JP2020184582A - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
Description
11 補正処理部
12 ショット分割部
13 不足照射量算出部
14 ドーズ勾配算出部
15 リサイズ量算出部
16 リサイズ処理部
17 ショットデータ生成部
18 描画制御部
Claims (5)
- 図形パターンが定義された描画データを用いて、前記図形パターンを荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割する工程と、
描画対象基板の描画領域をメッシュ状に仮想分割して複数のメッシュ領域に分け、前記図形パターンの位置に基づいて、前記メッシュ領域毎に、近接効果及び近接効果よりも影響半径の小さい中距離効果を補正する補正照射量を算出する工程と、
前記補正照射量を用いて各ショット図形の照射量を算出する工程と、
前記照射量に基づいて、前記ショット図形のエッジ部における不足照射量を算出する工程と、
前記不足照射量に基づいて、前記ショット図形をリサイズする工程と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて、前記描画対象基板に、前記リサイズしたショット図形を描画する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記照射量の荷電粒子ビームでリサイズ前のショット図形を描画した場合の、前記ショット図形内でのドーズ量変化の前記エッジ部における勾配を算出し、
前記不足照射量及び前記勾配に基づいて、前記ショット図形のリサイズ量を算出することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記ショット図形の照射量は、該ショット図形の重心の周囲のメッシュ領域の補正照射量から算出されることを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記ショット図形の重心の周囲のメッシュ領域の補正照射量から第1照射量を算出し、
前記ショット図形の前記エッジ部の周囲のメッシュ領域の補正照射量から第2照射量を算出し、
前記第1照射量と前記第2照射量との差分の1/2を前記不足照射量とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 図形パターンが定義された描画データを用いて、前記図形パターンを荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割するショット分割部と、
描画対象基板の描画領域をメッシュ状に仮想分割して複数のメッシュ領域に分け、前記図形パターンの位置に基づいて、前記メッシュ領域毎に、近接効果及び近接効果よりも影響半径の小さい中距離効果を補正する補正照射量を算出する補正処理部と、
前記補正照射量を用いて各ショット図形の照射量を算出し、該照射量に基づいて、前記ショット図形のエッジ部における不足照射量を算出する不足照射量算出部と、
前記不足照射量に基づいて、前記ショット図形をリサイズするリサイズ処理部と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて、前記描画対象基板に、リサイズしたショット図形を描画する描画部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。
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