢献することができる。
図１は、実施の形態に係る通信装置の回路構成図である。 図２は、実施の形態で用いられる周波数バンドを示す図である。 図３は、実施の形態におけるバンドＢ及びＤの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。 図４は、実施の形態におけるバンドＡ及びＢの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。 図５は、実施の形態におけるバンドＣ及びＥの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。 図６は、実施の形態におけるバンドＡ及びＣの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。
　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味し、Ａ及びＢを結ぶ経路に直列に接続されることを意味する。「端子」とは、要素内の導体が終了するポイントを意味する。なお、要素間の導体のインピーダンスが十分に低い場合には、端子は、単一のポイントだけでなく、要素間の導体上の任意のポイント又は導体全体と解釈され得る。
　本発明において、複数の帯域において「互いに少なくとも一部が重なり合う」とは、複数の帯域のいずれもが残りの少なくとも１つとの間にオーバーラップ部分を有することを意味する。このとき、オーバーラップ部分は、帯域端のみであってもよい。例えば２つの帯域では、「互いに少なくとも一部が重なり合う」には、低い方の帯域の中で最も高い周波数（つまり低い方の帯域の高域端）が高い方の帯域の中で最も低い周波数（つまり高い方の帯域の低域端）より高いことに加えて、低い方の帯域の高域端が高い方の帯域の低域端と一致することも含まれる。
　本発明において、「ダウンリンク帯域」とは、ダウンリンク動作帯域（downlink operating band）のことであり、通信バンドのうちダウンリンク用に指定された部分を意味する。つまり、「ダウンリンク帯域」とは、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）において基地局（ＢＳ：Bae Station）からユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）への高周波信号の伝送に利用される帯域を意味する。
　逆に、「アップリンク帯域」とは、アップリンク動作帯域（uplink operating band）のことであり、通信バンドのうちアップリンク用に指定された部分を意味する。つまり、「アップリンク帯域」とは、ＦＤＤにおいてＵＥからＢＳへの高周波信号の伝送に利用される帯域を意味する。
　また、「フィルタの通過帯域」とは、フィルタによって伝送される周波数スペクトルの部分であり、出力電力が最大出力電力よりも３ｄＢ以上減衰しない周波数帯域と定義される。したがって、バンドパスフィルタの通過帯域の高域端及び低域端は、出力電力が最大出力電力よりも３ｄＢ減衰する２つのポイントの高い方の周波数及び低い方の周波数として特定される。
　（実施の形態）
　実施の形態について説明する。本実施の形態に係る通信装置５は、セルラーネットワークにおけるＵＥとして機能し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイス等である。なお、通信装置５は、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）であってもよい。また、通信装置５は、セルラーネットワークにおけるＢＳとして機能してもよい。
　本実施の形態に係る通信装置５及び高周波回路１の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成図である。
　なお、図１は、例示的な回路構成であり、通信装置５及び高周波回路１は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される通信装置５及び高周波回路１の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
　［１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成について図１を参照しながら説明する。通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。
　高周波回路１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の回路構成については後述する。
　アンテナ２は、高周波回路１のアンテナ接続端子１００に接続される。アンテナ２は、高周波回路１から高周波信号を受信して通信装置５の外部に出力する。また、アンテナ２は、通信装置５の外部から高周波信号を受信して高周波回路１へ出力する。なお、アンテナ２は、通信装置５に含まれなくてもよい。また、通信装置５は、アンテナ２に加えて、さらに１以上のアンテナを備えてもよい。
　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１に出力する。さらに、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ及び電力増幅器等を制御するための制御部を含んでもよい。なお、制御部の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波回路１に含まれてもよい。
　ＢＢＩＣ４は、高周波回路１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。なお、ＢＢＩＣ４は、通信装置５に含まれなくてもよい。
　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、本実施の形態に係る高周波回路１の回路構成について図１を参照しながら説明する。高周波回路１は、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１～２４と、フィルタ３１～３８と、スイッチ５１～５３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１及び１１２と、高周波出力端子１２１～１２４と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、高周波回路１の外部接続端子である。具体的には、アンテナ接続端子１００は、高周波回路１の外部でアンテナ２に接続され、高周波回路１の内部でスイッチ５１に接続される。これにより、高周波回路１は、アンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に送信信号を供給することができ、アンテナ２から受信信号を受けることができる。
　高周波入力端子１１１及び１１２の各々は、高周波回路１の外部接続端子である。具体的には、高周波入力端子１１１は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１の内部で電力増幅器１１に接続される。高周波入力端子１１２は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１の内部で電力増幅器１２に接続される。高周波入力端子１１１及び１１２は、ＲＦＩＣ３からバンドＡ～Ｇの送信信号を受けることができる。
　電力増幅器１１は、第１電力増幅器の一例である。電力増幅器１１の入力端は、高周波入力端子１１１に接続される。電力増幅器１１の出力端は、スイッチ５２を介して、フィルタ３４～３８に接続される。電力増幅器１１は、電源（図示せず）から供給される電力を用いて、高周波入力端子１１１を介して受けた高周波信号を増幅することができる。
　電力増幅器１２は、第２電力増幅器の一例である。電力増幅器１２の入力端は、高周波入力端子１１２に接続される。電力増幅器１２の出力端は、スイッチ５２を介して、フィルタ３４～３８に接続される。電力増幅器１２は、電源（図示せず）から供給される電力を用いて、高周波入力端子１１２を介して受けた高周波信号を増幅することができる。
　電力増幅器１１及び１２は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）で構成することができ、半導体材料を用いて製造することができる。半導体材料としては、例えばシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）を用いることができる。なお、電力増幅器１１及び１２の増幅トランジスタはＨＢＴに限定されない。例えば、電力増幅器１１及び／又は１２は、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）又はＭＥＳＦＥＴ（Metal-Semiconductor Field Effect Transistor）で構成されてもよい。この場合、半導体材料としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）が用いられてもよい。
　なお、電力増幅器１１及び１２の一部又は全部は、高周波回路１に含まれなくてもよい。この場合、電力増幅器１１は、ＲＦＩＣ３と高周波入力端子１１１との間に接続されてもよく、電力増幅器１２は、ＲＦＩＣ３と高周波入力端子１１２との間に接続されてもよい。また、電力増幅器１１及び／又は１２の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３に含まれてもよい。
　低雑音増幅器２１は、第１低雑音増幅器の一例である。低雑音増幅器２１の入力端は、フィルタ３１に接続される。低雑音増幅器２１の出力端は、高周波出力端子１２１に接続される。低雑音増幅器２１は、電源（図示せず）から供給される電力を用いて、フィルタ３１を通過したバンドＡ及びＢの受信信号を増幅することができる。
　低雑音増幅器２２は、第２低雑音増幅器の一例である。低雑音増幅器２２の入力端は、フィルタ３２に接続される。低雑音増幅器２２の出力端は、高周波出力端子１２２に接続される。低雑音増幅器２２は、電源（図示せず）から供給される電力を用いて、フィルタ３２を通過したバンドＡ及びＣの受信信号を増幅することができる。
　低雑音増幅器２３は、第３低雑音増幅器の一例である。低雑音増幅器２３の入力端は、フィルタ３３に接続される。低雑音増幅器２３の出力端は、高周波出力端子１２３に接続される。低雑音増幅器２３は、電源（図示せず）から供給される電力を用いて、フィルタ３３を通過したバンドＤの受信信号を増幅することができる。
　低雑音増幅器２４は、第４低雑音増幅器の一例である。低雑音増幅器２４の入力端は、スイッチ５３を介してフィルタ３４に接続される。低雑音増幅器２４の出力端は、高周波出力端子１２４に接続される。低雑音増幅器２４は、電源（図示せず）から供給される電力を用いて、フィルタ３４を通過したバンドＥ～Ｇの受信信号を増幅することができる。
　低雑音増幅器２１～２４は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）で構成することができ、半導体材料を用いて製造することができる。半導体材料としては、例えばシリコン単結晶、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いることができる。なお、低雑音増幅器２１～２４の増幅トランジスタはＦＥＴに限定されない。例えば、低雑音増幅器２１～２４の一部又は全部は、バイポーラトランジスタで構成されてもよい。
　なお、低雑音増幅器２１～２４の一部又は全部は、高周波回路１に含まれなくてもよい。この場合、低雑音増幅器２１は、高周波出力端子１２１とＲＦＩＣ３との間に接続されてもよく、低雑音増幅器２２は、高周波出力端子１２２とＲＦＩＣ３との間に接続されてもよく、低雑音増幅器２３は、高周波出力端子１２３とＲＦＩＣ３との間に接続されてもよく、低雑音増幅器２４は、高周波出力端子１２４とＲＦＩＣ３との間に接続されてもよい。また、低雑音増幅器２１～２４の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３に含まれてもよい。
　フィルタ３１（Ａ－Ｒｘ／Ｂ－Ｒｘ）は、第１フィルタの一例であり、バンドＡ及びＢのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３１は、スイッチ５１と高周波出力端子１２１との間に接続される。具体的には、フィルタ３１の一端は、スイッチ５１の端子５１２に接続され、フィルタ３１の他端は、低雑音増幅器２１の入力端に接続される。
　フィルタ３２（Ａ－Ｒｘ／Ｃ－Ｒｘ）は、第２フィルタの一例であり、バンドＡ及びＣのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３２は、スイッチ５１と高周波出力端子１２２との間に接続される。具体的には、フィルタ３２の一端は、スイッチ５１の端子５１３に接続され、フィルタ３２の他端は、低雑音増幅器２２の入力端に接続される。
　フィルタ３３（Ｄ－Ｒｘ）は、第３フィルタの一例であり、バンドＤのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３３は、スイッチ５１と高周波出力端子１２３との間に接続される。具体的には、フィルタ３３の一端は、スイッチ５１の端子５１２に接続され、フィルタ３３の他端は、低雑音増幅器２３の入力端に接続される。なお、フィルタ３３は、高周波回路１に含まれなくてもよい。
　フィルタ３４（Ｅ－Ｒｘ／Ｆ－Ｒｘ／Ｇ－Ｒｘ／Ａ－Ｔｘ）は、第４フィルタの一例であり、バンドＥ、Ｆ及びＧのダウンリンク帯域、並びに、バンドＡのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３４は、スイッチ５１と高周波出力端子１２４並びに高周波入力端子１１１及び／又は１１２との間に接続される。具体的には、フィルタ３４の一端は、スイッチ５１の端子５１３に接続され、フィルタ３４の他端は、スイッチ５３の端子５３１に接続される。なお、フィルタ３４は、高周波回路１に含まれなくてもよい。また、フィルタ３４の通過帯域は、バンドＦ及びＧのダウンリンク帯域を含まなくてもよい。
　フィルタ３５（Ａ－Ｔｘ／Ｂ－Ｔｘ）は、第５フィルタの一例であり、バンドＡ及びＢのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３５は、スイッチ５１と高周波入力端子１１１及び／又は１１２との間に接続される。具体的には、フィルタ３５の一端は、スイッチ５１の端子５１２に接続され、フィルタ３５の他端は、スイッチ５２の端子５２４に接続される。なお、フィルタ３５は、高周波回路１に含まれなくてもよい。また、フィルタ３５は、スイッチ５１の追加の端子（図示せず）に接続されてもよい。
　フィルタ３６（Ｄ－Ｔｘ）は、第６フィルタの一例であり、バンドＤのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３６は、スイッチ５１と高周波入力端子１１１及び／又は１１２との間に接続される。具体的には、フィルタ３６の一端は、スイッチ５１の端子５１２に接続され、フィルタ３６の他端は、スイッチ５２の端子５２５に接続される。なお、フィルタ３６は、高周波回路１に含まれなくてもよい。また、フィルタ３６の通過帯域は、バンドＣのアップリンク帯域を含んでもよい。さらに、フィルタ３６は、スイッチ５１の追加の端子（図示せず）に接続されてもよい。
　フィルタ３７（Ｃ－Ｔｘ／Ｇ－Ｔｘ）は、第７フィルタの一例であり、バンドＣ及びＧのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３７は、スイッチ５１と高周波入力端子１１１及び／又は１１２との間に接続される。具体的には、フィルタ３７の一端は、スイッチ５１の端子５１３に接続され、フィルタ３７の他端は、スイッチ５２の端子５２６に接続される。なお、フィルタ３７は、高周波回路１に含まれなくてもよい。また、フィルタ３７の通過帯域は、バンドＧのアップリンク帯域を含まなくてもよい。
　フィルタ３８（Ｅ－Ｔｘ／Ｆ－Ｔｘ）は、第８フィルタの一例であり、バンドＥ及びＦのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する帯域通過フィルタである。フィルタ３８は、スイッチ５１と高周波入力端子１１１及び／又は１１２との間に接続される。具体的には、フィルタ３８の一端は、スイッチ５１の端子５１３に接続され、フィルタ３８の他端は、スイッチ５２の端子５２７に接続される。なお、フィルタ３８は、高周波回路１に含まれなくてもよい。また、フィルタ３８の通過帯域は、バンドＦのアップリンク帯域を含まなくてもよい。
　このようなフィルタ３１～３８としては、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタ、ＬＣ共振フィルタ若しくは誘電体共振フィルタ、又は、これらの任意の組み合わせが用いられてもよく、さらには、これらには限定されない。
　スイッチ５１は、第１スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１００とフィルタ３１～３８との間に接続される。具体的には、スイッチ５１は、端子５１１～５１３を含む。端子５１１は、第１端子の一例であり、アンテナ接続端子１００に接続される。端子５１２は、第２端子の一例であり、フィルタ３１、３３、３５及び３６に接続される。端子５１３は、第３端子の一例であり、フィルタ３２、３４、３７及び３８に接続される。
　このような接続構成において、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１１を端子５１２及び５１３に排他的に接続することができる。つまり、スイッチ５１では、端子５１１の端子５１２及び５１３への同時接続が禁止される。スイッチ５１は、例えばＳＰＤＴ（Single-Pole Double-Throw）型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５２は、第２スイッチの一例であり、フィルタ３４～３８と電力増幅器１１及び１２との間に接続される。具体的には、スイッチ５２は、端子５２１～５２７を含む。端子５２１は、第４端子の一例であり、電力増幅器１１の出力端に接続される。端子５２２は、第５端子の一例であり、電力増幅器１２の出力端に接続される。端子５２３は、第６端子の一例であり、スイッチ５３の端子５３２に接続される。端子５２４は、第７端子の一例であり、フィルタ３５に接続される。端子５２５は、第８端子の一例であり、フィルタ３６に接続される。端子５２６は、第９端子の一例であり、フィルタ３７に接続される。端子５２７は、第１０端子の一例であり、フィルタ３８に接続される。
　このような接続構成において、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２１及び５２２を端子５２３～５２７のうちの任意の２つに接続することができる。また、スイッチ５２は、端子５２１及び５２２の一方のみを端子５２３～５２７に選択的に接続することもできる。
　スイッチ５３は、第３スイッチの一例であり、フィルタ３４と、低雑音増幅器２４、並びに、電力増幅器１１及び／又は１２との間に接続される。具体的には、スイッチ５３は、端子５３１～５３３を含む。端子５３１は、第１１端子の一例であり、フィルタ３４に接続される。端子５３２は、第１２端子の一例であり、スイッチ５２の端子５２３に接続される。端子５３３は、第１３端子の一例であり、低雑音増幅器２４の入力端に接続される。
　このような接続構成において、スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３１を端子５３２及び５３３に排他的に接続することができる。つまり、スイッチ５３では、端子５３１の端子５３２及び５３３への同時接続が禁止される。スイッチ５３は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　［１．３　周波数バンドの説明］
　ここで、本実施の形態で用いられる周波数バンドについて、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態で用いられる周波数バンドを示す図である。図２において、バンド名を表し、横軸は周波数（ＭＨｚ）を表す。
　バンドＡ～Ｇの各々は、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのための周波数バンドであり、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義される。通信システムの例としては、５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を挙げることができる。
　バンドＡは、第１バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＡのダウンリンク帯域は、バンドＢ及びＣの各々のダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＡのアップリンク帯域は、バンドＢのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＥ～Ｇの各々のダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＡとしては、例えば５ＧＮＲのためのｎ２５６（ＵＬ：１９８０－２０１０ＭＨｚ、ＤＬ：２１７０－２２００ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＢは、第２バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＢのダウンリンク帯域は、バンドＡ及びＣの各々のダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＢのアップリンク帯域は、バンドＡのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＥ及びＦの各々のダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＢとしては、例えばＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１（ＵＬ：１９２０－１９８０ＭＨｚ、ＤＬ：２１１０－２１７０ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＣは、第３バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＣのダウンリンク帯域は、バンドＡ及びＢの各々のダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＣのアップリンク帯域は、バンドＤのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＣとしては、例えばＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６（ＵＬ：１７１０－１７８０ＭＨｚ、ＤＬ：２１１０－２１７０ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＤは、第４バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＤのダウンリンク帯域は、バンドＥ及びＦの各々のアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＤのアップリンク帯域は、バンドＣのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＤとしては、例えばＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３（ＵＬ：１７１０－１７８５ＭＨｚ、ＤＬ：１８０５－１８８０ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＥは、第５バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＥのダウンリンク帯域は、バンドＦのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＡ及びＢの各々のアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＥのアップリンク帯域は、バンドＦのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＤのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＥとしては、例えばＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２（ＵＬ：１８５０－１９１０ＭＨｚ、ＤＬ：１９３０－１９９０ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＦは、第６バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＦのダウンリンク帯域は、バンドＥのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＡ及びＢの各々のアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＦのアップリンク帯域は、バンドＥのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＤのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＦとしては、例えばＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５（ＵＬ：１８５０－１９１５ＭＨｚ、ＤＬ：１９３０－１９９５ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＧは、第７バンドの一例であり、アップリンク帯域及びダウンリンク帯域を含むＦＤＤバンドである。バンドＧのダウンリンク帯域は、バンドＦのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、かつ、バンドＡのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＧのアップリンク帯域は、バンドＣ及びＤの各々のアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う。バンドＧとしては、例えばＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０（ＵＬ：１６９５－１７１０ＭＨｚ、ＤＬ：１９９５－２０２０ＭＨｚ）を用いることができるが、これに限定されない。
　このようなバンドＡ～Ｇでは、少なくとも以下の表１のバンドコンビネーションが同時通信可能なバンドコンビネーションとして標準化団体などによって予め定義されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　一方、バンドＡ及びＥの組み合わせ、バンドＡ及びＦの組み合わせ、並びに、バンドＡ及びＧの組み合わせは、同時通信可能なバンドコンビネーションとして定義されていない。つまり、バンドＡの信号は、バンドＥ、Ｆ及びＧの各々の信号と同時に送受信されることが禁止されている。
　［１．４　高周波回路１の接続状態］
　次に、表１のバンドコンビネーション１～４で同時通信するための高周波回路１の接続状態及び高周波信号の流れについて説明する。
　［１．４．１　バンドＢ及びＤの同時通信のための接続状態］
　まず、バンドＢ及びＤのバンドコンビネーション１による同時通信について、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施の形態におけるバンドＢ及びＤの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。図３において、破線矢印は、高周波信号の流れを表す。
　図３の接続状態では、スイッチ５１は、端子５１１を、端子５１２に接続し、かつ、端子５１３に接続しない。さらに、スイッチ５２は、端子５２１を端子５２５に接続し、かつ、端子５２２を端子５２４に接続する。これにより、フィルタ３１、３３、３５及び３６がアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ３５及び３６が電力増幅器１２及び１１にそれぞれ接続される。
　その結果、バンドＢの受信信号は、アンテナ２から、アンテナ接続端子１００、スイッチ５１、フィルタ３１、低雑音増幅器２１及び高周波出力端子１２１を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。バンドＤの受信信号は、アンテナ２から、アンテナ接続端子１００、スイッチ５１、フィルタ３３、低雑音増幅器２３及び高周波出力端子１２３を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。バンドＢの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１２、電力増幅器１２、スイッチ５２、フィルタ３５、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。バンドＤの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１１、電力増幅器１１、スイッチ５２、フィルタ３６、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。
　このとき、バンドＢのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合うバンドＥ及びＦのダウンリンク帯域を通過帯域に含むフィルタ３４は、スイッチ５１の端子５１３に接続されているのでアンテナ接続端子１００に接続されない。したがって、バンドＢの送信信号がフィルタ３４を通過することを抑制することができる。
　［１．４．２　バンドＡ及びＢの同時通信のための接続状態］
　まず、バンドＡ及びＢのバンドコンビネーション２による同時通信について、図４を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態におけるバンドＡ及びＢの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。図４において、破線矢印は、高周波信号の流れを表す。
　図４の接続状態では、スイッチ５１は、端子５１１を、端子５１２に接続し、かつ、端子５１３に接続しない。さらに、スイッチ５２は、端子５２２を端子５２４に接続する。これにより、フィルタ３１及び３５がアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ３５が電力増幅器１２に接続される。
　その結果、バンドＡ及びＢの受信信号は、アンテナ２から、アンテナ接続端子１００、スイッチ５１、フィルタ３１、低雑音増幅器２１及び高周波出力端子１２１を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。バンドＡ及びＢの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１２、電力増幅器１２、スイッチ５２、フィルタ３５、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。
　このとき、図３と同様に、フィルタ３４は、アンテナ接続端子１００に接続されない。したがって、バンドＢの送信信号がフィルタ３４を通過することを抑制することができる。
　［１．４．３　バンドＣ及びＥの同時通信のための接続状態］
　まず、バンドＣ及びＥのバンドコンビネーション３による同時通信について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施の形態におけるバンドＣ及びＥの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。図５において、破線矢印は、高周波信号の流れを表す。
　図５の接続状態では、スイッチ５１は、端子５１１を、端子５１３に接続し、かつ、端子５１２に接続しない。スイッチ５２は、端子５２１を端子５２６に接続し、かつ、端子５２２を端子５２７に接続する。スイッチ５３は、端子５３１を端子５３３に接続する。これにより、フィルタ３２、３４、３７及び３８がアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ３４が低雑音増幅器２４に接続され、フィルタ３７及び３８が電力増幅器１１及び１２にそれぞれ接続される。
　その結果、バンドＣの受信信号は、アンテナ２から、アンテナ接続端子１００、スイッチ５１、フィルタ３２、低雑音増幅器２２及び高周波出力端子１２２を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。バンドＥの受信信号は、アンテナ２から、アンテナ接続端子１００、スイッチ５１、フィルタ３４、スイッチ５３、低雑音増幅器２４及び高周波出力端子１２４を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。バンドＣの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１１、電力増幅器１１、スイッチ５２、フィルタ３７、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。バンドＥの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１２、電力増幅器１２、スイッチ５２、フィルタ３８、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。
　このとき、バンドＥのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合うバンドＢのアップリンク帯域を通過帯域に含むフィルタ３５は、スイッチ５１の端子５１２に接続されているのでアンテナ接続端子１００に接続されない。したがって、バンドＥの受信信号がフィルタ３５を通過することを抑制することができる。
　［１．４．４　バンドＡ及びＣの同時通信のための接続状態］
　まず、バンドＡ及びＣのバンドコンビネーション４による同時通信について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施の形態におけるバンドＡ及びＣの同時通信のための接続状態を示す回路構成図である。図６において、破線矢印は、高周波信号の流れを表す。
　図６の接続状態では、スイッチ５１は、端子５１１を、端子５１３に接続し、かつ、端子５１２に接続しない。スイッチ５２は、端子５２１を端子５２６に接続し、かつ、端子５２２を端子５２３に接続する。スイッチ５３は、端子５３１を端子５３２に接続する。これにより、フィルタ３２、３４及び３７がアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ３４及び３７が電力増幅器１２及び１１にそれぞれ接続される。
　その結果、バンドＡ及びＣの受信信号は、アンテナ２から、アンテナ接続端子１００、スイッチ５１、フィルタ３２、低雑音増幅器２２及び高周波出力端子１２２を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。バンドＡの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１２、電力増幅器１２、スイッチ５２及び５３、フィルタ３４、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。バンドＣの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１１、電力増幅器１１、スイッチ５２、フィルタ３７、スイッチ５１及びアンテナ接続端子１００を介して、アンテナ２に伝送される。
　［１．５　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、バンドＡのダウンリンク帯域及びバンドＢのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３１と、バンドＡのダウンリンク帯域及びバンドＣのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３２と、アンテナ接続端子１００に接続される端子５１１、フィルタ３１に接続される端子５１２、及び、フィルタ３２に接続される端子５１３を含むスイッチ５１と、を備え、バンドＡのダウンリンク帯域、バンドＢのダウンリンク帯域、及び、バンドＣのダウンリンク帯域は、互いに少なくとも一部が重なり合い、バンドＡ及びＢの組み合わせ、並びに、バンドＡ及びＣの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる。
　これによれば、バンドＡ及びＢの組み合わせでの同時通信（ダウンリンク）にフィルタ３１で対応することができ、バンドＡ及びＣの組み合わせでの同時通信（ダウンリンク）にフィルタ３２で対応することができる。したがって、バンドＡ～Ｃのために個別に３つのフィルタが含まれる場合よりもフィルタ数を削減することができ、通信装置５の小型化に貢献することができる。さらに、各バンドコンビネーションにおいて、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１２及び５１３の一方のみに接続すればよいので、複数の端子が端子５１１に接続される場合よりも、インピーダンスの不整合などによる損失を低減することができる。また、バンドＡ及びＢの受信のためのフィルタ３１とバンドＡ及びＣの受信のためのフィルタ３２とがスイッチ５１の異なる端子５１２及び５１３にそれぞれ接続される。したがって、バンドＢを含むバンドコンビネーションのためのダウンリンク信号の経路と、バンドＣを含むバンドコンビネーションのためのダウンリンク信号の経路とをスイッチ５１で切り離すことができ、バンドＡ～Ｃのダウンリンクのために単一のフィルタが用いられる場合よりも、より多様なバンドコンビネーションでの同時通信に対応することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、さらに、スイッチ５１の端子５１２に接続され、バンドＤのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３３と、スイッチ５１の端子５１３に接続され、バンドＥのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３４と、を備えてもよく、バンドＢ及びＤの組み合わせ、並びに、バンドＣ及びＥの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれてもよい。
　これによれば、バンドＡ及びＢの組み合わせ、並びに、バンドＡ及びＣの組み合わせに加えて、バンドＢ及びＤの組み合わせ、並びに、バンドＣ及びＥの組み合わせでの同時通信（ダウンリンク）に対応することができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、さらに、スイッチ５１の端子５１２に接続され、バンドＢのアップリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３５を備えてもよく、バンドＢのアップリンク帯域は、バンドＥのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合ってもよい。
　これによれば、バンドＢのアップリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３５と、バンドＢのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合うバンドＥのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３４とが、スイッチ５１の異なる端子５１２及び５１３にそれぞれ接続される。したがって、バンドＢのアップリンク信号の経路にフィルタ３４が接続されることを避けることができ、バンドＥのダウンリンク信号の経路にフィルタ３５が接続されることを避けることができる。これにより、バンドＡ及びＢの組み合わせ、バンドＡ及びＣの組み合わせ、バンドＢ及びＤの組み合わせ、並びに、バンドＣ及びＥの組み合わせでの同時通信に対応することができ、より多様なバンドコンビネーションでの同時通信に対応することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、スイッチ５１は、端子５１１に端子５１２及び５１３を排他的に接続するよう構成されてもよい。
　これによれば、スイッチ５１の端子５１１が端子５１２に接続されるときに、端子５１３に接続されないので、フィルタ３４及び３５のアイソレーションを確保することができ、バンドＢ及びＤの組み合わせでの同時送受信に対応することができる。
　これによれば、端子５１１が端子５１２及び５１３に同時に接続されることを避けることができる。したがって、端子５１２に接続されるフィルタと端子５１３に接続されるフィルタとの間のアイソレーション、特にフィルタ３４及び３５の間のアイソレーションを確保することができ、より多様なバンドコンビネーションでの同時通信に対応することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＡ及びＢの同時通信、並びに、バンドＢ及びＤの同時通信において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１２に接続してもよく、かつ、端子５１１を端子５１３に接続しなくてもよい。
　これによれば、バンドＡ及びＢの同時通信、並びに、バンドＢ及びＤの同時通信において、通信経路からフィルタ３２及び３４を切断することができ、バンドＡ及びＢの同時通信、並びに、バンドＢ及びＤの同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＡ及びＣの同時通信、並びに、バンドＣ及びＥの同時通信において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１３に接続してもよく、かつ、端子５１１を端子５１２に接続しなくてもよい。
　これによれば、バンドＡ及びＣの同時通信、並びに、バンドＣ及びＥの同時通信において、通信経路からフィルタ３１、３３及び３５を切断することができ、バンドＡ及びＣの同時通信、並びに、バンドＣ及びＥの同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、バンドＡのアップリンク帯域は、バンドＢのアップリンク帯域及びバンドＥのダウンリンク帯域の各々と少なくとも一部が重なり合ってもよく、フィルタ３４及びフィルタ３５の各々の通過帯域は、さらに、バンドＡのアップリンク帯域を含んでもよく、高周波回路１は、さらに、スイッチ５１の端子５１２に接続され、バンドＤのアップリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３６と、スイッチ５１の端子５１３に接続され、バンドＣのアップリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３７と、スイッチ５１の端子５１３に接続され、バンドＥのアップリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３８と、を備えてもよい。
　これによれば、バンドＢとの組み合わせで同時通信可能なバンドＡ及びＤのためのフィルタとバンドＢのためのフィルタとの組み合わせ（フィルタ３１、３３、３５及び３６）がスイッチ５１の１つの端子５１２に接続される。さらに、バンドＣとの組み合わせで同時通信可能なバンドＡ及びＥのためのフィルタとバンドＣのためのフィルタとの組み合わせ（フィルタ３２、３４、３７及び３８）がスイッチ５１の１つの端子５１３に接続される。したがって、バンドＢを含むバンドコンビネーションと、バンドＣを含むバンドコンビネーションと、で通信経路を切り替えることができ、同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、さらに、電力増幅器１１と、電力増幅器１２と、フィルタ３１に接続される低雑音増幅器２１と、フィルタ３２に接続される低雑音増幅器２２と、フィルタ３３に接続される低雑音増幅器２３と、低雑音増幅器２４と、電力増幅器１１に接続される端子５２１、電力増幅器１２に接続される端子５２２、端子５２３、フィルタ３５に接続される端子５２４、フィルタ３６に接続される端子５２５、フィルタ３７に接続される端子５２６及びフィルタ３８に接続される端子５２７を含むスイッチ５２と、フィルタ３４に接続される端子５３１、スイッチ５２の端子５２３に接続される端子５３２及び低雑音増幅器２４に接続される端子５３３を含むスイッチ５３と、を備えてもよい。
　これによれば、各バンドコンビネーションでの同時通信において、高周波回路１でアップリンク信号及びダウンリンク信号を増幅することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＢ及びＤの同時通信において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１２に接続してもよく、かつ、端子５１１を端子５１３に接続しなくてもよく、スイッチ５２は、端子５２１を端子５２５に接続してもよく、かつ、端子５２２を端子５２４に接続してもよい。
　これによれば、バンドＢ及びＤの同時通信において、通信経路からフィルタ３２、３４、３７及び３８を切断することができ、バンドＢ及びＤの同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＡ及びＢの同時通信において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１２に接続してもよく、かつ、端子５１１を端子５１３に接続しなくてもよく、スイッチ５２は、端子５２２を端子５２４に接続してもよい。
　これによれば、バンドＡ及びＢの同時通信において、通信経路からフィルタ３２、３４、３７及び３８を切断することができ、バンドＡ及びＢの同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＣ及びＥの同時通信において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１３に接続してもよく、かつ、端子５１１を端子５１２に接続しなくてもよく、スイッチ５２は、端子５２１を端子５２６に接続してもよく、かつ、端子５２２を端子５２７に接続してもよく、スイッチ５３は、端子５３１を端子５３３に接続してもよい。
　これによれば、バンドＣ及びＥの同時通信において、通信経路からフィルタ３１、３３、３５及び３６を切断することができ、バンドＣ及びＥの同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＡ及びＣの同時通信において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１３に接続してもよく、かつ、端子５１１を端子５１２に接続しなくてもよく、スイッチ５２は、端子５２１を端子５２６に接続してもよく、かつ、端子５２２を端子５２３に接続してもよく、スイッチ５３は、端子５３１を端子５３２に接続してもよい。
　これによれば、バンドＡ及びＣの同時通信において、通信経路からフィルタ３１、３３、３５及び３６を切断することができ、バンドＡ及びＣの同時通信における通信品質を向上させることができる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、バンドＥのダウンリンク帯域は、バンドＦのダウンリンク帯域及びバンドＧのダウンリンク帯域と重なり合ってもよく、バンドＣのアップリンク帯域は、バンドＧのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合ってもよく、バンドＥのアップリンク帯域は、バンドＦのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合ってもよく、フィルタ３４の通過帯域は、さらに、バンドＦのダウンリンク帯域及びバンドＧのダウンリンク帯域を含んでもよく、フィルタ３７の通過帯域は、さらに、バンドＧのアップリンク帯域を含んでもよく、フィルタ３８の通過帯域は、さらに、バンドＦのアップリンク帯域を含んでもよい。
　これによれば、バンドＣ及びバンドＧとの組み合わせ、及び／又は、バンドＣ及びバンドＦとの組み合わせでの同時通信にも対応することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、バンドＡは、５ＧＮＲのためのｎ２５６であってもよく、バンドＢは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１であってもよく、バンドＣは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６であってもよく、バンドＤは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３であってもよく、バンドＥは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２であってもよく、バンドＦは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５であってもよく、バンドＧは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０であってもよい。
　これによれば、５ＧＮＲシステム及び／又はＬＴＥシステムで高周波回路１を利用することができる。
　また別の見地によれば、本実施の形態に係る高周波回路１は、５ＧＮＲのためのｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３１と、ｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３２と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３３と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２のダウンリンク帯域、及び、ｎ２５６のアップリンク帯域を含む通過帯域を有するフィルタ３４と、ｎ２５６のアップリンク帯域、及び、Ｂａｎｄ１又はｎ１のアップリンク帯域を含むフィルタ３５と、Ｂａｎｄ３又はｎ３のアップリンク帯域を含むフィルタ３６と、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６のアップリンク帯域を含むフィルタ３７と、スイッチ５１の端子５１３に接続され、Ｂａｎｄ２又はｎ２のアップリンク帯域を含むフィルタ３８と、アンテナ接続端子１００に接続される端子５１１、フィルタ３１、３３、３５及び３６に接続される端子５１２、並びに、フィルタ３２、３４、３７及び３８に接続される端子５１３を含むスイッチ５１と、を備える。
　これによれば、ｎ２５６、及び、Ｂａｎｄ１又はｎ１の組み合わせでの同時通信（ダウンリンク）にフィルタ３１で対応することができ、ｎ２５６、及び、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６の組み合わせでの同時通信（ダウンリンク）にフィルタ３２で対応することができる。したがって、ｎ２５６、Ｂａｎｄ１又はｎ１、及び、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６のために個別に３つのフィルタが含まれる場合よりもフィルタ数を削減することができ、通信装置５の小型化に貢献することができる。さらに、ｎ２５６、及び、Ｂａｎｄ１又はｎ１の組み合わせ、ｎ２５６、及び、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６の組み合わせ、Ｂａｎｄ１又はｎ１、及び、Ｂａｎｄ３又はｎ３の組み合わせ、並びに、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６、及び、Ｂａｎｄ２又はｎ２の組み合わせの各々において、スイッチ５１は、端子５１１を端子５１２及び５１３の一方のみに接続すればよいので、複数の端子が端子５１１に接続される場合よりも、インピーダンスの不整合などによる損失を低減することができる。また、Ｂａｎｄ１又はｎ１のアップリンクのためのフィルタ３５とＢａｎｄ２又はｎ２のダウンリンクのためのフィルタ３４とがスイッチ５１の異なる端子５１２及び５１３にそれぞれ接続される。したがって、Ｂａｎｄ１又はｎ１を含むバンドコンビネーションにおいてＢａｎｄ１又はｎ１のアップリンク信号の経路にフィルタ３４が接続されることを避けることができ、Ｂａｎｄ２又はｎ２を含むバンドコンビネーションにおいてＢａｎｄ２又はｎ２のダウンリンク信号の経路にフィルタ３５が接続されることを避けることができる。これにより、ｎ２５６、及び、Ｂａｎｄ１又はｎ１の組み合わせ、ｎ２５６、及び、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６の組み合わせ、Ｂａｎｄ１又はｎ１、及び、Ｂａｎｄ３又はｎ３の組み合わせ、並びに、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６、及び、Ｂａｎｄ２又はｎ２の組み合わせでの同時通信に対応することができ、より多様なバンドコンビネーションでの同時通信に対応することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、さらに、電力増幅器１１と、電力増幅器１２と、フィルタ３１に接続される低雑音増幅器２１と、フィルタ３２に接続される低雑音増幅器２２と、フィルタ３３に接続される低雑音増幅器２３と、低雑音増幅器２４と、電力増幅器１１に接続される端子５２１、電力増幅器１２に接続される端子５２２、端子５２３、フィルタ３５に接続される端子５２４、フィルタ３６に接続される端子５２５、フィルタ３７に接続される端子５２６及びフィルタ３８に接続される端子５２７を含むスイッチ５２と、フィルタ３４に接続される端子５３１、スイッチ５２の端子５２３に接続される端子５３２及び低雑音増幅器２４に接続される端子５３３を含むスイッチ５３と、を備えてもよい。
　これによれば、各バンドコンビネーションでの同時通信において、高周波回路１でアップリンク信号及びダウンリンク信号を増幅することが可能となる。
　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ３４の通過帯域は、さらに、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０のダウンリンク帯域を含んでもよく、フィルタ３７の通過帯域は、さらに、Ｂａｎｄ７０又はｎ７０のアップリンク帯域を含んでもよく、フィルタ３８の通過帯域は、さらに、Ｂａｎｄ２５又はｎ２５のアップリンク帯域を含んでもよい。
　これによれば、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６とＢａｎｄ２５又はｎ２５との組み合わせ、及び／又は、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６とＢａｎｄ７０又はｎ７０との組み合わせでの同時通信にも対応することが可能となる。
　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態に係る高周波回路１の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、電力増幅器１１とフィルタ３４～３８の少なくとも１つとの間にインピーダンス整合回路が挿入されてもよい。また例えば、フィルタ３１～３８の少なくとも１つとアンテナ接続端子１００との間にインピーダンス整合回路が挿入されてもよい。インピーダンス整合回路は、例えばインダクタ及び／又はキャパシタで構成することができるが、特に限定されない。
　なお、上記実施の形態では、高周波回路１は、送信経路を含んでいたが、これに限定されない。つまり、高周波回路１は、少なくとも受信経路を含み、送信経路を含まなくてもよい。逆に、高周波回路１を含む通信装置５がＢＳとして利用される場合には、電力増幅器が低雑音増幅器に置き換えられ、低雑音増幅器が電力増幅器に置き換えられてもよい。この場合、高周波回路１は、受信経路を含まなくてもよい。
　なお、上記実施の形態では、バンドＡ～Ｃとして、ｎ２５６と、Ｂａｎｄ１又はｎ１と、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６とが用いられていたが、バンドＡ～Ｃは、これらに限定されない。例えば、バンドＡとして、ｎ２５６の代わりに、Ｂａｎｄ１又はｎ１が用いられてもよく、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６が用いられてもよく、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４（ＵＬ：２１１０－２１５５ＭＨｚ、ＤＬ：１７１０－１７８５ＭＨｚ）が用いられてもよい。また例えば、バンドＢとして、Ｂａｎｄ１又はｎ１の代わりに、ｎ２５６が用いられてもよく、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６が用いられてもよく、Ｂａｎｄ４が用いられてもよい。また例えば、バンドＣとして、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６の代わりに、ｎ２５６が用いられてもよく、Ｂａｎｄ１又はｎ１が用いられてもよく、Ｂａｎｄ４が用いられてもよい。つまり、バンドＡ～Ｃの組み合わせは、ｎ２５６と、Ｂａｎｄ１又はｎ１と、Ｂａｎｄ６６又はｎ６６と、Ｂａｎｄ４とのうちの任意の３つの組み合わせであってもよい。このような場合であっても、上記実施の形態と同様の効果を奏することができる。
　同様に、例えばバンドＡとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１又は５ＧＮＲのためのｎ４１が用いられてもよい。この場合、バンドＢ及びＣの組み合わせとして、５ＧＮＲのためのｎ２５４とＬＴＥのためのＢａｎｄ５３又は５ＧＮＲのためのｎ５３との組み合わせが用いられてもよい。
　また例えば、バンドＡ～Ｃは、送信帯域及び受信帯域として、互いに異なる周波数バンドが用いられるＦＤＤバンドに限らず、同一の周波数バンドが用いられる時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）バンドでもよい。具体的には、バンドＡとして、５ＧＮＲのためのｎ７７又はｎ７８が用いられてもよい。この場合、バンドＢ及びＣの組み合わせとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４２とＬＴＥのためのＢａｎｄ４８又は５ＧＮＲのためのｎ４８との組み合わせが用いられてもよい。
　以下に、上記実施の形態に基づいて説明した高周波回路の特徴を示す。
＜１＞
　第１バンドのダウンリンク帯域及び第２バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１バンドのダウンリンク帯域及び第３バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１フィルタに接続される第２端子、及び、前記第２フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備え、
　前記第１バンドのダウンリンク帯域、前記第２バンドのダウンリンク帯域、及び、前記第３バンドのダウンリンク帯域は、互いに少なくとも一部が重なり合い、
　前記第１バンド及び前記第２バンドの組み合わせ、並びに、前記第１バンド及び前記第３バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる、
　高周波回路。
＜２＞
　前記高周波回路は、さらに、
　前記第１スイッチの前記第２端子に接続され、第４バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　前記第１スイッチの前記第３端子に接続され、第５バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第４フィルタと、を備え、
　前記第２バンド及び前記第４バンドの組み合わせ、並びに、前記第３バンド及び前記第５バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる、
　＜１＞に記載の高周波回路。
＜３＞
　前記高周波回路は、さらに、前記第１スイッチの前記第２端子に接続され、前記第２バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第５フィルタを備え、
　前記第２バンドのアップリンク帯域は、前記第５バンドのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う、
　＜２＞に記載の高周波回路。
＜４＞
　前記第１スイッチは、前記第１端子に前記第２端子及び前記第３端子を排他的に接続するよう構成される、
　＜３＞に記載の高周波回路。
＜５＞
　前記第１バンド及び前記第２バンドの同時通信、並びに、前記第２バンド及び前記第４バンドの同時通信において、前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第２端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第３端子に接続しない、
　＜４＞に記載の高周波回路。
＜６＞
　前記第１バンド及び前記第３バンドの同時通信、並びに、前記第３バンド及び前記第５バンドの同時通信において、前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第３端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第２端子に接続しない、
　＜４＞又は＜５＞に記載の高周波回路。
＜７＞
　前記第１バンドのアップリンク帯域は、前記第２バンドのアップリンク帯域及び前記第５バンドのダウンリンク帯域の各々と少なくとも一部が重なり合い、
　前記第４フィルタ及び前記第５フィルタの各々の通過帯域は、さらに、前記第１バンドのアップリンク帯域を含み、
　前記高周波回路は、さらに、
　前記第１スイッチの前記第２端子に接続され、前記第４バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第６フィルタと、
　前記第１スイッチの前記第３端子に接続され、前記第３バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第７フィルタと、
　前記第１スイッチの前記第３端子に接続され、前記第５バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第８フィルタと、を備える、
　＜３＞～＜６＞のいずれか１つに記載の高周波回路。
＜８＞
　前記高周波回路は、さらに、
　第１電力増幅器と、
　第２電力増幅器と、
　前記第１フィルタに接続される第１低雑音増幅器と、
　前記第２フィルタに接続される第２低雑音増幅器と、
　前記第３フィルタに接続される第３低雑音増幅器と、
　第４低雑音増幅器と、
　前記第１電力増幅器に接続される第４端子、前記第２電力増幅器に接続される第５端子、第６端子、前記第５フィルタに接続される第７端子、前記第６フィルタに接続される第８端子、前記第７フィルタに接続される第９端子及び前記第８フィルタに接続される第１０端子を含む第２スイッチと、
　前記第４フィルタに接続される第１１端子、前記第２スイッチの前記第６端子に接続される第１２端子及び前記第４低雑音増幅器に接続される第１３端子を含む第３スイッチと、を備える、
　＜７＞に記載の高周波回路。
＜９＞
　前記第２バンド及び前記第４バンドの同時通信において、
　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第２端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第３端子に接続せず、
　前記第２スイッチは、前記第４端子を前記第８端子に接続し、かつ、前記第５端子を前記第７端子に接続する、
　＜８＞に記載の高周波回路。
＜１０＞
　前記第１バンド及び前記第２バンドの同時通信において、
　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第２端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第３端子に接続せず、
　前記第２スイッチは、前記第５端子を前記第７端子に接続する、
　＜８＞又は＜９＞に記載の高周波回路。
＜１１＞
　前記第３バンド及び前記第５バンドの同時通信において、
　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第３端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第２端子に接続せず、
　前記第２スイッチは、前記第４端子を前記第９端子に接続し、かつ、前記第５端子を前記第１０端子に接続し、
　前記第３スイッチは、前記第１１端子を前記第１３端子に接続する、
　＜８＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の高周波回路。
＜１２＞
　前記第１バンド及び前記第３バンドの同時通信において、
　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第３端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第２端子に接続せず、
　前記第２スイッチは、前記第４端子を前記第９端子に接続し、かつ、前記第５端子を前記第６端子に接続し、
　前記第３スイッチは、前記第１１端子を前記第１２端子に接続する、
　＜８＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の高周波回路。
＜１３＞
　前記第５バンドのダウンリンク帯域は、第６バンドのダウンリンク帯域及び第７バンドのダウンリンク帯域と重なり合い、
　前記第３バンドのアップリンク帯域は、前記第７バンドのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、
　前記第５バンドのアップリンク帯域は、前記第６バンドのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、
　前記第４フィルタの通過帯域は、さらに、前記第６バンドのダウンリンク帯域及び前記第７バンドのダウンリンク帯域を含み、
　前記第７フィルタの通過帯域は、さらに、前記第７バンドのアップリンク帯域を含み、
　前記第８フィルタの通過帯域は、さらに、前記第６バンドのアップリンク帯域を含む、
　＜７＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の高周波回路。
＜１４＞
　前記第１バンドは、５ＧＮＲのためのｎ２５６であり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１であり、
　前記第３バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６であり、
　前記第４バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３であり、
　前記第５バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２であり、
　前記第６バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５であり、
　前記第７バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０である、
　＜１３＞に記載の高周波回路。
＜１５＞
　５ＧＮＲのためのｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記ｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２のダウンリンク帯域、及び、前記ｎ２５６のアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第４フィルタと、
　前記ｎ２５６のアップリンク帯域、及び、前記Ｂａｎｄ１又は前記ｎ１のアップリンク帯域を含む第５フィルタと、
　前記Ｂａｎｄ３又は前記ｎ３のアップリンク帯域を含む第６フィルタと、
　前記Ｂａｎｄ６６又は前記ｎ６６のアップリンク帯域を含む第７フィルタと、
　前記Ｂａｎｄ２又は前記ｎ２のアップリンク帯域を含む第８フィルタと、
　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１フィルタ、前記第３フィルタ、前記第５フィルタ及び前記第６フィルタに接続される第２端子、並びに、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、前記第７フィルタ及び前記第８フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備える、
　高周波回路。
＜１６＞
　前記高周波回路は、さらに、
　第１電力増幅器と、
　第２電力増幅器と、
　前記第１フィルタに接続される第１低雑音増幅器と、
　前記第２フィルタに接続される第２低雑音増幅器と、
　前記第３フィルタに接続される第３低雑音増幅器と、
　第４低雑音増幅器と、
　前記第１電力増幅器に接続される第４端子、前記第２電力増幅器に接続される第５端子、第６端子、前記第５フィルタに接続される第７端子、前記第６フィルタに接続される第８端子、前記第７フィルタに接続される第９端子及び前記第８フィルタに接続される第１０端子を含む第２スイッチと、
　前記第４フィルタに接続される第１１端子、前記第２スイッチの前記第６端子に接続される第１２端子及び前記第４低雑音増幅器に接続される第１３端子を含む第３スイッチと、を備える、
　＜１５＞に記載の高周波回路。
＜１７＞
　前記第４フィルタの通過帯域は、さらに、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０のダウンリンク帯域を含み、
　前記第７フィルタの通過帯域は、さらに、前記Ｂａｎｄ７０又は前記ｎ７０のアップリンク帯域を含み、
　前記第８フィルタの通過帯域は、さらに、前記Ｂａｎｄ２５又は前記ｎ２５のアップリンク帯域を含む、
　＜１５＞又は＜１６＞に記載の高周波回路。
＜１８＞
　第１バンドのダウンリンク帯域及び第２バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１バンドのダウンリンク帯域及び第３バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１フィルタに接続される第２端子、及び、前記第２フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備え、
　前記第１バンド及び前記第２バンドの組み合わせ、並びに、前記第１バンド及び前記第３バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれ、
　前記第１バンド、前記第２バンド及び前記第３バンドの組み合わせは、５ＧＮＲのためのｎ２５６と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４とのうちの任意の３つの組み合わせである、
　高周波回路。
　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１　高周波回路
　２　アンテナ
　３　ＲＦＩＣ
　４　ＢＢＩＣ
　５　通信装置
　１１、１２　電力増幅器
　２１、２２、２３、２４　低雑音増幅器
　３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８　フィルタ
　５１、５２、５３　スイッチ
　１００　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　高周波入力端子
　１２１、１２２、１２３、１２４　高周波出力端子
　５１１、５１２、５１３、５２１、５２２、５２３、５２４、５２５、５２６、５２７、５３１、５３２、５３３　端子
　Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ　バンド

Claims (18)

  1. 　第１バンドのダウンリンク帯域及び第２バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記第１バンドのダウンリンク帯域及び第３バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
    　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１フィルタに接続される第２端子、及び、前記第２フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備え、
    　前記第１バンドのダウンリンク帯域、前記第２バンドのダウンリンク帯域、及び、前記第３バンドのダウンリンク帯域は、互いに少なくとも一部が重なり合い、
    　前記第１バンド及び前記第２バンドの組み合わせ、並びに、前記第１バンド及び前記第３バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる、
    　高周波回路。
  2. 　前記高周波回路は、さらに、
    　前記第１スイッチの前記第２端子に接続され、第４バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
    　前記第１スイッチの前記第３端子に接続され、第５バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第４フィルタと、を備え、
    　前記第２バンド及び前記第４バンドの組み合わせ、並びに、前記第３バンド及び前記第５バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれる、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  3. 　前記高周波回路は、さらに、前記第１スイッチの前記第２端子に接続され、前記第２バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第５フィルタを備え、
    　前記第２バンドのアップリンク帯域は、前記第５バンドのダウンリンク帯域と少なくとも一部が重なり合う、
    　請求項２に記載の高周波回路。
  4. 　前記第１スイッチは、前記第１端子に前記第２端子及び前記第３端子を排他的に接続するよう構成される、
    　請求項３に記載の高周波回路。
  5. 　前記第１バンド及び前記第２バンドの同時通信、並びに、前記第２バンド及び前記第４バンドの同時通信において、前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第２端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第３端子に接続しない、
    　請求項４に記載の高周波回路。
  6. 　前記第１バンド及び前記第３バンドの同時通信、並びに、前記第３バンド及び前記第５バンドの同時通信において、前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第３端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第２端子に接続しない、
    　請求項４又は５に記載の高周波回路。
  7. 　前記第１バンドのアップリンク帯域は、前記第２バンドのアップリンク帯域及び前記第５バンドのダウンリンク帯域の各々と少なくとも一部が重なり合い、
    　前記第４フィルタ及び前記第５フィルタの各々の通過帯域は、さらに、前記第１バンドのアップリンク帯域を含み、
    　前記高周波回路は、さらに、
    　前記第１スイッチの前記第２端子に接続され、前記第４バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第６フィルタと、
    　前記第１スイッチの前記第３端子に接続され、前記第３バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第７フィルタと、
    　前記第１スイッチの前記第３端子に接続され、前記第５バンドのアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第８フィルタと、を備える、
    　請求項３～６のいずれか１項に記載の高周波回路。
  8. 　前記高周波回路は、さらに、
    　第１電力増幅器と、
    　第２電力増幅器と、
    　前記第１フィルタに接続される第１低雑音増幅器と、
    　前記第２フィルタに接続される第２低雑音増幅器と、
    　前記第３フィルタに接続される第３低雑音増幅器と、
    　第４低雑音増幅器と、
    　前記第１電力増幅器に接続される第４端子、前記第２電力増幅器に接続される第５端子、第６端子、前記第５フィルタに接続される第７端子、前記第６フィルタに接続される第８端子、前記第７フィルタに接続される第９端子及び前記第８フィルタに接続される第１０端子を含む第２スイッチと、
    　前記第４フィルタに接続される第１１端子、前記第２スイッチの前記第６端子に接続される第１２端子及び前記第４低雑音増幅器に接続される第１３端子を含む第３スイッチと、を備える、
    　請求項７に記載の高周波回路。
  9. 　前記第２バンド及び前記第４バンドの同時通信において、
    　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第２端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第３端子に接続せず、
    　前記第２スイッチは、前記第４端子を前記第８端子に接続し、かつ、前記第５端子を前記第７端子に接続する、
    　請求項８に記載の高周波回路。
  10. 　前記第１バンド及び前記第２バンドの同時通信において、
    　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第２端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第３端子に接続せず、
    　前記第２スイッチは、前記第５端子を前記第７端子に接続する、
    　請求項８又は９に記載の高周波回路。
  11. 　前記第３バンド及び前記第５バンドの同時通信において、
    　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第３端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第２端子に接続せず、
    　前記第２スイッチは、前記第４端子を前記第９端子に接続し、かつ、前記第５端子を前記第１０端子に接続し、
    　前記第３スイッチは、前記第１１端子を前記第１３端子に接続する、
    　請求項８～１０のいずれか１項に記載の高周波回路。
  12. 　前記第１バンド及び前記第３バンドの同時通信において、
    　前記第１スイッチは、前記第１端子を前記第３端子に接続し、かつ、前記第１端子を前記第２端子に接続せず、
    　前記第２スイッチは、前記第４端子を前記第９端子に接続し、かつ、前記第５端子を前記第６端子に接続し、
    　前記第３スイッチは、前記第１１端子を前記第１２端子に接続する、
    　請求項８～１１のいずれか１項に記載の高周波回路。
  13. 　前記第５バンドのダウンリンク帯域は、第６バンドのダウンリンク帯域及び第７バンドのダウンリンク帯域と重なり合い、
    　前記第３バンドのアップリンク帯域は、前記第７バンドのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、
    　前記第５バンドのアップリンク帯域は、前記第６バンドのアップリンク帯域と少なくとも一部が重なり合い、
    　前記第４フィルタの通過帯域は、さらに、前記第６バンドのダウンリンク帯域及び前記第７バンドのダウンリンク帯域を含み、
    　前記第７フィルタの通過帯域は、さらに、前記第７バンドのアップリンク帯域を含み、
    　前記第８フィルタの通過帯域は、さらに、前記第６バンドのアップリンク帯域を含む、
    　請求項７～１２のいずれか１項に記載の高周波回路。
  14. 　前記第１バンドは、５ＧＮＲのためのｎ２５６であり、
    　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１であり、
    　前記第３バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６であり、
    　前記第４バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３であり、
    　前記第５バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２であり、
    　前記第６バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５であり、
    　前記第７バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０である、
    　請求項１３に記載の高周波回路。
  15. 　５ＧＮＲのためのｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記ｎ２５６のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
    　ＬＴＥのためのＢａｎｄ３又は５ＧＮＲのためのｎ３のダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
    　ＬＴＥのためのＢａｎｄ２又は５ＧＮＲのためのｎ２のダウンリンク帯域、及び、前記ｎ２５６のアップリンク帯域を含む通過帯域を有する第４フィルタと、
    　前記ｎ２５６のアップリンク帯域、及び、前記Ｂａｎｄ１又は前記ｎ１のアップリンク帯域を含む第５フィルタと、
    　前記Ｂａｎｄ３又は前記ｎ３のアップリンク帯域を含む第６フィルタと、
    　前記Ｂａｎｄ６６又は前記ｎ６６のアップリンク帯域を含む第７フィルタと、
    　前記Ｂａｎｄ２又は前記ｎ２のアップリンク帯域を含む第８フィルタと、
    　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１フィルタ、前記第３フィルタ、前記第５フィルタ及び前記第６フィルタに接続される第２端子、並びに、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、前記第７フィルタ及び前記第８フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備える、
    　高周波回路。
  16. 　前記高周波回路は、さらに、
    　第１電力増幅器と、
    　第２電力増幅器と、
    　前記第１フィルタに接続される第１低雑音増幅器と、
    　前記第２フィルタに接続される第２低雑音増幅器と、
    　前記第３フィルタに接続される第３低雑音増幅器と、
    　第４低雑音増幅器と、
    　前記第１電力増幅器に接続される第４端子、前記第２電力増幅器に接続される第５端子、第６端子、前記第５フィルタに接続される第７端子、前記第６フィルタに接続される第８端子、前記第７フィルタに接続される第９端子及び前記第８フィルタに接続される第１０端子を含む第２スイッチと、
    　前記第４フィルタに接続される第１１端子、前記第２スイッチの前記第６端子に接続される第１２端子及び前記第４低雑音増幅器に接続される第１３端子を含む第３スイッチと、を備える、
    　請求項１５に記載の高周波回路。
  17. 　前記第４フィルタの通過帯域は、さらに、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２５又は５ＧＮＲのためのｎ２５のダウンリンク帯域、及び、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７０又は５ＧＮＲのためのｎ７０のダウンリンク帯域を含み、
    　前記第７フィルタの通過帯域は、さらに、前記Ｂａｎｄ７０又は前記ｎ７０のアップリンク帯域を含み、
    　前記第８フィルタの通過帯域は、さらに、前記Ｂａｎｄ２５又は前記ｎ２５のアップリンク帯域を含む、
    　請求項１５又は１６に記載の高周波回路。
  18. 　第１バンドのダウンリンク帯域及び第２バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記第１バンドのダウンリンク帯域及び第３バンドのダウンリンク帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタと、
    　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１フィルタに接続される第２端子、及び、前記第２フィルタに接続される第３端子を含む第１スイッチと、を備え、
    　前記第１バンド及び前記第２バンドの組み合わせ、並びに、前記第１バンド及び前記第３バンドの組み合わせは、予め定義された同時通信可能なバンドコンビネーションに含まれ、
    　前記第１バンド、前記第２バンド及び前記第３バンドの組み合わせは、５ＧＮＲのためのｎ２５６と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１又は５ＧＮＲのためのｎ１と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ６６又は５ＧＮＲのためのｎ６６と、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４とのうちの任意の３つの組み合わせである、
    　高周波回路。
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