JP2021086866A - 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム - Google Patents

樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム Download PDF

Info

Publication number
JP2021086866A
JP2021086866A JP2019212746A JP2019212746A JP2021086866A JP 2021086866 A JP2021086866 A JP 2021086866A JP 2019212746 A JP2019212746 A JP 2019212746A JP 2019212746 A JP2019212746 A JP 2019212746A JP 2021086866 A JP2021086866 A JP 2021086866A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
groove
manufacturing
molded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019212746A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6986539B2 (ja
Inventor
渡辺　創
So Watanabe
創 渡辺
善夏 黄
Zenka Ko
善夏 黄
高橋　和宏
Kazuhiro Takahashi
和宏 高橋
周邦 花坂
Shuho Hanasaka
周邦 花坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2019212746A priority Critical patent/JP6986539B2/ja
Priority to TW109136782A priority patent/TWI747568B/zh
Priority to CN202011185026.XA priority patent/CN112838014B/zh
Priority to KR1020200149508A priority patent/KR102407742B1/ko
Publication of JP2021086866A publication Critical patent/JP2021086866A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6986539B2 publication Critical patent/JP6986539B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B29C45/0055—Shaping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/70—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B29C2045/0079—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping applying a coating or covering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C2045/0094—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor injection moulding of small-sized articles, e.g. microarticles, ultra thin articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】 リードフレーム上面に樹脂が残らない樹脂成形済リードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法は、溝部１１ｅを有するリードフレーム１１を樹脂成形する樹脂成形工程を含み、前記樹脂成形工程は、リードフレーム１１の側面から溝部１１ｅに液状樹脂２０ｂを注入する液状樹脂注入工程と、注入した液状樹脂２０ｂを固化させる樹脂固化工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図１

Description

本発明は、樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレームに関する。
樹脂成形品の製造において、リードフレームに他の部品を接合するに先立ち、リードフレームの溝部に樹脂を充填して樹脂成形する場合がある。このような樹脂成形を「プレモールド」又は「プリモールド」ということがある。
そのような樹脂成形（プレモールド）について記載された文献としては、例えば、特許文献１がある。特許文献１の［００２０］、［００２１］、図２及び図３によれば、金型のゲートに対応する位置においてハーフエッチング部１２を設けることと、金型のエアベントに対応する位置にもハーフエッチング部１８を設けることが記載されている。このような構成によれば、ゲートブレイク時（ディゲート時）に、樹脂（樹脂パッケージ）の欠けやリードフレーム１０からの樹脂の剥離（界面剥離）等の不具合を低減することができると特許文献１には記載されている。
特開２０１４−０１７３９０号公報
しかしながら、特許文献１に記載されるようにリードフレーム上面にゲートを設けて樹脂を注入する場合、ゲートブレイク（ゲート樹脂と、リードフレームに充填された樹脂との分離）後に、リードフレーム上面に樹脂が残るおそれがある。リードフレーム上面に樹脂が残った場合は、残った樹脂の除去工程が必要になり、製品の製造効率低下、不良率増加等につながるおそれがある。また、リードフレーム上面にゲートを設けて樹脂を注入する場合、ゲートブレイク時に樹脂（樹脂パッケージ）の欠けやリードフレームからの樹脂の剥離（界面剥離）等の不具合を生じるおそれがある。
また、特許文献１のリードフレームの構造では、樹脂がリードフレームの溝部の隅まで流れにくく、樹脂がリードフレーム全体に行き渡らないおそれがある。
そこで、本発明は、リードフレーム上面に樹脂が残らない樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、樹脂がリードフレーム全体に行き渡りやすいリードフレームを提供することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法は、
溝部を有するリードフレームを樹脂成形する樹脂成形工程を含み、
前記樹脂成形工程は、前記リードフレームの側面から前記溝部に液状樹脂を注入する液状樹脂注入工程と、注入した前記液状樹脂を固化させる樹脂固化工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の樹脂成形品の製造方法は、
樹脂成形済リードフレームから樹脂成形品を製造する方法であって、
本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法により前記樹脂成形済リードフレームを製造する樹脂成形済リードフレーム製造工程と、
前記樹脂成形済リードフレームに前記樹脂成形品の他の部品を接合する接合工程と、
前記樹脂成形済リードフレームに接合された前記他の部品を樹脂封止する樹脂封止工程と、
を含むことを特徴とする。
本発明のリードフレームは、
貫通溝と第１有底溝とを含む溝部を有するリードフレームであって、
前記リードフレームの周縁部の少なくとも一部に、前記貫通溝と連結した前記第１有底溝を有し、
前記前記第１有底溝を介して前記溝部内の気体を前記リードフレーム外部に排出可能であることを特徴とする。
本発明によれば、リードフレーム上面に樹脂が残らない樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法を提供することができる。さらに、本発明によれば、樹脂がリードフレーム全体に行き渡りやすいリードフレームを提供することができる。
図１は、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。 図２は、図１に示した樹脂成形済リードフレームの製造方法において、液状樹脂注入工程の一部を模式的に示す工程断面図である。 図３は、本発明のリードフレームの一例を示す平面図である。 図４は、図３のリードフレームにおける溝部の形態を示す底面図である。 図５は、図３のリードフレームを用いた本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法の一例において、樹脂が充填される工程の一部を模式的に示す工程平面図である。 図６は、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法に用いる成形型の一例を模式的に示す斜視図である。 図７は、比較例のリードフレーム上面にゲートを設けて樹脂を注入する方法と、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法とを対比させて模式的に示す工程断面図である。
つぎに、本発明について、例を挙げてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の説明により限定されない。
本発明の樹脂成形品の製造方法において、例えば、前記樹脂成形品が、電子部品であってもよい。
本発明のリードフレームにおいて、例えば、前記第１有底溝が、少なくとも一か所で折り返された形状であってもよい。
本発明のリードフレームは、例えば、前記リードフレームの周縁部の少なくとも一部に、樹脂注入用の第２有底溝を有していてもよい。
本発明のリードフレームは、例えば、前記第１有底溝の一部の幅が、前記第１有底溝の他の部分の幅よりも狭くてもよい。
本発明において、樹脂成形方法は、特に限定されず、例えば、トランスファ成形でもよいが、射出成型等でもよい。
本発明において、「成形型」は、例えば金型であるが、これに限定されず、例えば、セラミック型等であってもよい。
本発明において、樹脂成形品は、特に限定されず、例えば、単に樹脂を成形した樹脂成形品でもよいし、チップ等の部品を樹脂封止した樹脂成形品でもよい。本発明において、樹脂成形品は、例えば、前述のとおり、電子部品等であってもよい。
本発明において、成形前の樹脂材料及び成形後の樹脂としては、特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂であってもよいし、熱可塑性樹脂であってもよい。また、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を一部に含んだ複合材料であってもよい。本発明において、成形前の樹脂材料の形態としては、例えば、顆粒状樹脂、液状樹脂、シート状の樹脂、タブレット状の樹脂、粉状の樹脂等が挙げられる。なお、本発明において、液状樹脂とは、常温で液状であってもよいし、加熱により溶融されて液状となる溶融樹脂も含む。
また、一般に、「電子部品」は、樹脂封止する前のチップをいう場合と、チップを樹脂封止した状態をいう場合とがあるが、本発明において、単に「電子部品」という場合は、特に断らない限り、前記チップが樹脂封止された電子部品（完成品としての電子部品）をいう。本発明において、「チップ」は、樹脂封止する前のチップをいい、具体的には、例えば、ＩＣ、半導体チップ、電力制御用の半導体素子等のチップが挙げられる。本発明において、樹脂封止する前のチップは、樹脂封止後の電子部品と区別するために、便宜上「チップ」という。しかし、本発明における「チップ」は、樹脂封止する前のチップであれば、特に限定されず、チップ状でなくてもよい。
本発明において、「フリップチップ」とは、ＩＣチップ表面部の電極（ボンディングパット）にバンプと呼ばれる瘤状の突起状電極を有するＩＣチップ、あるいはそのようなチップ形態のことをいう。このチップを、下向きに（フェースダウン）してプリント基板などの配線部に接合させる。前記フリップチップは、例えば、ワイヤレスボンディング用のチップあるいは接合方式の一つとして用いられる。
以下、本発明の具体的な実施例を図面に基づいて説明する。各図は、説明の便宜のため、適宜省略、誇張等をして模式的に描いている。
本実施例では、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレームの一例について説明する。
図１（ａ）〜（ｈ）の工程断面図に、本発明の樹脂成形済リードフレーム（以下「プレモールドリードフレーム」ということがある。）の製造方法及び樹脂成形品の製造方法の一例を模式的に示す。
まず、図１（ａ）に示すとおり、未成形のリードフレーム１１を準備する。
つぎに、図１（ｂ）に示すとおり、リードフレーム１１の一部をエッチングにより除去し、溝部１１ｅを形成する。各部の溝部１１ｅは、１つにつながっているため、後述するように、液状樹脂を注入することで、リードフレーム１１の溝部１１ｅ全体に樹脂を行き渡らせることができる。なお、溝部１１ｅを形成する方法は、特に限定されないが、精度、操作性、コスト等の観点からエッチングが好ましい。
さらに、図１（ｃ）及び（ｄ）に示すとおり、溝部１１ｅを有するリードフレーム１１を樹脂成形する。この工程は、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法における「樹脂成形工程」に該当し、また「プレモールド」若しくは「プレモールド工程」ともいうことがある。具体的には、まず、図１（ｃ）に示すとおり、リードフレーム１１を、成形型の上型１００１及び下型１００２により挟みこんで固定する。これにより、リードフレーム１１を固定するとともに、樹脂がリードフレーム１１の上面及び下面からはみ出さないようにする。
つぎに、図１（ｄ）に示すとおり、リードフレーム１１の側面に隣接したゲート（図１では図示せず）を経由して、リードフレーム１１の側面から、溝部１１ｅに液状樹脂２０ｂを注入する（液状樹脂注入工程）。なお、液状樹脂２０ｂは、特に限定されず、例えば、前述のとおり、熱硬化性樹脂でもよいし熱可塑性樹脂でもよい。さらに、注入した液状樹脂２０ｂを固化させて樹脂部とし（樹脂固化工程）、その後、リードフレーム１１及び樹脂部を上型１００１及び下型１００２から分離（離型）するとともに、ゲート樹脂と、リードフレームに充填された樹脂部とを分離する（ゲートブレイク）。このようにして、リードフレーム１１の溝部が樹脂部で充填された樹脂成形済リードフレーム（プレモールドリードフレーム）を製造する。液状樹脂２０ｂを固化させる方法は特に限定されず、液状樹脂２０ｂの種類等に応じて適切な方法を選択すればよい。例えば、液状樹脂２０ｂが熱硬化性樹脂である場合は、加熱して硬化（固化）させてもよい。また、例えば、液状樹脂２０ｂが、加熱されて溶融した熱可塑性樹脂である場合は、冷却することにより固化してもよい。
以上のようにして、樹脂成形済リードフレームを製造する（樹脂成形済リードフレーム製造工程）。
さらに、図１（ｅ）〜（ｈ）に示すようにして、電子部品（樹脂成形品）を製造することができる。
まず、図１（ａ）〜（ｄ）で製造した樹脂成形済リードフレームの上面にＡｇメッキ層を形成する（図示せず）。つぎに、図１（ｅ）に示すとおり、上面に前記Ａｇメッキ層（図示せず）が形成されたリードフレーム１１に、チップ１２及びワイヤ１３を接合（ボンディング）する（接合工程）。なお、図１（ｅ）において、樹脂部２０は、図１（ｄ）の液状樹脂２０ｂが固化したものである。チップ１２及びワイヤ１３は、製造される樹脂成形品における、リードフレーム１１以外の「他の部品」に該当する。チップ１２は、例えば、半導体チップ等であってもよい。また、図１では、リードフレーム１１以外の「他の部品」として、チップ１２及びワイヤ１３を用いているが、これに限定されず、どのような部品でもよい。また、Ａｇメッキの順番はこれに限定するものではない。例えば、プレモールド前にＡｇメッキをしてもよい。
つぎに、図１（ｆ）に示すとおり、樹脂成形済リードフレームに接合させたチップ１２及びワイヤ１３を、樹脂部２０で樹脂封止する（樹脂封止工程）。この樹脂封止（樹脂成形）方法は特に限定されず、例えば、トランスファ成形、圧縮成形等の公知の方法を適宜用いてもよい。また、チップ１２及びワイヤ１３を樹脂封止するための樹脂部２０は、リードフレームの溝部１１ｅに充填された樹脂部２０と同種の樹脂でもよいし、異種の樹脂でもよい。
さらに、図１（ｇ）に示すとおり、リードフレーム１１の下面（チップ１２及びワイヤ１３を接合した側と反対側の面）をＳｎ（スズ）でメッキし、Ｓｎメッキ層１４を形成する。さらに、図１（ｈ）に示すとおり、リードフレーム１１を、樹脂部２０及びＳｎメッキ層１４とともに切断して個片化し、電子部品（樹脂成形品）３０を製造することができる。電子部品３０は、図示のとおり、リードフレーム１１の上面にチップ１２及びワイヤ１３が接合されて樹脂部２０で樹脂封止され、さらに、リードフレーム１１の下面にＳｎメッキ層１４が形成されている。
なお、本発明の樹脂成形品の製造方法は、前述のとおり、「樹脂成形済リードフレーム製造工程」及び他の部品を接合する「接合工程」を含むが、これら以外の他の工程を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。他の工程としては、具体的には、例えば、図１（ｇ）に示したようにＳｎメッキ層を形成する工程（メッキ工程）、図１（ｈ）に示したようにリードフレームを個片化する工程（個片化工程）等が挙げられる。
また、図２（ａ）及び（ｂ）の工程断面図に、図１（ｄ）の液状樹脂注入工程において液状樹脂２０ｂが溝部１１ｅ全体に行き渡るメカニズムの一例を示す。図２（ａ）に示すとおり、リードフレーム１１が上型１００１及び下型１００２に挟まれた状態で、溝部１１ｅに液状樹脂２０ｂを注入する。前述のとおり、溝部１１ｅは、１つにつながっているため、図２（ｂ）に示すように、リードフレーム１１の溝部１１ｅ全体に樹脂を行き渡らせることができる。なお、図２（ａ）及び（ｂ）では、溝部１１ｅの一部である貫通溝は、リードフレーム１１が、その厚みの全体にわたってエッチングにより除去されることで形成されている。また、溝部１１ｅの他の少なくとも一部である有底溝は、リードフレーム１１がその厚みの半分をエッチングにより除去することで形成されている。したがって、有底溝は、リードフレーム１１を貫通せずに底を有している。なお、図２では、エッチングする厚み（すなわち有底溝の厚み）がリードフレーム１１の厚みの半分である例を説明したが、この説明は単なる例示であり、本発明をなんら限定しない。すなわち、本発明のリードフレームにおいて、有底溝（例えば、後述する第１有底溝及び第２有底溝）の厚みは、リードフレームの厚みの一部であること以外は特に限定されない。また、例えば、リードフレーム１１の厚みが０．２ｍｍであり、その厚みの半分が０．１ｍｍであってもよいが、この数値は単なる例示であり、本発明をなんら限定しない。
つぎに、図３の平面図に、本発明のリードフレームの一例を示す。図１及び２における樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法は、例えば、図３のリードフレームを用いて行うことができる。
図３（ａ）は、このリードフレーム１１の全体図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部の拡大図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）の一部をさらに拡大した図である。図示のとおり、リードフレーム１１は、その一部に溝部１１ｅを有する。溝部１１ｅは、例えば、図１（ａ）及び（ｂ）で示したように、エッチングにより形成することができる。また、溝部１１ｅは、図２で説明したように、貫通溝と有底溝とを含む。さらに、その有底溝は、後述するように、第１有底溝と第２有底溝とを含む。
図３のリードフレーム１１は、１つの電子部品に対応する領域が複数連結した構造を有する。図３（ａ）のリードフレーム１１では、１つの電子部品に対応する領域が４つ並列に連結している。図１１（ｂ）は、図３（ａ）の４つの領域のうち最も左側の領域の拡大図である。図示のとおり、リードフレーム１１の周縁部１１ａには、一辺に樹脂注入溝１１ｆが形成されている。樹脂注入溝１１ｆは、樹脂注入用の溝であるとともに、図２で説明した有底溝の一部である。樹脂注入溝１１ｆは、本発明のリードフレームにおける「第２有底溝」に該当する。樹脂注入溝１１ｆは、リードフレーム１１を貫通せずに底を有している。また、リードフレーム１１の周縁部１１ａの四辺には、エアベント溝１１ｇが形成されている。エアベント溝１１ｇは、樹脂注入用の溝であるとともに、図２で説明した有底溝の一部である。エアベント溝１１ｇは、本発明のリードフレームにおける「第１有底溝」に該当する。エアベント溝１１ｇは、リードフレーム１１を貫通せずに底を有している。樹脂注入溝１１ｆ及びエアベント溝１１ｇは、それぞれ、リードフレーム１１における溝部１１ｅの一部であり、周縁部１１ａ以外に形成された溝部１１ｅと連結している。
図３のリードフレーム１１は、エアベント溝１１ｇを介して溝部１１ｅ内の気体をリードフレーム１１外部に排出可能である。これにより、溝部１１ｅ内への液状樹脂の充填が溝部１１ｅ内の気体によって妨げられることを抑制又は防止できるので、樹脂がリードフレーム１１全体に行き渡りやすい。なお、溝部１１ｅ内の気体としては、特に限定されないが、例えば、液状樹脂の注入前から溝部１１ｅ内に存在していた気体（例えば空気）、及び、溝部１１ｅ内に注入された樹脂から発生した気体等が挙げられる。また、図３のリードフレーム１１では、エアベント溝１１ｇは、複数個所で折り返された形状を有する。このようにエアベント溝１１ｇが折り返された形状を有することで、エアベント溝１１ｇの形状を複雑に、かつ、エアベント溝１１ｇの長さを長くすることができる。これにより、エアベント溝１１ｇから液状樹脂が漏出することを抑制又は防止できる。
また、図３（ｃ）は、図３（ｂ）においてエアベント溝１１ｇが形成された部分の一部の拡大図である。図示のとおり、エアベント溝１１ｇの一部の幅が、エアベント溝１１ｇの他の部分の幅よりも狭くなっている。エアベント溝１１ｇの全体の幅を広くすると、溝部１１ｅ内の気体をリードフレーム１１外部に排出しやすいが、エアベント溝１１ｇから液状樹脂が漏出しやすくなる。一方、エアベント溝１１ｇの全体の幅を狭くすると、エアベント溝１１ｇから液状樹脂が漏出しにくくなるが、溝部１１ｅ内の気体をリードフレーム１１外部に排出しにくくなる。しかし、図３（ｃ）に示すように、エアベント溝１１ｇの一部の幅を、エアベント溝１１ｇの他の部分の幅よりも狭くすれば、溝部１１ｅ内の気体をリードフレーム１１外部に排出しやすいとともに、エアベント溝１１ｇの幅が狭い部分よりも外側に液状樹脂が漏出することを抑制又は防止できる。
なお、本発明のリードフレームにおいて、エアベント溝（第１有底溝）は、リードフレームの周縁部の少なくとも一部に設けられていればよい。例えば、リードフレームが方形又は矩形の場合、一辺、二辺、三辺又は四辺にエアベント溝が設けられていてもよい。また、本発明のリードフレームが樹脂注入溝（第２有底溝）を有する場合、樹脂注入溝は、リードフレームの周縁部の少なくとも一部に設けられていればよい。例えば、リードフレームが方形又は矩形の場合、一辺、二辺、三辺又は四辺に樹脂注入溝が設けられていてもよい。
図４は、図３のリードフレームにおける溝部の形態を示す底面図である。図４（ａ）は、リードフレーム１１の全体を表す底面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）中の枠で囲んだ領域の拡大図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）中の枠で囲んだ領域をさらに拡大した図である。図示のとおり、溝部１１ｅは、リードフレーム１１の全体に広がっているとともに、１つにつながっている。これにより、樹脂をリードフレーム１１全体に行き渡らせることができる。なお、図１〜４に示した溝部１１ｅの形態（形状及び大きさ等）は例示であり、本発明のリードフレームにおける溝部の形態は、これに限定されない。
図５（ａ）〜（ｃ）の工程平面図に、図３のリードフレームを用いた本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法の一例において、樹脂が充填される工程の一部を模式的に示す。まず、図５（ａ）に示すとおり、樹脂注入溝１１ｆから液状樹脂２０ｂを注入する。そうすると、同図に示すとおり、溝部１１ｅ内において、樹脂注入溝１１ｆに近い箇所及び液状樹脂２０ｂが流れやすい箇所から順に液状樹脂２０ｂが充填されていく。さらに液状樹脂２０ｂを注入し続けると、図５（ｂ）に示すとおり、次第に溝部１１ｅ全体に液状樹脂２０ｂが充填され、リードフレーム１１全体に液状樹脂２０ｂが行き渡る。このとき、溝部１１ｅ内の気体がエアベント溝１１ｇからリードフレーム１１外部に排出されることで、液状樹脂２０ｂが溝部１１ｅ全体に充填されやすく、リードフレーム１１全体に液状樹脂２０ｂが行き渡りやすくなる。さらに樹脂注入圧がかかると、図５（ｃ）に示すとおり、エアベント溝１１ｇ内に液状樹脂２０ｂが流れ込む可能性がある。しかし、前述のとおり、エアベント溝１１ｇは、折り返された形状を有することで、形状が複雑に、かつ、長さが長くなっているので、エアベント溝１１ｇから液状樹脂２０ｂが漏出することを抑制又は防止できる。
図６の斜視図に、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法に用いる成形型の一例を模式的に示す。この成形型は、図１〜４に示したリードフレーム１１に対して用いることができる。また、この成形型は、例えば、図１に示したように、上型１００１及び下型１００２によりリードフレーム１１を挟み込んで用いることができる。図６の斜視図に示すとおり、この成形型は、上型１００１及び下型１００２を含む。下型１００２は、樹脂注入口１００３、ランナー１００４及びゲート１００５を有する。上型１００１及び下型１００２は、それぞれ、平面視では、リードフレーム１１の形状に対応した矩形の形状をしている。樹脂注入口１００３は、下型１００２における長手方向の側面の一方において、ほぼ中心に設けられている。ランナー１００４は、下型１００２の上面の周縁部において、樹脂注入口１００３側の長辺のほぼ全体にわたって形成された溝である。ゲート１００５は、下型１００２の上面の周縁部において、ランナー１００４と、リードフレーム１１を載置する部分との間に設けられた溝である。樹脂注入口１００３はランナー１００４と連結しており、ランナー１００４はゲート１００５と連結している。ゲート１００５は複数であり、それぞれのゲート１００５は、下型１００２の上面にリードフレーム１１を載置した場合に、樹脂注入溝１１ｆ（図６では図示せず）と連結される位置に設けられている。したがって、樹脂注入口１００３から液状樹脂を注入すると、ランナー１００４及びゲート１００５を介してリードフレーム１１の側面から樹脂注入溝１１ｆに液状樹脂を注入することができる。液状樹脂注入時には、図１で説明したとおり、リードフレーム１１を成形型の上型１００１及び下型１００２により挟みこむことで、リードフレーム１１を固定するとともに、樹脂がリードフレーム１１の上面及び下面からはみ出さないようにすることができる。なお、図６では、リードフレーム１１と、上型１００１及び下型１００２との間に、それぞれ離型フィルム（リリースフィルム）４０を挟むようにしている。しかし、本発明はこれに限定されず、離型フィルムを用いなくてもよい。また、図６の成形型はエアベント用の溝を有さない。しかし、リードフレーム１１に前述のエアベント溝１１ｇ（図６では図示せず）が設けられていることにより、リードフレーム１１の溝部１１ｅ（図６では図示せず）内の気体が、エアベント溝１１ｇを介してリードフレーム１１の側面から外部に排出される。
なお、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法に用いる成形型は、図６の成形型に限定されず、任意である。例えば、トランスファ成形用の一般的な成形型と同様又はそれに準じた形状の成形型を用いてもよい。
本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法及び樹脂成形品の製造方法によれば、リードフレームの側面から液状樹脂を注入するので、前述のとおり、リードフレーム上面に樹脂が残らないようにすることができる。
＜比較例＞
図７の工程断面図に、リードフレーム上面にゲートを設けて樹脂を注入する方法（比較例）と、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法とを対比させて模式的に示す。図７（ａ１）〜（ａ４）は、リードフレーム上面にゲートを設けて樹脂を注入する方法を示す工程断面図である。図７（ｂ１）〜（ｂ３）は、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法の一部を示す工程断面図であり、図１（ｄ）の工程と同様である。
例えば、特許文献１に基づく比較例の方法では、図７（ａ１）に示すようにリードフレーム１１の上面にゲート（図示せず）を設けて液状樹脂２０ｂを注入する。このとき、実際には、図７（ａ２）に示すように、上型１００１ｘと下型１００２ｘとによりリードフレーム１１を挟み込んで固定する。液状樹脂注入用のゲートは、上型１００１ｘに設けられ、リードフレーム１１上面から液状樹脂２０ｂを注入可能である。さらに、注入した液状樹脂２０ｂを固化させて樹脂部２０とし（樹脂固化工程）、その後、リードフレーム１１及び樹脂部２０を上型１００１及び下型１００２から分離（離型）する。さらに、ゲート樹脂を図７（ａ２）の矢印の方向に曲げて折り取ることにより、リードフレーム１１に充填された樹脂部２０とゲート樹脂とを分離する（ゲートブレイク）。このようにして、リードフレーム１１の溝部が樹脂部２０で充填された樹脂成形済リードフレーム（プレモールドリードフレーム）を製造する。しかし、このとき、図７（ａ３）又は（ａ４）に示すとおり、不要樹脂がリードフレーム１１の上面に残ってしまうおそれがある。図７（ａ３）は、不要樹脂がランナーの先端で折れてリードフレーム１１の上面に残った例である。同図に示すとおり、ゲート樹脂が、不要樹脂２０ｄとしてリードフレーム１１の上面に残っている。図７（ａ４）は、不要樹脂がランナーの途中で折れてリードフレーム１１の上面に残った例である。同図に示すとおり、ランナー樹脂の一部及びゲート樹脂が、不要樹脂２０ｄとしてリードフレーム１１の上面に残っている。
一方、本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法では、図７（ｂ１）に示すとおり、リードフレーム１１の側面から液状樹脂２０ｂを注入する。このとき、実際には、図７（ｂ２）に示すとおり（図１（ｃ）及び（ｄ）と同様に）、リードフレーム１１を、成形型の上型１００１及び下型１００２により挟みこんで固定するとともに、液状樹脂２０ｂがリードフレーム１１の上面及び下面からはみ出さないようにする。なお、液状樹脂２０ｂをリードフレーム１１の側面から注入するためのゲート及びランナーは、図７（ｂ１）及び（ｂ２）では図示していないが、例えば、成形型に設けることができる。より具体的には、例えば、図６で示したように、下型１００２にランナー１００４及びゲート１００５を設けてもよい。さらに、注入した液状樹脂２０ｂを固化させて樹脂部２０とし（樹脂固化工程）、その後、リードフレーム１１及び樹脂部２０を上型１００１及び下型１００２から分離（離型）する。さらに、ゲート樹脂を図７（ｂ２）の矢印の方向に曲げて折り取ることにより、リードフレーム１１に充填された樹脂部２０とゲート樹脂とを分離する（ゲートブレイク）。このようにして、図７（ｂ３）に示すように、リードフレーム１１の溝部が樹脂部２０で充填された樹脂成形済リードフレーム（プレモールドリードフレーム）を製造することができる。図７（ｂ１）〜（ｂ３）に示した本発明の樹脂成形済リードフレームの製造方法では、リードフレーム１１の側面から液状樹脂２０ｂを注入するため、図７（ａ３）又は（ａ４）のようにリードフレーム１１の上面に不要樹脂が残ることがない。
本発明は、例えば、リードフレームを用いて製造されるＱＦＮ（Quad Flat Non-Lead
Package）、ＳＯＮ（small-outline no lead Package）等のリードフレームを用いたリードレスタイプの電子部品の製造に適用することができる。ただし、本発明により製造することができる樹脂成形品は、このような電子部品に限定されず、任意である。
さらに、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
１１ リードフレーム
１１ｅ リードフレーム１１の溝部
１１ｆ 樹脂注入溝（第２有底溝）
１１ｇ エアベント溝（第１有底溝）
１２ チップ
１３ ワイヤ
２０ 樹脂部
２０ｂ 液状樹脂
２０ｄ 不要樹脂
３０ 電子部品（樹脂成形品）
４０ 離型フィルム
１００１、１００１ｘ 上型
１００２、１００２ｘ 下型
１００３ 樹脂注入口
１００４ ランナー
１００５ ゲート

Claims (7)

  1. 溝部を有するリードフレームを樹脂成形する樹脂成形工程を含み、
    前記樹脂成形工程は、前記リードフレームの側面から前記溝部に液状樹脂を注入する液状樹脂注入工程と、注入した前記液状樹脂を固化させる樹脂固化工程と、を含むことを特徴とする樹脂成形済リードフレームの製造方法。
  2. 樹脂成形済リードフレームから樹脂成形品を製造する方法であって、
    請求項１記載の樹脂成形済リードフレームの製造方法により前記樹脂成形済リードフレームを製造する樹脂成形済リードフレーム製造工程と、
    前記樹脂成形済リードフレームに前記樹脂成形品の他の部品を接合する接合工程と、
    前記樹脂成形済リードフレームに接合された前記他の部品を樹脂封止する樹脂封止工程と、
    を含むことを特徴とする樹脂成形品の製造方法。
  3. 前記樹脂成形品が、電子部品である請求項２記載の樹脂成形品の製造方法。
  4. 貫通溝と第１有底溝とを含む溝部を有するリードフレームであって、
    前記リードフレームの周縁部の少なくとも一部に、前記貫通溝と連結した前記第１有底溝を有し、
    前記第１有底溝を介して前記溝部内の気体を前記リードフレーム外部に排出可能であることを特徴とするリードフレーム。
  5. 前記第１有底溝が、少なくとも一か所で折り返された形状である請求項４記載のリードフレーム。
  6. 前記リードフレームの周縁部の少なくとも一部に、樹脂注入用の第２有底溝を有する請求項４又は５記載のリードフレーム。
  7. 前記第１有底溝の一部の幅が、前記第１有底溝の他の部分の幅よりも狭い請求項６記載のリードフレーム。
JP2019212746A 2019-11-25 2019-11-25 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム Active JP6986539B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019212746A JP6986539B2 (ja) 2019-11-25 2019-11-25 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム
TW109136782A TWI747568B (zh) 2019-11-25 2020-10-23 具有溝部的引線框、樹脂成形後的引線框的製造方法、樹脂成形品的製造方法及樹脂成形品
CN202011185026.XA CN112838014B (zh) 2019-11-25 2020-10-29 树脂成形后的引线框的制造方法、树脂成形品的制造方法及引线框
KR1020200149508A KR102407742B1 (ko) 2019-11-25 2020-11-10 수지 성형된 리드 프레임의 제조 방법, 수지 성형품의 제조 방법 및 리드 프레임

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019212746A JP6986539B2 (ja) 2019-11-25 2019-11-25 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021086866A true JP2021086866A (ja) 2021-06-03
JP6986539B2 JP6986539B2 (ja) 2021-12-22

Family

ID=75923731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019212746A Active JP6986539B2 (ja) 2019-11-25 2019-11-25 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6986539B2 (ja)
KR (1) KR102407742B1 (ja)
CN (1) CN112838014B (ja)
TW (1) TWI747568B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI824672B (zh) * 2022-08-22 2023-12-01 順德工業股份有限公司 封裝結構及其金屬構件

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158978A (ja) * 2009-04-10 2009-07-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2010074152A (ja) * 2008-08-22 2010-04-02 Sumitomo Chemical Co Ltd リードフレーム、樹脂パッケージ、半導体装置及び樹脂パッケージの製造方法
JP2011258680A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013247131A (ja) * 2012-05-23 2013-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2014017390A (ja) * 2012-07-10 2014-01-30 Apic Yamada Corp リードフレーム、プリモールドリードフレーム、半導体装置、プリモールドリードフレームの製造方法、および、半導体装置の製造方法
JP2015109295A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 凸版印刷株式会社 リードフレーム型基板およびリードフレーム型基板の製造方法
JP2015133363A (ja) * 2014-01-09 2015-07-23 株式会社カネカ 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置
JP2016021561A (ja) * 2014-06-17 2016-02-04 大日本印刷株式会社 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2858904B2 (ja) * 1990-08-03 1999-02-17 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム及びモールド金型
JP2730540B2 (ja) * 1996-02-28 1998-03-25 日本電気株式会社 電子部品
KR100467897B1 (ko) * 1996-12-24 2005-01-24 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 장치 및 이의 제조방법
JP2006294857A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Sharp Corp リードフレーム、半導体装置、半導体装置の製造方法および射出成型用金型
WO2008081696A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Nichia Corporation 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法、パッケージの製造方法及びパッケージ製造用金型
JP6209826B2 (ja) * 2013-02-22 2017-10-11 大日本印刷株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
WO2016006650A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 大日本印刷株式会社 リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、成形装置
JP6288120B2 (ja) * 2016-02-12 2018-03-07 第一精工株式会社 樹脂封止金型および電子部品の樹脂成形部を製造する方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010074152A (ja) * 2008-08-22 2010-04-02 Sumitomo Chemical Co Ltd リードフレーム、樹脂パッケージ、半導体装置及び樹脂パッケージの製造方法
JP2009158978A (ja) * 2009-04-10 2009-07-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2011258680A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013247131A (ja) * 2012-05-23 2013-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2014017390A (ja) * 2012-07-10 2014-01-30 Apic Yamada Corp リードフレーム、プリモールドリードフレーム、半導体装置、プリモールドリードフレームの製造方法、および、半導体装置の製造方法
JP2015109295A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 凸版印刷株式会社 リードフレーム型基板およびリードフレーム型基板の製造方法
JP2015133363A (ja) * 2014-01-09 2015-07-23 株式会社カネカ 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置
JP2016021561A (ja) * 2014-06-17 2016-02-04 大日本印刷株式会社 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体

Also Published As

Publication number Publication date
TW202120292A (zh) 2021-06-01
KR20210064052A (ko) 2021-06-02
CN112838014A (zh) 2021-05-25
KR102407742B1 (ko) 2022-06-10
JP6986539B2 (ja) 2021-12-22
CN112838014B (zh) 2024-03-19
TWI747568B (zh) 2021-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI567836B (zh) Manufacturing method of semiconductor device
US6001672A (en) Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
JP5479247B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004134591A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US20050287715A1 (en) Method for encapsulating lead frame packages
JP4454608B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP2912134B2 (ja) 半導体装置
US20100213586A1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP6986539B2 (ja) 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム
KR100591718B1 (ko) 수지-밀봉형 반도체 장치
JP2003224239A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04124846A (ja) テープキャリヤ
JP6034078B2 (ja) プリモールドリードフレームの製造方法、および、半導体装置の製造方法
JP4421934B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5923293B2 (ja) モールド金型
JP3317346B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2012238740A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1092856A (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2002118130A (ja) マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JPH05293846A (ja) 成形装置
JP2003203935A (ja) 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置
JPH08330343A (ja) 電子部品の樹脂封止装置およびこれを用いた樹脂封止方法
JPH10209330A (ja) Ｂｇａ型中空半導体パッケージ
JP2006294946A (ja) 半導体装置用リードフレームおよび封止金型ならびに半導体装置の製造方法
JPH09260410A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6986539

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150