JP2002118130A - マトリクスパッケージの樹脂封止方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップがマトリクス配置でフリップチ
ップ実装されたパッケージをアンダーフィルモールドす
る際の生産性を向上させしかも成形品より不要樹脂を分
離し易くしたマトリクスパッケージの樹脂封止方法を提
供する。 【解決手段】 基板２上に形成される成形品ゲートラン
ナ１１位置を粘着テープ９により覆われた被成形品をモ
ールド金型１内に搬入してクランプし、粘着テープ９上
に形成された金型ゲートランナ１０を介して半導体チッ
プ５と基板２との隙間部分へ封止樹脂を圧送りしてアン
ダーフィルモールドを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体チップが基
板上フリップチップ接続によりマトリクス状に配置され
た被成形品をモールド金型によりクランプし、半導体チ
ップと基板との隙間部分を含むキャビティに封止樹脂を
圧送して樹脂封止するマトリクスパッケージの樹脂封止
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップを基板にフリップチップ接
続した後、該半導体チップと基板との接合部を保護する
と共に両者間の熱応力による影響を緩和するため、所謂
アンダーフィルモールドが行われている。このアンダー
フィルモールドは、半導体チップの一辺又は二辺に相当
する周囲にポッティングにより液状樹脂を垂らして基板
を傾けることにより、毛細管現象により半導体チップと
基板との隙間に樹脂を注入し、加熱硬化させて樹脂封止
するものである。

【０００３】また、半導体チップと基板との隙間が狭小
化して液状樹脂に気泡が生じ易く、樹脂にフィラーなど
を含有するため流れ性が悪く成形品質が不安定になり易
いこと、成形に時間がかかり生産効率が低く、更にはポ
ッティング樹脂が高価であるなどの理由から、本件出願
人は、ポッティング法に替えてトランスファー成形法に
よりアンダーフィルモールドを行う樹脂封止方法及び樹
脂封止装置を提案した（特開平１１−２７４１９７号公
報参照）。

【０００４】この方法は、半導体チップがフリップチッ
プされた基板（被成形品）を下型へセットし、基板上及
び樹脂路を覆うリリースフイルムを上下金型面に各々吸
着させて、ポットに樹脂タブレットを投入する。そし
て、モールド金型を型閉じして被成形品をクランプし
て、樹脂タブレットを加熱溶融させながらプランジャに
より圧送りして樹脂封止するものである。この場合、半
導体チップと基板との隙間部分へのアンダーフィルモー
ルドを確実に行うため、半導体チップの両側面部（アン
ダーフィル部への樹脂充填方向に対して両側部）にサイ
ドブロックを設けて、該サイドブロックを予めキャビテ
ィ凹部内へ突出させてリリースフィルムを基板上に押さ
えてアンダーフィルモールドを行い、樹脂が半導体チッ
プの下流側より流出する際にサイドブロックを退避させ
て半導体チップの残る両側面部を樹脂封止するようにな
っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】特開平１１−２７４１
９７号公報に開示されている樹脂封止方法及び樹脂封止
装置は、１の樹脂タブレットで１の金型キャビティ若し
くは２の金型キャビティへ樹脂を供給して樹脂封止して
いるため、半導体チップがマトリクス配置されている場
合には生産性が低下する。また、半導体チップを含む全
体を覆う上リリースフィルムと基板上に樹脂が付着する
のを防止するための樹脂路を覆う下リリースフィルムが
存在している。このため、被成形品をモールド金型にセ
ットした後、下リリースフィルムをモールド金型にセッ
トし、樹脂タブレットを上下リリースフィルム間でモー
ルド金型にセットし、更に上リリースフィルムをセット
するという複雑なセットを自動化機構が行わなければな
らない。同様に成形後の成形品の取り出しも複雑な自動
化機構を要する。また、成形品を取り出す場合、成形品
は一番下側にあるため、何時どのようにしてゲートブレ
イクするか、また、上下リリースフィルムを取り去った
後でないと成形品を取り出すことができないため、何時
モールド金型より取り出すか、更には上下リリースフィ
ルム間には不要樹脂があるため、何時どのようにして不
要樹脂を取り出すかが非常に難しい。仮にゲートブレイ
クせずにリリースフィルムと成形品を同時にモールド金
型の外へ取り出した場合には、搬送時に成形品がモール
ド金型内に落下するおそれがある。また、仮にモールド
金型内でゲートブレイクしようとすると、成形品を上下
で挟んだ後にゲートブレイクさせる機構が必要になり、
該ゲートブレイク機構が複雑になる。何れの方法を用い
ても、上下リリースフィルムと不要樹脂及び成形品の取
り出しがうまく行かない。

【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、半導体チップがマトリクス配置でフリップチップ
実装されたパッケージをアンダーフィルモールドする際
の生産性を向上させしかも成形品より不要樹脂を分離し
易くしたマトリクスパッケージの樹脂封止方法を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。即ち、半導体チップが
基板上にフリップチップ接続によりマトリクス状に配置
された被成形品をモールド金型によりクランプし、半導
体チップと基板との隙間部分を含むキャビティに封止樹
脂を圧送して樹脂封止するマトリクスパッケージの樹脂
封止方法において、基板上に形成される成形品ゲートラ
ンナ位置がマスク材により覆われた被成形品をモールド
金型内に搬入してクランプし、マスク材上に形成された
金型ゲートランナを介して半導体チップと基板との隙間
部分へ封止樹脂を圧送りしてアンダーフィルモールドを
行うことを特徴とする。また、半導体チップを収容する
キャビティ凹部及び該キャビティ凹部に連通する樹脂路
を含む上型面をリリースフィルムにより覆って上型及び
下型により被成形品をクランプしてマスク材とリリース
フィルムとの間に形成される金型ランナを介してアンダ
ーフィルモールドを行うことを特徴とする。また、金型
ランナより各キャビティ内の半導体チップと基板との隙
間部分及び半導体チップの周囲を樹脂封止することを特
徴とする。また、半導体チップのゲート側に対して両側
面部で上型に設けられた可動ブロックを予めキャビティ
凹部内へ突出させリリースフィルムを基板上に押接して
アンダーフィルモールドを行い、可動ブロックを退避さ
せて半導体チップの両側面部を樹脂封止することを特徴
とする。また、金型ランナーより各キャビティ内の半導
体チップと基板との隙間部分及び半導体チップの周囲を
樹脂封止することを特徴とする。また、マスク材は、基
板面に幅方向に粘着テープを粘着させて樹脂封止される
か、基板面に幅方向に金属めっきが形成されて樹脂封止
されることを特徴とする。

【０００８】また、他の手段としては、半導体チップが
基板上にマトリクス状にフリップチップ接続された被成
形品をモールド金型によりクランプし、半導体チップと
基板との隙間部分を含むキャビティに封止樹脂を圧送し
て樹脂封止するマトリクスパッケージの樹脂封止方法に
おいて、被成形品をモールド金型内に搬入してクランプ
し、基板上に形成された金型ゲートランナを介して半導
体チップと基板との隙間部分へ封止樹脂を圧送りしてア
ンダーフィルモールドを行うと共に基板を横切る成形品
ゲートランナを該基板上に残したまま樹脂封止を行うこ
とを特徴とする。また、半導体チップを収容するキャビ
ティ凹部及び該キャビティ凹部に連通する樹脂路を含む
上型面をリリースフィルムにより覆って上型及び下型に
より被成形品をクランプして基板とリリースフィルムと
の間に形成される金型ゲートランナを介してアンダーフ
ィルモールドを行うことを特徴とする。また、金型ゲー
トランナより各キャビティ内の半導体チップと基板との
隙間部分及び半導体チップの周囲を樹脂封止することを
特徴とする。また、半導体チップのゲート側に対して両
側面部で上型に設けられた可動ブロックを予めキャビテ
ィ凹部内へ突出させリリースフィルムを基板上に押接し
てアンダーフィルモールドを行い、可動ブロックを退避
させて半導体チップの両側面部を樹脂封止することを特
徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマトリクスパ
ッケージの樹脂封止方法の好適な実施の形態について添
付図面と共に詳述する。 ［第１実施例］図１（ａ）（ｂ）（ｃ）はリリースフィ
ルムを用いたモールド金型にクランプされた被成形品の
上視図、矢印Ｘ−Ｘ及びＹ−Ｙ方向断面図、図２（ａ）
（ｂ）は樹脂封止後の成形品の上視図及び断面図、図３
（ａ）（ｂ）はリリースフィルムを省略した樹脂封止後
の成形品の上視図及び断面図、図４（ａ）（ｂ）はゲー
トブレイク後の成形品の上視図及び断面図、図５（ａ）
（ｂ）（ｃ）は成形品を個片に分離する際の切断ライン
及び切断方法を示す説明図である。

【００１０】先ず、本発明に係るマトリクスパッケージ
の樹脂封止方法を用いて樹脂封止を行う樹脂封止装置の
概略構成について説明する。図１（ｂ）において、１は
モールド金型であり、基板２を載置する下型３と、樹脂
路が形成された上型４とを備えている。上型４には、基
板２にフリップチップ接続された半導体チップ５を収容
するキャビティ凹部６、該キャビティ凹部６に連通する
金型ゲートランナ７などの樹脂路が形成されている。被
成形品は、半導体チップ５をバンプ又ははんだボールな
どの接続端子５ａを介してフリップチップ接続された基
板２が用いられる。基板２としては、エポキシ系樹脂基
板、ポリイミド系樹脂基板、ＢＴ（Bismaleimide・Tria
zine）基板の他にセラミックス基板なども用いられる。
また、基板２は、単層基板でも多層基板のいずれでも良
い。また、下型３には図示しないプランジャを内臓した
ポットが設けられている。

【００１１】８はリリースフィルムであり、上型４のキ
ャビティ凹部７及び該キャビティ凹部６に連通する樹脂
路（金型ゲートランナ７、金型カルなど）を覆い、半導
体チップ５及び基板２の上面を露出させて樹脂封止す
る。リリースフィルム８は、モールド金型１の加熱温度
に耐えられる耐熱性を有するもので、金型面より容易に
剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するフィル
ム材、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰ、
フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニリジン等が好適に用いられる。リリースフィルム８
は、上型４のパーティング面に形成された図示しない吸
着穴よりエアーを吸引することで、吸着保持される。リ
リースフィルム８は、リール間に巻回された長尺状のも
のをリリースフィルム供給機構（図示せず）により連続
してモールド金型１へ供給するようになっていても、或
いは予め短冊状に切断されたものを用いても良い。尚、
リリースフィルム８は、図３（ａ）（ｂ）に示すよう
に、省略することも可能である。

【００１２】下型３には、図示しない突出ピンが設けら
れており、その先端部が基板２より上方に突出してい
る。また、上型４には、突出ピンに対向する位置に挿入
穴が設けられている。モールド金型１をクランプする際
に、突出ピンがリリースフィルム８を挿入穴に若干押し
込んでリリースフィルム８の皺やたるみを矯正するよう
になっている。また、樹脂封止装置は、例えば下型３を
電動モータによりトグル機構などを用いて上下動させて
モールド金型１を開閉する公知の型開閉機構、ポットよ
り樹脂路を経て封止樹脂をキャビティへ圧送するトラン
スファ機構などが装備されている。

【００１３】また、半導体チップ５がマトリクス状に搭
載された基板２上に幅方向に形成される成形品ゲートラ
ンナ位置は、マスク材により覆われている。マスク材と
しては、図１（ａ）（ｂ）及び図２（ａ）（ｂ）に示す
ように、耐熱性の粘着テープ（例えばポリイミドテープ
など）９が好適に用いられる。この粘着テープ９上に金
型ゲートランナ７が配設され、該金型ゲートランナ７の
両側に金型ゲート１２が形成されて両側のキャビティへ
封止樹脂１０が供給される。このため、粘着テープ９は
基板２上に１列おきに幅方向に形成されている。

【００１４】樹脂封止方法について説明すると、図１
（ａ）（ｂ）に示すように、上型４の半導体チップ５を
収容するキャビティ凹部６、該キャビティ凹部６に連通
する樹脂路を含む上型面にリリースフィルム８を吸着保
持しておく。そして、半導体チップ５をフリップチップ
接続され、成形品ゲートランナ位置に粘着テープ９が粘
着された基板２をモールド金型１の下型３上に搬入す
る。また、ポットに樹脂タブレットを投入して図示しな
い型開閉機構を作動させてモールド金型１をクランプす
る。そして、図示しないトランスファ機構を作動させ
て、プランジャを上昇させ、図２（ａ）（ｂ）に示すよ
うに基板２の粘着テープ９とリリースフィルム８との間
に形成された金型ゲートランナ（樹脂路）７を経てキャ
ビティへ封止樹脂１０を圧送りする。

【００１５】このとき、図２（ａ）（ｂ）に示すよう
に、金型ゲートランナ７より両側にマトリクス配置され
た各キャビティ内の半導体チップ５と基板２との隙間部
分から半導体チップ５の周囲へ封止樹脂１０を圧送りし
てアンダーフィルモールドを行う。尚、予め上型４の半
導体チップ５のゲート側に対して両側面部位置に可動ブ
ロック２２を設け（図１（ａ）（ｃ）参照）、該可動ブ
ロック２２をキャビティ凹部６内へ突出させてリリース
フィルム８を基板２上に押接した状態にすることによ
り、半導体チップ５と基板２との隙間部分へ優先的に封
止樹脂１０を圧送りしてアンダーフィルモールドを行う
ようにしても良い。この場合には、封止樹脂１０が半導
体チップ５のゲート側から下流側に到達すると、可動ブ
ロック２２を上方に退避させて樹脂封止を行う。可動ブ
ロック２２を基板２より退避させるタイミングは、少な
くともアンダーフィル部に封止樹脂１０が充填されると
同時若しくはそれ以降であるのが望ましい。

【００１６】図２（ａ）（ｂ）に示すように、成形品は
アンダーフィル部に接続する成形品ゲートランナ１１を
基板２の粘着テープ９上に残したまま樹脂成形される。
成形品ゲートランナ１１は、各金型ゲート１２の位置で
樹脂路断面が絞られて形成されているので、ゲートブレ
イクが定位置で容易に行われる。また、金型ゲート１２
の絞り位置は、粘着テープ９の両側幅サイズと一致する
ようになっている。これは、粘着テープ９の剥離と同時
に成形品ゲートランナ１１をゲートブレイクして除去す
るためである。

【００１７】次に、図４（ａ）（ｂ）において、基板２
のポットと幅方向反対側の端部から粘着テープ９を剥ぎ
取る。このとき、粘着テープ９上に残存する成形品ゲー
トランナ１１は金型ゲート１２の位置に剪断応力が作用
してゲートブレイクし、粘着テープ９と共に除去され
る。また、粘着テープ９の剥離により成形品ゲートラン
ナ１１は成形品カル１３と分離されて除去されても良い
し一体となって除去されても良い。

【００１８】次に、図５（ａ）（ｂ）において、ダイシ
ングソー１４により各パッケージを有する基板２をマト
リクス状に切断して個片に分離する。また、図５（ｃ）
に示すように基板２の切断位置に予めミシン目１５ａが
マトリクス状に形成されていたり、或いは基板２の切断
位置に予め片側若しくは両側にノッチ１５ｂが形成され
ていても良い。

【００１９】上記樹脂封止方法によれば、マトリクスパ
ッケージを一括してトランスファー成形できるので、ポ
ッティングに比べてボイドが発生し難く成形品質を向上
させると共に生産性を向上できる。また、基板２上に形
成される成形品ゲートランナ１１の位置を粘着テープ９
により覆って樹脂封止するので、不要樹脂のゲートブレ
イクが簡易な機構で行え、しかも粘着テープ９の剥離と
共に除去できるので、ゲートブレイク及びスクラップの
除去が容易に行える。

【００２０】［第２実施例］次に、マトリクスパッケー
ジの樹脂封止方法の他例について図６（ａ）（ｂ）乃至
図１０を参照して説明する。尚、前述した樹脂封止方法
の説明で用いた同一部材には、同一番号を付して説明を
援用する。図６（ａ）（ｂ）において、基板２上に形成
される成形品ゲートランナ位置にはマスク材として例え
ば金めっき１６が幅方向に形成されている。この金めっ
き１６上には金型ゲートランナ７が配設され、該金型ゲ
ートランナ７の両側に金型ゲート１２が形成されて両側
のキャビティへ封止樹脂１０が供給される。このため、
金めっき１６は基板２上に１列おきに幅方向に形成され
ている。

【００２１】或いは図７（ａ）（ｂ）に示すように、特
にマスク材を設けることなく、基板材２上に形成された
金型ゲートランナ７を介して半導体チップ５と基板２と
の隙間部分へ封止樹脂１０を圧送りしてアンダーフィル
モールドを行うと共に基板２を横切る成形品ゲートラン
ナ１１を該基板２上に残したまま樹脂封止を行うように
しても良い。また、半導体チップ５を収容するキャビテ
ィ凹部６及び該キャビティ凹部６に連通する樹脂路を含
む上型面をリリースフィルム８により覆って上型４及び
下型３により被成形品をクランプして基板とリリースフ
ィルムとの間に形成される金型ゲートランナ７を介して
アンダーフィルモールドを行っても良い。また、半導体
チップ５のゲート側に対して両側面部で上型４に可動ブ
ロック２２を設けて、該可動ブロック２２を予めキャビ
ティ凹部内へ突出させリリースフィルム８を基板２上に
押接してアンダーフィルモールドを行い、可動ブロック
２２を退避させて半導体チップの両側面部を樹脂封止す
るようにしても良い。

【００２２】樹脂封止方法は前述した実施例の樹脂封止
方法と同様であるが、図８（ａ）（ｂ）に示すように、
樹脂封止後、成形品ゲートランナ１１と基板端より分離
した後、成形品ゲートランナ１１を基板２上に残したま
ま、ダンシングソー１４により基板２若しくは基板２及
び成形品ゲートランナ１１ごと切断して個片に分離す
る。また、基板２の切断位置に予めミシン目１５ａがマ
トリクス状に形成されていたり、或いは基板２の切断位
置に予め片側若しくは両側にノッチ１５ｂが形成されて
いても良い。尚、第１実施例と第２実施例の２つを同時
に使用しても良い。例えば、半導体チップ直近に金属め
っきをし、該金属めっき部分に僅かに重なるように粘着
テープを貼り付けても良い。

【００２３】また、本実施例の半導体パッケージ１７
は、図９（ａ）（ｂ）に示すように半導体チップ５と基
板２との隙間部分及び半導体チップ５の周囲を樹脂封止
するようになっている。半導体チップ５の周囲にはアン
ダーフィル部より高くチップの高さより低い高さで鍔状
封止部１８が形成されている。また、半導体パッケージ
の他例として、図１０に示すように半導体チップ５の周
囲にチップの高さと同程度の高さの樹脂封止部１９が形
成されていても良い。この樹脂封止部１９の周縁部の高
さはチップの高さより若干高くなるよう樹脂成形され
る。即ち、チップ上面に成形品凹部２０を形成するよう
に樹脂封止するようにしたものである。半導体チップ５
の上面には樹脂封止後に放熱板２１が接着される。この
とき、樹脂封止部１９に形成された成形品凹部２０に接
着剤が塗布されて放熱板が貼り合わされる。このよう
に、半導体チップ５の上面に放熱板２１を接着するた
め、半導体チップ５の周囲を封止する樹脂封止部１９に
成形品凹部２０を形成することにより、放熱板を接着す
る接着剤層の厚さを樹脂封止部１９で吸収できるため、
パッケージの高さを低く抑えることができる。

【００２４】以上本発明の好適な実施例について種々述
べてきたが、樹脂封止方法は上述した各実施例に限定さ
れるのではなく、例えば基板上に形成されるマスク材の
材質やレイアウトは任意であり、ゲート位置のレイアウ
トも任意である。また、粘着テープの両側半導体チップ
を同時に樹脂封止する場合を例に挙げたが粘着テープの
片側のみの半導体チップ配置でも同様に樹脂封止するこ
とが可能である等、発明の精神を逸脱しない範囲で多く
の改変を施し得るのはもちろんである。

【００２５】

【発明の効果】本発明に係る、マトリクスパッケージの
樹脂封止方法によれば、マトリクスパッケージを一括し
てトランスファー成形できるので、ポッティングに比べ
てボイドが発生し難く成形品質を向上させると共に生産
性を向上できる。また、基板上に形成される成形品ゲー
トランナの位置をマスク材により覆って樹脂封止する場
合には、不要樹脂のゲートブレイクが簡易に行え、スク
ラップの除去が容易に行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係るリリースフィルムを用いたモ
ールド金型にクランプされた被成形品の上視図、矢印Ｘ
−Ｘ及びＹ−Ｙ方向断面図である。

【図２】樹脂封止後の成形品の上視図及び断面図であ
る。

【図３】リリースフィルムを省略した樹脂封止後の成形
品の上視図及び断面図である。

【図４】ゲートブレイク後の成形品の上視図及び断面図
である。

【図５】成形品を個片に分離する際の切断ライン及び切
断方法を示す説明図である。

【図６】第２実施例に係るモールド金型にクランプされ
た被成形品の上視図及び断面図である。

【図７】樹脂封止後の成形品の上視図及び断面図であ
る。

【図８】成形品を個片に分離する際の切断ライン及び切
断方法を示す説明図である。

【図９】半導体パッケージの上視図及び断面図である。

【図１０】他例に係る半導体パッケージの上視図及び断
面図である。

【符号の説明】

１ モールド金型 ２ 基板 ３ 下型 ４ 上型 ５ 半導体チップ ６ キャビティ凹部 ７ 金型ゲートランナ ８ リリースフィルム ９ 粘着テープ １０ 封止樹脂 １１ 成形品ゲートランナ １２ 金型ゲート １３ 成形品カル １４ ダイシングソー １５ａ ミシン目 １５ｂ ノッチ １６ 金めっき １７ 半導体パッケージ １８ 鍔状封止部 １９ 樹脂封止部 ２０ 成形品凹部 ２１ 放熱板 ２２ 可動ブロック

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AD02 AD05 AD08 AD35 AH37 CA11 CB01 CB17 CK06 CK25 CM72 CQ05 4F206 AD02 AD05 AD08 AD35 AH37 JA07 JB17 JF05 JL02 JM02 JN32 JQ06 JQ81 5F061 AA01 BA03 CA21 FA06

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップが基板上にフリップチップ
   接続によりマトリクス状に配置された被成形品をモール
   ド金型によりクランプし、前記半導体チップと基板との
   隙間部分を含むキャビティに封止樹脂を圧送して樹脂封
   止するマトリクスパッケージの樹脂封止方法において、 前記基板上に形成される成形品ゲートランナ位置がマス
   ク材により覆われた前記被成形品をモールド金型内に搬
   入してクランプし、 前記マスク材上に形成された金型ゲートランナを介して
   半導体チップと基板との隙間部分へ封止樹脂を圧送りし
   てアンダーフィルモールドを行うことを特徴とするマト
   リクスパッケージの樹脂封止方法。
2. 【請求項２】 前記半導体チップを収容するキャビティ
   凹部及び該キャビティ凹部に連通する樹脂路を含む上型
   面をリリースフィルムにより覆って上型及び下型により
   前記被成形品をクランプして前記マスク材とリリースフ
   ィルムとの間に形成される金型ゲートランナを介してア
   ンダーフィルモールドを行うことを特徴とする請求項１
   記載のマトリクスパッケージの樹脂封止方法。
3. 【請求項３】 前記金型ゲートランナより各キャビティ
   内の半導体チップと基板との隙間部分及び前記半導体チ
   ップの周囲を樹脂封止することを特徴とする請求項１又
   は２記載のマトリクスパッケージの樹脂封止方法。
4. 【請求項４】 前記半導体チップのゲート側に対して両
   側面部で前記上型に設けられた可動ブロックを予めキャ
   ビティ凹部内へ突出させ前記リリースフィルムを基板上
   に押接してアンダーフィルモールドを行い、前記可動ブ
   ロックを退避させて前記半導体チップの両側面部を樹脂
   封止することを特徴とする請求項１、２又は３記載のマ
   トリクスパッケージの樹脂封止方法。
5. 【請求項５】 前記マスク材は、前記基板面に幅方向に
   粘着テープを粘着させて樹脂封止されることを特徴とす
   る請求項１、２、３又は４記載のマトリクスパッケージ
   の樹脂封止方法。
6. 【請求項６】 前記マスク材は、前記基板面に幅方向に
   金属めっきが形成されて樹脂封止されることを特徴とす
   る請求項１、２、３又は４記載のマトリクスパッケージ
   の樹脂封止方法。
7. 【請求項７】 半導体チップが基板上にフリップチップ
   接続によりマトリクス状に配置された被成形品をモール
   ド金型によりクランプし、前記半導体チップと基板との
   隙間部分を含むキャビティに封止樹脂を圧送して樹脂封
   止するマトリクスパッケージの樹脂封止方法において、 前記被成形品をモールド金型内に搬入してクランプし、 前記基板上に形成された金型ゲートランナを介して半導
   体チップと基板との隙間部分へ封止樹脂を圧送りしてア
   ンダーフィルモールドを行うと共に前記基板を横切る成
   形品ゲートランナを該基板上に残したまま樹脂封止を行
   うことを特徴とするマトリクスパッケージの樹脂封止方
   法。
8. 【請求項８】 前記半導体チップを収容するキャビティ
   凹部及び該キャビティ凹部に連通する樹脂路を含む上型
   面をリリースフィルムにより覆って上型及び下型により
   前記被成形品をクランプして前記基板とリリースフィル
   ムとの間に形成される金型ゲートランナを介してアンダ
   ーフィルモールドを行うことを特徴とする請求項７記載
   のマトリクスパッケージの樹脂封止方法。
9. 【請求項９】 前記金型ゲートランナより各キャビティ
   内の半導体チップと基板との隙間部分及び前記半導体チ
   ップの周囲を樹脂封止することを特徴とする請求項７又
   は８記載のマトリクスパッケージの樹脂封止方法。
10. 【請求項１０】 前記半導体チップのゲート側に対して
    両側面部で前記上型に設けられた可動ブロックを予めキ
    ャビティ凹部内へ突出させ前記リリースフィルムを基板
    上に押接してアンダーフィルモールドを行い、前記可動
    ブロックを退避させて前記半導体チップの両側面部を樹
    脂封止することを特徴とする請求項７、８又は９記載の
    マトリクスパッケージの樹脂封止方法。